Kilkadziesiąt amperów i 3,6V kojarzy się z e-szlugiem, jeśli tak to użyj PWM'a. Regulacja liniowa jest kłopotliwa, że względu na straty mocy, niestabilność termiczną MOSFETów oraz pozostałe analogowe problemy, oczywiście zrobić się da ale trzeba mieć konkretne powody żeby wybrać takie (trudniejsze) rozwiązanie.
Nie wierzę, że wszystkie 5 nowych tranzystorów jest niesprawna. Raczej niemożliwe aby były niesprawne ze sklepu, chociaż teraz po testach - kto wie? Bo przy tych testach to masz jakiś "głupi" błąd typu pomylone końcówki. Sugerujesz dodać jeszcze rezystor przed pin drenu (tak jak na schemacie- na zielono)? Opornik miał być jako ograniczenie prądu (jeśli...
Zaglądnij do jakiejś książki np. W. Marciniak - Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. Tam to znajdziesz. A to to tak z ciekawości pytasz ?
Witam Obciążenie tego układu zależy przede wszystkim od zastosowanego tranzystora T1. maksymalny prąd drenu tego tranzystora (wg danych katalogowych) to 30A. w tym przypadku warto jednak zastosować tranzystor o większym prądzie drenu, np.: BUZ12 -42A, BUZ15 -45A, BUZ16 -48A, BUZ18 -37A lub inny o podobnych parametrach. Pozdrawiam.
Napięcie progowe Ugs(th) tego tranzystora to maksymalnie 4 V wg dokumentacji. Wartość typowa jest nawet dużo mniejsza. Nie chodzi o to żeby się wykłócać ale w warunkach pomiaru napięcia progowego jest prąd drenu równy ćwierć mA - trochę mało. Na wykresie typowych (producent ich nie gwarantuje) charakterystyk wyjściowych przy Vgs = 4.5 V w obszarze...
MOSFET nie ma wzmocnienia prądowego, tylko tzw. transkonduktancję. Jest to zależność prądu drenu, od napięcia między źródłem, a bramką. Przykładasz napięcie, mierzysz prąd. pzdr
Jak wyżej - możesz zastosować tranzystor BS 170 - ma bramkę przystosowaną do wyjść cyfrowych. Prąd drenu max 0,5A.
Wstaw tam jakiegokolwiek V-mosa o prądzie drenu ponad 40, ja wsadzam P50N04, są po 4 zł.
Przecież pisze na nich, pierwsza liczba to prąd drenu, druga to napięcie D-S
Nie ma czegoś takiego, żeby prąd drenu zależał tylko od napięcia bramki (bramka-źródło) - zależy on również od napięcia dren-źródło, i dla niezbyt dużych prądów prąd drenu jest proporcjonalny do napięcia dren-źródło, a od napięcia bramka-źródło zależy współczynnik proporcjonalności. Jeśli szeregowo z drenem podłączysz opornik np. 4R7, a tranzystor bez...
Z wykresu widać, że prąd drenu na poziomie 0,18 A jest osiągalny jeżeli napięcie bramki będzie >2,5 V. Źle zaznaczyłeś poziom prądu 0,18 A. Zaznaczyłeś około 0,8 A. IRLML0030 w tym zastosowaniu będzie dobry.
Nie, w tym przypadku mosfet nie będzie w pełni otwarty ze względu na występowanie sprzężenia zwrotnego które ustabilizuje punkt pracy w zależności od prądu drenu.
To oczywiście zależy od sklepu, ale nie powinno być problemów, MOSFETÓW jak mrówek, byle by się zgadzało napięcie pracy 650V i prąd drenu, układ wyprowadzeń zazwyczaj standardowy, ale też warto zwrócić uwagę.
To jest tranzystor mocy MOSFET. Dren-źródło -100V, prąd drenu 120A w impulsie, moc drenu max 25W. - takie dane ma FS30KMJ-2. Może Gembara w Poznaniu ma taki albo zamiennik. Sprzedaje wysyłkowo. A MOSFET-y mocy ma, bo kupowałem
DMP2305U P-MOSFET Napięcie dren-źródło-20V Prąd drenu-4,2A Moc rozpraszana1,4W ObudowaSOT23 Rezystancja w stanie przewodzenia0,06Ω cena 30..80gr
Spalonym elementem jest tranzystor PQ2 - AO4414. Będzie pasował dowolny N-MOSFET (obudowa SO8/SOIC-8) o prądzie drenu nie mniejszym niż 8,5A.
