Jeśli napięcie na bramce (G) będzie niższe o minimum 2.5V (i więcej) od napięcia źródła (S), tranzystor wejdzie w stan pełnego przewodzenia. Dlatego, że napięcie ma być niższe względem źródła (P channel), piszemy -2,5V, a nie 2,5.
tak moze byc ten sam
Proponowany MOSFET do Twojego hotendu 3D to IRF520. Powyższy MOSFET ma napięcie bramki 0,8V, więc może być sterowany z zakresu napięć od 0V do 5V- co oznacza, że będzie się świetnie sprawdzać z Arduino.
pomiar bez mosfeta nic niedaje - układ wykożystuje dużą pojemność złącza bramki (obciążenie pojemnościowe) i dzięki temu potencjałowi następuje szybkie przełanczanie. Podepnij na wyjściu kondensator 2-4nF do masy - tyle co ma mosfet i wtedy pomierz. I czesto aby przyśpieszyć to rozładowanie to dawany jest kondensator równolegle do diody (jak na moim...
Te napięcia na bramkach w jaki sposób były mierzone?
Jeśli tam mają płynąć duże prądy, to należy zrobić porządne połączenia - płytka stykowa ma za dużą oporność styków. A oprócz tego trzeba sprawdzić (noty katalogowe!), czy dla użytego akumulatora jest dopuszczalne obciążenie takim prądem, jaki chcesz z niego pobierać, i dla jakiego napięcia bramki podaje się oporność włączenia MOSFET-a. Co do napięcia...
Mosfet tak nie działa on jest typowy do kluczowania. Jeżeli czytasz z noty ze napięcie bramki jest 20 V to na bramkę musisz podać to napięcie i wtedy mosfet całkowicie się otwiera. Napięcie sterujące bramka musi być odseparowane galwanicznie od twojego napięcia zasilajacego mikrokontroler. Możesz do tego użyć transporow. I najlepiej jest użyć do tego...
Zmienić mosfet na inny, o niższym napięciu bramki lub dobudować pomiędzy bramką a źródłem sygnału stopień na tranzystorze bipolarnym.
Da się, ale zasada działania właśnie taka: MOSFET, który przy braku zasilania jest wyłączony, a po włączeniu zasilania bramka powoli się ładuje. Na ogół MOSFET-y wytrzymują napięcie bramka-źródło ze 20 V (sprawdzić w nocie katalogowej, bo np. AO3401A ma ok. 12 V, AO3407A ma ok. 20 V), więc wystarczy opornik, nie musi być dzielnik. Ale dioda jakoś inaczej...
Tranzystor MOSFET zachowuje się jak rezystor sterowany napięciem bramka źródło , wartość napięcia dren źródło jest dla niego nieistotna. Zupełnie inaczej jest z prądem który płynie w obwodzie dren źródło.
Zaglądnij do jakiejś książki np. W. Marciniak - Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. Tam to znajdziesz. A to to tak z ciekawości pytasz ?
To znaczy, że mogę mieć potencjał na bramce np. 100V, jeżeli taki sam będzie na źródle i jednocześnie nie przekraczając Vds? Tak, ważna jest różnica między potencjałami. Jeżeli na bramkę dasz 100 V, a na źródło 110 V, to wyniku Vgs = -10 V. Tym samym nie przekraczasz dopuszczalnych +/-20 V.
W powyższym układzie tranzystor NPN jest źródłem prądowym o wydajności zależnej od napięcia bazy i opornika w emiterze. Prąd tego źródła wywołuje spadek napięcia na oporniku bramka - źródło, ten spadek załącza tranzystor mosfet, nadmiar napięcia odkłada się na tranzystorze NPN. Dioda Zenera jest "na wszelki wypadek" (gdyby tranzystor NPN doznał zwarcia),...
Na MOSFET napięcie VGS (bramka-żródło) nie może być wieksze niż zazwyczaj 20V. Dokładne maksimum jest podane w nocie użytego tranzystora. Co do ADC to wzór masz poprawny. GND masz już połączone (wejście AGND procesora), stąd też nic dodatkowo łączyć nie trzeba.
