Sprawdziłem, nawet podłączyłem w miejsce zasilacza bramki akumulator 12V/7Ah. Rzeczywiście zasilam żarówkę 230V ew. transformator elektroniczny 12V (char. pojemnościowy). Jakie to może mieć znaczenie dla przebiegu napięcia na bramce ? Przebieg na zdjęciach jest zarejestrowany gdy obciążeniem był...
R1 jest oczywiście do Vcc. Moje niedopatrzenie podczas rysowania schematu. Po dołączeniu tego elektrolitu, procek co prawda się nie resetuje, ale wystawia na MOSFET cały czas stan wysoki (koło 3,5s gdzie w programie są 2s). Zauważyłem pewną ciekawą rzecz. Gdy przytrzymam palcem silnik żeby się...
Masa na twojej płytce jest bardzo poszatkowana. Może kawalek drutu od IR2121 do R9 trochę poprawi sytuacje. Zobacz proszę którędy płynie prąd bramki Q5 - to da ci obraz czemu układ działa tak jak działa.
Witam, chciałbym zbudować układ który pozwalał by na załączanie i wyłączanie głośników (2x90W) na bramkach MOSFET. Nie wiem tylko jakich mosfet'ów użyć i skąd ściągnąć napięcie do ich załączania. Jeżeli jest to wykonalne to prosił bym o jakiś schemat.
Witam posiadam wzmacniacz audio w którym jest zastosowany układ opóźniający załączenie modułu bluetooth. mam tylko jedno pytanie nie wiem jak obliczyć pojemność kondensatora sterującego bramką dla różnych czasów opóźnienia ( tego z układu nie jestem w stanie zmierzyć ). Poniżej rysunek układu i link...
Witam! Mam potrójny półmostek sterowany driverami IR2184. One mają swoją określoną wydajnośc prądową na wyjściu. A tranzystory mają swój ładunek bramki. A kontroler driverów ma swoją częstotliwość w której strzela impulsami. Jak, mając te dane(częstotliwość, ładunek bramki, wydajność prądowa drivera),...
Wskaż różnice w sterowaniu MOSFET dla buck i dla "pwm czystej rezystancji". Obawiam się, że próbujesz odwracać kota ogonem, sterowanie nie jest jakimś ogromnym problemem, jest nim oddziaływanie obciążenia na źródło zasilania. Tego dotyczyło pytanie w tym wątku (wysterowania mosfeta). Na które...
Wzrost zastosowania sterowników silników, inteligentnych sieci przesyłowych i technologii inteligentnego domu, a także zwiększone zapotrzebowanie na urządzenia wysokiego napięcia, przyczyniły się do wzrostu światowego rynku sterowników bramek tranzystorów MOSFET i modułów IGBT mocy. Kompletny...
JFET i MOSFET to typy tranzystorów polowych FET, które są grupą tranzystorów polowych, których działanie jest związane z elektrostatyczną modulacją przewodności między źródłem a drenem. JFET (tranzystor polowy z bramką połączeniową) i MOSFET (tranzystor polowy półprzewodnikowy z tlenkiem metalu) mogą...
4,7k w bazie? - to dla 1 LED-a. Nie podano napięcia zasilania 74HCT oraz Vcc - są jednakowe? i o wartości 5V? Dla 30 LED-ów i 8 wyśw. prąd całkowity wynosi ? Będzie to prawdopodobnie prąd rzędu 1A albo i większy, i stosowaniu tu BJT nie ma sensu - same kłopoty. Najlepiej zastosować MOSFET P-Channel...
Witajcie! Zrobiłem sobie efajka na znanym obwodzie mosfet. Chciałbym jednak mieć w nim regulator(zbijacz) napięcia. Założyłem zaten na bramkę potencjometr. Niestety Waty zamiast zostawać w akumulatorach, grzeją mi tranzystor. Nie jest to specjalnie uciążliwe ale po co marnować energię? Zatem możnaby...
Witam, Potrzebuję stabilizator o regulowanym napięciu wyjściowym w przedziale 3÷5V i prądzie maksymalnym 400mA. Niestety problemem jest taki że układ zasilany będzie z źródła które daje 5.1V maksymalnie. Dlatego zdecydowałem się na zastosowanie mosfet'ów o małym R DS . Jak wiadomo, łatwiej dostać...
Sterowanie Mosfet-ów odbywa sie za pomocą HIP4082IBZ, który wylutowalem. Sprawdzalem na płycie czy gdzieś jeszcze nie idzie z bramki Mosfet-a niż na HIP4082IBZ i nie znalazłem. Przy wylutowanych Mosfet-ach na bramce Mosfeta nie ma napięcia.