Jako podwójną diodę można zastosować MBR1545. Dosyć popularna i dostępna w większości sklepów. Tranzystor też można czymś zamienić. Kryteriami są prąd drenu, rezystancja kanału i maksymalne napięcie pracy.
tak P-MOSFET Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło -30V Prąd drenu -4,3A Moc rozpraszana 1,4W Obudowa SOT23 Napięcie bramka-źródło ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia 48mΩ Montaż SMD Ładunek bramki 4,6nC Rodzaj kanału wzbogacany
A o którym rezystorze mowa ? http://teslacoil.pl/elektronika-ogolna/d...
Mx moc strat w przedziale temp. -45°C - +60°C - 200mW (przy temp. > 60°C mx moc strat zmniejsza się o 2 mW/°C) Mx prąd drenu - 30 mA
Kiedyś te tranzystory były w ofercie TME. Dzisiaj są słabo dostępne w kraju - google prawdę Ci powie. Ewentualne zamiennik AP9575GH - np. NTD5867 https://www.tme.eu/pl/Document/0fd388cbe... https://www.tme.eu/pl/details/ntd5867nlt... Na przyszłość które parametry są najważniejsze...
Ścieżki na pewno trzeba pogrubić poprzez pocynowanie, lub lepiej dolutowanie przewodów wzdłuż. Jakbyś przeczytał dokładnie notę katalogową, to byś się dowiedział, że podawany tam prąd drenu 202A jest prądem teoretycznym, maksymalny prąd wynikający z rodzaju obudowy to 75A. Obudowa TO-220 ma nóżki o grubości ok. 1mm, prąd 30A dałoby się przez to przepuścić...
Sprawdz , wymień rezystor od nogi 2 układu TDA4605/3 w typowych aplikacjach ma 240k-330k , pracuje w układzie symulacji prądu drenu , jeżeli zwiększy swoją wartość uwala BUZ-ta.
Tranzystor to BSO080P03S. Jest to 30-woltowy P-MOS o prądzie drenu 14,9A i Rdsmax 8mΩ. Od biedy można zastosować zamiennie ten: http://www.kocham-basie.pl/ap4435-ap4435...
Sprawdzałem w nocie katalogowej IRF530 jak i IRF 9530 powinny sobie poradzić z takim napięciem. Kolego W czasie wyłączenia napięcie na Bramce wzrasta do 36V co ubija tranzystor. Prąd drenu i napięcie żródło-dren to 2 z 10 parametrów które determinują zastosowanie elementu.
Na charakterystyce tranzystora wyznaczamy punkty pracy, na przykład tak: https://obrazki.elektroda.pl/3335350000_... Widać stąd, że dla napięcia bramki VGS > 4 V i prądu drenu ID = 3 A, spadek napięcia na tranzystorze nie przekracza 1 V, ponieważ spadek napięcia jest ograniczony tylko rezystancją kanału i doprowadzeń. Moc tracona...
Pomiędzy wyjściem PWM z atmega328p a bramką tranzystora jest układ na transoptorze zapewniający 5V. Jeszcze gorzej, jeszcze wyższa rezystancja wewnętrzna. Transoptor 6n137. Przy 5V prąd drenu tranzystora to około 4A, więc te 5V powinno wystarczyć na bramce. Lepiej obejrzyj przebiegi na bramce i na drenie. Dlaczego ograniczyłeś to napięcie? W twoim...
Witam Mam za niedługo exam z analogówki i mam mały problem z zadaniem ... Chcę obliczyć prą drenu... Doszedłem do tego że: Ur1+Ubc-Ugd=10 V -10=Urs+Uds+Rwy Jednak nie potrafię dojśc do tego Id..
Tranzystor jest uszkodzony i będzie sie uszkadzał bo go przeciążasz. Tranzystor ma obudowę SOT-23 a ty zmuszasz go do pracy liniowej z prądem 1,7A. Moc strat może osiągnąć kilka watów, podczas kiedy maksimum jest poniżej 0,2W. Pracował bez diody więc trudno powiedzieć, czy uszkodził się od przepięcia czy od za dużej mocy. Zapewne uszkodził się szybko...
Zbuduj może najpierw mostek na 5A. Poznasz problemy i nabierzesz doświadczenia. 60A to nie przelewki można zrobić sobie krzywdę. PCB także będzie baaaardzo istotne. Słowa klucz: - drivery MOSFET, - pojemność bramki Total Gate Charge, - rezystancja złącza Drain-Source On-Resistance - napięcie przełączenia bramki Gate Threshold Voltage - prąd drenu Drain...
Wystarczy na bramce >3V Nie pisz nieprawdy ! ! ! Wszystko zależy od wartości; prądu drenu i napięcia dren-źródło: http://obrazki.elektroda.net/67_12069811...