Pin 13 (Clock Enable, tu oznaczony CLR) ma być połączony do masy. Na pin 12 (Clock, tu oznaczony CLK) - sygnał z przycisku (z układem eliminującym stany nieustalone z odbijania styków). Dreny Q1, Q2, Q3 poprzez cewki styczników do +zasilania. Zasilanie CD4022 trzeba oddzielić od zasilania cewek (np. diodą i kondensatorem). CD4022 można zasilać napięciem...
Nic nie uszkodziłeś, przykładając napięcie do bramki, otworzyłeś MOSFET (naładowałeś kondensator). Dopóki się nie rozładuje, tranzystor będzie otwarty.
No to MOSFET powinien być wyłączony (napięcie na bramce - takie, jak na źródle). No właśnie: jakim napięciem zasilasz układ (źródło) ?
Czy poprawne jest to co zrobiłem na schemacie wyżej? Chodzi mi o rezystor między bramkę i dren. Tak się tego nie rozwiązuje. Bramkę sterujesz albo z drenu przeciwnego tranzystora N (uwaga na przełączanie obydwu tranzystorów jednocześnie), albo z wtórnika napięciowego bądź czegoś innego, co ma niski opór wyjściowy. Nie do końca rozumiem, ale w tym sensie:...
czy mogę podać napięcie ujemne na bramkę tranzystora mosfet i czy przyśpieszy to rozładowanie pojemności bramki. Przeczytaj notę aplikacyjną HCPL3120 - jest tam pokazane jak zasilać układ napięciem dodatnim i ujemnym dla szybszego przełączania mosfeta.
Wystarczy dać większy tranzystor i dobrać wartość rezystora z gwiazdką. - pisałeś że nie potrzebujesz źródła prądowego ? Dlatego zaproponowałem powrót do układu z #8 pokazującego poprawne sterowanie tranzystorem PNP. Układ można jeszcze uprościć używając tranzystora mosfet z obniżonym napięciem bramki np IRLZ44n. Wówczas był by sterowany bezpośrednio...
Maksymalne napięcie bramki tego MOSFET-a (4501=podwójny MOSFET), to 20V. Ta dioda Zenera między bramką MOSFET-a (4. wyprowadzenie), a masą ma chronić tranzystor przed przebiciem - więc będzie to dioda Zenera Uz=15-18V.
Wystarczy na bramce >3V Nie pisz nieprawdy ! ! ! Wszystko zależy od wartości; prądu drenu i napięcia dren-źródło: http://obrazki.elektroda.net/67_12069811...
Witam. Proponuję głowicę OB lub na MOSFET 2 bramkowym gdzie napięcie na drugiej bramce reguluje ARW.
Jeśli tylko zabezpieczenie przed odwrotną polaryzacją napięcia z zasilacza, to (poza możliwością użycia wtyczki nie dającej się odwrotnie podłączyć) można zrobić układ, który w najprostszej (ale już działającej) wersji zawiera tylko MOSFET-a - dla N-MOSFET-a źródło do minusa lodówki, bramka do wspólnego plusa, dren do minusa zasilacza. Przy odwrotnym...
Każdy MOSFET sterowany jest napięciem pomiędzy źródłem a bramką, jeśli w pierwszym przypadku potrzebujesz 8V do załączenia tranzystora to w drugim 5V+8V=13V
Jest jeszcze kwestia, przy jakim najmniejszym napięciu to ma działać - zastosowanie MOSFET-a, który wymaga napięcia na bramce -2.5V (względem źródła) oznacza, że układ będzie działał poprawnie przy napięciu zasilania od około 3.3V - przy niższych nie, bo nie wystarczy napięcia na wysterowanie MOSFET-a i będzie on miał znacznie większy opór (czyli będzie...
Układ ARW, jak w magnetofonie przy nagrywaniu - żeby nie zniekształcał, to z MOSFET-em jako elementem regulującym (sygnał przychodzi przez opornik, MOSFET do masy), jak napięcie szczytowe +- na wyjściu wzmacniacza przekracza zadany próg, to podać napięcie na bramkę MOSFET-a, żeby zmniejszyć jego opór.
