A nie wystarczy tobie I = Qg*F? Albo I = Qg/t Gdzie t to czas w jaki ma się MOSFET włączyć.
Ta dioda jest w sterowaniu czy raczej w zabezpieczeniu źródła tego jak jest wlutowana?
Przy takim podłączeniu załatwisz port mikrokontrolera, rozładowanie 10µF przez wyjście procka to nie jest najlepszy pomysł, lepiej daj szeregowo od procesora rezystor 1kΩ i kondensator zmień na 100nF, też usuniesz zakłócenia bez zagrożenia dla samego układu mikrokontrolera.
Bez przesady, wystarczą zwykłe tranzystory BC337 i BC327 połączone bazami i emiterami a kolektory do zasilania. IRF740 nie pociągnie 10kW, weź pod uwagę jeszcze moc rozruchową.
Wskaż różnice w sterowaniu MOSFET dla buck i dla "pwm czystej rezystancji". Obawiam się, że próbujesz odwracać kota ogonem, sterowanie nie jest jakimś ogromnym problemem, jest nim oddziaływanie obciążenia na źródło zasilania. Tego dotyczyło pytanie w tym wątku (wysterowania mosfeta). Na które swoją drogą w żaden sposób kolego nie odpowiedziałeś, Odpowiedź...
Ściślej mówiąc, prąd w obwodzie bramki jest potrzebny w momencie załączania i wyłączania tranzystora. Zgodnie z danymi należy wtedy przeładować ładunek -Qg (Total Gate Charge) - maks. 63 nC (testowane to jest przy przy ID = 25 A; VDS = 44 V; VGS = 10 V). Szybkość przełączenia wpływa na grzanie tranzystora (im szybciej, tym lepiej z punktu widzenia tranzystora)....
Nic się nie uszkodzi skoro konstruktor to uruchomił, rezystory konieczne są gdzyż chcemy podłączyć do sterownika lub wtórnika więcej niż jeden mosfet. Przebiegi nie powinny się różnić gdy taki rezystor wstawimy do 10om. Robiłem takie testy w temacie na linku powyżej na stronie 20
Poprawiłem tekst w międzyczasie (z 1k na 10k), bo sprawdziłem, że LM358 ma Ibias rzędu 50nA - na tyle mały, że opornik 10k da błąd 0,5mV. A większy opornik umożliwia wstawienie mniejszej pojemności.
IRLZ44N Tak, nadaje się, ale: - duża obudowa, dla Ciebie to armata na muchę, - jest w sklepie?
Odbiegacie od tematu, bramka tranzystora to nie kondensator, pojemności bramki są dwie i do tego zmienne i nie ma żadnej krzywej wykładniczej, biorąc do obliczeń Ciss i traktując jak kondensator wyjdzie wartość kilkukrotnie za mała. To już lepsze przybliżenie daje jeśli do obliczeń weźmiemy ładunek bramki Qg. Zależy też co będziemy traktowali za stan...
pomiar bez mosfeta nic niedaje - układ wykożystuje dużą pojemność złącza bramki (obciążenie pojemnościowe) i dzięki temu potencjałowi następuje szybkie przełanczanie. Podepnij na wyjściu kondensator 2-4nF do masy - tyle co ma mosfet i wtedy pomierz. I czesto aby przyśpieszyć to rozładowanie to dawany jest kondensator równolegle do diody (jak na moim...
Przywróciłem kondensator C11 z powrotem na miejsce i wszystko działa jak należy. W drugą stronę już tak nie jest, to znaczy zwiększając napięcie (symuluję ładowanie baterii) układ nie zachowuje się 0/1 tylko ciągnie liniowo napięcie bramki w górę. To nie wygląda dobrze. Ani to że kondensator polepsza. W przerzutniku Schmitta stan liniowej zmiany na...
Ja myślę ze winny jest Q1. Sprobuj go wymienić na inny. Bo miałem kiedyś podobny przypadek i winny był Q1 Wzór na Id http://www.elektroda.pl/rtvforum/viewtop...
