Witam. Wyznaczyłem moc strat podczas kluczowania tranzystora MOSFET. Obliczenia są przykładowe i nie tyczą się na chwilę obecną żadnego konkretnego modelu. Pytanie brzmi jak wyznaczyć średnią moc strat która wydzieli się na obudowie tranzystora znając chwilową moc. Moc średnia potrzebna byłaby do dobrania radiatora.
Witam Czy szanowni koledzy pomogą w liczeniu mocy strat dla mosfeta? Wiem jak wyliczyć moc strat statyczną, czyli tą wydzielaną dla rezystancji Rdson. Kłopot natomiast mam z mocą dynamiczną czyli na przełączaniu. Wiem, że potrzebuję czasy t(rise) i t(fall) natomiast nie znam wzoru na wyliczenie. Tranzystor dla przykładu to IRF540ZS Potrzebuję osiągnąć...
Mam tranzystor np IRRFR7440 (około 2mOhm RDSon). Jeżeli go otworze i popłynie prąd 10A to moc strat wyniesie 100x2m =200mW. Jak oszacować straty mocy przy kluczowaniu włącz/wyłącz np 1kHz ?
Pytanie: Jak dobrać do naszej aplikacji tranzystor dyskretny? Odpowiedź: No... dyskretnie ;). Tego żartu nie udało się niestety uniknąć. Prawda jest taka, jak piszę autor artykułów, James Bryant, iż wcale nie trzeba dokonywać tego doboru nazbyt dokładnie. Często spotyka się projektantów spędzających długie godziny czy nawet dni poszukując możliwie...
Sygnał sterowania pochodzi z mikrokontrolera STM32 więc sygnały sterujące będą miały napięcie 3,3V (DIRA, DIRB i DIRC na górze). Przyjęta tu przez Ciebie koncepcja sterowania trzema sygnałami z uC (oszczędzająca jedną bramkę wobec przykładu z linku) jest potencjalnie niebezpieczna bo nie eliminuje w sposób pewny sytuacji zwarcia zasilania przez dwa...
Witam w kolejnej, piątej, części cyklu dotyczącej analizowania kart katalogowych tranzystorów MOSFET. W Rys.1. Pomiar ładunku Qrr i QOSS dla tranzystora CSD18531Q5A przy dI/dt równym 360 A/µs (po lewej) i 2000 A/µs (po prawej). Qrr może zależeć silnie od prądu diody w kierunku przewodzenia (If) szybciej niż od prędkości dI/dt. Dlatego też...
Moduł IGBT czy tranzystor MOSFET to napięciowo kontrolowane urządzenie półprzewodnikowe służące do sterowania przepływem prądu elektrycznego w systemach sterowania oświetleniem, silnikami, zasilaczach impulsowych i wielu innych. Bramka takiego elementu jest galwaniczne odizolowana od pozostałych dwóch wyprowadzeń układu (źródła i drenu w przypadku FETa...
W poniższym artykule opisano najnowszą technologię urządzenia OptiMOS 6 firmy Infineon. Jest to nowatorskie podejście do projektowania modułów zapewniające wyższą gęstość mocy i poprawiające efektywność kosztową wykorzystujących je systemów. Od samego początku swojego istnienia, technologia MOSFET była powszechnie uznawana za doskonałą opcję dla kluczy...
Moje pytania brzmią: 1. Co dają te tranzystory bipolarne BD139/140, skoro nie ma ich na drugim schemacie ? 2. Po co stosuje się rezystory w obwodach bramek MOSFETów ? 3. Ile par tranzystorów MOSFET typu IRFZ44 mozna podlaczyc do takiego ukladu, aby niedopuscic do nadmiernych, znacznie pogarszajacych strat ? 1. dla ukladu sterujacego MOSFETy stanowia...
No znam- ale nieco drożej. Trzeba zastosować sterowniki do silników- dedykowane specjalnie do takich silników. Można kupić same płytki i kupić elementy, można zrobić płytki i kupić elementy albo kupić gotowe sterowniki. Od 1/2 do 1/1000 kroku. Można też do Twojego układu wstawić oporniki ograniczające prąd w dreny tranzystorów mosfet. A nie tranzystory...
Nowa generacja tranzystorów SiC MOSFET firmy Toshiba znacznie zmniejsza straty przełączania — nawet o 20% w porównaniu z poprzednim wydaniem. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation opracowała nowe tranzystory MOSFET z węglika krzemu (SiC) o niskiej rezystancji kanału przy włączaniu i znacznie zmniejszonych stratach przełączania —...
Mają one spory zapas mocy... To nie tak czym innym jest moc dostarczona do obciążenia a czym innym moc stracona podrodze w tranzystorze Przykładowo IRF8707 ...oraz diodę zaporową... Wszystkie MOSFET-y mocy ją mają, z prostej przyczyny - nie da sie jej pozbyć. Najważniejszym kryterium przy wyborze tranzystorów MOSFET jest Rds(on) - rezystancja w stanie...
Właściwie dlaczego stosowane są oba typy tranzystorów skoro unipolarne mają zdecydowanie lepsze parametry? W każdym zastosowaniu ważne są inne parametry. We wzmacniaczach ważna jest transkonduktancja, FET-y mają zdecydowanie mniejszą więc jeśli we wzmacniaczu na pojedynczym tranzystorze bipolarnym wstawisz MOSFET-a to spadnie wzmocnienie. Do kluczowania...