Witam Jaki sygnał będzie na bramce MOSFET-a ? Tranzystory w wielu wypadkach można w ogóle pominąć i podłączyć bramkę bezpośrednio do TL który na wyjściu też ma parę komplementarną (zerknij na schemat w załączonym linku str.8). Schemat z rysunku A powinien zadziałać, będziesz miał tylko odwróconą...
Użyłem napięcia Atx 12V, powiedzmy, gdy wejście wzmacniacza dotykowego ma - brzęczenie, ale jeśli użyłem jednego tranzystora podłącz do zasilacza bez szumu, ale jedna bramka mosfet tuochet jest dużym szumem, czym różni się mosfet i bjt?
Tylko dlaczego autor zastosował P-MOSFET a nie N? Dlatego ze napięcie na "katodzie" TL431 spadnie kiedy napiecie na REF przekroczy próg, a P-MOSFET załączany jest ujemnym napieciem wzgledem źródła, napiecie na drenie jest ujemne w stosunku do napiecia na źródle - P-MOS pasuje idealnie N-MOSFETa załącza...
-Kanał N -musi sie w pełni otworzyć przy 4V -dobra cena -opornoć do 0,5Ω (nie może sie ugotowac przy prądzie 2A, a będzie bez radiatora) - nie wiem jak dobrać pojemność bramki, mosfet będzie sterowany pojedyńczą bramką z CD4093 z częstotliowścia kilku- kilkunastu kHz
W katalogu masz podane maksymalne prądy wejściowe, są to raczej prądy upływu diod zabezpieczających bo same bramki MOSFET'ów mają bardzo małe prądy upływu. Prądy te bardzo zależą od temperatury i nie muszą liniowo zależeć od napięcia, więc nie określa się rezystancji. Pojemność na wejściu bramki...
Czy : TLP191B APV1121 będą ok ? Parametry nie są krytyczne w tym zastosowaniu, w TLP191 wyłączanie będzie trwało dużo dłużej, bo nie ma zintegrowanego układu rozładowania bramki tylko rezystor. Pozostałe parametry podobne.
Jeśli chodzi o przetwornice impulsowe, oba rodzaje tematycznych tranzystorów mają swoje wady i zalety. Ale który jest najlepszy do danej aplikacji? W poniższym artykule nie odpowiemy bezpośrednio na to pytanie, jednakże porównamy tranzystory MOSFET z modułami IGBT, aby wskazać, na jakim polu poszczególne...
Szczytowe napięcie w fazie na kluczu (VPH) to w synchronicznej przetwornicy typu buck jeden z głównych parametrów określających niezawodność całego zasilacza. Projektanci tego rodzaju urządzeń zazwyczaj dopuszczają, aby oscylacje podczas przełączania kluczy wynosiły do 85..95% maksymalnego napięcia dla...
Układ własnego projektu i wykonania, którego jedną z części jest mostek H sterowany mikrokontrolerem (0-5 V). Wrzucam od razu schemat, żeby było wiadomo o czym mowa. Jest to fragment większej całości, więc wklejony schemat jest okrojony tylko do elementów mających związek z tematem: Pobieżny...
Firma IXYS ogłosiła wprowadzenie do sprzedaży nowej płytki demonstracyjnej z sterownikiem tranzystorów MOSFET. DVRFD615X2 to płytka przeznaczona do testowania i ewaluacji nowego, szybkiego sterownika tranzystorów polowych IXRFD615X2. Układ ten jest podwójnym sterownikiem tranzystorów MOSFET, pracujących...
Witam Niektóre MOSFETy mają diodę w przeciwną stronę niż się je podłącza. 1-można sprawdzić tą diodę w kierunku przewodzenia 2-dla mosfeta z kanałem N dotykamy +miernika do bramki a -miernika trzymamy na źródle, potem szybko bez dotykania nóżek palcami przestawiamy +miernika na dren a -miernika na...
Witam Niektóre MOSFETy mają diodę w przeciwną stronę niż się je podłącza. 1-można sprawdzić tą diodę w kierunku przewodzenia 2-dla mosfeta z kanałem N dotykamy +miernika do bramki a -miernika trzymamy na źródle, potem szybko bez dotykania nóżek palcami przestawiamy +miernika na dren a -miernika na...
