Te tranzystory mają mniejszy ładunek bramki od IRFZ44 - nie musisz się niczym martwić.
RU6099R ma Gate Charge 47 nC, a IRF1407PBF 160 nC. Czyli ponad 3 razy tyle. I jakieś 1.5 razy większe Coos. Czyli IRF1407PBF będzie miał o wiele większe straty przełączania.
Nie upieraj się przy BUZ11. Stracisz na nim więcej niż 25W- bo się zagrzeje, Rdson wzrośnie i moc tylko w stanie przewodzenia wyniesie ok. 35-40W. A będą straty przełączania. Podałem Ci dobry tranzystor.
"Przykładowo, przy przepływie przez tranzystor MOSFET prądu o wartości 20 A, straty na nim wyniosą 120...400 W, podczas gdy na IGBT wytraci się jedynie 33 W." Link To weźmy IRFP7718 - 1,5mΩ więc wytraci się 0,6W przy 20A (nie licząc strat przełączania). O ile w MOSFETach straty przełączania zależą od szybkości przeładowania bramki (można bardzo...
Trochę duża pojemność bramki. Mocno wzrosną straty przełączania.
Rozumiem, że małe rezystory bramkowe pozwolą zmniejszyć straty związane z przełączaniem, ale jednocześnie przy wystąpieniu oscylacji konieczne będzie zwiększenie tych rezystorów, a co za tym idzie zwiększą się straty na przełączaniu? Dokładnie. Niektórzy wstawiają małe feryty, diody zenera, masy bramek łączą przy driverze lub zwiększają rezystancję,...
Witam forumowiczów, Wykonuje projekt falownika i mam obliczyć straty w tranzystorze MOSFET ale stanąłem w martwym punkcie gdyż, gdy obliczam straty przełączania to w katalogu nie podają jaka energie się wydziela przy załączani i wyłączaniu tranzystora, żeby podstawić to do następującego wzoru: Psw = f * (Eon + Eoff). Proszę o jakieś naprowadzenie, przeszukałem...
Nie ma nic dziwnego w tym, że MOSFET mniej się grzeje wtedy, gdy żarówka świeci pełnym lub niemal pełnym światłem. NE555 jest dość marnym źródłem prądów do przeładowywania bramki MOSFETa - czas przełączania jest stosunkowo długi. Przy zimnym włóknie żarówki jej oporność jest bardzo mała i płyną przez nią bardzo duże prądy. A straty na przełączanie w...
Czy może chodzi o to, że w przypadku współczynnika 100% nie występują straty przełączania? Może o to chodzić, może też chodzić o to że w przypadku silnika posiadającego jakąś-tam wewnętrzną indukcyjność prąd po załączeniu klucza narasta z opóźnieniem. No i jeszcze jedna najistotniejsza chyba istotna sprawa - przy mniejszych obrotach wentylatora opór...
W moim falowniku jest coś więcej niż schemat aplikacyjny driverów. Coś w ogóle poza driverami. Ale i w samych driverach jest coś nietypowego a przynajmniej nieczęsto stosowanego. Przyjrzyj się dobrze i porównaj z notami katalogowymi driverów, a zauważysz. Co do częstotliwości to stosuje się różne. Nie ma generalnej zasady. To kwestia kompromisu. Dla...
Coś czuje, że będzie to miało coś wspólnego z pojemnością bramki mosfeta i możliwościami prądowymi pinu procesora. Mam racje? - masz rację. Wysterowanie bramki powoduje ładowanie jej pojemności. Pomiędzy pinem procesora a bramką dajesz rezystor szeregowy - w celu ograniczenia maksymalnego prądu do wartości bezpiecznej dla pinu procesora (rozladowana...
Dla mnie odpada rozwiązanie obecne.Jest technicznym absurdem niewartym rozpatrywania. Nie da się ustabilizować przetwornicy pracującej w tak wąskim zakresie szerokości impulsu. A i straty na przełączanie będą absurdalnie wysokie.
1. Przyspieszy przeładowywanie pojemności bramki MOSFETa i tym samym zmniejszy straty przełączania. Bez tego i przy dużej częstotliwości PWMa będziesz miał ogromne straty na MOSFECie. 2. Zwykły wspólny kolektor, tyle że komplementarny. I rezystor bramkowy ze 4,7R by się przydał. http://obrazki.elektroda.net/4_125337859... Oczywiście to układ poglądowy....
Lechoo, Tak jak mówiłeś przerobiłem sterowanie. Korzystam z jednego uzwojenia pierwotnego tam mam w szeregu 2u2, drugie uzwojenie pierwotne zostawiłem wiszące. No i nawet ładnie działa. Poniżej kilka fot tej przetwornicy, tak dla smaku ;) http://obrazki.elektroda.pl/9245851200_1... http://obrazki.elektroda.pl/8183592500_1...
