Chyba jest istotne to i owo. MOSFETy o niskim napięciu załączenia i wysokim Uds raczej nie są spotykane, pewnie ze względu na ograniczenia technologii wykonania. Jesteś pewien, że nie można sterować tranzystora bipolarnego i dopiero nim MOSFETa? Niedobór napięcia ze strony sterownika by się rozwiązał...
Jak dla mnie to wystarczą Ci 4 Mosfety (2x N i 2x P), 4 rezystory po 10k i 2 tranzystory npn. Napięcie masz niskie to od szyny 12V dajesz mosfet N, od strony GND mosfet P, bramki łączysz razem. Rezystor 10k od szyny 12V do bramek, od bramek do GND tranzystor bipolarny i rezystor na jego bazę. Po drugiej...
Wzrost zastosowania sterowników silników, inteligentnych sieci przesyłowych i technologii inteligentnego domu, a także zwiększone zapotrzebowanie na urządzenia wysokiego napięcia, przyczyniły się do wzrostu światowego rynku sterowników bramek tranzystorów MOSFET i modułów IGBT mocy. Kompletny...
Jeśli chodzi o przetwornice impulsowe, oba rodzaje tematycznych tranzystorów mają swoje wady i zalety. Ale który jest najlepszy do danej aplikacji? W poniższym artykule nie odpowiemy bezpośrednio na to pytanie, jednakże porównamy tranzystory MOSFET z modułami IGBT, aby wskazać, na jakim polu poszczególne...
Moduł IGBT czy tranzystor MOSFET to napięciowo kontrolowane urządzenie półprzewodnikowe służące do sterowania przepływem prądu elektrycznego w systemach sterowania oświetleniem, silnikami, zasilaczach impulsowych i wielu innych. Bramka takiego elementu jest galwaniczne odizolowana od pozostałych dwóch...
Pytanie: Czy konieczne jest umieszczanie opornika 100 Ω w bramce tranzystora MOSFET, by zachować jego stabilność? Odpowiedź: Jeśli zadamy to pytanie dowolnemu, doświadczonemu inżynierowi - na potrzeby tej historii nazwijmy go profesorem Gureux - to powie nam, że w bramce tranzystora MOSFET...
Przy sterowaniu tranzystorami MOSFET bezpośrednio z wyjścia mikrokontrolera, należy pamiętać o kilku rzeczach: 1. napięciu progowym tranzystora UGSth, 2. pojemności wejściowej tranzystora, 3. poziomie napięć, o ile jest to tranzystor z kanałem typu P. Zalecane schematy połączeń dla tranzystora z kanałem...
Witam ... przy wyższych obrotach i np zatrzymaniu silnika palcami, uwalala się tranzystor (juz 2 straciłem) ;/. Silnik 2A, 0,34om faze. Zasilanie jak widać 5V + szeregowo włączone rezystory 2om. Zamiast BUZ11 są IRLZ34N. Uszkodzone tranzystory mają przebite bramki (R G-S 60-80om). Przebite bramki to...
Jak pisaliśmy w rysunku 1 zaprezentowano ideowy symbol typowego tranzystora MOSFET (z kanałem typu P i typu N) na którym doskonale widać gdzie i w jaki sposób umiejscowiona jest pasożytnicza dioda. Rys.1. Symbole tranzystorów MOSFET z ideową reprezentacją pasożytniczej diody w strukturze elementu....
1k maja rezystory, ale jakbym zostawił na tych 5v i dał radiator to mogą tak żyć? Moim zdaniem 5V to za duże, niepotrzebny żaden klucz, radiator musi być, wentylator niekoniecznie (zależy jaki prąd i czy duży radiator)! - Aby uzyskać prąd Id = 2A (płynący przez silnik) potrzebne napięcie sterujące...
JFET i MOSFET to typy tranzystorów polowych FET, które są grupą tranzystorów polowych, których działanie jest związane z elektrostatyczną modulacją przewodności między źródłem a drenem. JFET (tranzystor polowy z bramką połączeniową) i MOSFET (tranzystor polowy półprzewodnikowy z tlenkiem metalu) mogą...
Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje...
W ofercie firmy Power Integrations pojawił się nowy, scalony driver bramek, dedykowany do sterowania tranzystorami MOSFET i modułami IGBT o napięciu pracy do 1700 V. Układ SIF1183K zapewnia do 8 A prądu na wyjściu sterującym bramką oraz podstawową izolację galwaniczną wyjścia. Układ produkowany...
Jedno z często zadawanych pytań przy wyborze sterownika bramki dotyczy prądu szczytowego, jaki może dostarczyć dany układ. Prąd szczytowy jest jednym z najważniejszych parametrów w karcie katalogowej sterownika bramki tranzystora. Metryka ta jest generalnie traktowana jako podstawa dla szacowania siły...
Tym razem przedstawiam prosty wzmacniacz MOSFET-owy. Z pewnością jest on dobrze znany forumowiczom. Postanowiłem go zamieścić ze względu na wielokrotne prośby o opracowanie zgrabniejszej płytki dla wzmacniacza o mniejszej mocy bazującego na Obciążeniem wzmacniacza różnicowego są rezystory R2...
I_C/I_B=20 jednak nie wzięło się ot tak czy z zasady tylko jednak z noty i ta wartość może być inna dla różnych tranzystorów. Dobrze rozumiem? Dobrze rozumiesz, z noty, ale i z zasady/reguły. Zależy od tranzystora - te o dużej becie powinny mieć zwykle Ic/Ib=20, zwykłe 10, wysokonapięciowe (o małej...
Można szukać tranzystorów o mniejszym Ugs(th), ale obawiam się że to nic nie da, tylko napięcie na tranzystorze się zmniejszy, przypuszczam że przerywacz sprawdza małym prądem sprawność żarówek i czy tam będzie 3V czy 1V (poniżej 1V nie zejdziesz) to i tak będzie uznane za przerwę w obwodzie. Też...
Kolega tronics ma rację. Układ miałby służyć do sterowania grzałki 2kW z paneli pv - dopasowanie obciążenia do wydajności paneli w zależności od warunków pogodowych - bez inwertera. Panele połączone w szereg aby nie było zbyt dużych prądów. O ile przy niskim napięciu i niskich mocach mógłbym poeksperymentować,...
Czemu musisz akurat podłączać tego biednego mosfeta w tak nieludzki sposób? Nie robi się tego tak! Po pierwsze, co to jest za net 3v3sta i dodatkowo zjara mosfeta... Dla 12V...15V i i sygnałów wolnozmiennych (a sądzę, że to właśnie taki jest), rezystor na bramce może mieć z powodzeniem wartość...
Trochę skąpa ta odpowiedź, pytający na pewno chce się dowiedzieć dlaczego układ nie działa tak, jak oczekiwał. Układ pytającego to wtórnik źródłowy (wspólny dren), wymaga napięcia sterującego bramką (względem masy) równego sumie oczekiwanego napięcia żarówki oraz napięcia źródło-bramka, jakie jest...
