Tu wstawiles diode miedzy brakme a dren. Jesli mowisz ze przebija Ci kanal, czyli zrodlo-dren, to powinienes wstawic ta diode rownolegle do tranzystora, tak jak w zalaczniku.
Tranzystor MOSFET zachowuje się jak rezystor sterowany napięciem bramka źródło , wartość napięcia dren źródło jest dla niego nieistotna. Zupełnie inaczej jest z prądem który płynie w obwodzie dren źródło.
Mosfety oznaczyłeś poprawnie
To jest tranzystor mocy MOSFET. Dren-źródło -100V, prąd drenu 120A w impulsie, moc drenu max 25W. - takie dane ma FS30KMJ-2. Może Gembara w Poznaniu ma taki albo zamiennik. Sprzedaje wysyłkowo. A MOSFET-y mocy ma, bo kupowałem
To z jakich wzorów korzystasz? BTW: dodaj jakiś mały rezystor na wyjściu WO żeby bezpiecznie przeładowywać bramkę mosfeta.
https://obrazki.elektroda.pl/7554241900_... Rezystor R1 zmieniłem na 1 kΩ i uzyskałem taki przebieg.
Zmniejsz R1, ale jakby nadal coś nie działało to taki objaw będzie jak pomylisz w mosfecie źródło z drenem.
Jeśli tylko zabezpieczenie przed odwrotną polaryzacją napięcia z zasilacza, to (poza możliwością użycia wtyczki nie dającej się odwrotnie podłączyć) można zrobić układ, który w najprostszej (ale już działającej) wersji zawiera tylko MOSFET-a - dla N-MOSFET-a źródło do minusa lodówki, bramka do wspólnego plusa, dren do minusa zasilacza. Przy odwrotnym...
Co to znaczy "po jednej stronie"? Tranzystor MOSFET ma wyprowadzenia dren, źródło, bramka i masz podać napięcia z każdego z tych wyprowadzeń.
Dodałbym jeszcze na marginesie, że dobrze byłoby na tej płytce zamontować oporniki bramka - źródło, które "wyłączają" tranzystor mosfet przy braku sterowania.
No dobrze to rozumiem mosfet ma zewrzeć źródło i bramkę żeby nigdy się nie otworzył.
Da się, ale zasada działania właśnie taka: MOSFET, który przy braku zasilania jest wyłączony, a po włączeniu zasilania bramka powoli się ładuje. Na ogół MOSFET-y wytrzymują napięcie bramka-źródło ze 20 V (sprawdzić w nocie katalogowej, bo np. AO3401A ma ok. 12 V, AO3407A ma ok. 20 V), więc wystarczy opornik, nie musi być dzielnik. Ale dioda jakoś inaczej...
Zaglądnij do jakiejś książki np. W. Marciniak - Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. Tam to znajdziesz. A to to tak z ciekawości pytasz ?
Jest jeszcze optodriver TLP351. I nie masz wtedy problemów z wysterowaniem bramki MOSFET-a wyższym napięciem i jego szybkim przełączaniem. Jest dostępny w TME, podobnie jak TLP250. Acha, tutaj: http://skory.gylcomp.hu/alkatresz/toshib... jest PDF (str.63), jak wykorzystać ten TLP do sterowania tranzystorem, co prawda IGBT. Ale zamiast...
Dobrze jest na schemacie przy napięciu zasilania 15V na bramkę powinno trafiać około 13.5V, gdybyś zamienił R1 i R6 to miałbyś koło 1.5V(dioda zenera jest w dobrą stronę ?). Może podłączyłeś odwrotnie Mosfeta (Źródło ma być do zasilania).
DMP2305U P-MOSFET Napięcie dren-źródło-20V Prąd drenu-4,2A Moc rozpraszana1,4W ObudowaSOT23 Rezystancja w stanie przewodzenia0,06Ω cena 30..80gr
To może nie być mosfet. Pod tym numerkiem da się znaleźć wzmacniacz operacyjny i driver do mosfetów, a za zwyczaj mosfety w tych obudowach mają zwarty 3 i 4 piny jako wspólne dren/źródło. Mosfety z takim numerem występują w innych obudowach.