Justyniunia: Bo jeśli chcesz mieć źródło regulowane, to musiałbyś zamiast Rs wstawić potencjometr, a im większy prąd chcesz regulować, tym większej mocy potencjometru musiał byś użyć. I na dodatek, jeśli regulacja ma być z uC, musiałby to być potencjometr sterowany elektronicznie, i to o sporej mocy... nie wiem, czy taki się znajdzie, a na pewno niełatwo....
Nie przyjrzałem się dokładnie, załączyć się da ale kiedy nie wysterujesz żadnego z tranzystorów bipolarnych bramki MOSFETów "wiszą w powietrzu" przez co na bramkach może się pojawić niekontrolowane napięcie, w skutek upływności lub zakłóceń. nie wiem czemu tak kombinuję skoro można je podpiąć bezpośrednio do +7,2V Razz O to chodziło.
Jak dobiera się taki PWM? Klucz dobierasz na prąd i napięcie, w układzie zasilanym pojedynczym napięciem 3,6V dochodzi kwestia sterowania bo zwykły MOSFET na bramce potrzebuje napięcia ponad dwa razy większego. Czego potrzebuję, żeby rezystor nie płonął przy włączaniu go w układ Właściwego doboru mocy i rezystancji.
Witam! Nie słyszałem, żeby ktokolwiek odpaliło go bez problemu, tu masz wszystkie poprawki do tego wzmacniacza. Pozdrawiam http://www.elektroda.pl/rtvforum/topic17... Zamiast tego nie wypału, to może tego spróbuj, wygląda na normalny. http://www.elektroda.pl/rtvforum/topic54...
Przy 2-3A wystarczy tranzystor w obudowie SO8, w tych szukaj niskiego napięcia bramki.
Na zdjęcia oscyloskopu widać przebiegi z bramek MOSFET-ów - wyraźnie widzę na nich "ząbek" na zboczach, trwający chyba 10us, podczas którego oba MOSFET-y powinny być wyłączone - o ile ich wyłączanie trwa krócej, niż te 10us. A, ktoś mi zgłosił uwagę: pomyliłem się o czynnik 2 w wyliczaniu napięcia, jakie występuje na bramkach MOSFET-ów (błąd jest w...
MOSFET-y zwykle mają kanał wzbogacany i żeby przewodził, N-MOSFET wymaga podania na bramkę napięcia dodatniego względem źródła, a P-MOSFET ujemnego (trzeba uważać, żeby nie przekroczyć dopuszczalnego napięcia, ono bywa +-20V, ale bywa też znacznie mniejsze). Zwykle mają wbudowaną diodę, która przewodzi przy odwrotnej polaryzacji drenu. Bramka jest izolowana,...
Ten rezystor jest po to by po puszczeniu przycisku rozładować bramkę aby tranzystor przestał przewodzić. Bez niego może zacząć sam przewodzić ( z powodu ładunku zgromadzonego na bramce) , lub przewodzic częściowo i się spalić. Nawet jeśli naładujesz bramkę to dzięki temu rezystorowi po zdjęciu z niej napięcia bramka się rozładuje i tranzystor przestanie...
Ale nie z tak podciągniętym rezystorem bramkowym Rezystor jest OK. Tyle, że jeśli Uzas tranzystora oraz Uzas uC są różnej wartości (a te są tutaj różne - odpowiednio 12V i 5V) to Mosfet-P musi być poprzedzony stopniem na tranzystorze npn aby uzyskać właściwe sterowanie Mosfet-P (napięcie jego bramki względem +12V równe -12V dla włączenia i równe 0V...
Jak ma działać, to wypadałoby zrobić inny schemat - co ma ograniczać prąd LED-ów? Czy może są połączone z opornikami (jak tam są połączenia równoległe, to oporniki są konieczne) tak, że układ sterujący ma tylko dać odpowiednie napięcie? No i MOSFET-y wymagają jakiegoś napięcia na bramce, żeby się włączyły, a ten TL074 bynajmniej nie jest rail-to-rail,...