Witam wszystkich Elektrodowiczów, Chciałem Was zapytać czy stosowaliście kiedyś MOSFETy jako potencjometry sterowane napięciem bramki? Potrzebuję mieć element o zmiennej rezystancji w zakresie rzędu od 100 mΩ do 300-400 mΩ przy przepływającym prądzie o natężeniu rzędu 1-2 A. Z tego co...
Taki "zapas" kilkaset % napięcia Uds jest raczej przypadkowy. Trudno wymagać od producenta dysku aby szukał tranzystorów na np. 24V (100% zapasu) czy 15V. Obecne MOSFET-y rzadko kiedy produkuje się z Uds max=20V, najczęściej jest to ok. 40-60V, ten parametr nie jest tu problemem w doborze odpowiedniego...
Opornik R2=47Ω jest zdecydowanie za mały, zwiększyłbym go do 1kΩ a zamiast przewymiarowanego BD139 użyłbym BC548 lub podobnego. Napięcie wyjściowe NE555 w stanie niskim będzie dużo niższe niż 2V, prawie 0V, ponieważ w tym stanie nie wpływa do niego żaden prąd. Z tego powodu opornik od bramki...
Czyli chcesz wejście zewrzeć do minusa (masy) i uzyskać zwarcie wyjścia do masy przez tranzystor mocy MOSFET? Jakie masz napięcie zasilania? Jeśli dobrze cie zrozumiałem to powinieneś zrobić tak: V+ 7-20V V++ zależne od wytrzymałości MOSFETa może być to samo co V+ RL - rezystancja obciążenia in...
Całkowity ładunek bramki około 10nC, napięcie progowe około 1V - z opornikiem bramka-źródło 1k wyłączanie potrwa 10 nC * 1 kΩ / 1 V=10 us. I im większy będzie ten opór, tym wyłączanie będzie wolniejsze; ale jeśli będzie on mały, to będzie potrzebny spory prąd płynący przez tranzystor transoptora...
Firma Vishay Intertechnology wprowadziła do sprzedaży nowy tranzystor mocy TrenchFET — n-MOSFET o maksymalnym napięciu dren-źródło (V_DS) 150 V, w ulepszonej pod względem termicznym obudowie PowerPAK SO-8. Tranzystor SiR872ADP został zoptymalizowany do zastosowania w przetwornicach DC/DC,...
1. Czy do ładowania bramki MOSFET-a jest potrzebny taki prąd, że wymaga to użycia stabilizatora napięcia z tranzystorem, nie wystarczy układ z diodą i kondensatorem (dla podtrzymania napięcia), oraz opornikiem i diodą Zenera (do ograniczenia napięcia)? Dla większego bezpieczeństwa można by zastosować...
Kupiłem jakiś czas temu generator GFT 73 i zamarzyło mi się, żeby przestroić go. Niestety dotknąłem bramki tranzystora SM104 i tranzystor zginął. Więc podsumowując. Poszukuję tranzystora mosfet: -z kanałem n -zubożony -z niska pojemnością bramki(<10pF) P.S. Okazuje się, że znalezienie dokumentacji...
Ważne jest katalogowe Rdson przy niskim Vgs. IRF9620 absolutnie się tu nie nadaje, gdyż on ma Rdson=1,5 Ohm co jest o wiele za dużo wzgl. Twoich potrzeb, w dodatku te 1,5 Ohm przy Vgs=10V, a przy Vgs=5V to on dopiero jest lekko otwarty i wtedy Rdson jest dużo większe. To jest P-channel - więc chcesz...
Tylko w oryginale sygnał był ściągany do masy, u kolegi tego ściągania do masy nie ma. Dopiero jak dodał kolega między bazą a kolektorem rezystor 10k to pojawiła się szansa na rozładowanie bramki. Druga sprawa, że chyba wygodniej byłoby zrobić stopień na NPN+PNP, tak by transoptor nie przewodził...
Witam wszystkich. Zacznę od tego że układ ma działać jako zabezpiecznie urządzenia zasilanego z akumulatora, i chodzi o to żeby było na nim jak najmniej strat mocy.Dodatkowo układ będzie miał opcję podłączenia do zasilacza sieciowego niestabilizowanego, czyli w tym przypadku układ bedzie działał jak...
Nie jestem w tej dziedzinie wybitnym specjalistą ale mam wątpliwości co do poprawnego działania układu który chcesz wykonać. Po pierwsze napięcie otwierania tego MOSFETa. W specyfikacji faktycznie jest podana wartość koło 3V ale jest to zdaje się napięcie progowe przy którym tranzystor dopiero zaczyna...
Bardzo ważny wbudowany parametr tranzystora FET (takiego jak popularny MOSFET) o nazwie RDS (ON) lub On Resistance, można znaleźć w większości arkuszy danych. Opisuje opór wewnętrzny tranzystora, ale pamiętaj o tym tylko w szczególnych okolicznościach. Warunki, dla których można zmierzyć rezystancję:...
LM317 obniża napięcie o 2,0-2,5V między IN i OUT, a do ADJ jeszcze o dalsze 1,24V - w sumie można stracić około 3,5V. Układ z tranzystorem pozwala tracić tylko około 1V (można z LED-em, najlepiej IR, albo zamiast LED-a dwiema diodami + tranzystor + 2 oporniki; można układ ze sprzężeniem zwrotnym, na...
Spółka Vishay Intertechnology, Inc. ogłosiła właśnie wprowadzenie nowego tranzystora polowego do swojej oferty. MOSFET ten wyposażony jest w kanał typu N i możliwość pracy z napięciem do 30 V. Element wyprodukowany został w opatentowanej technologii TrenchFET? czwartej generacji. Tranzystor...
Witam. Albo trzy układy są uwalone, albo(co zdecydowanie bardziej prawdopodobne) czegoś nie rozumiem. Buduję regulator do BLDC. Ponieważ docelowo ma zasilać dość ciężkie silniki, poszedłem w konstrukcję opartą w całości na N mosfetach. Więc wyposażyłem się w trzy driverki IR2108. Ściągnąłem notę, polutowałem...
Witam, chodzi tu o poniższy uklad. Domyślnie zasilam go stałym napięciem 5V z generatora i na bramkę podaję PWM z arduino. Zauważyłem, że mosfet ma pewien spadek napięcia a maksymalne jakie uzyskuje na źródle to 2,6V i dalej ani rusz. Jedynie kiedy uzyskałem więcej, to gdy na bramkę podałem mu stałe...
