Witam, Witam, Od paru dni bezskutecznie szukam rozwiązania dla mojego zadania. Wzorując się na podobnych wątkach na forum próbowałem własnych sil, lecz teraz widzę, ze prawdopodobnie popełniłem błąd przy wyborze oczek, nie wiem jak ugryźć ten obwód, proszę o pomoc :| http://obrazki.elektroda.pl/6513028900_1... Wybór oczek masz poprawny....
Poprawne równania: http://obrazki.elektroda.pl/4736631300_1... A już myślałem, że podejrzałeś u mnie... :lol: Dzięki Quarz za pozytywną krytykę :). Jednym słowem "połknąłeś goły haczyk" ... :shock: :cry: Macierzy już nie liczę bo na "szybko" obliczony prąd I 4 wychodzi jak w poprzednich metodach. A dlaczego by miałoby być inaczej? Postępowanie...
Witam, Witam Mam do kolegów prośbę o pomoc przy poniżej zamieszczonych dwóch zadankach. Męczę się z nimi i nie potrafię zrobić (uzyskać dobrego wyniku). Byłbym wdzięczny za pomoc, gdyż jutro muszę oddać zestaw z zrobionymi zadaniami a tylko tych mi brakuje (resztę jakoś udało mi się zrobić) Dzięki za pomoc. Otóż tak: Co do pierwszego to prawdopodobnie...
..ale wstyd.. Pierwszego zadania miałem nie dawać, bo wcześniej już znalazłem w nim błąd, ale nie poprawiłem go, a później na śmierć zapomniałem. Odnośnie drugiego zadania to domyślałem się, że tam by było łatwiej z MPW, ale w temacie zadania (jest doklejony zbiór zadań do każdego) jest, aby wykonać to za pomocą MPO. Dlatego chcąc robić z tej metody...
Witam, Witam. Podpowiedź. E minus spadek napięcia na rezystancji wewnętrznej, liczone osobno dla każdego źródła, równe jest napięciu na odbiorniku R. Pzdr. dopowiem: należy skwapliwie skorzystać z podanych w zadaniu parametrów obwodu; E1 = E2 = E3 = E i przypomnieć sobie Pomocnicze Twierdzenie o ruchliwości - włączaniu - idealnych źródeł napięcia :!:...
Niestety nie wiem nadal czego może tam brakować. To chyba wniosek jest tu aż nader oczywisty - Twoja wiedza na ten temat jest niedostaczna ... A czy takie przekształcenie tego źródła prądowego jest słuszne? http://obrazki.elektroda.pl/8333133600_1... Jakieś dyrdymały, a gdzie wzory wiążące parametry obwody przed i po przekształceniu? Oczywiste,...
Proszę o pomoc w uzyskaniu definicji twierdzenia o przenoszeniu idealnego źródła prądowego. Twierdzenie o przenoszeniu idealnego źródła napięciowego brzmi tak: (jeśli znalazłem błędne wyjaśnienie, proszę o poprawienie) Jeżeli idealne źródło napięciowe E znajduje się w jednej gałęzi obwodu przynależnej do danego węzła i zostanie przeniesione do pozostałych...
Witam, :idea: chyba lepiej będzie przesunac idealne zrodlo napiecia do innej galezi?? a z tym rezystorem to nie bardzo rozumiem jak sie go pozniej pozbyc. musze to sprawdzic na zadaniu:| jak jest tylko jedna taka gałąź, to nie warto stosować pomocniczego twierdzenia o ruchliwości idealnych źródeł napięcia . W jednym i drugim przypadku stopień układu...
No w sumie wartość omegi nie powinna mieć tutaj nic do znaczenia bo i tak bilans prądów powinien się zgadzać dla każdej częstotliwości (prawo Kirchoffa (prądowe) dla węzła V2 się nie zgadzało). ale, ale, skoro wprowadzasz błąd dla wszystkich obliczeń z niepewnością ok. 0,5% Wydaje mi się że trzeba zastosować metodę eliminacji idealnego źródła (E1)...
Witam, Witam, zacząłem się uczyć na temat MPW i przeglądając różne schematy natrafiłem na taki: http://obrazki.elektroda.net/42_12323926... z dopiskiem ze nie można go rozwiązać MPW. Do końca tego nie rozumiem. Jedyne co mi przychodzi do głowy to fakt że napięcia na węzłach są już określone przez te źródła. Prosiłbym o potwierdzenie/zaprzeczenie...
