Jest kwestia, czy układ może sterować nowy tranzystor - istotnymi parametrami mogą być: napięcie bramki potrzebne do włączenia, pojemność bramki, ładunek bramki...
Kiedy transoptor się wyłączy, pojemność bramki nie ma się jak rozładować, tranzystor może się wyłączać bardzo wolno i przepali się podczas tego procesu. Mam nadzieję że nie chcesz na tym robić PWM.
MOSFET ma pojemność bramki C (uwaga, zwykle podaje się kilka pojemności, a istotna jest ich suma) i nachylenie charakterystyki g_fs; częstotliwość graniczna = g_fs/2πC.
Witam. Czy ktoś pomoże mi zidentyfikować ten element i znaleźć jakiś zamiennik. https://obrazki.elektroda.pl/1074702900_... (at)ElektrodaBot Bezpośrednia odpowiedź - Najbardziej prawdopodobna identyfikacja: stabilizator LDO z rodziny 1085 (LM1085/LT1085/AMS1085/AP1085) w obudowie D²PAK/TO‑263 (3 wyprowadzenia + duży pad/skrzydełko). Druga...
http://obrazki.elektroda.pl/9635775800_1... Mikroprocesorowy tester elementów elektronicznych pojawi się w lipcu 2017 w 12-15mA , natomiast w trybie uśpienia wg. opisu 20nA (ale w praktyce wartość prądu powinna być niższa, nie udało mi się zmierzyć wartości prądu w trybie uśpienia). Badany element podłączamy dowolnie pod trzy (lub dwa)...
Zastanów się w czym niby ten bufor na BC jest lepszy od sterowania wprost z 555? Aby MOSFET wyłączyć - BC działa podobnie jak wewn. tranzystor 555. Ale aby MOSFET włączyć - pojemność bramki jest zasilana z +12V przez oporniki 1,1k - max prąd to ok.10mA. A przecież wewn. tranzystor 555 może dać na wyjściu prąd nawet 200mA - i dlatego na pewno włączenie...
Coś czuje, że będzie to miało coś wspólnego z pojemnością bramki mosfeta i możliwościami prądowymi pinu procesora. Mam racje? - masz rację. Wysterowanie bramki powoduje ładowanie jej pojemności. Pomiędzy pinem procesora a bramką dajesz rezystor szeregowy - w celu ograniczenia maksymalnego prądu do wartości bezpiecznej dla pinu procesora (rozladowana...
Witam posiadam wzmacniacz audio w którym jest zastosowany układ opóźniający załączenie modułu bluetooth. mam tylko jedno pytanie nie wiem jak obliczyć pojemność kondensatora sterującego bramką dla różnych czasów opóźnienia ( tego z układu nie jestem w stanie zmierzyć ). Poniżej rysunek układu i link do parametrów zastosowanego mosfet. http://obrazki.elektroda.pl/7210607400_1...
Przy stosowaniu układu takiego jak na schemacie następuje szybsze przeładowanie pojemności bramki tranzystora co jest równoznaczne z szybszym włączeniem i wyłączeniem tranzystora. Przy okazji tranzystor mniej się nagrzewa przy włączaniu i wyłączaniu. A pojemność bramki tranzystora jest dosyć duża. W zależności od typu tranzystora może wynosić nawet...
Po pierwsze, to wydaje mi się, że niedokładnie przepisałeś symbole i jednostki. Pomieszałeś małe i wielkie litery, możliwe, że V i U też występują zamiennie. Nie mam identycznego testera, więc odrobinę zgaduję, ale raczej się nie mylę... Chyba, że ktoś mnie poprawi :-D Nie da się tutaj tekstu sformatować z indeksami dolnymi, więc wygląda trochę inaczej...
http://obrazki.elektroda.pl/8856166800_1... Opisane poniżej urządzenie powstało w oparciu o układ z Rosyjskiego Radio 8/2007. Można go rzeczywiście można nazwać uniwersalnym, ponieważ mierzy on napięcie prądu stałego, częstotliwości, pojemność, indukcyjność cewek, sprawdza rezonatory kwarcowe, oraz wysyła impulsy o poziomie sygnału...
0. Schemat, a jeszcze lepiej layout płytki prosimy. Chyba nie wstawiłeś SOIC8 w płytkę stykową? 1. Jak jest sterowany tranzystor? Pojemność bramki ~6nF i czas przełączania rzędu 6us-20us wymaga dobrego źródła. 2. Czy obciążenie jest czysto rezystancyjne? 3. Sprawdzałeś jak wyglądają przebiegi?
Atmega328 operuje na poziomach TTL. Wybrany przez kolegę mosfet jest typu logic-level czyli przy tych 5V ma już bardzo dobre parametry. Jeżeli prąd grzałki będzie bardzo duży to warto użyć nieco większe napięcie bramki (trochę niższe RDSon). Do tego należy już użyć driver. Rezystor między bramką a źródłem służy do rozładowania bramki po wyłączeniu urządzenia....
pomiar bez mosfeta nic niedaje - układ wykożystuje dużą pojemność złącza bramki (obciążenie pojemnościowe) i dzięki temu potencjałowi następuje szybkie przełanczanie. Podepnij na wyjściu kondensator 2-4nF do masy - tyle co ma mosfet i wtedy pomierz. I czesto aby przyśpieszyć to rozładowanie to dawany jest kondensator równolegle do diody (jak na moim...
