MBRF10150CT – zamienniki: STPS10150CFP, VS-10CTF15PBF, DSTF10150C, SBR10150CTFP-G, porównanie

Pytanie

MBRF10150CT szukam zamienników

Odpowiedź Sztucznej Inteligencji

Bezpośrednia odpowiedź na pytanie

• Najbliższe „pin-to-pin” zamienniki to:
  • STPS10150CFP (ST), VS-10CTF15PBF (Vishay), DSTF10150C (Littelfuse), PBYR10150CTF (WeEn), SBR10150CTFP-G (Diodes Inc.).
• Jeżeli potrzebny jest większy zapas prądowy: STPS20150CFP, MBRF20150CT, DSTF30150C (30 A) lub DSTF40150C (40 A).
• Wszystkie wymienione elementy są podwójnymi diodami Schottky o VRRM ≥ 150 V i wspólnej katodzie w obudowie TO-220F / ITO-220 (izolowanej).

Kluczowe punkty

1. Utrzymujemy VRRM ≥ 150 V i IF(AV) ≥ 10 A (5 A/diodę).
2. Obudowa izolowana (TO-220FP/ITO-220) – brak konieczności dodatkowej podkładki.
3. Sprawdzamy Vf (spadek napięcia) i IR (prąd wsteczny) – powinny być równe lub niższe.

Szczegółowa analiza problemu

1. Parametry oryginału MBRF10150CT

• Konfiguracja: dual Schottky, wspólna katoda
• VRRM: 150 V
• IF(AV): 10 A (2 × 5 A) przy TC ≈ 125 °C
• VF typ.: 0,75 V @ 5 A, 125 °C
• IFSM: 100–150 A (8,3 ms)
• Obudowa: TO-220FP / ITO-220AB (tab odizolowany)
• Tjmax: 150…175 °C

2. Kryteria doboru zamiennika

1. Identyczna topologia (dual, CC).
2. VRRM ≥ 150 V – przewyższenie mile widziane (200 V dopuszczalne, jeżeli Vf nie rośnie znacząco).
3. IF(AV) ≥ 10 A lub wyższy, jeśli układ pracuje blisko granic.
4. Niskie VF przy prądzie roboczym (≤ 0,85 V @ 5 A, 125 °C).
5. Obudowa – najlepiej izolowana; jeśli wybierzesz nieizolowaną TO-220AB → nie zapomnij o przekładce mikowej/silikonowej i tulejce.
6. Tjmax i θJC min. takie same lub korzystniejsze.

3. Porównanie wybranych elementów (wartości katalogowe @ 125 °C)

* SBR – technologia Super Barrier Rectifier, niższy VF kosztem nieco większego IR.

4. Obudowa i zagadnienia termiczne

Oryginalny „F” (Full-Pack) ma rezystancję termiczną θJC ≈ 3,0 K/W. Przy podmianie na wersję 20–40 A strata mocy przy tym samym prądzie spadnie, co pozwala zmniejszyć temperaturę złącza o 10–20 K.

Jeśli jedynym dostępnym elementem jest typ w klasycznym TO-220AB (metalowy tab na katodzie), izoluj go od radiatora:
– podkładka mikowa 0,05 mm + smar silikonowy → Δθ ≈ 0,4 K/W,
– lub podkładka silikonowa (z klejem) → prostszy montaż, Δθ ≈ 0,8 K/W.

Aktualne informacje i trendy

• MBRF10150CT został wycofany m.in. przez Diodes Inc. i Littelfuse; ciągle produkowany przez SMC Diode Solutions.
• Dystrybutorzy (DigiKey, Mouser) przenoszą stany magazynowe na STPS-, VS- oraz DSTF-.
• Coraz częściej trafiają się zamienniki SBR (Super/Trench) o VF < 0,6 V – korzystniejsze dla wysokich częstotliwości i niższych napięć.
• W przetwornicach > 200 kHz rozważa się przejście na synchroniczne MOSFET-y lub SiC Schottky (600 V), ale dla 150 V domena Si-Schottky nadal dominuje.

Wspierające wyjaśnienia i detale

• Wspólna katoda (CT) = centralny pin połączony z tabem/obudową (w wersji nieizolowanej).
• Uwaga na alternatywy z „CG/GP” – to wspólna anoda (mirror layout); elektrycznie da się odwrócić, ale PCB może nie pasować.
• VF zależy silnie od temperatury: im cieplej, tym niższy; IR odwrotnie – rośnie wykładniczo.

Aspekty etyczne i prawne

• Półprzewodniki wycofane z produkcji są częstym celem podróbek. Kupuj u autoryzowanych dystrybutorów; żądaj traceability i raportów X-Ray/LCR przy dużych zamówieniach.
• Wszystkie wskazane zamienniki spełniają RoHS; część ma kwalifikację AEC-Q101 (automotive).

Praktyczne wskazówki

1. Zmierz realny prąd oraz temperaturę radiatora w Twojej aplikacji – pozwoli zdecydować, czy warto przejść na wersję 15–30 A.
2. Po wymianie wykonaj pomiar:
   • ΔVF (oscyloskop z sondą różnicową) przy krokowej zmianie obciążenia,
   • nagrzej układ do Tj ≈ 125 °C i sprawdź IR (miernik μA + zasilacz).
3. Zawsze aktualizuj BOM: zmiana producenta = nowy numer części i link do datasheetu.

Ewentualne zastrzeżenia lub uwagi dodatkowe

• SBR mają około 5-krotnie większy IR przy 150 V i 125 °C – w aplikacjach offline PFC/LLC może to zwiększyć straty czuwania.
• Wersje 20–40 A są fizycznie identyczne, ale większa struktura wewnętrzna podnosi pojemności Cj – rzadko istotne poniżej 200 kHz.

Sugestie dalszych badań

• Jeśli konstrukcja jest modernizowana, przetestuj synchroniczną topologię z MOSFET-ami (np. 100 V N-ch, RDS(on) < 7 mΩ) – umożliwia redukcję strat o 30-40 %.
• Przy VRRM = 150 V można rozważyć SiC 170 V (np. C3M0015065D); koszt rośnie, ale dioda staje się praktycznie bezstratna w spoczynku.

Krótkie podsumowanie

MBRF10150CT to podwójna dioda Schottky 150 V/10 A w izolowanej TO-220FP. Najpewniejsze zamienniki to STPS10150CFP, VS-10CTF15, DSTF10150C oraz SBR10150CTFP-G. Jeżeli wymagasz większego marginesu prądowego – sięgnij po MBRF20150CT lub DSTF30150C. Zwracaj uwagę na konfigurację, izolację obudowy i parametry VF/IR. Testuj termicznie po wymianie i kupuj wyłącznie z pewnych źródeł, aby uniknąć komponentów nieoryginalnych.