Maksymalne napięcie bramki tego MOSFET-a (4501=podwójny MOSFET), to 20V. Ta dioda Zenera między bramką MOSFET-a (4. wyprowadzenie), a masą ma chronić tranzystor przed przebiciem - więc będzie to dioda Zenera Uz=15-18V.
Witam. planuje zbudowac sztuczne obciazenie problem pojawia sie na sterowaniu mosfetem z arduino. Czy transoptor sterowany z arduino z pinu pwm a fototranzystor bedzie zasilam bramke mosfeta z rownolegle polaczonym kondesatorem aby mosfeta mozna bylo otworzyc np. w połowie Witaj na forum elektroda.pl! Twój pomysł na użycie transoptora do sterowania...
Jest kwestia, czy układ może sterować nowy tranzystor - istotnymi parametrami mogą być: napięcie bramki potrzebne do włączenia, pojemność bramki, ładunek bramki...
Jasne przesylam zdjęcie
Jeśli jest on między bramką tranzystora MOSFET a masą to wstaw 10kΩ. Co do diody - jeśli jest ona między wyjściem UC3845 a bramką MOSFET'a to wstaw jakąś szybką, np. US1M.
Jeśli między pin 11 i 14 a bramkami MOSFET są oporniki to KA3525 jest uszkodzony, jeśli nie to niekoniecznie,mogą być uszkodzone MOSFET.
Daj opornik 10K między bramką a masą i powiedź jak efekty żeby spolaryzować bramkę.
Jeśli podajesz na bramkę mosfet bezpośrednio sygnał z nóżki mikrokontrolera to ja wyłączam się z dyskusji, mam pewne granice tolerancji.
Bramka MOSFET-a może nie wytrzymać 24V i dlatego zenerka musi być.
W specyfikacji tranzystora masz podane przeważnie max prąd na bramce. Wylicza się go jako różnice potencjału miedzy stanem hi i lo. Czyli napięcie max jakie używasz to stanu przewodzenia z odjętym napięciem stanu blokowania. Np jak na bramkę możesz podać 15 V lub zewrzeć do masy to masz 15V - 0 V = 15 V. Podobnie jak możesz podać 10 V ale masz źródło...
Kolego lyloch, jest różnica między elementami oznaczonymi U1 a Q2 - U1 to układ scalony a Q2 to tranzystor. Jeśli tranzystory, które są sterowane przez układ scalony U1 mają zwarcie to istnieje duuże prawdopodobieństwo, że U1 jest uszkodzony i profilaktycznie wymieniłbym go. Do zmierzenia rezystory między bramkami MOSFET-ów a wyjściami U1 czy nie dostały...
Na zdjęcia oscyloskopu widać przebiegi z bramek MOSFET-ów - wyraźnie widzę na nich "ząbek" na zboczach, trwający chyba 10us, podczas którego oba MOSFET-y powinny być wyłączone - o ile ich wyłączanie trwa krócej, niż te 10us. A, ktoś mi zgłosił uwagę: pomyliłem się o czynnik 2 w wyliczaniu napięcia, jakie występuje na bramkach MOSFET-ów (błąd jest w...
PWM z procesora na bramkę MOSFETa. Przekaźniki tylko włączenie ruchu i kierunki. Jak jedzie, ale nie zwalnia to może być mikropęknięcie ścieżki / przelotki na sterowaniu bramką - impulsy przeskakują jak przez kondensator, ale już nic ich nie ściąga do zera na bramce, bramka się ładuje i MOSFET zamiast kluczować to załącza się na stałe.
Może nie PWM - jeśli LED-y będą sterowane poprzez MOSFET-y, to wystarczy dodać kondensator między drenem, a bramką każdego MOSFET-a. Z tym, że jak fale włączeń biegnące z dwóch stron spotkają się gdzieś na środku, to LED, na którym się spotkają, rozjaśni się dużo szybciej - dałoby się tego uniknąć, ale to by oznaczało dalszą komplikację układu. Iloczyn...
To znaczy, że mogę mieć potencjał na bramce np. 100V, jeżeli taki sam będzie na źródle i jednocześnie nie przekraczając Vds? Tak, ważna jest różnica między potencjałami. Jeżeli na bramkę dasz 100 V, a na źródło 110 V, to wyniku Vgs = -10 V. Tym samym nie przekraczasz dopuszczalnych +/-20 V.
