RU6099R ma Gate Charge 47 nC, a IRF1407PBF 160 nC. Czyli ponad 3 razy tyle. I jakieś 1.5 razy większe Coos. Czyli IRF1407PBF będzie miał o wiele większe straty przełączania.
Może to być ten: http://www.datasheetarchive.com/search.p... Abstract: .. No. A0351-2/4. Continued from preceding page. Ratings. Parameter Symbol Conditions. min typ max. Unit. Total Gate Charge Qg VDS=30V, VGS=4V, ID=3A 8.2 nC. Gate-to-Source Charge Qgs VDS=30V, VGS=4V ..
Mosfet 600V 20.5A w izolowanej obudowie TO-220, akurat ten parametr "Qg (Gate charge total)" możesz sobie darować, chińczyk pcha do swoich konstrukcji co mu leży pod ręką. Najbliższy będzie np. SPP20N60S5, tylko pod niego trzeba dać silikonową podkładkę.
Ten tranzystor ma bardzo dużą pojemność wejściową więc nawet dla PWMa 500Hz będzie problem z jego sterowaniem. Pojemność wynosi 5nF, ale praktyczna wartość widziana przez sterownik jest zwiększana efektem Millera. Można to mniej więcej policzyć za pomocą wykresu "Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source Voltage". Na oko wychodzi że będzie ona ze 3...4...
Zbuduj może najpierw mostek na 5A. Poznasz problemy i nabierzesz doświadczenia. 60A to nie przelewki można zrobić sobie krzywdę. PCB także będzie baaaardzo istotne. Słowa klucz: - drivery MOSFET, - pojemność bramki Total Gate Charge, - rezystancja złącza Drain-Source On-Resistance - napięcie przełączenia bramki Gate Threshold Voltage - prąd drenu Drain...
Masz datasheet, dobierz sobie analogi FET TypeMOSFET P-Channel, Drain to Source Voltage (Vdss)20V Current - Continuous Drain (Id) (at) 25° C3A Rds On (Max) (at) Id, Vgs75 mOhm (at) 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (at) Vds443pF (at) 16V Power - Max1.4W PackagingCut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (at) Vgs7.3nC (at) 4.5V Package / CaseTO-236-3, SC-59,...
Znalazłem taki tranzystor, ma chyba dobre parametry, czy wymienię jeszcze nie wiem, ale może innym się przyda: https://sklep.eltron.pl/pl/p/18195322495... RD-S ma 0,034 do 0,04 oma przy 25 stopniach, Input Capacitance - 4340 pF przy 250kHz, Total Gate Charge - 107 nC http://pdf1.alldatasheet.pl/datasheet-pd...
Total Gate Charge <= 54nC, prąd przez 22kΩ około 100µA, może nawet mniej - czas wyłączania będzie poniżej 1ms, ale przy częstotliwości PWM 1kHz to może oznaczać około 50% czasu w pół-wyłączeniu... Nie wiem, jaki ma być prąd tych taśm, ani jak zależy prąd od napięcia zasilania.
Ściślej mówiąc, prąd w obwodzie bramki jest potrzebny w momencie załączania i wyłączania tranzystora. Zgodnie z danymi należy wtedy przeładować ładunek -Qg (Total Gate Charge) - maks. 63 nC (testowane to jest przy przy ID = 25 A; VDS = 44 V; VGS = 10 V). Szybkość przełączenia wpływa na grzanie tranzystora (im szybciej, tym lepiej z punktu widzenia tranzystora)....
82nC versus 123nC(tabelka). Chyba ,że wykres przestawia "typowe wartości" a nie maksymalne. Tak jest na wykresie są typowe. Ze wzoru: Q= C*U --> C=Q/U W przykładowej sytuacji: C = 85nC/12V = 7,08nF Teraz widzisz jaki miał byś błąd licząc wg Ciss=2159pF Przyjąłeś do obliczeń liniową pojemność 7nF spore uproszczenie Czy taki tor obliczeń jest poprawny?...
Ten tranzystor to zapewne PDS3807: Type Designator: PDS3807 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: P -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 2.1 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 30 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 2.5 V Maximum Drain Current |Id|: 7 A Maximum Junction Temperature...
13.8 * 2 = 27.6 Ohm. A pojemność całkowita jest podana na wykresie "Gate Charge vs Gate-source Voltage". Pojemność to jest stosunek ładunku do napięcia, więc tutaj przy 5V masz około 90nQ czyli około 18nF.
To ciekawe. Nie zwróciłem na to uwagi, a faktycznie w tabeli 5.2 DC Operation -> Driving buffers section jest "High/low-side source short-circuit current". Prawdę mówiąc myślałem, że rezystory o takich wartościach dali, żeby ograniczyć prąd właśnie do wspomnianych możliwości source/sink.. Czyli teoretycznie tych rezystorów mogłoby nie być i po prostu...
(1) I_g=Q_n / dt = 75 nC / 100 ns = 0.75 A (z noty IRF 840, wzór polecany na forum, rzekomo zawyżający prąd) (2) I_g = C_iss * dU_gs / dt + C_rss * dU_ds / dt = 0.23 A + 0.32 A = 0.55 A (wzór zaniżający prąd z Sztuki Elektroniki :D) Rząd wielkości sie zgadza. Lepszym sposobem jest posłuzenie sie charakterystyką "Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Drain-to-Source...
