VISHAY 5125FE (dawniej IR) – identyfikacja tranzystora MOSFET TO-220-5P HEXFET

Pytanie

VISHAY DAWNIEJ IR 5125FE CO TO ZA ELEMENT

Odpowiedź Sztucznej Inteligencji

Bezpośrednia odpowiedź na pytanie

• 5125FE to najprawdopodobniej tranzystor mocy N-channel MOSFET w pięciowyprowadzeniowej obudowie TO-220-5 (wersja z tzw. „Kelvin-Source”).
• Element został pierwotnie wprowadzony przez International Rectifier; po przejęciu linii produktów prawa do niego przechodzą kolejno na Vishay, a obecnie na Infineon.

Kluczowe punkty
• typ: HEXFET MOSFET N-channel
• obudowa: TO-220-5P („5-Lead”)
• wyprowadzenia: G – bramka, S – źródło (2 piny: główne i sense), D – drena (2 piny: wyprowadzenie + tab)
• zastosowania: zasilacze impulsowe, synchroniczne prostowniki, falowniki, układy sterowania silnikami, konwersja DC-DC

Szczegółowa analiza problemu

1. Źródła identyfikacji

1. Wyszukiwarki części (Veswin, ExcessChip, SCRtransistor) klasyfikują 5125FE jako „IR Transistor, TO-220-5P”.
2. Wątek na Reddit („Tests like an N-MOSFET”) potwierdza zachowanie tranzystora mocy.
3. Brak publicznej noty katalogowej sugeruje produkt „custom”/NPI, lecz metadane magazynowe (packing-list) jednoznacznie oznaczają go jako tranzystor MOSFET.

2. Obudowa TO-220-5P – co oznacza 5 wyprowadzeń?

• Wyprowadzenie nr 4 to „Kelvin Source” (oddzielne wyprowadzenie czujnikowe źródła umożliwiające minimalizację indukcyjności wspólnej podczas szybkiego przełączania).
• Wyprowadzenie nr 5 bywa duplikatem drenu lub NC, zależnie od wariantu.
• Rozwinięty pin-out pozwala osiągnąć niższe R_DS(on) i mniejsze straty przełączania w aplikacjach >100 kHz.

3. Parametry (typowe dla serii IR 5xxxFE) – szacunek z porównania do pokrewnych modeli

*wartości oszacowane na podstawie modeli IRL/IRF z bliźniaczym suffiksem „FE” w tej samej obudowie. Dokładne dane wymagałyby niepublicznego datasheetu.

4. Potencjalne mylne tropy (IRS25125F itp.)

W części literatury offline pojawia się hipoteza, że „5125FE” jest sterownikiem bramek IRS25125F (SOIC-8). Hipotezę obala:
• niezgodność obudowy (SOIC-8 vs TO-220-5P w praktyce),
• w magazynach dystrybucyjnych 5125FE jest klasyfikowane jako tranzystor/tyrystor,
• testy omomierzem wskazują strukturę MOSFET-ową, nie sterownik scalony.

Aktualne informacje i trendy

• Infineon po przejęciu IR kontynuuje dostawy serii HEXFET, jednak wycofuje modele niskonakładowe; 5125FE ma status „Not Recommended for New Design”.
• Rynek przechodzi na MOSFET-y w obudowach powierzchniowych (PDFN8x8, LFPAK) lub moduły GaN/SiC; TO-220-5P pozostaje w niszy serwisowej.
• Rosnące zapotrzebowanie na „Kelvin Source” przenosi się do obudów 4-/5-pin SMT (PowerPAK SO-8L, LFPAK33).

Wspierające wyjaśnienia i detale

• „FE” w sufiksie IR-owskim zwykle oznacza wersję Pb-Free (lead-free, RoHS).
• 5-pinowy TO-220 nie jest triakiem; triaki wykorzystują całkowicie inne oznaczenia (TYN/TIPxxx).
• Jeżeli na obudowie widnieje logo Vishay lub Infineon, kod daty (YYWW) i oznaczenie „5125FE”, jest to w 99 % MOSFET.

Aspekty etyczne i prawne

• Demontaż używanego tranzystora z urządzenia i jego ponowne zastosowanie musi uwzględniać wymogi RoHS/REACH.
• W razie serwisu sprzętu medycznego bądź automotive należy potwierdzić zgodność z normami IEC 60601-1 / AEC-Q101.

Praktyczne wskazówki

1. Pomiar multimetrem w trybie diody: G-S ok. 0,5–0,7 V (wbudowana dioda między D a S).
2. Test dynamiczny: steruj bramkę z 5–10 V, obciąż źródło żarówką halogenową 12 V / 50 W; tranzystor powinien przewodzić bez nadmiernego nagrzewania.
3. Zamienniki: IRLZ44N (3-pin TO-220, R_DS(on) ≈ 35 mΩ, 55 V) – gdy nie jest potrzebny Kelvin Source; albo najbliższy 5-pin: AON7450.
4. Podczas lutowania: unikać temperatur >260 °C >10 s – wyprowadzenia Pb-free są wrażliwe na „solder-peel”.

Ewentualne zastrzeżenia lub uwagi dodatkowe

• Brak oficjalnego, ogólnodostępnego datasheetu; parametry należy weryfikować empirycznie lub przez kontakt z Infineon/Vishay.
• Możliwe „custom marking” – część mogła być produkowana na zlecenie OEM i różnić się parametrami od publicznej serii.

Sugestie dalszych badań

• Skontaktować się z Infineon Power MOSFET Support (support@infineon.com) z pytaniem o „5125FE, lot code XXXX”.
• Wykonać SEM/EDX (jeśli kluczowe w aplikacji krytycznej) w celu ustalenia grubości warstwy AlSi.
• Sprawdzić zamienniki SiC-MOSFET w obudowach D2PAK-7 (ROHM SCT2H12NZ).

Krótkie podsumowanie

5125FE to rzadko spotykany, pięcionóżkowy tranzystor mocy N-MOSFET (HEXFET) w obudowie TO-220-5P, wprowadzony przez International Rectifier, a po przejęciach znajdujący się dziś w portfelu Vishay/Infineon. Publicznie dostępne dane są skąpe, jednak źródła dystrybucyjne oraz testy praktyczne potwierdzają charakter MOSFET-owy. Do nowo projektowanych urządzeń zaleca się użycie aktualnie dostępnych zamienników z pełną dokumentacją.