Kierując się w pierwszym rzędzie maksymalnym prądem mosfeta a nie jego mocą maksymalną.... Maksymalny prąd MOSFETa to jest parametr marketingowy, osiągalny tylko w laboratorium ze specjalnymi sposobami chłodzenia, nawet nóżki są chłodzone :) Przy normalnym użyciu MOSFETa jako klucza nigdy nie patrzę na prąd maksymalny i moc maksymalną, bo te parametry...
Nie podałeś typu tranzystora, I na dodatek atmega nie steruje tranzystorem tak ja ty to narysowałeś. Albo masz uszkodzony tranzystor, albo odwrotnie wlutowałeś tranzystor.
Według not katalogowych mają one wzmocnienie min 10, max 40, bywa i podawane 70. Wg tego wykresu: https://obrazki.elektroda.pl/2263236500_... hfe wynosi około 100-200, a powyżej Ic=40mA wzmocnienie leci na pysk. Niestety datasheet trochę biedny, nie wiem jaki wpływ w praktyce ma temperatura. Uce nie ma tu wiele do gadania, z resztą...
Nie spodziewałem się tylko, że wzmocnienie prądowe będzie aż tak niskie dla takiego prądu. Wzmocnienie spada dla wysokich prądów (zaznaczyłem na czerwono), poza tym nie chcemy pracować przy ledwie wystarczającym prądzie bazy (zaznaczyłem na pomarańczowo), ale dalej, żeby obniżyć spadek napięcia na tranzystorze (na zielono). https://obrazki.elektroda.pl/8255029000_...
Przyjmuję Uwe względem masy (0V) i że beta>>1 Ie=(Uwe-Ube-Ee)/Re dla dużej bety można przyjąć, że Ic≈Ie Ucl=Ec-Rc*Ie=Ecc-(Rc/Re)*(Uwe-Ube-Ee) ponieważ Rc=Re to mamy Ucl=Ec-Uwe+Ube+Ee Tranzystor wchodzi w nasycenie gdy Ubl>Ucl (tzn. gdy powstają warunki do przewodzenia złącza B-C) czyli gdy Uwe>Ec+Ee+Ube-Uwe 2*Uwe > Ec+Ee+Ube Uwe> (Ec+Ee+Ube)/2...
Gdyby tak zastosować tranzystor z większym hfe i taką samą resztą parametrów to pewno by skrócił się czas ładowania cewki większe hfe ma taki sam wpływ jak zmniejszenie nastawy potencjometru. Tranzystor o niskim napięciu nasycenia jest bardzo wskazany, żeby nie tracić napięcia na nim, te przy okazji mają wysokie hfe. wypełnienie przebiegu by było większe...
Po prostu w katalogu nie ma narysowanej charakterystyki dla tak małego napięcia Ugs. Należałoby pomierzyć ten tranzystor jeszcze dla napięcia wyższego niż 3,5V, powinieneś wtedy otrzymać coś bardziej zbliżonego do wykresu z katalogu. Po prostu nie pracował w obszarze nasycenia. Problemem przy pomiarze mogłoby być przekroczenie dopuszczalnej mocy strat.
Hmm, troche jeszcze nie do końca rozumiem. Zerknij prosze na ta grafike. Z tego nie wynika jakie będą straty mocy, znamy tylko maksymalny prąd obciążenia, nie wiemy jak wysterowany jest tranzystor. Nie powiedziałaś czy ma pracować jako klucz, czy ma sterować prądem liniowo. Nie znamy prądu bazy. Możemy wyliczyć maksymalne straty mocy przy pracy liniowej,...
Taki komparator ma na wyjściu tranzystor NPN, który w zależności od napięć na wejściach (które wejście ma wyższy potencjał) jest albo włączony, albo wyłączony. Równolegle do tego tranzystora podłączyć diodę Zenera, podać zasilanie z + poprzez opornik, i na wyjściu będzie albo "0" (napięcie nasycenia tranzystora), albo napięcie diody Zenera - poza małym...
(at)krychast zerknij na wycinek tego wskaźnika (miliwoltomierz). Są dwie opcje: 1: brak sterowania na B tranzystora T702, czego przyczyną może być uszkodzony ten scalak(UL1200) i dlatego tranzystor T703 w UL1111 jest w stanie nasycenia (R708). 2: uszkodzony T702 lub ten T703.
Taki tranzystor NIGDY nie wejdzie w stan nasycenia (Uce < Ube), dlatego występuje większa moc strat na tranzystorze. Jeśli chcemy sterować stanem WYSOKIM, to lepiej jest dać emiter na masę, bazę przez rezystor na port GPIO (Ib około 1/50 Ic) i obciążenie pomiędzy PLUS a kolektor tranzystora. Tranzystor wejdzie w nasycenie, spadek napięcia osiągnie...
To nie sprawność tylko wzmocnienie stałoprądowe w układzie WE tranzystora oznaczane także symbolem β. Ic≈β*Ib - w obrzarze aktywnym pracy tranzystroa Ib - prąd bazy tranzystora Ic - prąd kolektora β=hFE - wzmocnienie stałoprądowe w układzie wspólnego emitera. W instrukcji miernika zwykle jest podane przy jakim prądzie bazy jest...
Jak to jest np. w MOSFET (0,5ohma), jeśli na wejściu mamy 30V i podajemy PWM 20% to jaka moc wydzieli się na tranzystorze? Jak obciążenie pobierze 1A to w tranzystorze wydzieli się 0,5W przy PWM 100% i 0,1W przy PWM 20%. Przy 20A w takim tranzystorze wydzieli się 200W przy PWM 100% i 40W przy PWM 20%. Moc strat na rezystancji Rds(on) to iloczyn kwadratu...
