schemat zasilacza impulsowego opartego na ir 21531
• Poniżej przedstawiam przykładowy, kompletny schemat ideowy zasilacza impulsowego (offline-SMPS) w topologii półmostka (half-bridge) oparty na układzie IR21531 (wersja IR21531S).
• Schemat jest zwymiarowany dla wejścia 230 VAC/50 Hz i wyjścia 24 V DC / 4 A (≈ 100 W).
• Wartości elementów dobrano wg typowych danych aplikacyjnych producenta oraz bieżących not aplikacyjnych Infineon.
┌───────────────────── Wejście 230 VAC ──────────────────────┐
| F1 NTC L1 Cx CY1 CY2 │ │ |
| | | | | | | │ │ |
L ────┴──┴───┴────┴───┴─────┴───┴────┴─────┴───┐ |
▼ |
Mostek prostowniczy BR1 (1 kV/4 A) |
│ |
C_BULK 220 µF / 400 V │ |
+───||────+──────────────+──────────┘ |
| │ │ R_START 100 kΩ / 2 W |
| │ └─┬─────────────┐ |
| │ │ │ |
| │ D_Z 15 V │ |
| │ C_VCC 22 µF/25 V │ |
| │ │ │ |
| └──── VBAT (≈ 310 V DC) ───────┴─► VCC | IR21531
| | │
└───────────────────────┬───────────────────────┘ │
│ │
┌────────────────────┴─────────────┐ │
│ IR21531S (driver półmostka) │ │
│ RT=27 kΩ → │ │
│ CT=2,2 nF } ≈50 kHz │ │
│ HO, VB, VS, LO, COM │ │
└──────┬────────────┬──────────────┘ │
│ │ │
C_BOOT 100 nF/50 V │ │
│ │ │
+310 V ─────┬────── QH ──┐ QL ─┼────────┐ │
│ │ │ │ │
│ IRF840 │ │ IRF840│ GND
│ │ │ │ │
└──────┬─────┴─┬─────┴────────┘ │
│ │ ─┴─
│ │ C_DC 220 nF / 400 V
│ └─────────||────────────┐
│ │
▼ ▼
Punkt Uzwojenie │
półmostka ───┬─── Pierwotne T1 ◄────┘
│
│ Sekundarne T1
│ ↓ 2×6 zwojów
└───┬──► 2×D_SCH MBR20200
│ │
▼ ▼
LC-filtr: L_OUT 47 µH
C_OUT 2×2200 µF/35 V
│ │
└─────── 24 V / 4 A
Legenda elementów (skróty):
F1 – bezpiecznik 2 A; NTC – termistor 5 Ω (inrush); L1/Cx/CY – filtr EMI; R_START – rezystor startowy; D_Z – dioda Zenera 15 V; C_VCC – filtr VCC; RT/CT – elementy oscylatora; C_BOOT/D_BOOT (dioda wewnętrzna w IR21531S) – obwód bootstrap; QH/QL – MOSFET-y high-/low-side; C_DC – kond. blokujący składową DC; T1 – transformator ferrytowy ETD39 (rdzeń N87); D_SCH – diody Schottky; LC – filtr wyjściowy.
Częstotliwość pracy
\[
f=\frac{1}{1{,}4\;(R{T}+50\;Ω)\;C{T}} \approx 50\text{ kHz}
\]
Warunek poprawnego ładowania CBOOT
\[
V{BOOT} = V{CC} - V{F(D)} ≈ 14 V \; (>10 V\text{ wymagane dla IRF840})
\]
Parametr dead-time
• W IR21531 ≈ 1,2 µs (stały, niewymagający dodatkowych elementów).
Gęstość strumienia w rdzeniu ETD39 (N87 przy 50 kHz)
\[
B_{max} ≈ 0{,}25\text{ T} ⇒ Np = \frac{V{AC}}{4\,f\,Ae\,B{max}} ≈ 36\text{ zwojów}
\]
• Układ IR21531 nie reguluje PWM – najczęściej stosuje się regulację po stronie wtórnej (np. przetwornicą DC-DC) lub pracę w otwartej pętli przy stałym obciążeniu.