IRF244, albo jakiś inny z małą pojemnością (low gate charge). Jeszcze diody zabezpieczające. Ale najpierw jak kolega wyżej zdiagnozuj.
Całkowity ładunek bramki wynosi znacznie więcej niż 9,9nC. Wartość całkowitego ładunku można odczytać z wykresu 6: Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage i wynosi około 25nC, ale można przyjąć do obliczeń 17,5nC gdyż do tego momentu występują największe straty związane z przełączaniem.
Ładunek około 25nC (Total Gate Charge Qg z noty katalogowej) / prąd 1mA = czas 25us = 20% okresu 125us. Średnia moc tracona podczas przełączania = 2/3 mocy maksymalnej = 1/6 U²/R (dla U=7.4V i R=0.2Ω wychodzi 45W). Należy jeszcze pamiętać, że przy wyższym napięciu Qg będzie większe - wkład od Gate-Drain Charge Qgd rośnie prawie proporcjonalnie...
(at)ElektrodaBot Dobierz indukcyjność cewki dla przetwornicy synchronicznej pracującej z częstotliwością 2MHz i prądem obciążenia w przedziale od 100mA do 2A. Napięcie wejściowe 8V-12V, napięcie wyjściowe 3.3V. Nominalny Rdson obu tranzystorów 100mOhm. Pojemność wyjściowa 2*22uF. dead time 5ns, switching time 20ns. Przetwornica jest wyposażona w tryp...
Witam, chciałbym zapytać, jaki mógłbym użyć zamiennik tego chińczyka? 8N70 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent Type Designator: 8N70 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Pdⓘ - Maximum Power Dissipation: 147 W |Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 700 V |Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 30 V |Vgs(th)|ⓘ - Maximum Gate-Threshold...
Znalazłem na allegro tanie mosy IRL2203N, sprawdziłem w katalogu, superniska oporność i ogromny prąd maksymalny. Ale jest coś co mnie bardzo zdziwiło, mianowicie Total Gate Charge max. 60nC. To jest mniej niż w IRFZ44N! Od razu pomyślałem że coś tu nie gra... Gdzie jest haczyk??
1N4007 raczej jest za wolna, użyj UF4007. Poza tym wyłączanie MOSFET-a może trochę potrwać - jaki on ma ładunek bramki? Niestety w nocie katalogowej na Elenota.pl brak parametru "Total Gate Charge" dla BUZ10 i nie ma BUZ103S (jest dla BUZ102S - typowa 45nC, maksymalna 70nC, przy napięciu drenu 40V); dla BUZ10 podają parametry szybkości przełączania...
Mam jeszcze jedno pytanie a dokładnie chodzi o zamiennik do oryginalnego mosfeta SGF190N60SJ nie wiem co można dać w zamian najpodobniejszy z tego co znalazłem jest SPP20N60S5 lecz różni się Qg(Gate charge total)- oryginał 37nC a zamiennik 103nC. Nie wiem jaki zamiennik dobrać może wy panowie coś doradzicie :)
Czyli mam rozumieć, że chodzi o parametr Qg (Total Gate Charge) ? Np. parametr Qg.: IRFZ44N - 63 FDB6670AL - 24 IRF3205 - 146 [nC]
Nie dziwię się, że tranzystory tak mu się grzeją, skoro steruje wszystkie naraz z NE555 przez rezystor 1k ;) Pewnie bramki dłuuugo się przeładowują... niby to jakieś Ultra Low Gate Charge, ale takie sterowanie to błąd. Ma jeszcze 1k do masy, więc dodatkowo tworzy się dzielnik, stąd jeśli NE555 zasilane z 10V, to na bramce po dzielniku ma max 5V.. na...
Podejrzanym jest mniejsza pojemność bramki a więc i mniejsza odporność samozałączenie (na irf740 występowało samozałączenie przy total Gate Charge = 63nC, gdy MDF potrzebuje tylko total Gate Charge = 29.3nC) Pojemności dla IRF740: Cgs = 1070 pF Cgd = 120 pF Cds = 210 pF Pojemności dla MDF10N65B: Cgs = 1195 pF Cgd = 7 pF (!!!) Cds = 121 pF Popełniłem...
To nie jest takie pewne, czy ciągle by pracował i nie nagrzewał się, miałem już taki przypadek w sterowniku dmuchawy, że po tygodniu tranzystor się uszkodził. Total gate charge IRF jest kilkakrotnie większy. Nie wiem jaka jest tam koncepcja elektryczna, ale przy tego typu przełącznikach tak samo ważny jest czas rozładowania bramki- odcięcie tranzystora....
Ciss zależy od napięcia na drenie, producent mierzy przy 25V (pewnie żeby był korzystniejszy wynik) i podaje 1400pF ale przy niższych napięciach jest więcej, wykres z noty kończy się na 2,2nF(at)1V (Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage) dalej z nachylenia krzywych powyżej Miller plateau z wykresu Fig. 6( Typical Gate Charge vs. Drain-to-Source...