Spróbuj podać większe napięcie na bramkę.
Tranzystor jest sterowany napięciem pomiędzy bramką a źródłem, włączając obciążenie w obwodzie źródła zmniejszasz napięcie Ugs, żeby załączyć tranzystor zupełnie musiał byś podać na bramkę napięcie o ok 8V wyższe od zasilania.
Witam Jak układ jest zasilany z transformatora to trzeba dowinąć uzwojenia które będą sterować bramkami tych tranzystorów. Na początku sinusoidy będzie za małe napięcie aby otworzyć mosfeta ale w takim układzie prąd płynie w szczytach sinusoidy. Trzeba zwrócić uwagę na fazę napięcia na tych dodatkowych uzwojeniach i maksymalne napięcie 20V jakie wytrzymują...
Oj, chyba może być niezbyt poprawny - MOSFET-y dostaną napięcie bramki 24V, dla niektórych typów to może być za dużo. Wystarczyłoby 12V... po tyle by dostały, gdyby zewrzeć bramki dwóch MOSFET-ów o przeciwnej polaryzacji, przy założeniu, że ich oporniki bramka-źródło są takie same. A co do pierwszego problemu (żarówka miga, ale dopiero jakiś czas po...
Jest kwestia, czy układ może sterować nowy tranzystor - istotnymi parametrami mogą być: napięcie bramki potrzebne do włączenia, pojemność bramki, ładunek bramki...
Zasadniczą sprawą jest napięcie sterujące bramkę - czy będzie te 4V, czy mniej? Niestety MOSFET-y, dla których producent deklaruje niski opór włączenia przy niskim napięciu bramki, stanowią rzadkość i niewiele sklepów takie ma. Jeśli syrena ma pobierać 120mA, to nie musi być MOSFET na kilkanaście A; ale mały opór włączenia przy niskim napięciu bramki...
Diody pełnią funcję ochronną bramki tranzystora mosfet od ładunków elektrostatycznych i nadmiernym napięciem wejściowym (obcinacz napięcia) tzn. chronią bramkę TR przed przebiciem. Niektóre mosfety mają takie diody zintegrowane w swojej strukturze. Można wykorzystać dowolne krzemowe diody impulsowe - tak jak napisał Kolega wyżej, oprócz tego jescze...
Jeśli napięcie jest 12 V, to może być prosty układ: MOSFET z kanałem N (o małym oporze włączenia i napięciu progowym powyżej 2,5 V, ostatecznie może być 2,0 V, ale już nie mniej), włączony między minus zasilania i minus akumulatora, a do jego sterowania TL431, sterowany napięciem zasilania, który po osiągnięciu odpowiedniego napięcia obniży napięcie...
Dren "pobiera" ładunki, źródło "wysyła" w ten sposób że ładunki przepływają od źródła do drenu. W dosłownym tłumaczeniu angielskich słów tak jest, ale z tego tłumaczenia nic nie wynika. Chodzi o to że napięciem wejsciowym MOSFETa jest napięcie pomiędzy źródłem a bramką, jeśli podłączysz MOSFETa tak że źródło jest połączone z obciążeniem/wyjściem to...
VGS(th) to napięcie progowe, przy którym MOSFET zaczyna przewodzić np. około 0.5mA, co raczej rzadko bywa użyteczne; do przewodzenia dużych prądów potrzebne jest napięcie bramki, dla którego podano RDS(on), czyli w tym przypadku 10V. Dla MOSFET-ów Logic Level to drugie napięcie jest np. 4.5V (jakkolwiek dla nich często podaje się RDS(on) dla dwóch napięć...
W pierwszym przypadku jest spora szansa na uszkodzenie MOSFETa w drugim to już w ogóle po nim. Jeżeli weźmiesz miernik (woltomierz) i przewód wpięty do złącza COM będziesz trzymał tylko połączony ze źródłem to mierząc napięcie na bramce miernik nie powinien wskazać napięcia większego od +20V i niższego od -20V. Jednakże MOSFETy większego napięcia sterującego...