"Układ jest przeznaczony wyłącznie do zastosowań niekomercyjnych. Jakakolwiek produkcja i udostępnianie kodu wymaga zgody autora. Również dotyczy to polskiej wersji językowej !" http://obrazki.elektroda.net/51_12598675... Przedstawione urządzenie jest testerem elementów półprzewodnikowych. Inspiracją do budowy tego testera był artykuł zamieszczony...
I_C/I_B=20 jednak nie wzięło się ot tak czy z zasady tylko jednak z noty i ta wartość może być inna dla różnych tranzystorów. Dobrze rozumiem? Dobrze rozumiesz, z noty, ale i z zasady/reguły. Zależy od tranzystora - te o dużej becie powinny mieć zwykle Ic/Ib=20, zwykłe 10, wysokonapięciowe (o małej becie) - 5 albo nawet 4, a specjalne 50 czy nawet...
Podpinam się pod ten temat pomimo, że to wykopalisko ale nie znalazłem innego, który by dotyczył tego modelu ładowarki Metabo. Tak na marginesie pełne oznaczenie to: METABO ICS 10 i jest to ładowarka 10 minutowa! Schematu nie ma raczej nigdzie, nawet na wschodzie nie mają... Zrobiłem szkic części impulsowej z mosfetami i jak zeskanuję to go wrzucę....
Jak to jest mosfet "L" to wysterowany jest w pełni przy 5V na bramce. Wtedy potrzebne są tylko dwa oporniki w obwodzie bramki- jeden w szereg z wyjściem procesora w celu ograniczenia prądu wypływającego z procesora do rozładowanej pojemności bramki. Czyli jakieś 100ohm. A drugi od bramki do masy- tylko w tym celu żeby tranzystor przy starcie procesora...
Czy zjawisko samoistnego załączenia (a przynajmniej ładowania bramki przez Cgd) następuje tylko wtedy gdy okres trwania skoku napięcia Uds jest znacznie mniejszy niż stała czasowa Rg*(Cgs+Cgd)? No, nie całkiem - istotny jest nie tylko czas, ale i wielkość skoku Uds (napięcia dren-źródło). Czy jest prosty wzór aby zorientować się jak szybkie zmiany...
https://obrazki.elektroda.pl/6980497800_... Powodem dla którego powstał generator była chęć ułatwienia pracy podczas sprawdzania przekaźników nadprądowych i zabezpieczeń mocy zwrotnej. Generator może być użyty do sprawdzania urządzeń pomiarowych wymagających 3 fazowego zasilania , ustawianej częstotliwości i przesunięcia fazowego między...
Tamte obliczenia dotyczyły obliczenia opornika bazy tranzystora bipolarnego. Tranzystor bipolarny jest sterowany prądowo, czyli prąd bazy oblicza się dzieląc oczekiwany prąd kolektora przez współczynnik wzmocnienia. Znając wymagany prąd bazy oraz napięcie sterujące można obliczyć opornik włączony szeregowo z bazą ograniczający jej prąd. Tranzystor MOSFET...
IPB019N06L3: 1. Nie możesz go sterować wprost z uC, gdyż to tranzystor o ogromnej pojemności bramki (typowo 21nF), poza tym Vgsth=1,7V (typowo) nie oznacza wcale że 3V z uC go prawidłowo wysteruje. http://www.infineon.com/dgdl/IPB019N06L3... - patrz wykres 6 -...
Testowałem kilka driverów w programie MicroCap a dwa w realu. Jeden działa w przetwornicy 5-400V drugi w układzie do pomiaru nasycenia cewek. D1 http://obrazki.elektroda.pl/8863934900_1... D2 http://obrazki.elektroda.pl/5698309300_1... D3 http://obrazki.elektroda.pl/9132160100_1... D4 Ten jest taki sam...
z wyjścia ne555 otrzymuję wartości od 5V do 13 V Nieprawda. czytaj datasheet NE555 który wyżej podałem. Właśnie o to mi się cały czas rozchodzi bo to właśnie w moim układzie dostaję takie napięcie na wyjściu (pin 3) od 5V do 13 V a chcę otrzymywać wartości od 0V do 13V Oczywiście że datasheet ne555 podaje coś innego. Oglądałeś oscyloskopem przebieg...
Zauważ, że nie grzeją się tranzystory, które nie przewodzą lub są całkowicie otwarte. Górne tranzystory mostków otwierane są przez klucze BC547, znacznie gorzej wygląda ich wyłączanie. Pojemność bramki rozładowywana jest przez opornik 10k co trwa stosunkowo długo i a w międzyczasie tranzystor pracuje w zakresie liniowym, przez co nagrzewa się. Zmniejsz...