Witam 1-bramka, 2-dren, 3-źródło. Sprawdzenie tranzystora mosfet z kanałem N robi się tak: 1- Ustawiasz miernik na sprawdzanie przewodności diody. 2- + miernika podłączasz do drenu a - do bramki. Miernik powinien wskazać brak połączenia. 3- Minus miernika przekładasz na źródło. Miernik powinien wskazać...
Zastosowanie tranzystora MOSFET z kanałem typu p jako element przełączający napięcia przekraczające 100 V, pozwala uprościć cały schemat. Aby sterować tranzystorem MOSFET i zredukować straty wydzielane w postaci ciepła, należy na przemian ładować i rozładowywać pojemność wejściową między jego bramką...
Żyrator to układ zaprojektowany do symulowania zachowania elementu indukcyjnego. W praktyce, trudno jest wyprodukować duże cewki o odpowiednich parametrach, a ponadto takie elementy często są drogie – dlatego w ich miejsce można w wielu przypadkach z powodzeniem zastosować żyrator. Poniżej...
Jak pisaliśmy w rysunku 1 zaprezentowano ideowy symbol typowego tranzystora MOSFET (z kanałem typu P i typu N) na którym doskonale widać gdzie i w jaki sposób umiejscowiona jest pasożytnicza dioda. Rys.1. Symbole tranzystorów MOSFET z ideową reprezentacją pasożytniczej diody w strukturze elementu....
Jednym z najważniejszych elementów wzmacniacza lampowego jest zasilacz; od niego często zależy jakość całego systemu audio. Zwłaszcza początkujący napotykają problemy z obwodami zasilania, objawiające się szumami albo brumem, które są stanowczo irytujące. Niniejszy układ stanowi nowoczesny zasilacz...
Chciałem dostosować ten układ do zasilania napięciem 70V DC. Dlatego pomyślałem o zamianie Mosfet na Igbt, ale widzę, że chyba pobłądziłem, sądząc po waszych wypowiedziach Skoro chcesz wyższego napiecia to IGBT ma sens tylko nie można zostawić polaryzacji bramek z tego samego napiecia zasilania, rezystory...
Witam, Witam. Jak prawidłowo wysterować Mosfeta z bramki TTL ? Obciążeniem będą taśmy z LEDami przy 12V. Prąd obciążenia raczej nie będzie większy niż 2A może 3A. Dać jakiś rezystor szeregowo z bramką, czy jest niepotrzebny? Wysterowanie wprost z wyjścia standardowej bramki TTL standardowego MOSFETa...
Pewnie jak w układzie powstanie jakiś krótki impuls i pójdzie na bramkę, to zabezpieczenie go pochłonie. Może być, ale widzę pewne zagrożenie: masz słabą baterię i szybko wymieniasz ją na nową; kondensatory w zasilaniu zabezpieczanego sprzętu utrzymują przez ten czas wystarczające napięcie, by MOSFET...
Witam . Wszystko zależy od tego z czego chcesz te tranzystory sterować . Jeżeli będą to układy CMOS pracujące przy napięciu około 10 V to praktycznie nie potrzeba nic , barmką tranzystora możesz sterować bezpośrednio z wyjścia np. jakiejś bramki . Jeżeli będą to układy TTL to już musisz zastosować bufor...
Mosfet wygląda na typu N. Nie wnikając w jego datasheet popełniłeś dwa błędy (moim zdaniem). 1. Mosfet się nie wyłączy w rozsądnym czasie, bo brak jest rezystora rozładowującego bramkę (łączącego bramkę ze źródłem). 2. Mosfet ulegnie przebiciu napięciem 24V jeśli obciążenie będzie pojemnościowe (o...
Witam. W spawarce "odleciały" tranzystory kluczujące i sterowanie bramkami (diody, rezystory i TC4420) W sterowaniu bramkami jest trafo impulsowe a dalej TC4420. Na bramkach tranzystorów są rezystory (spalone), sęk w tym, że nie wiem jakiej wartości są te rezystory, a jest to bardzo ważny element,...
Tranzystor ten zaprojektowany do aplikacji w układach przenośnych do kontrolowania baterii. Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi -20V, a prąd -8,8A w impulsie. Możliwe jest to dzięki oporowi w stanie pełnego włączenia 27mΩ przy napięciu 4,5V na bramce (maksymalne napięcie bramka-źródło to...
Witam Walczę od kilku dni z przetwornicą - fabryczną, nie projektowaną przeze mnie. Wymieniłem już sześć sztuk SMPSów, musiałem drugi raz zamówić. Mosfet STP4NK80ZFP nie pada, wymieniony profilaktycznie. Zachowanie jest takie, że po włączeniu na bieg jałowy przetwornica pracuje aż do wyłączenia, pod...
