Jeśli wstawiłeś tranzystor Q254 (2SK3580), to on ma Drain-source voltage 300V. Na schemacie jest Q254 (2SK3850), a on ma Drain-to-Source Voltage 600V. Może tu jest problem. Pomierz pozostałe komponenty w tym obwodzie, tranzystory, diody. Do sprawdzenia Flip Flop. TC4013BP może on jest walnięty. https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-...
Type Designator: IRFZ44 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 150 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V Maximum Drain Current |Id|: 35 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.028 Ohm Package: TO220 Natomiast najbliższy odpowiednik to:...
IRF630: |Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 200 V |Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 20 V 2SK3115: |Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 600 V |Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 30 V Przepraszam że odświeżam temat ale akurat również poszukuje zamiennika tylko tutaj widzę dużą rozbieżność parametrów.
Najważniejsze to czy prąd spoczynkowy będzie właściwy, należało by przeanalizować też DS scalaka. Dla Kanału P: Maximum Drain-Source On-State Resistance: 1.4 Ohm Coss - Inputt Capacitance: 900 pF Coss - Output Capacitance: 400 pF Turn On Time: 230 ns Turn Off Time 110 ns Drain-Source Saturation Voltage -12V (max) To nie są istotne parametry dla pracy...
Ten tranzystor to zapewne PDS3807: Type Designator: PDS3807 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: P -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 2.1 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2.5 V Maximum Drain Current |Id|: 7 A Maximum Junction Temperature...
Masz datasheet, dobierz sobie analogi FET TypeMOSFET P-Channel, Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) (at) 25° C3A Rds On (Max) (at) Id, Vgs75 mOhm (at) 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (at) Vds443pF (at) 16V Power - Max1.4W PackagingCut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (at) Vgs7.3nC (at) 4.5V Package / CaseTO-236-3, SC-59,...
Mosfet N-Channel. Drain-Source Voltage 60V. ID 14A
Encyklopedia mówi tak: Vcc - Voltage Collector Collector Vdd - Voltage Drain Drain Vee - Voltage Emitter Emitter Vss - Voltage Source Source Na PLCC32 masz VDD i VSS więc chyba nie ma problemu. http://www.picbasic.co.uk/forum/archive/...
Witam, chciałbym zapytać, jaki mógłbym użyć zamiennik tego chińczyka? 8N70 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent Type Designator: 8N70 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Pdⓘ - Maximum Power Dissipation: 147 W |Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 700 V |Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Maximum Gate-Threshold...
Tyle to wiem. Znalazłem ale tylko w hurcie i za granicą :( https://www.digipart.com/part/nvmfs5c628... https://www.taobao.com/list/item/7293198... https://www.futureelectronics.com/p/semi...
IRFH8324 https://www.google.com/search?q=irfh8324...
SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT VDS Drain-source voltage 55 V Drain current (DC) 75 A Total power dissipation 187 W Tj Junction temperature 175 °C RDS(ON) Drain-source on-state 8 mW use in automotive and general resistance VGS = 5 V
Do maciek_90 Z tą częścią miałem najwięcej problemów - najwięcej czasu zajęło mi znalezienie odpowiedniego tranzystora. Takiego który miałby jednocześnie małą R DS-ON i wysokie V DS . Po długich poszukiwaniach wybór padł na IRFP460. IRF 540 VDS Drain-source Voltage (VGS = 0) 100 V RDS(on)VGS = 10 V ID = 11 A 0.055 0.077 ohm IRFP460 VDS Drain-source...
Tego IRFU nie możesz dać, bo to jest tranzystor z kanałem P a oryginał wymieniony przez Ciebie jest N. IRF9630 - Continuous Drain Current Id: -6.5A Drain Source Voltage Vds: -200V On Resistance Rds(on): 800Mohm Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V Threshold Voltage Vgs: 4V
Ciss zależy od napięcia na drenie, producent mierzy przy 25V (pewnie żeby był korzystniejszy wynik) i podaje 1400pF ale przy niższych napięciach jest więcej, wykres z noty kończy się na 2,2nF(at)1V (Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage) dalej z nachylenia krzywych powyżej Miller plateau z wykresu Fig. 6( Typical Gate Charge vs. Drain-to-Source...
