scalak LB1836M który załatwi wszystko lub h-bridge na mosfetach na niskie napięcie bramki (np.tsm2301/tsm2302 dostępne w tme.pl, możesz sterować prosto z atmega8)
W poniższym artykule opisano najnowszą technologię urządzenia OptiMOS 6 firmy Infineon. Jest to nowatorskie podejście do projektowania modułów zapewniające wyższą gęstość mocy i poprawiające efektywność kosztową wykorzystujących je systemów. Od samego początku swojego istnienia, technologia MOSFET była powszechnie uznawana za doskonałą opcję dla kluczy...
Schemat byłby poprawny, ale: - brak kondensatorów odsprzęgających przy zasilaniu TC4424 (patrz datasheet), W datasheet 4423 a nie 4424 jest tylko kondensator na zasilaniu więc dałem przy 7812 więc drugi nie potrzeba oraz przy wejściu mały kondensator 20pF - czy on jest konieczny (tam jest narysowany przerywaną linią) Datasheet jest jeden - dla wszystkich...
Witam. Albo trzy układy są uwalone, albo(co zdecydowanie bardziej prawdopodobne) czegoś nie rozumiem. Buduję regulator do BLDC. Ponieważ docelowo ma zasilać dość ciężkie silniki, poszedłem w konstrukcję opartą w całości na N mosfetach. Więc wyposażyłem się w trzy driverki IR2108. Ściągnąłem notę, polutowałem układ wg wzoru z noty(ale potrójnie, bo silnik...
Moduł IGBT czy tranzystor MOSFET to napięciowo kontrolowane urządzenie półprzewodnikowe służące do sterowania przepływem prądu elektrycznego w systemach sterowania oświetleniem, silnikami, zasilaczach impulsowych i wielu innych. Bramka takiego elementu jest galwaniczne odizolowana od pozostałych dwóch wyprowadzeń układu (źródła i drenu w przypadku FETa...
Do sterowania silnikiem krokowym służą dedykowane układy. Rzeczywiście do silników większej mocy taki układ ma możliwość regulacji prądu przy pomocy choppera. Pomiar prądu robiony jest rezystorem szeregowym i na podstawie pomiaru chopper ustawia tak wypełnienie aby płynął określony prąd, jednocześnie jest realizowana funkcja zmniejszania prądu do 50%...
Witam ... przy wyższych obrotach i np zatrzymaniu silnika palcami, uwalala się tranzystor (juz 2 straciłem) ;/. Silnik 2A, 0,34om faze. Zasilanie jak widać 5V + szeregowo włączone rezystory 2om. Zamiast BUZ11 są IRLZ34N. Uszkodzone tranzystory mają przebite bramki (R G-S 60-80om). Przebite bramki to niekoniecznie skutek przepiec. Takie same sa skutki...
Czemu musisz akurat podłączać tego biednego mosfeta w tak nieludzki sposób? Nie robi się tego tak! Po pierwsze, co to jest za net 3v3sta i dodatkowo zjara mosfeta... Dla 12V...15V i i sygnałów wolnozmiennych (a sądzę, że to właśnie taki jest), rezystor na bramce może mieć z powodzeniem wartość 1kR (wtedy podczas załączenia maksymalny prąd bramki nie...
Wzrost zastosowania sterowników silników, inteligentnych sieci przesyłowych i technologii inteligentnego domu, a także zwiększone zapotrzebowanie na urządzenia wysokiego napięcia, przyczyniły się do wzrostu światowego rynku sterowników bramek tranzystorów MOSFET i modułów IGBT mocy. Kompletny system sterowania silnikiem elektrycznym obejmuje zasilacz...
Niewątpliwie źródło tego MOSFET-a wypada połączyć bezpośrednio z -ogniwa, a grzałkę włączyć między dren, a +ogniwa. Rozumiem, że ta przetwornica wyłącza się, kiedy napięcie ogniwa jest za niskie? Opornik bramka-źródło 10k powinien być w sam raz, pod warunkiem, że do wyjścia przetwornicy nie podłączysz czegoś, co pobiera niewielki prąd, a ma kondensator...
Na podłączonym zasilaczu do lamp na C1 (C2) jest te 362V. Bo jest praktycznie nieobciążony. Czy to możliwe, że przy napięciu anodowym ok 20V ten wzmacniacz gra??? Jakością dźwięku na razie sie nie martwię, dopóki nie ogarnę tego napęcia andodowego. Tak, jakieś dźwięki będzie z siebie wydawał. Jestem coraz bliżej myślami nad klasycznym filtrem RC w...
Nie bardzo , jak byś chciał robić na fetah to tylko takich co mają sterowanie przy niskim napieciu np irl2203 ktory stosowany jest np. w modelarstwie albo irfz48 są to wysoko prądowe traznystory mocy na niskie napiecia zasilania i mają tą zalete , ze otwierają sie w juz przy niskim potencjale na bramce. w krakowie irfz48 kosztuje 7zł i nie jest super...
Chyba jest istotne to i owo. MOSFETy o niskim napięciu załączenia i wysokim Uds raczej nie są spotykane, pewnie ze względu na ograniczenia technologii wykonania. Jesteś pewien, że nie można sterować tranzystora bipolarnego i dopiero nim MOSFETa? Niedobór napięcia ze strony sterownika by się rozwiązał a podwyższenie napięcia dla bramki zawsze można załatwić....