Witam, Szukam zamiennika dla tranzystora MDF7N65B. Features VDS = 650V ID = 7.0A (at) VGS = 10V RDS(ON) ≤ 1.35Ω (at) VGS = 10V Czy mogę go zastąpić FQPF7N80C? Features • 6.6A, 800V, RDS(on) = 1.9Ω (at)VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 27 nC) • Low Crss ( typical 10 pF) • Fast switching...
http://obrazki.elektroda.pl/2791874600_1... http://obrazki.elektroda.pl/8525632600_1... DMFP75N075B HEXFET Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements (R) Power MOSFET VDSS = 75V ID25 = 75A RDS(ON) = 11.0 m? Description Third Generation HEXFETs from International...
:arrow: master9 IRF540 jest troche słabszy prądowo i mocniejszy napięciowo od strony wyjścia, sporo bardziej wymagający od strony wejścia (spójrz na pojemność Ciss, parametr 'total gate charge') pozostałbym przy IRFZ34N, można spróbować popularnego IRFZ44N ale przydałoby się wiedzieć jaki tam jest driver i czy poradzi sobie z napędzeniem pakietu tych...
tranzystory których używam zapewne maja dość znaczna pojemność bramki Zapewne? Nie sprawdziłeś w nocie katalogowej? To jest opisane - istotny jest zwłaszcza "Total Gate Charge" - to jest ładunek, który trzeba zabrać z bramki, żeby od stanu włączenia przejść do stanu wyłączenia (albo odwrotnie); czas wyłączania = ten ładunek / prąd drivera; zwykle główna...
12A, 650V N-CHANNEL MOSFET 12A,650V,RDS(on)(typ)=0.68Ω(at)VGS=... ∗ Low gate charge ∗ Low Crss ∗ Fast switching ∗ Improved dv/dt capability To są parametry twojego tranzystora, poszukaj po parametrach identyczny lub zbliżony i będzie działać. Regulamin, pkt 3.1.11. Nie wysyłaj wiadomości, które nic nie wnoszą do dyskusji....
Hm... IRLML2030 strona 2: Total Gate Charge - 1nC Input capacitance = 110pF Przy 5V i 20mA prądu z pina, tranzystor będzie się bez większych strat przełączać z częstotliwością rzędu 100Hz. Faktycznie, stare mosfety lub DUŻE mosfety mają nanofaradowe pojemności bramek, bywają nawet takie co mają po 10nF. Ale autor tematu raczej nie ma zamiaru przełączać...
Nie możesz zastosowac jakiegoś innego mosfeta - zamiennika pod kątem napięcia Uds, prądu Id i ładunku total gate charge ? Z tego co widzę to powinien być też logic level. Dodatkowo w pdf pisze, że ma zabezpieczenie bramki diodą zenera. Może trzeba dolutować mały transil lub diodę zenera na 12V między G i S. Może: IRLR3410 ? lub trochę mocniejszy: NVD6495NL?...
Возмоk... это кому-т ... пригоk... -мне попал на ремонm... ZYT-116 при включk...
Skąd zabrać wartość Vplateu? Z wykresu Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage. Jest to punkt gdzie zaczyna się efekt Millera. Odnośnie obwodu Bootstrap to wartość spadku napięcia mówi nam o ile to napięcie podwyższymy przy pomocy kondensatora? Bootstrap ma nam przenieść potencjał 12V względem źródła górnego mosfetu, gdyż jest on pływający....
1 i 4. A może dwa tranzystory zamiast tyrystora? Wtedy można uzyskać taką charakterystykę, jaka będzie potrzebna. Właściwie te dwa tranzystory już są na ostatnim schemacie: T2 i T4 - wystarczy opornik zamiast do tyrystora podłączyć do kolektora T4, a opornik R10 do bazy T4 - wtedy T2 i T4 zastąpią tyrystor i będą miały "prąd podtrzymania" około 2mA....
czyli jesli dobrze rozumiem zastosowanie wysokich napiec i tranzystorow polowych da nam podobny efekt do wzmacniacza lampowego tak? Wspomniane "wysokie napięcia" to temat do rozwiązań bipolarnych. W układach typu MOS/FET napięcia zasilania są nieistotne. Problem stanowią duże pojemności bramkowe (problem Gate charge) tranzystorów MOS, w tym pojemność...
To są wyjścia CMOS, więc podciągające rezystory nie robią sensu. Pojedyncze wyjście ma limit obciążalności ±25mA i jest to wartość wystarczająca do sterowania bezpośrednio bramką POWER-MOSFET. Niezależnie, dla szybszego przełączania MOSFETa (by zredukować jego straty z przełączania) stosuje się równoległe połączenie kilku bramek CMOS. Tak uzyskasz...
...wszystkie parametry są rewelacyjne za wyjątkiem pojemności wejściowej. W istocie to nie jest problem. Jeśli użyjesz takich modułów w klasycznym wyjściu komplementarnym, masz wtórniki emiterowe, dla których, jak wiadomo, pojemności B-E o C-B nie mają specjalnego znaczenia. Jeśli założysz totalną pojemność wejściową drivera (2xCcb, dla obydwu tranzystorów)...
ale odwracasz fazę sygnału (zamieniasz moment świecenia z wygaszeniem). tak też myślałem, ale akurat nie jest to dla mnie problemem. W drugim rozwiązaniu opornik może być 1-5k no właśnie tutaj mam wątpliwość, bo przy oporniku 1k i napięciu 12V popłynie prąd 12mA, czyli taki jak maksymalny możliwy z ESP, który nie otwierał całkowicie tranzystora a cała...
