Lenovo IdeaPad 330-17ICH NM-B67 PQ311 – typ i parametry MOSFET SM4377NSKP
Pytanie
lenovo ideapad 330-17ICH NM-B67
jaki to typ transystora PQ311
Odpowiedź Sztucznej Inteligencji
Bezpośrednia odpowiedź na pytanie
- PQ311 na płycie głównej Lenovo IdeaPad 330-17ICH (NM-B67/NM-B671) jest tranzystorem mocy MOSFET N-kanałowym pracującym jako górny klucz (high-side) w przetwornicy buck układu ładowania/zasilania.
- W oryginalnym schemacie podany jest zwykle model SM4377NSKP (Sinopower) lub w nowszych rewizjach bliski odpowiednik (np. SM4378NSKP, AON7534).
Szczegółowa analiza problemu
Rola w układzie
- Obwód: sekcja charger + system power sterowana przez kontroler BQ24780S/BQ24773 (ozn. PU301).
- Funkcja: PQ311 pełni rolę górnego MOSFET-u w synchronicznej przetwornicy step-down, przełączając napięcie zasilacza (VIN ≈ 19 V) na węzeł PHASE/CS do uzyskania ~12 V lub napięcia ładowania baterii.
- Współpracuje z:
• PQ312 – dolny MOSFET,
• PL301 – cewka,
• PC30x – kondensatory filtrujące.
Parametry katalogowe SM4377NSKP (typowe)
- V_DS (maks.): 30 V
- I_D (Tc = 25 °C): 55 A ciągły / >100 A pulsacyjny
- R_DS(on): 7,5 mΩ @ V_GS = 10 V, 10,5 mΩ @ 4,5 V
- V_GS(max): ±20 V
- Obudowa: DFN-8 3 × 3 mm (pinout jak we wszystkich „NSKP”)
Dlaczego MOSFET N-kanałowy
- N-kanałowe klucze przy napięciach < 30 V zapewniają najniższą rezystancję włączenia, co minimalizuje straty mocy i nagrzewanie sekcji zasilania laptops.
Aktualne informacje i trendy
- W nowych partiach płyt NM-B67 pojawiają się zamienniki o jeszcze niższym R_DS(on), np. AON7934, AON7418 – trend rynku to obniżanie strat przewodzenia i podwyższanie sprawności ładowarki.
- Producenci laptopów coraz częściej stosują układy FDMC/RJK w obudowach µDFN 2 × 2 mm (jeszcze mniejsze footprinty).
Wspierające wyjaśnienia i detale
- Oznaczenie „PQ311” jest wyłącznie numerem pozycyjnym na PCB, a nie symbolem handlowym części.
- Kod laserowy na fizycznym układzie SM4377NSKP bywa skrócony (np. „4377K”, „377K”).
- Przy braku schematu można dokonać identyfikacji poprzez:
- Odczyt kodu z obudowy pod lupą ≥10×.
- Porównanie pinoutu (Drain 1-3, Source 5-8, Gate 4) z DFN-8 datasheet.
- Pomiar R_DS(on) wylutowanego elementu testerem komponentów.
Aspekty etyczne i prawne
- Płyty główne są chronione prawem autorskim; korzystanie ze schematów powinno odbywać się w ramach licencji serwisowej lub dozwolonego użytku naprawczego.
- Wymiana elementów SMD musi być przeprowadzana z zachowaniem norm ESD (IEC 61340) – potencjalne ryzyko uszkodzenia innych układów.
Praktyczne wskazówki
- Dobór zamiennika
• V_DS ≥ 30 V, I_D ≥ 50 A, R_DS(on) ≤ 10 mΩ @ 10 V.
• Obudowa DFN-8 3 × 3 mm lub kompatybilna (uwaga na pad-layout!).
- Procedura wymiany
• Hot-air 320–340 °C, pre-heater ~150 °C.
• Po wylutowaniu oczyść pola stopu Pb-free i nałóż świeżą cynę Sn63/Pb37 dla uproszczenia ponownego lutowania.
- Diagnostyka
• Sprawdź zwarcie Drain-Source na zimno (< 0,1 Ω → uszkodzony).
• Podczas pracy: V_GS ~6–10 V p-p przy częstotliwości 300-600 kHz; brak impulsów wskazuje na usterkę kontrolera lub sygnału „ACOK”.
Ewentualne zastrzeżenia lub uwagi dodatkowe
- W pojedynczych egzemplarzach spotykano SM4378NSKP (różni się minimalnie parametrami, pinout identyczny).
- Jeśli PQ311 uległ uszkodzeniu wtórnemu (np. zwarcie na linii PHASE lub uszkodzony PU301), sama wymiana MOSFET-u nie przywróci sprawności.
Sugestie dalszych badań
- Analiza cieplna sekcji chargera (kamera IR) po naprawie.
- Sprawdzenie jakości lutów Pb-free (mikropęknięcia) w miejscach dużych cykli termicznych.
- Porównanie sprawności przy użyciu nowoczesnych MOSFET-ów < 5 mΩ – potencjalna modernizacja.
Krótkie podsumowanie
PQ311 w Lenovo IdeaPad 330-17ICH NM-B67 to 30-woltowy, niskorezystancyjny MOSFET N-kanałowy (SM4377NSKP lub równoważny), stanowiący klucz górny przetwornicy step-down układu ładowania/zasilania. Przy wymianie należy dobrać element o równych lub lepszych parametrach, zachowując zgodność obudowy i bezpieczne procedury lutownicze.
Zastrzeżenie: Odpowiedzi udzielone przez sztuczną inteligencję (model językowy) mogą być niedokładne i wprowadzające w błąd. Elektroda nie ponosi odpowiedzialności za dokładność, rzetelność ani kompletność prezentowanych informacji. Wszystkie odpowiedzi powinny być zweryfikowane przez użytkownika.