Toshiba TC5565APL-12 SRAM 8KB 120ns DIP-28 – parametry, zamienniki, zastosowania

Pytanie

toshiba tc5565apl 12

Odpowiedź Sztucznej Inteligencji

Bezpośrednia odpowiedź na pytanie

• Toshiba TC5565APL-12 to 8-kilobajtowa (8 192 × 8 bitów) statyczna pamięć RAM (SRAM) CMOS w 28-pinowej obudowie DIP, zasilana 5 V, o czasie dostępu 120 ns.
• Układ wykorzystuje dwa sygnały Chip Enable (CE1 – aktywny niski, CE2 – aktywny wysoki), sygnały /OE i /WE oraz 13 linii adresowych A0-A12.

Szczegółowa analiza problemu

1. Organizacja i parametry

• Pojemność logiczna: 65 536 bitów (8 K × 8).
• Technologia: CMOS, pełna statyczna praca – brak odświeżania.
• Napięcie zasilania (VCC): 4,5 … 5,5 V, typ. 5 V.
• Czas dostępu (tAA): 120 ns (szybsze wersje –10 = 100 ns, –7 = 70 ns).
• Pobór prądu (wersja –12, 25 °C):
– Aktywny ICC typ. 15-25 mA (przy maks. częstotliwości)
– Standby ICCS max. 100 µA (CE1 = H, CE2 = L)
– Tryb retencji danych: 2,0 V ≤ VDR ≤ 5,5 V, prąd < 10 µA.
• Zużycie mocy: ok. 27,5 mW/MHz (online datasheet).
• Poziomy logiczne zgodne z TTL, wyjścia trójstanowe.

2. Pin-out (PDIP-28)

* niektóre odmiany producentów wykorzystują pin 25 jako A13 w wersjach 32 K×8; TC5565APL ma go NC.

3. Tryby pracy (sygnały aktywne w nawiasie)

• Stand-by: CE1=H lub CE2=L – minimalny prąd, dane zachowane.
• Odczyt: CE1=L, CE2=H, /WE=H, /OE=L → dane na I/O0-7.
• Zapis: CE1=L, CE2=H, /WE=L (stan /OE zwykle H) → dane z I/O0-7 do komórki adresowej.

4. Timingi (wybrane)

\[ tAA ≤ 120 ns,\; tOE ≤ 60 ns,\; tRC (cykl) ≥ 170 ns,\; tWR ≥ 0 ns \]
Parametry te pozwalają współpracować z klasycznymi procesorami 2-8 MHz bez wait-states.

5. Zastosowania praktyczne

• Komputery i konsole lat 80/90 (np. Commodore, Sega, arcade).
• Sterowniki CNC, PLC, instrumenty pomiarowe.
• Bufory danych w modemach, drukarkach, kontrolerach dysków.
• Systemy bateryjnego podtrzymania (RTC-NVRAM).

Aktualne informacje i trendy

• Układ wycofany z produkcji – dostępny jedynie jako NOS lub z demontażu; ceny rosną (ok. 20–30 USD/szt. według Radwell, eBay).
• Popularne zamienniki: HM6264, UM6264, CY7C128, AS6C6264 (3,3 V), FRAM FM16W08 (bez utraty danych).
• Rynek przechodzi z 5 V CMOS-SRAM na niskonapięciowe MRAM/FRAM o zerowym poborze w standby.

Wspierające wyjaśnienia i detale

• Zgodność z EPROM 2764: pinout prawie identyczny – w 2764 pin 27 to /PGM (VPP w trybie programowania). Przy zamianie EPROM→SRAM należy unieruchomić /WE w stanie H lub podłączyć do procesora.
• Ochrona ESD: struktura CMOS, wrażliwa na ładunki statyczne; zalecana obsługa w strefie EPA.
• Podtrzymanie bateryjne: wystarczy litowa CR2032 poprzez diodę Schottky’ego; przy VDR=3 V prąd retencji < 10 µA → teoretycznie > 10 lat pracy.

Aspekty etyczne i prawne

• Ryzyko podróbek – częsty problem na rynku „legacy”. Zalecany zakup u zaufanych dystrybutorów, weryfikacja markerem rentgenowskim/decap.
• Recykling elektroniki: wymiana uszkodzonego układu zamiast utylizacji całego modułu zmniejsza e-odpad.

Praktyczne wskazówki

1. Przed wymianą sprawdź kondensatory odsprzęgające (≥ 100 nF przy pinie 28).
2. Utrzymuj /OE niski tylko podczas odczytu – zmniejsza szpilkowy pobór prądu.
3. Przy debugowaniu użyj analizatora stanów logicznych 16 ch → równoczesna obserwacja A0-A12, /CE, /OE, /WE, I/O0-7.
4. Do testu pamięci użyj wzorców March-C lub Galpat (Galway pattern), aby wykryć zwarcia międzykomórkowe.

Ewentualne zastrzeżenia lub uwagi dodatkowe

• Szybszy zamiennik (70 ns) bez problemu zastąpi układ 120 ns, ale odwrotnie może generować błędy przy taktowaniu > 4 MHz.
• W projektach nowych warto od razu stosować 3,3 V niskoprądowe SRAM lub nieulotne FRAM.

Sugestie dalszych badań

• Porównanie trwałości danych w trybie retencji między SRAM i FRAM/MRAM.
• Analiza zgodności pinowej FRAM FM16W08 z 6264/5565 – potencjalna modernizacja starych urządzeń.
• Projekt adaptera 5 V↔3,3 V dla zamienników niskonapięciowych (translacja poziomów, klucz FET).

Krótkie podsumowanie

TC5565APL-12 to klasyczna 8 KB SRAM 5 V/120 ns w DIP-28, używana szeroko w sprzęcie lat 80/90. Mimo zaprzestania produkcji wciąż można ją zastąpić kompatybilnymi 6264 lub nowoczesnymi FRAM, pamiętając o zgodności czasowej i napięciowej. Przy konserwacji należy zwrócić uwagę na ESD, poprawne zasilanie oraz timingi /CE, /OE, /WE.