W google masz po wpisaniu parametrow katalog. Moc, rezystancja zlacza i napiecie bramki glownie.
To żadna wada, jak ciągle ta rezystancja jest bardzo mała.
Tranzystor jest uszkodzony i będzie sie uszkadzał bo go przeciążasz. Tranzystor ma obudowę SOT-23 a ty zmuszasz go do pracy liniowej z prądem 1,7A. Moc strat może osiągnąć kilka watów, podczas kiedy maksimum jest poniżej 0,2W. Pracował bez diody więc trudno powiedzieć, czy uszkodził się od przepięcia czy od za dużej mocy. Zapewne uszkodził się szybko...
Witam, Mosfet to: IRF3205 obawiam się, że nic z tego nie będzie, Twój tranzystor jest specyfikowany dla napięcia Vgs = 10 V, a z akumulatora będzie około 3 V. Musisz poszukać tranzystora typu "logic level mosfet" o możliwie małym napięciu progowym i możliwie małym napięciu, dla którego jest podawana statyczna rezystancja kanału. Pozdrawiam
Dlaczego zastosowałeś zestaw tranzystorów mosfet Ponieważ prawidłowo wysterowany i dobrany tranzystor MOSFET ma małe Rds(ON). Stąd dobrze nadaje się w roli łącznika w tym przypadku. Można dać oczywiście również przekaźniki. Nie jest to jednak urządzenie od którego wymagamy niskiego błędu granicznego, stąd nie ma sensu się w to bawić. Przełączalne rezystory...
zasilaniu 3V3, w którym będę używał n-mosfetów Znajdź najpierw MOSFET który będzie w pełni otwarty przy 3.3V. Zdaję sobie sprawę że taki prąd będzie w czasie t Żarnik halogena 10W rozgrzeje się szybciej niż MOSFET się spali.
(...) lektrodaBot Czy tranzystor IPD60R280P7ATMA1 jest zamiennikiem 60R360Q (w katalogu polskiego sprzedawcy ten oryginał to IPD60R360P7 - co prawda bez indeksu Q na końcu) Może ktoś z kolegów pomoże? ``` Bezpośrednia odpowiedź IPD60R360P7 (600 V) i 50R380P (500 V) to tranzystory z tej samej rodziny Infineon CoolMOS P7, o zbliżonej rezystancji RDS(on)...
I dlatego powstały IGBT IGBT stosuje się tam, gdzie mamy wysokie napięcia, bo wtedy rezystancja otwartego kanału MOSFETów jest na tyle wysoka*, że straty na nich są wielokrotnie większe niż np. na napięciu kolektor-emiter otwartego IGBT. Zależność między mocą traconą na elementach przełączających jest prosta: P = I^2 * RDSon (dla MOSFET) P = UCEsat...
Ok dzieki a jeszcze jedna rzecz skoro utworzy mi się kanal w mosfet to czy napięcie na S zejdzie mi z 0.7V na wartosc spadku napiecia na Rsd Tak, napięcie spadnie do wartości bliskiej zeru. Jeden stan pracy tego układu W stanie spoczynku tzn. kiedy urządzenia zasilane 3.3V nic nie nadają nie wystawiają żadnych stanów niskich tak samo urządzenia zasilane...
co do rezystora to poszukam po zdjęciach z płyt to może się uda coś czytelnie powiększyć Jego rezystancja to 10Ω.
Próg zadziałania przerzutnika ustawia się potencjometrem P1 (mniejsza rezystancja -> niższe napięcie). Napięcie, przy którym następuje zatkanie MOSFET'a zależy również od rozrzutu (dokładności) diody Zenera. Pozdrawiam.
Tranzystory MOSFET nadają się bardzo dobrze do załączania dużych prądów, przy małych napięciach, w takim zastosowaniu mają mniejsze straty od bipolarnych. Przy wysokim napięciu i dużych prądach, mniejsze straty mają bipolarne lub IGBT. W układach analogowych tranzystory JFET i MOSFET stosowane są w układach o małych prądach wejściowych i w kluczach...
Ja robiłem załączanie anodowego, w układzie który był jednocześnie aktywnym filtrem zasilania, był tam NMOSFET podłączony na wyjściu filtra RC jako wtórnik, rezystancja wyjściowa tego filtra była duża kolejny NMOSFET zwierał wyjście filtra do masy wyłączając napięcie Dodano po 45 Przykład takiego układu https://obrazki.elektroda.pl/6836191200_...
