Wznosząc układy scalone mocy z azotku galu na wyższy poziom, naukowcy z firmy Imec donoszą o współintegracji diod barierowych Schottky'ego i tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) na jednej, inteligentnej platformie zasilania. Postęp, o którym poinformowano podczas Międzynarodowego Spotkania...
Tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) oparte na azotku galu (GaN) oferują doskonałą charakterystykę elektryczną i stanowią ważną alternatywę dla tranzystorów MOSFET i modułów IGBT w aplikacjach do sterowania silnikami w systemach o wysokim napięciu zasilania i wysokiej częstotliwości przełączania....
Rys.1. Schemat blokowy wzmacniacza klasy D. Entuzjaści dźwięku o wysokiej jakości są ostatnimi beneficjentami szeregu zalet azotku galu (GaN), ponieważ zapewnił on audiofilom wytchnienie w ich poszukiwaniach wysokiej klasy dźwięku. Dylemat, co stanowi optymalną konfigurację dla domowego systemu...
W ciągu ostatnich kilkudziesięciu lat postęp w technologiach węglika krzemu (SiC) i azotku galu (GaN) charakteryzował się rozwojem, rosnącą akceptacją przemysłu dla nowych materiałów i obietnicą miliardowych przychodów. Pierwsze komercyjne urządzenie z SiC pojawiło się w 2001 roku w postaci diody...
Rys.1. Przekrój typowego krzemowego tranzystora MOSFET. Tranzystory mocy GaN są idealnym wyborem do zastosowań związanych z zasilaniem i systemami RF w systemach kosmicznych. Dzięki nowym rozwiązaniom eGaN, firma EPC Space gwarantuje odporność na promieniowanie i SEE (efekty pojedynczego zdarzenia)...
Niskie zużycie energii elektrycznej przy bardzo dużej jasności Diody świecące LED, to wysokowydajne źródło kolorowego światła. Diody LED, jako przyrządy półprzewodnikowe, bezpośrednio zamieniają energię elektryczną na promieniowanie świetlne (w procesie tzw. rekombinacji promienistej). Sprawność tej...
Kolejna generacja systemów transmisji bezprzewodowej, nazywana 5G oferować ma niezmiernie wysokie prędkości transmisji - do 10Gbps- i niewielkie opóźnienia. Jednakże, aby było możliwe stworzenie sprzętu, pracującego przy tych parametrach, konieczne jest opracowanie nowych układów scalonych. Naukowcy...
Firma Power Integrations zaprezentowała nowego członka rodziny LYTSwitch-6, izolowanych sterowników LED, do inteligentnych systemów oświetleniowych - LYT6078C. Ten układ scalony wykorzystuje technologię Power Integrations PowiGaN (opartą na azotku galu - GaN), aby zapewnić większą sprawność i korzyści...
Firma Power Integrations, lider w dziedzinie wysokowydajnych i niezawodnych układów sterowników LED, zaprezentowała nowego członka rodziny układów bezpieczeństwa LYTSwitch-6 - izolowane sterowniki LED do inteligentnych zastosowań oświetleniowych. LYT6078C wykorzystuje technologię PowiGaN z wykorzystaniem...
Pytanie: Czy konieczne jest wykorzystanie wyspecjalizowanego sterownika bramki, by móc sterować ją dodatnim i ujemnym napięciem? Odpowiedź: Okazuje się, że nie! Można zaadaptować klasyczny, unipolarny sterownik, by na wyjściu otrzymać napięcie bipolarne - tak ujemne, jak i dodatnie. Wystarczy...
Azotek galu (GaN) kontynuuje swoją misję przejęcia coraz szerszego spektrum aplikacji. Nie wystarczy jego obecność na Ziemi, GaN znajduje także aplikacje w kosmosie w postaci np. tranzystorów mocy. Są one idealnym wyborem dla aplikacji mocy i RF do obsługi misji kosmicznych. Firma EPC Space dopilnowała...