Robię zabezpieczenie wysokonapięciowe. Chciałbym podpytać na elektrodzie o proste praktyczne rozwiązania. Proste źródło pradowe mozna zrobić z pieciu elementów, dwóch tranzystorów dwóch rezystorów i diody Zenera. W układzie takim jak ten poniżej, tylko że nie potrzebujemy LED'a i przydał by sie Zener zabezpieczający przed wzrostem Ugs ponad bezpieczny...
(at)vbsemi Ty to zrozumiałeś, czy tylko translatorem potraktowałeś?
Pomyśl o MOSFET-cie typu "P" czyli nie N-MOSFET tylko P-MOSFET (ten otwiera się po podaniu "minusa" bo "Source - źródło" ma na plusie zasilania).
No to MOSFET powinien być wyłączony (napięcie na bramce - takie, jak na źródle). No właśnie: jakim napięciem zasilasz układ (źródło) ?
Górne MOSFET-y podłączyłeś jakoś dziwnie - trzeba źródło do +zasilania (to ma być P-MOSFET), diodę Zenera między bramką, a źródłem. Być może dałoby się sterować górne MOSFET-y z dolnych, oszczędzając dwa transoptory. A transoptory nie muszą byś wysokonapięciowe, skoro napięcia na bramkach są niskie - tylko trzeba je inaczej podłączyć, między bramkę,...
Tym samym sygnałem nie wysterujesz P-mosfet i N-mosfet. przedewszystkim irf540 to N-mosfet i steruje się go potencjałem bramka-źródło a punkt S1A nie wygląda mi by leżał na GND. Tak samo z P-mosfet, steruje się go potencjałem między dren-bramka http://i.stack.imgur.com/Ywvbc.png
Na przewodzie, zwłaszcza cienkim, możesz mieć stratę napięcia. Nie wiem, jaki to przewód - jakiś telefoniczny z CCS przy długości 20m może mieć opór kilkadziesiąt Ω, i to już zdecydowanie przeszkadza w poprawnym działaniu dzwonka. Co z tym można zrobić? Skoro bateria zasilająca i dzwonek są w domu (i mam nadzieję, że mogą być blisko siebie), a przycisk...
A bo ty patrzysz na strzałkę w symbolu? Bo generalnie to prąd płynie od drenu do źródła na N (kanała typu N) i od źródła do drenu dla P (kanał typu P). Ta strzałka w symbolu tranzystora czy też w symbolu diody nie wskazuje na kierunek przepływu prądu. Tylko ma za zadanie pokazać, że mamy złącze PN. Wiadomo anoda to P a katoda to N. I tak samo mamy w...
Poprzedni układ uruchomiony wstępnie. I jakie wrażenia? Na schemacie jest błąd - dolny P-MOSFET ma źródło podłączone do masy. Oznacza to, że pasożytnicza dioda w tym tranzystorze MOSFET włączona jest w kierunku przewodzenia.
W powyższym układzie tranzystor NPN jest źródłem prądowym o wydajności zależnej od napięcia bazy i opornika w emiterze. Prąd tego źródła wywołuje spadek napięcia na oporniku bramka - źródło, ten spadek załącza tranzystor mosfet, nadmiar napięcia odkłada się na tranzystorze NPN. Dioda Zenera jest "na wszelki wypadek" (gdyby tranzystor NPN doznał zwarcia),...
Nie, to MOSFET typu P. Źródło jest na plusie, obciążenie od strony minusa.
Tego tranzystora nie sprawdzałem,a jak go sprawdzić,gdzie jest emiter,a gdzie kolektor? Zobacz sobie w tym [url=https://datasheetspdf.com/pdf-file/... A w ogóle jest [url=https://www.elektroda.pl/rtvforum/t... temat do Twojego i tam na końcu wątku sa podane zamienniki diody i mosfeta jakbyś...
Jeśli napięcie jest 12 V, to może być prosty układ: MOSFET z kanałem N (o małym oporze włączenia i napięciu progowym powyżej 2,5 V, ostatecznie może być 2,0 V, ale już nie mniej), włączony między minus zasilania i minus akumulatora, a do jego sterowania TL431, sterowany napięciem zasilania, który po osiągnięciu odpowiedniego napięcia obniży napięcie...