Witam 1) uwaga do schematu, daj z bramki na masę rezystor 10-22KΩ, uchroni Cię to przed przypadkowym włączeniem obciążenia w czasie startu (resetu) procesora. 2) patrzyłem na ten tranzystor, jest na granicy, dobre tranzystory załączają od 1V do 2,5V na bramce, najprędzej znajdziesz je w płytach głównych w okolicy procesora 3) musisz wycyrklować...
"Czy moduł o czasie tr 250ns tf 350ns nadaje się do takiej częstotliwości przemiatania?" TAK - bez problemu pójdzie na 10kHz A jeśli nie, to czy ew moduł o czasach tr 100 tf 70ns będzie odpowiedni? ten to nawet na 20kHz powinien pójść Czym grozi zastosowanie zbyt wolnych modułów? Wzrostem strat przełączania. Z tego co wiem jesteś chyba elektronikiem...
Jak to jest np. w MOSFET (0,5ohma), jeśli na wejściu mamy 30V i podajemy PWM 20% to jaka moc wydzieli się na tranzystorze? Jak obciążenie pobierze 1A to w tranzystorze wydzieli się 0,5W przy PWM 100% i 0,1W przy PWM 20%. Przy 20A w takim tranzystorze wydzieli się 200W przy PWM 100% i 40W przy PWM 20%. Moc strat na rezystancji Rds(on) to iloczyn kwadratu...
Zakładając że silnik ma pobiera 500W płynie 42A tranzystory sie nagrzeją powiedzmy do 100°C Rdson zestawu wzrośnie do 6mΩ? straty statyczne będą do 10W. Jak do tego mają sie straty przełączania? Kolega pisze że 170ns to duzo, ja założę że 12x więcej - 2µs to nadal mało, załóżmy w uprosczeniu że przez te 2us wydziela sie 500W, uwzględniając...
Sterowanie MOSFETem bezpośrednio z wyjścia mikrokontrolera to kompletne nieporozumienie - ale takie są schematy z tego typu portali, więc oszczędzę sobie słów, bo wyżej już napisano, co trzeba. Tego typu wypowiedzi są kompletnym nieporozumieniem. Jeszcze raz - elektronika to nie magia w której obowiązują spisane w magicznych księgach zasady. Dla danej...
Albo źle czytam, albo autor nie podał częstotliwości przełączania, a jest mała i dywagacje o stratach przełączania są zbędne
IPB019N06L3: 1. Nie możesz go sterować wprost z uC, gdyż to tranzystor o ogromnej pojemności bramki (typowo 21nF), poza tym Vgsth=1,7V (typowo) nie oznacza wcale że 3V z uC go prawidłowo wysteruje. http://www.infineon.com/dgdl/IPB019N06L3... - patrz wykres 6 -...
Tranzystory 2N3055 kiepsko pracują w układach impulsowych, są dość wolne, co powoduje, że mają spore straty przy przełączaniu. Bez porównania lepsze są tranzystory impulsowe, np. z dawniejszej polskiej produkcji BDY24 lub 25. Zobacz katalog CEMI: http://www.datasheetcatalog.com/datashee... Łączenie równoległe stosuje się ZAWSZE...
Jak się idzie w 400 kHz, to jeszcze zaczynają się problemy związane ze stratami na twarde przełączanie, długością ścieżek, doborem pozostałych komponentów. To, że (at)arturavs napisał o rdzeniu ferrytowym, to nie znaczy, że istnieje jeden materiał ferrytowy, też wypada dobrać odpowiedni. Jeśli naprawdę nie potrzebujesz 400 kHz, to bym pomyślał o czymś...
Na forum jest już trochę schematów takich konstrukcji, przeczytałeś już wszystko? Na rdzeniach ETD49 robi się przetwornice o mocy rzędu 1 kW i więcej. To za duży rdzeń na 200-300W. A gdyby zejść z częstotliwością np. do 5-10kHz? :D Schodzenie w pasmo akustyczne to niby zły pomysł, ale straty na przełączaniu zawsze trochę mniejsze, a nie zawsze trafo...
Ostatnie pytanie jakie wpadło mi do głowy a propo tematu i może mi się przydać w przyszłości też. Przy jakiej częstotliwości przełączania/PWM straty przełączania są znaczące w skali strat na Rds? Za orientacyjne wartości procentowe strat przełączania przy przykładowej częstotliwości był bym wdzięczny.
Witam! Tranzystor 2N3055 niezbyt dobrze sie nadaje do generatorów WN, jest "wolny", jego jedyną zaleta jest łatwa dostępność. O wiele lepiej pracuja w tym miejscu BDY23 ... 25, które są kilkanaście razy szybsze, a to znaczy, że w układach impulsowych mają mniejsze straty na przełączaniu, więc są sprawniejsze, lub mogą pracować z wyższą częstotliwościa,...