Zwykła implementacja jako wzmacniacz niedwracajacy jest ok wszystko się liniowo zmienia( ale takie cos nie nadaje się do Mosfeta P tylko N ). Takie coś z MOSFET-em N nie nadaje się do obciążenia połączonego z masą, trzeba by je połączyć z +zasilania, a MOSFET-a dać od strony masy. Inaczej na bramce MOSFET-a uzyskasz może +10.5V, a na obciążeniu np....
Wg mnie nie powinien działać ... Jakie napięcie jest na bramce Mosfeta ?. Przy 5V napięcia Vgs ten tranzystor dopiero zaczyna reagować, musisz zastosować jakiś przesuwnik napięć, lub driver do sterowania bramki. Druga sprawa, częstotliwość PWM'a ... 100Hz w zupełności wystarczy, bo przy wyższych prąd w silniku po prostu nie nadąży narosnąć. To przecież...
Witam ponownie Jak napisałem w ostatnim poście - nie krytykuję. Zaprezentowany schemat... no cóż, zatem kilka spostrzeżeń: - zakładając, że na schemacie symbol baterii narysowany jest zgodnie z zasadami, czyli krótsza kreska to "-", tranzystory włączone są na odwrót, - aby w pełni otworzyć tranzystory MOSFET, napięcie na bramce powinno być w granicach...
Zajrzyj do dokumentacji, w aukcji masz link. Zasilanie 24V to już jest raczej ryzykowne - za duże napięcia będą podawane na bramki MOSFET-ów (trzeba sprawdzić w notach katalogowych, ale zwykle MOSFET-y mają dopuszczalne napięcie bramki 20V). Wygląda na to, że parametry gorsze od poprzedniego układu, ale nie wiadomo, czy dla tego poprzedniego są prawdziwe.
Co to znaczy "po jednej stronie"? Tranzystor MOSFET ma wyprowadzenia dren, źródło, bramka i masz podać napięcia z każdego z tych wyprowadzeń.
Jeżeli piszczy na wylutowanym, to uszkodzony. Niekoniecznie. Nawet sprawny mosfet, po pomiarze między źródłem a bramką będzie "zwarty", gdyż napięcie z miernika naładuje bramkę, co otworzy tranzystor.
Jeśli dobrze rozumiem to zasilasz lampkę z trzech akumulatorów AAA (najprawdopodobniej NiMH) czyli napięcie zasilania LM358 rzędu 3,6V i sterujesz z tego LM prosto bramkę mosfeta P, którego napięcie źródła to ok 9V. Czyli go nie wyłączysz i czerwona lampka się nigdy nie zaświeci. Bo wzmacniacz nawet jakby był R2R (a LM358 jest daleki od tego, szczególnie...
Fakt, napisałem niedokładnie. 10k między bazę i masę. Żaden rezystor nie jest potrzebny, ten MOSFET wytrzymuje napięcia źródło-bramka do 20 V. W układzie oczywiście źródło do + zasilania. Bezpiecznik, przyzwyczajenie. Jak wysyłam spory prąd na zewnątrz, daję bezpiecznik na wszelki wypadek. Tranzystor wytrzymuje ok. 20 A ale po właczeniu wszystkich 26...
Opór włączonego MOSFET-a zależy od napięcia bramki i temperatury jego struktury - poniżej 8 mΩ podają dla -10V i pewnie 25°C, a po nagrzaniu będzie większy (pewnie gdzieś dalej podano, jaki). Ale 19A przez dwa połączone równolegle to łączna moc strat 1,444 W, wychodzi po 0,722 W na tranzystor (i one się podzielą w miarę równo - z powodu wzrostu oporu...
Jeśli układ nie ma jakiegoś sprzężenia zwrotnego, które np. poda duże ujemne napięcie na bramkę, jeśli będzie wyglądało na to, że MOSFET się nie wyłącza; albo i prościej, MOSFET jako wtórnik w układzie ze sporym napięciem (dren do +40V, źródło do obciążenia, na bramkę podaje się od 0 do +55V, żeby na obciążeniu mieć od 0 do +40V - zwarcie drenu ze źródłem...