Przesyłam zdjęcie, dioda Z1 połączona równolegle z rezystorem (SMD 103) idzie na tranzystor mosfet źródło HFS7N80. Podpatrując schemat uc 3844 z jakimś mosfetem widzę że w większości źródło tranzystorów idzie bezpośrednio lub za pomocą rezystora o małej wartości na masę
Użyć napięcia zasilania do włączenia MOSFET-a, podając je poprzez opornik (np. N-MOSFET, źródło do -baterii, bramka przez opornik do +baterii, odbiornik między +baterii i dren).
Tylko, abym mógł zamknąć mosfet potrzebował bym drivera który zasilił by go napięciem >200V. Tylko że najwyżej zasilany driver na TME jest na 36V, to chyba za mało, aby zatkać mosfet. Czy mówię prawdę? Nie bardzo cię rozumiem, jeśli uzyjesz N-Mosfeta a źródło podłączysz do masy to wystarczy driver zasilić z 10-12V, jesli MOSFET miał by pracować jako...
bjt dużej mocy mają zazwyczaj wzmocnienie do 15 700 mA razy napięcie LED to nie jest duża moc, co najwyżej średnia. BD139-16 ma wzmocnienie 100 przy Ic 100 mA. A jeśli nie masz to sobie kup, kosztuje 1 zł i jest tańszy niż czas marnowany na dyskusje i porady nt. tranzystora MOSFET.
tak P-MOSFET Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło -30V Prąd drenu -4,3A Moc rozpraszana 1,4W Obudowa SOT23 Napięcie bramka-źródło ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia 48mΩ Montaż SMD Ładunek bramki 4,6nC Rodzaj kanału wzbogacany
Konstrukcja przetwornicy mogłaby być np. taka: tranzystor kluczujący NPN, albo N-MOSFET, emiter/źródło do -zasilania, od kolektora/drenu dioda do +zasilania, i dławik do LED-ów, a za nimi opornik pomiarowy do +zasilania. Ten opornik taki, żeby przy potrzebnym prądzie LED-ów mieć na nim ułamek wolta. Jak napięcie na oporniku pomiarowym osiągnie pewną...
Oj, +200V to duża przesada - jakie napięcie bramka-źródło wytrzyma MOSFET? BS170 20V.. Z tego co kolega pisze,widać że kolega nie orientuje się jakie prądy płyną i gdzie te prądy płyną. Nie potrzebuje kolega schematu - bo schemat jest w moim projekcie.
:arrow: #9 - w takim układzie sterowanie MOSFET-a będzie niewygodne, bo dla włączenia trzeba będzie podać na bramkę napięcie o kilka V wyższe od napięcia zasilania; lepiej użyć MOSFET-a z kanałem P i źródło podłączyć do +zasilania, albo MOSFET-a umieścić od strony masy. 1. Opornik 10kΩ nie ma prawa zakłócać kręcenia się wentylatora - może przy okazji...
Problemem jest to, że włączenie dolnego tranzystora zwiększa napięcie na tym górnym, który jest wyłączony - w rezultacie ładunek pojemności kolektor-baza (bądź dren-bramka dla MOSFET-a) zostaje podany na bazę (bramkę) i włącza ten tranzystor. Można te tranzystory oddzielić diodami, wstawiając diodę między emiter (źródło dla MOSFET-a) każdego górnego...
No to dorysuj sobie jeszcze diodę wbudowaną w MOSFET. Której na schemacie nie widać, ale ona tam jest. Dioda ta jest włączona między dren a źródło. Anodę diody podłącz do drenu a katodę diody do źródła. I zauważyłeś że wstawiłeś MOSFET z kanałem typu P?
Czy ma ktoś jakić pomysł na zabezpieczenie akumulatora przed całkowitym rozładowaniem? Myślę, że do tego wystarczy układ TL431 (kosztuje około 50gr), cztery oporniki i MOSFET (na odpowiednio duży prąd - ile potrzeba? 70A wystarczy?) typu N. Do plusa akumulatora podłączyć dren MOSFET-a, na zewnątrz ma być wyprowadzony minus akumulatora i źródło MOSFET-a;...