Już mam ten element ot tranzystor 11N90C i jedyne co udało mi sie o nim dowiedziec z neta to: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching...
Zobacz to STB80NF03L-04 N-CHANNEL 30V - 0.0035 ohm - 80A TO-262/TO-263 STripFET POWER MOSFET STMicroelectronics STB160NF02L N-CHANNEL 20V - 0.0018ohm - 160A D2PAK STripFET˘â POWER MOSFET STMicroelectronics STB30NS15 N-CHANNEL 150V - 0.075 ohm - 30A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET˘â POWER MOSFET STMicroelectronics STE180NE10 N-CHANNEL 100V - 4.5 mohm...
To zależy od mosfeta i od prądu jakim go sterujesz. Normalnie PWM rzędu kilku kHz nie powinien stanowić problemu. Przy kilkudziesięciu może już być gorzej i może warto byłoby się rozejrzeć za driverami do mosfetów, które potrafią sterować mosfetem prądem rzędu 1A 1.Jeżeli mosfet jest duży, to potrzeba większej energii, żeby go wysterować (otworzyć)....
Zakupiłem IRF640, szkoda że nie wersję N bo ma ona jeszcze lepsze parametry, a na co należy patrzeć dobierając tranzystor do wzmacniacza klasy d : "Use fast fets, which has small Qg (total gate charge), small Rds(on), but most important small trr (Reverse Recovery Time of diode) and for that matter Qrr too. " Dodam jeszcze układ 4070 przed wejścia IR...
Podaję tranzystory które planuje uzyć: IRF7455 N-MOSFET 30V 15A 2.5W 0.0075R SO8 PBF IRF7413 N-MOSFET 30V 13A 2.5W 0.011R SO8 PBF IRF7416 P-MOSFET 30V 10A 2.5W 0.02R SO8 PBF Częstotliwość ma być rzedu 5 kHz. Wydaje mi sie, że zasadnicze znaczenie ma pojemność bramki. Tu jest pewnien drobny problem, bo w nocie katalogowej podawane są 3 różne pojemności:...
Witam W ostatnim poście Zapomniałem dodać że to wszystko chodziło z 40n30 . Jeśli chodzi tranzystory bipolarne to robiłem już to. Problem jest tylko z tym jednym rezystorem, który wychodzi od bazy, jest w datasheet tylko narysowany ale nic nie jest o nim napisane jaka wartość itp. Różne wartości próbowałem ale nie zawsze stabilizowane napięcie wyjściowe....
Jakiś konkretny typ? Nigdy nie stosowałem...robiw Ponieważ Planuję wykonać prosty układ PWM do sterowania silniczkiem 12V sterowany z mikrokontrolera zasilanego napięciem 3.3V domyślam się, że masz zamiar zastosować tranzystor w dość prostej konfiguracji n-channel, low-side , zatem możesz użyć na przykład http://www.microchip.com/ParamChartSearc...
Moim zdaniem brakuje snubbera na sterowaniu GDT. Na stromych zboczach sterowania masz cale widmo radiowe, ktore się wszędzie przenosi. Czasem niestety trzeba wydłużyć czasy propagacji by zmniejszyc ilość generowanych harmonicznych kosztem strat w tranzystorze. Zródło zakłóceń można tez próbowac lokalizowac zakładając krokodylek na igłe sondy tworząc...
T4 i T6 nazwałbym stopniem wzmocnienia napięcia. Sterującym nazwałbym wtórnki emiterowe przed mosfetami mocy, które są dobrym upgradem tego typu wzmacniaczy. Jak widzę projekty tego typu (tzn. gdzie mosfety są dterowane bezpośrednio ze stopnia napięciowego) to wydaje mi się, że nadal pokutuje myślenie z początku lat '80, kiedy to przypisywano mosfetom...
https://obrazki.elektroda.pl/6720313900_... Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje...
Nie mogę znaleźć odpowiedniego scalak w necie, możecie coś polecić ? Przy wymaganym dużym prądzie, sugerowałbym rozważyć raczej przetwornice z osobnym zewnętrznym mosfetem, bo zdecydowanie jest ich większy wybór niż scalonych z mosfetami wewnątrz na takie prądy. Druga trudność dotyczy, zakładanych w Twoim projekcie, zakresów napięć na wejściu i wyjściu...
http://www.datasheetarchive.com/ AP2763I-A Datasheet, Circuit, PDF, & Application Note Results AP2763I-A RoHS-compliant Product Advanced Power Electronics Corp. Simple Drive Requirement Isolation Full Abstract: .. AP2763I-A. 2/4. THIS PRODUCT HAS BEEN QUALIFIED FOR CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS .. AP2763I-A. Fig 1. Typical Output Characteristics...