Witam! Również nie miałem z nimi styczności w praktyce (nie zajmuję się serwisem od dawna), ale wg mnie takie wysokoimpedancyjne od strony wejścia (bramki) "wynalazki" jak MOSFETY, IGBT najlepiej nie mierzyć na badanie przewodnictwa złącz półprzewodnikowych między jego nogami, bo tu można się bardzo...
N-mosfet żeby się otworzył potrzebuje napięcia o X wyższego niź na źródle (source - ta dolna nóżka) - czyli Vgs. Dolne mosfety otwierają się w pełni, bo na dolnej nóźce masz masę, a na bramce masz logiczne 5V, co twoim mosfetą w zupełności wystarcza. Górne mosfety natomiast na dolnej nóżce mają...
W tym układzie tranzystor już przy 1V na wejściu będzie przewodził (prąd bramki 0,2mA razy wzmocnienie tranzystora 100 = do 20mA na wyjściu). Jak są duże (a nawet średnie) zakłócenia, to będzie ci załączać procka. Dodaj dzielnik rezystorowy na wejście tranzystora wyliczony tak, aby przy napięciu na...
Nie jestem w tej dziedzinie wybitnym specjalistą ale mam wątpliwości co do poprawnego działania układu który chcesz wykonać. Po pierwsze napięcie otwierania tego MOSFETa. W specyfikacji faktycznie jest podana wartość koło 3V ale jest to zdaje się napięcie progowe przy którym tranzystor dopiero zaczyna...
Tranzystory jakie zaproponowałem mają pojemność bramki raptem 110pF, gdzie 50pF uznaje się za dopuszczalną pojemność typowego wyjścia CMOS do kilku MHz. Więc nie ma paniki... Swoją drogą, kilka amper prądu przeładowania bramki często jest w stanie po prostu mosfeta rozwalić, w szczególności te, które...
Dzięki za uwagi. Stabilizator 7812 zasila układ CD4011 (zacisk Vdd_CD4011) - wówczas poziom przełączający stan bramki to dokładnie 1/2 napięcia za stabilizatorem - tj. 6V. To działa tylko w SPICE'ie, bramki logiczne nie mają dokładnie określonego poziomu przełączania, to jest ok połowy zasilania,...
Podstawowe informacje o tranzystorach MOSFET, porównanie tranzystorów polowych z tranzystorami bipolarnymi. Sprawdzamy jak napięcie podane na bramkę sterującą wpływa na prąd drenu. W identycznym układzie porównamy spadek napięcia na C-E tranzystora bipolarnego oraz D-S tranzystora unipolarnego. Zobaczymy...
Witam, mam problem z w/w telewizorem. TV początkowo wvogóle się nie włączał. Po rozkręceniu winnym okazał się kondensator C508. Po jego wymianie TV startuje lecz podświetlenie załącza się i wyłącza w tempie co około 1 sek. Przeglądając elektrodę znalazłem wiele tematów odnośnie tego TV. Uszkodzony...
Ta płytka, o którą pytasz to płytka uniwersalna przystosowana do wszystkich trzech rozwiązań, zmian dokonuje się za pomocą zworek, są narysowane liniami przerywanymi. Układ z kanałem, N dla wszystkich tranzystorów działa poprawnie, wszystkie te rozwiązania działają. Jeżeli chcesz tam wstawić MOSFET,...
opis: schemat: PS2501 to to samo co LTV817 (w zasadzie ty byś potrzebował wersje 847 - 4 optoizolatory w jednym...) Mosfety typu BUZ10/BUZ11 to N-mosfet, czyli napięcie sterujące musi być o ok.9V wyższe od napięcia na źródle (w standardowym wykonaniu, nie wiem dokładnie jakie są te BUZ, niektórym...
Nadal nie widzę powodu, dla którego miałby nie odłączać. Jeśli dobrze rozumiem intencje autora pytania - nie jest to końcowe rozwiązanie a tylko idea podłączenia MOSFETów - bez układu sterującego napięciem na bramkach. I ta idea jest poprawna - tranzystory są włączone we właściwych miejscach i maja bramki...
Witam Na pracowni badałem tr. MOSFET (PowerMOS dokładniej), po poprawnym spolaryzowaniu (+) na dren za pomocą napięcia bramki (G) mogłem zmieniać prąd dren-źródło, jednak po zmianie polaryzacji napięcia dren źródło, to jest na dren dałem minus (-) prąd był maksymalny za pomocą bramki nie dało...