Fakt, napisałem niedokładnie. 10k między bazę i masę. Żaden rezystor nie jest potrzebny, ten MOSFET wytrzymuje napięcia źródło-bramka do 20 V. W układzie oczywiście źródło do + zasilania. Bezpiecznik, przyzwyczajenie. Jak wysyłam spory prąd na zewnątrz, daję bezpiecznik na wszelki wypadek. Tranzystor wytrzymuje ok. 20 A ale po właczeniu wszystkich 26...
Bramka jest izolowana, dla sprawnego MOSFET-a miernik (zwykły omomierz) powinien pokazać przerwę. Chyba że (sprawdź w nocie katalogowej albo mierz w obie strony) MOSFET ma diodę bramka-źródło.
Justyniunia: Bo jeśli chcesz mieć źródło regulowane, to musiałbyś zamiast Rs wstawić potencjometr, a im większy prąd chcesz regulować, tym większej mocy potencjometru musiał byś użyć. I na dodatek, jeśli regulacja ma być z uC, musiałby to być potencjometr sterowany elektronicznie, i to o sporej mocy... nie wiem, czy taki się znajdzie, a na pewno niełatwo....
No pewnie ze mosfet 😂 Źródło - dren 0,529v Źródło - bramka 1,42v
Witam, ponieważ Twój tranzystor to p-mosfet powinieneś zasilać driver tym samym napięciem co źródło tranzystora. Pozdrawiam
Elementy wewnętrzne czujnika narysowałem w ramce. Zamiast tranzystora NPN może być MOSFET, a zamiast rezystora Rp źródło prądowe, lub tylko kolektor tranzystora (dren), czyli typowy OC. Przy zasilaniu czujnika z 5V rezystor Rz nie jest potrzebny.
Uszkodzony Mosfet na teście diody wartość 000 i piszczy - przebicie, zwarcie dren-źródło, prawidłowe wartości to około 536 lub przerwa zależy jak przyłożysz kable miernika do nóżek dren-źródło - mosfety z wbudowaną diodą, uważaj jak dotkniesz bramki do zacznie trwale przewodzić D-S i może Cię to zmylić trzeba go wtedy "zresetować", wcześniejsze pomiary...
Tak, power mosfet JCS18N50WH jest uszkodzony - tzn. przebite źródło-dren (wstępna diagnoza kolegi oldking). Karta katalogowa ww "chińczyka": http://www.hwdz.com.cn/upload/2012120610...
Szukaj parametru o nazwie Vgs czyli napięcie Bramka - Źródło.
Witam. Posiadam przekaźnik 12V, który chcę sterować za pomocą Arduino, i czy do sterowania takiego przekaźnika wystarczy MOSFET i źródło 12V? Czy trzeba coś jeszcze z tym fantem zrobić?
Układ był w założeniu przeznaczony do średnio-szybkiego (kilkaset ns) załaczania MOSFETa przy napieciu kilkukrotnie przekraczającym dopuszczalne Ugs=20V, więc dioda Zenera była niezbędna, V2 było rzędu 5V, Q2 z R3 stanowi źródło pradowe które podaje Ugs ograniczane przez diodę Zenera, źródło prądowe ma obwód C1 R4 który powoduje chwilowy stukrotny wzrost...
Zapalnik między +zasilania i dren MOSFET-a LL, źródło MOSFET-a do masy, bramka do pinu uC. Stan '1' na pinie uC odpali zapalnik - może sensowne jest podłączanie zapalnika _po_ włączeniu uC i sprawdzeniu, że jest '0'.
Ok dzięki za info, masz informację jak coś takiego wykonać ? Dodano po 2 O ile dobrze rozumuję to muszę zastosować tranzystor typu MOSFET z kanałem typu p. Tylko jak jego podłączyć ? Pozdrawiam Dodano po 1 Pojedynczy MOSFET wystarczy? Dodano po 1 Podaje OUTPUT na bramkę tranzystora MOSFET, źródło do masy a pod dren buzzer?