Jeżeli chcemy użyć tranzystora w roli "przekaźnika", najlepiej będzie podłączyć go w konfiguracji wspólnego emitera (jeżeli to tranzystor bipolarny) albo wspólnego źródła, jeżeli chcemy użyć tranzystora MOSFET. W zależności od tego, jak chcemy sterować odbiornikiem, należy dobrać odpowiedni tranzystor: - typu NPN (bipolarny) lub z kanałem typu N (MOSFET),...
Nie moze, ponieważ zauważ, że jak otworzysz t6 i bramka mosfeta zostanie przeładowana do tych 4,5V to tranzystor się włączy, ale ... nie masz jak go wyłączyć. Wyłączysz t6, a napiecie na bramce nie spadnie. Nie ma co go ściągnąć do masy. Ogólnie przekombinowałes. Podłącz bramke MOSFETA do portu atmega tylko za pośrednictwem rezystora. Chyba że z jakąs...
Gdy nasza aplikacja potrzebuje potrzebuje tranzystora MOSFET o napięciu pracy większym niż 50 V lub też rezystancji kanału poniżej kilku miliomów musimy posłużyć się rozwiązaniem dyskretnym, gdyż nie istnieją scalone przełączniki tego rodzaju. W takiej sytuacji zaprojektować musimy nie tylko sam układ oparty o tranzystor FET, ale także odpowiedni sterownik,...
Jeżeli nie będziesz miał kondensatorów blisko, fizycznie blisko pary BC807/817 to indukcyjność ścieżki będzie działała niekorzystnie w dwojaki sposób. Jej indukcyjność uniemożliwi szybki wzrost prądu ładowania złącza bramki MOSFET-a poprzez BC817/807. A to uniemożliwi właściwą stromość ładowania bramki i pogorszy komutację. Będziesz miał sporo cieplejszy...
Rys.1. Schemat blokowy wzmacniacza klasy D. Entuzjaści dźwięku o wysokiej jakości są ostatnimi beneficjentami szeregu zalet azotku galu (GaN), ponieważ zapewnił on audiofilom wytchnienie w ich poszukiwaniach wysokiej klasy dźwięku. Dylemat, co stanowi optymalną konfigurację dla domowego systemu audio, został rozwiązany przez elementy wykonane właśnie...
Zarówno schemat, jak i pcb wyglądają ok. Z tym, że ścieżki gdzie będą duże prądy musisz dać dużo szersze, albo je dobrze pocynować. Najlepiej jedno i drugie. Ale rozumiem, że to wstępny projekt. Jeśli włożył byś diodę odwrotnie, to nic złego nie będzie się działo dopóki nie podasz stanu wysokiego na wejście drivera, a tym samym bramki mosfeta. Gdy tranzystor...
Cześć. Mam pytanko czy możecie mi podać tak na chłopski rozum podstawowe różnice tranzystorów IGBT i MOSFET - nie chodzi mi o samą budowę i technologię bo od tej strony są wielkie różnice - chodzi mi o zastosowanie w praktyce ponieważ zauważyłem, że stosuje się IGBT coraz częściej i są bardzo chwalone w opisach ale wziąłem kilka danych katalogowych...
Fajne założenia ale schemat trochę źle przemyślany. Fajnie, że masz tryb prądowy ale on w większości dobije przetwornicę po przekroczeniu jej ograniczenia prądowego i zacznie się czkawka (nie da się ściągnąć ch-ki ograniczenia mocy). Przydał by się tryb rezystancyjny. Da się to zrobić przez dorzucenie informacji o napięciu na przyłączu obciążenia. Tak...
Witam, Mam na myśli to że po odłączeniu zasilania bramki, dren-źródło nadal przewodzi w regulowanym czasie od 0s do 4s ? ten pomysł jest ze wszech miar niewskazany. Zbyt długie przechodzenie tranzystora od stanu załączenia do stanu wyłączenia będzie powodowało dość duże i niepotrzebne straty mocy na tym tranzystorze. Generalnie, prądowe klucze tranzystorowe...
podłączony pomiędzy plus zasilania a dren mosfeta osiąga super obroty przy max wypełnieniu Odkryłeś właśnie klucz tranzystorowy. Bo klucz to właśnie obciążenie w drenie (albo w kolektorze). wentylator komputerowy podłączony pomiędzy źródło mosfeta a masę nie osiąga pełnej prędkości obrotowej Bo to nie klucz ale wtórnik źródłowy (dla tranzystora z łączowego...
Jeśli chodzi o przetwornice impulsowe, oba rodzaje tematycznych tranzystorów mają swoje wady i zalety. Ale który jest najlepszy do danej aplikacji? W poniższym artykule nie odpowiemy bezpośrednio na to pytanie, jednakże porównamy tranzystory MOSFET z modułami IGBT, aby wskazać, na jakim polu poszczególne elementy są lepsze. Zasadniczo, przyjęło się,...
Wzrost zastosowania sterowników silników, inteligentnych sieci przesyłowych i technologii inteligentnego domu, a także zwiększone zapotrzebowanie na urządzenia wysokiego napięcia, przyczyniły się do wzrostu światowego rynku sterowników bramek tranzystorów MOSFET i modułów IGBT mocy. Kompletny system sterowania silnikiem elektrycznym obejmuje zasilacz...