Kondensatory blokujące między kolektorem Q1, a masą - żeby indukcyjność połączeń nie utrudniała ładowania bramki MOSFET-a. Dioda Zenera dla zabezpieczenia.
Nic nie uszkodziłeś, przykładając napięcie do bramki, otworzyłeś MOSFET (naładowałeś kondensator). Dopóki się nie rozładuje, tranzystor będzie otwarty.
Zamiast tworzyć takie cuda wianki na kiju użyj TLP250 albo HCPL3120 - to transoptor i jednocześnie driwer bramki mosfet/igbt w jednej kostce.
Proponuję bramkę MOSFET-a połączyć przez duży opornik - między 30k a 100k - z masą. Jeśli będzie "wisieć", to MOSFET może się włączać od ładunków statycznych w powietrzu.
Ale wracając czyli nie jest możliwe obliczenie tego układu w sposób analityczny? Na pewno jest możliwe, ale raz, że mi się nie chce, a dwa że to bez sensu. Pisałem - układ U2 i U3 tworzą generator PWM z regulowaną częstotliwością i wypełnieniem. Taki układ można zbudować na 500 różnych sposobów, i nie ma sensu siedzieć nad jednym i określać wzorów...
To może być produkcja PHILIPS (ten producent tak oznaczał swoje wyroby), dioda Zenera BZX61xxx - napięcie należałoby zmierzyć na sprawnej diodzie. Dioda Zenera jako zabezpieczenie bramki MOSFET-a.
Może to Ci w tym pomoże https://www.youtube.com/watch?v=z5pST1Q6... .
Też mam wrażenie, że coś jest odwrotnie. Jak prądnica nie da napięcia, to wzmacniacz poda 0 na bramkę, MOSFET się nie otworzy, silnik nie ruszy. Może trzeba zamienić wejścia pierwszego wzmacniacza, wtedy powinien działać prawidłowo.
Układ ARW, jak w magnetofonie przy nagrywaniu - żeby nie zniekształcał, to z MOSFET-em jako elementem regulującym (sygnał przychodzi przez opornik, MOSFET do masy), jak napięcie szczytowe +- na wyjściu wzmacniacza przekracza zadany próg, to podać napięcie na bramkę MOSFET-a, żeby zmniejszyć jego opór.
Witam. Dioda w sterowaniu bramki jest jakimś nieporozumieniem - należy ją zewrzeć. Rezystor R3 - jak najmniejszy (np.33Ω) no i oczywiście mała rezystancja (impedancja) wyjściowa drivera sterującego bramkę MOSFET-a. Pozdrawiam.
Karty katalogowe tranzystorów.
Co się przepala, 555? Podejrzewam problem z zasilaniem - może cewka generuje takie zakłócenia, które uszkadzają 555, zasilaj go osobno. Możliwe też, że za bardzo obciążasz wyjście - opornik 50Ω przy 12V pozwala na szczytowy prąd około 200mA - ale to chyba jeszcze NE555 powinien wytrzymać, zwłaszcza że to tylko na czas przeładowania bramki MOSFET-a (to...
Ani schemat autora ani Kol. splawik00 nie mają sensu. Ostatni schemat też nie jest dobry - brak opornika między bramką MOSFET-a a masą, LED-y będą włączane niskim stanem na wejściu układu.
Specjalizowany driver to układ który jest / był zaprojektowany do sterowania tranzystorów np. tranzystorów z izolowaną bramką ( MOSFET , IGBT ) ,wpisz na "Elenocie" lub np. w TME -- mosfet driver-- niektóre mają ciekawe zabezpieczenia przed przeciążeniem Są też nawet takie transoptory tzn. przynajmniej tak są opisane Czy napięcie 12V (te co zasila silnik...
Niepotrzebnie dajesz ULN, tranzystory źle podłączone... Steruj bramkami MOSFET-ów bezposrednio z portu atmega. uP->G (bramka) PLUS LEDÓW -> Zasilanie (np 12V) KATODA(MINUS) LEDÓW -> S Dren do minusa (masy) Jeśli chcesz zabezpieczyć up to daj transoptory między portem a tranzystorami.