FDMB2307NZ to para MOSFETów w niewielkiej obudowie przeznaczona do zabezpieczenia pakietów baterii litowo-jonowych. Układ ten zawiera w swojej strukturze dwa tranzystory MOSFET z kanałem N, połączone wspólnym drenem oraz diody zabezpieczające bramki obu układów. Został on zaprojektowany jako miniaturowe...
Panie Kolego, odczyt z oscyloskopu może i jest poprawny - ale wskazuje na niewłaściwe wysterowanie MOSa, jak Koledze zapewne wiadomo, tranzystor MOS ma w swojej bramce pewną pojemność, którą trzeba przeładować żeby przeszedł w stan przewodzenia, albo aby ze stanu przewodzenia przeszedł w stan zamknięcia....
Jeśli nie zależy ci na ponadakustycznej częstotliwości (będzie słychać), możesz bramkę FET'a przeładowywać przez rezystor wprost z wyjścia 555, a częstotliwość ustawić nawet kilkadziesiąt/set Hz, im niższa częstotliwość, tym wolniej możesz przeładowywać pojemność bramki, ograniczysz w ten sposób generowane...
Witam Sprzedam tranzystory n-mosfet IRF2807PBF. Napięcie dren-źródło 75v Prąd drenu 82A Moc 200w Obudowa TO2220AB Napięcie bramka-źródło 20v Rezystancja w stanie przewodzenia 13M ohm Rezystancja termiczna złącze-obudowa 750mk/W Montaż THT Ładunek bramki 106,7nC Szczegółowy data sheet pod...
Witam Konstruuję sterownik do silnika BLDC. Czy jest możliwość sterowania tranzystorami MOSFET-N i MOSFET-P za pomocą podstawowych bramek typu NOT, NOR, NAND? Pytam ponieważ chciałbym zrobić sterowanie bez mikrokontrolera. Poniżej znajduje się schemat klucza dla 1 fazy.
Witam wszystkich Elektrodowiczów, Chciałem Was zapytać czy stosowaliście kiedyś MOSFETy jako potencjometry sterowane napięciem bramki? Potrzebuję mieć element o zmiennej rezystancji w zakresie rzędu od 100 mΩ do 300-400 mΩ przy przepływającym prądzie o natężeniu rzędu 1-2 A. Z tego co...
Proszę o sprawdzenie poprawności schematu. Mam też parę pytań: -Czy wyrzucając R3 zwiększę zakres regulacji PWM? Z obliczeń wynika że tak ale czy nie zaszkodzi to układowi? -Czy R2 nie ma za małej wartości? Niby układ sprawdzony przez innych ale przy wyjściu ok.13V popłynie przecież prąd większy niż...
Witajcie! Ucze sie wlasnie o MOSFET'ach i natrafilem na dosyc prosty, acz dziwny problem. Nie rozumiem wypowiedzi wykladowczyni, ktora tlumaczyla roznice miedzy typami MOSFET'ow. Chodzi mi o MOSFET typu n i p z kanalem wzbogacanym: Otoz, wedlug moich dotychczasowych odkryc, wynika, ze przy...
Szeregowo do bramki elektrolit około 2000uF, między bramką a źródłem równolegle dioda prostownicza katodą do bramki, równolegle rezystor około 4k7.
Ten sprawdzony układ już wielokrotnie przewijał się w róznych projektach. Moją konstrukcję wyróżnia pomysł na chłodzenie, w sumie 400W to już niezły grzejnik, a ciepło trzeba jakoś odprowadzić. Zabudowanie w obudowie wzmacniacza samochodowego to strzał w dziesiątkę. W efekcie wyszło estetycznie...
Dlatego pytam się. Czy ten układ może działać na mosfetach? Czy jednak tylko i wyłącznie przekaźniki. Może. Np tak: (zobacz o ile sprawa się upraszcza gdy przejrzyście narysujesz schemat) Dalej trzeba wygrać sposób sterowania wybierając N-MOSFETy niekoniecznie logic-level mamy największą...
Czesc Jeszcze raz musze sie bic w piersi, moja wina. Stosowalem je w ukladzie , gdzie "520" sterowana jest z 74HCTxx i nigdy nie mialem problemow, wiec nie sprawdzalem napiecia nasycenia przy zadanym pradzie, bo nie bylo takiej potrzeby. Zrobilem to teraz. Dla 1A napiecie wynosilo 0.18V przy 3V na...
Witam wszystkich :) Mam kłopot przy wyborze tranzystora MOSFET do swojego małego projektu. W dużym skrócie opiszę, że bramka tranzystora będzie sterowana z mikrokontrolera (ATtiny) napięcie źródło-dren ok 11,4V jednak prąd chwilami aż do 20A ! I tutaj pojawia się problem, całość ma być jak najmniejszych...