Mosfet wygląda na typu N. Nie wnikając w jego datasheet popełniłeś dwa błędy (moim zdaniem). 1. Mosfet się nie wyłączy w rozsądnym czasie, bo brak jest rezystora rozładowującego bramkę (łączącego bramkę ze źródłem). 2. Mosfet ulegnie przebiciu napięciem 24V jeśli obciążenie będzie pojemnościowe (o małej rezystancji). Należałoby zabezpieczyć złącze G-S...
Witam, Właśnie męczę sobie przetwornice i wymieniam już kolejną parę tranzystorów... Otóż moje dzieło zakładało na początku wykorzystanie trafa od zasilacza ATX tylko przewiniętego oraz transformatorka sterującego również z ATX-a. Jak wszyscy wiemy w takim przypadku transformatorki te zawierają uzwojenie do utrzymania proporcjonalności prądu bazy i...
Przepraszam, mój błąd, konkretnie to pobór 0,3A przy 12V ale to i tak 3.6W, więc faktycznie jakiś radiator muszę dołożyć, Jeśli 3,6W to moc obciążenia to nie ma możliwości żeby tyle traciło się w tranzystorze regulującym, jeśli obciążenie jest liniowe maksymalna moc strat wystąpi przy 1/2 prądu i będzie to 1/4 mocy obciążenia, jeśli to LED'y (które...
Można by też zastosować mostek H... Jeśli mamy obwód RLC szeregowy, to moc tracona jest równa I_skuteczne^2*R; przy założeniu przebiegu sinusoidalnego to będzie I_max^2*R/2, moc dostarczana może być U_zasilania*I_max/Pi dla wyjścia push-pull, 2*U_zasilania*I_max/Pi dla mostka H - z tego można wyliczyć I_max i I_skuteczne; dla tranzystorów MOSFET I_skuteczne...
Firma ROHM ogłosiła wprowadzenie do produkcji nowego tranzystora MOSFET, SCT2080KE. Jest to element wyprodukowany z węglika krzemu (SiC), dedykowany do generatorów impulsów wysokonapięciowych. Generatory tego rodzaju stosuje się w szeregu aplikacji, takich jak generatory plazmy, lasery czy akceleratory. Konwencjonalne systemy tego rodzaju opierają...
Spółka Vishay Intertechnology, Inc. ogłosiła właśnie wprowadzenie nowego tranzystora polowego do swojej oferty. MOSFET ten wyposażony jest w kanał typu N i możliwość pracy z napięciem do 30 V. Element wyprodukowany został w opatentowanej technologii TrenchFET? czwartej generacji. Tranzystor ten dedykowany jest do układów przenośnych, elektroniki konsumenckiej...
1N4007 raczej jest za wolna, użyj UF4007. Poza tym wyłączanie MOSFET-a może trochę potrwać - jaki on ma ładunek bramki? Niestety w nocie katalogowej na Elenota.pl brak parametru "Total Gate Charge" dla BUZ10 i nie ma BUZ103S (jest dla BUZ102S - typowa 45nC, maksymalna 70nC, przy napięciu drenu 40V); dla BUZ10 podają parametry szybkości przełączania...
Przy sterowaniu tranzystorami MOSFET bezpośrednio z wyjścia mikrokontrolera, należy pamiętać o kilku rzeczach: 1. napięciu progowym tranzystora UGSth, 2. pojemności wejściowej tranzystora, 3. poziomie napięć, o ile jest to tranzystor z kanałem typu P. Zalecane schematy połączeń dla tranzystora z kanałem typu N i typu P wyglądają w ten sposób: Rezystor...
W nocie katalogowej MOSFET-a podaje się opór dla jakiegoś napięcia bramki - zwykle typowy i maksymalny. Jeśli ten maksymalny nie jest za duży (on będzie powodował straty: spadek napięcia, grzanie się MOSFET-a), to możesz takiego MOSFET-a użyć i mieć pewność, że się nadaje, ale pod warunkiem, że możesz mu zapewnić takie napięcie bramki, dla którego podano...
Chcialem teoretycznie zapytac czy mozliwe byloby sterowanie impulsowe cewka zaplonowa z samochodu za pomoca tranzystora MOSFET?? Znalazlem w ofercie TME przykladowo taki tranzystor: IRF530N Vdss = 100V Id = 17 A Rds = 0,09 Ohm Czy 17A wystarczy?? Przy tranzystorze tym napisana rowniez byla moc 63W, czy to jest moc strat czy o co chodzi?? Chcialem w...
uklad powinien byc tak zaprojektowany aby mozna bylo wlozyc do niego tranzystory bez dobierania. Takie parowanie to strata czasu i zadna firma produkujaca wzmacniacze nie bedzie sie w to bawic. Nikt nie bedzie wyzucal tranzystorow do kosza! Zreszta jak kolega napisal po wybraniu trzech tranzystorow ma 30mV roznicy a to duzo. Ciekawe ile odrzucil i co...
....Jestem pierwszy który na to odpowie.... A jakie ma to znaczenie :?: ....pod warunkiem że są sparowane... W przypadku mosfetów technika nie stosowana. Nikt się w to nie bawi. Chyba że jest to wzmacniacz m.cz. Ale w domu ich raczej nie sparujesz. ....jeden tranzystor 200V,20A ma pojemność G-S 300pF... Pojemności bramek w takich mosfetach to około...