że bs170 nowy Brak opornika z bramki do masy i bramka się nie ma jak rozładować, albo już uszkodzony elektrycznością statyczną (dotykałeś palcami elektrod?). Nie bs170 ale BS170. na obwodzie prądowym ma być 12v , a na sterowaniu ( bramka ) 5v. Nie 12v i 5v ale 12V i 5V. To ostatnie napięcie...
Każdy klucz w systemie elektronicznym potrzebuje swojego sterownika, a odpowiedni sterownik może sprawić sporą różnicę. Zintegrowane rozwiązania sterowników bramek zmniejszają złożoność projektu, czas jego opracowywania, ilość komponentów i zajmowaną przestrzeń na płycie, a jednocześnie zwiększają...
Do sterowania silnikiem krokowym służą dedykowane układy. Rzeczywiście do silników większej mocy taki układ ma możliwość regulacji prądu przy pomocy choppera. Pomiar prądu robiony jest rezystorem szeregowym i na podstawie pomiaru chopper ustawia tak wypełnienie aby płynął określony prąd, jednocześnie...
STMicroelectronics ogłosił pokonanie kolejnej bariery wydajności układów mocy MOSFET, poprzez osiągnięcie najniższej rezystancji załączenia na powierzchnię układu. Dzięki technologii MDmesh™ V najnowsze tranzystory FET z napięciem pracy wynoszącym do 650V osiągają opór podczas załączenia...
Radiator wy-lutowany, MOSFET to P80NE03L-06, ale po pomiarach wychodzi, że jest dobry. Oba tranzystory sterujące dobre (są to tranzystory PNP 2SA733 i NPN 2SC945). Są one połączone bazami i emiterami, kolektor NPN 6,5V (z jakiegoś zasilania, skąd ono się bierze muszę przeanalizować), a kolektor PNP...
częstotliwość jest niska max 40Hz , na razie sprawdzam na kilku Hz obciążam tylko szeregowo 39R + 10uF jak pisałem na początku . To czasu opadania prawidłowo w takim układzie nie zmierzysz, na wyjściu musi być rezystor i to względnie mały bo 400pF (pojemność wyjściowa tranzystora i sondy oscyloskopowej)...
... Tranzystor wlutowany w płytę, między bramką a sources ma jak sprawdzałem 0ohm. Układ, który nim steruje strasznie się grzeje i jak widzę zasilanie do niego idzie przez rezystor 4ohm(jest na nim duży spadek napięcia). Jest możliwe żeby taki tranzystor uległ uszkodzeniu i w efekcie układ scalony,...
Witam, Zaprojektowałem poniższy układ, który pracuje prawidłowo na symulacji (użyłem idealnej pary cewek!). Prosiłbym o pomoc, czy takie rozwiązanie zadziała w praktyce? Jeśli tak to proszę o wskazówki, jak dobrać transformatorek 1:1. Chcę przy wykorzystaniu transformatora wymusić na krótki...
Witam Mam układ w którym kluczuję znaczne prądy przy małym napięciu, stosuję IRL2203 który radzi sobie w tych warunkach bez radiatora ( 3,5V 16A ). Ze względów pomiarowych muszę zmienić kluczowanie na tranzystor z kanałem P, teraz tranzystor steruję z Atmegi, czyli daję około 5V na bramkę, po zmianie...
Dlaczego nie? oczywiście są mosfety, które mają wystarczające niskie napięcie Vgs aby się w pełni włączyć. Jednakże ważna jest też pojemność bramki. W przypadku kluczowania czegoś o większej mocy (albo częstotliwości kluczowania) czas ładowania i rozladowywania bramki jest głównym źródłem strat ( okres...
poszukam N-MOSFETa (np. polecany przez (at)trymer01 AO4402). Przepraszam za błąd - AO4402 to rzeczywiście N-MOSFET, a miał być P-channel. Potrzebny jest P-channel o niskim Rdson przy Vgs=2,5-3V. Np. AO3415A ma Rdson<53mOhm (at)2,5V - niby duże Rdson ?, można szukać lepszego. przy braku zasilania...
Witam. Poszukuję tranzystora MOSFET N, który będzie mógł być sterowany z ATMEGI zasilanej napięciem 3v3. Pojemność bramki mnie nie interesuje, bo częstotliwość włączania/wyłączania klucza będzie mała. Chciałbym, aby tranzystor przy U bliskim 3V był już nasycony, dla prądów do 600mA. Będą w ten sposób...
Witam Skoro syrena ma własne zasilanie to oczywistym jest fakt, że ma wspólny potencjał masy a więc do sterowania taką syreną wystarczą właściwie dwa rezystory i jeden tranzystor. Tranzystor najlepiej MOSFET z "odpowiednim napięciem bramki" - tak aby przy napięciu 5V z procesora można go było całkowicie...
Nie bardzo , jak byś chciał robić na fetah to tylko takich co mają sterowanie przy niskim napieciu np irl2203 ktory stosowany jest np. w modelarstwie albo irfz48 są to wysoko prądowe traznystory mocy na niskie napiecia zasilania i mają tą zalete , ze otwierają sie w juz przy niskim potencjale na bramce. w...
Niekoniecznie. Załóżmy, że jednak użyjesz P-MOSFET (to w sumie obojętne). Dajesz go na Vcc, które podajesz na przetwornicę. Od masy dajesz przycisk (równolegle do przycisku możesz dać kondensator, będzie podtrzymywał przez chwilę niski poziom po puszczeniu przycisku). Za przyciskiem do bramki rezystor...
Power Integrations wprowadziło właśnie do swojej oferty nowy sterownik bramki tranzystora polowego. Układ ten jest członkiem rodziny SCALA-iDriver dedykowanych do sterowania bramkami tranzystorów MOSFET oraz IGBT. SID1102K to jednokanałowy, izolowany galwanicznie sterownik bramki FETa lub modułu...
Misje kosmiczne coraz częściej wymagają nie tylko solidnych ale i wydajnych rozwiązań elektronicznych. Układy FPGA z rodziny PolarFire firmy Microchip oferują obecnie podwyższoną odporność na promieniowanie, co pozwala zredukować czas potrzebny na opracowanie nowych systemów, a dzięki temu zredukować...
IRFZ44 ma faktycznie niskie : "VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V" ale koledzy niedokładnie czytają noty katalogowe... dwie rubryki dalej w prawo pisze, ze to napięcie jest dla prądu Id=250 uA ;) Polecam strona druga, trzeci wiersz tabelki;) 1ceman - aby tranzystor...
Witam, Jeśli sterowanie bezpośrednio z uP to proponuje koledze tranzystory z serii IRLZ (seria LOGIC np IRLZ44 lub wyższe oferują naprawdę spory prąd mankament to stosunkowo niskie Uds) w celu uzyskania jak największej prędkości działania wyprowadzenie uP bezpośrednio do bramki tranzystora (bez żadnych...