Jak w tym przypadku mogę zaradzić? Odpowiednie elementy RC - sygnał o dużej częstotliwości powinien mieć zamkniętą pętlę ujemnego sprzężenia zwrotnego bez tranzystora, i z tłumieniem (bez tłumienia, to byłby kondensator między wyjściem wzmacniacza, a jego wejściem '-'; tłumienie można uzyskać dodając opornik, albo robiąc dzielnik z kondensatorów......
czy rownolegle do diody nie powinno być rezystora ograniczającego jej prąd Jeśli już to szeregowo. Taki rezystor już jest - to R11/R13. Gdy 4N35 jest wył. - prąd płynie przez diodę Zenera i R11: I=(40-15)/10k=2,5mA, gdy 4N35 jest wł. - prąd płynie przez R11+R10 i wynosi I=40/10,1k= ok. 4mA, na R10 jest spadek napięcia 0,4V=Vgs - MOSFET wyłączony. Bramka...
Bez elementów dyskretnych? A termistor to co :). Najprostszy i w miarę działający sposób to zwykły dzielnik napięcia, gdzie termistor NTC jest jako górny rezystor a regulowany rezystor jako dolny. Napięcie z dzielnika podajesz na bramkę MOSFET-a. Dalej chyba wiesz co :)
Dioda zenera nie ma nic wspólnego z rezystancja, ona jest poprostu na określone napięcie np 12V. Z tego oznaczenia znalazłem że może to być dioda na 11 V - ZD11-CL2 w obudowie SOD323, trzeba by porównać wymiary . Jest to dioda która zabezpiecza bramki MOSFET-ów przed zbyt wysokim napięciem. Można do prób wlutować między S a G któregoś mosfeta diodę...
Według oznaczeń z #17: BC547 jako Q1, N-MOSFET jako Q2, prąd zależy głównie od R1 (tam jest 33, daje 20mA, 2R da około 330mA), a przez R2, jak popłynie 0.1mA, to powinno wystarczyć (ale na bramce MOSFET-a potrzeba kilka V, więc przy zasilaniu z 12V można by dać R2=39k).
Tranzystor 130=J3 - npn, 40V, 500mA Tranzystor M6 - pnp, -60V, 100mA
Ten zasilacz na schemacie ma być zasilany prądem stałym ?? Tym przetwornicom jest to obojętne. Równie dobrze możesz użyć innego zasilacza lub niewielkiego transformatora sieciowego np. TS2/x tak aby po wyprostowaniu mieć 12VDC i 100-200 mA prądu. Można też robić jak (at)_jta_ podpowiada; może zamiast niej być zasilacz beztransformatorowy (chodzi o...
Przy 2-3A wystarczy tranzystor w obudowie SO8, w tych szukaj niskiego napięcia bramki.
Wraz ze wzrostem częstotliwości przełączania Której nie znamy bo autor nie podał wymagań. Drugi powód to konieczność sterowania bramki MOSFET-a napięciem ze źródła typowo 10...18V Przy 4.5V RDSon to 5.5mOhm, ale nie wiemy, czy to dużo czy mało, bo autor nie podał wymagań.
Hi I have repaired some controllers for eletric scooter - made in China. Their schematics is similar. There is one of them. Resistor in gate Mosfet is 33R.
Jest jeszcze optodriver TLP351. I nie masz wtedy problemów z wysterowaniem bramki MOSFET-a wyższym napięciem i jego szybkim przełączaniem. Jest dostępny w TME, podobnie jak TLP250. Acha, tutaj: http://skory.gylcomp.hu/alkatresz/toshib... jest PDF (str.63), jak wykorzystać ten TLP do sterowania tranzystorem, co prawda IGBT. Ale zamiast...
Przecież bez R1 bramka MOSFET-a jest na stałe połączona za pomocą R2 z GND.