....Myślę że jakiś MOSFET wystarczy - zapewne to jakiś niskonapięciowy przy tej mocy,więc wyspecjalizowanych układów nie ma sensu stosować raczej..... Też uważam że "jakiś" mosfet to na pewno wystarczy. Pozostaje tylko pytanie jaki? Bo na pewno nie żaden z typowych MOSFET'ów. Dlaczego? To proste. Z procesora dostaniemy 5V. Natomiast "normalny" MOSFET...
Ale LED nie świeci od napięcia, tylko od prądu. Jeżeli zasilasz z dwóch paluszków, to i tak napięcia powinno wystarczyć. Poza tym kto każe ci używać tranzystora bipolarnego? Chcesz mieć małe straty napięcia weż MOSFET-a.
Witam! O sterowaniu mosfetami na forum jest już dużo tematów to wiem... ale :) W moim układzie muszę wykorzystać tranzystor mosfet IRLZ, problemem jest to że częstotliwość z jaką chcę go sterować to... 234kHz (Ewentualnie mogę zejść do 117kHz, ale wole pozostać przy tej). I tu nasuwa się pytanie- czy uC o wydajności prądowej na pinie równej 20÷25mA...
Witam, Witam. Jak prawidłowo wysterować Mosfeta z bramki TTL ? Obciążeniem będą taśmy z LEDami przy 12V. Prąd obciążenia raczej nie będzie większy niż 2A może 3A. Dać jakiś rezystor szeregowo z bramką, czy jest niepotrzebny? Wysterowanie wprost z wyjścia standardowej bramki TTL standardowego MOSFETa N-kanałowego to Mission Impossible , potrzeby jest...
CosteC - Nie wiem, jaka miałaby być idea softstartu zaproponowanego do tego zasilacza, polegającego na starcie ze zmniejszonym sygnałem sterującym podawanym na bramki MOSFET-ów, który potem jest stopniowo zwiększany. Przy słabym sygnale (niewiele powyżej progu włączenia) tranzystor jest tylko częściowo włączany - tak, że ma dużą oporność, przy przepływie...
Fig.11 to charakterystyka umożliwiająca obliczenie (oszacowanie) wzrostu dopuszczalnej mocy strat tranzystora gdy przebieg jest impulsowy Dla DC - P=(Tjmax-Ta)/Rthja= ok. 2W) . Dla przebiegu impulsowego w zależności od wypełnienia (duty factor), oraz długości impulsu t1 odczytuje się wartość Zth (impedancję termiczną) co umożliwia obliczenie mocy rozpraszanej...
Układ może i poprawny ale obarczony dużymi stratami. Przykładowo gdy napięcie wyjściowe będzie 6V na tranzystorach zostanie reszta ok 6V przykładowy prąd np 12A co da 72W mocy wydzielanej w tranzystorach. Zastosuj prosty regulator PWM na tranzystorze MOSFET
Częstotliwość to 60kHz, więc jaki układ sterujący mógłby być odpowiedni? Z btle arduino przy tej częstotliwości żadnego MOSFET-a nie wysterujesz, więc trzeba dać driver, albo scalony albo zbudować na tranzystorach, a wiec i podniesienie napięcia nie będzie problemem. Napięcie do 250V. Łączna moc którą będą sterować to 2000W. Dla tranzystora ważny jest...
Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje techniczne nie są proste do analizy, zwłaszcza dla początkujących...
zauwaz ze jezli podasz na bramke (wzgledem zrodla) napiece Ugs=5V a napiecie miedzy zrodlem a drenem bedzie Uds=12V to oczekujemy plynacego produ w okolicahc Id=2A. Ale dla Ugs=4.5V Id to tylko 1A Bardzo Cię przepraszam ale chyba trochę popłynąłeś, to co napisałeś sugeruje pracę w obszarze pentodowym, w którym tranzystor mosfet działa jak źródło prądowe...
Jedno z często zadawanych pytań przy wyborze sterownika bramki dotyczy prądu szczytowego, jaki może dostarczyć dany układ. Prąd szczytowy jest jednym z najważniejszych parametrów w karcie katalogowej sterownika bramki tranzystora. Metryka ta jest generalnie traktowana jako podstawa dla szacowania siły sterowania bramki. Czas włączenia i wyłączenia tranzystora...
Dlatego zapytałem rb401 czy potrafi narysować taki układ. Okazało się że zna ~tylko ogólną teorię działania. _jta_ jak chesz schemat #20 analizować to niech autor wstawi wartości elementów. Teoria działania i wskazówki projektowe są znane nie tylko mnie ale powszechnie w mnóstwie opracowań, bo to klasyka. Choćby tu w tym źródle: Ale co do szczegółów...
A jakie układy chcesz robić? Najłatwiej jest kiedy stosuje się MOSFETy jako klucze, dobiera Rds(on) na podstawie mocy strat którą możesz zaakceptować. Pytanie ociera się o temat jak projektować układy elektroniczne, kilku popularnych przypadków użycia tranzystora można nauczyć się szybko, ale żeby umieć dowolne układy na tranzystorach, trzeba się dużo...
driver ir2111 jest dużo wolniejszy od tranzystora IGBT, czy nie jest to złym rozwiązaniem, mogę się mylić, ale wydaje mi się, że powiniwn być szybszy. Poza tym w nocie igbt jest rg=10ohm i 15V co daje 1,5A - początek ładowania pojemności bramki, a ir2111 ma 200mA co zmowu spowalnia... Ten "driver IR2111" Ci się nie przyda (wymaga osobnego sygnału sterującego)...