Mam mały problem z wysterowaniem mosfeta z uC. Użyłem mosfeta BUZ11 z uwagi na duży prąd drenu. Sterowana będzie żarówka 12V 55W z wyjścia PWM (przebieg ze zmiennym wypełnieniem impulsu). Nie da się go wysterować bezpośrednio w pina kontrolera z uwagi na niskie napięcie bramki +5V które ją nie otwiera do końca oraz mały prąd wyjścia kontrolera, które...
1k maja rezystory, ale jakbym zostawił na tych 5v i dał radiator to mogą tak żyć? Moim zdaniem 5V to za duże, niepotrzebny żaden klucz, radiator musi być, wentylator niekoniecznie (zależy jaki prąd i czy duży radiator)! - Aby uzyskać prąd Id = 2A (płynący przez silnik) potrzebne napięcie sterujące na bramce 4V, tam masz napięcie sterujące 5V to za...
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS), globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników i chipów mocy i cyfrowych produktów zasilających, poinformował o wprowadzeniu na rynek układu AONS30300. Jest to 30-woltowy tranzystor MOSFET o niskiej rezystancji kanału w stanie włączenia. AONS30300 oferuje wysoki bezpieczny obszar operacyjny (SOA), dzięki...
Witam wszystkich. Zacznę od tego że układ ma działać jako zabezpiecznie urządzenia zasilanego z akumulatora, i chodzi o to żeby było na nim jak najmniej strat mocy.Dodatkowo układ będzie miał opcję podłączenia do zasilacza sieciowego niestabilizowanego, czyli w tym przypadku układ bedzie działał jak zasilacz stabilizowany LDO 12,5V.Na początku chciałem...
Czy tam jest coś na temat MOSFETa z kanałem P ? Jest: Mam szybką sprawę odnośnie rozwiązania sterowania MOSFETem, dla warunków: - zasilanie 5V, sterowanie sygnałem PWM z Atmegi , około 1kHz; - odbiornik musi być podłączony do masy i kluczowany napięciem od strony plusa; - prąd dość znaczny jak na to napięcie, 15A-20A. MOSFET powinien pracować bez radiatora....
Mosfet-N z rezystorem pomiędzy : bramka do pin9 = 1k bramka do źródło (czyli GND) 47k Tranzystor typu Logic Level, z UGS poniżej ~4V, prąd drenu i rezystancja otwarcia w zależności od poboru prądu.
Spotkałem się jeszcze dla tego drivera ir2153 (i w sumie nie tylko dla niego) z dołożoną do bramki i źródła mosfeta diodą zenera równolegle wpiętą z rezystorem 10 kohm. Co to daje? czy nie wprowadza to do obwodu dodatkowych ładunków do odprowadzenia i nie pogarsza czasu załączenia mosfeta? Oraz czy koralik założony na bramkę nie jest wpięty także po...
Cześć Rozumiem że jak mostek to regulator jest dwukierunkowy, zerknij na to jak przeczytasz cały wątek to może Ci sie kilka spraw rozjaśni. Co do pytania co ma większy procesor do wyższych napięć odpowiem że nic, tak samo jak te 35A, czy jest to silnik biorący 35A przy 12V czy przy 40V??. Stosując większy procesor masz możliwość optymalizowania zachowania...
Zbudowałem [url=]Ten schemat do sterowania silnikiem, ale bez hamulca i narazie otwierana jest tylko jedna para tranzystorów (po przekątnej oczywiście). Przy zasilaniu silników 5V (górna gałąź mostka) wszystko jest, że tak powiem cacy. Przy 3A tranzystory się w ogóle nie grzeją. Po zmianie zasilania na ok. 12V i podawaniu na bramki tranzystorów 19V...
Przy 2-3A wystarczy tranzystor w obudowie SO8, w tych szukaj niskiego napięcia bramki.
Typowe działania chińczyków nastawione na biodegradacje urządzenia. Mosfety mogą być podejrzane, bo szanujące się sklepy ich nie mają, a jakby tego było mało, to jeszcze są sterowane niskim napięciem bramki, co wydziela na nich dodatkowe ciepło.
Najprościej to: 1. Mosfet sterowany logiką. 2. jeden rezystor bramka - MCU dla ograniczenia prądu 3. jeden rezystor bramka - +5V aby bez MCU był włączony I masz wszystkie problemy z głowy. Albert Tylko, że ja do zasilania MCU używam 4V (chociaż przy tym napieciu tez tranzystor sie załaczy), odrębną sprawa jest to, że przy braku MCU może tez byc brak...
Na wyjściu portu (pin 16) masz ok. 5V. Wtórnik zmniejsza napięcie bramki o ok. 0,5V. Wynika z tego, że albo powinieneś użyć tranzystora o niskim napięciu bramki zapewniającym pełne wysterowanie kanału (na pewno nie BUZ11), albo skonstruować układ konwertujący stan wysoki na wyjściu procesora (ok. 5V) na wysoki w znaczeniu wysterowania tranzystora (ok....
