Wyprowadzenia tranzystorów polowych radzieckich KP103, KP302, KP303, KP307, KP350 – pinouty i oznaczenia

Pytanie

Wyprowadzenia nóżek tranzystorów polowych radzieckich cccp

Odpowiedź Sztucznej Inteligencji

Bezpośrednia odpowiedź na pytanie

• Najczęściej spotykane radzieckie FET-y (seria KP/КП) mają nietypowe względem „zachodnich” kolejności wyprowadzeń zależne od obudowy i partii. Ogólna zasada: cyrylica na schematach oznacza З=G (bramka), С=D (dren), И=S (źródło), K/Kорпус=obudowa/ekran.
• Typowe układy pinów (trzymając TO‑92 frontem/płaską ścianką do siebie, wyprowadzenia w dół: 1–2–3; dla metalowych puszek widok od spodu, numeracja od „języczka/klucza” zgodnie z ruchem wskazówek zegara):
  • KP103 (P‑JFET) – TO‑92: 1‑S, 2‑G, 3‑D (często spotykane).
  • KP302/KP303 (N‑JFET) – TO‑92: 1‑D, 2‑S, 3‑G (bardzo częste w radzieckich plastikach).
  • KP307 (N‑JFET niszoszumowy) – TO‑92: 1‑D, 2‑S, 3‑G; wersje metalowe spotykano z obudową połączoną z D.
  • KP350 (MOSFET dwubramkowy) – metalowa puszka 4‑pin: D–G2–G1–S, obudowa zwykle połączona z S.
• Ze względu na zmienność producentów i roczników, przed lutowaniem zawsze weryfikuj pinout pomiarem.

Szczegółowa analiza problemu

• Terminologia i oznaczenia:
  • И (Istok) = S (Source, źródło)
  • С (Stok) = D (Drain, dren)
  • З (Zatvor) = G (Gate, bramka)
  • K (Korpus) = obudowa/ekran (czasem osobny pin, bywa zwarty z S lub D, albo izolowany – zależnie od typu)
• Rodziny i obudowy:
  • Seria KP/КП (cywilna), 2П/2P (wojskowa). Najczęstsze obudowy: KT‑26≈TO‑92 (plastik), TO‑18/TO‑72/TO‑39 (metal).
• Najczęściej spotykane układy wyprowadzeń (praktyka serwisowa):
  • TO‑92 (KT‑26):
    • KP103 (P‑JFET): 1‑S, 2‑G, 3‑D (często).
    • KP302/KP303 (N‑JFET): 1‑D, 2‑S, 3‑G (często); zdarzają się warianty 1‑G, 2‑D, 3‑S – weryfikuj pomiarem.
    • KP307 (N‑JFET, niski szum): z reguły jak KP303, tj. 1‑D, 2‑S, 3‑G.
  • Metalowe (TO‑18/TO‑72/TO‑39):
    • JFET‑y (KP302/KP303/KP307) miewają 4. pin „K” – ekran/obudowa; w części wydań ekran izolowany, w innych połączony (najczęściej z S lub D – patrz pomiar).
    • KP350 (n‑MOSFET dwubramkowy): układ D–G2–G1–S (licząc od klucza), obudowa zwykle razem z S.
• Dlaczego występują różnice:
  • Różne zakłady (lata 70.–90.), warianty literowe (A, B, …) i zmiany technologiczne skutkowały niespójną mechaniką wyprowadzeń przy zachowaniu tej samej funkcji elektrycznej. Dodatkowo JFET bywa symetryczny w D/S, co „maskuje” błędy montażowe przy niskich częstotliwościach, ale nie w RF.

Aktualne informacje i trendy

• Oryginalne elementy ZSRR są nadal w obiegu jako „NOS/surplus”. Zainteresowanie dotyczy głównie: JFET‑ów o dużym Idss (mieszacze, VHF) i MOSFET‑ów dwubramkowych (wzmacniacze/mieszacze w.cz.). Spotykane są re‑markingi – tym bardziej wymagana weryfikacja pomiarem.
• Współczesne zamienniki: J111/J112/J113, BF245/BF256, 2N3819/MPF102 (dla JFET), oraz BF998/3SK… (dla dual‑gate MOSFET) – pinouty zazwyczaj inne niż w radzieckich, więc adaptacja PCB jest konieczna.