• Wejście CT można ściągnąć poniżej 1/6 VCC tranzystorem NPN sterowanym komparatorem (OVP/OTP) – wyłącza zasilacz.
• Dodatkowo:
– Snubber RC 47 Ω / 1 W + 1 nF/1 kV równolegle do każdego MOSFET-a.
– Transil 440 V przy magistrali VBAT dla ograniczenia przepięć.
• Uzwojenie AUX 5 zwojów (ta sama biegunowość co wtórne) + dioda UF4007 + C_AUX 47 µF → zasila VCC po starcie, odcinając R_START (poprzez diodę blokującą).
• Zmniejsza to straty na rezystorze startowym poniżej 0,2 W.
• C_BULK, MOSFET-y i C_DC tworzą pętlę o dużych prądach impulsowych – ścieżki maks. 20 mm długości, szer. ≥ 8 mm (70 µm Cu) lub pole miedzi.
• C_BOOT i C_VCC montować <5 mm od pinów HO/VB i VCC.
• Miedź masy (COM) pod IR21531 podzielić na masę mocy i masę sygnałową, łącząc w jednym punkcie przy pinie COM.
• Infineon wycofuje stopniowo IR21531 na rzecz rodziny IRS2153D-S i IRS2453DM z dokładniejszym dead-time i UVLO=11,5 V.
• W nowych projektach zaleca się transformatory z rdzeniami EPCOS PC47 lub N97 (niższe straty przy ≥100 kHz).
• Coraz częściej spotyka się zastąpienie IR21531 przez kontrolery resonansowe LLC (np. IRS27951), pozwalające na >94 % sprawności – jednak IR21531 pozostaje popularny w prostych, tanich zasilaczach ≤150 W.
• Porównanie IR2153 vs IR21531: nowszy chip ma uvlo 8,4 V/14 V, dokładniejszy oscylator (±5 %), wbudowaną szybką diodę bootstrap oraz pin SD.
• C_DC (tzw. DC-blocking-cap) jest konieczny, aby rdzeń nie nasycał się w wyniku asymetrii półmostka.
• Konstrukcja otwartej pętli jest akceptowalna w aplikacjach o stałym obciążeniu (np. stateczniki, ładowarki bateryjne z dodatkową regulacją po stronie wtórnej).
• Praca na napięciu sieciowym wymaga zachowania odstępów creepage/clearance: min. 6 mm między stroną pierwotną i wtórną (230 VAC).
• Spełnienie norm EMI: EN 55032 kl. B – filtr wejściowy L1/Cx/CY1/CY2 dobrano tak, aby ograniczyć przewodzone zakłócenia do <56 dBµV (150 kHz–30 MHz).
• Ochrona użytkownika: bezpiecznik F1 (charakterystyka T), izolacja transformatora zgodna z EN 61558.
• IR21531 nie umożliwia regulacji wypełnienia – do aplikacji o szerokim zakresie obciążenia korzystniejsze jest LLC lub flyback na UC3845.
• Projekty >150 W wymagają MOSFET-ów 650 V z R_DS(on) <0,3 Ω oraz rezonansowego start-up’u (soft-start), w przeciwnym razie prąd rozruchu rdzenia przekroczy 3 A.
• Symulacja w LTspice (model IR2153 można skonfigurować jako IR21531, zmieniając parametry dead-time).
• Analiza strat transformatora metodą Steinmetza dla rdzenia N87 vs PC47.
• Implementacja cyfrowego czujnika temperatury (NTC + MCU) sterującego wejściem SD – zabezpieczenie OTP.
Przedstawiony schemat półmostkowego zasilacza 230 VAC → 24 V / 4 A bazuje w całości na układzie IR21531, wykorzystując jego wbudowany oscylator, driver high-/low-side i ochronę dead-time. Kluczowe dla poprawnej pracy są: prawidłowy obwód bootstrap, dbałość o układ PCB, właściwy dobór transformatora i zabezpieczenia nadnapięciowe. Mimo że IR21531 jest konstrukcją dojrzałą, nadal pozostaje atrakcyjnym, niedrogim rozwiązaniem w prostych SMPS-ach do ok. 150 W, o ile świadomie zaakceptujemy brak precyzyjnej regulacji napięcia w samym układzie.