Wdg noty katalogowej ten tranzystor ma: Pulsed Drain Current C = -80A. Pik który zarejestrował oscyloskop miał dużo mniej Zobacz gdzie jesteś na SOA: Mógłbyś się trochę w lewo przesunąć, co dało by ci więcej czasu, ale mosfet masz wysterowany w pracy liniowej, gdzieś tu, właśnie z powodu...
Witam. Jakiś czas temu zakupiłem tranzystory IRFZ44N oraz potem IRLZ44N z chin, wyglądają w porządku, jednakże rezystancja DS w stanie włączonym (12V na bramce) wynosi około 0.3 ohma, co jest jasną przesłanką że są to tranzystory bardzo kiepskiej jakości (wg datasheetów powinno to być coś około 0.035ohma...
Jeśli wstawiłeś 100Ω szeregowo, to razem z 130Ω w US, mamy 230Ω i cztery złącza pn, czyli popłynie ok 10mA. W zwarciu (czyli drugi koniec opornika 100 Ohm na masie). Jeśli jest tam Ube darlingtona - to sporo mniej. Ja bym radził dodać na wyjściu pull-up. Max Iwy dla stanu L to 16mA,...
Można inaczej dobrać oporniki i zbocznikować LED-a żeby nie świecił przy najmniejszym prądzie, ale tą bramkę trudno uznać za pełnosprawną, wyobraźmy sobie że ktoś połączy skomplikowany układ z bramek, gdzie sygnał będzie musiał przejść przez dziesięć takich bramek zanim trafi na wyjście i co zadziała?...
FET to typ tranzystora znakomicie nadajacego sie do audio a pozniej jest podzial na JFET i MOSFET roznica polega na odizolowaniu bramki w JFET jest izolowana polprzewodnikiem a w MOSFET izolatorem tlenkowym tak ze jak jest napisane FET to moze byc JFET lub MOSFET ale zazwyczaj MOSFET bo MOSFET ze wzbogaconym...
Power Integrations wprowadziło właśnie do swojej oferty nowy sterownik bramki tranzystora polowego. Układ ten jest członkiem rodziny SCALA-iDriver dedykowanych do sterowania bramkami tranzystorów MOSFET oraz IGBT. SID1102K to jednokanałowy, izolowany galwanicznie sterownik bramki FETa lub modułu...
Sprawdza się całkiem inaczej niż bipolarne: Pomiędzy bramką i źródłem powinna być przerwa w obie strony, następnie zewrzyj te końcówki razem (żeby usunąć ewentualny ładunek bramki) i sprawdź przejście do drenu. W jedną tronę powinno być (wbudowana dioda)
Witam ! Ze swej strony dodam tylko, że przy takich okazjach warto ściągnąć notę katalogową danego elementu, ponieważ zdarzają się coraz ciekawsze elementy, które nie tylko zawierają diodę pomiędzy drenem i żródłem, ale również elementy zabezpieczające w obwodzie bramki. Taki tranzystor dopiero może...
mozna miernikiem - wkladasz do omomierza dren i zrodlo tego nMosfeta i zwierajac bramke (nie baze -> tr.polowy) ze zrodlem powinno byc rozwarcie ; do wiszacej bramki zblizajac naelektryzowany przedmiot - rezystancja powinna malec ; mierzac miernikiem pojemnosc miedzy bramka i zrodlem zaleznie od typu...
jak napisalem ze schemat zamieszcze to zameszczam teraz pere wskazowek moc jaka wychodzi z tego tranzystora przy 100mhz to ok 12W sterowanie to ok1W pelne otwarcie bramki to napiecie 8V max zasialna jakie testowalem to 32v ale przy 30V wszysko jest idealnie jesli ktos by chcial to zrobic to proponuje...
To musi byc zrobione tylko przy uzyciu fet'ow i mosfet'ow. :/ niestety Ja w ogóle nie widzie w czym problem. Wystarczy ten schematy przerobić i zamiast bjt dać mosfet’y i gdzieniegdzie dać jfet’a jak ktoś bardzo chce. Choć można tez zrobić na odwrót i dąć cały stopień wejściowy na mosfetach...
Witam Jedną z przyczyn może być zbyt wysokie (ponad 20V) napięcie na bramkach tranzystorów w stanach nieustalonych przy włączaniu lub wyłączaniu zasilania. Wstaw transile na 15V między bramkę a źródło każdego mosfeta w stopniu mocy. Nie obiecuję że to będzie ta przyczyna, ale zawsze można spróbować.