Heh, sam się wpuściłem w maliny :oops: Krajowe katalogi podają maksymalny prąd drenu oraz prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu bramki natomiast fabryczne karty katalogowe podają "gate curent" czyli prąd diody utworzonej przez bramkę i źródło bądź dren spolaryzowanej w kierunku przewodzenia. Przepraszam za wprowadzenie w błąd :oops: Nie sądzę aby...
Mam ładowarkę PLGK12A1 (12V /2.4A ) tam jest tranzystor o oznaczeniu SMF5N65 EJXLB: https://obrazki.elektroda.pl/1844705600_... Karta katalogowa : https://obrazki.elektroda.pl/8541684500_... Myślę, że w Twojej będzie bardzo podobny, główny parametr to ciągły prąd drenu =5A
Co wybrać i jak to poprawnie podłączyć? Po prosty weż Nchannel a przegladając parametry zwróć uwagę na kilka tylko: 1. U przy którym mierzono Rson < Vcc - 0.5V 2. Rdson jak najmniejszy 3. Prąd drenu > od max wymaganego 4. Nie sugeruj się Vgs patrz na Vrdson
Mam kilka metrów kabla do obciążenia, może to przez tą indukcyjność To ma wpływ tylko na prąd drenu, bez wpływu na bramkę. Tek kilka V na drenie pomnożone przez prąd obciążenia to właśnie straty w stanach przełączania i to one najbardziej grzeją tranzystor.
Celem porównania są prądy drenu Id i napięcia dren-źródło Vdss.Prądowo są zbliżone parametrami , napięciowo IRL2203 jest tylko do 30V ale większego napięcia raczej w aucie nie uzyskasz ;). Można użyć IRL2203N. L1 to nie cewka a dławik ! Musi być o odpowiedniej obciążalności prądowej(nie mówiąc o indukcyjności :) ) . Nie wiemy jaką z zasilacza ATX chcesz...
Np. IRF520N http://www.tme.eu/pl/Document/de8c643741... - niskie Ciss, Rdson i moc wystarczające. Takie elementy trzeba dobierać jako kompromis. Tu niepotrzebna jest duża moc/prąd drenu (a im one większe tym większa pojemność bramki Ciss). Będzie potrzebny radiator o Rthsa=10-15 K/W. Aha, C7 może mieć wartość kilkaset...
ok dzięki czyli jest poprawnie, zastanawiałem się tylko bo na prąd drenu tranzystora unipolarnego jest wzór Id= Idss Proszę ... zadanie jest proste i zasadza się na napisanym przez Ciebie warunku równości prądu kolektora tranzystora bipolarnego z prądem źródła/drenu tranzystora unipolarnego. Wartość tego prądu wyznacza tranzystor bipolarny, a tranzystor...
Vds dla tego tranzystora wynosi 40V Wskaż kartę katalogową która to potwierdza. A zwłaszcza przy zerowym napięciu na bramce. również -Vgso, -Vgdo wynosi 40V a Igmax- 50mA To się prawie zgadza. Prawie, bo karty katalogowe podają maksymalne -Vgs i Vdg jako 35V Idss nie jest maksymalnym prądem drenu tylko prądem nasycenia ds. W tych tranzystorach nie...
Witam Przestały mi działać modele MOSFET-ów. Niektóre wykazują zwarcie G-S a ogólnie prąd drenu nie płynie. Przećwiczyłem różne kombinacje i nic. Czy ktoś miał podobny problem? Pozdrawiam Zbych
W dokumentacji układu IRF4905P jest napisane, że Vgs progowe to od -2V do -4V i faktycznie tak było jak sprawdzałem empirycznie wiec -5V powinno wystarczyć. Napisałem, że zależy to od prądu drenu. W dokumentacji jest m.in. taki obrazek: http://obrazki.elektroda.net/54_12486381... Pozdrawiam.
Żarówkę 5W można spokojnie zastosować, MOSFET'y mają dopuszczalne prądy drenu kilka÷kilkadziesiąt A (zerknij do katalogu :D ). Kondensator ładuje się prawie natychmiast po zwarciu S1 (swoją drogą, to powinienem narysować w szereg z przełącznikiem niewielki rezystor ograniczający prąd ładowania), o czasie "podtrzymania" już pisałem. Gaszenie żarówki...
A da się jakoś wyliczyć tą granicę z parametrów tranzystora? Coś czuje, że będzie to miało coś wspólnego z pojemnością bramki mosfeta i możliwościami prądowymi pinu procesora. Mam racje? Tak właczanie MOS'a miożna podzielić na trzy etapy 1. Ładowanie Cgs - powoduje tylko opóźnienie ponieważ prąd drenu naral jest 0, 2. Ugs osiąga wartość progową i zaczyna...