Jeśli już będę miał Mosfety sterowane z uC, to może by z ich pomocą sobie regulować prąd pobierany z akumulatora? Tak, aby można było np. obciążać mniejsze akumulatory prądem 1A, 4A, akumulatory 12V, ale także mniejsze akumulatory 6V. Pytanie moje jest czy można dołożyć jakiś duży, albo wiele dużych kondensatorów (low ESR, ale może niekoniecznie) na...
http://www.pavouk.org/hw/fan/en_fan4wire... na tej stronie pisze że płyta główna ma wyjście PWM zwierające do masy TTL, to wentylator ma zapewniać rezystor pull-up, w specyfikacji 4_Wire_PWM_Spec.pdf pisze żeby nie przekraczać 5mA pull-up. Jeśli wentylator od którego podbierasz prąd z linii "control PWM" podaje prąd 5mA, to lepiej nie dodawać tam...
Nie napisałeś, jaki to MOSFET - istotne jest, jakie napięcie bramki zapewni pełne włączenie. 10V? Mniej, więcej? A poza tym, na ile szybkie musi być wyłączanie - w momencie wyłączania bramka MOSFET-a rozładowuje się poprzez opornik bramka-źródło (1k na schemacie w #1) - może to wyłączanie nie musi być takie szybkie? Z opornikiem 1k pewnie będzie parę...
... Sygnał wyjściowy nie będzie podlegał żadnemu obciążeniu. Troszke mnie oslabiles ta odpowiedzia, kolego! No bo, jesli tak, to wystarcza dwa druciki, nigdzie nie podpiete, i do tego ZDEKLAROWAC, ze miedzy nimi panuje idealna fala prostokatna 1 MHz, 120Vpp. Nie zapomniec o tabliczce "UWAGA, WYSOKIE NAPIECIE!" :D A wracajac do raliow, narzucaja mi...
(...) lektrodaBot Czy tranzystor IPD60R280P7ATMA1 jest zamiennikiem 60R360Q (w katalogu polskiego sprzedawcy ten oryginał to IPD60R360P7 - co prawda bez indeksu Q na końcu) Może ktoś z kolegów pomoże? ``` Szybka odpowiedź W zasilaczu flyback LGP43T-19U1 (TV LG 43") 50R380P (500 V) działa tylko warunkowo – ma o 100 V niższe dopuszczalne V_DS od...
Witam, Szukam tranzystorow STV160NF03LA. N-CHANNEL 30V - 0.0021W - 160A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET. VDSS 30 V RDS(on) < 0.003 ID 160 A moze jakis zamiennik ... ale ta obudowa PowerSO-10 ? n TYPICAL RDS(on) = 0.0021 W n LOW THRESHOLD DRIVE n ULTRA LOW ON-RESISTANCE n ULTRA FAST SWITCHING n 100% AVALANCHE TESTED n VERY LOW GATE CHARGE n LOW PROFILE,...
Jak widać z powyższego Twego 'wywodu' wiesz tyle, iż nic nie wiesz ... Exclamation Idea Przyznaje się, czy to mnie hańbi?, jak bym wiedział to bym nie pisał :) w końcu "wiem że nic nie wiem" słynny cytat i jest to dosyć podstawowa wiedza. A znane - ponoć - "wady" tego programowanego źródła napięcia odniesienia wynikają li tylko z nieznajomości poprawnego...
Jakie muszą byc spełnione warunki aby pin.4 ACDRV > mógł otworzyć klucze wej.? - oporniki przy CMSRC i ACDRV - SDA SCL Charge pump output to drive both adapter input n-channel MOSFET (ACFET) and reverse blocking n-channel MOSFET (RBFET). ACDRV voltage is 6V above CMSRC when voltage on ACDET pin is between 2.4V to 3.15V, voltage on VCC pin is above UVLO...
Prostszy ukł. chargera (SMBus) chargera i jaka jest rola pin.BST - jest np. Quanta NM9/ LX89 * OZ8681L ( eq. BQ24704 > jest datasheet) https://obrazki.elektroda.pl/4617086700_... * BST **w chargerach BQ247xx pin ma opis BTST The BST pin is necessary for DC/DC converters with a bootstrap circuit. A bootstrap circuit generates the gate...
Czyli mam rozumieć, że wszyscy inżynierowie z takich firm jak Micron, Samsung, SanDisk, itp.. Piszą bzdury we wnioskach patentowych, na temat utraty ładunku z czasem i metodom zapobiegania utraty danych w komórkach pamięci. A producenci pamięci flash, dysków SSD, nie stosują żadnych metod kontroli stanu komórek pamięci i mechanizmów zapobiegających...
Dwa pierwsze za mało/ ost. za dużo To z datasheet Charge pump output to drive both adapter input n-channel MOSFET (ACFET) and reverse blocking n-channel MOSFET (RBFET). ACDRV voltage is 6V above CMSRC when voltage on ACDET pin is between 2.4V to 3.15V, voltage on VCC pin is above UVLO and voltage on VCC pin is 275mV above voltage on SRN pin so that...
Witam. Jestem na etapie wymiany podzespołów w falowniku Yaskawa CIMR-G3A22P2. Falownik po zalaniu leżał jakiś czas w magazynie i postanowiłem zająć się wymianom uszkodzonych podzespołów elektronicznych i wyczyszczeniem zalanego miejsca z nalotu w postaci tlenków. Moje pytanie jest natury czysto teoretycznej i niekoniecznie musi dotyczyć dokładnie tego...