Czy ktoś może mnie oświecić czy ten cały GAN (Azotek galu) to jest serio coś co warto brać pod uwagę wybierając ładowarkę? Jeśli dobrze rozumiem to zaletami tranzystorów wykorzystujących ten półprzewodnik są między innymi niskie straty na przełączaniu, więc po co ładowarka będzie się mniej grzać, telefon szybciej się nie naładuje i nic więcej się nie...
Po co zamiennik jak dostępny oryginał. https://obrazki.elektroda.pl/8353075700_... https://obrazki.elektroda.pl/9710965400_... NCP81161MNTBG to zgodny z VR12.5, synchroniczny sterownik MOSFET buck w 8-pinowym pakiecie DFN. Jest to wysokowydajny podwójny sterownik bramki MOSFET zoptymalizowany do sterowania bramami zarówno...
Są za wolne, wystarczy przemnożyć podaną w katalogu energię strat na przełączaniu przez częstotliwość i pięknie wychodzi nam moc strat.
Witam, Quarz bardzo dziękuję za wyjaśnienie, teraz już jestem w domu. jeszcze tylko jak by mi ktoś powiedział czy IGBT mają większą sprawność niż MOSFET tzn miej tracą mocy to byłbym szczęśliwy. cieszę się, iż znalazłeś swój dom... :D Odnośnie sprawności, w ścisłym tego słowa znaczeniu, to będzie można mówić, kiedy porównamy konkretne typu tranzystorów...
mariusz2009 gdzie ty wyczytałeś w nocie TC4421 że maksymalny prąd to jest 180mA. Oraz jak wyjaśnisz że w moim układzie para TC4421/4422 pracuje na 180kHz bez jakichkolwiek problemów, bez czasu martwego i nie pali tranzystorów ? Zasadniczym problemem w tym układzie nagrzewnicy jest fakt że nigdy nie nastąpi idealne zsynchronizowanie zewnętrznego generatora...
Katalogowe Vds to napięcie przebicia, nie pracy, więc zapas musi być, przy zasilaniu 60V dał bym min 100V, rezystancję Rdson tak żeby była znacząco mniejsza powiedzmy 50%, wpisując >100V i <22mOm wyszukiwarka TME znalazła mi IXFH110N15T2 (150V 13mOm) za ~25zł (słabsze były droższe, więc bez sensu) Rdson to 24% tego co było więc powinno wydzielić...
W poniższym artykule omówiono system "Pre-switch" firmy CleanWave. Artykuł pokazuje, w jaki sposób technologia Pre-Switch umożliwia projektantom osiągnięcie 99,1% sprawności przy 100 kHz w falowniku dla pojazdu elektrycznego o mocy równej 200 kW. W ten sposób możliwe jest zwiększenie zasięgu samochodu o nawet 12%. Zacznijmy od omówienia strat w układzie...
Dziękuję za szybka odpowiedź. Patrząc na to, co mi podesłałeś, dochodzę do wniosku, ze mogę uzyskać przerost formy nad treścią. Sprawność mego PWM'a stwierdzona doświadczalnie absolutnie mnie zadowala . Tętnień jestem świadomy, ale kombinowanie z indukcyjnościami w tak prostym zastosowaniu mnie "przeraża". :D Jak to mówią jak coś dobrze działa to po...
Nie wiem - zależy co chcesz osiągnąć i w jakim układzie. Czasem układ wymusza nierealistyczne wymagania wobec kluczy, dowodząc błędu w założeniach. Redukcja strat przełączania z reguły pociąga za sobą wzrost strat przewodzenia. Redukcja obu - wzrost kosztów i strat w sterowniku kluczy...
Zakładając, że przy przełączaniu mogą w grę dochodzić dodatkowe zjawiska Przy taktowaniu 16kHz straty przełączania mogą być spore.
Po zastosowaniu takiego drivera rezystor rozładowujący staje się już kompletnie zbędny, tak? Nie. To zależy od Twojej aplikacji. Wspominałeś o przetwornicy, więc należałoby się zastanowić, czy NE555 może mieć na wyjściu stan nieustalony albo wysokiej impedancji i jak długo. Takie stany zwykle występują przy włączaniu i wyłączaniu urządzeń. Jak już...
(at)kwapek1947 IGBT stosuje się w zakresie setek woltów, gdzie MOSFETy kiepskie rezystancje w stanie włączenia. W zakresie <50V MOSFETy górują nad IGBT pod każdym względem, wyższe prądy maksymalne, niższe spadki napięcia przez to niższe straty, szybsze przełączanie, niższa cena. Jedyna "zaleta" jest taka że jak źle zaprojektujesz układ 12V i będą...
DMG3402L - 0,085 om przy 2,5 V na bramce - sam sobie policz, czy się nie ugotuje. Dla PWM powinieneś policzyć czasy przełączania i straty związane z przełączaniem. Im większy rezystor w bramce, tym większe straty generalnie, ale nie wolno zapominać o "rezystorach" wbudowanych w wyjście takiego ESP8266.