L6201 - 3,36v rezystancja 00,2 ohm L6200 - 0v rezystancja 00,2 ohm Ty mierzysz rezystancje cewek czy cewek w stosunku do masy?
Witam, a czemu takie warunki 3V/50A ? Przy takich pradach raczej mosfet ale malo jaki typowy/ogolnie dostepny da ci takie prady przy 3V, trzeba szukac bo sa takie. Tu rezystancja wewnetrzna tez nie do konca bedzie bez znaczenia. Sterujesz PWM czy wprost napieciem 0-5V? Pozdrawiam
Co się stanie jeśli omyłkowo 24V zostanie podane na wejście? Na wejściu ADC pojawi się jakieś 12V. Ten obwód nie zabezpieczy też przed podaniem na wejscie napięcia o odwrotnej polaryzacji. Kilka lat temu brałem udział w projekcie sterownika przemysłowego z zestawem wejść analogowych 4-20mA. Tam zastosowaliśmy następujący układ wejściowy. https://obrazki.elektroda.pl/7633596100_...
http://obrazki.elektroda.pl/9635775800_1... Mikroprocesorowy tester elementów elektronicznych pojawi się w lipcu 2017 w 12-15mA , natomiast w trybie uśpienia wg. opisu 20nA (ale w praktyce wartość prądu powinna być niższa, nie udało mi się zmierzyć wartości prądu w trybie uśpienia). Badany element podłączamy dowolnie pod trzy (lub dwa)...
Niewskazane jest bezpośrednie podłączenie portu Arduino do bramki MOSFET'a - uszkodzenie tranzystora (zwarcie kanału z bramką) grozi zniszczeniem mikrokontrolera. Jeśli nie ma wymagań czasowych, szeregowo z portu 1kΩ a bramka do źródła przez 10kΩ. Pracuję z najróżniejszymi mosfetami w szerokim zakresie prądowym już wiele lat i osobiście nie...
Tylko problem się rodzi z tym że wszystkie pwm mają do 20A max . Jesteś w błędzie, maksymalny prąd wyznacza specyfikacja Mosfeta, a nie PWM. PWM'em możesz sterować nieograniczonym prądem pod warunkiem, że Mosfet to wytrzyma, więc znajdź odpowiedni Mosfet (napięcie otwierania, maksymalny prąd i co najważniejsze maksymalna moc. Przy okazji rezystancja...
Po pierwsze, to wydaje mi się, że niedokładnie przepisałeś symbole i jednostki. Pomieszałeś małe i wielkie litery, możliwe, że V i U też występują zamiennie. Nie mam identycznego testera, więc odrobinę zgaduję, ale raczej się nie mylę... Chyba, że ktoś mnie poprawi :-D Nie da się tutaj tekstu sformatować z indeksami dolnymi, więc wygląda trochę inaczej...
Grzałka ma stosunkowo dużą bezwładność cieplną, więc sterowanie PWM nie musi mieć jakiejś zawrotnej częstotliwości. To upraszcza sterowanie tranzystorem (raczej mosfet) oraz sam wybór tranzystora - jak najmniejsza rezystancja kanału w stanie załączenia. Raczej potrzebne będzie użycie jakiegoś mikrokontrolera, który będzie realizował regulację mocy...
Co to oznacza, że tranzystory bipolarny są sterowane prądowo, a mosfet syn sterowany napięciowo Tranzystor bipolarny jest urządzeniem sterowanym prądowo. Duży prąd kolektora ( Ic ) przepływa przez niego pomiędzy kolektorem a emiterem, kiedy tranzystor jest otwarty. Jednak dzieje się tak tylko wtedy, gdy do bazy wpływa prąd ( Ib ), umożliwiając jej...
Witam wszystkim i dziękuję na wstępie zainteresowaniem niniejszym tematem. Przed kilkoma laty opisałem na niniejszym forum instalację balkonową, która po dzień dzisiejszy zaopatruje w słoneczne dni mój dom w energię. https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3... Z biegiem czasu zmniejszyłem bufor energii z 105Ah na 65Ah czyli prawie o połowę z...
A jeśli pozwolisz, że spytam poza tematem, który parametr tranzystora przystosowanego do pracy liniowej podany w karcie katalogowej odpowiada za "Możliwość jego pracy przy częstotliwości 100kHz" i nagłej pracy liniowej ? MOSFETy da się bardzo szybko przełączać, ale im wyższa częstotliwość tym większych prądów bramki potrzeba, pewnym ograniczeniem jest...