Jaki zamiennik zastosować za FDN306P. Z góry wielkie dzięki za odpowiedź. Opis do FDN306P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET Symbol Parameter Ratings Units VDSS Drain-Source Voltage –12 V VGSS Gate-Source Voltage ±8 V ID Drain Current Continuous –2.6 A Pulsed –10 A PD Maximum Power Dissipation 0.5 W
takie parametry znalazłem w sieci tego MXp4004 bedzie pasowało ? Type Designator: MXP4004BT Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 231 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 40 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Drain Current |Id|: 170 A Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C Rise...
Zbuduj może najpierw mostek na 5A. Poznasz problemy i nabierzesz doświadczenia. 60A to nie przelewki można zrobić sobie krzywdę. PCB także będzie baaaardzo istotne. Słowa klucz: - drivery MOSFET, - pojemność bramki Total Gate Charge, - rezystancja złącza Drain-Source On-Resistance - napięcie przełączenia bramki Gate Threshold Voltage - prąd drenu Drain...
Witam, Mam pytanie co do sterownika w hulajnodze elektrycznej. Chciałem zwiększyć napięcie instalacji z 24V do 48V. Silnik jaki jest tam zamontowany ma moc 300W; po podniesieniu napięcia prąd podskoczyłby do 25A więc w zakresie sterwonika. Problem natomiast pojawia się przy napięciu kontrolera - nominalnie 24V jednak w datasheecie mosfetów widnieją...
Vgs(th) (Voltage drain to source threshold) max musi być mniejszy niż 3.8V. Jest to napięcie które całkowicie otworzy mosfet. Szukaj ' logic level mosfet ' np. NTP60N06L Lub możesz zastosować zwykły tranzystor i ten układ: http://obrazki.elektroda.pl/4690699500_1... Zamiast żarówki wentylator i pod nim mosfet typu N.
Dane katalogowe: 2SJ201 Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain−source voltage VDSS −200 V Gate−source voltage VGSS ±20 V Drain current (Note 1) ID −12 A Drain power dissipation PD 150 W Channel temperature Tch 150 °C Storage temperature range Tstg −55~150 °C 2SJ103: Maximum Ratings (Ta...
(1) I_g=Q_n / dt = 75 nC / 100 ns = 0.75 A (z noty IRF 840, wzór polecany na forum, rzekomo zawyżający prąd) (2) I_g = C_iss * dU_gs / dt + C_rss * dU_ds / dt = 0.23 A + 0.32 A = 0.55 A (wzór zaniżający prąd z Sztuki Elektroniki :D) Rząd wielkości sie zgadza. Lepszym sposobem jest posłuzenie sie charakterystyką "Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Drain-to-Source...
A czy ktoś może mi powiedzieć co za to można zamontować? bo dostać ten tranzystor będzie trudno :(. Jego podstawowe parametry: Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain or Source TA = 25°C ID 10.8 A Current (VGS ³ 4.5V) TL = 90°C 11.8 A Pulsed Drain Current IDM 100 A Power Dissipation TA = 25°C PD 2.5 W TL...
A po co zamiennik jak dostępny oryginał? https://obrazki.elektroda.pl/4280668300_... Informacje o produkcie Transistor Polarity: N Channel Continuous Drain Current Id: 1.7A Drain Source Voltage Vds: 100V On Resistance Rds(on): 0.28ohm Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V Threshold Voltage Vgs: 4V Power Dissipation Pd: 2W Transistor Case Style:...
Może poszukaj innego MOSFETa, coś z serii SI firmy Vishay, albo z NXP(dawniej Philips). Na przykład taki SI2323DS-T1-E3 ma Vgs max -1V. Kosztuje niecałe 3 PLN. W Twoim zastosowaniu liczy się głównie niskie napięcie odcięcia, oczywiście wystarczający prądowo, Rds mało istotny (i tak z baterii nie szarpiemy amperów). Ten SI2323 na przykład: Informacje...
Za niskim napięciem na Vcc zasilaniu układu: Power supply of the control circuits. Also provides a charging current during start up thanks to a high voltage current source connected to the drain. For this purpose, a hysteresis comparator monitors the VDD voltage and provides two thresholds: - VDDon: Voltage value (typically 14.5 V) at which the device...
http://obrazki.elektroda.pl/2791874600_1... http://obrazki.elektroda.pl/8525632600_1... DMFP75N075B HEXFET Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements (R) Power MOSFET VDSS = 75V ID25 = 75A RDS(ON) = 11.0 m? Description Third Generation HEXFETs from International...