I po co tak komplikować? Wystarczy jeden tranzystor w ukł. OE, sterowany z uC przez opornik, w kolektorze opornik do +12V, z kolektora sterować bramkę MOSFET-a - taki stopień jak pierwszy tranzystor na schemacie powyżej - tylko opornik a bazie 47k stanowczo zbyt dużej wartości tam jest - powinien mieć ok. 10k, i brak opornika szeregowego w bramce ok....
WOJTAS JD - moze , ale i tak mi się wydaje ze to sa podruby Widzialem na jakims schemacie oporniki rozladowujace bramki MOSFET podpiete do masy ukladu , co o tym myslicie ? i tak sie upieram przy swoim - wygląd, napisy na obudowie sa charakterystyczne dla Philipsa. co do opornikow rozładowujących - zobacz na schemat wewn. SG3525
Tranzystory wyjściowe TL494 albo LM3524 mogą pracować w konfiguracji OC ale z tranzystorami bipolarnymi. To znaczy, źe tworzymy w ten sposób Układ Darlingtona a to oznacza, że na emiterach traznystorów wyjściowych TL494 będzie max. 0.7V. Tutaj to tak nie zadziała. Do sterowania MOSFET-ami jest potrzebny driver na parze komplementarnej np. BC327/BC337...
To jakiś sterownik bramki tranzystora mosfet, firmy Silan (www.silan.com.cn) czyli chiński. Czy to służyło do sterowania obrotami jakiegoś silnika?
czy mogę podać napięcie ujemne na bramkę tranzystora mosfet i czy przyśpieszy to rozładowanie pojemności bramki. Przeczytaj notę aplikacyjną HCPL3120 - jest tam pokazane jak zasilać układ napięciem dodatnim i ujemnym dla szybszego przełączania mosfeta.
Myślę, że taka konfiguracja powinna działać. Wzmacniacz różnicowy, na jedno wejście podajesz napięcie odniesienia =0,1V, na drugie - napięcie sterujace. Wszystko ( prawie ) jest na rys. Musisz obliczyć Rs i wymyśleć źródełko napięcia odniesienia :?: Założeniem jest brak prądu bramki MOSFET-a i zerowe prądy wejśc wzmacniacza, ale to chyba można przyjąć....
Powiedzmy, że układ scalony ma pobierać 1uA i do pamiętania potrzebuje, żeby napięcie nie spadło więcej, niż o 1V, a podtrzymanie ma wystarczyć na dobę - na to potrzebna jest pojemność nieco poniżej 0.1F - takie kondensatory "goldcap" są niewielkie i tanie. Jak ma być cykl do , to układem pamiętającym może być CD4022 (CD4017 do 10). Do wyjść trzeba...
Niektóre tranzystory MOSFET w obwodzie bramki mają diodę Zenera w celu jej zabezpieczenia.
Witam czy ma ktoś schemat lub wie jak zrobić najprostszy układ który odetnie zasilanie bramki mosfetu przy 10-12 woltach?
Ale nie z tak podciągniętym rezystorem bramkowym Rezystor jest OK. Tyle, że jeśli Uzas tranzystora oraz Uzas uC są różnej wartości (a te są tutaj różne - odpowiednio 12V i 5V) to Mosfet-P musi być poprzedzony stopniem na tranzystorze npn aby uzyskać właściwe sterowanie Mosfet-P (napięcie jego bramki względem +12V równe -12V dla włączenia i równe 0V...
Witam, potrzebuje wykonać regulator silnika 12V, sterowanie mam z odbiornika od helikoptera na wyjściu jest 2.3V do 4V, wykonałem prosty układ na IRF530, przy testach na żarówce ładnie działa, ale gdy podpinam silnik to tylko buczy/piszczy, zmieniłem opornik na mniejszy aż doszedłem do 10ohm to silnik się tylko lekko kręci a mosfet grzeje, o co z tym...
Z analizy pracy układu wynika, że dioda D12 pracuje w gałęzi stabilizującej napięcie ( anoda jest dołączona do napięcia 19V poprzez R21) natomiast dioda D10 zabezpiecza bramkę MOSFET-a. O ile wartość D12 ma istotne znaczenie dla pracy układu to wartość D10 może podlegać zmianom. Być może producent na etapie produkcji dokonał zmiany z 18V na 24V.
prosić o wytłumaczenie bardziej elektroniczne Bo NE555 tylko ładuje bramkę mosfeta , a sama bramka się nie rozładuje, i w tym układzie nie masz narysowanego tego opornika.
