Zamiennik tranzystora NCE6050A – STP55NF06, FQP50N06, PSMN2R0-60PSR, IPP029N06NA, parametry

Pytanie

Zamiennik tranzystora NCE 6050 A

Odpowiedź Sztucznej Inteligencji


Bezpośrednia odpowiedź na pytanie

  • Najbezpieczniejsze zamienniki NCE6050A (N‑MOSFET, 60 V / 50 A, TO‑220) to m.in.:
    • STP55NF06 (STMicroelectronics) – 60 V, 50 A, RDS(on) ≈ 18 mΩ @ 10 V, TO‑220. (datasheetbank.com)
    • FQP50N06 (onsemi/Fairchild) – 60 V, 50 A, RDS(on) ≈ 22 mΩ @ 10 V, TO‑220. (pneda.com)
    • PSMN2R0‑60PSR (Nexperia) – 60 V, niska RDS(on) ≈ 2.2 mΩ @ 10 V, TO‑220 (mocno „przewymiarowany”, ale o wyższym Qg). (datasheetbank.com)
    • IPP029N06NA (Infineon) – 60 V, 100 A, RDS(on) ≈ 2.9 mΩ @ 10 V, TO‑220 (również „mocniejszy”, większy Qg). (newark.com)
  • Unikaj 55 V MOSFET‑ów (np. IRFZ44N), jeśli w układzie mogą wystąpić przepięcia >55 V – oryginał ma 60 V. (datasheets.globalspec.com)

Kluczowe punkty:

  • Dobieraj VDS ≥ 60 V, ID ≥ 50 A, obudowę TO‑220 i możliwie niskie RDS(on); sprawdź też ładunek bramki Qg i pinout. Dane oryginału: 60 V, 50 A, RDS(on) ≤ 13.8 mΩ @ 10 V (≤19.2 mΩ @ 4.5 V), Qg ≈ 50 nC, TO‑220. (alldatasheet.com)

Szczegółowa analiza problemu

  • Identyfikacja oryginału: NCE6050A to N‑kanałowy MOSFET (enhancement), VDS = 60 V, ID = 50 A, TO‑220. Karta podaje RDS(on) ≤ 13.8 mΩ przy VGS = 10 V i ≤ 19.2 mΩ przy VGS = 4.5 V, co wskazuje, że układ często działa zarówno z napędem 10–12 V, jak i potencjalnie z logicznym 4.5–5 V (trzeba sprawdzić driver). Qg ≈ 50 nC, Pd ≈ 85 W. (alldatasheet.com)
  • Kryteria doboru:
    • Napięcie: VDS przynajmniej 60 V z zapasem względem szpilek (dla typowych instalacji 12 V/24 V przy przetwornicach/napędach 60 V to minimum).
    • Prąd: ID ≥ 50 A (zależny od chłodzenia i SOA).
    • RDS(on): im niższy, tym mniejsze straty przewodzenia; docelowo ≤ 20 mΩ @ 10 V, a jeżeli sterowanie jest logic‑level, zweryfikować parametry przy 4.5–5 V.
    • Dynamika: Qg zbliżony do 50 nC (znacznie wyższy obciąży driver, wydłuży czasy przełączania i zwiększy straty przełączania).
    • Mechanika/pinout: TO‑220, standardowo G‑D‑S (należy potwierdzić w karcie wybranego zamiennika).
  • Ocena kandydatów:
    • STP55NF06: parametry elektrycznie bliskie oryginałowi; RDS(on) nieco wyższy (≈18 mΩ @ 10 V), Qg ≈ 60 nC – w większości aplikacji 1:1, strata mocy minimalnie większa. (datasheetbank.com)
    • FQP50N06: również 60 V/50 A, ale RDS(on) ≈ 22 mΩ @ 10 V – akceptowalny zamiennik, szczególnie jeśli prądy średnie są niższe lub radiator jest większy; Qg ≈ 41 nC – odciąża driver. (pneda.com)
    • PSMN2R0‑60PSR i IPP029N06NA: znacznie niższe RDS(on) (2.2–2.9 mΩ), ale kosztem większego Qg; bardzo dobre gdy układ sterujący dysponuje silnym driverem bramki i zależy nam na dużym marginesie termicznym. (datasheetbank.com)
  • Co omijać:
    • IRFZ44N/IRLZ44N i inne 55 V – zaniżony VDS względem 60 V oryginału, ryzyko przebicia przy szpilkach. (datasheets.globalspec.com)
    • AOT240L – to element 40 V (nie 60 V), zatem nie jest zamiennikiem NCE6050A. (chip-inventory.com)

Aktualne informacje i trendy

  • NCE6050A i odpowiedniki są szeroko dostępne u globalnych dystrybutorów; specyfikacje i stany magazynowe potwierdzają parametry 60 V / 50 A i RDS(on) rzędu 14–20 mΩ (zależnie od producenta/serii). Warianty NCE6050KA/IA oferują te parametry w obudowach SMD (TO‑252/TO‑251). (digipart.com)
  • W nowszych seriach 60 V TO‑220 stosuje się bardzo niskie RDS(on) (<3 mΩ), ale rośnie Qg – istotne w projektach o wysokiej częstotliwości przełączania i ograniczonej wydajności drivera. (datasheetbank.com)