Ja kupowałem u tego sprzedawcy i wszystko OK, wysyłka 4 dni i to co chciałem. https://pl.aliexpress.com/item/100500333...
Kol. masz jako charger BQ24735 :idea: na tym forum napisano Fraza: BQ24735 Szukaj na wybranych forach Znaleziono 53 wyników (0,22 s) !!! "Adapter Detect and ACOK Output" Poczytaj, są wyniki pomiarów > na pinach opisanych jako: ACDRV, ACOK, pin.2 ACP pin.3 CMSRC pin.4 ACDRV pin.5 ACOK pin.6 ACDET pin.10 ILIM pin.20 VCC – To z datasheet Charge pump...
W warunkach serwisu raczej nie, potrzebny specjalistyczny sprzęt. Mozna zrobic pomiary https://obrazki.elektroda.pl/1869512500_... IC3(6861AAQ)/ AT6861AAQ is a power management chip/integrated circuit. When IC3 20-pin input VIN power supply (power range 8 ~ 14V, typical power supply 12V), the regulator 21 feet and internal filter circuit...
* Over-voltage, MOSFETs have very little tolerance to overvoltage. Damage to devices may result even if the voltage rating is exceeded for as little as a few nanoseconds. MOSFET devices should be rated conservatively for the anticipated voltage levels, and careful attention should be paid to suppressing any voltage spikes or ringing. * Prolonged current...
Brak SM. Ta Twoja kol.wer. MB jest (powinna) KBC IT8517E HX stby RT8239B (+3,3V, +5V) / Richtek opis JC-EA HM76 zasilanie CPU na RT8885A zasilanie GPU 2x uP6128PD charger BQ24725A polowy na wej. N-ch PQ8801_P0903BEA Masz 3,3V na przycisku. Sygnały na ENTRIP1(2) ENTRIP2(4) układu stby poprzez 2N7002B podawane są z KBC (pin.80) na Gate pin.5 2N7200, dopiero...
Pomierz napięcia na chargerze BQ73x i porównaj z tymi co juz - napisano i podano na tym forum , opcja Szukaj przydatna * pomiary na np. pin: 6 ACDET , 5 ACOK#, VIN, pin16 LDO (6V) idzie do kbc , ... Napięcia na bramkch polowych (pin.4) Gate PU4201 , PU4402 SI7121DN P-ch - jak ok. 8V jest on otwarty Masz 3/5 V LDO na TPS51225C
:?: :!: Medion Erazer P7643 który był lekko zalany . Po oględzinach zwarł się drugi mosfet za gniazdem zasilania Może w miejscu gdzie dotykasz "scieżki " podgniły po tym zalaniu cieczą NN.? Skoro po czasie napięcie z RT6575BGQW po 3V spada to masz po tym zalaniu - jakieś przywarcie na siłowej części 3V Znajdz podobny SM (ten RT6575BGQW, HM170, Kaby...
Sprawdź ten kod inicjalizacyjny [syntax=c] LCD_WriteReg(0x00, 0x0001); // Start internal OSC. LCD_WriteReg(0x01, 0x3B3F); // Driver output control, RL=0;REV=1;GD=1;BGR=0;SM=0;TB=1 LCD_WriteReg(0x02, 0x0600); // set 1 line inversion //************* Power control setup ************/ LCD_WriteReg(0x0C, 0x0007); // Adjust VCIX2 output voltage LCD_WriteReg(0x0D,...
Ta rev.2.5 jest na PCH (HM87) cpu 4th gen., Haswell np. SR1Q8 i7-4720HQ, i7-4710HQ, ... G751JY Main Board Rev: 2.5 - CPU: i7-4750HQ Intel Core SR18J - P/N: 60NB06F0-MB1A00 - nVidia GeForce GTX 980M 4Gb (N16E-GX-A1) * róznice pomiędzy rev. > typ zainstalowanej dodatk. gpu https://obrazki.elektroda.pl/3375244200_... Nie ma SM Tylko boardview...
Jest Repair Guide. A ponieważ Asus są "prawie jednakowe" to popatrz w SM :?: Asus K53 (Compal LA-7552P) * seria K53SV mogą jednak być róznice p.s Jesli ten R020 w ok. chargera ? / lub ok. złazca baterii daj lepsze foto. To pokazano tranzystor EMB20P03G i zapewne opornik czujnika pradowego Patrz po dostępnych na tym forum SM pod Asus/Acer - zamiennik...
Hello, I'm not sure if it is allowed to ask the topic starter in English? But I'm trying to repair the same type of charger, with a different output-stage (80V version). The MOSFET in the output stage of the fan control is damaged (3055L N-fet). Because of the failed (blocked) fan, the current most likely because to high for the N-fet. Second, parts...
PQ101 to AO4409L VDS (V) = -30V ID = -15 A (VGS = -10V) Max RDS(ON) < 7.5mΩ (VGS = -10V) Max RDS(ON) < 12mΩ (VGS = -4.5V) Ciężko dobrać zastępcze! p-kanałowy polowy otwiera się ujemnym napięciem w stosunku do Source. ... dlatego napięcie na Gate poniżej napięcia na Source może go otworzyć Podaj napięcie z zasilacza reg. wartość prądu...
