jaki jest odpowiednik WP3080KA
Kluczowe punkty
• zgodność obudowy TO-252 i układu wyprowadzeń (G-D-S)
• VDS ≥ 30 V, ID ≥ 80 A, RDS(on) ≤ 7,8 mΩ @ VGS = 10 V
• dopasowanie parametrów dynamicznych (Qg, Ciss)
Identyfikacja oryginału
WP3080KA – produkt Wan Semiconductor (Wansemi)
• Typ: MOSFET N-channel „logic level”
• VDS: 30 V VGS(max): ±20 V
• ID (Tc = 25 °C): 80 A ciągły, 320 A impulsowy
• RDS(on): typ. 4,5 mΩ / max. 7,8 mΩ @ VGS = 10 V
• Ładunek bramki Qg: ~56 nC
• Obudowa: TO-252-3 (DPAK); pinout: 1-G, 2-D(tab), 3-S
Zasady doboru zamiennika
• Parametry statyczne nie gorsze od oryginału (zwłaszcza VDS, ID, RDS(on))
• Zachowanie kompatybilnego pinoutu (Drain na stopce, Gate na wyprowadzeniu 1)
• Zbliżone parametry przełączania (Qg, Qgd, Coss) przy pracy w przetwornicach >100 kHz
• Uwzględnienie charakterystyki termicznej RθJC/RθJA
Zweryfikowane zamienniki pin-to-pin (TO-252)
| Zamiennik | VDS [V] | ID [A] | RDS(on) typ/max [mΩ] @10 V | Qg [nC] | Dostępność |
|---|---|---|---|---|---|
| NCE3080KA | 30 | 80 | 4,5 / 7,5 | 55 | powszechna (Chiny/EU) |
| NCE3080K | 30 | 80 | 4,5 / 7,5 | 55 | j.w. |
| VBE1302A | 30 | 100 | 4,0 / 6,5 | 60 | VBsemi |
| VBE1303 | 30 | 100 | 4,0 / 6,5 | 60 | VBsemi |
| MIC3080K | 30 | 80 | 5,0 / 8,0 | 58 | MIC MOSFET |
| IRLR7843* | 30 | 78 | 5,5 / 7,0 | 67 | Infineon (IR) |
| AOD508* | 30 | 100 | 4,0 / 5,5 | 55 | AOS |
| SUD50N03-07* | 30 | 90 | 6,0 / 7,5 | 60 | Vishay |
*sprawdź wariant obudowy – część producentów oferuje DPAK i D²PAK
• W segmencie niskonapięciowych MOSFET-ów mocy (<40 V) nacisk kładzie się na minimalizację RDS(on)/Qg (tzw. FOM = RDS(on)·Qg).
• Układy zasilania w laptopach, VRM czy konwerterach DC-DC coraz częściej wymagają FET-ów z RDS(on) < 2 mΩ; zamienniki typu VBE1302A/VBE1303 już schodzą do 4 mΩ w DPAK.
• Rośnie dostępność „super-junction-like” technologii w niskonapięciowych strukturach trench, poprawiających sprawność przełączania.
• Znak „30 80” w nazwie WP3080KA to typowa konwencja chińskich producentów (30 V, 80 A).
• Obudowa TO-252 umożliwia montaż SMD z odprowadzeniem ciepła przez pad miedziowy – przy wymianie zadbaj o poprawne przylutowanie całej powierzchni drenu.
• Jeśli oryginał pracuje w roli górnego klucza synchronicznego (high-side), zwróć uwagę na kompatybilność z driverem bootstrapowym (maks. VGS, prędkość przełączania).
• Upewnij się, że stosowany zamiennik pochodzi z legalnego kanału dystrybucji – rynek tanich FET-ów z Dalekiego Wschodu obfituje w podróbki.
• Dla wyrobów medycznych/lotniczych wymagane mogą być certyfikaty AEC-Q101 lub pełna identyfikowalność partii.
• W sieci krąży błędna identyfikacja WP3080KA jako 800 V lub tranzystora typu P. To inny element o podobnym sufiksie – nie należy się nią kierować.
• Niektóre zamienniki (np. IRLZ44N) mimo zgodnych parametrów elektrycznych mają inny pinout (G-S-D) – wymagają zmian PCB.
• Jeżeli projekt wymaga jeszcze niższych strat, rozważ przejście na nowoczesne FET-y w obudowach PowerPAK 8 × 8 lub LFPAK56.
• Sprawdź technologię GaN-FET 40 V – pozwala drastycznie zmniejszyć Qg i Qoss.
WP3080KA to niskonapięciowy MOSFET N-channel 30 V/80 A w TO-252. Najbliższy zamiennik to NCE3080KA (oraz NCE3080K). Dopuszczalna jest praktycznie każda kostka 30 V o RDS(on) ≤ 7,8 mΩ i identycznym pinoucie – np. VBE1302A/VBE1303, MIC3080K, IRLR7843. Zawsze weryfikuj datasheet, rozmieszczenie wyprowadzeń i parametry dynamiczne przed wlutowaniem nowego elementu.