Witam! Ad1. Tak. ...w książkach jest napisane ze jak temperatura rośnie to prąd maleje. To, dlaczego w niektórych wzmacniaczach mocy stosuje się kompensacje temperaturowa a w innych nie. Książki, w których tak pisze, podaruj wrogowi na imieniny. :P To jest powierzchowna i blędna z gruntu "wiedza". Doświadczalnie stwierdzono i wykazano teoretycznie z...
Niestety nie mogę pomierzyć żadnych napięć sterowania mosfetami w układzie. Jakiekolwiek miarodajne pomiary w tym układzie mogą być wykonane jedynie oscyloskopem. Co do testowania tranzystorów. Piszesz, że mają 220... Czego 220, przy jakim napięciu bramki? Pobierz notę katalogową IRF-a i przyjrzyj się charakterystykom, wstaw w obwód drenu obciążenie...
Słyszałeś o Prawie Joula-Lenza :?: Porusza ono wydzielanie ciepła E=I²Rt. Tranzystor mocy jest w stanie pozbyć się pewnej ilości ciepła jakie wytwarza się na jego złączu przy przepływie prądu. Jak widać ta energia zależy od czasu i kwadratu prądu. Przy bardzo krótkich czasach przepływu prąd może być znacznie większy niż ciągły co obrazuje charakterystyka,...
Zacznę od tego że oscyloskop ustawiłeś tak żeby nie było nic widać, dane wyeksportowane do excela to potwierdzają, mała rozdzielczość i duże szumy - próbowałeś rozciągnąć w X i w Y ale to trzeba było zrobić na oscyloskopie - na ekranie ma być widać to co chcesz zobaczyć, jeśli nie da sie ustawić tak żeby wszystko było widać na raz to trzeba powiększyć...
CZY przez MOSFET 4 popłynie prąd od źródła do drenu, jeśli bramkę cały czas będziemy podtrzymywali napięciem umożliwiającym pełne otwarcie? W tym trybie pracy już nie regulujemy PWM, a jedynie zostawiamy MOSFET4 na stałe otwarty. Dobiorę MOSFET jakiś o małej rezystancji w stanie otwartym typu kilku mR, co powinno dać podobnie niewielki spadek napięcia....
1. PQ9 to nie dren, tylko tranzystor MOSFET - dren jest jednym z wyprowadzeń tranzystora tego typu (tutaj nóżki 5-8). 2. Rezystancji nie powinno się mierzyć pod napięciem. 3. Podane objawy i ustąpienie ich po zamianie PQ9 wskazują, że tranzystor był przywarty między bramką a źródłem - zatem jest on do wymiany. 4. PQ9 jest to tranzystor AO4407 - będzie...
IRF2905 też powinien działać. Ogólnie każdy N-kanałowy z prądem drenu powyżej 50A, tylko sterowanie logic-level.
Sprawdziłem ten tranzystor UDS=55V i ciągły prąd drenu 33A Ron=0,022 om, także dla I=4A moc wytracona w tranzystorze P=I*I*R czyli P=4*4*0,022=0,35W więc i nawet radiator nie będzie konieczny. Koniecznie natomiast zastosuj diodę zwrotną (zaporową ) na pompce. Jest to element indukcyjny i przy wyłączaniu tranzystora wygeneruję się na nim przepięcia które...
(at)krzychum zajrzyj sobie w dokumentacje tego tranzystora i zobacz na prąd drenu w funkcji napięcia bramka-żródło. Wyjdzie z tego że masz dość wąski zakres napięć sterujących realnie wpływających na prąd drenu i dlatego ciężko jest zrobić taki układ dobrze na pojedynczych elementach. Do tego jak zmieni się temperatura też możesz mieć kłopot. ps. to...
Jeszcze rezystancję w stanie włączenia, czym mniejsza tym lepiej. I ważny prąd drenu - tu masz 68A przy 25st, a 35A przy 75st. Moc 24W.
Dzięki 78db78! Z tego, co widzę, to ten MOSFET, który wysłałeś, ma prąd drenu 80 A, a mój ma 6 A. Nie będzie to problem, że jest większy? Z góry dzięki za odpowiedź. Pozdrawiam
Witam! Możesz zmierzyć napięcie przebicia w klasycznym układzie przy Ugs=0V (bramka zwarta do źródła). W obwód D - S włączony szeregowo rezystor ograniczający z mikroamperomierzem i zasilaczem o regulowanym napięciu, a równolegle do D- S woltomierz. Przebicie jest wskazywane przez wzrost prądu drenu powyżej poziomu Idss (zajrzyj do katalogu: dla tej...