Poszukaj mosfetów o kanale N, ale o niskim napięciu progowym bramki VGS(th), takich jak IRF3711. Zwróć też szczególną uwagę na układy jakie stosujesz w roli driverów. Niektóre z nich posiadają wewnątrz układ, który blokuje sterowanie bramek tranzystorów poniżej pewnej wartości napięcia. Z tego co pamiętam dla IR2104 jest to coś poniżej 8V (piszę z pamięci,...
W ofercie firmy Power Integrations pojawił się nowy, scalony driver bramek, dedykowany do sterowania tranzystorami MOSFET i modułami IGBT o napięciu pracy do 1700 V. Układ SIF1183K zapewnia do 8 A prądu na wyjściu sterującym bramką oraz podstawową izolację galwaniczną wyjścia. Układ produkowany jest w obudowie eSOP z odstępem izolacyjnym do 9,5 mm,...
Jeszcze widzę tu trzecią możliwość, zamienić oporniki w bazach ze 100omów na 67-56omów, ale zanim dokonałbym tej małej przeróbki to włączę układ na dłużej i zobaczę czy 7408 nie grzeje się jakoś, w sumie drugą płytkę mogę zmodyfikować jeszcze spokojnie, do sterowania MOSFETów przydałaby mi się bramka z otwartym kolektorem, a raczej nie przyjdzie mi...
Ale co by ci miało dać obniżanie napięcia zasilania driverów, wyższe jest lepsze, o ile nie stosujesz tranzystorów logic-level, których lepiej nie stosować jeśli to nie jest niezbędne, dlatego że łatwo się włączają przez wysokie dv/dt Ten driver ma wewnętrzne zabezpieczenie undervoltage lockout, stworzone żeby nie dopuścić do pracy przy za niskim napięciu...
Faktycznie. W związku z możliwą pracą w bardzo niskich temperaturach najlepszy byłby model MAX666EPA.
Podnieś częstotliwość zmniejszając R1 na 10k, przy niskiej częstotliwości silnik dostaje niewygładzone impulsy 38V i może od tego bardziej iskrzyć, przy wyższej indukcyjność silnika je uśredni. Podnieść częstotliwość mogę potencjometrem do 100Hz ale to nic nie daje. Jeszcze wyżej? W realu napięcie kondensatora przed 7812 masz 16V czy więcej, nie ugotuj...
witam Próbuję wysterować złożony już układ na tranzystorze unipolarnym typu MOS 75339p. Problem polega na tym że dla małych prądów działało wszystko poprawnie (200mA). Gdy podłączyłem go do właściwego układu pobierającego ok 30A mosfet załącza się po 2 sek. i grzeje się (widzę stopniowe narastanie napięcia na bramce a nie nagłe jak wcześniej miało...
Witam Skoro syrena ma własne zasilanie to oczywistym jest fakt, że ma wspólny potencjał masy a więc do sterowania taką syreną wystarczą właściwie dwa rezystory i jeden tranzystor. Tranzystor najlepiej MOSFET z "odpowiednim napięciem bramki" - tak aby przy napięciu 5V z procesora można go było całkowicie otworzyć. W tej chwili nie pamiętam jaki to ale...
STMicroelectronics ogłosił pokonanie kolejnej bariery wydajności układów mocy MOSFET, poprzez osiągnięcie najniższej rezystancji załączenia na powierzchnię układu. Dzięki technologii MDmesh™ V najnowsze tranzystory FET z napięciem pracy wynoszącym do 650V osiągają opór podczas załączenia wynoszący jedynie 0.079Ω przy zachowaniu niewielkich...
Witam. Poszukuję tranzystora MOSFET N, który będzie mógł być sterowany z ATMEGI zasilanej napięciem 3v3. Pojemność bramki mnie nie interesuje, bo częstotliwość włączania/wyłączania klucza będzie mała. Chciałbym, aby tranzystor przy U bliskim 3V był już nasycony, dla prądów do 600mA. Będą w ten sposób załączane zewnętrzne moduły przez atmegę. Obudowa...
Witam, Zaprojektowałem poniższy układ, który pracuje prawidłowo na symulacji (użyłem idealnej pary cewek!). Prosiłbym o pomoc, czy takie rozwiązanie zadziała w praktyce? Jeśli tak to proszę o wskazówki, jak dobrać transformatorek 1:1. Chcę przy wykorzystaniu transformatora wymusić na krótki czas załączenie tranzystorów, które działają jako klucz (prąd...
Bardzo ważny wbudowany parametr tranzystora FET (takiego jak popularny MOSFET) o nazwie RDS (ON) lub On Resistance, można znaleźć w większości arkuszy danych. Opisuje opór wewnętrzny tranzystora, ale pamiętaj o tym tylko w szczególnych okolicznościach. Warunki, dla których można zmierzyć rezystancję: stan pełnego przewodzenia, który jest również wskazywany...
Firma STMicroelectronics zaprezentowała swoją najnowszą serię tranzystorów mocy MOSFET wykonanych w technologii super-junction, adresowaną na potrzeby bardziej wydajnych zasilaczy elektroniki, systemów oświetlenia energooszczędnego czy przetwornic do systemów paneli słonecznych. Nowa seria MDmesh M2, cechuje się niższą niż poprzednie wersje rezystancją...