Pomysł z MOSFETem jest dobry, tylko nie IRF510. Poszukaj czegoś tzw. logic level. Zwróć uwagę na parametr Gate treshold voltage, powinien być do 2 góra 2,5V. IRF510 ma 2-4V i po prostu się całkowicie nie otworzy. Z tego wynika duża rezystancja RDS. W efekcie będzie się grzał. Także potrzebny jest dodatkowo MOSFET z możliwie mały RDS, np. poniżej 0,1...
Mój wybór mosfeta to IRFR9024PBF w obudowie DPAK(TO-252) , który przy Vds=-3A wydzieli wg. wykresu z noty 1,5W , rezystory i resztę widać na schemacie Wydzieli więcej bo wykres jest dla temperatury obudowy 25stC a obudowa się nagrzeje przez co wzrośnie Rds(on) pewnie moc strat znacząco przekroczy 2W a tranzystor przekroczy 100stC, jeśli nie musisz...
Co oznacza Vgs pomiaru Rds(on)? Oznacza to, że producent tranzystora gwarantuje , że dla tego lub większego napięcia Vgs rezystancja kanału nie będzie większa niż podane Rdson. Należy również wziąć pod uwagę warunki podane przez producenta, na przykład temperaturę. Oczywiście parametr może być "lepszy", producent gwarantuje jakieś minimum (dla Rdson...
https://obrazki.elektroda.pl/7859949000_... Dostałem 30 uszkodzonych zasilaczy Whitenergy w cenie złomu. Przedstawię tu ich wnętrza oraz spróbuję je naprawić. Jakie będą miały uszkodzenia i co będzie w środku? To się zaraz okaże. Opiszę tu każdą usterkę którą napotkałem. Celem tematu będzie praktyczna prezentacja jak wygląda naprawianie...
Zobacz na napięcie progowe, w przypadku obu 2...4V, napięcie progowe to napięcie przy którym tranzystor zaczyna przewodzić, czyli płynie przez niego 1mA albo 250uA, do tego żeby przewodził jakiś konkretny prąd potrzeba >5V, a żeby nie wszedł obszar nasycenia* daje się 8-12V. Jeśli układ ma mieć dobrą sprawność to napięcie na bramce nie może być za niskie....
Tak masz rację co do rezystancji na MOSFET - obstawiałem że działa ten układ impulsowo wtedy rezystancja miała by wpływ czasy przeładowania bramek. Ale tutaj ewidentnie jest sterowanie napięciowe bez impulsów.
Czyli chcesz wejście zewrzeć do minusa (masy) i uzyskać zwarcie wyjścia do masy przez tranzystor mocy MOSFET? Jakie masz napięcie zasilania? Jeśli dobrze cie zrozumiałem to powinieneś zrobić tak: https://obrazki.elektroda.pl/9946395600_... V+ 7-20V V++ zależne od wytrzymałości MOSFETa może być to samo co V+ RL - rezystancja obciążenia...
nie wiem tylko czy te 2.5V dla MOSFETA to nie za malo aby wartosc rezystancji dren zrodlo byla jak najmniejsza wtedy nie ma tlumienia sygnalu wejsciowego,ale chyba sa MOSFETY gdzie wymagaja malego napiecia na bramce zeby sie mogl tranzystor w pelni otworzyc,wiec mozesz zrobic tak ze podlaczasz dren do 2.6V i po wysterowaniu bramki na zrodle powinienes...
https://obrazki.elektroda.pl/3438385500_... Co elektronik może odzyskać ze starej płyty głównej z komputera? Skąd wziąć dobre tranzystory MOSFET do wysterowania z 5V, z Arduino, najlepiej takie na większe prądy, o małej rezystancji w stanie otwarcia? Można je właśnie odzyskać z takiej płyty głównej - tutaj pokażę jak i przy okazji...
Nie komplikuj sobie układu większą ilością napięć. W tym przypadku wystarczy Ci napięcie wyzwalające 5V (przykładowo z uC) i 24V. Przed tranzystorem mosfet dołóż dzielnik napięcia na dwóch rezystorach ustalając napięcie na optymalnym poziomie -10V. Prąd diody Led wystarczy zapewne 6mA wiec obliczami R2: 24V - ok 2V spadku na diodzie LED = 22V. Otrzymane...
Napięcie zasilania 15V mam podłączone do drenu, układ sterowany pod źródło. Odwróć kolejność. Dla MOSFET ważne jest napięcie VGS. Jeśli masz odbiornik pomiędzy S a GND, to automatycznie wzrasta potencjał S, maleje więc VGS, w efekcie tranzystor się zamyka (rośnie rezystancja kanału). Takie sterowanie jest paskudne, bo wymagałoby boostera, który zadba,...