Oczywiście, że tak można. MOSFET musi się w pełni "otworzyć" przy napięciu G-S nieco poniżej 5V, żeby zminimalizować straty w postaci ciepła. BS170 spełnia ten warunek. Dla prądu podświetlenia rzędu 200mA wystarczy w zupełności. Wyjście mikrokontrolera musi być skonfigurowane jako totem-pole. Wyjście z podciąganiem do + zasilania może mieć za małą wydajność...
Ja bym Ci polecał LT1619 tutaj masz notę aplikacyjną z przykładowym layoutem konwertera. http://www.linear.com/pc/productDetail.d... Układ jest do kupienia w Protonie za 15.40pln Jedynie co trzeba by zmienić wzgledem tego co jest podane w tej notce dla konwertera 5V>12V 5A to dławik na 6.8µH i mosfet jeden np. IRF7821...
Kupiłem dziś część elementów - część bo tego IRLa nie mieli i dopiero w piątek będzie. Mam zamiar dziś zlutować płytkę i mam takie pytanie: Czy jak zasilam układ z zasilacza komputerowego (12V 20A) to czy potrzebuje ten fragment układu ze stabilizatorem? To jest C1,C2,C3 i U1. W końcu w zasilaczu komputerowym mamy napięcie stabilizowane i odfiltrowane....
azę dał bym rezystory np 12ohm toto-lotek, który skończy się zgonem obwodów pina... ;] No i błąd w nazewnictwie, mosfety nie mają bazy... Na pierwszy strzał możnaby się zastanowić po co autor raczył zastosować potężne mosfety na 100V i 14A do sterowania wiatraczkami na 12V pobierające w szczytach nieco ponad 1A prądu... Do tego z powodzeniem (i DUŻYM...
Moim zdaniem R1 można pominąć. Ale R2 jest raczej niezbędny. Dzięki niemu wartość napięcia na bramce tranzystora MOSFET jest poniżej progu jego włączenia (przy 10kΩ będą to jakieś ułamki wolta). Wynika to z tego, że tranzystor w transoptorze ma jakiś (mały) "prąd ciemny" (płynie przez niego prąd, nawet jak nie jest oświetlony przez diodę), a z kolei...
To jest przykład antyporadnika. Rozumiem, napisałeś o pewnych uproszczeniach, ale ten poradnik wprowadza w błąd. Po pierwsze: Stwierdzenie, że mosfety sterowane są napięciem. Tak dzieje się w stanie statycznym. Przy szybkim przełączaniu, płynie prąd bramki. Dlaczego drivery do mosfetów czy IGBT są zdolne do wystawiania kilku A prądu? Właśnie do przeładowania...
https://obrazki.elektroda.pl/5705909000_... NA WSTĘPIE Wiem, wiem, ktoś zaraz powie, że układów aktywnego obciążenia nie sposób zliczyć i kolejny taki projekt przyczynia się do klęski urodzaju… 8-) Mimo wszystko chciałbym przedstawić projekt aktywnego obciążenia. Aktywne obciążenie samo w sobie nie jest czymś szczególnym, ale...
http://obrazki.elektroda.pl/4287710700_1... Chciałbym zaprezentować układ sterujący pracą dmuchawy w samochodzie, który wykorzystywałem przez kilka ostatnich lat (konkretnie w samochodzie Opel Astra F), ale można go zastosować wszędzie, gdzie sterowanie dmuchawą odbywa się przy pomocy przełącznika 3- lub 4-pozycyjnego wystawiającego...
http://obrazki.elektroda.net/77_12399076... Od dłuższego czasu miałem ochotę zbudować przetwornicę sieciową do zasilania wzmacniacza audio. Niestety, na forum jest niewiele takich projektów, a żaden nie spełniał moich wymagań. Postanowiłem wykonać taki zasilacz samodzielnie od podstaw. Zaprojektowanie, zbudowanie i przetestowanie zasilacza...
Tranzystor bipolarny wzmacnia prąd. Dla prądu kolektora 200 mA potrzeba prądu bazy 20 mA. Tranzystor MOSFET sterowany jest napięciowo - bramka jest izolowana od pozostałych elektrod. Dlatego przy sterowaniu stałonapięciowym MOSFET nie pobiera prądu. Prąd płynie w czasie ładowania i rozładowania pojemności bramki. Tyle wystarczy początkującemu. Jest...
http://obrazki.elektroda.net/41_12633119... Stworzone przeze mnie urządzenie jest praktycznym uzupełnieniem piórnika szkolnego. Jest wyposażone w kilka pożytecznych funkcji i na opisanych poniżej nie zamierzam zaprzestać. Całość została zorganizowana w wygodne w obsłudze intuicyjne menu. 6 przycisków uSwith w jakie jest wyposażony układ umożliwia...
Korzystanie z katalogowej pojemności początkujących wprowadzi w błąd, bo pojemność jest nieliniowa, pojemność podają 3,4 nF. A ładunek bramki wygląda tak: https://obrazki.elektroda.pl/8843298200_... Dla 10 V mamy 120 nC, czyli tyle, ile zgromadzi kondensator 12 nF. 120 nC to wartość typowa, 180 nC to wartość maksymalna z katalogu.