Wszystko zależy od pojemności bramki MOSFETa no i oczywiście od szybkości zadziałania BJT. Generalnie będziesz miał stałą czasową RC, gdzie R=1k a C jest pojemnością bramki MOSFETa, stałata powinna być mniejsza niż 0,5 ms.
Ten element to N-MOSFET. Można go sprawdzić multimetrem używając omomierza albo "diodomierza". Między bramką a pozostałymi elektrodami ma być przerwa. Potem plus omomierza podłącz do drenu, minus do źródła. Między bramkę a źródło podaj dodatnie napięcie rzędu 3-4V (plus na bramkę) a rezystancja źródło...
Witam Dodaj między bramką a źródłem każdego tranzystora transila na 15V. Przyczyną palenia tranzystorów może być zbyt wysokie napięcie na bramkach, podczas załączania wzmacniacza (stany nieustalone), lub przegrzanie.
Skąd Ci się biorą takie straty przy regulacji PWM? Twoje obliczenia są słuszne ale nie dla PWM lecz dla regulatora liniowego. PWM to jeden z wariantów stabilizatora impulsowego. Prawidłowo zaprojektowany regulator PWM obniżający napięcie z 14V do 6V przy prądzie 5A nie potrzebowałby nawet radiatora...
Witam Od czterech lat stosuje z powodzeniem tranzystory IRFZ44N i układ HEF4093 który pracuje jako generator. Sterowanie bramek tranzystorów bezpośrednio z wyjścia bramki HEF4093 bez żadnych driver'ów. Układ działa i nigdy mnie jeszcze nie zawiódł. Pozdrawiam
W opisie mosfetów "N" faktycznie utworzony kanał zachowuje się jak rezystor ale na wszystkich notach pokazywany jest w polaryzacji +dern -źródło. To mnie wybiło trochę z dobrego rozumowania. Bramkę polaryzuje się dodatnio wzgledem źródła dla tranzystorów na schemacie. Rozumiem że są to tranzystory...
Zastępcze polowe to AP4511GD oraz IRF7389. Na orginał datasheet [url=]Link_ AOP605 Sprawdz czy klucze tranzystorowe pomiędzy wyj. scalaka invertora i owymi polowymi AOP605 nie sa uszkodzone. Tam syg. sterowania na bramki AOP powinny iść (sprawdz oscyloskopem kształt) -na jeden poprzez n-channel...
.. tak poza tym to nie ma zadnego rezystora na bramce, malo tego napiecie na bramce to logiczna jedynka atmegi tj 5V
Trochę się chyba przeliczyłem. Miałem pod ręką tranzystor IRFZ44, dla którego Rdson=0.028 ohm przy Ugs=10V i Id=31 A. Ciągły prąd drenu przy temp. 100 oC i Ugs=10V Id=31 A. Po podłączeniu z samym tranzystorem i podaniu napięcia Ugs=12V rozrusznik niebardzo chce startować, a tranzystor się grzeje od...
Witam. Mam takie pytanie odnośnie podłączenia tranzystora MOSFET IRL 3803 do mikrokontrolera ATmega8. Sterowanie PWM - impuls prostokątny na bramkę tranzystora. Do drenu będzie przyłożone napięcie 12V, czyli UDS wyniesie max 12V Chodzi o wartości rezystorów podłączonych przed wejściem na bramkę....
... Tranzystor wlutowany w płytę, między bramką a sources ma jak sprawdzałem 0ohm. Układ, który nim steruje strasznie się grzeje i jak widzę zasilanie do niego idzie przez rezystor 4ohm(jest na nim duży spadek napięcia). Jest możliwe żeby taki tranzystor uległ uszkodzeniu i w efekcie układ scalony,...
Witam, zbudowałem taki oto układ Problem jest taki, że gdy zmniejszam rezystancje opornika, zwiększając tym samym natężenie to zaczyna spadać napięcie pomiędzy bramką, a źródłem tranzystora, aż po przekroczeniu ok. 1A płynącego przez odbiornik na bramce pojawia się jakiś dziwny przebieg...
Witam, mam taki schemat : 4461208400_1376577280|J1iAuM4mEW I mam problem z działaniem tranzystora, ponieważ przy odłączonej żarówce na oscyloskopie działa on poprawnie, jednak napięcie na jego wyjściu jest równe ok 9.5V. Czyli tak jak by się nie otwierał. A przy podłączonej żarówce bardzo się...