Katalogowy prąd MOSFETa to parametr bez znaczenia, ważny jest Rds(on) który w nowym tranzystorze jest ponad połowę mniejszy - to dobrze bo zmniejsza straty statyczne, ale ten zamiennik ma ponad 2x wyższe Qgs czyli będzie ciężej go szybko przełączać, to może spowolnić przełączanie i zwiększyć straty dynamiczne. Czyli nie można odpowiedzieć jednoznacznie,...
Będę złośliwy zaproponuję IRF620, UCC2813 i jednak transformator na kubku ferrytowym RM6 dostepnego w ferrysterze i na allegro. Od biedy da się użyć gotowych transformatorków flyback w drugą stronę. Dlaczego? Transformator zapewnia lepszą sprawność szerszy zakres zasilania. Typowy boost przy tak dużej rozbieżności napięć wymaga dużej indukcyjności,...
Jakiej wielkości radiator potrzebuje główny tranzystor układu? To zależy od mocy cieplnej wydzielonej w tym tranzystorze. "Z grubsza" można założyć, że potrzeba 10cm2 na każdy Wat ciepła wydzielonego w tym tranzystorze. Na to ciepło składają się: - spadek napięcia na przewodzącym tranzystorze x przewodzony prąd; - straty na przełączaniu (może być coś...
Bez oscylogramów (ktoś wcześniej o tym wspomniał) możemy sobie gdybać... Mogą być przepięcia od indukcyjności, może być moc strat przełączania. Tak na szybko przeliczając (napięcie rośnie liniowo do 200V, prąd maleje liniowo od 10A) średnia moc strat na tranzystorze w trakcie przełączania wynosi 333W.
Nawet ta dioda, jak już, to równolegle do EK tranzystora, aby go chronić przed przepięciami. Bzdra. Aby podłączona równolegle do EK chroniła tranzystor, to musiała by być diodą Zenera. A nie jest. Zwykłą dioda powinna być od kolektora tranzystora do VCC. Tak przy okazji to brak tej diody też będzie powodował grzanie tranzystora przy wypełnieniu różnym...
Przede wszystkim to takie sterowanie mosfeta zawsze skończy się wystrzałowo przy takich prądach i częstotliwościach ze względu na znaczne straty przełączania. Po drugie do czego ma być ten zasilacz ? Bo może lepiej zrobić ZVS Flyback.
Driver MOSFET jako osobny układ komplikuje schemat i utrudnia sterowanie, nie rozumiem po co używać drivera MOSFET skoro Arduino ma wbudowaną funkcję PWM. MOSFET a raczej kilka MOSFETów które będzie przełączać 100A ma duży ładunek bramki, a procesor ma małą wydajność prądową i niskie napiecie wyjściowe, przez co czas przełaczania będzie długi. Jakbyć...
Przy liczeniu strat w przetwornicach bardzo ważne jest zrozumienie w jaki sposób powstają straty na elementach liniowych (lub bliskich w zachowaniu liniowym) a w jaki na nieliniowych. Straty w elementach liniowych wynikają wprost z prawa Ohma - przepływ prądu skutkuje spadkiem napięcia na rezystancji i wydziela się moc określona wzorem P = U * I. Jesli...
Zdarza się, że w praktycznych rozwiązaniach są dwa, równolegle połączone MOSFET-y dla minimalizacji strat przełączania. Na dokładkę wewnętrzna dioda jest typu Schottky-ego czyli dodatkowa w strukturze, równolegle do pasożytniczej MOSFET-a. 10 lat temu, można było spotkać w laptopowych przetwornicach zewnętrzną diodę Schottky-ego, mniej więcej na 1/5...
Przetwornice dużej mocy najczęściej buduje się na IGBT, a czy konstruuje się na MOSFETach? MOSFETy są szybsze od IGBT, co daje szanse na pracę z wyższymi częstotliwościami i mniejszymi stratami przełączania, jednak wraz ze zwiększaniem maksymalnego napięcia Uds rezystancja w stanie włączenia rośnie z kwadratem (przy danej wielkości struktury) co powoduje...
Przede wszystkim to powinieneś dobrać częstotliwość, nie ma co pchać się w zbyt dużą, bo trochę rosną straty na przełączaniu. Po drugie, trafopowielacze oryginalnie pracują w konfiguracji flyback, więc powinieneś użyć jednego tranzystora i sterować jednym uzwojeniem, np. tym, które w telewizorze pracowało jako pierwotne. Ponieważ w telewizorze WN wynosi...
Witam!! Mam mały problem z identyfikacją parametrów Eon i Eoff tranzystora MOSFET... Nie mogę ich znaleźć na żadnej karcie katalogowej (!) (noty z których korzystam zamieściłem tutaj - http://www.voila.pl/rg1v1 ...) :| Parametry te potrzebne są do policzenia strat przełączania, które wyrażają się wzorem: ΔPsw=fsn(Eon+Eoff) Może ktoś zna jakiś inny...