O awaryjności mówił nie będę. Tanie spawarki to syf. Nie zgodzę się. Wszystko jest klepane w chinach. Płacisz za syf, to dostajesz syf. Płacisz za dobry sprzęt to dostajesz dobry sprzęt. A że dobry chiński sprzęt jest dużo tańszy od dobrego "europejskiego", to inna sprawa. Sam spawam raczej okazjonalnie, i nie są to mosty chociaż zdarzają się półcalowe...
Wiele osób uważa, że stare i prawie zapomniane schematy wzmacniacza mają dobre i czyste brzmienie. Oczywiście nie dotyczy to wszystkich z epoki analogowego dźwięku. Jednak pewne z nich są wykonane tak prosto i niezawodnie, że nadal są popularne wśród radioamatorów. Według fanów analogowego dźwięku niektóre z tych aparatów brzmią szczególnie pięknie....
Moduł IGBT czy tranzystor MOSFET to napięciowo kontrolowane urządzenie półprzewodnikowe służące do sterowania przepływem prądu elektrycznego w systemach sterowania oświetleniem, silnikami, zasilaczach impulsowych i wielu innych. Bramka takiego elementu jest galwaniczne odizolowana od pozostałych dwóch wyprowadzeń układu (źródła i drenu w przypadku FETa...
https://obrazki.elektroda.pl/1290954000_... Do napisania tego artykułu zainspirowało mnie pytanie TechEksperta o wzmacniacz operacyjny do pracy z czujnikiem piezoelektrycznym, oraz wzmianka Trymera01 o wzmacniaczach z wejściami MOSFET. Sam, kawałek czasu temu zastanawiałem się nad sposobami uzyskania wysokiej impedancji wejściowej...
Dobry, ale nie na 3 V napięcia. Nie otworzy się całkiem, opór Rdson będzie za duży. Można podnieść napięcie zasilania układu 555 i bramki tranzystora albo wymienić tranzystor. Masz chociaż model obudowy tranzystora i pojemność bramki. Pojemność przyda się w układach kluczowanych żeby dobrać albo i nie dobierać oporników w obwodzie bramki. W tej obudowie...
Przy sterowaniu tranzystorami MOSFET bezpośrednio z wyjścia mikrokontrolera, należy pamiętać o kilku rzeczach: 1. napięciu progowym tranzystora UGSth, 2. pojemności wejściowej tranzystora, 3. poziomie napięć, o ile jest to tranzystor z kanałem typu P. Zalecane schematy połączeń dla tranzystora z kanałem typu N i typu P wyglądają w ten sposób: https://obrazki.elektroda.pl/3420320700_...
https://obrazki.elektroda.pl/2868022900_... ok poprawiłem tak jak sugerowałeś dodatkowo wklejam analizę układu z chatagpt. jestem otwarty na uwagi co jeszcze mogę poprawić gdyż potrzebuje zamówić kilkadziesiąt sztuk jednorazowo Interesuje mnie sterowanie pinem ctrl szczególnie, gdyż tam Vmax to 6V obecnie przekraczam te wartość gdyż...
https://obrazki.elektroda.pl/2850955900_... Rezystor pull-down pomiędzy bramką (G) i źródłem (S) tranzystora MOSFET pełni kilka funkcji: 1.Zapobieganie fałszywemu włączeniu: Pojemność Millera, pasożytniczy kondensator między bramką (G) i drenem (D), może powodować zmianę napięcia dren-źródło (Vds) tranzystora MOSFET z prawie 0 (spadek...
https://obrazki.elektroda.pl/3201382200_... Pytanie: Czy konieczne jest umieszczanie opornika 100 Ω w bramce tranzystora MOSFET, by zachować jego stabilność? Odpowiedź: Jeśli zadamy to pytanie dowolnemu, doświadczonemu inżynierowi - na potrzeby tej historii nazwijmy go profesorem Gureux - to powie nam, że w bramce tranzystora...
Witam, Kupiłem ostatnio tranzystor Fairchild FDD4141 z innym logo niż w tych, które do tej pory posiadałem (pierwszy z lewej na zdjęciu). Tranzystor w zasadzie działa dobrze i parametry, które udało mi się zmierzyć ma w normie. ... Dobrze dziala? ... do czasu. Esencjalnych parametrow nie da sie prosto zmierzyc, a te z MAX LIMITING... nie sposob oszacowac...
Pytanie: Jak dobrać do naszej aplikacji tranzystor dyskretny? Odpowiedź: No... dyskretnie ;). Tego żartu nie udało się niestety uniknąć. Prawda jest taka, jak piszę autor artykułów, James Bryant, iż wcale nie trzeba dokonywać tego doboru nazbyt dokładnie. Często spotyka się projektantów spędzających długie godziny czy nawet dni poszukując możliwie...
Nie mogę, testowany silnik pobiera 1.2A docelowy będzie pobierał do 4A. Nie oddam piekarnika. Duża pojemność bramki sprawia że mosfet nie otwiera się do końca i przez to na komutatorze powstają przepięcia? Jeśli więcej szczegółów jest potrzebnych do pomocy w diagnozie dajcie znać.