Tranzystory MOSFET nadają się bardzo dobrze do załączania dużych prądów, przy małych napięciach, w takim zastosowaniu mają mniejsze straty od bipolarnych. Przy wysokim napięciu i dużych prądach, mniejsze straty mają bipolarne lub IGBT. W układach analogowych tranzystory JFET i MOSFET stosowane są w układach o małych prądach wejściowych i w kluczach...
Nabazgrałem układ taki jak na rysunku. Jest to tylko część całego układu, także w grę wchodzi tylko tranzystor umieszczony od strony zasilania. Tranzystor włączany jest przy zerowym prądzie, także czas włączenia nie jest tutaj szczególnie istotny, w przeciwieństwie do czasu wyłączenia(prąd dochodzący nawet do 20A). Niestety przedstawiony dzielnik zapewnia...
Witam, Pytanie na szybko: Mam dylemat przy montażu swojego projektu. Całość jest zasilana z akumulatora litowo-polimerowego. W projekcie występują diody LED, sterowane z mikrokontrolera, poprzez tranzystor. Pytanie brzmi: jakie - lepiej - tranzystory użyć? Do dyspozycji mam bipolarne BC847/BC817 oraz unipolarne 2N7002. Zależy mi na szybkości działania...
Poniżej typowa konfiguracja mostka H do sterowania np. prędkością i kierunkiem wirowania silnika DC: Tranzystory IRF4905 mogą się w takim układzie nadmiernie nagrzewać, poniżej powody nadmiernych strat mocy: 1. Niedostateczna amplituda przebiegów sterujących na A0 i A1. Jeżeli napięcie V+ wynosi 12V, to napięcie sterujące bramkami (podawane na węzły...
Nie chodziło o wyjaśnienie po co są te oporniki, tylko czy są potrzebne czy nie. Pytanie dotyczyło również tego czy są potrzebne oporniki w drenach tranzystorów połączonych równolegle. Czesc Nie zgadzam się z "Panda02". Tranzystory polowe sa sterowane napieciem, ich opornosc wejsciowa jest liczona w mega-megaomach. Danie opornika szeregowego nic nie...
Dzień dobry Mam wątpliwości n/t stabilnego działania sterownika tranzystora MOSFET a konkretnie układu przeniesienia poziomu "bootstrap" D3 C6 przy tak małej częstotliwości łączeń (500Hz). Korzystałem kiedyś z IR2113 do sterowania łącznikami 50Hz w gałęzi mostka. Był tam bardzo podobny układ i niestety nie sprawdził się. Nie pomagało zwiększenie pojemności...
Witam!! Mam mały problem z identyfikacją parametrów Eon i Eoff tranzystora MOSFET... Nie mogę ich znaleźć na żadnej karcie katalogowej (!) (noty z których korzystam zamieściłem tutaj - ...) :| Parametry te potrzebne są do policzenia strat przełączania, które wyrażają się wzorem: ΔPsw=fsn(Eon+Eoff) Może ktoś zna jakiś inny wzór na przeliczenie strat...
Zastosowanie tranzystora MOSFET z kanałem typu p jako element przełączający napięcia przekraczające 100 V, pozwala uprościć cały schemat. Aby sterować tranzystorem MOSFET i zredukować straty wydzielane w postaci ciepła, należy na przemian ładować i rozładowywać pojemność wejściową między jego bramką a źródłem. Na powyższym schemacie, tranzystor Q7...
Trzeba zminimalizować wzmocnienie ,tak aby wysterować tranzystor prądowo. Znależć tranzystor o wzmocnieniu 30-50 i duzej Ft. To jakaś nowa teoria? Niższa beta oznacza szybsze przełączanie? ft nie na tu nic to rzeczy. Tranzystory BC też mają dużą ft. Kolego marnowak - tak, mają takie storage time, ale nie popatrzyłeś przy jakich prądach. Zobacz "Swicthing...
Firma STMicroelectronics zaprezentowała pierwszy tranzystor MDmesh V wykonany w technologii Super-Junction. Dzięki wyposażeniu go w obudowę nowej technologii, zwiększa sprawność obwodów zasilania w urządzeniach takich jak sprzęt AGD, telewizory, komputery, sprzęt telekomunikacyjny oraz zasilacze impulsowe serwerów. Nowa 4-wyprowadzeniowa obudowa TO-247-4...
Kolego moim zdaniem masz uszkodzony driver i błędne założenia. Podejrzewam że sygnał jest zbyt wolno załączany albo wyłączany i moc strat wykańcza tranzystor. Proponuję wymienić ten driver. Druga sprawa to częstotliwość PWM. Po co koledze 2600Hz? Czy 200Hz albo nawet 50Hz nie robi różnicy? Moim zdaniem nie robi ale ja nie znam wszelkich szczegółów....
Witam. Jestem początkujący w świecie elektroniki. Mam problem z którym nie wiem jak mogę sobie poradzić. Potrzebuję z pomocą atmegi sterować żarówką H4 (zmiana świateł : mijania-drogowe) jako tranzystory wykonawcze planuje użyć tranzystory irfz34n. Wiem że aby całkowicie otworzyć tranzystor mosfet potrzeba potrzeba wprowadzić na jego bramkę napięcia...