Witam, próbuję uruchomić ten układ już kilka dni. Jest to mój pierwszy wzmacniacz na tranzystorach. Zacznę od tego że uruchamiam końcówkę z rezystorami szeregowo na obu wyprowadzeniach transformatora, radiator oczywiście przykręcony. Mosfety juz raz się spaliły. Teraz wyglądało to tak: przed wlutowaniem...
1 i 4. A może dwa tranzystory zamiast tyrystora? Wtedy można uzyskać taką charakterystykę, jaka będzie potrzebna. Właściwie te dwa tranzystory już są na ostatnim schemacie: T2 i T4 - wystarczy opornik zamiast do tyrystora podłączyć do kolektora T4, a opornik R10 do bazy T4 - wtedy T2 i T4 zastąpią tyrystor...
Poza brakiem diody - tranzystor troszkę za słaby (wprawdzie nie znamy prądu przekaźnika, ale Idmax=tylko 200mA), przy Vgs=5V Rdson jest wysokie i może sięgnąć nawet 10 Ohm, co da spory spadek napięcia na tranzystorze, brak rezystora szeregowo z uC do bramki rzędu 100 Ohm, brak rezystora z bramki do masy...
Bardzo ważny wbudowany parametr tranzystora FET (takiego jak popularny MOSFET) o nazwie RDS (ON) lub On Resistance, można znaleźć w większości arkuszy danych. Opisuje opór wewnętrzny tranzystora, ale pamiętaj o tym tylko w szczególnych okolicznościach. Warunki, dla których można zmierzyć rezystancję:...
Zrobiłem jeszcze lepszy.Właśnie go uruchomiłem.Płytka będzie jeszcze mniejsza. Tym razem wszystko jest na 2 układach scalonych bez tranzystorów i dodatkowych rezystorów, które z nimi pracowały.Niestety płytkę będę dopiero opracowywał bo uruchomiłem to na płytce stykowej. Układ czasowy to dalej CD4541,ale...
W skrócie: decydujący jest ładunek Qgd z prądu bramki i ładunku wyliczysz czas, ponieważ napięcie na bramce jest prawie stałe podczas przeładowywania pojemności Cgs (tzw Miller plateau) prąd też sie łatwo liczy. Dokładne inforamcje znajdziesz w notach aplikacyjnych MOSFETów, np slup169.pdf Zacznij...
Witam, dla podniesienia swoich umiejętności postanowiłem wykonać sterownik bipolarnych silników krokowych. O ile program sterujący pisany w C dla Atmegi16 nie był jakimś szczególnym wyzwaniem, o tyle realizacja takiego sterowania w rzeczywistym układzie okazała się nie być już tak prostą... Najpierw...
Nieprawidłowo. Odbiornik w drenie, tranzystor będzie włączał "w masie" - o ile to nie przeszkadza (masa stara i nowa będą mieć nieco inne potencjały). Opornik 10k zmienić na 100 Ohm, z bramki MOSFET-a do masy drugi opornik 10k. Jeśli trzeba włączać odbiornik "w plusie" - potrzebny MOSFET P-channel.
No cóż... Pozostaje mi akt ekspiacji. Układ rzeczywiście działa - sprawdziłem dziś na przypadkowo trafionym w szufladzie tranzystorze z kanałem N zasilając układ (z zasilacza) napięciem 4 ÷ 12V. Jako obciążenie użyłem rezystora 100Ω symulującego zasilany układ. Przy właściwym podłączeniu (w/w...
Ja tam widzę sytuacje pośrednią, jeden tranzystor ma max 3,5A dwa razem max 4,2A. Po współczesnych MOSFETach logic-level można sie spodziewać dużej transkonduktancji (mała zmiana Ugs daje dużą zmianę prądu) i nieskiego Ugs(th) - podajesz na bramkę max 1,65V z czego 25% odkłada sie na rezystorze to wcale...
Witam, chciałem wykonać przetwornicę half-bridge w której do sterowania napięciami na kluczach MOS (IRF840) odbywa się poprzez transformator sterujący. Chciałem wykonać taką przetwornicę na użytek własny a także w celach "edukacyjnych" :D , układ został zaczerpnięty z obszernego tematu DIY...
Spółka Vishay Intertechnology, Inc. ogłosiła właśnie wprowadzenie nowego tranzystora polowego do swojej oferty. MOSFET ten wyposażony jest w kanał typu N i możliwość pracy z napięciem do 30 V. Element wyprodukowany został w opatentowanej technologii TrenchFET? czwartej generacji. Tranzystor...
