DTA114ES – tranzystor PNP z rezystorami 10kΩ, SOT-323, parametry, zamienniki

Pytanie

co to za tranzystor dta 114es

Odpowiedź Sztucznej Inteligencji

Bezpośrednia odpowiedź na pytanie

• DTA114ES to tranzystor bipolarny PNP ze zintegrowanymi rezystorami polaryzującymi (tzw. BRT – Bias-Resistor Transistor / „cyfrowy” tranzystor).
• Wbudowane rezystory: R1 = 10 kΩ (wejściowy), R2 = 10 kΩ (baza-emiter).
• Typowe parametry: V_CEO = –50 V, I_C = –100 mA, h_FE(min) ≈ 30, P_D = 150-200 mW (dla małych obudów SMD).
• Obudowy spotykane dla sufiksu „ES”: głównie SOT-323 (SC-70) lub SOT-416 (SC-75), rzadziej SOT-23; kod laserowy np. „8A”, „32” lub „k5”.

Szczegółowa analiza problemu

1. Dekodowanie oznaczenia
   • DT – seria tranzystorów cyfrowych producentów (ROHM, onsemi, NXP, itp.)
   • A – wersja PNP (NPN-owa odpowiedniczka to DTC114x).
   • 114 – para rezystorów 10 kΩ / 10 kΩ.
   • E – wariant napięciowy (–50 V).
   • S – obudowa „S” (najczęściej sub-miniaturowe SMD).

2. Struktura wewnętrzna

        +V (E) ──┐
                 │
                R2 = 10 kΩ
                 │
 IN ── R1 = 10 kΩ ───► B
                 │    |\
                 │ PNP| >─── C (wyjście)
                 └────|/
                      │
                     ─┴─ 0 V

3. Kluczowe parametry katalogowe (uśrednione z publikacji ROHM, onsemi, NXP – patrz sekcja „Źródła on-line”)

4. Zastosowania praktyczne
   • Sterowanie diodami LED, transoptorami, małymi przekaźnikami z linii MCU.
   • Proste inwertery i konwertery poziomów logicznych.
   • Stopień buforujący przed tranzystorem mocy lub MOSFET-em.
   • Pull-up / pull-down aktywny w magistralach o małych prądach.

5. Pinout (SOT-323, widok z góry)

   +----+
 3 | C |  Kolektor
 2 | B |  Wejście (przez R1)
 1 | E |  Emiter
   +----+

6. Zamienniki pin-kompatybilne
   PDTA114ES (NXP), MUN5114 (onsemi), PDTA114ET (NXP-SOT-23), DTA114EE/EM/EUA (ROHM) – wszystkie PNP, R1=R2=10 kΩ, V_CEO ≥ -50 V.

Aktualne informacje i trendy

• BRT-y pozostają popularne w urządzeniach zasilanych bateryjnie (IoT, wearables) ze względu na minimalną liczbę elementów i niski koszt.
• Pojawiają się mikroukłady „digital transistor array” 16- i 32-kanałowe (np. Toshiba TBD62x serii), wypierając pojedyncze BRT-y w większych aplikacjach.
• Coraz częstsze są niestandardowe obudowy DFN/SON 1 × 1 mm – producenci (ROHM, Nexperia) oferują już DTA114 w formacie DFN1010-3 (2023 r.).

Wspierające wyjaśnienia i detale

• Wbudowany R2 „rozładowuje” bazę przy stanie wysokiej impedancji, co zapobiega przypadkowemu załączeniu – ważne w aplikacjach automotive lub EMC-krytycznych.
• Użycie DTA114ES skraca czas projektowania: port MCU → pad SMD → obciążenie, bez kalkulacji R_B.
• Wzmacniacz prądu (h_FE) jest niższy niż w klasycznym tranzystorze, bo część prądu bazy „ucieka” przez R2; należy to uwzględnić przy szacowaniu I_Cmax = (h_FE-10 %) × I_B.

Aspekty etyczne i prawne

• Komponenty sprzedawane w UE muszą być zgodne z RoHS 3 i REACH; większość aktualnych dostawców deklaruje pełną zgodność.
• W zastosowaniach medycznych lub automotive trzeba zwrócić uwagę na kwalifikację AEC-Q101 – standardowe DTA114ES jej nie spełnia (dostępne są wersje kwalifikowane u wybranych producentów).

Praktyczne wskazówki

1. Termika: przy Pd = 200 mW i θ_JA≈500 K/W temperatura złącza rośnie o 100 K; warto dodać wyspę miedzi 2 × 2 mm.
2. Szybkość przełączania: dla I_C<20 mA czas narastania/opadania ~0,1-0,3 µs – wystarczające do 100 kHz.
3. Projekt PCB: unikaj długich ścieżek na bazę, bo pojemność pasożytnicza obniża szybkość i zwiększa straty.
4. Pomiar uszkodzenia: jeśli rezystory uległy przepaleniu, multimetr w trybie „diody” pokaże zwarcie B-E; wtedy element do wymiany.

Ewentualne zastrzeżenia lub uwagi dodatkowe

• Nie nadaje się do pracy liniowej (wzmacniacz audio).
• Wartości R1/R2 są sztywne; jeśli projekt wymaga innej polaryzacji, trzeba wybrać odmianę DTA124 (22 kΩ) itp.
• Offline’owa odpowiedź mówiąca o typie NPN jest nieścisła – „A” w DTA114 oznacza PNP; odpowiednikiem NPN jest DTC114x.

Sugestie dalszych badań

• Porównanie BRT z MOSFET-ami logic-level w niskonapięciowych układach sterowania.
• Analiza szumowa BRT vs BJT + rezystor w torach analogowych małosygnałowych.
• Zbadanie wpływu tolerancji R1/R2 na czas propagacji w szybkich magistralach (>1 MHz).

Krótkie podsumowanie

DTA114ES to miniaturowy tranzystor PNP z dwoma wbudowanymi rezystorami 10 kΩ, umożliwiający bezpośrednie sterowanie z układów logicznych przy napięciach do –50 V i prądach do –100 mA. Dzięki integracji rezystorów upraszcza projekt, zmniejsza liczbę elementów i zajmowaną powierzchnię PCB, pozostając popularnym rozwiązaniem w małej elektronice cyfrowej.