Witam! Chcę dobudować do mojego zasilacza stabilizator wstępny, żeby ograniczyć straty mocy tranzystora wyjściowego. Zmodyfikowałem nieco układ opisany w PE 6/2000(kilkakrotnie pojawił się już na forum). Po przeczytaniu opisu, mam wątpliwości, czy układ sterowania mosfeta, będzie go prawidłowo zamykał. Autor tak opisał działanie: W czasie gdy włączony...
dla pradu 0.1A potrzeba 2V do 2.2V i dla 1.7A potrzeba 2.5V do 2.7V. Moj zasilacz nie daje wiecej jak 1.7A, wiec nie moglem sprawdzic przy wiekszych pradach. Jest jednak taka uwaga, ze zmiana pradu od 0.5A do 1.7A wymagala zmiany na bramce tylko 0.2V..... Opornik 4R7 w drenie, opornik 1k z drenu do bramki. Zmieniajac napiecie zasilania calosci, mierzymy...
Skoro już wiadomo że chodzi o IRFZ44N to przy rezystancji wyjściowej drivera 47Ω przełączanie potrwa ok 200ns nawet jeśli szczytowa moc strat podczas przełaczania osiągnie 120W (najgorszy przypadek 12V 10A obciążenie indukcyjne - silnik) to przy 1kHz dodało by to tylko 24mW do strat w tranzystorze. Dlatego pisałem że mozna zwiększyc rezystor R4...
Parametry o których piszesz, to pewnie maksymalne napięcie VDS lub VGS, po którego przekroczeniu nastąpi przebicie. Ciebie interesuje napięcie VGSth, czyli napięcie przy którym następuje przełączenie tranzystora. Tutaj zalecałbym ostrożność, ponieważ często jest to parametr marketingowy. Do poprawnej pracy tranzystor wymaga (niekiedy znacznie) wyższego...
Wartość prądu max Id to parametr marketingowy, nie bez znaczenia jest też tradycja (analogicznie jak podaje się max. Ic dla tranzystorów BJT). W zasadzie parametrem wystarczająco opisującym możliwości prądowe MOSFET-a jest Rdson - bo Rdson x Id=Ud, a Ud x Id=P (moc strat). Proszę zauważyć, że te podawane wartości max.Id są tak wielkie, że w normalnej...
Możesz wyjaśnić jak układ miałby działać i czym sterować? Chodzi zapewne o rozłączanie zasilania w masie. Musisz policzyć sobie co będzie bardziej opłacalne energetycznie. Jeżeli w grę wchodzi niskie napięcie lepiej zastosować tranzystor mosfet, współczesne mosfet-y na niskie napięcia mają bardzo małe rezystancje kanału w stanie załączenia, będziesz...
Szukasz MOSFETA dość małego, bo raz że wielkiego bydlęcia w obudowie typu TO247 nie potrzebujesz, to dwa że nie masz na niego pewnie miejsca. Najlepiej coś SMT typu Dpack lub podobne. Ma mieć dość duży prąd drenu Id (Continuous Drain Current), na poziomie 5A lub wyżej (przy oporności grzałki 0,5 oma, Tobie pasujące wartości wyliczysz z Prawa ohma)....
Na tranzystorze IGBT na ten przykład. To chyba niepotrzebnie podniesie straty. Sterujemy grzałką, więc szybkie zmiany temperatury ogranicza pojemność cieplna grzałki, co z kolei pozwala tranzystor sterować przy częstotliwości PWM 10-50Hz. Lepiej użyć MOSFETa którego Rds(on) wyniesie nawet 5miliomów, co spowoduje wydzielanie się na nim kosmicznej mocy...
Firma Toshiba Electronics Europe wprowadziła na rynek swoje pierwsze tranzystory MOSFET z kanałem typu N o napięciu pracy do 100 V, które dedykowane są do zastosowań motoryzacyjnych. Dostosowanie do tego sektora polegały na umieszczeniu układów w małej obudowie SOP Advance do montażu powierzchniowego. Zaprojektowane są one specjalnie do nowoczesnych...
Po co się pchać w tranzystory? Przekaźniki, to jest prostsze sterownie, nie wymaga diod zabezpieczających przed spaleniem. Żadnych radiatorów, opcjonalnych wentylatorów. Więc nie ma strat, to co pobiera cewka przekaźnika to jest nic podług strat na tranzystorach. A to że sobie klika, no trudno ten typ tak ma.
MOSFET ma stosunkowo dużą rezystancję kanału SD w czasie przewodzenia i nie nadaje się do sterowania np. silnika (duże straty mocy). IGBT jest konstrukcją złożoną z MOSTETa i tranzystora bipolarnego. Połączono w nim właściwości sterowania napięciowego MOSFETa z niską rezystancją przewodzenia tranzystora bipolarnego. :)
Może i można ale napięcie Ube tranzystora bipolarnego jest zdecydowanie mniejsze od napięcia Ugs mosfeta i co się z tym wiąże potrzebny jest mniejszy spadek napięcia na elemencie pomiarowym - mniejsza strata mocy.