Nexperia opracowała nową gamę rozwiązań GaN FET wykorzystujących technologię nowej generacji wysokiego napięcia GaN HEMT H2. Układy dostępne są w obudowach TO-247 i opatentowanym pakiecie CCPAK do montażu powierzchniowego. Przeznaczone są głównie do zastosowań motoryzacyjnych, stacji 5G i centrów...
Energoelektronika zmieniła obecnie kierunek i przyjmuje urządzenia szerokoprzerwowe wykonane z azotku galu (GaN) i węglika krzemu (SiC). Podczas gdy krzem nadal dominuje na rynku elektroniki, pojawienie się urządzeń GaN i SiC powoduje pojawianie się rozwiązań o wyższej sprawności. Yole Développement...
Poszukiwanie bardziej wydajnych materiałów elektronicznych do produkcji urządzeń mocy i znajduje się na czele działalności badawczo-rozwojowej w sektorze półprzewodnikowym. Niski koszt i szeroka dostępność krzemu pozwoliły mu wyprzedzić wiele lat temu german jako dominujący materiał półprzewodników...
Straty diody za to będą mniejsze, zawsze mały plus dla niezawodności. Jeszcze raz, dioda jest przeznaczona dla większych prądów. Cewka przetwornicy też. Co ma do tego niezawodność? Analogiczne przetwornice w obwodach pośrednich falowników pracują latami na dodatek w trudniejszych tempraturowo...
Wzrost zastosowania sterowników silników, inteligentnych sieci przesyłowych i technologii inteligentnego domu, a także zwiększone zapotrzebowanie na urządzenia wysokiego napięcia, przyczyniły się do wzrostu światowego rynku sterowników bramek tranzystorów MOSFET i modułów IGBT mocy. Kompletny...
Luke Yates (po lewej) z Sandia National Laboratories i Jack Flicker, ekspert w dziedzinie odporności sieci z substratem z azotku galu z szeregiem diod, które mogą odciąć rekordowe 6400 V w ciągu kilku miliardowych sekundy. Naukowcy z Sandia National Laboratories zaprezentowali maleńkie elektroniczne...
Jak do fotodiody przyłożysz napięcie wsteczne (nie za duże - parę wolt zwykle jest w sam raz, chyba że Ci zależy na szybkim działaniu - w nanosekundach - większe powoduje zwiększony prąd lawinowy, i przez to zmniejszenie oporności dynamicznej, co spowoduje, że dostaniesz na niej mniejsze napięcia),...
Współpraca brytyjskiego startupu z fabryką półprzewodników pozwoliła stworzyć urządzenia testowe dla nowego typu tranzystora, które można wprowadzić do produkcji w zaledwie trzy tygodnie. Tak krótki czas realizacji układy te zawdzięczają niskim wymaganiom, co do ilości masek - element ten wymaga...
Na targach APES 2017, na stanowisku EPC (Efficient Power Cobversion) spotkać można było współzałożyciela firmy i jego obecnego CEO Alexa Lidowa. Prowadzona przez niego firma opracowuje od 2007 roku nowoczesne rozwiązania. W ciągu dziesięciu lat pracy, badacze sukcesywnie dołączający do spółki...
Energoelektronika jest obecnie wzbogacana o rozwiązania z węglika krzemu (SiC), które spełniają parametry projektowe wymagane w zastosowaniach o dużej mocy, zapewniając w ten sposób istotny wkład w wydajność systemu i długoterminową niezawodność. Fabryka urządzeń półprzewodnikowych X-FAB promują...
Właściwości elementów piezoelektrycznych mogą polepszyć się nawet sto razy. Wszystko to za sprawą badań nad nano-przewodami na Uniwersytecie Northwestern. Badali oni przewody w nanoskali, o przekroju od 0,6 do 2,4 nm. Prawdziwą rewolucję naukowcy odkryli, badając przewody wykonane z azotku galu...