Sądząc po druku tam nie ma wysokich napięć. Wygląda na obudowę SOT223-4. Część producentów oznaczała swoje tranzystory umieszczając oznaczenia typu ...10N04... dla napięcia np. 100V i 4A prądu drenu. Pojemność bramki 1,5nF wskazuje na dość duży prąd drenu - powiedziałbym powyżej 5A. Z drugiej strony ścieżki na taki prąd byłyby szersze. Jeszcze pozostaje...
Właśnie cała sztuka polega na tym aby wszystko było jak najbardziej zgrane z sobą. Trafa za mocnego nie ma. Można tylko trafo przeciążyć. Ale tymi tranzystorami tego nie zrobisz. Z tego co mówisz to możliwość jest tylko jedna-rozerwie Ci tranzystory jeżeli przekroczysz ich maksymalny prąd drenu, lub przekroczysz makxymalną temperature złącza tranzystora...
Jak powinno się zatem dobierać odpowiedni rezystor To zależy od częstotliwości kluczowania. który parametr mówi o optymalnym napięciu na bramce? Vgs(th) dla tego tranzystora może być w zakresie 2-4V, Vgs(th) jest to napięcie przy którym tranzystor prawie nie przewodzi (250uA), 5V to za mało żeby uzyskać pewne całkowite załączenie każdego egzemplarza...
Ritter- jaki tranzystor (z niedrogich i w miarę dostępnych/ TME) - byłby lepszy? (pytam z ciekawości) IPD031N03LG, AOT2144L, ... . Ten MOSFET uciągnie max 92A przy Vds 10V. Próbowałeś kiedyś przesłać wyprowadzeniem obudowy TO-220 90A :) . Spróbuj! Nawet w obudowie TO-247 byłoby to mało możliwe. Dlatego przy maksymalnej wartości prądu jest w malutkim...
zakłądając że tranzystor Q2 poprawnie pracuje przy napięciach CE 0-30V to jest w stanie sterować Ugs Q1 w pełnym zakresie jego pracy liniowej czyli np 2-7V. Napięcie nasycenia Q1 jest nie istotne dla prądu płynącego przez R4 czy jednak istotne? jaki będzie w takim razie będzie przybliżony prąd I1zakąłdajac brak zmiany temperatury? Jeśli tranzystor...
Założyłem normalną konstrukcję budzika i wykorzystanie napięcia zasilania do napędu wbudowanego brzęczyka. Stąd przy zasilaniu w/g Autora wątku 4,5-5V tranzystor w wersji "logic level" nie będzie mieć problemów z pracą. Dodatkowo duży prąd drenu oznacza najczęściej małą rezystancję włączenia. Nawet 120dB brzęczyki piezo biorą stosunkowo mały prąd:...
zaproponuj teraz odpowiedniki w postaci tranzystorów n-mos Oczywiście, chętnie zaproponuję odpowiedniki tranzystorów N-MOS, które spełniają Twoje wymagania dotyczące prądu drenu (15A) i jak najniższego RDS(on). Oto trzy propozycje: 1. Infineon Technologies - BSC050N03LSG: - Prąd drenu (ID): 50A - Napięcie VDS: 30V - RDS(on): 3.1mΩ (typowe) przy VGS...
Z tego co ustaliłem to Ve jest to spadek napięcia na Re Czyli właśnie napięcie na emiterze. Bo napięcia mierzymy względem masy Tak samo Vg to napięcie na bramce równa się spadkowi napięcia na R2 Vs to napięcie na źródle równe spadkowi napięcia na Rs Ic to prąd kolektora a Id to prąd drenu R||R oznacza równolegle połączone I wzmocnienie oznaczamy literką...
Najczęściej wymagania kluczowe to te wytrzymałościowe - dopuszczalne napięcie DS tu 75V, dopuszczalny prąd drenu tu 120A, dopuszczalna moc admisyjna tu 370W. Ten tester tylko zidentyfikował wyprowadzenia, ocenił parametry niskomocowe - tu napięcie odcięcia i pojemność wejściową bramki. Pytanie jakie parametry są potrzebne?
między bramką a dolną bramką jest kanał, bramka jest na całej szerokości struktury, w diodzie to jest niewielki obszar, nienachodzący na brzegi. Właśnie tego bym tu się obawiał. Jest duże prawdopodobieństwo, że kanał powstanie w taki sposób, że warstwa zaporowa jaka powstaje pod "bramką" tj. dawną anodą nie będzie miała wpływu na prąd "drenu".