Witam, a jaki to problem? Równania na MPW należy napisać zwyczajnie jakby owych źródeł sterowanych nie było, a potem należy tylko znaleźć wartości sterujące owych źródeł zakładając znajomość wartości potecjałów węzłów i uporządkować przed rozwiązaniem układu równań. W tym konkretnie zadaniu jest inny problem (haczyk), ponieważ pomiędzy węzłami 1 i 2...
Witam, Tak jak w temacie prosze o rozwiązanie kilku zadań związanych z elektroniką musze je mieć rozwiązane żeby mieć lepsza ocena a nie bardzo to rozumie :( To kto ma mieć tę lepszą ocenę, ja czy Ty? Mnie ona nie jest potrzebna. Jak widzę, to już wyrządzono Tobie tu Niedźwiedzią Przysługę i rozwiązano zadania nr 1, 3 i 4. Natomiast zadanie nr 2 jest...
Witam, Dziękuje za pomoc, mam jeszcze jedno zadanie z serii "artystyczne"Prosiłbym o pomoc. http://www.elektroda.pl/rtvforum/files-r... faktycznie, to tylko strasznie wygląda na schemacie, ale zadanie jest banalne a istniejące tam źródło napięcia sterowane napięciem 0,1•Vs to zmyłka, ponieważ to źródło nie ma wpływu na rozpływ...
Witam, Witam Zostawiłem to zadanie na koniec ponieważ wydaje się najprostsze z tych które wcześniej liczyłem. Mam jednak z nim problem. Należy wyznaczyć prąd I stosując metodę Thevenina nie metodę , a twierdzenie Thevenina - dop. Quarz ]. http://obrazki.elektroda.net/79_12331814... Szukam Et 1) Odłączyłem gałąź gdzie występował prąd I. http://obrazki.elektroda.net/9_123318200...
Witam, Witam. Tak analizuję posty z tą metodą, żeby ją lepiej zrozumieć. E1 + E2=J2'•(R1+R4+R2) - J1'•(R1+R2)-J3'•R2 Poprawny zapis powyższego równania - dla obwodu przedstawionego w moim poprzednim poście - jest taki: E 1 - E 2 = I 2 '•(R 1 + R 2 + R 4 ) + I 1 '•(R 1 + R 2 ) - I 3 '•R 2 , oraz oczywiście: I 1 ' =...
Istnieje twierdzenie o "ruchliwości" źródeł prądowych i napięciowych. 1-Twierdzenie o włączeniu dodatkowych źródeł napięciowych: "W obwodzie rozgałęzionym rozpływ prądów nie ulegnie zmianie,jeśli do wszystkich gałezi należących do tego samego węzła włączymy po jednym idealnym źródle napięcia o tej samej wartości i tym samym zwrocie w stosunku do rozpatrywanego...
zastosowałem metodę wyznaczników i wyszło mi to samo co poprzednio V1=9,71730 i V2=16,67449419 Dodano po 2 jesli równania sa dobrze napisane to ja juz nie wiem. A ten wyznacznik J co to takiego bo moze tam jest bład wyniki powyższe masz poprawne. Zobacz poprawione moje wyniki... biegłym w rozwiązywaniu tego typu zadań to jeszcze nie jesteś, skoro nie...
Równania masz złe.Aby uprościć,skorzystaj z twierdzenia o ruchliwości źródeł: w obwodzie rozgałęzionym rozpływ prądów nie ulegnie zmianie jeśli do tego samego węzła włączymy po jednym idealnym źródle napięcia o tych samych wartościach i o tych samych zwrotach w stosunku do rozatrywanego węzła.To o źródłach napięciowych. Włacz w gałęzie dochodzące do...
https://obrazki.elektroda.pl/3969595700_... Kiedyś myśleliśmy o tranzystorach planarnych w czasach świetności klasycznego skalowania Dennarda w kategoriach dwuwymiarowych. Specyfikacje materiałów zostały uproszczone do takich rzeczy, jak rezystancja arkusza w omach na kwadrat. Abstrakcja urządzeń polegała na traktowaniu ich w pełni...
