MUR620CT co to za układ?
‐ MUR620CT to podwójna, ultraszybka dioda prostownicza (Ultra-Fast Recovery Rectifier) 2 × 3 A ze wspólną katodą (CT ‑ Common Cathode) w obudowie TO-220AB.
‐ Parametry znamionowe: 200 V (VRRM), 6 A prądu średniego całkowitego, typowy czas odzysku 35 ns.
Identyfikacja i struktura
• Oznaczenie MUR = seria “Ultra-Fast Recovery” firmy Motorola/ON Semi.
• “6” → 6 A (suma dla obu diod) “20” → 200 V.
• “CT” → Common Cathode; wnętrze: dwie diody połączone katodami (Pin 2 i tab).
• Obudowa TO-220-3 (metalowa podkładka = katoda).
Kluczowe parametry katalogowe (ON Semi – MUR620CTG, Pb-Free) | Parametr | Wartość | Warunki pomiaru | Znaczenie projektowe |
---|---|---|---|---|
VRRM | 200 V | ‑ | Maks. powtarzalne napięcie zaporowe | |
IF(AV) | 6 A | TC = 125 °C | Średni prąd całego układu (3 A/diodę) | |
IFSM | 200 A | 8,3 ms, ½ sin | Rezystancja zwarciowa, rozruch SMPS | |
VF | 0,975 V | IF = 3 A, 25 °C | Straty przewodzenia (≈3 W przy 3 A) | |
trr | 35 ns | IF = 1 A, di/dt = 50 A/µs | Straty przełączania | |
TJ | ‑55…175 °C | ‑ | Zakres pracy złącza |
Podstawy teoretyczne
• Ultraszybkie diody pn o zmniejszonej ładowności rekombinacyjnej; mały QRR → krótki trr → mniejsze straty ESR w SMPS przy kilkuset kHz.
• Konfiguracja CT umożliwia pełnookresowe prostowanie prądu wysokoczęstotliwościowego w jednej obudowie, np. topologia “dual-common-cathode” dla przetworników typu push-pull / aktywny klamp.
Praktyczne zastosowania
• Prostownik wtórny w zasilaczach impulsowych 50–250 kHz.
• Dioda swobodnego biegu (free-wheeling) w falownikach do 200 V.
• Snubber lub clamp dla tranzystorów MOSFET/IGBT.
• Prostowniki AC→DC niskonapięciowe (do 140 VAC) w układach HVAC, PFC średniej mocy.
‐ ON Semi status: MUR620CT wycofany (obsolete); wersja lead-free MUR620CTG zachowana jako kompatybilny zamiennik.
‐ Rynek coraz częściej zastępuje szybkie diody pn wariantami Super-Junction MOSFET + synchroniczny prostownik lub diodami SiC/Schottky, ale przy napięciu 200 V tańsze ultrafasty wciąż dominują w SMPS klasy 24-48 V.
‐ Trendy: spadek cen diod SiC 650 V → w przyszłości wypieranie ultrafastów 600 V, natomiast segment 200 V pozostanie długo przy tanich pn/Schottky.
‐ Czas odzysku 35 ns odpowiada energii QRR ≈ 35–40 nC; przy 100 kHz i 3 A straty przełączania ≈ 0,5–0,8 W/diodę.
‐ W porównaniu z diodą Schottky 200 V (np. MBR20200CT) MUR620CT ma wyższe VF, ale mniejszy prąd wsteczny IR i wytrzymuje większą temperaturę.
‐ Zgodność z RoHS/REACH zapewnia wersja “G” (bez Pb, Sb<0,1 %).
‐ W zasilaczach klasy medycznej należy potwierdzić creepage/clearance – TO-220 montowana na radiatorze wymaga dodatkowej izolacji.
‐ Parametry (VF, trr) różnią się pomiędzy producentami klonów; w układach krytycznych czasami wymagana selekcja partii.
‐ Przy napięciach powyżej 150 V diody Schottky 200 V mają większy IR, co może pogorszyć sprawność w gorących warunkach.
‐ Porównanie strat mocy MUR620CT vs. synchroniczny MOSFET 200 V w tej samej topologii.
‐ Analiza wpływu dV/dt ≫ 100 kV/µs (GaN) na trwałość klasycznych ultrafastów.
‐ Badanie niezawodności lutowania TO-220 “clip-bond” przy termocyklach –75 ↔ +150 °C.
MUR620CT to klasyczna, podwójna dioda ultraszybka 200 V/6 A ze wspólną katodą, przeznaczona głównie do wtórnych prostowników w SMPS. Element jest już formalnie wycofany, a jego bezpośrednim, w pełni zgodnym zamiennikiem jest MUR620CTG. W nowych projektach warto rozważyć alternatywy o niższych stratach (Schottky, synchroniczny MOSFET), lecz w istniejących urządzeniach MUR620CT pozostaje sprawdzonym i łatwo dostępnym rozwiązaniem.