Witam Posiadam VEVOR wiatr Generator z turbiną 400W z charge controller od czasu do czasu sie cos tam kreci i produkuje sobie energie. Jakie urzadzenia musialbym do tego podlaczyc zebym mogl zasilac swoj komputer ktory jest caly czas wlaczony i potrzebuje np 800w ? Pewnie jakis ups ktory moze byc zasilany tez przez generator wiatrowy I dodatkowe pytanie...
It was charged to ab. 110V. And jointeds to BlueKathode+ and Gate1-.
Witam Posiadam moduł [url=http://propix.com.pl/pl/p/Modul-STM... opanowałem w miarę dołączony wyświetlacz 2,8" oparty na ILI9320. Aktualnie wziąłem na tapetę wyświetlacz [url=http://propix.com.pl/pl/p/LCD-3.2-T... 3.2" TFT SSD1289 HY-320 podłączając go analogicznie do dołączonego 2,8",...
Mam podobny panel jak twój. Wywaliłem cała istniejącą elektronikę i wstawiłem sobie takie coś: "5V 2A Solar Panel Power Bank USB Charge Voltage Controller Regulator" przykładowy link tutaj:https://pl.aliexpress.com/item/100... Super działa: ładuje starego Wave 533 jak i Galaxy A22 oraz power bank. Generalnie fajne...
Ochrona komponentu- Component protection: Generalnie niektóre sterowniki są przypisane do danego samochodu/ numeru VIN, chcąc zamontować taki sterownik trzeba jechać do serwisu, tam sprawdzają on line, czy sterownik nie pochodzi z auta ukradzionego albo rozbitego jako szkoda całkowita. W pierwszym przypadku masz w domu wizytę smutnych panów i podejrzenie...
Wogole w tej inicjalizacji sa dziwne momenty, faktycznie adresy niektore nie wiadomo do czego służą, bo takowych nie ma, ponadto nie widac niektorych potrzebnych sekwencji, które są niezbędne do wystartowania tego układu, sprawdź ten mój kod: [syntax=c] void LCD_Init(void) { LCD_reset(); /*SET ALL REGISTERS BEFORE POWER UP SEQUENCE (Despite that responsible...
Konfiguracja: [syntax=c]//************* Start Initial Sequence **********// LCD_WrCmd(0x00e3); LCD_WrDat(0x3008); // set SRAM internal timing ##Changed LCD_WrCmd(0x00e7); LCD_WrDat(0x0012); LCD_WrCmd(0x00ef); LCD_WrDat(0x1231); LCD_SetOrientation(_orientation); LCD_WrCmd(0x0003); LCD_WrDat(0x1028);//####################... LCD_WrCmd(0x0004); LCD_WrDat(0x0000);...
Halo, sygnał w liniach danych musi zostać naniesiony na napięcie. Idealnie byłoby to zobaczyć na oscyloskopie ale zakładam, że nie posiadasz (a szkoda). W tym przypadku, 1.8V z linii pp1v8_s2 powinno być dostarczone i rozdzielone dla linii *SDA i *SCL. Dodatkowo, zobacz na linię wychodzącą z pinu 2-go. Jest jakaś podłubana a sam warystor też wygląda...
Masz model na Asus f5r North RC415MD South SB600 KBC IT8510te * TPS51020 5V i 3.3V Charger MAX8725 czyli poczytaj datasheet , tutaj na forum i zobacz ,który pin odpowiada za "start ładowania". np. 25 i 26 (CSSP, CSSN), 18 (CSIP) np. sygnały pin.6 ACOK i pin.3 ACIN np. MAX8725: Pull pin. (PKPRES) High to disable charging - Used for detecting presence...
1) Nie pojmujesz rodzaju uszkodzenia ( bardzo skrótowo - Uszkodzenie fizyczne, a nie logiczne) 2) Odzysk danych w takim wypadku nie jest łatwy ale przywrócenie Pena do życia może być łatwiejsze niestety dane wtedy stracisz ( I nie chodzi tu o format). 3) Formatowanie obecnie nie tylko nadpisze MBR. Jeśli to NTFS a Format jest szybki to co najmniej jest...
IR2112. Driver high/low side <-- uzywalem, dziala ladnie. Ale pamietaj o doborze elementow!... Praktycznie prosty-i-jedyny schemat jest w samym datasheecie do scalaka. Pamietaj o fakcie, ze dioda musi byc FR lub Shottky (i wytrzymywac napiecie conajmniej 2x Vcc), a oba kondensatory (bootstrap i na zasilaniu) musza byc LOW-ESR!... Noty aplikacyjne...
Popatrz w SM pod chassis tego modelu 2PHS5301/12, 32PHS5301/12, 32PHS5301/12, 32PHS5301/12, 32PHT5301/12, 32PHT5301/12, 32PHT5301/12, 32PHT5301/12, 43PFS5301/12, 43PFT5301/12, 49PFS5301/12 , 49PFS5301/12, 49PFS5301/12, 49PFS5301/12, 49PFT5301/12, 49PFT5301/12, 49PFT5301/12, 49PFT5301/12. Chassis TPM16.1E LA MainBoard : pcb: 715G8198-M0D-B00-004Y - matryca...