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SK2477 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high voltage switching applications. FEATURES • Low On-Resistance RDS (on) = 1.0 W (VGS = 10 V, ID = 5.0 A) • Low Ciss Ciss = 2 950 pF TYP. • High Avalanche Capability Ratings ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C) Drain to Source...
Myślisz, że będzie dobrze? Jeśli dobrze liczyłem to prąd który tam będzie to max 0.07A (dla stanu ostatniego z rezystorem 178 ohm. Tak do końca to trudno powiedzieć, skoro nie wiadomo co w ogóle siedzi od strony zewnętrznej (prawdopodobnie może być tam jakiś rezystor do +12V i mierzone napięcie z tego dzielnika). Tranzystor wniesie jakieś napięcie...
SM pod tę platformę Compal LA-6842P , co prawda rev.02 masz za free na np. http://obrazki.elektroda.pl/5194354000_1... Czy po podaniu +19V Twoje klucze na polowych sie otwierają ? *popatrz na swoje pomiary na kluczach, wyciągnij wniosek (':!:') The N-channel FET is fully switched ON, or in its linear region, when its gate voltage (VG)...
Witam Proszę bardziej doświadczonych kolegów o pomoc w identyfikacji uszkodzonego elementu SMD o kodzie 638ZH lub 638ZZ ( na identycznym module mojego kolegi ). https://obrazki.elektroda.pl/2640598600_... https://obrazki.elektroda.pl/7061228300_... Na początku obstawiałem że jest to MOSFET taki jak ten: HT2263 OB2263...
no i masz racje bo przy tych parametrach tranzystorow to cienko widze te 200 wat a to ze tak wyszlo z obliczen to tylko obliczenia nieuwzgledniajace wytrzymalosci tranzystora,a jakies zabezpieczenie tam jest? Drain to source voltage 2SK1056 VDSX 120 V 2SK1057 140 2SK1058 160 Gate to source voltage VGSS ±15 V Drain current ID 7 A Body to drain...
Witam Nie zadziała bo w dokumetacji napisano: Power supply of the control circuits. Also provides a charging current during start up thanks to a high voltage current source connected to the drain. For this purpose, an hysteresis comparator monitors the VDD voltage and provides two thresholds:- VDDon: Voltage value (typically 14.5V) at which the device...
Opis Problemu: Większość osób z tym monitorem (920N) lub podobnym ma problem z podświetleniem, ale u mnie jest troszkę inaczej. Po wciśnięciu Power'a tak jakby włączał się i zaraz wyłączał, wyglądało to jak by chciał a nie mógł się włączyć. Matryca na ten ułamek sekundy robiła się jaśniejsza. http://img256.imageshack.us/img256/5946/...
Witam, Czy jest Wam znany element elektroniczny, który może służyć za przełącznik (ma dwa stany- zwarty i rozwarty), będzie wytrzymywał napięcie wsteczne ok. 600V, mógł przewodzić prąd ok. 4 A, NIE będzie miał wbudowanej równolegle do końcówek diody zabezpieczającej? Element nie musi być bardzo szybki - czas włączenia/wyłączenia ok. kilkunastu mikrosekund...
Nie - to min i max zależą od po prostu od konkretnego egzemplarza Jak chcesz wiedzieć ile to max to znajdź: "Absolute Maximum Ratings" a tam mamy: Drain to Gate Voltage (R GS = 20k Ω ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V DGR 50 V Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....
okay, i think the short was maybe coming from my exzessive pointing with the multimeter needle. today i changed the ISL9538H chip.- now i got 5v ldo there on pin 8 and 18 back can sbd help me with this mosfet ? i don´t understand what it is doing. 19v ond drain and gate. and spource 0.23v doesnt make sense ? or is it some switching circuit to change...
Ten driver (od MagnaChip ) jest raczej odporny na uszkodzenia. Prędzej diody ... "fiksują", jak pisał kol. powyżej. Chiński układ drivera LED 7014x ( po pin. identico jak MAP3511 oraz HV9803) * sygnał sterowania DIM ma poziom Logic High 2,6V (w HV9803) i 2V (w MAP3511). * sygnał idzie z procesora na płycie gł. poprzez opornik.... np. Main ( pcb: BN41-02156A)...