Witam Mam układ w którym kluczuję znaczne prądy przy małym napięciu, stosuję IRL2203 który radzi sobie w tych warunkach bez radiatora ( 3,5V 16A ). Ze względów pomiarowych muszę zmienić kluczowanie na tranzystor z kanałem P, teraz tranzystor steruję z Atmegi, czyli daję około 5V na bramkę, po zmianie tranzystora na P będę mógł kluczować tylko napięciem...
Kupiłem jakiś czas temu generator GFT 73 i zamarzyło mi się, żeby przestroić go. Niestety dotknąłem bramki tranzystora SM104 i tranzystor zginął. Więc podsumowując. Poszukuję tranzystora mosfet: -z kanałem n -zubożony -z niska pojemnością bramki(<10pF) P.S. Okazuje się, że znalezienie dokumentacji do samego tranzystora było nietrywialne.
czy cos w moim układzie jest wadliwe? Tak, podajesz za niskie napięcie na bramki górnych tranzystorów. Jeśli założymy że do włączenia tranzystora IRLZ44 potrzeba Ugs=5V to przy zasilaniu 12V na bramce powinno być 17V
Witam, da sie jak najbardziej a wspolna katoda nie jest problemem, podejsc masz kilka: - jezeli musi to byc N-Mosfet w takim ukladzie (prawie) jak podales to D +12V, S do LED a na G podajesz sterowanie przez rezystor tylko ze w takiej konfiguracj napiecie na G musi byc spore >12V ,i powinienes wybrac tranzystor zapewniajacy "wlaczenie" przy stosunkowo...
Przepraszam Cię, ale dopiero dzisiaj miałem czas siąść do asusa. Uwalony masz na 99% MAX. Fet 4800B jest bezpośrednio łączony do niego. Niska oporność na bramce świadczy o uszkodzeniu wyjścia Maxa. Pocieszę Cię, że jest to dość powszechny scalak (występuje też w HP), ale jak każdy QFN kłopotliwy w wymianie (tu dobrze sprawdza się IR-ka :-) ). Podaję...
Oczywiście, że mogę :) Rezystor kilkadziesiąt kiloomów, tak żeby tylko ustalić stan niski na bramkach w stanie zatkania fototranzystora. Po prostu dołącz do każdego z emiterów fototranzystorów rezystor podpięty do masy. Ot i cała filozofia ;) Pozdrawiam serdecznie! :)
Dokładnie tak jak piszesz, tranzystor kluczował do masy a + zawsze miałem na stałe podłączony do obciążenia. Czy masz jakiś przykład drivera na elementach dyskretnych? Jak wyglądały by jego parametry w porównaniu do scalonego? Byłby dużo gorszy? Piszesz że napięcie zasilania drivera można ograniczyć stabilizatorem z tego co widzę to jakimś 7812 ale...
Użyłem do tego IRFZ44N, jednak bardzo mocno się grzeje. Za niskie napiecie na bramce, za duży rezystor bramkowy.
To co ma odpowiedni prąd i odpowiednio niskie napięcie załaczenia bramki (patrz bardziej na napięcie przy którym mierzono Rdson bo może się okazać ze przy niższych ten opór będzie znacząco większy)
Witam, nie bardzo widze problem jako ze sterujesz tranzystor N-mos podajac na bramke okolo 3V (przez rezystor) a napiecie Vds to okolo 12V i oczekujesz pradu 250mA tonie sa jakies szczegolne wymagania, nawet tranzystor bipolarny by sobie poradzil. IRF520 nie jest idealnym wyborem, z "nisko bramko-napieciowych" spojz na: Si2342DS, Si1016CX, IRL510......
Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje techniczne nie są proste do analizy, zwłaszcza dla początkujących...
I_C/I_B=20 jednak nie wzięło się ot tak czy z zasady tylko jednak z noty i ta wartość może być inna dla różnych tranzystorów. Dobrze rozumiem? Dobrze rozumiesz, z noty, ale i z zasady/reguły. Zależy od tranzystora - te o dużej becie powinny mieć zwykle Ic/Ib=20, zwykłe 10, wysokonapięciowe (o małej becie) - 5 albo nawet 4, a specjalne 50 czy nawet...
Witam w kolejnej, piątej, części cyklu dotyczącej analizowania kart katalogowych tranzystorów MOSFET. W Rys.1. Pomiar ładunku Qrr i QOSS dla tranzystora CSD18531Q5A przy dI/dt równym 360 A/µs (po lewej) i 2000 A/µs (po prawej). Qrr może zależeć silnie od prądu diody w kierunku przewodzenia (If) szybciej niż od prędkości dI/dt. Dlatego też...
W Rys.1. Schematyczne przedstawienie modelowej krzywej SOA. (1) Ograniczenie RDS(on) (stosunek VDS/IDS musi być stały) (2) Maksymalny impulsowy prąd drenu (IDS jest stałe) (3) Maksymalna rozpraszana moc w pracy impulsowej (iloczyn VDS x IDS musi być stały) (4) Maksymalne dopuszczalne napięcie pracy (VDS jest stałe) (5) Odbieganie od idealnego, liniowego...