Niewątpliwie tranzystor (NPN/N-MOSFET, emiter/źródło do masy) ochroni pin uC (dla NPN-a potrzebny jest jeszcze jakiś opornik pin-baza).
Cewkę wtryskiwacza masz podłączyć do środkowej nogi mosfeta (dren), a masę do 3 (źródło), bramkę czyli pierwszą nóżkę mosfeta do 3 nóżki 555 przez rezystor powiedzmy 10?, ten potencjometr nie potrzebny, drugi koniec cewki wtrysku do plusa.
Nie sprawdzaj omomierzem tylko zbuduj prosty układ, wystarczy Ci zasilacz 12V, rezystor powiedzmy 100-470om i ten MOSFET. Źródło MOSFETa połącz z minusem zasilacza, dren z rezystorem, plus zasilacza z drugim końcem rezystora. Teraz połącz bramkę ze źródłem i zmierz woltomierzem napięcie na rezystorze - jeśli MOSFET jest ok to na rezystorze napięcie...
Masz regulowany zasilacz? Wylutuj zwarty tranzystor i zmierz wszystkie inne duże mosfety czy któryś nie ma zwarcia źródło-dren oraz cewki przetwornic do masy.
Dobrze to pojąłeś 😊 A to po prawej to pmos. Źródło u góry, dren u dołu. Edytor schematów na smarkfonie ma tylko taki archaiczny symbol. Zamiast rezystora 1k - tego po lewj, można dać n.p. 4.7k. Procesor to doceni.
Pod źródło MOSFET-a dałem minus z zasilacza (12 V), a pod dren podpiąłem jedno wyjście żarówki (12 V, 1 W), drugie wyjście żarówki podpiąłem pod plus zasilacza. Efekt taki, że żarówka świeci (pobór 0,09 A). Jak podałem na bramkę minus z zasilacza, żarówka zgasła i nie było żadnego poboru prądu. Czyli ten MOSFET jest OK?
Dren "pobiera" ładunki, źródło "wysyła" w ten sposób że ładunki przepływają od źródła do drenu. W dosłownym tłumaczeniu angielskich słów tak jest, ale z tego tłumaczenia nic nie wynika. Chodzi o to że napięciem wejsciowym MOSFETa jest napięcie pomiędzy źródłem a bramką, jeśli podłączysz MOSFETa tak że źródło jest połączone z obciążeniem/wyjściem to...
Na etapie projektowania płytki, nie ma znaczenia jakie nazwy mają zastosowane tranzystory. Musi się tylko zgadzać topologia nóżek. Bullshit. Ja projektuje te schematy, według których h0miczek robi płytki. Nic nie dobiera się "po fakcie". Co z gościa za konstruktor? 95% decyzji podejmuje się na etapie schematu, konsultując to namiętnie ( ;] ) z projektantką...
Witam Narysowałem schemat. Zrób ten układ i napisz jak działa, obawiam się że to jeszcze nie koniec. Koniecznie dodaj kondensator co najmniej 10nF z serii X2 , takie pastylki, między dren a źródło tranzystora. http://obrazki.elektroda.net/5_117448923...
Witam Czyli jak dobrze rozumiem trzeba mu zrobic taką sztuczną pętlę prądową podłączając go pod + zasilania później w szeregu da rezystor 250 Ohm (taki jak jest w komputerze) i później pod - zasilania. Wtedy ten czujnik w obwodzie ustabilizuje prąd od 4 do 20mA w zależności od ciśnienia. Teraz trzeba tylko wysterowac na tranzystorze MOSFET źródło prądowe...
Mosfety nie są sterowane Ug-gnd tylko Ugs ... patrz gdzie masz źródło i jakie jest napięcie źródło-bramka. To jaki jest sygnał PWM z arduino (pin-gnd) ma tu niewielkie znaczenie. Chcesz się bawić w ten sposób to daj P-MOS i odwróć logikę.
Dioda powinna skutecznie zabezpieczyć tranzystor przed przepięciami przy wyłączaniu; bramkę MOSFET-a można sterować poprzez opornik (nawet dość duży - prąd bramki to zwykle ułamek nA), żeby ograniczyć prąd, jaki popłynie do źródła sygnału w razie przebicia bramki. Przy przebiciu bramki nie powinno pojawić się napięcie ujemne: źródło jest połączone z...