Jeśli chodzi o przetwornice impulsowe, oba rodzaje tematycznych tranzystorów mają swoje wady i zalety. Ale który jest najlepszy do danej aplikacji? W poniższym artykule nie odpowiemy bezpośrednio na to pytanie, jednakże porównamy tranzystory MOSFET z modułami IGBT, aby wskazać, na jakim polu poszczególne elementy są lepsze. Zasadniczo, przyjęło się,...
SR? Slew Rate - szybkość narastania. W przeciętnych wzmacniaczach 1V/us, czyli 20V to 20us a driver przełącza <100ns czyli kilkaset razy szybciej. Po co mi wydajność prądowa? MOSFET ma pojemność wejściową, żeby zmieniać napięcie na "kondensatorze" musi popłynąć prąd, tym większy im szybciej chcemy to zrobić. Zamiast podawać pojemność w nanofaradach...
Gasik w uzwojeniu pierwotnym to dwa rezystory 510k równolegle, połączone w szereg z diodą US1M. Równolegle do diody US1M jest kondensator 1n. Równolegle do rezystorów 510k jest kondensator 3300p. Oczywiście, kondensatory zostały sprawdzone przyrządem Agilent U1733C jeszcze przed napisaniem tutaj, mają pojemność w granicy tolerancji. Dioda sprawdzona...
https://obrazki.elektroda.pl/9218783700_... Czas wymagany do włączenia MOS od wyłączenia do włączenia jest dłuższy niż czas od włączenia do wyłączenia. Zmniejszenie R1 może skrócić czas od wyłączenia do włączenia. Ale nie jest to nieograniczone, ponieważ wydajność prądowa źródła zasilania jest ograniczona. https://obrazki.elektroda.pl/3299981000_...
Ale spadek nie jest na przewodach (znaczy jest ale tylko 1.83V). Spadek jest powiązany z własnością paneli i tym że są źródłem prądowym o prądzie max zależnym od oświetlenia. Jak próbujesz z nich wyciągnąć więcej prądu niż są wstanie dać to napięcie siada. Dlatego w takich sterownikach na wejściu jest kondensator dla stabilizacji (lub filtr z kondensatorem...
http://obrazki.elektroda.pl/1724590200_1... Jest to tłumaczenie opisu jaki zamieszcza sprzedawca, a potem moje obserwacje i przykłady pomiarów. Tester zbudowany na podstawie popularnego w sieci testera Markusa. To jego kolejna już modyfikacja i rozszerzenie. Pierwszą wersję tego testera opisywaliśmy razem z bobo http://obrazki.elektroda.pl/6049908800_1...
LED driver to LD2635mA z układem PT4211. W tej chwili nie posiadam oscyloskopu, mam tylko multimetr uniwersalny. Nie wiem czy modułowi kamery IPC który wysyła sygnał PWM nie zaszkodzi podpięcie do DIM, który jak "wisi" wystawia Vdim ponad 5 V podciągnięte przez wewnętrzne 300 kOhm? Wstępna ocena dostępnych informacji Posiadasz driver LED LD2635mA z...
(...) 6092737900_1704552209.png https://obrazki.elektroda.pl/8391543600_... https://obrazki.elektroda.pl/1339941700_... https://obrazki.elektroda.pl/3642060100_... https://obrazki.elektroda.pl/1154953300_... https://obrazki.elektroda.pl/9752779800_... Aby scharakteryzować tranzystor MOSFET do zastosowania...
On ma chyba za małą rezerwę napięcia, żeby transil wystarczył - no i kwestia strat w tym transilu, czy się nie przegrzeje. (chodzi mi o tego MOSFET-a z dopuszczalnym napięciem 25V - swoją drogą nie wytrzyma odwrotnego podłączenia akumulatora - trzeba poszukać jakiegoś na większe napięcie, choćby miał większy opór włączenia) Dość prosty układ, to kondensator...
Pojawienie się tranzystorów MOSFET wykonanych z węglika krzemu (SiC) w różnych topologiach zaowocowało znaczną poprawą wydajności i sprawności urządzeń energetycznych. Jednak, jeśli nie są one aplikowane w układzie prawidłowo, inżynierowie mogą szybko poczuć się sfrustrowani awariami urządzeń. Awarie te nie są z reguły wewnętrznymi słabościami technologii...
Impulsy wysokiego napięcia generowane podczas pracy przetwornic impulsowych lub przełączania drivera bramki mogą być bardzo szkodliwe dla układu elektronicznego. W zastosowaniach związanych ze sterowaniem silnikami, stany nieustalone o dużej pochodnej napięcia w czasie (dV / dt) mogą uszkodzić izolację uzwojenia, skracając żywotność silnika i wpływając...
https://obrazki.elektroda.pl/9084374600_... Istnieje kilka dobrze znanych technik zabezpieczenia przed odwrotnym podłączeniem źródła napięcia. Najbardziej oczywistą techniką jest dioda pomiędzy źródłem a obciążeniem, ale ma to wadę w postaci rozpraszania istotnej mocy na diodzie z powodu spadku napięcia na tym elemencie. Sprawia to,...