Ad.3 Niema znaczenia. Ad.4 Wystarczy 1W. Ad.5 Holton jest bardzo czuły na rozrzuty parametrów mosfetów. Duża (0,47) wartość rezystorów źródłowych ma za zadanie zniwelować ten efekt, czyli równiej rozłożyć prądy na poszczególny tranzystor (końcowy). Ad.7 Raczej tak, raczej tak. Ad.8 Oryginalnie jest mje i myślę, że można go tam zostawić. Ad.1, ad.6 Powiedz...
Przy sterowaniu tranzystorami MOSFET bezpośrednio z wyjścia mikrokontrolera, należy pamiętać o kilku rzeczach: 1. napięciu progowym tranzystora UGSth, 2. pojemności wejściowej tranzystora, 3. poziomie napięć, o ile jest to tranzystor z kanałem typu P. Zalecane schematy połączeń dla tranzystora z kanałem typu N i typu P wyglądają w ten sposób: Rezystor...
Witam! Widzę, że analizujesz MOSFETa w porównaniu do lampy. Analogicznym pod względem sterowania do lampy jest N-kanałowy MOSFET z kanałem zubożonym. Jednak większość produkowanych obecnie MOSFETów (szczególnie mocy), to tranzystory z kanałem wzbogaconym. ad1 Maksymalne napięcie sterowania Vgs(e) (napięcie na bramce tranzystora względem źródła (MOSFET)...
Trochę skąpa ta odpowiedź, pytający na pewno chce się dowiedzieć dlaczego układ nie działa tak, jak oczekiwał. Układ pytającego to wtórnik źródłowy (wspólny dren), wymaga napięcia sterującego bramką (względem masy) równego sumie oczekiwanego napięcia żarówki oraz napięcia źródło-bramka, jakie jest wymagane dla określonego prądu żarówki. Jeśli nominalne...
LM317 obniża napięcie o 2,0-2,5V między IN i OUT, a do ADJ jeszcze o dalsze 1,24V - w sumie można stracić około 3,5V. Układ z tranzystorem pozwala tracić tylko około 1V (można z LED-em, najlepiej IR, albo zamiast LED-a dwiema diodami + tranzystor + 2 oporniki; można układ ze sprzężeniem zwrotnym, na 2 tranzystorach i 2 opornikach) - a można by powalczyć...
Jeśli chodzi o przetwornice impulsowe, oba rodzaje tematycznych tranzystorów mają swoje wady i zalety. Ale który jest najlepszy do danej aplikacji? W poniższym artykule nie odpowiemy bezpośrednio na to pytanie, jednakże porównamy tranzystory MOSFET z modułami IGBT, aby wskazać, na jakim polu poszczególne elementy są lepsze. Zasadniczo, przyjęło się,...
Trochę się nie zrozumieliśmy. No to próbujmy dalej. Przeczytałem kilka razy Twoje wypowiedzi i nie mam stuprocentowej pewności czy dobrze rozumiem problem, z którym walczysz. Nurtuje mnie bardzo ten mosfet P i sposób w jaki go używasz. Ponieważ i obciążenie (opornik do plusa), i wyjście masz ze źródła, pracuje on w układzie tzw. wtórnika źródłowego....
Nie jestem w tej dziedzinie wybitnym specjalistą ale mam wątpliwości co do poprawnego działania układu który chcesz wykonać. Po pierwsze napięcie otwierania tego MOSFETa. W specyfikacji faktycznie jest podana wartość koło 3V ale jest to zdaje się napięcie progowe przy którym tranzystor dopiero zaczyna się otwierać. Do pełnego otwarcia potrzebne jest...
Niestety w czasie wakacji ciężko o dostęp do oscyloskopu. Co do przebiegów na bramkach to mogę powiedzieć tylko tyle, że powinny być odwrócone w fazie (pewności nie mam bo nie sprawdzałem oscyloskopem, wiem że to podstawa przy tego typu konstrukcjach, ale tak jak pisałem wzorowałem się na gotowym działającym projekcie, więc jeśli wszystko połączone...
Na początek, tak mieszasz że nie wiem, czy z układu wychodzi ci zero, czy jeden. Dalej zakładam że jeden, bo jak sam napisałeś: Jedyne co mi się udało stworzyć to układ włączany 1ką logiczną a chciał bym w miarę możliwości uniknąć stosowania negatorów ... Hm... jak sobie wyobrażasz sterowanie mosfetem P, który wymaga zanegowanego sygnału co do mosfeta...
Problemy z osiągnięciem małej histerezy wynikają przypuszczalnie stąd, że przy odłączaniu obciążenia napięcie baterii się podnosi, co przeciwdziała wyłączaniu. Duża pojemność na wejściu MOSFET jest rozładowywana przez 22kΩ dość wolno, więc przy małej histerezie może dojść do równowagi (tak jak opisywałeś), w której napięcie przed R4 jest gdzieś...
JFET i MOSFET to typy tranzystorów polowych FET, które są grupą tranzystorów polowych, których działanie jest związane z elektrostatyczną modulacją przewodności między źródłem a drenem. JFET (tranzystor polowy z bramką połączeniową) i MOSFET (tranzystor polowy półprzewodnikowy z tlenkiem metalu) mogą być używane jako przełączniki i wzmacniacze. JFET...