Tak już teraz bardziej teoretyzując, niż szukając praktycznych rozwiązań - czy takie podanie potencjału na bramki MOSFET-ów otworzyłoby je, czy też ze względu na zmienny potencjał źródeł tranzystorów powodowałoby dziwne działanie? Można podłączyć tylko dodatni potencjał, czy też trzeba podpiąć "masę" (ujemny potencjał, czy cokolwiek, co by zamknęło...
Zmienić mosfet na inny, o niższym napięciu bramki lub dobudować pomiędzy bramką a źródłem sygnału stopień na tranzystorze bipolarnym.
https://obrazki.elektroda.pl/3201382200_... Pytanie: Czy konieczne jest umieszczanie opornika 100 Ω w bramce tranzystora MOSFET, by zachować jego stabilność? Odpowiedź: Jeśli zadamy to pytanie dowolnemu, doświadczonemu inżynierowi - na potrzeby tej historii nazwijmy go profesorem Gureux - to powie nam, że w bramce tranzystora...
Trzecie rozwiązanie jest błędne, bo przez SW nie rozładujesz bramki mosfet, więc jest szansa, że się załączy i już nie wyłączy drugie rozwiązanie jest do załączania poszczególnych diod i w sumie wygląda na błędne rozwiązanie, bo PT4115 jest regulatorem prądowym, więc przy wyłączeniu jednej diody, układ podbije napięcie by utrzymać prąd. Pierwsze rozwiązanie...
Jest jeszcze taka sztuczka pozwalająca przyśpieszyć transoptor - uniemożliwić zmiany napięcia na wyjściu transoptora: https://obrazki.elektroda.pl/6940905900_... I transoptor który nie mógł się "zmieścić" w kilkudziesięciu us, przełącza poniżej 1us
W tym konkretnym przypadku, chodzi o to, ze maksymalny prad wyjscia 3 timera 555 wynosi ok 200 mA. Dane z noty katalogowej. Mosfet powinno sie przelaczac jak najszybciej, czyli jak najwiekszym pradem. W tym wypadku ladujemy pojemnosc bramki mosfeta (warunki poczatkowe) pradem 12V/47Ω = 255mA. Czyli dzialamy na granicy mozliwosci NE555. Na szczescie...
Zwykła implementacja jako wzmacniacz niedwracajacy jest ok wszystko się liniowo zmienia( ale takie cos nie nadaje się do Mosfeta P tylko N ). Takie coś z MOSFET-em N nie nadaje się do obciążenia połączonego z masą, trzeba by je połączyć z +zasilania, a MOSFET-a dać od strony masy. Inaczej na bramce MOSFET-a uzyskasz może +10.5V, a na obciążeniu np....
Dlaczego nie podłączysz tych diod na stałe do plusa a masę podaj przez jeden tranzystor Mosfet N, tak jak zwyczajne obciążenie. Bramką Mosfeta tylko steruj z zasilacza.
Tak, oznacza podpięcie bramki do masy bez rezystora. Przy podpiętym rezystorze 100k do bramki, mosfet nagrzewa się mocniej niż że sztywno podpiętą masą
To lepiej wrzuć tam P-MOSFET odcinający zasilanie, bramka przez rezystor i mały kondensator do switcha, który ją zwiera z GND. Naciskasz, włącza się P-MOSFET, zasila układ. Następnie startuje MCU, który wystawia sygnał sterujący bramką MOSFETA i utrzymmujący ją w stanie niskim tak długo jak trzeba. Zmiana stanu na wysoki wyłącza układ do kolejnego wciśnięcia...
Te napięcia na bramkach w jaki sposób były mierzone?
Problemy są zasadniczo dwa: obciążenie stopnia sterującego i częstotliwość maksymalna. Oba wynikają stąd, że bramka to mniej więcej kondensator, który trzeba naładować i rozładować. Z tego widać, że muszą być dwa tranzystory sterujące - "ładujący" i "rozładowujący". Prąd ładowania i rozładowania ogranicza się rezystorem szeregowym. Im większy rezystor,...