Tak, tak, zgrzewarka w dalszym ciągu. Zgodzę się, że kilka tranzystorów połączonych równolegle dałoby lepszy efekt ale STE180NE10 są za drogie (170 zł/szt). Dlatego też będzie jeden tranzystor. By zminimalizować straty stosuję przewody 35mm2. Zakres regulacji czasu, na jaki ma załączać się tranzystor, wynosi około 0,05 - 1s. Z obliczeń wychodzą mi następujące...
Jak zmodyfikować pierwszy schemacik aby tranzystor działał z opóźnieniem? Napięcie zasilania 8V, najlepiej coś bez dużych kondensatorów (układ ma pracować w temperaturze 60-80 stC). Albo inaczej, konkretnie ;) - jak zbudować wyłącznik na tranzystorze pełniący zadanie prostego układu miękkiego startu? Prąd około 3A, napięcie do 9V. Myślałem o termistorze...
I słuszna decyzja, chociaż koszt tranzystora 3zł, to niewielka strata.
W mostkach pracujących z obciążeniem indukcyjnym można napotkać na problemy związane z diodami zwrotnymi w mosfetach, które tak naprawdę są diodami pasożytniczymi o bardzo słabych parametrach dynamicznych, i to one mogą powodować niekontrolowane chwilowe zwarcia w gałęziach mostka. Zgadza się i byłem tego świadomy, natomiast kwestia zwarć moim zdaniem...
Witam Mam problem, muszę dobrać spalone mosfety w inwertorowej przecinarce plazmowej, oryginalnie siedziały 12 sztuk po 3 w mostku 2sk2837, niestety są drogie i trudno dostępne, znalazłem irfp460 ,napięcie i prąd dopuszczalny mają taki sam , Rdson ciut większy w granicach tolerancji produkcji, moc mają większą 280W oryginały 150W Ogólnie na co zwracać...
A więc po kolei: 1.Nie rozumiem idei soft startu, jeżeli i tak napięcie załączasz PWM-em to prąd jest uzależniony od wypełnienia. 2.Zasilanie tak jak je zrobiłeś nie powinno przyczynić się do zepsucia układu, ewentualnie do nieprawidłowego działania. 3.Miganie diody świadczy o zwarciu zasilania uC z masą. 4.Transil nie jest konieczny Po pół dnia przeglądania...
Pasożytnicza dioda w tranzystorze MOSFET jest połączona miedzy drenem a źródłem. Bramka jest odizolowana od kanału czyli również od diody, wiec nie rozumiem stwierdzenia, że dzięki diodzie sygnał sterujący nie jest pływający względem załączanego układu, to jest zadaniem projektanta zapewnienie odpowiedniego sygnału sterującego, zgodnie ze sztuką. Ta...
No jak to jaki - jeśli z arduino masz 5V a całkowite otwarcie kanału jest między 10V a 20V to pracujesz w zakresie nieoptymalnych warunków dla tranzystora jako klucz. Jeśli nie chcesz modyfikować schematu to zmień IRFZ44N na IRLZ44N, który jest logic level czyli przy 5V będzie miał już niemal pełne otwarcie. Rezystor bramkowy za duży - 1k? Jeśli znasz...
Wyjaśnij swoją opinie jeśli to nie prawda?? Oporność R DS (ON) = 0.07 Ohm po wysterowaniu Między Drenem a Źródłem wyjęte z notki katalogowej SPW47N60C3: Między 2,1V a 3,9V tranzystor zaczyna się otwierać, w zależności od egzemplarza. Spójrz jeszcze co dokument mówi na temat tego co producent uważa, za otwarcie tranzystora. Jeśli zaczyna płynąć prąd...
Brzęczeć może źle nawinięte uzwojenie, a grzeje się gdyż podejrzewam, konstrukcję partyzancką i nie za wielką wiedzę na temat strat dynamicznych w tranzystorze. Dodam tak na koniec że tranzystor mosfet w obudowie TO-220 może rozproszyć około 1.5W energii przy czym jego temperatura sięga wtedy ponad 100 stopni a potem jest już tylko zwarcie.
Dlaczego nie? oczywiście są mosfety, które mają wystarczające niskie napięcie Vgs aby się w pełni włączyć. Jednakże ważna jest też pojemność bramki. W przypadku kluczowania czegoś o większej mocy (albo częstotliwości kluczowania) czas ładowania i rozladowywania bramki jest głównym źródłem strat ( okres w którym mosfet jest w zakresie liniowym). Dlatego...
Kilkadziesiąt amperów i 3,6V kojarzy się z e-szlugiem, jeśli tak to użyj PWM'a. Regulacja liniowa jest kłopotliwa, że względu na straty mocy, niestabilność termiczną MOSFETów oraz pozostałe analogowe problemy, oczywiście zrobić się da ale trzeba mieć konkretne powody żeby wybrać takie (trudniejsze) rozwiązanie.
Irfz ma około 100w co na moje potrzeby za mało. Podejrzewam że nie za bardzo dobrze liczysz swój projekt. Mosfet IRFZ44 zastosowany jako czysty klucz (jak to jest przy pracy PWM) nie wydzieli pełnej mocy granicznej z jego specyfikacji, bo mamy dla niego max 50A i opór kanału <0,028om (opieram się na specyfikacji firmy Vishay) czyli ledwo 14W. Jeśli...