Częściowe - "zgrubne" wyjaśnienie podałem w poście nr 5. Na pełny opis działania tranzystora J-FET i tego układu brak tu miejsca - proszę doczytać. Czy muszę wiedzieć coś więcej na temat tego parametru? Owszem, równoważnym parametrem jest Idss, trzeba wiedzieć jak działa taki tranzystor, jak się go polaryzuje i dlaczego. Jeżeli sygnał z "gitary" ma...
Witamy Marlenę80 z kolejnym problemem :). Ta słynna "rampa" o którą się pytasz z angielska to jest iµ gdzie iµ=(Uz/Lp)*ton dla Ir=0 Id =Ir+iµ Id - prąd drenu gdzie Ir=(Uz*n²)/Ro Ro- obciążenie; Uz-zasilanie przetwornicy; Lp -indukcyjność uzwojenia pierwotnego jednej połówki, ton - czas przewodzenia klucza MOSFET. Pytasz, dla którego...
Gdzie są o założenia do projektu? Nie ma! Stąd tylko kilka słów kluczowych. 1.Generalnie oprzeć trzeba projekt o transformator z rdzeniem ferrytowym (na każdej połówce jedno uzwojenie). 2. iµ = (Uz/Lp)*ton Lp zależy od Al zależy od szczeliny gdzie;Uz - zasilanie przetwornicy, Lp - indukcyjność obwodu pierwotnego, ton - czas przewodzenia klucza...
Generator na pasmo fal długich i pasmo p.cz. 465 kHz możesz sobie sklecić w pół godziny na podstawie np. artykułu z Radioelektronika 1988, nr 6, str. 11 "Uniwersalny oscylator o sprzężeniu źródłowym". Generator składasz na czymś lepszym niż niskoprądowe BF245 (bo na nich lubi nie wystartować), a szukasz czegoś z gatunku BF246A, BF247A, które są z grupy...
W sieci brak jakichkolwiek danych na temat tego tranzystora (CRTM024N03L2G) poza prądem drenu (170A) i napięciem Vds (30V) więc dobranie 100% zamiennika jest niemożliwe.
Zamiast Fetów BF/xxx zastosuj J 310,nie będzie problemów doskonały do generatorów. Dostaw do tego FLL (najtańsza stabilizacja częstotliwości cewkę nawiń stabilnie ,najlepiej na ceramice. Dostawienie FLL (patrz moje posty) da ci to dobową stabilność generatora ok 100Hz (ważne jak to wykonasz /montaż) za ok 30zł stosuje do stabilizacji częstotliwości...
No widzisz i zabrakło tabliczki aby wiedzieć jaka moc pobiera ta ładowarka..... Ale nic to znalazłem że jest to 95W co przy napięciu sieciowym 230VAC powinno dać nieco poniżej 500mA prądu skutecznego. I teraz zakładając że jest to zasilacz typu flyback , czyli najbardziej prawdopodobny rodzaj , wnioskuje trochę na nos że równoległe połączenie R9 i R10...
Albo masz uszkodzony tranzystor albo zamieniłeś źródło z drenem i prąd płynie przez diodę zabezpieczającą.
Z danych, które porównałem, większość tych tranzystorów, począwszy od oryginału, który był założony (04n60s5), później 07N60S5, który spaliłem, i teraz zostaje albo BUZ90, który mam na stanie, albo T12N60, który kupiłem - on niby ma być dobry, tylko wolniejszy... Co zauważyłem, oryginał (firma "Infineon") miał prąd drenu "Id" 5,5 A, a często jest tylko...
Sprawdziłem. Mam jednak typ 2N7002 (ok. 1500szt.) . Ma on jednak trochę mniejszy prąd drenu 300mA ( w stosunku do 2N7002P- 360mA).
E-papieros i prąd 50A! Tą fajką to chcesz słonia okadzać? Przy 3V i 50A to otrzymujemy moc 150W, zakładając sprawność na poziomie 80% rezystancja doprowadzeń i tranzystora nie mogła by być większa niż 12 mΩ... to wszystko w poręcznym urządzeniu...
Nie wiem po co ten dławik, wydawało mi sie że generacja następuje wskutek zasilania obwodu LC poprzez tranzystor podpięty pod ten obwód, tak aby drgania nie gasły, może się mylę. Chyba się nie mylisz, tylko bez dławika tranzystor nie będzie pracował, bo nie popłynie prąd drenu. Od wykonania tego dławika może zależeć np. amplituda sygnału, dlatego może...