Chodzi o pojemność bramki. Bramka tranzystora zawiera pasożytniczy kondensator. Jak ładujemy lub rozładowujemy kondensator to potrzebujemy dostarczyć albo odebrać prąd. Ten tranzystor ma dużą pojemność bramki. Aby ją szybko naładować czy rozładować trzeba dać większy prąd. Arduino może mieć problem z dostarczeniem takiego prądu. Jeżeli obniżymy prąd...
Co się "tyczy" temperatury radiatora: Na radiatorze tam siedzą dwa tranzystory i dobrze było by wyjaśnić który z nich przegrzewa się wystawiając BU na osobny radiator przedłużając przewodami jego nóżki. Jeśli grzeje się BU to kombinować trzeba z jego sterowaniem (dławiki, BC ) , z praktyki wiem że najczęściej grzeje się MOSFET zasilacza (po naprawie)...
Witam, Quarz bardzo dziękuję za wyjaśnienie, teraz już jestem w domu. jeszcze tylko jak by mi ktoś powiedział czy IGBT mają większą sprawność niż MOSFET tzn miej tracą mocy to byłbym szczęśliwy. cieszę się, iż znalazłeś swój dom... :D Odnośnie sprawności, w ścisłym tego słowa znaczeniu, to będzie można mówić, kiedy porównamy konkretne typu tranzystorów...
Bootstrap nie może być tutaj zrealizowany z fizycznego powodu - nie ma tutaj klucza na pływającym potencjale ;) Co do charge pump to jest problem w tym, że one dużo mocy nie dostarczają, a o dziwo przeładowanie bramki mosfet trochę tej mocy pochłania. Q * U * f = P_w Czyli dla STD10NM60 gdzie przy napięciu 5V ładunek na bramce to około 15nC a częstotliwość...
Nie moze, ponieważ zauważ, że jak otworzysz t6 i bramka mosfeta zostanie przeładowana do tych 4,5V to tranzystor się włączy, ale ... nie masz jak go wyłączyć. Wyłączysz t6, a napiecie na bramce nie spadnie. Nie ma co go ściągnąć do masy. Ogólnie przekombinowałes. Podłącz bramke MOSFETA do portu atmega tylko za pośrednictwem rezystora. Chyba że z jakąs...
Rezystor - odczytujesz jaką powinien mieć rezystancję. Potem mierzysz ją omomierzem. Jeśli wynik pomiaru mieści się w tolerancji danego rezystora, to jest on sprawny. Zwykle uszkodzony rezystor jest przegrzany i widać to nawet gołym okiem a pomiar omomierzem daje nieskończoną rezystancję ( obwód otwarty ). Termistor - podobnie jak rezystor z tym, że...
Dobrze kombinujesz ale jest jeden błąd w twoim rozumowaniu, da sie go poprawić, wtedy uzyskamy jedno z dwóch powszechnie znanych i popularnych rozwiązań. Mikroprocesor przez adc bada napięcie na kondensatorze, jeśli niższe niż zadane, odtyka mosfet/tranzystor, który doładowuje kondensator (równolegle z kondensatorem wyjście zasilacza) Dzięki temu, że...
mozna dostac MTD3055V; ten IRFR3910 jest ciekawa alternatywa; ze sprawdzaniem mosfeta bylbym ostrozny bo mozna sie nabrac. Lewa noge (bramka) i prawa (zrodlo) mozna podgrzac i lekko odchylic do gory (z wyczuciem bo mozna sciezke z laminatu oderwac) ; srodkowa obcieta noga i "blaszana podstawa" to dren. W czasie pomiaru moze sie zdarzyc ze na bramce...
Wzrasta temperatura termistora -> maleje rezystancja termistora Tak, ale tylko dla termistora typu NTC. Dla termistorów PTC będzie na odwrót, jednakże w tym układzie należy zastosować NTC. Wzrasta więc napięcie na PR1, otwiera się kanał w MOSFET a z węzła "b" płynie prąd źródła T1, i z T1 wypłynie prąd drenu, który dopływa do węzła "c" . Dobrze rozumiem...
Mają one spory zapas mocy... To nie tak czym innym jest moc dostarczona do obciążenia a czym innym moc stracona podrodze w tranzystorze Przykładowo IRF8707 ...oraz diodę zaporową... Wszystkie MOSFET-y mocy ją mają, z prostej przyczyny - nie da sie jej pozbyć. Najważniejszym kryterium przy wyborze tranzystorów MOSFET jest Rds(on) - rezystancja w stanie...