Gdy nasza aplikacja potrzebuje potrzebuje tranzystora MOSFET o napięciu pracy większym niż 50 V lub też rezystancji kanału poniżej kilku miliomów musimy posłużyć się rozwiązaniem dyskretnym, gdyż nie istnieją scalone przełączniki tego rodzaju. W takiej sytuacji zaprojektować musimy nie tylko sam układ oparty o tranzystor FET, ale także odpowiedni sterownik,...
http://elportal.pl/pdf/k01/55_08.pdf Poczytaj. Generalnie rezystancja D-S, napięcie progowe załączenia bramki i chyba najważniesze: pojemność bramki.
Charakteryzacja mosfetu w technologii 130nm z vdd=12V i zapewnienie minimalnej rezystancji bramki i minimalnych szumów z parametrów parascitic mosfetu,charakterystyka mosfetu jest przeznaczona dla wzmacniacza o niskim poziomie szumów (topologia kaskodowa) Charakteryzacja tranzystora MOSFET dla technologii 130 nm do zastosowania we wzmacniaczu o niskim...
Można by zrobić (i to byłoby proste) układ dwukońcówkowy z baterią (może 6F22? bywa używana w miernikach i zwykle starcza na kilka lat), CD4541, i dwoma MOSFET-ami, dla którego nie miałoby znaczenia, w którą stronę płynie prąd. Jeśli będzie bateria 6F22, to nie są potrzebne MOSFET-y włączane bardzo niskim napięciem bramki (2,5V), spokojnie wystarczą...
Cbs musi mieć taką wartość by jego rozładowanie do bramki mosfet nie powodowało znacznego spadku napięcia. Tak dla świętego spokoju można założyć 20-30 krotność pojemności całkowitej bramki. Jak taką pojemność policzyć dla bramki mosfet jest w nagraniu które Tobie podesłałem. Nigdy nie stosowałem tego rezystora na Vs, ale to już zależy od sterownika,...
(at) RAPELC - 1 - Zwarcie kolektorów w SG3524 niczym nie grozi, często się z tego korzysta aby wykonać regulację PWM w granicach 0 - 100%. 2 - Użycie rezystora podciągającego ma sens tylko przy niskich częstotliwościach, przy wyższych da o sobie znać pojemność bramki MOSFET'a.
R2 = 10k, do tego duża pojemność bramki Q1. Do tego prosta kompensacja na C3. To nie wróży stabilności...
https://obrazki.elektroda.pl/6443761500_... Czasem zdarza się, że chcemy sobie podłączyć urządzenie pod coś co działa i już ma napięcie. Jednak nasze urządzenie ma np. kondensatory na wejściu co powoduje dość duży skok prądowy, a co za tym idzie wachania napięcia, co może prowadzić do niestabilnego działania już zasilanego urządzenia,...
https://obrazki.elektroda.pl/2923022800_... Pytanie: Czy konieczne jest wykorzystanie wyspecjalizowanego sterownika bramki, by móc sterować ją dodatnim i ujemnym napięciem? Odpowiedź: Okazuje się, że nie! Można zaadaptować klasyczny, unipolarny sterownik, by na wyjściu otrzymać napięcie bipolarne - tak ujemne, jak i dodatnie. Wystarczy...
Jedno z często zadawanych pytań przy wyborze sterownika bramki dotyczy prądu szczytowego, jaki może dostarczyć dany układ. Prąd szczytowy jest jednym z najważniejszych parametrów w karcie katalogowej sterownika bramki tranzystora. Metryka ta jest generalnie traktowana jako podstawa dla szacowania siły sterowania bramki. Czas włączenia i wyłączenia tranzystora...
Czy ktoś może polecić jakiś driver dostępny w Polsce dla MOSFET'a który udźwignie 1MHz. Zależy mi na maksymalnie stromych zboczach przy częstotliwości 1MHz. Sterować będzie on dokładnie IRLZ44N ( pojemność wejściowa bramki około 1800pF ). Driver będzie działać po stronie low ( mosfet źródłem dołączony do masy )
Powodem może być za duża rezystancja między bramką a masą zmniejsz ją do kilku kilo ohmów. Czy jak dotykasz kablem połaczonym z masa do bramki to ledy gasną od razu? Każdy MOSFET ma inną pojemność bramki dlatego inny model może się szybciej rozładowywać i zatykać.
Jest ok, też można wysterować z atmegi, przy czym nie wolno szaleć z częstotliwością bo jednak pojemność bramki duża.
Z uwagi na takie komentarze redakcja portalu zadecydowała o wstrzymaniu publikacji tego cyklu. Obecnie jestem na etapie szukania odpowiednio zaawansowanych treści, aby użytkownicy-eksperci także mogli się czegoś dowiedzieć. Chętnie posłucham czy kol. AGrodecki ma jakieś sugestie. Czyli wystarczy jeden kolega "AGrodecki", który przez 13 lat obecności...