IRF3205ZS ma 6,5 milioma oporu przy Vgs 10 V. P32N055 ma 25 milomów oporu przy Vgs 10 V. Niespodzianek nie ma, zastępnik ma wyższe napięcie Vds, większy prąd drenu, większą moc strat i mniejszy opór. NADA SIĘ jeżeli pasuje obudowa. To już sobie przymierzysz. Jako bonus będzie mniejsza moc tracona w tranzystorze i to tak 4 krotnie.
Ten nie będzie się grzał. RDS(on) max ((at)VGS = 2.5V) 5.2 mΩ Przy prądzie drenu 10A i 2,5V na bramce moc strat z powodu spadku napięcia na Rdson nie powinna przekroczyć 0,6W. Nawet nie ma porównania do tego co masz obecnie. Możesz zresztą do drenu dolutować kawałek blaszki albo grubego drutu miedzianego, może być sklepany na płasko młotkiem.
Wszystko zależy od tego jaki mieszacz zastosujesz i jaka będzie jego oporność wejściowa. Wracając jeszcze do samego wzmacniacza na wtórniku źródłowym. Nie osiagniesz 1/2 U zasilania na oporniku źródło masa, ponieważ prąd dren-źródło będzie się zmieniał. Prąd drenu zawsze zależny od wzmocnienia tranzystora. Jakbyś nie zmieniał wartości tego opornika...
czasem warto pójść do źródła: IRF7413 -> http://www.irf.com/product-info/datashee... IRF7413Z -> http://www.irf.com/product-info/datashee... wychodzi na to że ...Z jest najnowszą produkcją , troszke lepsze parametry (ale dokładne sprawdzenie wymaga wgłębienia sie w dokumentacje bo IRF to utrudnił np. na pierwszy rzut...
czyli prad drenu jest proporcjonalny liniowo do napiecia Ugs ? W obszarze Triodowym dla małych napięć Uds tranzystor można traktować jako liniowo sterowany rezystor, gdzie jego prąd ( prąd drenu Id ) jest proporcjonalny do Ugs.
Na pewno nie można stosować zamiennie. Poszczególne typy mają przeróżne parametry dynamiczne. Ponadto problemem w tranzystorach unipolarnych jest na przykład pojemność bramki (szczególnie istotne przy dużych częstotliwościach). To, co jest raz zaletą innym razem jest wadą i koniec. Nie wiem jakie parametry masz na myśli (pisząc, że: lepsze), ale domyślam...
prawidlowe wzmocnienie w tym ukladzie mam okolo 65V/V czyli okolo 36dB I dużo więcej raczej bym się nie spodziewał. Przy ponad 100MHz uzyskuje się przy tych tranzystorach wzmocnienia zwykle do 20dB. Nie bardzo bo jezeli pojde w strone napiec dodatnich zwiekszy mi się prad Id i wtedy musze zmniejszyc Rd bo znowu Uds bedzie ponizej 4V aktualnie mam prad...
Mam do wymiany 2 N-MOSFET'y 8N60ZUT. Jeden ma pełne zwarcie D-S w obie strony, drugi ma pełne zwarcie w każdą stronę we wszystkich kombinacjach między 3 nóżkami. https://obrazki.elektroda.pl/6496538600_... Do rzeczy - na co zwrócić uwagę dobierając zamienniki? Napięcie D-S, prąd drenu, rezystancja D-S, coś jeszcze?
Wydłubałem z jaiegoś starego urządzenia, nie był to dokładnie taki sam tranzystor. Dokładnie nie pamiętam jaki był wstawiony. Nowy miał mniejszy prąd drenu ale działa do dzisaj.
Jak widzę dzielnik napięcia 1:2 na bramce i 5 mA prądu drena przy" Rdson rzędu miliomów" to się zastanawiam po co ci taki MOSFET jeśli wystarczy ci 5 mA, zwykły bipolarny spełni twoje wymagania i będzie pewnie działać.
Mosfet-N z rezystorem pomiędzy : bramka do pin9 = 1k bramka do źródło (czyli GND) 47k Tranzystor typu Logic Level, z UGS poniżej ~4V, prąd drenu i rezystancja otwarcia w zależności od poboru prądu.
irlz44 wg datasheetu otwiera się w pełni przy 2V Nie, przy Vgsth=1V-2V tranzystor jest jeszcze zatkany. Tak naprawdę każdy egz. tego tranzystora na pewno jest całkowicie otwarty przy Vgs=5V, przy 4V jest prawie całkowicie otwarty, a typowo jest otwarty dla Vgs=2,5V. uC zasilany jest z 5V? Jeśli temp. rośnie do ok. 80stC, t.zn. że ΛT=55stC=Rth...