Witam Tu masz wszystko na ten temat: http://elenota.iele.polsl.gliwice.pl/sea...
Może źródło prądowe na wejściu jako ograniczenie. Do tego można by dodać klucz na mosfecie z komparatorem. Dopiero kiedy pojemności naładują się przez źródło z ograniczeniem, włączamy obciążenie.
W imię czego wykombinowałeś takie połączenie pod źródło MOSFET-a ujemnej szyny jego układu sterowania?
Jeśli MCU ma połączenia tylko do bramek, to nic mu nie grozi, o ile napięcie między różnym minusami nie przekroczy dopuszczalnego napięcia bramka-źródło. Typowy MOSFET ma dopuszczalne napięcie bramka-źródło ze 20V, może niektóre 16V (do sprawdzenia w nocie katalogowej), więc zasilanie 12V jest bezpieczne. Natomiast myślę, że taki układ działałby lepiej,...
Jeśli układ nie ma jakiegoś sprzężenia zwrotnego, które np. poda duże ujemne napięcie na bramkę, jeśli będzie wyglądało na to, że MOSFET się nie wyłącza; albo i prościej, MOSFET jako wtórnik w układzie ze sporym napięciem (dren do +40V, źródło do obciążenia, na bramkę podaje się od 0 do +55V, żeby na obciążeniu mieć od 0 do +40V - zwarcie drenu ze źródłem...
Jeśli dobrze rozumiem to zasilasz lampkę z trzech akumulatorów AAA (najprawdopodobniej NiMH) czyli napięcie zasilania LM358 rzędu 3,6V i sterujesz z tego LM prosto bramkę mosfeta P, którego napięcie źródła to ok 9V. Czyli go nie wyłączysz i czerwona lampka się nigdy nie zaświeci. Bo wzmacniacz nawet jakby był R2R (a LM358 jest daleki od tego, szczególnie...
Rozumiem,że BC557 by sie nadał. Mam zamiar zrobić na 1mA więc rezystory wychodzi na to 3kom. Na wyjściu wzmacniacza musi być NPN czy moze też być MOSFET "N"?
Pytanie, jaką masz nadwyżkę napięcia - bo LM317 (i jego mocniejsze odpowiedniki: LM350, LM338) w układzie stabilizatora prądu dają spadek napięcia ze 4V. Można zrobić na tranzystorach prosty układ (2 tranzystory; niedawno [url=https://www.elektroda.pl/rtvforum/v... o źródle prądowym używającym TL431 - wystarczy go...
https://obrazki.elektroda.pl/7057784800_... 1. **Bramka (G)**: Bramka jest najłatwiejsza do zidentyfikowania. 2. **Źródło (S)**: Niezależnie od tego, czy jest to tranzystor MOSFET z kanałem typu P czy N, przecinające się linie wskazują zacisk źródła. 3. **Dren (D)**: Niezależnie od typu kanału, strona z pojedynczym wyprowadzeniem jest...
Wygląda na tranzystor mosfet, jak tak to zapewne samotny pin to masa, obok 3 piny to źródło i naprzeciw 4 piny to dren.
Można na stałe zrobić tak, że po włączeniu zasilania telewizor uruchamia się. Wada - po zaniku zasilania on się włączy i będzie grał aż wrócisz do domu. Ingerujesz tylko w telewizor. Połączenie telewizora i skrzyneczki - układ czasowy wytwarza impuls 2 s. (być może wystarczy krótszy i wystarczy układ RC z tranzystorem). Na wyjściu 555 jest opornik połączony...
Dziękuję za odpowiedzi. Użyłem tranzystora P-MOSFET IRF5305. Źródło prądowe nie ma określonych wartości napięcia wyjściowego. Najważniejsze jest osiągnięcie dokładnych wartości prądów - 1,1,100mA Wolałbym nie zmieniać układu oraz jego elementów. Tranzystor MOSFET moim zdaniem jest lepszy w tym układzie, bo pozwoli osiągnąć dokładniejsze prądy.