T1 zatkany więc zakładając spadek napięcia na bazie T2 = 0,6 10V - 0,6 = 9,4V (10kΩ/110kΩ)*9,4V = 0,85V - spadek U na pierwszym oporniku Czyli napięcie w punkcie A = 10V - 0,85V = 9,15V Z tym się zgadzam. Wzmocnienie tranzystora wynosi 100 więc prąd obwodu kolektor-emiter: 0,000085A * 100 = 0,0085A W tym obwodzie jest opornik 10kΩ więc...
Nie podajesz szczegółów ale (prawdopodobnie) należy posługiwać się wartością βsat. Użycie tego tranzystora może być błędem ze względu na dużą wartość napięcia nasycenia - duża moc strat.
wyjście będę podłączał do AVR'a, którego wejście jest wewnętrznie podciągnięte pod 5 V (pop-up). Czy tranzystor będzie zdolny ściągnąć to napięcie na 0 V ? Będzie to napięcie nasycenia tranzystora rzędu kilkudziesięciu mV.
pytanie jest źle sformułowane Jak to często bywa, układający pytanie robi skróty myślowe zakladając że co dla niego oczywiste to i dla czytających... można powiedzieć, że tranzystor szybciej przechodzi w stan nasycenia niż w stan odcięcia (będąc w stanie nasycenia)? Odpowiedzieć na pytanie mogę TAK lub NIE i właśnie dlatego minimalizuje problem i w...
Witam, nigdzie nie mogę znaleźć tranzystora z takim oznaczeniem Jest to IGBT o pełnej nazwie typu CRG60T60AN3H. https://obrazki.elektroda.pl/2682094400_... Datasheet: https://www.crmicro.com/Home/IGBTsinglet... Widzę że są na Aliexpress dość liczne oferty. Co do zamiennika to patrząc na główne...
W układzie pierwszym napięcie jest ograniczone do 5V+Uf diody, czyli do ok. +5,3V. To ograniczenie przez diodę, ale wcześniej nastąpi ograniczenie przez Ube, bo wejście widzi tranzystor jako diodę B-E. Tak więc diody na wejściu są tu w ogóle zbędne. Wcześniej tego nie widziałem :D - zasugerowałem się. Nie uszkodzi tranzystora, bo przecież R1 ograniczy...
W przypadku tranzystora: 1. Najpierw przekształcasz wzór na zakres nasycenia tranzystora tak, aby uzyskać równanie napięcia Ugs - powinno wyjść coś takiego: -Ugs = √(Id/Idss) - 1 / Up 2. Wyznaczasz wartość rezystancji w obwodzie źródła Rs - z prawa Ohma (Ugs/Id) 3. Wyznaczasz wartość Udd z równania: Udd= (Id*Rd)+Uds+(Id*Rs) I to wszystko.
Czyli wykres nr 4 zakłada, że tranzystor jest nasycony i większy prąd Ic nie może popłynąć? Większy Ic nie może popłynąć, gdyż wykorzystano już całe Vcc, a prąd nie jest ograniczany przez tranzystor ale przez Robciążenia: I=(Vcc-Vled-Vcesat)/R ≈(Vcc-Vled)/R - gdyż Vcesat jest małe w porównaniu do Vcc. Schemat nieprawidłowy. LED powinien być szeregowo...
Witam. Ten pierwszy układ jest kluczem elektronicznym. W zasadzie powinien pracować w dwóch stanach: poziom wysoki na bazie - załączony. Wtedy tranzystor jest w nasyceniu to znaczy napięcie kolektor-emiter jest max. 0,2V (dla tranzystorów małej mocy np. z serii BC). W tym czasie dioda led świeci. W tym układzie trzeba spełnić warunek nasycenia Rb Jest...
Co można zmodyfikować w układzie aby otrzymać minimalny spadek napięcia Uce na tranzystorze? Zmienić tranzystor na o lepszej beta, Uce? Na jaki? Problemem twojego projektu nie tyle jest typ tranzystora a konfiguracja w której pracuje. Tutaj T2 pracuje jako wtórnik (OC) i aby osiągnąć pełne możliwości nasyceniowe, tj. małe Ucesat jego baza musiała by...
Witam, odpowiedź z "kapelusza" (ale prawdziwa) maksymalny prąd bazy dla tego tranzystora to 5mA, natomiast kolektora to 100mA. Jak widać, przy takim prądzie ten tranzystor będzie w stanie nasycenia (i to głębokiego), ponieważ minimalne wzmocnienie prądowe wynosi więcej jak 100 A/A. Pozdrawiam Greg
trzeba bylo narysowac calkowity schemat a nie tylko wnetrza CNY17. Jak masz to polaczone w ukladzie darlingtona to bedzie ok. Jakbys mial tranzystor z CNY17 podlaczony do plusa a ptem do masy to dobrze by bylo dac jakis rezystor w bazie. W takim ukladzie napiecie nasycenia tranzystora bedzie pewnie mniejsze niz w ukladzie darlingtona. fototranzytor...
Jest to napięcie nasycenia tranzystora.(między kolektorem a emiterem) Gdy tranzystor znajduje się w stanie nasycenia to przewodzą dwie diody, baza-emiter Ube i baza kolektor Ubc i to właśnie to napięcie powinno tam być we wzorze a nie Usat. A wynika ono ze schematu zastępczego gdy T1 jest zatkany. A problem z drugim wzorem jest taki że gdy T1 przewodzi...
