SR360 – dioda Schottky 3A 60V: maksymalny prąd, parametry, zastosowania

Pytanie

Sr360 ile ta dioda ma amper?

Odpowiedź Sztucznej Inteligencji

Bezpośrednia odpowiedź na pytanie

• Dioda Schottky’ego SR360 przewodzi ciągle maksymalnie 3 A (prąd średni, IF(AV)).
• Krótkotrwale wytrzymuje do ok. 80 A impulsu (IFSM).

Kluczowe punkty
• 3 A – prąd znamionowy ciągły
• 80 A – prąd udarowy (8,3 ms, fala półsinusoidalna)
• 60 V – maksymalne napięcie wsteczne (VRRM)
• Obudowa DO‑201AD, niskie VF ≈ 0,45–0,75 V

Szczegółowa analiza problemu

1. Konstrukcja i zasada działania
   SR360 jest diodą Schottky’ego z barierą potencjału metal–półprzewodnik. Brak rekombinacji nośników w złączu pozwala uzyskać:
   • bardzo krótki czas odzyskiwania (μs…ns),
   • niski spadek napięcia przewodzenia VF (typ. 0,45 V @ 1 A; maks. 0,75 V @ 3 A, 25 °C),
   • mniejsze straty mocy względem klasycznych diod krzemowych.

2. Parametry elektryczne (typowe z kart katalogowych ON Semi, Vishay, DC‑Components)
   • IF(AV) = 3 A (50 Hz, TC = 100 °C, mostek jednofazowy 180°)
   • VRRM = 60 V
   • IFSM = 80 A (tp = 8,3 ms)
   • VF = 0,50 V typ. @ 3 A, 25 °C; rośnie do ok. 0,70 V przy 125 °C
   • IR (prąd wsteczny) = 1 mA max @ 60 V, 25 °C (wzrasta do ~15 mA @ 100 °C)

3. Termika i derating
   • RθJA ≈ 60 K/W (luźny montaż w powietrzu), RθJL ≈ 15 K/W (do punktu lutowniczego).
   • IF(AV) maleje liniowo z temperaturą otoczenia; przy 100 °C zwykle ≈ 2 A.
   • Dla stabilnej pracy utrzymuj Tj < 125 °C, najlepiej < 110 °C.

4. Typowe zastosowania
   • prostowniki niskonapięciowe (5–30 V),
   • stopnie wyjściowe SMPS (buck/boost, fly‑back),
   • zabezpieczenie przed odwrotną polaryzacją,
   • OR‑ing zasilaczy i systemów redundantnych.

Aktualne informacje i trendy

• Miniaturyzacja: odpowiedniki SR360 w SMD (SS34 – 3 A, 40 V; SS36 – 3 A, 60 V) pozwalają projektować gęstsze PCB.
• Post‑Schottky: diody SiC i MOSFET‑synchro‑rectifiers w zasilaczach >100 kHz wypierają klasyczne Schottky przy wyższych napięciach.
• Rynek: wzrost popytu na niskostratne diody w aplikacjach PV‑MPPT oraz USB‑PD (20 V / 5 A) – coraz częściej stosuje się SR540/SR560 (5 A) lub dławiki z synchronicznym prostowaniem.

Wspierające wyjaśnienia i detale

• IF(AV) to średnia wartość prądu w jednym okresie pracy; nie mylić z IFSM (impuls).
• Obudowa DO‑201AD ma średnicę 2,7 mm i długość ~5,8 mm cylindryczną – możliwość lutowania przewlekanego oraz mechanicznego przykręcania do radiatora przez zacisk.
• Przy 50 kHz spadek mocy na SR360 ≈ VF·IF + QRR·f·VR; dzięki niskiej QRR (kilkanaście nC) straty przełączania są pomijalne względem diody PN.

Aspekty etyczne i prawne

• Fałszywe komponenty: SR360 jest popularna, łatwo trafić na klony o słabszych parametrach; kupuj u autoryzowanych dystrybutorów.
• Zgodność z RoHS/REACH – większość nowych partii spełnia wymagania, ale stare magazyny mogą zawierać Pb.
• Bezpieczeństwo: w zasilaczach sieciowych (praca za transformatorem) konieczne zachowanie odpowiednich odstępów i izolacji dla 60 V‑rated diody.

Praktyczne wskazówki

1. Sprawdź datasheet konkretnego producenta – wartości mogą się różnić o ±10–15 %.
2. Zachowaj margines: projektuj na 70–80 % IF(AV) (≈ 2,1–2,4 A) przy 25 °C, mniej przy wyższej temp.
3. Użyj ścieżek miedzi ≥ 3 mm i pola lutowniczego do odprowadzania ciepła; ewentualnie radiator‑klips.
4. Przy pracy impulsowej (np. przełączniki 100 kHz) rozważ SMD SS36 – mniejsze indukcyjności nóg.
5. W aplikacjach ponad 30 V lub >100 °C rozważ SiC SBD 650 V (np. C3D06060A) – mniejsze straty, większe VRRM.

Ewentualne zastrzeżenia lub uwagi dodatkowe

• 3 A to wartość dla chłodzonego złącza do 100 °C; w gorszych warunkach termicznych dioda może wejść w runaway termiczny.
• Wysoki prąd udarowy 80 A dotyczy pojedynczego półokresu sieci; powtarzające się udary skracają żywotność.
• Użycie wielu diod równolegle wymaga rezystorów wyrównujących lub dobrej, symetrycznej ścieżki termiczno‑elektrycznej.

Sugestie dalszych badań

• Porównanie energetyczne SR360 vs. synchroniczny MOSFET przy 5 V / 5 A (USB‑PD) – analiza strat mocy.
• Badanie wpływu sfałszowanych diod na MTBF zasilaczy niskonapięciowych.
• Analiza termiczna 3D (ANSYS, SolidWorks) dla diody w obudowie DO‑201AD przy różnych PCB copper area.

Krótkie podsumowanie

SR360 to prosta, tania dioda Schottky 60 V o ciągłej wydajności 3 A i zdolności do absorpcji krótkich impulsów ≈ 80 A. Dzięki niskiemu spadkowi napięcia świetnie nadaje się do niskonapięciowych prostowników i zabezpieczeń. Projektując układ, uwzględnij odprowadzenie ciepła i marginesy temperaturowe; dla prądów >3 A rozważ wersje 5 A (SR560) lub alternatywne technologie (SiC, synchroniczne prostowanie).