"Typowe wartości ruchliwości w półprzewodnikach wynoszą 10 – 1000cm2/Vs." Źródło: [url=http://www.labfiz2p.if.pw.edu.pl/in... Więc do krzemu jeszcze im wiele brakuje.
Czy błąd jest już w zapisie macierzowym? Czy to tylko kwestia rozwiązania tegoż układu? (skoro ma to być tylko wskazanie błędów) Dostałeś moją podpowiedź , a wcześniej : "Kłaniają się" również Pomocnicze Twierdzenia z Elektrotechniki Teoretycznej o tzw. Ruchliwości Idealnych Źródeł Napięcia .
Zgadza się. Przeliczałem to na szybko i gdzieś sknociłem rzędy. Dzięki. Ale to i tak, przy ruchach powietrza, mizerna ruchliwośc. Przyznam, że dysponuję tylko jednym źródłem, które podaje 10^-5 ; niestety nie ma tam informacji o rozmiarach jonu, ale zasugerowano, że tak bezwładne jony pierwotnie małymi jonami, do których przyczepiają się kropelki wody...
Wydaje mi się , że nie ma powodu na przesuwanie źródła E , można sobie i bez tego poradzić (jeżeli przepychałbym źródło E to wtedy nie musiałbym przypadkiem po obliczeniu potencjałów wracać do pierwotnego obwodu ?). A po co? Wszak równanie na Pierwsze prawo Kirchhoffa można zapisać a priori dla nieprzekształconego obwodu - a wynika to przecież z zastosowanych...
W źródle podana jest informacja o zastosowaniu technologii podłoża SiGe. Co nie dziwi zważywszy na wyższą ruchliwość nośników w tym materiale oraz zakres częstotliwości zbliżony do materiałów AsGa lub GaN, które są zarówno trudniej otrzymywane jak i droższe. Co do krzemu to jakoby krążące pogłoski o jego śmierci wydają się mocno przedwczesne i na wyrost...
Nie widzę schematu (przecież dla tego z tematowego posta, to przedstawiony wybór oczek jest niepoprawny) - nie rozumiem w/w zapisanych równań ... Schemat jest taki sam jak w 1 poście. Z tym, że znaleźć muszę wartości prądów oczkowych J I , J II , J III i wartość Ux . Taki wybór oczek i równania podał nam profesor na zajęciach. Taaa... ktoś tu "ściemnia"...
Pozostawmy metodę węzłową bo widzę, że nie uzyskam pomocy w dalszej części jej rozwiązania. A to już jest hipokryzja z Twoje strony :!: :idea: :evil: ...przecież zapis równań na MPW Tobie sprawdziłem oraz poprawiłem, a skoro nie potrafisz zrobić z tego użytku to już nie moja sprawa, tylko Twoja. Na co jeszcze oczekujesz, abym rozwiązał za Ciebie ten...
Laserem w psa?? Ja bym się jednak bał. /.../ Nie wiem jak w przypadku psów (nie posiadam), ale koty wpatrują się praktycznie wyłącznie w światło odbite (kropkę) a nie w źródło. Ponadto jeśli nawet promień przypadkiem trafi bezpośrednio w oko (bardzo rzadko, promień jest przecież skupiony, laser się porusza, zwierzak zwykle też), trwa to ułamek sekundy,...
Gradek : Dzięki, o tym nie pomyślałem. Ja ostatnio szukałem wśród lampek "kreślarskich" - chodzi mi o styl ramienia (ruchliwe dwa-trzy ramiona, możliwość obracania głowicą...) - ale na Alleg... dość często chyba są słabe konstrukcyjnie. A na Aliex... są miniaturki (długość ramienia 18 - 22cm) przedstawiane jako normalne - na fotkach tak wyglądają,...
http://obrazki.elektroda.pl/8097222800_1... Jedną z głównych przyczyn strat mocy w nowoczesnych urządzeniach elektronicznych są prądy upływu w tranzystorach. Naukowcy z instytutu badawczego MESA+ na Uniwersytecie Twente przy współpracy z firmą SolMateS znaleźli sposób na znaczne zminimalizowanie tego niekorzystnego zjawiska. Pokryli...
http://obrazki.elektroda.pl/3718646500_1... Na początku 2011 roku naukowcy z Politechniki Federalnej w Lozannie (EPFL) odkryli bardzo pożądane w elektronice właściwości molibdenitu (MoS2). Pod koniec tamtego roku ogłosili stworzenie [url=http://www.elektroda.pl/rtvforum/to... układu scalonego z tego materiału, a teraz,...