Czas jest krótki w stosunku do użytych wartości RC (stała czasowa 20s) bo napięcie progowe jest niskie - kondensator musi się naładować do 0.6V i dioda już zaczyna świecić To prymitywne rozwiązanie można poprawić podnosząc próg diodą Zenera https://obrazki.elektroda.pl/6925969000_... Teraz ze stałej czasowej 2s uzyskuję opóźnienie 2s...
Jeżeli tranzystor ma pracować w w układzie klucza, dwustanowo: nie przewodzi albo jest nasycony to musisz znać jeszcze rezystancję w obwodzie kolektora i zasilanie do jakiej jest podłączona ta rezystancja oraz wzmocnienie prądowe tranzystora. Jeżeli tranzystor jest nasycony to na jego kolektorze panuje napięcie Uce nasycenia (Uce sat) wynoszące ok....
_jta_ napisał że przy multipleksowaniu tylu kontaktronów trzeba użyć diod 1N4148 dla każdego kontaktronu. Jak mam wstawić te diody żeby wszystko działało poprawnie? Jeśli PCF8574 działa jako wejście, to brak połączenia daje stan wysoki, a niski uzyskuje się połączenie z wyjściem, na którym jest stan niski. Trzeba sprawdzić, czy połączenie diody anodą...
Jak układ ma być szybki i ma mieć symetryczne czasy opóźnienia, to nie dopuszczaj do nasycenia tranzystorów - dodaj diody Schottky'ego pomiędzy B i C (tzw tranzystor Schottkyego lub Baker clamp). Oraz dodaj kondensatory przyśpieszające równolegle do rezystorów bazowych.
ale nurtuje mnie jedna z funkcji tranzystora czyli wzmocnienie napięciowe Sam tranzystor, jako pojedynczy element elektroniczny, nie wzmacnia napięcia. Wzmacnia dopiero wzmacniacz, czyli tranzystor pracujący w pewnym układzie elektrycznym (tranzystor musi być obudowany innymi elementami elektronicznymi - w najprostszej wersji: źródło napięcia i rezystory)...
Wydaje się, że można go użyć. Pewnym problemem jest większe napięcie nasycenia tranzystora w układzie Darlingtona - będą większe straty mocy, czyli będzie się bardziej nagrzewał. doradzono mi zastosowanie MJ11016 Jeżeli ktoś go używał z sukcesem to raczej nie ma przeszkód. Możesz sobie kupić "oryginalny" https://www.tme.eu/pl/details/mj802/tran...
Masz sterowanie w Arduino 5V, a zasilanie tranzystora 12V. Taki układ jak masz na rysunku nie ma prawa działać, bo Ty potrzebujesz klucza tranzystorowego, a nie wtórnika emiterowego. Jak sama nazwa wtórnika emiterowego mówi, napięcie na emiterze tranzystora wtóruje czyli odzwierciedla napięcie bazy, oczywiście pomniejszone o napięcie walencyjne złącza...
Rzeczywiste napięcie załączenia tranzystora IRF9640 może wynieść aż 4V a ten wzmacniacz operacyjny nie jest Rail-to-Rail a więc jego napięcie nasycenia na wyjściu może wynieść 1,5V. Czyli potrzeba 5,5V żeby tranzystor się dopiero uruchomił a Ty chcesz mieć mniej na wyjściu. PSpice może mieć wyidealizowane parametry tych elementów w swoich modelach.
Witam. Przykręcając te tranzystory do wspólnego radiatora bez podkładek izolacyjnych spowodujesz zwarcie wszystkich kolektorów . Układ nie będzie działał poprawnie. Patrząc od strony obciążenia będzie to połączenie równoległe (równoległe połączenie n odbiorników). Załączenie dowolnego klucza włączy wszystko. Radiator jest konieczny z uwagi na napięcie...
Z noty katalogowej przesłanego tranzystora wynika, że maksymalne napięcie baza-emiter to 9V. Czyli rozwiązanie nadal wymaga dzielnika napięcia przy PU rezystorze. W przypadku tranzystorów BJT istotne jest nie napięcie ( w uproszczeniu ) a prąd, który wpływa do Bazy. A napięcie 9V o którym napisałeś odnosi się do wartości napięcia wstecznego a nie w...
No bo ma byc 5V. Bo wtedy cale U odklada sie na tym tranzystorze. Gdy dioda sie zaswieca to tranzystor powoli zaczyna przewodzic az do stanu nasycenia i tym samym U na nim spada a odklada sie na rezystorze.
Ad1 tranzystor jest w tak zwany nasyceniu Ad2 jest to rodzaj klucza tranzystorowego ad3 podanie 5V na końcówkę 1 powoduje otwarcie tranzystora i w obwodzie bazy płynie prąd Ib=(5-06)/Rb a w obwodzie kolektora tranzystor usiłuje wymusić prąd Ic= B*Ib gdzie B to wzmocnienie prądowe B=Ic/Ib np. Niech Rb=1kΩ a rezystancja cewki przekaźnika wynosi np....
Przecież ten kondensator nie może się zbyt szybko rozładować. Właśnie! Może problem polega na tym, że po próbie wyłączenia i przytrzymaniu przycisku kondensator zbyt szybko traci ładunek, tranzystor Q11 wychodzi z nasycenia zanim puścimy przycisk więc de facto po jego puszczeniu lewa strona załącza się ponownie. Autorze, spróbuj zwiększyć R71, powiedzmy...