O impedancji to można mówić dopiero przy przebiegu okresowym sinusoidalnym albo złożonym z wielu harmonicznych. Tu jest inaczej. Wyobraź sobie że pojemność bramki jest wcale nie naładowana. Gdy podasz na nią jakieś napięcie to będzie po prostu zwarcie. Przynajmniej początkowo- jak już się pojemność...
Witam Problemem PVI jest nie tylko ich cena ale przede wszystkim niska wydajność prądowa, co w przypadku MOSFETA dużej mocy jest bardzo ważne. Jak się wczytasz w notę katalogową to zobaczysz, że tranzystora IRFZ44N nie wysterujesz i będzie się strasznie grzał. A już na pewno nie dasz rady wysterować...
Witaj Po pierwsze wątpię aby silnik do bramy pod obciążeniem brał tylko 5.5A. Brama jest ciężka, ma dużą bezwładność - nim silnik ją ruszy będzie praktycznie zwarty. W poprzednich postach Wspominałeś o 15A - to brzmi sensowniej. Najlepiej zmierz rezystancje uzwojenia silnika - da to przybliżony prąd...
Testowałem i działa dobrze, no prawie dobrze. Jeszcze pytanie czy rezystor podciągający bramkę do + baterii (3xAAA) mogę zmienić z 10k na 4,7k ? Wygląda to tak, że dioda zasilana jest z 3xAAA a uC ma osobne zasilanie połączone masą z zasilaniem diody. Kiedy zasilanie uC jest zbyt niskie lub odłączę zasilanie...
Witam Przetestowałem układ zgodnie z radami kolegi Wertyuud. Dalej nie mam sterowania górnym tranzystorem. Układ jak na schemacie. Dołączam przebiegi napięcia na bramkach tranzystorów. Obie w odniesieniu do masy. Dodatkowo pytanie. Dren górnego tranzystora mam podłączony pod +15V...
Jaki jest cel ustalania napięcia na bramce przy tak niskim zasilaniu? Najlepiej byłoby, gdyby napięcie bramki "ON" było 10-15V.
Z tego co mi wiadomo Mosfety są znacznie szybsze od bipolarow(szybsze przełączanie prądów) To fakt szczególnie wyłączanie bipolarnego trwa długo. mają ujemny wspołczynnik temperaturowy, więc się nie spalą pod wpływem narastającej temperatury. Nie prawda, nie czytaj przestarzałych książek, współczesne...
(at)rmf Mi tu bardziej chodzi o naukę, ja chcę zbudować od podstaw, aby dokładnie zrozumieć zasadę działania danego układu. A jeśliby ustawiać stan niski na pinie MCU, który by rozładowywał bramkę, a później ten sam pin ustawić w stan wysokiej impedancji to, rezystor pull-up mógłby podać 12V...
czy cos w moim układzie jest wadliwe? Tak, podajesz za niskie napięcie na bramki górnych tranzystorów. Jeśli założymy że do włączenia tranzystora IRLZ44 potrzeba Ugs=5V to przy zasilaniu 12V na bramce powinno być 17V
wypowiedź jest sprzeczna, a ze sprzeczności wynika wszystko... tylko rzadko prawidłowe działanie układu. Dokładnie, ale "schemat" nieco rozjaśnia. Trzeba użyć pnp - np. BC557 - emiter do +12V, baza przez opornik 100k do masy, kolektor przez opornik 47k do masy, z kolektora bramka MOSFET-P o niskim...
Nie za bardzo mogę jednak znaleźć MOSFET SMD z Rds(on) na poziomie 10 mOm, Ids>0,5A i mocy dajmy na to >1W. Czy np. IRLML0060 spełni tutaj swoją funkcję? Czy może ktoś zaproponować lepszy (mniejsze Rds(on)) tranzystor? Dlaczego chcesz użyć typ "Logic Level" (IRLML0060), skoro zasilasz WO z 12V? -...
Ten układ daje na wyjściu prawie 9V między zasilaniem, a kolektorem T2, kiedy Us jest odpowiednio niskie, oraz stan wysokiej impedancji, gdy Us jest wystarczająco wysokie - czy takie działanie jest potrzebne? Czy może, żeby mieć wspólny minus po obu stronach? Albo, żeby przy Us powyżej 1V na wyjściu...
W przypadku układu pracującego z częstotliwością np. kilkudziesięciu kHz stosuje się układ sterujący o niskiej impedancji wyjściowej wraz z wpiętym w szereg rezystorem RG (tym z wpisu #3). Zaczyna się praktyczne próby od wartości podanej przez producenta. Czasami równolegle do RG podłącza się szybką...
Styki są bez napięciowe Czy aby na pewno? Jeśli tak to nie potrzeba dodatkowego tranzystora, włączasz pullup pinu wejściowego Arduino a logikę działania ustalasz programowo (który stan ma być aktywny H czy L). Sprawdzałem miernikiem nic tam nie pokazuje, ale nie wiem czy w jakims czasie coś tam...
Zatem muszę ten prąd ograniczyć. Dla moich częstotliwości powinien wystarczyć rezystor (np. 47Ω), czas przeładowania bramki wyniesie około 1µs także chyba można takie rozwiązanie zastosować. Dla zwiększenia efektywności przełączania tranzystora (newralgiczne jest przejście bramki ze stanu...
O ile wiem między bramką a źródłem jest bardzo duża rezystancja, bramkę steruje się napięciowo a prąd powinien być rzędu kilku uA. Jeśli chodzi o prąd stały, to pikoampery albo i mniej. Głównie to jest pojemność, parę nanofaradów. Upływność potrafi być tak mała, że stała czasowa liczy się w minutach. ...
Witam! Widzę, że analizujesz MOSFETa w porównaniu do lampy. Analogicznym pod względem sterowania do lampy jest N-kanałowy MOSFET z kanałem zubożonym. Jednak większość produkowanych obecnie MOSFETów (szczególnie mocy), to tranzystory z kanałem wzbogaconym. ad1 Maksymalne napięcie sterowania Vgs(e)...
Najprościej to: 1. Mosfet sterowany logiką. 2. jeden rezystor bramka - MCU dla ograniczenia prądu 3. jeden rezystor bramka - +5V aby bez MCU był włączony I masz wszystkie problemy z głowy. Albert Tylko, że ja do zasilania MCU używam 4V (chociaż przy tym napieciu tez tranzystor sie załaczy),...
Ja do tak niskich napięć używam IRF3714Z. Mają niskie Rds(on), prąd 1A można już przełączyć przy 3V na bramce. Nie chodzi przypadkiem o IRL3714? A przy prądach poniżej 1A, powiedzmy 500-700mA? Wspomniany IRF7105 jeszcze się nada przy niskich napięciach bramki? Lubię te tranzystorki (P+N w jednej...