O prądzie decyduje rezystor w drenie (lub w emiterze), spadek napięcia na nim zawsze będzie około 0,6÷0,7V, tyle ile napięcie baza-emiter tranzystora pomocniczego, a ten tranzystor z kolei zawsze skutecznie ograniczy prąd drenu. W przypadku dużego prądu zawsze jest potrzebny radiatorek zarówno na tranzystor, jak i na LED.
AVE... Ale, ale, Tyś zapomniał, że od ciepła w tranzystorze zależność Id od Vgs też się zmienia. I rezystancja Rdson też. Tak że nie można sobie zostawić sztywnego napięcia bramki i oczekiwać sztywnego prądu drenu. Do tego zależność Id od Vgs jest nieliniowa i różni się między poszczególnymi tranzystorami. Wypadałoby tę charakterystykę zbadać dla danego...
a może da się je jakoś sprawdzić? Na czym polega problem? W badanym tranzystorze łączysz bramkę ze źródłem rezystorem 10 ÷ 51K. W obwód drenu włączasz np żarówkę o niewielkiej mocy (może być rezystor ale po żarówce widać czy płynie prąd - jest tu wygodniejsza). Tutaj badasz tranzystor wysokonapięciowy więc możesz wykorzystać napięcie sieci. Wylutowany...
Albo ja nie zauważyłem, albo nikt tu nie wspomniał o diodach "lawinowych" (avalanche diode), które specjalnie do takich rzeczy są, czyli do tłumienia przepięć z indukcyjności. Kolejna rzecz, możesz też zapobiec szybkiemu narastaniu napięcia na indukcyjności przez płynną zmianę prądu, a nie skokową, jak zresztą zostało to już powiedziane. A można to...
Płytka nie wygląda tragicznie. Jeżeli nic się nie grzeje jakoś specjalnie przy dłuższej pracy to raczej większego ryzyka nie ma. Częstotliwość bym obniżył. Ogólnie z częstotliwością PWM przy przełączaniu obciążeń jest jak z za krótką kołderką...albo zimno w głowę albo w nóżki. Jak częstotliwość jest za niska to może być słychać ale tu bym nie demonizował-...
Na etapie projektowania płytki, nie ma znaczenia jakie nazwy mają zastosowane tranzystory. Musi się tylko zgadzać topologia nóżek. Bullshit. Ja projektuje te schematy, według których h0miczek robi płytki. Nic nie dobiera się "po fakcie". Co z gościa za konstruktor? 95% decyzji podejmuje się na etapie schematu, konsultując to namiętnie ( ;] ) z projektantką...
I czy produkt FQPF10N60C Fairchild Semiconductor uważasz za podróbkę jak jeden tu z kolegów Za podróbki uważam tylko te nowe kupione, w tym samym układzie mierzyłem ponad 20 różnych, były tam też FQPF wylutowane z modułów i one miały Rds(on) poniżej podanych w katalogach wartościach. Nie chodzi o dokładność pomiarów. błąd niech będzie nawet 20%. Układ...
25A to zapewne wytrzymałosć prądowa styków, a sam tranzystor pewnie będzie miał prąd drenu na poziomie 50A lub nawet więcej.
1. OP07, jak się okazuje jest "EXTREMELY LOW OFFSET". Napięcie niezrównoważenia wynosi tu max 150µV, więc choć istnieje taka możliwość widać, że nie ma konieczności równoważenia takiego układu. Można dodać kalibrację i równoważenie za pomocą uC. Ja zastosowałbym potencjometr, ale to już raczej kwestia gustu. 2. W uC po konwersji A/C należy przeprowadzić...
Oczywiście,że tranzystory IRFP240 możesz zastapić IRFZ44.Ten ostatni jest nawet "lepszy" na większy prąd drenu oraz mniejsza rezystancję dren-zródło.
AVE... Załóżmy budowę prostej przetwornicy, na przykład klasycznego Boosta z 5V do 15V, ze sprzężeniem realizowanym programowo z pomocą ADC. Załóżmy dalej częstotliwość PWM równą 200kHz, a częstotliwość próbkowania ADC na 50ksps. Jeden kanał ADC mierzy prąd drenu tranzystora przełączającego, drugi napięcie na wyjściu. Jeśli ustawimy odpowiednio przerwania,...
układ wspólnego drenu prąd przemienny prąd stały prąd zmienny prąd stać
robota kuchennego mercedes stacyjki sprinter transformator ferrytowy
stabilizator lm7812 stabilizator lm7812
Szlaban CAME - ramię opuszcza się mimo przesłonięcia fotokomórek Punkty masy w BMW X5 E53 4.4 przedlift - lokalizacja i konserwacja