Moim zdaniem R1 można pominąć. Ale R2 jest raczej niezbędny. Dzięki niemu wartość napięcia na bramce tranzystora MOSFET jest poniżej progu jego włączenia (przy 10kΩ będą to jakieś ułamki wolta). Wynika to z tego, że tranzystor w transoptorze ma jakiś (mały) "prąd ciemny" (płynie przez niego prąd, nawet jak nie jest oświetlony przez diodę), a z kolei...
Jeśli jest tam przetwornik piezoelektryczny, to musi być zasilany impulsami. Tranzystor - trzeba sprawdzić czy do bazy dochodzą impulsy sterujące, czy tranzystor prawidłowo przewodzi. Czy są jakieś napięcia na bazie i kolektorze? A może to mosfet, więc napięcia na bramce i drenie. Opisy sprawdzenia tranzystora znajdziesz bez trudu.
Wraz ze wzrostem częstotliwości przełączania Której nie znamy bo autor nie podał wymagań. Drugi powód to konieczność sterowania bramki MOSFET-a napięciem ze źródła typowo 10...18V Przy 4.5V RDSon to 5.5mOhm, ale nie wiemy, czy to dużo czy mało, bo autor nie podał wymagań.
Dioda zenera nie ma nic wspólnego z rezystancja, ona jest poprostu na określone napięcie np 12V. Z tego oznaczenia znalazłem że może to być dioda na 11 V - ZD11-CL2 w obudowie SOD323, trzeba by porównać wymiary . Jest to dioda która zabezpiecza bramki MOSFET-ów przed zbyt wysokim napięciem. Można do prób wlutować między S a G któregoś mosfeta diodę...
Dlaczego nie podłączysz tych diod na stałe do plusa a masę podaj przez jeden tranzystor Mosfet N, tak jak zwyczajne obciążenie. Bramką Mosfeta tylko steruj z zasilacza.
Witam, potrzebuje wykonać regulator silnika 12V, sterowanie mam z odbiornika od helikoptera na wyjściu jest 2.3V do 4V, wykonałem prosty układ na IRF530, przy testach na żarówce ładnie działa, ale gdy podpinam silnik to tylko buczy/piszczy, zmieniłem opornik na mniejszy aż doszedłem do 10ohm to silnik się tylko lekko kręci a mosfet grzeje, o co z tym...
A co myślicie żeby dołożyć jeszcze pompę ładunkową np. ICL7660 ew. bootsrap i z tak podniesionego napięcia sterować bramką tranzystora wyjściowego MOSFET ? Łatwiej będzie dobrać tranzystor.
Jest jeszcze optodriver TLP351. I nie masz wtedy problemów z wysterowaniem bramki MOSFET-a wyższym napięciem i jego szybkim przełączaniem. Jest dostępny w TME, podobnie jak TLP250. Acha, tutaj: http://skory.gylcomp.hu/alkatresz/toshib... jest PDF (str.63), jak wykorzystać ten TLP do sterowania tranzystorem, co prawda IGBT. Ale zamiast...
Jeśli oscylogramy na pin 11 i 14 będą zbliżone do pin 4 to,układ KA3525 jest sprawny i trzeba mierzyć na bramkach MOSFET apotem na drenach.
W nocie katalogowej pisze że Gate to Threshold Voltage jest max 4V. Zwracaj większą uwagę na parametr, który czytasz bo wybrałeś prawidłowy i prawie dobrze go zinterpretowałeś. Jest on oznaczony tak: V GS(th) Teraz dwa pytania: 1. co oznaczają duże literki G oraz S? 2. jak więc rozumieć cały parametr V GS(th)
W specyfikacji tranzystora masz podane przeważnie max prąd na bramce. Wylicza się go jako różnice potencjału miedzy stanem hi i lo. Czyli napięcie max jakie używasz to stanu przewodzenia z odjętym napięciem stanu blokowania. Np jak na bramkę możesz podać 15 V lub zewrzeć do masy to masz 15V - 0 V = 15 V. Podobnie jak możesz podać 10 V ale masz źródło...
