Tranzystor SMD 6 pin GBG4L – identyfikacja, parametry, zamienniki DMP3098L-7 Diodes Inc.

Pytanie

TRANZYSTOR SMD 6 PIN GBG4L

Odpowiedź Sztucznej Inteligencji


Bezpośrednia odpowiedź na pytanie

  • Najprawdopodobniej jest to tranzystor MOSFET typu P o kodzie katalogowym DMP3098L-7 (Diodes Inc.), którego skrócony „marking code” to „GB”; pozostałe znaki „G4L” są oznaczeniem partii produkcyjnej.
  • Obudowa: SOT-23-6 (6 wyprowadzeń).

Kluczowe punkty
• Kod „GB” → stosowany przez Diodes Inc. dla kilku niskonapięciowych MOSFET-ów; w 6-pinowej obudowie zbiega się wyłącznie z rodziną DMP309xL.
• Parametry orientacyjne: ‑30 V, 3,4 A, R_DS(on) ≈ 0,1 Ω (-10 V).
• Z uwagi na wielokrotne użycie kodu „GB” przez różnych producentów należy wykonać weryfikację pomiarową i/lub sprawdzić kontekst aplikacyjny przed zamówieniem zamiennika.

Szczegółowa analiza problemu

1. Kodowanie SMD

Małe obudowy nie mieszczą pełnego oznaczenia – producenci stosują 2–3-znakowe kody. W przypadku Diodes Inc. dla SOT-23-6 litery „GB” jednoznacznie wskazują na linię DMP309xL. Przyrostek „G4L” to informacja o partii (lot code) i nie ma znaczenia użytkowego.

2. Parametry (wg datasheet DMP3098L-7)

Parametr Wartość Uwagi
V_DSS ‑30 V maksymalne U_dren-źródło
I_D ‑3,4 A T_A = 25 °C
R_DS(on) 98 mΩ (-10 V)
155 mΩ (-4,5 V)
przy I_D odpowiednio 3 A / 2 A
V_GS(th) ‑1…-3 V napięcie progowe
P_D 1,1 W przy PCB 1 in², FR-4
Obudowa SOT-23-6 4 piny = dren, 1 pin = gate, 1 pin = source

Pin-out (patrząc od góry, wycięcie u góry):

      ___
D1 1 |o  | 6 D4
D2 2 |   | 5 D3
G  3 |___| 4 S

(D1…D4 wewnętrznie wspólne)

3. Funkcja w typowych układach

• przełącznik high-side w zasilaczach niskonapięciowych
• tranzystor główny w przetwornicach typu buck/boost 5 – 30 W
• elektroniczny klucz ładowania Li-Ion/Li-Pol
• zabezpieczenia nadprądowe (e-fuse)

4. Weryfikacja praktyczna

  1. Zmierz obudowę: 2,9 × 1,6 mm (SOT-23-6).
  2. Multimetr – test diody: pasożytnicza dioda źródło-dren powinna przewodzić w kierunku S→D przy sondzie „-” na S.
  3. Sprawdź na PCB, czy cztery piny zwarte są zasilaniem – typowe dla MOSFET-ów.
  4. Jeśli parametry w układzie przekraczają 3,5 A lub ‑30 V, szukaj innego typu (patrz zamienniki).

Aktualne informacje i trendy

  • Producenci przenoszą się z SOT-23-6 na DFN2 × 2 mm 6L, oferując niższe R_DS(on) (< 50 mΩ).
  • Coraz popularniejsze są MOSFET-y „e-mode” o progu ~-0,5 V – kompatybilne z logiką 1,2 – 1,8 V.
  • W laptopach i smartfonach nowsze projekty stosują układy „load-switch” z wbudowanym sterownikiem i zabezpieczeniem (np. AOZ-, TPS2H) zamiast „gołego” MOSFET-a.

Wspierające wyjaśnienia i detale

  • Dlaczego cztery piny na dren? → Obniżenie rezystancji i lepsze odprowadzenie ciepła.
  • P-Channel vs. N-Channel: przy zasilaniu jednopolarnym P-MOSFET ułatwia kluczowanie po stronie dodatniej („high-side”) bez dodatkowej przetwornicy sterującej bramkę.

Aspekty etyczne i prawne

  • Zamiennik o gorszych parametrach może przegrzać się i uszkodzić inne elementy – odpowiedzialność serwisanta.
  • W sprzęcie medycznym lub zasilaczach sieciowych zachowaj zgodność z normą IEC 62368-1 (temperatura złącza, prąd rozruchowy).

Praktyczne wskazówki

  1. Zamienniki 1:1 (SOT-23-6, układ pinów):
    • AOS AO6403
    • Vishay Si3457DV
    • OnSemi FDN338P
  2. Przy lutowaniu hot-air: temp. 270 °C, dysza Ø3 mm, czas ≤ 6 s – unikniesz odklejenia padów.
  3. Zawsze sprawdzaj R_DS(on) przy napięciu bramki dostępnym w układzie (często tylko -4,5 V z CPU).

Ewentualne zastrzeżenia lub uwagi dodatkowe

  • Kod „GB” bywa również używany przez Diodes Inc. w 3-pinowym SOT-23 – jeżeli Twój element ma TYLKO 3 piny, nie jest to DMP3098L-7.
  • Różni producenci (m.in. UTC, Changjiang) kopiują kody Diodes Inc.; parametry mogą się różnić nawet o 30 %.
  • W razie wątpliwości odczytaj pełną numerację laserową lub użyj skanera X-Ray, aby rozpoznać strukturę.

Sugestie dalszych badań

  • Przegląd linii „dual-MOSFET low-Q_g” w obudowach DFN2 × 2 mm – potencjalna modernizacja projektu.
  • Testy termiczne (Camera IR) przy R_DS(on) < 50 mΩ vs. ~100 mΩ – wpływ na sprawność przetwornic.
  • Analiza kodów SMD w otwartych bazach (yooneed.one, smdmark) – automatyzacja identyfikacji w serwisie.

Krótkie podsumowanie

Najbardziej prawdopodobną identyfikacją elementu z napisem GBG4L i 6 wyprowadzeniami jest DMP3098L-7 – P-channel MOSFET (-30 V / 3,4 A) w obudowie SOT-23-6 firmy Diodes Inc. Kod „G4L” to oznaczenie partii. Przed wymianą potwierdź obudowę i funkcję w układzie, a jako zamienniki dobieraj MOSFET-y o równych lub lepszych parametrach i identycznym pin-oucie.

Oceń odpowiedź:

Zadaj dodatkowe pytanie Sztucznej Inteligencji

Czekaj (1min)...
Zastrzeżenie: Odpowiedzi udzielone przez sztuczną inteligencję (model językowy) mogą być niedokładne i wprowadzające w błąd. Elektroda nie ponosi odpowiedzialności za dokładność, rzetelność ani kompletność prezentowanych informacji. Wszystkie odpowiedzi powinny być zweryfikowane przez użytkownika.