You have to measure the voltage on the drain and source of Q50 transistor, with main supply (reference to ground). This model does not contains the fuse in a power circuit. Overcurrent and short-circuit protection is made with a couple of MOSFET transistors. If Your mainboard is SRI, it may be a Q600 transistor. ----------------------------------------...
Witam, Czy jest Wam znany tranzystor MOSFET z kanałem typu p, jak najbardziej zbliżony do IRFR5505, który jednak NIE ma wbudowanej diody zabezpieczającej oraz wytrzymuje napięcie wsteczne V(BR)DSS {drain-to-source breakdown voltage} ok. 600V? Może mieć kilkukrotnie mniejszy max. prąd drenu, np. na poziomie kilku Amperów. Podkreślam, że nieźle naszukałem...
Tak na pierwszy rzut oka wychodzi ,że zastosowano tam : LA6339 4x komparator jako swoisty Protect na każdej z lamp CCFL TL5001C http://obrazki.elektroda.pl/9110149900_1... The voltage of +12 V is supplied to pin.1 CОN1 and through a fuse F1 on you. 1-3 assemblies Q3 . Boost DC/DC Converter built on elements Q3-Q5, D1, D2, Q6. In...
Wedle rozważań na zagranicznych stronach to oznaczenia powstały ze sposobu zasilania układów i ich rodzajów. V - skrót od angielskiego słowa Voltage - napięcie używany w literaturze anglosaskiej u nas używamy litery U (V zwykle oznacza potencjał danego punktu, różnica pottencjałów to napięcie oznaczane U) Oznaczenia podwójno literowe, dotyczące napięć...
-co to jest za układ zaznaczony przeze mnie na żółto na zdjęciu płyty? Daj zbliżenie tego fragmentu -do czego jest pin PHASE w układach HIP6601? Connect this pin to the source of the upper MOSFET and the drain of the lower MOSFET. The PHASE voltage is monitored for adaptive shoot-through protection. This pin also provides a return path for the upper...
"Technology Flash memory is programmed by applying a high gate-drain voltage that draws hot electrons generated in the vicinity of the drain into a floating gate. The threshold voltage of a programmed cell is therefore higher than that of an erased cell. Cells are erased by grounding the gate and applying a high voltage to the source, causing the electrons...
zgadujecie czy wiecie to na pewno? - odświeżę temat bo zamierzam właśnie sterować 5V ten właśnie konkretnie tranzystor i wcale nie uśmiecha się mi go spalić. Z mosfetami mam mało do czynienia. jak popatrzymy na charakterystykę Fig 3. Typical Transfer Characteristics to widzimy że sterowanie Vgs rozpoczyna się od 4 z groszami i przy 5V - a tyle mogę...
Vcc - dodatnie napięcie zasilania, c oznaczało, że jest to zasilanie kolektorów tranzystorów (Vcc - common collector voltage - wspólne napięcie zasilania kolektorów) Vss - ujemne napięcie zasilania, oznaczenie stosowane w układach CMOS, oznaczało, że ta szyna zasilania łączyła się ze źródłami (s - source - źródło) tranzystorów. Vdd - napięcie dodatnie...
No więc ja podzielę się swoim wrażeniem ponieważ przed chwilą dosłownie skończyłem wersję beta tego wzmacniacza. Myślę że dyskusja powinna się toczyć raczej na temat dla kogo? oraz po co? Zamiast czy warto? Ja elektroniką lampową zacząłem się interesować zaledwie 2 tygodnie temu i jest to dla mnie jeszcze czarna magia delikatnie mówiąc. Jest to idealne...
Mam jeszcze tylko kilka pytań. W mid-range select (S4 + kondensatorki) które kondensatory odpowiadają za najwyższe częstotliwości? Te z najmniejszą pojemnością? Bo chyba jednak zamiast dodawać, zrezygnuje z jednej - według pana Kreuzera najwyższa częstotliwość to 2000Hz, a do niej również "sięga" już potencjometr od wysokich tonów. Potencjometry P1...