Wspierające wyjaśnienia i detale

• Jak szybko zidentyfikować pinout miernikiem (test diody):
  • N‑JFET (np. KP303/KP307):
    • Bramka: przy czerwonej sondzie na G i czarnej na S lub D – przewodzenie ~0,5–0,8 V. Odwrotnie – brak przewodzenia. To jednoznacznie wyznacza G.
    • Pozostałe dwie nóżki to D i S; dla większości JFET‑ów niskomocowych są funkcjonalnie zamienne w aplikacjach małoczęstotliwościowych.
  • P‑JFET (np. KP103): polaryzację odwróć – czarna sonda na G, czerwona na S/D -> przewodzenie.
  • MOSFET (np. KP350):
    • G jest izolowana (∞ rezystancja do S/D).
    • Dioda ciała: dla N‑MOSFET przewodzi z S do D (czerwona sonda na S, czarna na D daje ~0,5–0,8 V). To pozwala rozpoznać S/D.
• Orientacja mechaniczna:
  • TO‑92: patrząc na płaską ściankę z nadrukiem, nóżki w dół → liczymy 1‑2‑3 od lewej.
  • Metal TO‑18/TO‑72/TO‑39: widok od spodu; pin najbliżej języczka/klucza to nr 1; dalej zgodnie z ruchem wskazówek zegara.

Aspekty etyczne i prawne

• Uważaj na wtórne znakowanie i sprzedaż „NOS” niewiadomego pochodzenia. Transparentność pochodzenia i test wstępny ograniczają ilość odpadów i ryzyko awarii.
• Część elementów wojskowych 2П mogła podlegać dawniej regulacjom eksportowym; dziś to głównie aspekt kolekcjonerski, ale warto dokumentować źródło.

Praktyczne wskazówki

• Procedura weryfikacji przed montażem:
  1. Rozładuj bramkę (MOSFET) – zewrzyj wyprowadzenia przez 100 kΩ.
  2. Zidentyfikuj G testem diody (jak wyżej).
  3. Znajdź S/D: dla JFET bez znaczenia w większości aplikacji LF; dla MOSFET użyj diody ciała.
  4. Zaznacz kolejność na obudowie markerem.
• Prosty przyrząd testowy dla JFET:
  • Zasilanie 9 V, rezystor 1 kΩ w drenie, źródło do masy; mierz spadek na rezystorze. Przełóż zamiennie elektrody oznaczone jako D/S – wybierz wariant z większym Id (stabilniejsza praca w RF).
• ESD:
  • MOSFET dwubramkowe (KP350, KP306) są bardzo wrażliwe; często fabrycznie spinane drutem. Zdejmuj zabezpieczenie bezpośrednio przed lutowaniem, używaj opaski antystatycznej i grotu uziemionego.

Ewentualne zastrzeżenia lub uwagi dodatkowe

• Różnice między seriami produkcyjnymi i zakładami są realne; nawet w obrębie tego samego symbolu spotykane są odmienne układy pinów. Traktuj powyższe jako „najczęściej spotykane”, nie absolutne.
• Metalowe obudowy: pin „K” (ekran) bywa izolowany lub zwarty z S/D – sprawdź omomierzem do puszki.

Sugestie dalszych badań

• Jeśli podasz dokładny symbol (np. „КП303Е”, „2П303Б”) + typ obudowy (plastik/metal) lub zdjęcie, przygotuję jednoznaczny pinout i notę aplikacyjną.
• Warto zestawić parametry (Idss, Up, szum) z docelową aplikacją – dobór punktu pracy bywa ważniejszy niż „zgodność” zamiennika.

Krótkie podsumowanie

• Dla radzieckich FET‑ów nie ma jednego „zachodniego” standardu wyprowadzeń. Najczęstsze: KP302/KP303/KP307 w TO‑92 mają 1‑D, 2‑S, 3‑G; KP103 często 1‑S, 2‑G, 3‑D; KP350 w metalowej 4‑pin zwykle D–G2–G1–S z obudową na S. Zawsze potwierdzaj to pomiarem (test diody + identyfikacja diody ciała w MOSFET). Jeśli wskażesz konkretny typ, podam dokładny, zweryfikowany układ pinów.