Kminek, to co trymer01 napisał jest słuszne w sensie ogólnym ale w przypadku tego konkretnego układu nie wszystko będzie miało sens. Np. nie potrzeba wcale zwiększać napięcia sterującego ponieważ tranzystor ten (BUZ11) dla prądu 2A i napięcia bramki 5V będzie miał Rds on poniżej 50mOhm a spadek napięcia...
Firma STMicroelectronics zaprezentowała swoją najnowszą serię tranzystorów mocy MOSFET wykonanych w technologii super-junction, adresowaną na potrzeby bardziej wydajnych zasilaczy elektroniki, systemów oświetlenia energooszczędnego czy przetwornic do systemów paneli słonecznych. Nowa seria MDmesh...
CD - Common Drain, CS - Common Source to tak jak dla tranzystora bipolarnego wspólny kolektor czy wspólny emiter. Chodzi o elektrodę, która jest uziemiona dla małego sygnału (są co prawda konfiguracje pośrednie, ale mniejsza o to, przynajmniej teraz). W zadaniu 1 pierwszy tranzystor ma źródło dołączone...
Witam, Chciałem się dowiedzieć kiedy już należy stosować driver do Mosfeta, a kiedy jeszcze można sobie pozwolić na sterowanie Mosfeta bezpośrednio przez procesor (np STM32F103). Od czego to zależy? Od wielkości prądu w drenie? Od częstotliwości przełączania? Albo może w ogóle nie powinno się bezpośrednio...
Jakie są wartości rezystorów? Wygląda jak 15k i 6,8k. To takie rezystory sprawiają, że na bramce jest prawie połowa wartości zasilania. Policz ile to będzie przy 3,7V. Mimo, że jest to tranzystor z niskim napięciem otwarcia, jednak obecnie jest zbyt niskie, by się całkowicie otworzył. Pozdrawiam
Pasożytnicza dioda w tranzystorze MOSFET jest połączona miedzy drenem a źródłem. Bramka jest odizolowana od kanału czyli również od diody, wiec nie rozumiem stwierdzenia, że dzięki diodzie sygnał sterujący nie jest pływający względem załączanego układu, to jest zadaniem projektanta zapewnienie odpowiedniego...
Witam, mam zamiar sterować prędkością obrotową silnika DC o maks. napięciu zasilania 3,7V za pomocą N-MOSFET'a i PWM'a z uC. Na stronie znalazłem wiele tematów opisujących ten problem, ale żaden nie poruszał tak niskich napięć zasilania silnika. Mój problem polega na tym, że chciałbym sterować prędkością...
Tylko dlaczego autor zastosował P-MOSFET a nie N? Dlatego ze napięcie na "katodzie" TL431 spadnie kiedy napiecie na REF przekroczy próg, a P-MOSFET załączany jest ujemnym napieciem wzgledem źródła, napiecie na drenie jest ujemne w stosunku do napiecia na źródle - P-MOS pasuje idealnie N-MOSFETa załącza...
Schemat jest niepoprawny, bo: 1. IRL7313 jest typu NMOS, a potrzebujesz PMOS. 2. Rezystor przy PMOS powinien polaryzować bramkę do plusa zasilania, a nie do masy. Poziomem aktywnym jest poziom niski na wyjściu uC sterującym tranzystorem. 3. Tranzystor jest zbędny, bo moduł GSM wyłącza się zwykle...
Powinien nadać się taki układzik: Krótkie lub dłuższe naciśnięcie przycisku P1 powoduje pojawienie się stanu wysokiego na wejściu B1, pojawi się stan wysoki na wyjściu B2, dzięki rezystorowi R3 układ zatrzaśnie się, i na wyjściu B2 będzie utrzymywał się stan wysoki dowolnie długo po zwolnieniu...
MC34063 to taki sobie układ w tym zastosowaniu. Po licho użyłeś tranzystora MOSFET! Wyjście MC34063 w tym schemacie to otwarty emiter a gdzie układ rozładowywania bramki! Tranzystor IRF740 ledwo się otworzy przy Ucc rzędu 6V bo musisz odjąć jeszcze spadek napięcia na wewnętrznym tranzystorze kluczującym...
Bez podłączenia bramki do wzmacniacza napięcie na jego wyjściu jest ok. 8 V, czyli OK, i w dobrym momencie się załącza, ale po podłączeniu IRLZ44N napięcie nawet przez duży rezystor ograniczający prąd (mimo że MOSFET go nie ciągnie w stanie ustalonym) jest rzędu 3 V i stopniowo narasta przy znacznym...
Źle się do tego zabrałeś. Nie było sensu ruszać kondensatorów polimerowych. Skoro masz niską rezystancję na wyjściu linii zasilania procesora i po jego wyjęciu powinieneś w pierwszej kolejności sprawdzić tranzystory MOSFET oraz ich drivery przetwornicy zasilającej CPU. Jeżeli ten pomiar 850R był wykonywany...
A teraz przeczytaj model tranzystora na schemacie... Przepraszam, zjadłem jedną cyferkę, chodzi mi o IRF9540N, już poprawiłem temat, dziękuję że to zauważyłeś. Zapomnij. Żadna obudowa SMD nie odprowadzi tyle ciepła co TO-220. Lepiej napisz co będziesz załączał tym MOSFET'em. Obecnie mam w wersji...
Witam czy ma ktoś schemat lub wie jak zrobić najprostszy układ który odetnie zasilanie bramki mosfetu przy 10-12 woltach?
Trzeba wydobyć sygnał sterujący. Zapewne moc wytracana jest na tranzystorze MOSFET, który z kolei jest wysterowywany napięciem podawanym na swoją bramkę. Wykorzystałbym brak tego napięcia bramki związany z odłączeniem przy spadku poniżej zaprogramowanego progu i dalej domontował układ z przekaźnikiem...
W zdecydowanej większości przypadków mosfet ma trzy wyprowadzenia tj. dren, bramka, oraz źródło z podłożem jako jedno wyprowadzenie. Ja narysowałem układ komórki pamięci na dwóch mosfetach, które mają cztery wyprowadzenia, osobna źródło i podłoże, lecz nie mam wiedzy czy taki sposób rozumowania jest...
Problemy z osiągnięciem małej histerezy wynikają przypuszczalnie stąd, że przy odłączaniu obciążenia napięcie baterii się podnosi, co przeciwdziała wyłączaniu. Duża pojemność na wejściu MOSFET jest rozładowywana przez 22kΩ dość wolno, więc przy małej histerezie może dojść do równowagi (tak jak opisywałeś),...
Myślałem, że to dział dla początkujących. Litości, ile można, odpowiadałem w zbyt wielu podobnych tematach i trochę mnie to drażni. Słyszałeś kawał o dwóch blondynkach w autobusie? blondynka pyta kierowcę: czy dojadę tym autobusem do centrum? Kierowca: Nie. Na to druga blondynka: A ja. W tym...