Aby zbudować mniejszy zasilacz trzeba poprawić jego wydajność* oraz sprawność. W praktyce oznacza to zaawansowany projekt z użyciem nowoczesnej topologii, kontrolera i materiałów. Wybór TL494 przekreśla dwa pierwsze i minimalizuje zyski z nowoczesnych materiałów rdzenia. * Wydajność tu rozumiem jako stopień wykorzystania elementów: półprzewodnikowych...
J.w., ale jeszcze nikt nie zapytał jak wykonano pomiary mocy strat na tranzystorze przy pracy impulsowej? Bo to nie jest łatwy pomiar, wątpię aby go rzetelnie zrobiono, wiec co przedstawiają wyniki? (tabelka z mocą strat tranzystora przy pracy impulsowej). A może te wyniki mocy strat przy pracy impulsowej zadano? A może policzono je tylko jako moc w...
Podstawowe problemy to moc strat na tranzystorze źródła prądowego oraz przepięcia na cewce podczas przełączania. Już 15 V odłożone na tranzystorze przy prądzie 4 A daje 60 W mocy strat. Tranzystor musi mieć odpowiedni SOA, aby to znieść. Są wzmacniacze operacyjne, które pracują przy potencjałach bliskich Vee, np. LM358, TLC271, kwestia doboru.
W silniku większe straty mogą wynikać ze strat w obwodzie magnetycznym przy zasilaniu PWM, a czysto rezystancyjna grzałka przy zasilaniu PWM wydzieli mniejszą moc proporcjonalnie do wypełnienia, z kolei w tranzystorze kluczowym PWMem straty przewodzenia będą proporcjonalne do wypełnienia a straty przełączania będą zależne od częstotliwości, zależnie...
Czemu nikt nie wspomni o stratach na komutacji? to że tranzystor ma na pełnym załączeniu 0.27 ohm to nie znaczy, że podczas przełączania ma takie rezystancje i właściwie ta tych procesach są duże straty. Dlatego do takich układach wykorzystuje przełączanie przełączanie w zerowym napięciu (ZVS) lub w zerowym prądzie (ZCS).
Jak częstotliwość będzie mała to niekoniecznie. Jak większa to już tak, żeby straty przełączania były małe. Ale wtedy driverem mogły by być nawet same wtórniki emiterowe na dwóch tranzystorach bipolarnych. Po za tym chyba Driver + IRFxxx wyjdzie taniej niż same IRLxxx.
Można to policzyć lub po postu zbudować część układu i sprawdzić. Nie zamierzasz pracować przy wysokich częstotliwościach więc możesz sobie pozwolić na zwiększenie strat przełączania z tytułu przeładowywania bramki ponad to co jest konieczne do jej pełnego otwarcia. Twojemu tranzystorowi wystarczy 9-10V do pełnego otwarcia. Wystarczy że zasilanie driverów...
Zakładając że jest wysterowany prawidłowo i otwarty "w całości" to wg noty katalogowej IRF 540 ma RDS(ON) = 0,077 OHM. Przy 5A moc odłożona na tranzystorze przy ciągłej pracy ( tylko przewodzenie) to I*I*R co daje 1,925 W . Jeżeli nie masz żadnego radiatora to ten tranzystor musi się grzać. Taki np AUIRFB4410 z TME za 5 zł (10 szt. ) ma RDS(ON) = 0,01...
wzmacniacz klasy D - steruje głośnikami nisko i średniotonowymi wzmacniacz klasy AB (lub wręcz A) - steruje głośnikami wysokotonowymi A całość i tak jest podłączona do źródła sygnału PCM o częstotliwości 44.1kHz lub 48, czyli nadal 10x mniejszej niż częstotliwość przełączania tranzystorów w klasie D. Jeżeli chcesz, możesz zbudować wzmacniacz w klasie...
Ten dolny przebieg to skąd jest ? Twoje IGBT są bardzo wolne no i 1000V, a to oznacza większe straty na przełączaniu...
Przy 31kHz mogą być już bardzo duże straty na przełączaniu tranzystorów. To jest modulowane dwubiegunowo, czyli z tą częstotliwością pracują na przemian wszystkie tranzystory mostka i same straty plus masa harmonicznych. Modulując jednobiegunowo pracuje jeden górny tranzystor przez pół okresu z częstotliwością modulującą, a dolny jest zwarty, potem...
Schemat pierwszy to typowy układ twardo przełączający. Ten układ można wykorzystać do przetwornicy. Jest to układ prosty i polecany początkującym. Natomiast na schemacie drugim widzimy rezonansowy, dzięki czemu minimalizujemy straty przy przełączaniu tranzystorów. Zamiast cewki można użyć transformatora jednak wtedy częstotliwość rezonansowa będzie...