Napiszesz czemu q960? Na bazie masz 3,3 V Q960 ma w bazie wbudowany dzielnik rezystancyjny 10k/47k. czyli prąd bazy jest rzędu (3,3 V - 0,6 V)/10 k = 0,27 mA. Przy tym prądzie bazy powinien być w stanie nasycenia czyli Uc powinno być Usat czyli bliskie 0 V. Wtedy Q961 dostanie napiecie Ube z diod i poda dodatnie napiecie na tranzystory w emiterach...
Zadziała, ale nie najlepiej, gdyż takie zwykłe tranzystory mają spore napięcie nasycenia - BD13x może mieć ponad 0,5V przy tym prądzie i wtedy z 3V zasilania na silnik dostanie się tylko 2,3-2,5V. To duży spadek, bo ok. 20% napięcia zasilania nominalnego 3V, ale najgorsze, że temu tranzystorowi trzeba dać prąd bazy co najmniej 1/20 prądu kolektora czyli...
Witam Można to tak przerobić. R6- 4,7K; R7 - 4,7k i R8 4,7k T2 BC547. Po włączeniu napiecia Vcc R6 i R7 polaryzuje bazę T1 i tranzystor zaczyna przewodzić. Po podaniu napiecia na bazęT2(w zakresie jak pierwotnie ) wprowadzamy go w stan nasycenia co powoduje zwarcie całego prądu bazy T1 do masy przez R7 i tranzystor przestaje przewodzić. Pozdrawiam.
Tranzystor BC557 się tu nie nadaje, raczej BC327 albo 2N2904 itp. Rezystor bazowy licz tak aby tranzystor się nasycił, czyli Ib=5-10% Ic (patrz datasheet danego tranzystora) czyli Ib=5-10mA (dla Iled=100mA - ??). Rb sobie wylicz z prawa Ohm'a: Rb=(Uster-Ube)/Ib. Pytanie, czy sygnał sterujący kluczami ma taką wydajność prądową (5-10mA) ? Jeśli nie to...
Czy istotne jest to, by stabilizator mógł mieć mały spadek napięcia (może dlatego nie chcesz układu Darlingtona)? Jeśli tak, to trzeba do tego podejść zupełnie inaczej: tranzystor mocy PNP (albo stabilizacja od strony minusa), sterowany przez NPN. W takiej topologii możesz uzyskać spadek napięcia niewiele większy od napięcia nasycenia tranzystora. W...
Tak jest ! Po prostu. Pierwszy tranzystor (klucz) musi mieć na swojej bazie 0.6-0.7V żeby się włączył. Drugi tranzystor po prostu zwiera bazę klucza do masy - korzystam tu z faktu, że napięcie nasycenia tranzystora w tym wypadku (przy małych prądach) jest niższe, niż wymagane napięcie Ube (ok. 0.2 - 0.3V). Czyli jak podasz "1" na port sterujący drugim...
Standard TTL to: L 0 do 0.8V H 2.4 do 3.6V Jeżeli chcesz go sterować typu włącz wyłącz tzn. tranzystor będzie pracował w dwóch stanach: odcięcia i nasycenia. Stan nasycenia uzyskasz gdy Ib> Ic/h21E. Czyli bierzesz prąd Nixie i dzielisz go przez minimalną betę (h21E) dla tego typu tranzystora. Otrzymujesz wartość prądu Ib. Z drugiej strony: Ib=(Uwy1procka-Ube)/Rb...
Schematy są w porządku. Do badania diod musisz tak dobrać elementy żeby w przypadku badania charakterystki prądowo napięciowej diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia najlepiej będzie użyć diody w rodzaju BAV, BAY. Diody prostownicze mogą być zbyt toporne i prąd rzędu kilku, kilkunastu mA może nie wystarczyć do zbadania najwazniejszej części charakterystyki....
Uwagi, które Ci zgłoszono są w 100% słuszne. Czy rozumiesz/znasz prawa Ohma i Kirchhoffa? Czy rozumiesz, jak działa dzielnik napięcia? Jeżeli chodzi o diody, to dioda jest elementem silnie nieliniowym, a jej charakterystyka wyjściowa w kierunku przewodzenia jest mocno nachylona w punkcie pracy. Co w praktyce oznacza, że bardzo małym zmianom napięcia...
. do czego w takim razie było by mi potrzebne podane Vce(sat) z katalogu? Aby odczytać spodziewaną wartosć napięcia nasycenia potrzebną czasami np. do obliczenia mocy strat w nasyconym tranzystorze. 7. I dlaczego nie powiniem schodzić poniżej Uce=0,2? Dla Rb=3.3k Uce powinno wyjść w okolicy 0,08V. Czy chodziło ci o 0,02V? Wkradł się czeski błąd. Powinno...
Jeżeli musisz sterować liniowo tymi diodami to ULN28xx się nie nadają bo pracują dwustanowo. Są dwa rozwiązania albo proste wtórniki na tranzystorach NPN ale wtedy masz ograniczenie na napięcie wyjściowe (Udac-0.7V). Można zastosować źródła prądowe - najprostszy układ to tranzystor NPN z rezystorem w emiterze a diody do +Vcc w kolektorze. Prąd diod...
W stanie włączenia między bazą, a emiterem tranzystora NPN jest napięcie około +0.7V - powiedzmy, że w swoim układzie chcesz włączyć górny lewy i dolny prawy, ich bazy masz połączone, więc napięcie między ich emiterami, które dostaje silnik, jest bliskie zera. Byłoby nieco lepiej, gdyby bazy dolnych tranzystorów były podłączone poprzez oporniki - wtedy...