Witam.Mam prosbę do kolegów o podanie metody badania U max. dren-żrodlo.Ponieważ we wzmaku 400W padło mi kilka mosfetów mocy z tej samej serii i przy małej mocy to chcę zbadać pozostałe,jakie mają napiecie.Uz wzmaka było +/-70V.Dysponuję zasilaczem regulowanym do 200V napięcia stałego i bardzo przydatnego do sprawdzania Umax. tranzystorów bipolarnych.Zainteresowanym...
Czyli zewrzeć źródło z drenem mosfeta? Tak na przykład pincetą , jednak to możesz zrobić tylko na pierwszych dwóch mosfetach na wejściu , nie możesz tego zrobić na kluczach przetwornic. - w ten sposób można doprowadzić do innych uszkodzeń... napisałem też że: prawdziłeś że na pewno nie ma dalej zwarcia to możesz sobie testowo zrobić bypas
Z tego drugiego załącznika mam wrażenie, że na wejście 0/4-20mA należy podać taki prąd wpływający (pytanie, czy dolna granica to 0mA, czy 4mA?). Poza tym: ten sterownik daje 24V do zasilania czujników - można by to wykorzystać. Nie daje chyba napięcia ujemnego - szkoda. Są wzmacniacze operacyjne z napięciem wejściowym obejmującym minus zasilania (o...
Masy obu układów zasilania mają być połączone. +24V wpinasz np. na żarówkę, drugi pin żarówki do drenu, a źródło do masy. Jak masz nowe mosfety to wlutuj do układu, i steruj napięciem 10V. Tamte mogłeś uszkodzić.
Dziękuję bardzo, tak zrobię, tylko mam pytanie, ten mosfet ma dwa źródła i trzy dreny, widzę na schemacie że źródła oraz osobno dreny są ze sobą połączone, to jeśli je połączę, czyli źródło z źródłem i dreny z pozostałymi drenami to nic się nie stanie? Zwielokrotnione wyprowadzenia łączy się razem, obudowa SO-8 nie była projektowana typowo pod tranzystory...
Nie za bardzo mogę jednak znaleźć MOSFET SMD z Rds(on) na poziomie 10 mOm, Ids>0,5A i mocy dajmy na to >1W. Czy np. IRLML0060 spełni tutaj swoją funkcję? Czy może ktoś zaproponować lepszy (mniejsze Rds(on)) tranzystor? Dlaczego chcesz użyć typ "Logic Level" (IRLML0060), skoro zasilasz WO z 12V? - niepotrzebnie sobie zawężasz wybór tranzystora. IRLML0060Ma...
Witam! Rola rezystora R1 i R2 jest bardziej złożona w tym układzie. R1 przede wszystkim nie zabezpiecza bramki MOSFETa, tylko zabezpiecza przed uszkodzeniem fototranzystor w transoptorze w przypadku gdyby doszło do przebicia bramka/źródło tranzystora T (typowa usterka MOSFETa). Rezystor R2 oprócz ustalenia potencjału masy na bramce MOSFETa w momencie...
Jeśli to ma być P-MOSFET (odpowiada PNP) używany do włączania/wyłączania prądu, to AO3407A (SMD, 30V, 4,3A), u Piekarza 6,70zł za 10 sztuk (mniej nie sprzedają). Uwaga: dopuszczalne napięcie bramka-źródło -20V (zalecane do włączenia -10V), nie wolno podać 24V. I nie można nim ograniczać prądu tak, by to w nim wytracać część napięcia - wtedy się przegrzeje,...
Według tego schematu większość mosfet da się bezpiecznie sprawdzić, lecz zamiast palcy dać przyciski i w obu przypadkach połączyć G (bramka) i S (źródło) jakimś dużym rezystorem, powyżej 100 kΩ, a pomiędzy przycisk a bramkę rezystor typu 100 Ω -5kΩ 763645
Na mój chlopsko robotniczy rozum na linii dren źródło nie przekraczamy 75 volt.
Myślę że wystarczył by jeden tranzystor mosfet typu p. Bramka do + "dużego" akumulatora, źródło do + "małego", dren do żarówki i dalej do masy. No i jeszcze rezystor ze 100k - 470k pomiędzy bramką tranzystora a masą "małego" akumulatora. Swoją drogą, to nie da się bezpośrednio połączyć równolegle dwóch akumulatorów o różnych napięciach.