Witam Zbudowałem urządzenie które steruje silnikiem DC. Zasilanie 12V. Tranzystor to P- MOSFET , model AOD403, bezpiecznik 8A szybki. Sprawa wygląda tak że zwarcie wyjścia do masy zawsze kończy się upaleniem bezpiecznika i tranzystora. Tranzystor uszkodzony ma zwarcie między drenem a źródłem. Nie mogę dać mniejszego bezpiecznika gdyż silnik przy Pmax...
Ale moc tranzystora podawana w danych katalogowych nie ma nic wspólnego z mocą urządzenia w którym ten tranzystor pracuje. Powinieneś zastosować tranzystory o większym dopuszczalnym prądzie drenu i jednocześnie o jak najmniejszym czasie wyłączania (wogóle czasy przełączania i przetrzymania powinny być możliwie małe - wpływa to na zmniejszenie mocy strat...
Ne ijsem navigator, ale ad vocem: Jeden z czynników - straty mocy. Tranzystor w stanie odcięcia czy nasycenia pracuje z małymi stratami mocy, w stanach pośrednich te straty mogą być kilkukrotnie wyższe, czego odpowiednio nisko spasowany element może nie wytrzymać. Taka sytuacja jest bardziej prawdopodobna w przypadku MOSFETA, gdzie bramka pracuje bezprądowo,...
Czy zamiana rezystora na źródło prądowe z tranzystorem N-MOSFET (w układzie zasilania z 12V diody LED, I=0.5A, straty mocy ~kilka W , temperatura opornika > 50 st. C ) spowoduje że straty mocy na rezystorze/źródle prądowym będą mniejsze ? Czy ktoś mógłby narysować schemat takiego źródła ? Źródło prądowe na stabilizatorze LM317 ( +rezystor) nie daje...
Przy stabilizacji napięcia z 30 V na 12 V przy prądzie 0,5 A bilans mocy wygląda tak: 30-12=18V --> P=18x0,5=9W, z 12V na 5V, jest odpowiednio 12-5=7V --> P=7x0,5=3,5W. Z tego rachunku wynika, że choćbyś klękał i przykucał, stabilizator musi zanienić na ciepło moc zależną od prądu i spadku napięcia na tranzystorze wykonawczym (układzie scalonym) i nic...
Szukam zamiennika dla tranzystora MOSFET: AP4951GM Tranzystor pochodzi z Logitech Flight System G940. Obsługuje silnik force freedback. Jest spalony, widać gołym okiem. Dual P Channel Max Current Id -3.4A Max Voltage Vds -60V strata mocy 2W przy wł.rezyst 95mohm Rds measur. -10V Max Vgs 20V Data Sheet: Pytanie czy ten będzie dobrym zamiennikiem: IRF7342QPBF...
Witam forumowiczów, Wykonuje projekt falownika i mam obliczyć straty w tranzystorze MOSFET ale stanąłem w martwym punkcie gdyż, gdy obliczam straty przełączania to w katalogu nie podają jaka energie się wydziela przy załączani i wyłączaniu tranzystora, żeby podstawić to do następującego wzoru: Psw = f * (Eon + Eoff). Proszę o jakieś naprowadzenie, przeszukałem...
Napięcie żarzenia pobierane jest ze złącza X3. Zastosowany dla tranzystora radiator jest odpowiedni dla poboru prądu rzędu 50-80 mA. A cóż to za lampa która pobiera 80mA żarzenia? Poza tym to wcale nowoczesny on nie jest, na forum trioda.pl opisywany był już nie raz... Pojawił się także w książce "Proste konstrukcje lampowe audio" autorstwa Adama Tatusia(Traxman),...
Potrzebuje wzmocnic sygmał prostokątny 5V/1mA na 9V/ 500mA czy wystarczy użyć TC4420 skoro na wyjściu może dać 6A max i nie stosować zadnego tranzystora mosfet? Katalogowy prąd maksymalny driverów MOSFET'ów to impulsowy prąd zwarciowy przy zasilaniu napięciami bliskimi maksymalnym (więc jest to parametr bardzo "teoretyczny"), żeby odpowiedzieć na twoje...
Tranzystory MOSFET pracujące jako przełączniki przy dużych wartościach prądu powinny się cechować się jak najniższymi spadkami napięć, aby maksymalnie zminimalizować straty przewodzenia. Aby jak najlepiej spełnić te wymagania firma Advanced Power Electronics wprowadziła na rynek nowy tranzystor mocy MOSFET AP1A003GMT-HF-3 z ultra niską rezystancją...
1 i 4. A może dwa tranzystory zamiast tyrystora? Wtedy można uzyskać taką charakterystykę, jaka będzie potrzebna. Właściwie te dwa tranzystory już są na ostatnim schemacie: T2 i T4 - wystarczy opornik zamiast do tyrystora podłączyć do kolektora T4, a opornik R10 do bazy T4 - wtedy T2 i T4 zastąpią tyrystor i będą miały "prąd podtrzymania" około 2mA....
->aaanteka Witamy koleżankę w 101 dyskusji o MOSFET'ach, z wielu flame'ów które się wywiązały na tym forum wynika że wiedza dotycząca tranzystorów bipolarnych nie da sie bezpośrednio przenieść na tranzystory MOSFET, niektóre wnioski bywaja zaskakujące, czoćby takie że Pd (Maksymalna moc strat) i Id (maksymalny prad drenu) to parametry o marginalnym...