Na oryginalnym schemacie http://obrazki.elektroda.pl/6450841000_1... Potencjometr zapewnia regulację napięcia na bazie. Od 11.9V do 0.1V. Dlaczego ? Bo tak włączony potencjometr działa jak regulowany dzielnik napięcia. Na twoim schemacie http://obrazki.elektroda.pl/7081022700_1... Po poprawnym podłączeniu potencjometru....
Mój pomysł na zabezpieczenie przed niechcianym włączeniem był taki jak poniżej, nie został przetestowany, nie dobierałem elementów poza symulacją. Trzeba dobrać obwód różnicujący tak aby nie załączał Q1 podczas normalnej pracy. Symulacja dla jednego tranzystora, ale układ jest łatwy do zastosowania przy szeregu tranzystorów, R3 był potrzebny tylko do...
Można i wtedy zenerka nie jest potrzebna a tranzystor powinien być dużej mocy ,np. stary ale jary 2N3055 albo BD285 ,generalnie prąd kolektora kilka-kilkanaście amperów i moc kilkadziesiąt watów.Jednak MOSFET jest lepszy jako klucz ,ma małą rezystancję w stanie otwartym a bipolarny ma napięcie nasycenia które powoduje spadek napięcia do zasilania samej...
OBA TRANZYSTORY SĄ TYPU PNP !!! 1. Jakie maksymalne napięcie i maksymalny prąd może wystąpić na złączu emiter - kolektor (np. BD244C). Po pierwsze w tranzystorze NIE MA złącza kolektor-emiter :)))) dla BD244C maksymalne napięcie pomiędzy kolektorem a emiterem wynosi 100V (a dokładnie to -100V, bo to tranzystor PNP) 2. Jakie napięcie i jaki prąd trzeba...
A jak dobrać rezystor do bazy tranzystora? To dość szeroki temat i musiałbyś nieco wgłębić się w zasadę działania tranzystora bipolarnego i znaczenia jego parametrów. W baaardzo dużym uproszczeniu, dla tranzystora pracującego jako klucz ( włącz-wyłącz ) z noty katalogowej odczytujesz parametr hFE tranzystora, Vbe (ON) oraz musisz znać wartość natężenia...
Prąd na kolektorze będzie maksymalnie wynosił Ic = (Uzas-Ud-Ucesat) / R. Dla czerwonej diody będzie Ic = (5 - 1,7 - 0,5) / 0,15 = 18,7 mA. To napięcie nasycenia z pewnością będzie większe i dla 1 V otzrymamy Ic = 16,7 mA. Jeżeli prąd bazy będzie większy od Ic / β to tranzystor się nasyci a o to chodzi w układach cyfrowych. No za wyjątkiem bardzo...
Heh, sam się wpuściłem w maliny :oops: Krajowe katalogi podają maksymalny prąd drenu oraz prąd nasycenia drenu przy zerowym napięciu bramki natomiast fabryczne karty katalogowe podają "gate curent" czyli prąd diody utworzonej przez bramkę i źródło bądź dren spolaryzowanej w kierunku przewodzenia. Przepraszam za wprowadzenie w błąd :oops: Nie sądzę aby...
Bo zapomniałeś o jednym ze jak wychodzi w obliczeniach wartość Uce ujemna to tranzystor znajduje się w stanie nasycenia i wtedy nie obowiązuje już zależności Ic=beat*Ib I nie można tego układu tak rozwiązać. Zresztą już z samych wartości elementów wynika ze prąd Ic nie może być większy niż Icmax=Ucc/(Rc+Re)=1.5mA. A dla twojego układu w stanie nasycenia...
Na mój gust, lordac powinieneś zostać prawnikiem, pokrętność tłumaczenia już masz. Po pierwsze w bramkach TTL nie stosuje się rezystorów podciągających wyjście, bo to wydłuża czas jej wyłączania i podnosi zużycie prądu. W normalnej bramce stan wysoki jest wymuszany przez wtórnik emiterowy a stan niski przez tranzystor w układzie wspólnego emitera zwierający...
Mam układ w którym wykorzystuję atmega 16 za pomocą którego steruje przekaźnikami 4 voltowymi do sterowania wykorzystuje tranzystor bc547b do bazy podłączyłem rezystor 10k i zastosowałem rezystor podciągający 1k, zabezpieczyłem również cewke przekaźnika diodą. Nie wiem czemu przekaźnik się nie przełącza. Przy zmianie stanu portów tranzystor również...
Jakie to tranzystory z tym Ube=0.9V ? Idąc napięciem od 0V masz najpierw stan, że T1 jest zatkany, ponieważ na bazie ma niższy poziom niż na emiterze. T2 przewodzi. A czy T2 jest wtedy nasycony??? Warunkiem nasycenia T2 byłoby Uc2<Ub2, na bazie jest ok. 4V a na kolektorze: Uc≈Ucc-Rc*(Ub-Ube)/Re=10V-4+0.6=6.... czyli tranzystor nie jest...
Płytka nie wygląda tragicznie. Jeżeli nic się nie grzeje jakoś specjalnie przy dłuższej pracy to raczej większego ryzyka nie ma. Częstotliwość bym obniżył. Ogólnie z częstotliwością PWM przy przełączaniu obciążeń jest jak z za krótką kołderką...albo zimno w głowę albo w nóżki. Jak częstotliwość jest za niska to może być słychać ale tu bym nie demonizował-...