Wykorzystaj komparator - z odpowiednim dzielnikiem w prosty sposób porównasz ustawione napięcia... Pamiętaj tylko, że czas przełączania komparatora jest dość długi... MOSFET-a przy takiej częstotliwości powinieneś sterować za pomocą driver'a o dosyć dużej wydajności prądowej - by przeładować w krótkim czasie pojemność wejściową bramki MOSFET-a. Może...
ogromne wahania nastawionego prądu. Wzbudzenie układu spowodowane odwróceniem fazy sygnału sprzężenia zwrotnego (z opornika R6 do we(-) LM358). Rozwiązaniem okazało się dołączenie kondensatora 100nF na wyjściu OpAmpa. Błąd - to nieprawidłowy sposób, tym sposobem zwiększyłeś tylko pojemność bramki MOSFET-a i spowolniłeś WO. Należało z R6 podać sygnał...
MOSFET przede wszystkich królują w układach przełączający (impulsowych). Wielokrotnie szybsze przełączanie, zdolność przewodzenia dużych prądów, zazwyczaj mniejsze straty przewodzenia... Ponadto znacznie łatwiejsze sterowanie - żeby utrzymać MOSFET włączonym nie trzeba żadnych specjalnych zabiegów (starczy przeładować w celu przełączenia pojemność bramki,...
Co do diody to poszukaj transili lub diod z serii UF (np UF4001), chociaż transile są bardziej przystosowane do takich zadań. Jeśli jest to częstotliwość 122Hz to możesz to sterować prosto z uC, przy takiej częstotliwości nic nie powinno się stać. R2 jest po to by ograniczyć prąd ładowania bramki, a R1 jest po to by pojemność bramki mogła się rozładować...
Rezystor 10k służy, aby przy starcie urządzenia mieć pewność że tranzystor będzie wyłączony (stany nieustalone). Rezystor 10R służy właśnie ograniczeniu prądu bramki tranzystora, chodź zazwyczaj montuje się go między driverem a tranzystorem (między OUT TC4427 a MOSFET'em). Jeśli chodzi o kondensator, może być 1uF jak i więcej (zależy od pojemności bramki...
Jest pewien tranzystor MOSFET, którego pojemność bramki wejściowej wynosi np. 50pF. Steruję go przełącznikiem z szeregowo wpiętym rezystorem 10MΩ. Ile czasu będzie trwało przeładowanie pojemności bramki? Czy będzie to l=RC=10M*50p=0,5ms, czy może 3l do 5l, czyli od 1,5ms do 2,5ms?
Zwiększając rezystor 100R do 10k powinno wytrzymać jednakże niekorzystna pojemność bramki przy sterowaniu PWM spowoduje że Mosfet nie będzie się otwierał i zamykał poprawnie przez co będzie narażony na duże straty w postaci ciepła dla tego lepszym rozwiązaniem jest Mosfet z kanałem N i driverem bootstrap mam nadzieję że teraz dobrze to pojmuję
Witam Nie mam tranzystora pod ręką, MOSFET P prąd 187A, pojemność bramki 12,5nF, Rdson rzędu 0,002Ω, ale do takich parametrów trzeba pewnie przyłożyć z 6V, w układzie z tranzystorem NPN zbliżam się ledwo do 5V. Prądu w zasilaczu mi nie brak :). Dzięki za info, pooglądam. EDIT Niestety to jest LOW SIDE DRIVER, na odbiorniku mam czujniki pomiarowe...
Ale po co w procesorach potrzebne są tak duże prądy ? Do jednoczesnego przeładowywania pojemności milionów tranzystorów (dla uproszczenia nie ma co mówić o statycznym poborze mocy) z których składa się procesor. W trakcie każdego cyklu zegara następuje przełączanie bardzo dużej ilości tranzystorów co wymaga ogromnego piku prądu (dziesiątki/setki amperów...
Raczej ciężko było by do nich znaleźć komplementarne na kanale P. Z ich napięciem maksymalnym nie jest aż tak tragicznie pojemność bramki też ujdzie. Ale jak na mój gust nadawały by się one bardziej do wzmacniacza w klasie D
Poszukiwałem informacji (wzoru) do obliczania czasu przeładowania bramki MOSFET-a Znalazłem kilka prosiłbym bardziej doświadczonych o ewentualne zrewidowanie. t=(Qg*Ug)/Ig Qg - całkowita pojemnośc bramki w Kulombach Ug - napięcie na bramce Ig - prąd bramki Inny wzór jaki spotkałem to: t=(Ciss*Ug)/Ig Ciss - Pojemność wejściowa bramki w Faradach Na jakimś...
Pewnie nie poczytałeś dalej wątku do którego dałem link. A więc mierzy dla tranzystorów: - NPN tranzystory – wyśw. NPN - PNP tranzystory – wyśw. PNP - N kanał wzbogacony, tranzystor MOSFET - wyśw. N-E-MOS - P kanał wzbogacony, tranzystor MOSFET – wyśw. P-E-MOS - N kanał zubożony, tranzystor MOSFET – wyśw. N-D-MOS - P kanał zubożony,...