Wspierające wyjaśnienia i detale

  • Jeżeli oryginał pracował z VGS ≈ 10–12 V (typowe sterowniki SMPS/napędów), STP55NF06/FQP50N06 będą pasować elektrycznie i mechanicznie. Przy VGS ≈ 5 V lepiej wybierać MOSFET z gwarantowanym RDS(on) przy 4.5–5 V (NCE6050A ma spec dla 4.5 V; sprawdź czy zamiennik też). (alldatasheet.com)
  • Różnice w Qg: wyraźnie niższy Qg (np. FQP50N06 ≈ 41 nC) odciąża driver i redukuje straty przełączania, ale wyższy RDS(on) zwiększy straty przewodzenia; dobór to kompromis zależny od częstotliwości, prądu RMS i warunków termicznych. (pneda.com)

Aspekty etyczne i prawne

  • Uważaj na podróbki; kupuj u autoryzowanych dystrybutorów i weryfikuj karty katalogowe oraz oznaczenia (RoHS, lot, logo). Niektóre rynki wtórne oferują części o parametrach niezgodnych z katalogiem.
  • Zachowaj ESD‑safe handling i sprawdź zgodność z regulacjami (np. RoHS).

Praktyczne wskazówki

  • Procedura doboru i weryfikacji:
    1. Sprawdź napięcie magistrali i szpilek – VDS zamiennika ≥ (Vmax + zapas 20–30%).
    2. Zmierz/zweryfikuj VGS z drivera; jeśli to 5 V, wybieraj MOSFET ze spec RDS(on) @ 4.5 V (jak NCE6050A). (alldatasheet.com)
    3. Porównaj RDS(on) i Qg; oszacuj straty Pcond = I²·RDS(on)·D i Psw ~ 0.5·V·I·(tr+tf)·f.
    4. Sprawdź SOA i EAS (wytrzymałość lawinową) w zastosowaniach indukcyjnych.
    5. Zweryfikuj pinout TO‑220 (zwykle G‑D‑S, blaszka = Drain) przed wlutowaniem w miejsce NCE6050A.
    6. Termika: zastosuj pastę i izolację (jeśli radiator na potencjale).
  • Po wymianie: sprawdź temperaturę elementu pod obciążeniem (kamera IR/termopara), oscyloskopem przeanalizuj przebiegi VDS/VGS (overshoot, ringing) i ewentualnie skoryguj snubber/RC‑gate.

Ewentualne zastrzeżenia lub uwagi dodatkowe

  • Bez informacji o aplikacji (zasilacz impulsowy, sterownik silnika, klucz DC itp.) nie ma „jednego” idealnego zamiennika. Dla pracy kluczowej wysokoczęstotliwościowej zalecam mocniejszy MOSFET o niższym RDS(on), ale z uwzględnieniem większego Qg (np. PSMN2R0‑60PSR, IPP029N06NA). (datasheetbank.com)

Sugestie dalszych badań

  • Przejrzyj kartę oryginału (NCE6050A) i wariantów rodziny (NCE6050KA/IA) – to ułatwia dobór 1:1 parametrowo. (alldatasheet.com)
  • Porównaj karty: STP55NF06, FQP50N06, ewentualnie nowocześniejsze 60 V TO‑220 (Nexperia/Infineon) pod kątem RDS(on) @ 4.5 V i Qg. (datasheetbank.com)

Krótkie podsumowanie

  • NCE6050A: 60 V / 50 A, TO‑220, RDS(on) ≤ 13.8 mΩ @ 10 V, Qg ≈ 50 nC. (alldatasheet.com)
  • Najbliższe i bezpieczne zamienniki 1:1: STP55NF06, FQP50N06. Dla większego zapasu i niższych strat przewodzenia – PSMN2R0‑60PSR, IPP029N06NA (o ile driver poradzi sobie z większym Qg). (datasheetbank.com)
  • Unikaj 55 V (np. IRFZ44N) i 40 V (np. AOT240L). (datasheets.globalspec.com)

Jeśli podasz zastosowanie (topologia, VBUS, częstotliwość, driver bramki, radiator), wybiorę zamiennik precyzyjniej i przeliczę straty/termikę dla Twojego przypadku.

Oceń odpowiedź:
Zastrzeżenie: Odpowiedzi udzielone przez sztuczną inteligencję (model językowy) mogą być niedokładne i wprowadzające w błąd. Elektroda nie ponosi odpowiedzialności za dokładność, rzetelność ani kompletność prezentowanych informacji. Wszystkie odpowiedzi powinny być zweryfikowane przez użytkownika.

Zadaj dodatkowe pytanie Sztucznej Inteligencji

Czekaj (2min)...