http://obrazki.elektroda.pl/4620467100_1... Zespół naukowców z Berkeley Lab, wykorzystując trzy niezwykłe materiały – grafen, azotek boru oraz molibdenit – stworzył pierwszy na świecie w pełni dwuwymiarowy tranzystor FET. Tranzystory te są również pierwszymi z nowej klasy elementów elektronicznych, których poszczególne warstwy...
http://obrazki.elektroda.pl/6259363300_1... Grafen, uznawany za cudowny materiał XXI wieku oraz mający potencjał do zrewolucjonizowania mikroelektroniki, teraz może być produkowany na komercyjną skalę, i to dzięki Polakom. Obecnie jest możliwe wytwarzanie jedynie niewielkich płytek grafenu - do 25 cm². To zbyt mało jak na masową produkcję....
http://obrazki.elektroda.pl/1578868500_1... Firma Sharp Corporation ogłosiła w piątek, że w swojej 2. fabryce w Kameyama rozpoczęła seryjne wytwarzanie paneli LCD wysokiej rozdzielczości z tranzystorów TFT typu IGZO (In-Ga-Zn-O). Seryjna produkcja rozpoczęła się w marcu br., a produkcja na pełną skalę ma być rozpoczęta jeszcze w tym miesiącu....
Poniżej typowa konfiguracja mostka H do sterowania np. prędkością i kierunkiem wirowania silnika DC: https://obrazki.elektroda.pl/7273343300_... Tranzystory IRF4905 mogą się w takim układzie nadmiernie nagrzewać, poniżej powody nadmiernych strat mocy: 1. Niedostateczna amplituda przebiegów sterujących na A0 i A1. Jeżeli napięcie...
Charakteryzacja mosfetu w technologii 130nm z vdd=12V i zapewnienie minimalnej rezystancji bramki i minimalnych szumów z parametrów parascitic mosfetu,charakterystyka mosfetu jest przeznaczona dla wzmacniacza o niskim poziomie szumów (topologia kaskodowa) Charakteryzacja tranzystora MOSFET dla technologii 130 nm do zastosowania we wzmacniaczu o niskim...
http://obrazki.elektroda.pl/6529205600_1... Naukowcy z Purdue University w Stanach Zjednoczonych stworzyli nowatorski układ CMOS z germanu, co jak twierdzą jest przełomem na miarę wynalezienia tranzystora w 1947. German był pierwotnie półprzewodnikiem wybranym do pierwszych prac przy konstrukcji tranzystorów. Pure University miało zasługę...
http://obrazki.elektroda.pl/3346501600_1... Zaobserwowano już elektrony podróżujące z zadziwiająco wysokimi prędkościami niezależnymi od ich energii, ale to anomalne zachowanie charakterystyczne było dla materiałów dwuwymiarowych, takich jak grafen. Udało się jednakże powtórzyć tego rodzaju zachowanie w materiale objętościowym (3D)....
(...) lna dla irnss Podaj wszystko na ten temat, jak nie iteracyjny proces, jeden strzał, powinien to być najlepszy lna dla irnss w paśmie s. Podaj również obwód I wszystkie etapy projektowania lna Obliczenia, matematyka, parametry, dopasowanie wszystkiegoggggggg!!!!!! Proszęeee pomóż mieeeeeeee Wstępna ocena dostępnych informacji Zadaniem użytkownika...
. Zobacz, jak zdecydować, jakie wartości gm i Id wybrać dla projektu, jak je wybrać Wybór odpowiednich wartości transkonduktancji (gm) i prądu drenu (Id) dla projektu LNA wiąże się z kompromisem między wzmocnieniem, współczynnikiem szumów, liniowością i zużyciem energii. Podejdźmy do tego krok po kroku: 1. Określenie maksymalnego dostępnego wzmocnienia...
Witam, zadanie rozwiązać można jeszcze prościej, korzystając z twierdzenia o ruchliwośći idealnych źródeł prądu (inaczej; o włączaniu idealnych źródeł prądu do gałęzi wybranego oczka ), a wtedy w obwodzie pozostaną tylko dwa rzeczywiste (pomijając formalne) węzły, czyli na MPW wystarczy napisać tylko jedno równanie. Można też oba rzeczywiste źródła...