Dlaczego ten wynik jest niezgodny oznaczeniem na obudowie elektromagnesu – 0.3A? A proszę pokazać tu zdjęcie tego elektromagnesu (jego dane techniczne). Pomiar omomierzem po wylutowaniu elektromagnesu z układu? Domyślam się, że 0,8V (lub 0,6V podane przez ryszard1955) to może być VBE (chociaż dla BC337 wynosi 1.2V). Trzeba odnosić się do konkretów...
Czy autor coś przypadkiem nie ma pokręcone na schemacie? Większość zasilaczy jak ma TL431, to obwód z kondensatorem, z Katody na wejście Reference, jest dodatkową kompensującą gałęzią do istniejącego rezystorowego dzielnika napięcia, ustalającego napięcie Zenera. Coś w tym stylu: https://obrazki.elektroda.pl/9513613200_... Raz jest...
W obwodzie kolektora maksymalny prąd jaki morze płynąc wynosi Icmax= http://obrazki.elektroda.net/54_11821073... http://obrazki.elektroda.net/84_11821074... Ano dlatego że tranzystor w twoim układzie znajduje się w tak zwanym stanie nasycenia. Sytuacja taka ma miejscy wtedy, gdy tranzystor chciałby przepuścić więcej prądu niż jest...
1. Szerokość ścieżek daj maksymalną jaką możesz dać. Po co usuwać miedź, kiedy jest przydatna? Jak ścieżka będzie szersza, to nic się nie stanie. 2. Tranzystor bipolarny w tym zastosowaniu to nieporozumienie. Napięcie nasycenia między kolektorem i emiterem będzie stanowić około 20-30% napięcia zasilania. Jeżeli użyjesz małego mosfeta logic level, to...
Ale jeżeli oba Q2, Q3 są wysterowane w stan nasycenia (czyli odetkane całkowicie), to raczej nie ma znaczenia czy jeden z nich jest bardziej nasycony, i tak to nie spowoduje większego prądu C-E bo ogranicza ten prą R4. Tak, ale pamiętaj, że aby taki tranzystor Q2/Q3 (BC327/337 ?) mógł w nasyceniu dać Ic=1A, powinien mieć prąd bazy rzędu Ib=0,1Ic=100mA,...
Prawda jest tak że o dokładne obliczenia napięcia Ube będzie ciężko. A to dlatego ze Ube silnie zależy od typu tranzystora jaki od temperatury. Zresztą sam wzór na Ube wymaga znajomości prądu kolektora lub bazy i jeszcze jednego parametru prądu nasycenia tranzystora Is (np. dla tranzystora BC546 niektórzy podaję ze Is=50.7f) Uproszczony wzór na Ube...
No to R7=(12V-Ucesat-3.3V)/I, gdzie Ucesat to napiecie nasycenia BC640 (jak dobrze wysterowany to jakies 0,2V), I - prad pobierany praez UM66
Tranzystory ogólnie możemy podzielić na na 2 rodzaje: 1 bipolarne czyli te "zwykłe" z bazą, emiterem i kolektorem w których sterowanie następuje za pomocą prądy bazy. 2 unipolarne czyli tzw polowe z bramką, źródłem i drenem w których sterowanie odbywa się za pomocą napięcia doprowadzonego do bramki. Zasada działania jest taka że tranzystor posiada obwód...
Uwaga, Darlingtony tracą sporo napięcia, lepszy pod tym względem jest układ Sziklaiego (tranzystory o przeciwnych polaryzacjach) - w wielu układach zyskuje się na tym o napięcie E-B tranzystora mocy. Jeśli górny tranzystor to będzie PNP sterowany przez NPN-a, to może da się tak wykombinować, żeby napięcie tracone z V++ to było tylko napięcie nasycenia...
Witam! Układ SEPP (single-ended-oush-pull) zasilany napięciem 9V na swoim wyjściu może mieć napięcie miedzyszczytowe 9V pomniejszone o 2 spadki napięcia na nasyconych tranzystorach wykonawczych (o ile uda Ci się je wysterować aż do nasycenia), czyli w praktyce - ok. 7,5V. Napięcie międzyszczytowe 7,5V odpowiada napięciu szczytowemu 3,75V, a to jest...
I_C/I_B=20 jednak nie wzięło się ot tak czy z zasady tylko jednak z noty i ta wartość może być inna dla różnych tranzystorów. Dobrze rozumiem? Dobrze rozumiesz, z noty, ale i z zasady/reguły. Zależy od tranzystora - te o dużej becie powinny mieć zwykle Ic/Ib=20, zwykłe 10, wysokonapięciowe (o małej becie) - 5 albo nawet 4, a specjalne 50 czy nawet...
Ib = 122mA/356 = 0.34mA To tylko obliczenie. a jak wskazuje multimetr jest 10.9mA? A to realia. Przecież ustalając wartość R1 ustalasz Ib= (Uzas-Ube)/R1 - tu R1=1k, więc Ib=(11,8-0,9)/1k=10,9mA - i tyle tam płynie. Nie myl realiów z jakimś wyliczeniem nie mającym nic wspólnego z rzeczywistością. Tym bardziej, że hfe pomierzone multimetrem? - więc przy...
Tyle, że tranzystor w nasyceniu chyba nie pracuje, Uce (BD140) 3-5 V. Stad biorą się straty! ciepło w tranzystorze. Nie chyba a na pewno nie uzyskujesz nasycenia i stąd te straty. Już wcześniej sygnalizowałem że by nasycić BD140 potrzeba mu dać duży prąd bazy. Zobacz do dokumentacji BD140: https://obrazki.elektroda.pl/6482619100_...