Dokładnie tak. Maksymalne napięcie, jakie MOSFET może dostać z samoindukcji w cewce, to napięcie zasilania + napięcie przewodzenia diody - dotyczy to mostku H z drenami połączonymi do cewki. A to nie jest tak, że na dren tranzystora N channel podajemy zerowe napięcie by tranzystor "wyłączyć". Nie - MOSFET-y włączamy i wyłączamy napięciem bramka-źródło,...
Ponadto czy w takim układzie tylko jeden obwód na raz będzie w fazie manipulacji opornościami podczas, gdy pozostałe są w fazie nieingerowanej żadnymi rezystancjami? Dokładnie o takiej wersji myślałem. Inaczej potrzebowałbyś kilkudziesięciu regulowanych napięć do sterowania bramek MOSFET-ów. A tak, to wystarczy do tych bramek podłączyć oporniki (od...
Tranzystor MOSFET-N (będzie rozłączał masę) z bramką spolaryzowaną z +12V rezystorem, bramka sterowana a kolektora np. BC547 - emiter ma masę, na bazę przez opornik podawać napięcie sterujące, które będzie wyłączać MOSFET. Jeśli musi rozłączać +zasilania to trzeba wykonać układ odwrotny - na MOSFET-P (z opornikiem z bramki do źródła) i npn z dodatkowym...
Nie chodzi o rezystancję przewodzenia, tylko napięcie sterujące bramką. Mosfet P potrzebuje niższe napięcie od napięcia wejściowego w zasilaczu, więc nie ma problemu a mosfet N potrzebuje wyższe od napięcia wyjściowego zasilacza. Tanie mosfety potrzebują do 5V a nawet 7V przy dużych prądach, więc bez jakiś sztuczek z podwyższeniem napięcia sterującego...
A jakie jest maks. napięcie zasilania? Napięcie bramki VGS nie może przekroczyć 20V.
Oj, +200V to duża przesada - jakie napięcie bramka-źródło wytrzyma MOSFET? BS170 20V.. Z tego co kolega pisze,widać że kolega nie orientuje się jakie prądy płyną i gdzie te prądy płyną. Nie potrzebuje kolega schematu - bo schemat jest w moim projekcie.
Dla BC547 200mA to za dużo, wypada użyć np. BC337 (BC338), albo i BC635 (BC637, BC639). Tranzystory bipolarne (tu NPN) miewają grupę współczynnika wzmocnienia; dla BC547 są A, B, i C (np. BC547B), dla BC337 są -6, -10, -16, -25, -40, dla BC635 podobnie, ale już -40 nie ma; grupa -X to wzmocnienie około X*10, B to -25, C to by było -60. BS170 nie nadaje...
Witam Tranzystor mosfet otwiera się gdy dostaje napięcie między źródło a bramkę, więc w twoim układzie napięcie na silniku powodowało przymykanie tranzystora. Jeśli tranzystor otwiera się przy 4V to na silniku mogłeś uzyskać max 8V i spadek na tranzystorze dren - źródło x prąd powodował grzanie tranzystora. Jeżeli silnik podłączyłeś do drenu, wtedy...
Jeśli MCU ma połączenia tylko do bramek, to nic mu nie grozi, o ile napięcie między różnym minusami nie przekroczy dopuszczalnego napięcia bramka-źródło. Typowy MOSFET ma dopuszczalne napięcie bramka-źródło ze 20V, może niektóre 16V (do sprawdzenia w nocie katalogowej), więc zasilanie 12V jest bezpieczne. Natomiast myślę, że taki układ działałby lepiej,...
Nie ma nic dziwnego w tym, że MOSFET mniej się grzeje wtedy, gdy żarówka świeci pełnym lub niemal pełnym światłem. NE555 jest dość marnym źródłem prądów do przeładowywania bramki MOSFETa - czas przełączania jest stosunkowo długi. Przy zimnym włóknie żarówki jej oporność jest bardzo mała i płyną przez nią bardzo duże prądy. A straty na przełączanie w...