Zobacz na napięcie progowe, w przypadku obu 2...4V, napięcie progowe to napięcie przy którym tranzystor zaczyna przewodzić, czyli płynie przez niego 1mA albo 250uA, do tego żeby przewodził jakiś konkretny prąd potrzeba >5V, a żeby nie wszedł obszar nasycenia* daje się 8-12V. Jeśli układ ma mieć dobrą sprawność to napięcie na bramce nie może być za niskie....
wypowiedź jest sprzeczna, a ze sprzeczności wynika wszystko... tylko rzadko prawidłowe działanie układu. Dokładnie, ale "schemat" nieco rozjaśnia. Trzeba użyć pnp - np. BC557 - emiter do +12V, baza przez opornik 100k do masy, kolektor przez opornik 47k do masy, z kolektora bramka MOSFET-P o niskim Vgsth (rzędu 0,5V - będzie raczej tylko SMD), źródło...
Kolega tronics ma rację. Układ miałby służyć do sterowania grzałki 2kW z paneli pv - dopasowanie obciążenia do wydajności paneli w zależności od warunków pogodowych - bez inwertera. Panele połączone w szereg aby nie było zbyt dużych prądów. O ile przy niskim napięciu i niskich mocach mógłbym poeksperymentować, to tu już wolę się doradzić co do sterowania...
Z tego co mi wiadomo Mosfety są znacznie szybsze od bipolarow(szybsze przełączanie prądów) To fakt szczególnie wyłączanie bipolarnego trwa długo. mają ujemny wspołczynnik temperaturowy, więc się nie spalą pod wpływem narastającej temperatury. Nie prawda, nie czytaj przestarzałych książek, współczesne MOSFET,y mają dodatni (wzrost prądu przy wzroście...
( Podaj jeszcze informację jak to ustawiałeś i z czego zasilasz i w jaki sposób wszystko. ) Po pierwsze jeżeli wymieniłeś tylko uszkodzone tranzystory na sprawne ale innego typu to popełniłeś kardynalny błąd. Po drugie jakiego topnika i spoiwa używałeś? Tu z racji połączenia równoległego i konieczności równomiernego rozłożenia znacznych prądów chwilowych...
Witam wszystkich Elektrodowiczów, Chciałem Was zapytać czy stosowaliście kiedyś MOSFETy jako potencjometry sterowane napięciem bramki? Potrzebuję mieć element o zmiennej rezystancji w zakresie rzędu od 100 mΩ do 300-400 mΩ przy przepływającym prądzie o natężeniu rzędu 1-2 A. Z tego co zauważyłem w np. MOSFETcie [url=]IRLML9303TRPBF już na...
Nie widzę wyjaśnienia, w czym jest problem - jakoś to jest zagmatwane. Jeśli na bramkę MOSFET-a z kanałem N podajesz stan niski, to on jest wyłączony i żarówka/dioda podłączona do jego drenu nie świeci; jeśli podajesz stan wysoki, to on jest włączony i żarówka/dioda świeci. Jeśli LED-a włączysz między wyjście TLC5940 sterujące bramką, a plus zasilania...
Spółka Vishay Intertechnology, Inc. ogłosiła właśnie wprowadzenie nowego tranzystora polowego do swojej oferty. MOSFET ten wyposażony jest w kanał typu N i możliwość pracy z napięciem do 30 V. Element wyprodukowany został w opatentowanej technologii TrenchFET? czwartej generacji. Tranzystor ten dedykowany jest do układów przenośnych, elektroniki konsumenckiej...
Witam serdecznie. Trafił mi się następujący problem, mianowicie w sterowniku który wykonałem poleciały wszystkie mosfety po dłuższej pracy układu. Poniżej zamieszczam dwa schematy: Pierwszy w którym miało miejsce uszkodzenie z tranzystorami IRFL024ZPBF N-MOSFET 55V 5,1A, R2 =10k Oraz drugi, który jest moją propozycją na rozwiązane problemu związanego...
Dzięki Lisek , trochę mi ten układ rozjaśnił, że tranzystor mocy na radiatorze jest typu MOSFET. Wiem, że dostaje on impulsy z układu scalonego 34063 przez "driver" zrobiony z tych dwu tranzystorów małej mocy, ale nie posiadam oscyloskopu i mogę tylko pomierzyć napięcia. Pomiary napięć na MOSFET-cie D=5V, S=około 1,95V, G=4,3V. Jednak teraz mam pytanie...
Radzę jednak zastanowić się, nad wartością rezystora R2, by nie zdziwić się, czemu szlag trafił pin ATmegi. Ja nie wiem poco te rezystory?? Z pojemnościami mosfeta tak się bawicie ?? Najlepiej poczytaj sobie o MOSFETach ich zatkanie nie zależy tylko od prądu na bramce ale tez od napięcia UDS przy większych napięciach kanał od strony niższego potencjału...
Witam zrobiłem sobie dla testów coś takiego: Mam problem z doborem rezystora. Gdy go nie ma żarówka 12V (w tym schemacie LED) świeci ale nie mogę jej zgasić. Gdy dam rezystor np. 10K to świeci ale slabo, mosfet sie grzeje. Czyli za niskie napięcie na bramce. Jaki zatem dać gdy dałem np. 3 szeregowo 10K nic nie zmieniło.