Dobry elektronik może da radę - oczywiście musiałby mieć dostęp do schematu - co jest mało prawdopodobne. Skąd jesteś - może kogoś polecę... Dodano po 4 Oto kody błędów: P0100 Mass or Volume Air Flow A Circuit P0101 Mass or Volume Air Flow A Circuit Range/Performance P0102 Mass or Volume Air Flow A Circuit Low Input P0103 Mass or Volume Air Flow A Circuit...
Witam serdecznie! Mam problem z moim autem. Praktycznie przy każdej przejażdżce samochodem przy mocnym przyspieszaniu, przy ok 2500 obrotów samochód nagle traci moc. Jedzie jakby miał 50km albo i mniej. Po wyłączeniu i uruchomieniu silnika problem znika, ale tylko do następnego mocnego przyspieszenia. W skanie wyszły takie błędy jak niżej. Proszę o...
Witam. mam procesor stm32 i próbuję uruchomić wyświetlacz na sterowniku ILI9325. Walczę już któryś dzień i nie daję rady. Procek chodzi na 72mhz. Podłączenie wyświetlacza : reset pb6 rd pb7 rw pb2 rs pb1 cs pb0 linia danych cały port C 0-15 inicjacja wyświetlacza, nie wiem czy na pewno jest dobra [syntax=c] //LCD linia RESET #define LCD_RESET_GPIO_PORT...
Car Scanner ELM OBD2 Version: 1.101.4/401014/GP DTC report Connection profile: Audi OBD-II / EOBD MPI CAN-UDS + AT (PQ26, MQB, MLB, MSB, etc.)Date: 09.11.2023 18:59:10 VIN: WAUZZZ4F17N128399 ============================ OBD-IIOBD-II DTCs: 1 ---------------------------- P0266 [0x0266] Cylinder 2 - contribution/balance fault Cylinder 2 Contribution/Balance...
Nigdy takiej konstrukcji nie popełniłem, ale kilka moich pomysłów: 1.Kondensator do bootstrapa musi być jak najszybszy (ceramiczny podłączony przy samych nóżkach układu) 2.Na początek spróbój z mosfetami o mniejszej pojemności bramki (rzędu 10nC). Jak będzie działać dobrze to już wiesz co jest przyczyną. Przy dużych pojemnościach bramki masz w PDFie...
There are inexpensive stroboscopes on the market that can be screwed directly into an E27 socket. Such devices already have the circuit to the right of mains transformer Tr 1 in the diagram. To enable the stroboscope to be operated from 12 V, a 12-240 V converter needs to be fitted inside the housing. The circuit of the converter is simplicity itself....
Witam, Do sprzedania mam mosfety FDMC7200S. Datasheet dostępny tutaj ----> [url=https://www.fairchildsemi.com/datas... Cena za 1 szt 23zł z wysyłką listem poleconym Cena za 3 szt 49zł z wysyłką listem poleconym Cena za 5 szt 69zł z wysyłką listem poleconym Większa ilość (cena do indywidualnej negocjacji) W razie zainteresowania...
Specyfikacja modelu The red light blinks five times, and then three, short white light blinks This condition indicates the embedded controller (EC/ kbc) cannot reach the BIOS within the established time limit. Remove all accessory devices from the notebook and try to start it. Contact HP service. Po opisie problem w płycie : wsad Bios, charger,, .......
Witam, Zaczynam zabawę z STMami i mam pewien problem. Z kilku kodów w internecie zlepiłem swój kod i niestety jak to zwykle bywa coś jest nie tak. Docelowo chciałem obsłużyć wyświetlacz TFT wykorzystując FSMC. Napotykam problem gdy próbuje zrobić w pętli głównej wysyłanie danych przy użyciu FSMC w pewnych odstępach czasu. Jeżeli w kodzie umieszczam...
MAsz tu liste portów i odpowiadające im usługi (w sieci znalezione) 0 Niedostępny 1 TCPMUX Multiplekser obsługi portów TCP 2 compressnet Management Utility 3 compressnet Compression Process 5 RJE Zgłoszenie pracy zdajnej 7 ECHO TCP/UDP Echo 9 DISCARD TCP/UDP Odrzucenie 11 USERS ? SYSTAT ? TCP Aktywni użytkownicy 13 DAYTIME TCP/UDP Czas dzienny 15 NETSTAT...
Koledzy ostatnie skanowanie ale niewiele to pewnie mowi: Chassis Type: 1U - Skoda Octavia I Scan: 01,02,03,08,15,16,17,19,22,29,35,36,37,3... ----------------------------------------... Address 01: Engine Labels: 038-906-012-AGR.LBL Controller: 038 906 012 CL Component: 1,9l R4 EDC 0110SG 3316 Coding: 00002...
charge battery solar charge super charge
czujnik wałek rozrząd mercedes bascom maskowanie bitów swietlówka schemat
zmywarka simens programy zmywarka simens programy
Problemy z osadzeniem tonera w Xerox 6605 Dym i zapach spalenizny w malakserze - co robić?