"Kilka" częściej spotykanych słówek i wyrażeń na początek amplifier (amp) - wzmacniacz preapmlifier (preamp) - przedwzmacniacz power amplifier - wzmacniacz mocy analog multiplier - analogowy układ mnożący ****************************************... PLL - Phase Locked Loop - pętla z synchronizacją fazy ****************************************...
Planuje zbudowac premap basowy na podstawie schamatu ze strony: http://www.albertkreuzer.com/start.htm niezabardzo rozumiem uawgi (notes) jakie zamiescil konstruktor odnosnie tego uzadzenia( dstepne tez na stronie http://www.albertkreuzer.com/start.htm) : " Notes: 07/08/2002 Update V 2.1: Added D2 to protect LED D1 (my first one died after two gigs)....
hi please help i need test circuit for the real Power MOSFET Specifications i faced problem about IRFP460A workes in plasma akai PDP-46TS1 in x board 4 tr mosfet was defect also it is normal in this case driver ic.s became defect and smd resistance i rebuild circuit put the tv in ac voltage and feed the x board with 170v through lamp 200 wat i get very...
* Over-voltage, MOSFETs have very little tolerance to overvoltage. Damage to devices may result even if the voltage rating is exceeded for as little as a few nanoseconds. MOSFET devices should be rated conservatively for the anticipated voltage levels, and careful attention should be paid to suppressing any voltage spikes or ringing. * Prolonged current...
Czytaj http://obrazki.elektroda.pl/3845286000_1... This device, as opposed to a transistor configuration, enables the output stage to be driven with a constant value, low impedance. In other words, the signal from the low impedance point is used to drive the high impedance of the output stage, a situation which promotes low overall THD....
Znalazłem taką stronkę na której chyba coś jest wyjaśnione, ale mój angielski kuleje... Operational amplifier de:Operationsverst�rker An "operational amplifier" or "op-amp" is an electronic circuit module (normally built as an integrated circuit, but occasionally with discrete transistors or vacuum tubes) which has a non-inverting input (+),...
Witam Walczę od kilku dni z przetwornicą - fabryczną, nie projektowaną przeze mnie. Wymieniłem już sześć sztuk SMPSów, musiałem drugi raz zamówić. Mosfet STP4NK80ZFP nie pada, wymieniony profilaktycznie. Zachowanie jest takie, że po włączeniu na bieg jałowy przetwornica pracuje aż do wyłączenia, pod obciążeniem uszkadza się natychmiast. Po następnym...
https://obrazki.elektroda.pl/4768835200_... Introduction to the course In order to understand what kind of device we will be designing today, let's first briefly recall what soldering stations generally are, and how they differ from each other. The entire lower price segment of such equipment, as you might guess, is captured by Chinese...
Ukł. pracy ISL9238 plus datasheet dla porównania z 9239 * róznica podobno tylko w wydajności pradowej dla ład. Aku https://obrazki.elektroda.pl/1174610400_... ISL9239/ ISL 9238/ ISL9538B is a step-down boost narrow output voltage direct current (NVDC) charger.ISL9538B provides NVDC charging, system bus regulation, and protection functions...
Witam do sprzedania mam nowe radio KENWOOD TS480HX,orginalnie zapakowane.Radio posiada niesamowicie duzo funkcji,ktore beda ponizej opisane w jezyku angielskim i polskim.KENWOOD TS 480HX jest w sprzedazy dopiero od końca roku 2004,jest to najnowszy model w tej chwili,oprocz tego jedyny poniewaz posiada moc 200 watt..... Radio wysmienicie nadaje sie...
Witam, Do sprzedania mam mosfety FDMC7200S. Datasheet dostępny tutaj ----> [url=https://www.fairchildsemi.com/datas... Cena za 1 szt 23zł z wysyłką listem poleconym Cena za 3 szt 49zł z wysyłką listem poleconym Cena za 5 szt 69zł z wysyłką listem poleconym Większa ilość (cena do indywidualnej negocjacji) W razie zainteresowania...
voltage source drain kolektor oznaczenie drain
monoblok astra hotbird komputer sterowanie szybami uszczelnić antenę
instrukcje montazu instrukcje montazu
Czerwona lampka ciśnienia oleju w VW Touareg - co oznacza? Zbyt wysoki poziom oleju w silniku – tryb awaryjny, objawy, skutki, diagnostyka ECU