Witam. Ktoś kto nie ma tego miernika nie zna jego zalet. Pokażcie mi miernik który sprawdza tranzystory tupu FET ? oczywiście nie mówię tu o mozolnym sprawdzaniu przewodami tylko szybkiej diagnostyce. Wyobraźmy sobie pudełko wylutów. Chcemy jakiś tranzystor znaleźć... bez tego miernika albo szukamy po katalogach albo bawimy się w kabelkologię. Tym przyrządem...
Narysuj dokładnie sposób sterowania bramki tego MOSFETA. Możliwe, że powinienieś dać pomiędzy bramkę a źródło tranzystora rezystor, który rozładuje pojemność bramki MOSFETA po zaniku impulsu.
http://obrazki.elektroda.pl/7865793100_1... Trawiarkę poczyniłem jakiś rok temu. Cele były dwa: 1) sprawdzić jak tego typu konstrukcja będzie działać, większość jakie widziałem to wykorzystanie grzałki akwarystycznej i napowietrzacza. 2) do tej pory trawiłem w "słoiku", więc chciałem to nieco "ucywilizować". Jak wspomniałem - zamysł...
Jedyne co jest tu wrażliwe na ESD to ten MOSFET. Pojemność bramki jest dość mała, więc małe ładunki są w stanie naładować ją do bardzo wysokich napięć. Możesz go wbić w gąbkę przewodzącą albo owinąć nogi nad płytką folią aluminiową na czas lutowania. Potem bramkę zabezpiecza rezystor i dioda Zenera.
Witam w jednym z artykułów w necie przeczytałem, iż mosfet IRF540 ma pojemnośc bramki 1,4nF tu jest link do [url=datatseet]https://docs.google.com/f... Czy jest mi ktoś w stanie podpowiedzieć gdzie odczytano tę wartość ewentualnie jak ją wyliczono?? Może ktoś podrzuci jakiegoś...
Nie napisałeś czym te tranzystory są sterowane. Pamiętaj, że bramki MOSFETów mają dużą pojemność i czesto stosuje się specjalne drivery aby można było je przeładować. Najlepiej załącz schemat swojego układu. No i oczywiście o jakich konkretnie mówimy częstotliwościach przełączania?
Jeśli napięcie zasilania ma być ze 12V, to w roli tranzystora mocy można by użyć MOSFET-a (przy niskich napięciach trzeba by wybierać MOSFET-a Logic Levels, co znacznie ograniczy wybór) - jest sporo takich, które mają parametry wystarczające do tego zastosowania, a kosztują ze 2X taniej od D44 - jakkolwiek wypada wybrać coś dostępnego w pobliskim sklepie......
Właśnie w chwili wolnego czasu pracuję nad płytką. Chciałbym jako drivery IGBTów zastosować układ z mosfetem jak u autora wątku na stronie pierwszej, tylko jako mosfet rozładowujący bramki IGBTów zastosować szybkie mosfety wskazane przez RoMan'a, dwie strony wstecz. http://www.vishay.com/docs/91126/91126ir... Udało mi się zdobyć IRFD120. Mają pojemność...
Ale uklad ten steruje bramkami mosfetow, czyli tranzystorów unipolarnych, a każdy wie ze prąd bramki jest tak maly ze praktycznie pomijalny. Chyba nie dlatego nie dziala moj uklad Ale każda bramka ma swoją pojemność (patrz PDF). Jeżeli MOSFET pracuje przy małych częstotliwościach to można pominąć ten fakt, ale przy większych częstotliwościach pojemność...
A może lepszy byłby wtórnik na tranzystorze Mosfet ze względu na mniejszą pojemność bramki tranzystora. Schemat jest tu.http://www.elektroda.pl/rtvforum/topi...
Najprościej - jak pisałem w poście nr 2. Można też zrobić tak: układ RC - opornik R z plusa i kondensator C szeregowo do masy, z kondensatora do bramki CD4093, z niej do drugiej bramki, z niej przez opornik na bazę tranzystora z przekaźnikiem w kolektorze. Oczywiście dioda równolegle do cewki przekaźnika. Bramka (Schmitta) ma tak dużą rezystancję we....
Istotne są dwa napięcia bramki dotyczące pracy MOSFET-a jako przełącznika: Threshold - to jest napięcie, od którego tranzystor może przewodzić i pożądane jest, żeby wartość podana jako minimalna była jak największa, bo należy zapewnić, że do wyłączenia podasz mniej; i napięcie, dla którego podaje się Rdson - pożądane jest, by było jak najmniejsze, bo...
Dlaczego nie? oczywiście są mosfety, które mają wystarczające niskie napięcie Vgs aby się w pełni włączyć. Jednakże ważna jest też pojemność bramki. W przypadku kluczowania czegoś o większej mocy (albo częstotliwości kluczowania) czas ładowania i rozladowywania bramki jest głównym źródłem strat ( okres w którym mosfet jest w zakresie liniowym). Dlatego...
pojemność bramki mosfet pojemność rozładowanie bramki mosfet
ekspres bosch wyczyść zaparzacz kolor wyłączać bootowanie samsung
ZUV-194R-06 vs Vestel 17IPS12/17IPS20 PSU: Dual vs Single MOSFET Topology Differences Schemat elektryczny spawarki Magnum SNAK200P - dostępność i analiza