Teoretycznie będzie. W praktyce nie. O ile rezystory mogą to wytrzymać, to tranzystory na pewno się spalą. Musiałbyć użyć wielu tranzystorów z opornikami na bramkach i kolektorach by uzyskać porządany efekt. Ile? Zależy od tranzystora. Patrz też na prąd jaki mogą przewodzić oraz na straty przełączania. Będzie potrzebny konkretny radiator by schłodzić...
1. TRANZYSTOR/Y Jakie tak na prawdę są NAJWAŻNIEJSZE parametry tranzystora w tym układziku? - co sądzicie o ukł. darling tutaj? Według mnie mija się to z celem, ale kto pyta mądrzejszych od siebie - nie błądzi Jednym z najważniejszych parametrów w przetwornicach (a raczej nieużywanych w innych zastosowaniach) jest szybkość przełączania. Tranzystor...
Wstrzymaj się i dodaj układ o którym pisałem wyżej. Rozładowywanie bramki rezystorem 1k to katowanie klucza, straty przełączania wynikłe z bardzo dużego czasu opadania dadzą się we znaki. W ten sposób nie wolno wykonywać takich układów, to kompletne nieporozumienie... Z tranzystorem domykającym powinno być mniej ciepła i awarii, ale dalej ten układ...
Oporniki 47k o wiele za duże. Również oporniki 56 i 560 ohm za duże - aby tranzystory się całkowicie otwierały musisz im dać Ib>Ic/h21E (wprowadzić w stan nasycenia - ale też nie za głęboko, bo czasy przełączania wzrosną i straty - dlatego tutaj unipolarne są bardziej wskazane). BD135 tutaj jest zbyt słaby.
(at)cziter15 Podane parametry przekaźnika SSR niewiele znaczą. Nie sugeruj się tym, że jak jest napisane 40A to tyle będziesz mógł przełączać. Przede wszystkim policz moc strat, żeby się nie okazało, że potrzebujesz sporego radiatora + wymuszony obieg powietrza. IMHO jeśli to ma się przełączać parę razy dziennie to prościej jest użyć stycznika. Z SSRami...
Tranzystor na pewno się nadaje, ale... To wykres SOAR i źle go interpretujesz, n.b. wcale go tu nie potrzebujesz. Pod warunkiem, że odpowiednio wysterujesz tranzystor (wartość napięcia sterującego Vgs, wydajność prądowa tego źródła) ważne jest Rdson - a ono zależy od Vgs. Wówczas moc strat w czasie przewodzenia P=Uds x Id, Uds=Rdson x Id, więc P=Rdson...
Uwędzić to można boczek w wędzoku. Pikarel stosujesz tutaj wodolejstwo niczym redaktor clikbaitowego portalu. Potem są wnioski o jakimś wędzeniu. Dobroć cewki? W cewce w przetwornicy (gdzie stromość zboczy jest wielka, a cewka nie jest cewką powietrzną) znaczą część strat generuje przemagnesowanie struktur w rdzeniach, są to straty AC. Stąd pojęcia...
Trochę się zastanawiałem nad odpowiedzią, gdyż nie mam za wielkiego doświadczenia w półmostkach gdzie nie ma rezonansu, ale jednak nie ma aż takich rozbieżności. Zacznijmy od tego że nie powinno się odpalać półmostków bez obciążenia. Dlaczego? Bo występuje wtedy najgorsza forma przełączania - hard swiching. W takim wypadku prądy przeładowania się pojemności...
Witam ! Zauważam konieczność bardzo dobrej separacji galwanicznej uzwojeń wtórnych trafa zasilającego lub nawet zastosowana osobnych transformatorków dla zasilania procesora i strony "gorącej". Zmieniłbym też rezystor R3 na zworę a R4 na 1k dla zmniejszena strat w tranzystorze podczas przełączania. No i częstotliwość PWM myślę że poniżej 5kHz. Rezystor...
(at)DVDM14 Jeśli włączanie w zerze nic nie daje, to po co się produkuje takie układy? Przy niektórych typach obciążenia jest to przydatne, nadto redukuje straty przełączania na triaku. Jednak przy obciążeniu pojemnościowym wiele to nie daje, a przy np. transformatorze nawet pogarsza sprawę (prąd rozruchowy transformatora jest największy gdy załączysz...
(at)2konrafal1993 wspomniał o ograniczonych parametrach prądowych wybranych tranzystorów, to można relatywnie łatwo poprawić zmieniając model tranzystora. Trudniejsze jest sterowanie takim tranzystorem w trybie PWM. Bez stosownego sterwonika MOSFET tranzystor przegrzeje się z powodu strat przełączania. Dodatkowo trzeba przemyśleć prowadzenie przewodów...
Wypełnienie bez znaczenia, częstotliwość kilka kHz, bo już przy ok. 10kHz zaczną być widoczne straty na przełączaniu.