Najważniejsze jest to, że języki skryptowe mają wbudowaną obsługę rozmaitych interfejsów wejścia/wyjścia (wbudowane biblioteki), np dla PHP wystarczy odpowiednie żądanie HTTP, a zwracany wynik mamy zamiast tekstu strony. Dla innych skryptowych też jest to mocno uproszczone. W przypadku kompilowalnych języków jesteśmy zmuszeni znaleźć odpowiednie biblioteki,...
https://obrazki.elektroda.pl/8965640400_... Rys.1. Przekrój typowego krzemowego tranzystora MOSFET. Tranzystory mocy GaN są idealnym wyborem do zastosowań związanych z zasilaniem i systemami RF w systemach kosmicznych. Dzięki nowym rozwiązaniom eGaN, firma EPC Space gwarantuje odporność na promieniowanie i SEE (efekty pojedynczego...
https://obrazki.elektroda.pl/3065618400_... Azotek galu (GaN) kontynuuje swoją misję przejęcia coraz szerszego spektrum aplikacji. Nie wystarczy jego obecność na Ziemi, GaN znajduje także aplikacje w kosmosie w postaci np. tranzystorów mocy. Są one idealnym wyborem dla aplikacji mocy i RF do obsługi misji kosmicznych. Firma EPC Space...
Tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) oparte na azotku galu (GaN) oferują doskonałą charakterystykę elektryczną i stanowią ważną alternatywę dla tranzystorów MOSFET i modułów IGBT w aplikacjach do sterowania silnikami w systemach o wysokim napięciu zasilania i wysokiej częstotliwości przełączania. Poniższy artykuł koncentruje się na zaletach...
https://obrazki.elektroda.pl/1888240600_... Azotek galu (GaN) jest materiałem często używanym do budowy półprzewodnikowych urządzeń mocy i diod elektroluminescencyjnych (LED). W przeszłości badacze analizowali możliwość budowy tranzystorów z kanałem typu P z GaN, co mogłoby pomóc w opracowaniu wydajniejszych komputerów, jednakże wytwarzanie...
https://obrazki.elektroda.pl/1386679500_... Grafen stanowi atrakcyjną propozycję dla niemalże każdej możliwej dyscypliny inżynieryjnej, od wytrzymałych powłok po mechanizmy filtracji wody. Jednak światowy biznes półprzewodników wart obecnie prawie pół biliona dolarów rocznie, jest miejscem, w którym ten wyjątkowy materiał może mieć...
https://obrazki.elektroda.pl/2883467100_... Nanosekundowe naświetlanie laserem UV do generowania rodników chlorowych. W ostatnich latach fizycy i inżynierowie chemicy opracowali różne techniki domieszkowania chemicznego, aby kontrolować znak i stężenie nośników ładunku w różnych materiałach. Metody domieszkowania chemicznego zasadniczo...
https://obrazki.elektroda.pl/2878407400_... Naukowcy z Forschungszentrum Jülich wyprodukowali nowy rodzaj tranzystora ze stopu germanu i cyny, który ma kilka zalet w porównaniu z konwencjonalnymi elementami przełączającymi wykonanymi np. z krzemu. Nośniki ładunku we wskazanym typie mogą poruszać się w materiale szybciej niż w krzemie...
Wznosząc układy scalone mocy z azotku galu na wyższy poziom, naukowcy z firmy Imec donoszą o współintegracji diod barierowych Schottky'ego i tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) na jednej, inteligentnej platformie zasilania. Postęp, o którym poinformowano podczas Międzynarodowego Spotkania Urządzeń Elektronowych odbywającego się w tym...
https://obrazki.elektroda.pl/3769632400_... Od momentu odkrycia z 2004 roku, grafen przyciągał uwagę świata ze względu na swoje wyjątkowe właściwości, w tym niezwykle wysoką ruchliwość nośników. Jednak ten ostatni parametr obserwowano tylko przy zastosowaniu technik, które wymagają skomplikowanych i kosztownych metod pomiarowych. Teraz...
zamiana źródeł przepychanie źródeł selektor źródeł
accord bezpieczniki galaxy pilot uncorrectable error
Neckar N19E - Piecyk gazowy zapala się przy małym przepływie wody Router utknął na pozyskiwaniu kanału downstream - co robić?