Witam, Chcę otworzyć kanał MOSFET za pomocą fotodiody. Niestety, fotodioda/fototranzystor zyskują na oporności gdy jest ciemno, a ja potrzebuję praktycznie odcięcie napięcia sterującego MOSFETu (czyli jak największa rezystancja) gdy fotodetektor jest oświetlony. Do tego potrzebuję lekko opóźnić działanie tego efektu tzn. aby po odsłonięciu bramka nie...
Tak właśnie planuje to zrobić ale myślę czy nie dało by się zrobić na elementach mniejszych od przekaźnika i bez charakterystycznego "cykania" http://obrazki.elektroda.pl/4724911400_1... Tranzystor złączowy J-FET N-kanałowy z kanałem zubożanym (przewodzi dla napięcia bramka-źródło = zero, a nie przewodzi dla tegoż napięcia mniejszego od zera)....
R81-R68 to równolegle R90, czyli 0,9Ohma możesz do prób zamiast tych rezystorów dać jeden drutowy 0,1 Ohm P>2W R37 to 33 Ohm R51 to 68 Ohm Jeżli R31 jest spalony, to prawie na pewno leży U4 Jeśli Q6 (pnp) jest cały to Q7 (pnp) jest komplementarny do Q6 bramka MOSFET-a jest zasilana przez Q6, a Q7 zwiera ją do masy, aby skrócić czas wyłączania. Cały...
Przecież ten npn ładuje bramkę MOSFET-P a nie rozładowuje jej ! Coś tu kolega znowu ostro pokręcił. Moim zdaniem jeśli producent deklaruje, że tranzystor jest do 0,2A to powinien używać wykresów do tej wartości. A to niby dlaczego? Niechże kolega zrozumie, że producent gwarantuje iż tranzystor wytrzyma Ic=200mA ale nie gwarantuje żadnych innych parametrów...
Witam. Zaprojektowałem i wykonałem sterownik do bramy przesuwnej obsługujący silnik DC. Wszystko działa jak należy w sytuacji gdy silnik jest nieobciążony (nie zazębiony z bramą). Bez obciążenia działa tak jak planowałem. Ostatnio chciałem już ostatecznie go zamontować, ale podczas testów okazało się, że dziwnie się zachowuje. Pod obciążeniem bramy...
Zwiększenie okresu 20 000 razy wymaga takiego samego zwiększenia pojemności - C3=2400 µF zamiast 0,12 µF. NE555 pozwala zbudować układ z regulacją wypełnienia w sporym zakresie: bierzesz dwie diody (np. 1N4148), łączysz je szeregowo, między końce tego układu wstawiasz potencjometr (np. 10kΩ; podłączasz jego końce). Następnie bierzesz NE555, łączysz...
Ponadto czy w takim układzie tylko jeden obwód na raz będzie w fazie manipulacji opornościami podczas, gdy pozostałe są w fazie nieingerowanej żadnymi rezystancjami? Dokładnie o takiej wersji myślałem. Inaczej potrzebowałbyś kilkudziesięciu regulowanych napięć do sterowania bramek MOSFET-ów. A tak, to wystarczy do tych bramek podłączyć oporniki (od...
W google masz po wpisaniu parametrow katalog. Moc, rezystancja zlacza i napiecie bramki glownie.
Witam posiadam wzmacniacz audio w którym jest zastosowany układ opóźniający załączenie modułu bluetooth. mam tylko jedno pytanie nie wiem jak obliczyć pojemność kondensatora sterującego bramką dla różnych czasów opóźnienia ( tego z układu nie jestem w stanie zmierzyć ). Poniżej rysunek układu i link do parametrów zastosowanego mosfet. http://obrazki.elektroda.pl/7210607400_1...
O ile rozumiem, w tym module SSR (CPC1035N) działa jako NC, a potrzeba NO, więc to SSR powinien być między emiterem, a bazą. Tak, oczywiście - "szkice z podróży" do poprawy. Z tymi dodatkowymi rezystorami (czerwonymi) - chodziło o wyeliminowanie "pływania" potencjału bazy/ bramki, kiedy mosfet-y w SSR są wyłączone. Ale, po poprawkach, widać że są zbędne.