1. Czy do ładowania bramki MOSFET-a jest potrzebny taki prąd, że wymaga to użycia stabilizatora napięcia z tranzystorem, nie wystarczy układ z diodą i kondensatorem (dla podtrzymania napięcia), oraz opornikiem i diodą Zenera (do ograniczenia napięcia)? Dla większego bezpieczeństwa można by zastosować dwie diody Zenera + czerwonego LED-a tak, by w razie...
Dzieje się tak dlatego, że w przeciwieństwie do S1UP i S2UP wejścia S1DN i S2DN są zanegowane. Dla przykładu, podanie na wejście S1UP napięcia wysokiego powoduje, że Q8 przewodzi i Q5 jest wysterowany, natomiast podanie wysokiego napięcia na wejście S1DN powoduje, że Q14 przewodzi i zwiera napięcie na bramce Q11, wyłączając go (jednocześnie wyłączany...
Tym razem przedstawiam prosty wzmacniacz MOSFET-owy. Z pewnością jest on dobrze znany forumowiczom. Postanowiłem go zamieścić ze względu na wielokrotne prośby o opracowanie zgrabniejszej płytki dla wzmacniacza o mniejszej mocy bazującego na Obciążeniem wzmacniacza różnicowego są rezystory R2 (4,7 kΩ) i R3 (4,7 kΩ). Tranzystory T1 (MJE350)...
Ten układ daje na wyjściu prawie 9V między zasilaniem, a kolektorem T2, kiedy Us jest odpowiednio niskie, oraz stan wysokiej impedancji, gdy Us jest wystarczająco wysokie - czy takie działanie jest potrzebne? Czy może, żeby mieć wspólny minus po obu stronach? Albo, żeby przy Us powyżej 1V na wyjściu było zwarcie (kolektor T2 z plusem), nie tylko połączenie...
(at)porlock Czy dioda obok przekaźnika jest sprawna i na pewno prawidłowo podłączona? Jeżeli nie, to wystarczy jedno wyłączenie i tranzystor może ulec uszkodzeniu, a wtedy nie ważne ile tranzystorów zamontujesz, efekt będzie taki sam. Pytałeś o znaczenie rezystorów. Rezystor szeregowy w obwodzie bazy ma ograniczyć prąd bazy. Tutaj do poziomu około...
Nie znam się na zagadnieniach mechanicznych. Patrzę na schemat i zastanawiam się jak są sterowane bramki tranzystorów mostka, czy to skok jednostkowy, czy fala impulsów. Jeśli fala to o jakiej częstotliwości. Oczywiście bez podłączenia oscyloskopu niewiele wiadomo. Po prostu zastanawiam się, czy uszkadzanie się tranzystorów mostka nie jest spowodowane...
(at)jta Przed pół wieku prąd w MOSFETach płynął poziomo (Lateral MOSFET) a teraz płynie pionowo (Vertical MOSFET) :) Lateral MOSFET ( to co zobaczymy w każdym podręczniku ) Vertical MOSFET ( to co kupimy w sklepie ) Właściwości tych tranzystorów znacząco się różnią, w Lateral MOSFETach nie było niestabilności termicznej i dlatego nasze uczelnie wykształciły...
Problemem PVI jest nie tylko ich cena ale przede wszystkim niska wydajność prądowa, co w przypadku MOSFETA dużej mocy jest bardzo ważne. No tak właśnie te prądy śmiesznie małe się wydają w tych PVI. Pewnie w jakiś przełącznikach nie pracujących z dużymi częstotliwościami jakoś uzyskują potrzebne prądy załączania mosfetów. Przerabiałem też już przypadki,...
Można szukać tranzystorów o mniejszym Ugs(th), ale obawiam się że to nic nie da, tylko napięcie na tranzystorze się zmniejszy, przypuszczam że przerywacz sprawdza małym prądem sprawność żarówek i czy tam będzie 3V czy 1V (poniżej 1V nie zejdziesz) to i tak będzie uznane za przerwę w obwodzie. Też mi się tak niestety wydaje. Trzeba pociągnąć prąd, który...
Cześć! Próbuję wykonać układ z mostkiem H sterowanym przez mikrokontroler. Mostek będzie użyty to sterowania silnikiem DC 12V o poborze prądu kilka A (około 4-6 pod obciążeniem). W mostku użyłem 4 sztuki N-mosfetów IRL8113, które są parami sterowane przez driver IR25602. Do testów wystawiłem sobie stan niski dla jednej połowy mostka oraz PWM 50% o częstotliwości...
Witam, Chciałem się dowiedzieć kiedy już należy stosować driver do Mosfeta, a kiedy jeszcze można sobie pozwolić na sterowanie Mosfeta bezpośrednio przez procesor (np STM32F103). Od czego to zależy? Od wielkości prądu w drenie? Od częstotliwości przełączania? Albo może w ogóle nie powinno się bezpośrednio sterować Mosfetem z pinu procesora? Dotychczas...