Dobrze trafić na kogoś konkretnego. Poniżej wrzucam mozaikę PCB, nadaje się ona do tego zastosowania (?): Problem w tym, że w skrajnych warunkach (zwarcie na wyjściu) na tranzystorze odkłada się ok. 60W. Problemem jest rezystancja termiczna złącze-obudowa. Niestety zazwyczaj jest odwrotnie proporcjonalna...
Wszystkie się nadają a to dla niskiego Vgsth, co umożliwia ich pełne otwarcie napięciem 5V z uC. Mają jednak różne Rdson - te z wyższym Rdson będą potrzebować radiatora. IRLU8726 ma Rdson<8mOhm, ale na zimno, jeśli się zagrzeje to Rdson<14mOhm (Figure 4). Dla prądu 5A Uds<0,008 x 5A=40mV,...
To nadal da się zrobić na N-MOSFET dlatego, że tranzystor tego typu jest włączny plusem względem źródła a to jest na masie. No chyba, że problemem jest ot, że żarówka jest z jednej strony fizycznie podłączona do masy i nie ma sensu tego zmieniać gdyż pociągnęłoby to zbyt dużo zbędnych zmian w całej instalacji?...
A nie lepiej zastosować jakiś o niskim napięciu załączania i mocno uprościć układ. Ja jak juz musze zastosować coś nie "logic level", albo czas ładowania bramki samym prądem z procka jest niewystarczający to wolę zastosować jakiś scalony mosfet driver - z reguły wychodzi taniej i lepiej.
Wnioski błędne! Jak pisał kol. jarek_lnx (tylko nieco zbyt skomplikowanie) - uC w stanie wysokim na wyjściu daje Uzas czyli 5V, więc pull-up nie ma znaczenia - na bramce MOSFET-a będzie +5V, a na źródle +12V czyli Vgs=7V i MOSFET jest nadal otwarty. Musisz dać stopień pośredni na npn bramka do raspberry,...
Zobacz na napięcie progowe, w przypadku obu 2...4V, napięcie progowe to napięcie przy którym tranzystor zaczyna przewodzić, czyli płynie przez niego 1mA albo 250uA, do tego żeby przewodził jakiś konkretny prąd potrzeba >5V, a żeby nie wszedł obszar nasycenia* daje się 8-12V. Jeśli układ ma mieć dobrą...
Zamieszczam dokument który wcześniej linkowałem. Nie projektowałem tego układu, chciałem na jego przykładzie pokazać które parametry są istotne w tego typu układach i jakie skutki daje mocna optymalizacja czasów narastania, innymi słowy pokazać kierunek w którym należy iść, bo jeśli chodzi o sam układ...
Niewątpliwie źródło tego MOSFET-a wypada połączyć bezpośrednio z -ogniwa, a grzałkę włączyć między dren, a +ogniwa. Rozumiem, że ta przetwornica wyłącza się, kiedy napięcie ogniwa jest za niskie? Opornik bramka-źródło 10k powinien być w sam raz, pod warunkiem, że do wyjścia przetwornicy nie podłączysz...
Zazwyczaj G na końcu nazwy oznacza "green" - czyli bez ołowiu kadmu rtęci itp. Dwa elementy jakie google znajduje pochodzą od różnych producentów i mają trochę inne parametry, gdyby oba były od jednego pewnie wersja G była by elektrycznie dokładnie taka sama. Najistotniejszym parametrem jest rezystancja...
Witam, da sie jak najbardziej a wspolna katoda nie jest problemem, podejsc masz kilka: - jezeli musi to byc N-Mosfet w takim ukladzie (prawie) jak podales to D +12V, S do LED a na G podajesz sterowanie przez rezystor tylko ze w takiej konfiguracj napiecie na G musi byc spore >12V ,i powinienes wybrac...
Tak sobie myślę, że w układach takich jak w pierwszym poście (relatywnie niskie napięcie) to można zacząć standardowo używać driverów mosfet, obecnie są tanie jak barszcz a rozwiązują lwią część problemów. Sprawdziłem sobie te drivery i są całkiem ciekawe. Na pewno też skorzystam z nich. Ale teraz...
Musisz znać jaka jest wydajność prądowa wyjścia z ESP, bo od tego będzie zależeć jak szybko bramka MOSFET'a się naładuje i maksymalna częstotliwość. Od tego także zależy kształt wyjściowego przebiegu. Jeśli jest za mała, to stosuje się driver (gotowy bądź samodzielnie robiony na tranzystorach) aby przyśpieszyć...
Z zasady, nieużywane wejścia układów TTL powinno łączyć się z potencjałem zasilania. Połączenie z masą nie są błędem, ale należy go unikać. Pozostawienie wejść niepodłączonych świadczy o braku profesjonalizmu projektanta. Co do "mądrej opcji". Nie spotkałem się z takową, ale DRC powinno wskazać "wiszące"...
Nie bardzo wiem do jakiego działu na forum pasuje to pytanie... Otórz mam następujący problem: na wyjściu układu jest przebieg postokątny o dość stromym nachyleniu zboczy, symetryczny względem zera o amplitudzie 5V (10Vpp). Potrzebuję możliwie najprostrzy układ, który sterowany tym przebiegiem dawał...
progres jest taki że generator 2Mhz działa pięknie ale jest 1.za szybki 2. za niskie napięcie sygnału więc nawet bramki nie działają. olałem tą drogę. zbudowałem gen. na NE555 regulowana Hz, nie wiem jaka :) driver BC547 i BC 557, na wejśiu IRFP440 jeszcze opornik i równolegle do nie go dioda zaporowo....
Dziękuje bardzo za te obliczenia. Mam kilka pytań, które wymagają odpowiedzi, abym coś jednak z tego bardziej zrozumiał. Po pierwsze cały czas nurtuje mnie taki problem - czy tam na linii stopnia końcowego jest węzeł z przewodem +OUT (załączam schemat - tam widać o co pytam). Pytam się, gdyż w...
Ad.3 Niema znaczenia. Ad.4 Wystarczy 1W. Ad.5 Holton jest bardzo czuły na rozrzuty parametrów mosfetów. Duża (0,47) wartość rezystorów źródłowych ma za zadanie zniwelować ten efekt, czyli równiej rozłożyć prądy na poszczególny tranzystor (końcowy). Ad.7 Raczej tak, raczej tak. Ad.8 Oryginalnie jest...
TPS22901, TPS22902 i TPS22902B są przełącznikami obciążenia o bardzo niewielkim oporze przewodzenia z zintegrowanym układem włączania. Układy te zawierają tranzystor MOSFET z kanałem P i działają przy napięciach wejściowych od 1 do 3.6V. Przełącznik kontrolowany jest za pomocą wejścia cyfrowego,...