Witam Niektóre MOSFETy mają diodę w przeciwną stronę niż się je podłącza. 1-można sprawdzić tą diodę w kierunku przewodzenia 2-dla mosfeta z kanałem N dotykamy +miernika do bramki a -miernika trzymamy na źródle, potem szybko bez dotykania nóżek palcami przestawiamy +miernika na dren a -miernika na źródło i miernik pokaże nam rezystancje włączenia dla...
Proces i zjawiska związane z przeładowaniem i rozładowaniem bramki w MOSFET opisałem w tym artykule: https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3... Ogólnie NE555 bardzo słabo nadaje się do sterowania kluczami, właśnie z tego tytułu, że ma bardzo dużą rezystancję wewnętrzną. Dobre drivery potrafią "podać" na ładowną bramkę nawet kilka amperów.
Zamiast przekaźnika można wykorzystać tranzystor MOSFET. Przycisk startowy może spolaryzować bramkę MOSFET, po puszczeniu przycisku bramka tranzystora może być spolaryzowana z zasilanego układu, sygnał z zielonej diody to wyłączenie zasilania układu przez wyłączenie tranzystora MOSFET.
uszkodzona dioda była między bramką mosfet-a a pionową płytką? tak ale ona zabezpieczna tranzystor.
Ponieważ w danych katalogowych jest napisane, że w związku z tym, że w stopniu wyjściowym zastosowano układ Darlingtona to napięcie wyjściowe jest mniejsze o około 1,7V od napięcia zasilającego. Żeby zapewnić odpowiednie napięcie sterujące na bramce mosfeta zastosowano dodatkowy tranzystor. Dzieki temu na bramce jest pelne napiecie zasilania.
Diody pełnią funcję ochronną bramki tranzystora mosfet od ładunków elektrostatycznych i nadmiernym napięciem wejściowym (obcinacz napięcia) tzn. chronią bramkę TR przed przebiciem. Niektóre mosfety mają takie diody zintegrowane w swojej strukturze. Można wykorzystać dowolne krzemowe diody impulsowe - tak jak napisał Kolega wyżej, oprócz tego jescze...
Jeśli transoptor włącza się szybko, to upewnij się, czy pojemność diody Zenera nie spowoduje przy włączaniu chwilowego pojawienia się zbyt wysokiego napięcia na bramce MOSFET-a.
Witam! Rola rezystora R1 i R2 jest bardziej złożona w tym układzie. R1 przede wszystkim nie zabezpiecza bramki MOSFETa, tylko zabezpiecza przed uszkodzeniem fototranzystor w transoptorze w przypadku gdyby doszło do przebicia bramka/źródło tranzystora T (typowa usterka MOSFETa). Rezystor R2 oprócz ustalenia potencjału masy na bramce MOSFETa w momencie...
Powiedzmy, że funkcją logiczną ma być: jeśli na wejściu pojawi się +12V, to na wyjściu ma być stan aktywny; powrót do stanu nieaktywnego, gdy przez 20s nie wystąpi +12V na wejściu. Taką funkcję można zrealizować na wiele sposobów: * NE555: kondensator podłączony między Trig i Thres, a masę, równolegle do niego opornik, do uzyskania czasu 20 sekund można...
prad bramki? dc czy ac? po czsie wariowac? czyli co robic? skoro mowisz o podlaczeniu do 12V rozumiem ze DC (jesli cos takiego jak DC istnieje, ale nie chce wzniecac filozoficznej dyskusji na ten temat). teoretycznie wiec mozna bo bramka MOS nie pobiera pradu DC. jedyny mankament takiego podlaczenia to fakt ze bramka nie jest zabezpieczona w zaden sposob...
mosfet sterować bramka mosfet rezystor bramka mosfet przebicie bramka
licznik honda rozgrzany silnik gaźnik przerywa zamiana pamieci
Olej Stihl w pile spalinowej NAC CTS 45 40 01 Pioneer VSX-S510 reset do ustawień fabrycznych – procedura krok po kroku