To nadal da się zrobić na N-MOSFET dlatego, że tranzystor tego typu jest włączny plusem względem źródła a to jest na masie. No chyba, że problemem jest ot, że żarówka jest z jednej strony fizycznie podłączona do masy i nie ma sensu tego zmieniać gdyż pociągnęłoby to zbyt dużo zbędnych zmian w całej instalacji? W takim przypadku należy pozostać przy...
Są układy przyspieszające rozładowanie. Wtórnik jest jedną z możliwości. Możesz też skopiować układ z tego schematu a konkretnie to elementy D1 i T3 i R4 - gdy pojawia się stan niski na wejściu tranzystor zwiera bramkę MOSFETa do źródła - przy pojawiającym się stanie wysokim - w zasadzie dioda i tranzystor wyraźnie nie przeszkadzają.
poszukam N-MOSFETa (np. polecany przez (at)trymer01 AO4402). Przepraszam za błąd - AO4402 to rzeczywiście N-MOSFET, a miał być P-channel. Potrzebny jest P-channel o niskim Rdson przy Vgs=2,5-3V. Np. AO3415A ma Rdson<53mOhm (at)2,5V - niby duże Rdson ?, można szukać lepszego. przy braku zasilania pin VCC jest prawie na potencjale masy, dioda pasożytnicza...
Dziękuje bardzo za te obliczenia. Mam kilka pytań, które wymagają odpowiedzi, abym coś jednak z tego bardziej zrozumiał. Po pierwsze cały czas nurtuje mnie taki problem - czy tam na linii stopnia końcowego jest węzeł z przewodem +OUT (załączam schemat - tam widać o co pytam). Pytam się, gdyż w dokumentacji ALEPHA3 (str 9) - znalazłem rysunek przedstawiający...
Witam. Najlepiej zrezygnuj z mosfetów i daj przekaźnik. Będzie działać bezproblemowo. O ile w obszarach liniowych i oscylacyjnych można je stosować bez większych kłopotów, to jako przełącznik już nie są takie dobre. Dla dużych prądów musi być bardzo sztywno sterowany i prądy przełączane powinne być co najmniej rząd wielkości mniejsze od dopuszczalnych...
Czyli bez drivera się nie obejdzie? Napięcie na bramce powinno być te 4-5V większe od napięcia silników? A jak by podciągnąć źródła górnych tranzystorów przez rezystor do masy? To co Kolega proponuje nic nie zmieni - gdy górny klucz zostanie zamknięty to na drenie jak i na źródle będzie panowało zbliżone napięcie (na źródle będzie pomniejszone o RDSon...
Dobrze trafić na kogoś konkretnego. Poniżej wrzucam mozaikę PCB, nadaje się ona do tego zastosowania (?): Problem w tym, że w skrajnych warunkach (zwarcie na wyjściu) na tranzystorze odkłada się ok. 60W. Problemem jest rezystancja termiczna złącze-obudowa. Niestety zazwyczaj jest odwrotnie proporcjonalna do pojemności bramki (rozmiar struktury). Tranzystor...
Całkowity ładunek bramki około 10nC, napięcie progowe około 1V - z opornikiem bramka-źródło 1k wyłączanie potrwa 10 nC * 1 kΩ / 1 V=10 us. I im większy będzie ten opór, tym wyłączanie będzie wolniejsze; ale jeśli będzie on mały, to będzie potrzebny spory prąd płynący przez tranzystor transoptora - jaki on ma gwarantowany CTR (PC817 jest robiony...
a jaki mógłbym użyć nie musi być smd wręcz chciałbym go podwiesić gdzieś na radiatorze napięcie to 12v potrzebuję 100W A może rozwiązać problem pójściem w inną stronę, skoro nie czujesz się biegły w temacie mosfetów itp. . Ze skąpych informacji z Twojej strony wynikało by że sterujesz około 8 amperami. I tu faktycznie te IRLR120N nie są optymalne,...
Wypełnienie zawsze ustawiam na 50% (0x80 na 8 bitowym PWM). Chyba wiem co jest nie tak. Na płytce według schematu powyżej i karty katalogowej kolektor jest podłączony bo masy (Q3). Zaraz sprawdzę Q4 i Q5. Dodano po 1 (at)atom1477 miałeś rację. Na PCB eagle na odwrót podłączył nóżki (tranzystora Q3 napewno, co do Q4 i Q5 nie chce mi się sprawdzać). Jak...
Firma Vishay Intertechnology wprowadziła do sprzedaży nowy tranzystor mocy TrenchFET — n-MOSFET o maksymalnym napięciu dren-źródło (V_DS) 150 V, w ulepszonej pod względem termicznym obudowie PowerPAK SO-8. Tranzystor SiR872ADP został zoptymalizowany do zastosowania w przetwornicach DC/DC, inwerterach DC/AC, przetwornicach podwyższających napięcie...
Ja do tak niskich napięć używam IRF3714Z. Mają niskie Rds(on), prąd 1A można już przełączyć przy 3V na bramce. Nie chodzi przypadkiem o IRL3714? A przy prądach poniżej 1A, powiedzmy 500-700mA? Wspomniany IRF7105 jeszcze się nada przy niskich napięciach bramki? Lubię te tranzystorki (P+N w jednej obudowie) bo wygodnie się na nich buduje mostki i półmostki...