Parametry o których piszesz, to pewnie maksymalne napięcie VDS lub VGS, po którego przekroczeniu nastąpi przebicie. Ciebie interesuje napięcie VGSth, czyli napięcie przy którym następuje przełączenie tranzystora. Tutaj zalecałbym ostrożność, ponieważ często jest to parametr marketingowy. Do poprawnej pracy tranzystor wymaga (niekiedy znacznie) wyższego...
A da się jakoś wyliczyć tą granicę z parametrów tranzystora? Coś czuje, że będzie to miało coś wspólnego z pojemnością bramki mosfeta i możliwościami prądowymi pinu procesora. Mam racje? Tak właczanie MOS'a miożna podzielić na trzy etapy 1. Ładowanie Cgs - powoduje tylko opóźnienie ponieważ prąd drenu naral jest 0, 2. Ugs osiąga wartość progową i zaczyna...
W układzie z diodami gdy rośnie czas ładowania czas rozładowania spada, przez co czestotliwość pozostaje mniej-więcej stała, gdy zmienia sie wypełnienie. W układzie 2 zmienia sie tylko czas rozładowania, przez co częstotliwość bedzie sie zmieniać, w skrajnym górnym połozeniu suwaka potencjometr może zostać uszkodzony. Ponieważ za ładowanie odpowiada...
Oryginalnie rezystancja uzwojenjak mierzylem to ~1R:37R. (po jednej stronie jak sa 3 piny, do dwoch idą 2 druty, do trzeciego pinu jeden. Głowiłem się nad tym ze 2 godziny, jedyne co mi przyszło do głowy, to, że 2 pierwsze piny (oba z przylutowanymi 2 kabelkami) to początek i koniec uzwojenia a trzeci pin (z jednym drutem) to odczep. Te pomiary 1 i...
AVE... MOSFET z niskim Rdson to podstawa w takich układach. Załączanie przełącznikiem, zwłaszcza jak to nie jest dobry przełącznik to prosta droga do zgrzania się styków, przez co układu nie da się wyłączyć, co na bank skończy się uszkodzeniem akumulatora. Ponadto rezystancja samej grzałki powinna być dobrana tak, by nie pobierać z akumulatora lub zestawu...
Witam jak w temacie, wiem że rezystory mogą być podłączane do wejścia mosfeta a drugą końcówką do + lub - zasilania i wtedy ten układ ma sens powoduje że kiedy pozostawiamy w powietrzu pin sterujący to zamykamy tranzystor. http://obrazki.elektroda.pl/1845680600_1... Ale po co rezystor podłączać do wejścia sterującego a drugą stroną do...
Mam problem z wybraniem odpowiedniej wartości dla rezystora na bramce tranzystora n-MOSFET. Do jakiego prądu powinien on ograniczać? 20 mA? Wykorzystuję IRFZ44N, używany jest jako przełącznik.
Witam. Posiadam mosfet IRF3205 i chciałbym go użyć do e-papierosa lecz nie mam pojęcia jaki rezystor zastosować. Próbowałem zastosować rezystor 10k ohm, 20k omh i za każdym razem mosfet się grzał na na wyjściu po obciążeniu przez grzałkę(około 0.45ohm) podawał ~2v gdzie ogniwa naładowane były do 4,2v. Przewody jakie zastosowałem: 18AWG wysoko prądowy....
Witam kolegów zrobiłem układ do przełączania napięć zasilających raz 150V a raz 12V załączane musi! być napięcie a nie masa i mam problem żeby to zrobić na jednym mosfecie spaliłem już chyba ze 20szt tych mosfetów na próbach, czy potrafi ktoś obliczyć te rezystory jakie powinne być aby mosfet się nie palił ?? (mosfet się pali napięciowo bez załączania...
mosfet rezystancja mosfet niski rezystancja zastosowania mosfet mosfet
odpowietrznik pompy kompresora oznaczenie zasila lampa miernik wilgotność gleba
podtrzymanie pamięci kenwood podtrzymanie pamięci kenwood
Audi Q7 4L/4M – auto blokuje i odblokowuje się po 15 km/h, zanik świateł w klapie, przełączanie na zderzak – mikrostyk, wiązka, BCM Kia Cee’d 1.6 Gamma Crankshaft Sprocket Replacement Procedure, Tools, Torque Specs