Fakt, wyjście mikrokontrolera może dać około 10-20 mA (przynajmniej AVR), ale nie należy zapominać o maksymalnym dopuszczalnym SUMARYCZNYM prądzie ze wszystkich pinów, który z reguły wynosi ~100-200 mA. Ja bym jednak zastosował z driverem z wejściem logicznym. Uzyskujemy w ten sposób bezproblemowe sterowanie tranzystorem przy pomocy sygnału o poziomach...
lopez-krk - nie rozumiem co to ma wspólnego z tematem. Jednorazowe przesunięcie magnesu? Gdyby nawet to zamknąć w jakiś cykl zamknięty - kondensator się wcześniej czy później rozładuje. Dodatkowo dochodzą straty związane z przełączaniem.
Przełączanie można zrobić na zwykłej diodzie (strata około 0.5V dla diody Schottky) - najlepiej jedną na wyjściu stabilizatora, drugą od baterii. A poza tym rozważyłbym użycie akumulatorków ładowanych z dynama.
Jak jest lepiej na 2 czy na 3 wyjściach ? Zastanawiałem się dłuższą chwilę, o co może chodzić, chyba o układ z zewnętrznym generatorem i jednym uzwojeniem, vs układ samowzbudny z dwoma uzwojeniami. Układ samowzbudny oczywiście jest prostszy, ma większe szanse zadziałać przy źle dobranych parametrach, w układzie z generatorem parametry można łatwo zmieniać,...
Jeżeli potrzebujesz na wyjściu tylko dwa stany : 1- górny przewodzi a dolny zatkany 2- górny zatkany a dolny przewodzi to bazy steruj zamiast tranzystorami - układem scalonym z wyjściem Q i Q zanegowane. Nie będzie kolizji oraz przełączanie będzie szybsze ze względu na szybkie przeładowywanie pojemności wejściowej bramek MOSFETa układem przeciwsobnym...
Nie przesadzajmy. Sam sterowałem przekaźnikami (akurat na 12V) przez tranzystor BC547, 1k na bazę, 10k między bazą a masą i działało zawsze, nie mówiąc już o jakichś cudach z włączaniem całości układu... "et tu, Brute, contra me?" Ludzie! Takie rzeczy się liczy, a nie gdyba. Projektujecie rakiety kosmiczne na coraz szybszych procesorach, a 2 oporniki...
Zamiast strzępić klawiaturę, proponuję policzyć. Zabytkowy tranzystor, IRF840 (można wziąć coś nowszego) U = 500V, Icon = 5,1A. Ron = 0,85 Om , poj. bramki 1,3nF Ten prąd bramki średni, to ile wyniesie? Tak na oko, to ok. 0,1E-6 (A), przy częstotliwości przełączania 1000Hz, a przecież może być 100Hz. Tyrystor też załącza z jakąś stromością i podobną...
Duży rezystor na bramkę może powodować wzrost strat spowodowanych przełączaniem. Ograniczając prąd ładowania się bramki mosfetu wydłużasz czas przejściowy i straty dynamiczne. Zmniejsz ten rezystor na 10-50ohm i zobacz czy straty się zmniejszyły.
Policzenie tego nie jest takie proste. Po pierwsze w swoich obliczeniach pomijasz napięcie nasycenia tranzystorów bipolarnych. Po drugie straty na MOSFEcie musisz rozbić na co najmniej dwie komponenty - pierwsza w miarę prosta to uwzględnienie zmieniającego się RDS podczas otwierania/zamykania tranzystora, to zależy od prędkości drivera. Rezystancje...
Czyli sądzę, że bez problemu można zbudować przetwornicę series-LC z stabilizacją wyjścia, wykorzystując tryb burst dla wszystkich obciążeń mniejszych od nominalnego, nawet nie zmieniając częstotliwości pracy... Ogólnie nie chodzi mi małe straty przy dużych mocach, tylko supermałe gabaryty samej przetwornicy o niewielkiej mocy (rzędu 20W). Chcę wykorzystać...
To chyba już wiemy skąd te grzanie. Straty przy przełączaniu, za wolno właczają się tranzystory mostka, albo zbyt duża indukcyjność silnika.
Jak wspomniałeś kolega ma mniejszą moc - mniejsze straty przy przełączaniu. Rezystory bramkowe wymień na mniejsze. Tu chyba jest problem. Zenerki 18V załóż, napięcie może zostać, bramka wytrzymuje 20V.
Witam MosFet, IGBT, czy bipolarny? Sam klucz tranzystorowy to nie wszystko, potrzebny jest jeszcze odpowiedni układ sterujący w celu zapewnienia niskich strat mocy przy przełączaniu.
Wewnętrzny opór bramki to jedno... Na straty przełączania MOSFETa składa się głównie pojemność dren-źródło. Przy wyłączaniu tranzystora energia zgromadzona w tym pasożytniczym kondensatorze po prostu wytraca się w strukturze tranzystora. Nie, ze sie wytraca energia z pojemnosci, tylko poprzez przeładowywanie pojemnosci tranzystor dłużej jest w stanie...