Diodę D1 wlutowałeś zgodnie ze schematem ? czy może w sposób przedstawiony na widoku elementów ( powinna być odwrotnie niż na widoku elementów ) Ale skoro tranzystory końcowe masz lekko ciepłe to znaczy , że prąd przez nie płynie.W jaki sposób mierzysz prąd sp. ? ( spadek nap. na rezystorach źródłowych...
Nie podobają mi się kondensatory przy bramkach tranzystorów końcowych. Diody prostownicze nic nie dadzą do kompensacji term. R23 R24 pogorszą i tak niską sprawność wzmacniacza. Uważam , że uproszczenia układu poszły w złym kierunku w przypadku tego wzmacniacza w porównaniu z holtonem.
Przepraszam Cię, ale dopiero dzisiaj miałem czas siąść do asusa. Uwalony masz na 99% MAX. Fet 4800B jest bezpośrednio łączony do niego. Niska oporność na bramce świadczy o uszkodzeniu wyjścia Maxa. Pocieszę Cię, że jest to dość powszechny scalak (występuje też w HP), ale jak każdy QFN kłopotliwy w wymianie...
Oczywiście, że mogę :) Rezystor kilkadziesiąt kiloomów, tak żeby tylko ustalić stan niski na bramkach w stanie zatkania fototranzystora. Po prostu dołącz do każdego z emiterów fototranzystorów rezystor podpięty do masy. Ot i cała filozofia ;) Pozdrawiam serdecznie! :)
No to np. IRLR2905 (lub wersja przewlekana, chyba IRLU...) Najlepiej wejść na stronę IR lub Vishay i sobie przejrzeć parametrycznie. Ponieważ interesują Cię takie na niskie napięcie załączenia, to po prostu musisz zwracać uwagę na takie rzeczy jak mała opornośc kanału (lub duży prąd) przy małym napięciu...
Dokładnie tak jak piszesz, tranzystor kluczował do masy a + zawsze miałem na stałe podłączony do obciążenia. Czy masz jakiś przykład drivera na elementach dyskretnych? Jak wyglądały by jego parametry w porównaniu do scalonego? Byłby dużo gorszy? Piszesz że napięcie zasilania drivera można ograniczyć...
O jesteś znowu Albercie :) Witam, bardzo mi miło. Spieszę, krótko z odpowiedziami: Ani jeden materiał, który podałeś nie odnosi sie do filtru dolnoprzepustowego Ależ Albercie, przecież nie chodzi o sam filtr tylko o reaktancję kondensatora w bramce, która jest bardzo niska dla wysokich częstotliwości....
Witam Widzę że temat ożył i nie mogę się powstrzymać by odpowiedzieć dondu . Nie ma bezpośredniego przełożenia między brakiem oleju w samochodzie a brakiem opornika w bramce tranzystora mosfet. Tak się składa że cytowany wyżej układ projektowałem z całą świadomością a nie kopiowałem bezmyślnie z...
Wydaje mi się, że podniesienie napięcia zasilania spowoduje pojawienie się wyższego napięcia na wyjściu wzmacniacza operacyjnego, co spowoduje z kolei większe napięcie na bramkach tranzystorów końcowych. Wzmacniacz operacyjny jest zasilany napięciem ±15V, co dla TL071 daje zakres napięcia na...
Wyłączenie zasilania mikrokontrolera powoduje że jego piny dążą potencjałami do masy. Nie ma więc możliwości żeby pin PA4 puścił bramkę tranzystora. Będzie ją ciągle trzymał na potencjale masy nie pozwalając tranzystorowi się wyłączyć. Żeby to działał zamiast diody (tej co jest szeregowo z rezystorem...
Użyłem wyszukiwarki na stronie sklepu - TME, kilka sekund i znalazłem np: BSC009NE2LS5 Dobry bo ma wystarczająco szczegółową notę katalogową żeby określić Rds(on) przy 3,2V jest to 1,4mΩ co oznacza że przy 25A wydzieli sie ok 1W z czym ten tranzystor da sobie radę bez radiatora, (ale z niedużym...
Podejrzewam że jest to spowodowane efektem Millera. Dokładniej pojemnościa Cgd przez którą przenosi sie szybkie zbocze na drenie, ponieważ zamiast jednokierunkowego impulsu pojawiła sie oscylacja to zapewne masz w obwodzie znaczące indukcyjności pasożytnicze, a jeśli nie w obwodzie mostka to w sposobie...
Dokładnie tak. Ale to nie problem bo można zastosować prosty układ z TL431 i PC817. Poza tym skoro dławik się grzeje i wydaje "dziwnie" dźwięki to jest coś źle dobrane. Nie ma nic o parametrach przetwornicy, jaka częstotliwość :?: Przy 22nF na pewno będzie za niska, optymalnie trzeba by zostawić...
Dobrze byłoby najpierw określić, jaki ładunek ma przepływać przy włączaniu/wyłączaniu tranzystora, a dopiero potem projektować układ. Przykładowo, dla BUZ11, czy IRFZ44 przy napięciu zasilania sterowanego układu 48V i napięciu bramki 12V ten ładunek jest około 50nC - przy 0.5A to by trwało 0.1us. [url=www.elenota.pl/datasheet-...
UKŁAD JEST OK :) Widziałem 2 filmy pokazujące układy, które działają. Na tej podstawie śmiem twierdzić, że układ ma prawo działać. Z takimi argumentami nawet nie śmiem dyskutować... Jak pokażą, że UFO ląduje, to też to jest prawda? Gdy PIN jest w stanie niskim, to tak jak pisałeś na źródle...
Użyłem do tego IRFZ44N, jednak bardzo mocno się grzeje. Za niskie napiecie na bramce, za duży rezystor bramkowy.
Przyglądam się zdjęciu 1752542200_1476685516.jpg (pierwsze w #6) i zastanawiam się, czy przy takim spustoszeniu warto zaczynać od naprawy zasilacza. Na płycie uszkodzone są elementy strony niskiego napięcia. Widać to przy transoptorze. Obstawiam burzę jako powód uszkodzenia. Może warto więc sprawdzić...
To co ma odpowiedni prąd i odpowiednio niskie napięcie załaczenia bramki (patrz bardziej na napięcie przy którym mierzono Rdson bo może się okazać ze przy niższych ten opór będzie znacząco większy)
Typowe działania chińczyków nastawione na biodegradacje urządzenia. Mosfety mogą być podejrzane, bo szanujące się sklepy ich nie mają, a jakby tego było mało, to jeszcze są sterowane niskim napięciem bramki, co wydziela na nich dodatkowe ciepło.
Są układy przyspieszające rozładowanie. Wtórnik jest jedną z możliwości. Możesz też skopiować układ z tego schematu a konkretnie to elementy D1 i T3 i R4 - gdy pojawia się stan niski na wejściu tranzystor zwiera bramkę MOSFETa do źródła - przy pojawiającym się stanie wysokim - w zasadzie dioda i tranzystor...