Jak chcesz uzyskać 120W/4Ohm przy +/-40V to nie musisz ich zmieniac. Wszystko zależy od prądu jaki popłynie przez te rezystory, w tym wypadku to ok. 8A, a jak masz standardowe (0,22Ohm) to one ustalaja go na 10A, wiec moga zostać te 3*0,22 Ohm.
Może nie żyletkę, bo przewodzi prąd, a kawałek papieru. Chyba 'I' oznacza wejście sterujące, 'S' źródło MOSFET-a, 'D' jego dren.
z takim samym wynikiem Czy z takim samym wynikiem? Spierałbym się, źródło prądowe na MOSFEcie to jednak znacznie większa rezystancja dynamiczna.
Możesz użyć tranzystora bipolarnego NPN małej mocy (np. BC547) do sterowania bramki MOSFET-a; kolektor do bramki, opornik (~10k) do +12V, i jeśli to P-MOSFET (wtedy źródło do +12V, dren poprzez LED-y do masy), to emiter do masy, baza poprzez opornik (~100k) do FT245, a jeśli N-MOSFET (wtedy źródło do masy, dren poprzez LED-y do +12V), to baza poprzez...
No czyli teraz w odniesieniu do tych tranzystorów, których mowa wcześniej można napisać tak: jak tranzystor ma sprawne złącze źródło-dren (bo ten, który wylutowałeś jest tranzystorem typu MOSFET z kanałem typu N), to żarówka będzie się lekko jarzyła lub ewentualnie mignie na ułamek sekundy, natomiast jak jest zwarcie w tranzystorze (uszkodzenie złącza...
Dziękuję za odpowiedzi. Źródło na MOSFET będzie miało lepsze parametry? Obiło mi się o uszy ,że na MOSFET są problemy ze stabilnością czy coś, jednak nie jestem tego pewien. Jaki parametr(y) jeśli mogę zapytać, decyduje o tym ,że źródło na BJT ma gorszą dokładność? (tylko prąd bazy?)
Hm... to jest jakiś pomysł, tylko przy takim połączeniu potrzebny jest MOSFET z kanałem P, a takie są droższe - lepiej go przenieść na wejście -18V, wtedy będzie pasował MOSFET z kanałem N; dodatkowy, wtedy MOSFET mógłby zastępować tyrystor - jeśli potencjometr podłączysz równolegle do R2, źródło MOSFET-a i lewy koniec R2 do wejścia -18V, dren tam gdzie...
34V byłoby niezłe, tylko pamiętać należy o maksymalnym napięciu bramka-źródło MOSFET-a....
Może trzeba inaczej połączyć masę, albo gdzie indziej umieścić MOSFET-a - tak, żeby spadek napięcia na przewodzie, przez który zasilasz ogniwo Peltiera, nie wpływał na napięcie bramka-źródło? (na schemacie ideowym zwykle nie zaznacza się takiego rozróżnienia, a ono bywa istotne). No i połączenia przez płytkę stykową też mają swoją oporność...
Tak do końca raczej się nie sprawdzi, bo napięcie przebicia potrafi zależeć od temperatury, prądu... Z MOSFET-ami trzeba uważać, żeby nie przebić bramki - najlepiej prze sprawdzaniu zewrzeć ją ze źródłem. Natomiast nie wiem, jaki prąd przebicia dren-źródło wytrzymają bez uszkodzenia.
Tranzystor LL (logic level) np. IRL3705N. Bramka przez 100 omów do GPIO (ustawione jako wyjście), źródło do masy, a dren do grzałki. Zasilanie (24V) do grzałki i masy.
źródło prądowy mosfet mosfet źródło prądowe źródło prądowe mosfet
wyłącznik podwójny jedna żarówka pralka whirlpool bęben ociera zamiennik pilota alarmu
philips senseo obnizenie napiecia baterii
Resetowanie BSI w Citroën i Peugeot - krok po kroku Blokada siedzenia kosiarka Husqvarna, John Deere – jak odłączyć czujnik NO/NC bezpiecznie