Ten tranzystor pracuje jako klucz. Ma być nasycony. Opornik dobierasz tak aby prąd bazy= 0,1 do 0,05 prądu kolektora (przekaźnika). To zależy od tranzystora, zwykle podają w datasheet czy dla nasycenia stosować Ic=10Ib, czy jak np. dla tranzystorów o wysokiej becie BC547 - Ic=20Ib. Rb=(Up-Ube)/Ib, gdzie Up to wysokie napięcie z wyjścia procesora, ale...
Żeby moduł tranzystorowy nie dostawał dużego prądu bazy, przy odłączonym napięciu na kolektorach, ten dodatkowy tranzystor pomiędzy WO a modułem tranzystorów mocy powinien być połączony kolektorem do kolektorów modułu - czyli robimy potrójnego albo poczwórnego darlingtona, to rozwiązanie ma jedna wadę zwiększa napięcie nasycenia a więc minimalne napięcie...
IRF1404 to nie jest tranzystor logic-level, przy 5V na bramce Rds(on) nie będzie takie małe, prąd nasycenia będzie ok 40A, ale skoro masz tam 12V to co szkodzi żeby zbudować driver i podawać na bramkę 12V?
znalazłem jednak tranzystor wymontowany z jakiegoś starego telewizora (nie jestem pewien) na dużą moc (1500V 18A DC 36A AC), o dość małym napięciu załączania (3V, o ile dobrze odczytałem dok. techniczną; czytałem Vce (sat.)). Czyli w teorii by się nadał. Chyba najgorszy możliwy wybór, tranzystory wysokonapięciowe mają niskie wzmocnienie ( <10 wymagają...
IRF840 to wysokonapięciowy tranzystor i ma on względnie duży opór Rdson - zobacz kartę IRF540 czy IRFZ44 - tu już jest nieźle ale nie są potrzebne tak mocne, np IRF510/520/530 będą lepsze. I jeszcze jedno - sterujesz z LPT mosfetem? LPT daje za małe napięcie na to żeby były dobre wyniki zamykania klucza. Może wykorzystaj normalne tranzystory bipolarne...
Dobry wzmacniacz operacyjny dostępny we wskazanym przez Ciebie sklepie to na przykład LMC7101. Co do transoptora, to CNY17-3 wydaje się być tym właściwym. CNY17-1 i CNY17-2 mogą nie osiągnąć maksymalnego prądu na wyjściu ze względu na mały CTR. Pracując z rezystorem 1k, tranzystor będzie się nasycał, co nie stanowi problemu w przypadku PWM. Maksymalna...
Było to gdzieś stosowane praktycznie? Tak, jak już to zostało powiedziane w układach audio w obwodach wyciszania (mute). Nawet specjalne tranzystory były produkowane pod ten rodzaj pracy. http://www.mouser.com/ds/2/408/2SC3326_d... Zwróć uwagę na wysoką wartość Hfe(reverse) = wzmocnienie inwersyjne = 150 i wysokie napięcie...
Cześć, Ad 1, 2. Jeśli chodzi o wpływ stanu nasycenia na zależność Ib (Ube), to posłużę się poniższą rodziną charakterystyk. 863677 wybrałem 2 różne punkty pracy tranzystora: na zielono - w obszarze "normalnym", na czerwono - w obszarze nasycenia, przy stałym prądzie bazy = 30 µA. Widać tam wyraźnie, że przy wejściu w obszar nasycenia ten sam Ib...
Myślę, że takie a nie inne zalecenia łączenia równoległego obu mostków to kwestia napięć nasycenia poszczególnych tranzystorów i rozpływu ciepła wewnątrz układu. Przy pracy oddzielnej zawsze przewodzi jeden tranzystor górny i jeden dolny w mostku, przy pracy równoległej dwa tranzystory górne i dwa dolne. W tej sytuacji jeżeli jeden z tranzystorów górnych...
Bardzo fajny układ - prosty, a duża funkcjonalność. Niski minimalny spadek napięcia - zbliżony do napięcia nasycenia T1; normalnie napięcie na wyjściu jest takie, jak na diodzie Zenera (różnica to różnica napięć przewodzenia diody D1 i złącza BE T2); R2 ogranicza maksymalny prąd T2 (a przez to prąd bazy T1) - jeśli do przewodzenia przez T1 pobieranego...
Mamy darlington skladający się z tranzystora T1, którego kolektor jest podłączony do 12V, baza poprzez opornik 1k ohm do 12V, a emiter do bazy tranzystora T2, którego emiter jest połączony z masą, a do kolektora jest podpięty opornik 360 ohm, a opornik jest podpięty do 12V. To nie jest układ Darlingtona. Jest podobny, ale się różni. W układzie Darlingtona...
A wziąłeś pod uwagę, że przyczyną może być uszkodzenie, którego ty nie umiesz wykryć, a przez które zasilacz zniszczy ci komputer? Sprawdziłeś chociaż wyjścia zasilacza oscyloskopem? Może ten układ scalony jest w porządku, tylko dostaje sygnał, że coś źle działa i włączenie komputera groziłoby jego uszkodzeniem, a układ to wykrywa i dlatego nie daje...
przy 4a i takim trazystorze powinien on byc prawie zimny na pewno nie potrzebaradiatora. Dla IRF520 (Ron = 0,11) przy Vgs=10V i prądzie drenu 4A mamy P=0,11*4*4=1,76 W. Czyli potrzeba radiatora bo bez się spali. Dla IRF540 (Ron = 0,04) przy Vgs=10V mamy P=0,64W czyli bez radiatora będzie cieplejszy o 48 stopni od otoczenia. O ile IRF520 to praktyznie...