LM2675 masz w TME i na Alledrogo. Co do zakresu pracy - chciałeś zasilać z USB a widzę, że zaczyna Ci się marzyć zasilanie z dynama... A akumulatory NiMH nie bardzo lubią pracę buforową z doładowywaniem co chwilę. Może przemyśl LiIon - 2 ogniwa szeregowo i napięcie ładowania ograniczone do 8.4V Schemat przetwornicy boost/buck (step-up/down) masz na...
Najlepsze będą tranzystory ze starych przetwornic radzieckich-były takie małe -specjalnie liczone na wysoką sprawność kluczowania/małe straty w przełączaniu/ i dobra praca klucza.
Prąd zasilania (średni!) konieczny do przeładowywania bramki: Iavg=Qt*f Prąd szczytowy potrzebny do przeładowania bramki to: Ig = Qt/t Czyli dla częstotliwości 150kHz zasilanie drivera wymaga 380nC*150kHz=57mA oczywiście do tego trzeba dodać prąd zasilania samego drivera. Zazwyczaj na zasilanie drivera wystarcza łącznie 100mA. No i oczywiście solidne...
Po prostu przy wyższych częstotliwościach rosną straty przełączania w tranzystorze. Zresztą i przy tych kilkunastu kHz można by pomyśleć o przyspieszeniu wyłączania tranzystora (wyłącza się dużej bo wychodzi z nasycenia, poczytaj). Ok, dzięki. Postaram się wybadać temat. Istnieją. Są to przekaźniki bistabilne. No to czy takie rozwiązanie nie wydaje...
Dławik 47uH - może być przeciwzakłuceniowy na 5A (bo są sporo tańsze) ?.. Sporo tańsze i nie bez powodu. Dławiki EMI mają zwykle otwarty rdzeń, albo szczelinę, aby mogły pracować przy dużym max. prądzie. Rdzenie otwarte i ze szczelinami nie nadają się do budowy konwerterów na duże moce i sprawności. A stosowanie zamkniętych rdzeniów wymaga materiałów...
2×12×√2 -1.5V=32,44V Czyli OK. Dodano po 1 Uzwojenia szeregowo. Warto przełączać na równolegle jak pisałem aby zmniejszyć straty mocy bo ugotujesz końcówki
Do SP5 IT przekaźnik R15 nie będzie, nie jest hermetyczny jeśli będzie na maszcie to na chwilę zaśniedzieją styki i po robocie. Po drugie nie jest koncentrycznym przekaźnikiem będzie rozstrajał anteny, znam to z autopsji miałem takie rozwiązanie bardzo dawno temu. Jeśli mogę doradzić to zastosuj takie coś jak na zdjęciach , jest to produkcja "braci".Obecnie...
Wszystko co piszesz to są inne zastosowania. Spróbuj pomyśleć tak: Szybkie diody w zastosowaniach, które podałeś, oraz innych mają za zadanie ograniczyć straty przełączania. Tutaj przeciwnie - im większe straty w diodzie przy przełączaniu tym więcej energii impulsu rozproszy dioda, tym samym mniej pójdzie w resztę układu. Albo tak: Szybkość diody to...
Oporniki po 0,1 ohma, ale dalej Ci moc nie wzrośnie! Moc wzrośnie (trochę), jeśli dasz szybsze tranzystory, czyli właśnie BDY23 ... Szybsze tranzystory, to większa szybkość przełączania (i mniejsze straty na przełączaniu!), a więc dla tego samego napięcia pierwotnego mniej zwojów, czyli uzyskasz wyzsze napięcie bo możesz zwiększyć przekładnię transformatora.
Na tranzystorze IGBT na ten przykład. To chyba niepotrzebnie podniesie straty. Sterujemy grzałką, więc szybkie zmiany temperatury ogranicza pojemność cieplna grzałki, co z kolei pozwala tranzystor sterować przy częstotliwości PWM 10-50Hz. Lepiej użyć MOSFETa którego Rds(on) wyniesie nawet 5miliomów, co spowoduje wydzielanie się na nim kosmicznej mocy...
W tym przypadku na drugi PWM pasowało by podawać sygnał prostokątny 50Hz (tzn. PWM ale o wypełnieniu 0 albo 100%, i ta zmiana z 0 na 100% i z powrotem z częstotliwością 50Hz). Działało by to i ma zaletę że jedna połówka mostka nie pracuje przy dużej częstotliwości (PWM niby jest ale ma 0 albo 100% więc nie ma strat przełączania). Takie rozwiązanie...
przełączać kamera przełączać kamera obliczać strata strata cieplny
ogrzewanie elektryczne projekt drzwi zmywarka domyka lenze falownik potencjometr
lidlomix silnik samsung ww60j4063lw
Siemens PS 307 – brak regulacji napięcia 24V, usterka potencjometru, TL431, transoptor Citroen Berlingo II B9 – lokalizacja czujnika poziomu paliwa, dostęp przez klapę serwisową