No i ciągle chodzi mi po głowie czemu mój sposób wyzwalania tranzystora jest gorszy. Jakie są argumenty ? Bramka tranzystora będzie ładowana prądem ok 400uA, co spowoduje że załączanie tranzystora potrwa aż 25us (samo Miller-plateau), jest to czas kiedy tranzystor pracuje w zakresie liniowym i traci...
Prąd grzałki może dochodzić do 30-40A, myślisz, że w takim przypadku wyjście Ardiuno może mieć niewystarczającą wydajność prądową? (ok. 50mA) Atmega328 operuje na poziomach TTL. Wybrany przez kolegę mosfet jest typu logic-level czyli przy tych 5V ma już bardzo dobre parametry. Jeżeli prąd grzałki...
Dziękuję wszystkim za porady, dzisiaj udało mi się dostać IRFZ44N, ten wygląda na papierze dużo lepiej, niższa rezystancja przeznaczony do sterowania silnikami DC. Niestety mam kolejny problem, ten mosfet się nie grzeje ale kiedy pompka dostaje obciążenia czyli kiedy wkładam ją do wody zasilanie zanika...
Witam Zrób próby statyczne, bo mnie się wydaje że wszystko jest OK tylko trafiasz na zachodzące na siebie charakterystyki. Moja propozycja to opornik 10k zamiast jednego z Mosfetów i pomiar napięcia na nim dla obu stanów logicznych na wejściu, a potem drugie doświadczenie , zamieniamy drugi tranzystor...
Co ty tak się na te prądy rzucasz? ;) Przy 3,3V i 0,3 Ohma popłynie tylko 11A. Nie potrzebujesz takiego mocnego tranzystora, z pewnym zapasem wystarczą mosfety po 20-30A. Poza tym jeżeli załączasz mosfeta z 3,3V, które mogą spadać pod obciążeniem, licz się z tym, że pewne mosfety mogą nie działać tak...
Na podłączonym zasilaczu do lamp na C1 (C2) jest te 362V. Bo jest praktycznie nieobciążony. Czy to możliwe, że przy napięciu anodowym ok 20V ten wzmacniacz gra??? Jakością dźwięku na razie sie nie martwię, dopóki nie ogarnę tego napęcia andodowego. Tak, jakieś dźwięki będzie z siebie wydawał. ...
Mosfet, mimo wszystko musi być na radiatorze. 55V to napięcie graniczne dla tego tranzystora. Powinien paść a w najlepszym razie zwiera to napięcie i dla tego się grzeje. Zobacz parametry. Użyj tranzystora o wyższym napięciu pracy. 47k trochę za dużo w bramce. Spora pojemność bramki może przy wyższych...
Czy tam jest coś na temat MOSFETa z kanałem P ? Jest: Mam szybką sprawę odnośnie rozwiązania sterowania MOSFETem, dla warunków: - zasilanie 5V, sterowanie sygnałem PWM z Atmegi , około 1kHz; - odbiornik musi być podłączony do masy i kluczowany napięciem od strony plusa; - prąd dość znaczny jak...
Tyle, że po pierwsze, nie każdy wzmacniacz operacyjny może wzmacniać napięcia bliskie minusa zasilania; po drugie, 0.075V to tylko 10X więcej, niż możliwe napięcie niezrównoważenia wielu wzmacniaczy, a więc trzeba wybrać jakiś lepszy, albo będzie możliwy błąd 5A - ale są lepsze wzmacniacze, "chopper-stabilized"...
Przestańcie pisać GŁUPOTY, ukłąd wyłącza się bo musi , mosfet przy niskim napięciu bramki przechodzi w stanliniowy i po prostu się pali, także gratuluje wiedzy technicznej i topologii przetwornic.' Na prawdę 18 postów nie na temat. Jak już to dodatkowy akumulator i oddzielenie go diodami.
W Tranzystory polowe wykorzystuje się także do produkcji układów scalonych. Niemalże wszystkie są one oparte o technologię CMOS - komplementarnych tranzystorów MOSFET. W tej aplikacji tranzystor z kanałem typu N i typu P połączone są tak, by stworzyć podstawową bramkę logiczną. Przykład takiej bramki...
Jeśli napięcie zasilania ma być ze 12V, to w roli tranzystora mocy można by użyć MOSFET-a (przy niskich napięciach trzeba by wybierać MOSFET-a Logic Levels, co znacznie ograniczy wybór) - jest sporo takich, które mają parametry wystarczające do tego zastosowania, a kosztują ze 2X taniej od D44 - jakkolwiek...
Serio?!?! A kolega myśli że żartowałem? Istnieją powody ku temu aby nie wyłączać w masie. BF245 to nie MOSFET. Dobrze dobrany MOSFET (niskie Rdson, niskie Vgsth) typu P wyłączałby w plusie - bramka do uC przez rezystor rzędu 100 Ohm, źródło do Vcc, dren do ESP01. Tyle, że sygnał sterujący z uC...
1. BD13x się nie nadają, mają duże Ucesat co powoduje ze moc P=Uce Ic jest duża - ciepło. I to nawet jeśli dać mu duży Ib (czyli mały Rb). Rb=(5V-Ube)/Ib, ale to dla przypadku gdy baza jest zasilana wprost z 5V, gdy to idzie przez transoptor - ? - decyduje wydajność prądowa transoptora. Jeśli...
Zainteresuj się układem NE555, sciągnij sobie notę katalogową i zastosuj go w układzie przerzutnika monostabilnego. Taki układ po otrzymaniu impulsu wyzwalającego utrzymuje się w stanie wysokim przez czas zadany elementami R i C dołączonymi do niego i po zadanym czasie przywraca wyjście do stanu niskiego....
Pytanie: Jak dobrać do naszej aplikacji tranzystor dyskretny? Odpowiedź: No... dyskretnie ;). Tego żartu nie udało się niestety uniknąć. Prawda jest taka, jak piszę autor artykułów, James Bryant, iż wcale nie trzeba dokonywać tego doboru nazbyt dokładnie. Często spotyka się projektantów spędzających...
Istnieje kilka dobrze znanych technik zabezpieczenia przed odwrotnym podłączeniem źródła napięcia. Najbardziej oczywistą techniką jest dioda pomiędzy źródłem a obciążeniem, ale ma to wadę w postaci rozpraszania istotnej mocy na diodzie z powodu spadku napięcia na tym elemencie. Sprawia to, że takie...
Platforma testowa, zaprojektowana przez firmę Infineon w celu zaprezentowania przewagi urządzeń SiC, wykorzystuje układ sterownika EiceDRIVER oraz tranzystory MOSFET z serii CoolSiC w 3- i 4-pinowych obudowach TO247. Płyta główna platformy ewaluacyjnej dla 1200-V MOSFETów CoolSiC w obudowach TO247...