W takim układzie wzmocnienie zależy od wszystkich elementów... jeszcze zależy które wzmocnienie, bo definiuje się wzmocnienie prądowe, napięciowe, mocy... wzmocnienie napięciowe w zasadzie zależy od prądu tranzystora (jest z grubsza proporcjonalne do prądu) i opornika w kolektorze (też proporcjonalnie), oczywiście pod warunkiem (tu jest on spełniony),...
W tym kontekście pilot light będzie oznaczało sygnalizator pokazujący obecność napięcia w układzie (takie stałe światełko, kontrolka). DC - direct current - prąd stały AC - alternate current - prąd przemienny Dioda prostownicza (ta opisana "tylko dla AC") powoduje, że prąd przez układ płynie tylko dla jednej półfali prądu przemiennego. Tranzystor JFET...
Masz 2 tranzystory o dośc różnych własnościach, ale skutek jest ten sam: częstotliwośc jest określona kwarcem, a amplituda nieliniowoscią tranzystora. Najwazniejsze jest to, że dla Twojej częstotliwości obydwa mają wzmocnienie >>1, wiec generacja jest możliwa. 2N2369 jest dośc szybkim tranzystorem impulsowym, z punktu widzenia jego zastosowania ważne...
Witam. BC 546 ma Ucbo = 80V natomiast Uceo = 65V. Te 70V podajesz na bazę czy na kolektor? W końcu obliczenia są podobnei tylko podstawisz odpowiednie wartości. Liczymy rezystor dla obwodu kolektora. Uzas= Ur + Ud + Ucesat Ur -> spadek napięcia na rezystorze (to zależy od prądu) Ud -> spadek napięcia na przewodzącej diodzie ( czerwona około 2V) Ucesat...
Opornik w emiterze BC337 powoduje, że napięcie bramki nie schodzi do 0, ani nawet do napięcia nasycenia BC337, a do około 0,75V. A może zrobić inaczej: https://obrazki.elektroda.pl/1306920600_... Nie będzie wykorzystana funkcja sterowania przez pin 1 (i ładowania baterii) - do ładowania masz TP4056, a sterowanie robi tranzystor PNP.
W takim układzie tranzystor jest nasycony czyli Uc<Ub, dla zapewnienia tego prąd bazy musi być większy niż prąd kolektora podzielony przez współczynnik wzmocnienia stałoprądowego β (h21E <- E duże). Prąd kolektora wynika z napięcia zasilania Ucc i rezystancji obciążenia (układ z przekaźnikiem lub rezystorem): Ic=(Ucc-Ucesat)/Rc Ucc - napięcie...
Układ był w założeniu przeznaczony do średnio-szybkiego (kilkaset ns) załaczania MOSFETa przy napieciu kilkukrotnie przekraczającym dopuszczalne Ugs=20V, więc dioda Zenera była niezbędna, V2 było rzędu 5V, Q2 z R3 stanowi źródło pradowe które podaje Ugs ograniczane przez diodę Zenera, źródło prądowe ma obwód C1 R4 który powoduje chwilowy stukrotny wzrost...
Po to aby wprowadzić tranzystor BD135 w stan nasycenia potrzebny jest odpowiedni prąd bazy. To jest potrzebne zarówno wtedy gdy prąd średni jest 190mA jaki wtedy gdy prąd średni jest 100mA. Prąd średni 100mA jest uzyskiwany za pomocą impulsów prądu maksymalnego- w naszym wypadku 190mA. Co do prądu bazy zdolnego wprowadzić tranzystor w nasycenie są dwie...
Powiedzmy 20A przy spadku napięcia 5V - to jest moc tracona 100W, są tranzystory, co wytrzymują ze 200W, i właściwie problem sprowadza się do tego, jak będzie ekonomicznie. Ale w żadnym wypadku nie Darligtony - po pierwsze, 7806 sam przepuści około 1A, zwykły tranzystor będzie miał w sam raz wystarczające wzmocnienie; a po drugie, Darlingtony mają duże...
Zazwyczaj przyjmuje się ze Rwy w stanie wysokim wynosi około 130ohma. A podobną wartość można obliczy korzystając z definicji Rw. Rezystancja wyjściowa obliczamy ze stosunku napięcia wyjściowego pracującego bez obciążenia do prądu wyjściowego płynącego po zwarciu zacisku wyjściowego. Czyli Rwy=3.5V/prąd zwarcia. Co jak przyjmiemy bete dla stanu nasycenia...
Witam Mozesz sprobowac czegos takiego :) http://obrazki.elektroda.net/84_12003059... powysterowaniu trazystora w stan nasycenia bedziesz mial spdek napiecia na CE okolo 0,2V wiec prawie poziom masy, tranzystor sterujacy przekaznikiem bedzie wylaczony, gdy dasz 0 na pierwszy tranzystor, wylaczysz go a napiecie zasilania przelaczy sie na tranzystor...
tranzystor niskim napięciu nasycenia temperatura nasycenia indukcyjność nasycenia
pralka whirlpool kontrolka pompa piece dwufunkcyjne kabel ogrodzie
wpadki podczas nagłaśniania dacia duster
Problemy z odtwarzaniem plików MP4 typu "set" Jak wyłączyć tryb awaryjny w Uran M102?