To zależy. Jakim napięciem ładujesz bramkę, jakie jest napięcie załączania takiego tranzystora. Jest ogólnodostępny wzór na ładowanie kondensatora od napięcia U1 do napięcia U2 przy ładowaniu ze źródła o napięciu U przez opornik R. Skorzystaj z niego.
Tak do końca raczej się nie sprawdzi, bo napięcie przebicia potrafi zależeć od temperatury, prądu... Z MOSFET-ami trzeba uważać, żeby nie przebić bramki - najlepiej prze sprawdzaniu zewrzeć ją ze źródłem. Natomiast nie wiem, jaki prąd przebicia dren-źródło wytrzymają bez uszkodzenia.
Tak, poprzez PWM możesz sterować moc skuteczną. Sam NE555 powinien zapewnić rozładowanie się pojemności bramki, ale dla pewności na schemacie jest jeszcze rezystor między bramką a źródłem.
Rozkłąd wyprowadzeń i połączeń z tego co widać na zdjęciu pasowałby do MOSFETa N, przykładowo: https://obrazki.elektroda.pl/6123360700_... Pytanie jakie minimalne napięcie bramki Ugs(on) jest wymagane w tym układzie.
1. tak, nie otworzyłby się 2. tak, spokojnie się otworzy Teoria jest taka, że istotnym parametrem MOSFETa jest napięcie między bramką a źródłem - jego różnica determinuje rezystancję kanału. Taką samą funkcję w tranzystorach bipolarnych pełni prąd bazy. 4\/3!!
To lepiej wrzuć tam P-MOSFET odcinający zasilanie Przy zasilaniu bateryjnym zwykle można odcinać masę, zatem może wystarczy N-MOSFET - tańszy i łatwiej znaleźć typ o niskim napięciu bramki.
Trzeba jeszcze zwrócić uwagę na taką sprawę: typowy wzmacniacz operacyjny nie jest rail-to-rail, nie da na wyjściu +zasilania; w rezultacie tranzystor nie dostanie na bramkę 0V względem źródła połączonego z +zasilania; to może spowodować, że nie wyłączy się on całkowicie i będzie przepuszczać jakiś prąd; w związku z tym pożądane jest, by MOSFET wyłączał...
J.w., ale...przede wszystkim - kto tak steruje MOSFEt-em: sygnał z piny 3 jest podawany na dzielnik napięcia w postaci potencjometru 10k celem regulacji napięcia przetwornicy dając potężny rezystor o Rz=140 kOhm między wyjściem dzielnika, a Gate mosfeta Jakiś ****** ? Tranzystor tutaj to klucz - ma być tak wysterowany, aby być w 2 stanach: zatkania...
Jeśli firma i rzeczy tajne to musi Tobie wystarczyć stwierdzenie że z wzrostem napięcia na Vds wzrasta ilość ładunku jaki trzeba dostarczyć do bramki.
Na wyjściu powinno być takie samo napięcie jak na wejściu. Nie, na bramkę trzeba podać ok 7 woltów więcej niż na źródło, kiedy źródło jest na masie jest łatwiej (jak na schemacie u kolegi powyżej), kiedy źródło jest na plusie wyjścia potrzebne jest dodatkowe wyższe zasilanie dla bramki np 19V
Jeśli to układ z #46, to jest to bardzo dziwne. Rozumiem, że to jest LM4041-ADJ w obudowie SOT-23? Upewnij się, czy nie pomyliłeś numerów nóżek - jak się patrzy od wierzchu (tak, że układ stoi na nóżkach), to numeracja idzie w lewo (przeciwnie do ruchu wskazówek zegara), 1 i 2 są po jednej stronie, a 3 po drugiej. 2 powinna być połączona z + (akumulatora...
Uszkodzone elementy to: Power-MOSFET (jako klucz jednostki szczotki obrotowej MFU) i dioda Zenera (zabezpieczająca bramkę Mosfet-a przed przekroczeniem Ugs max). Prawdopodobnie z jakiś powodów Mosfet uległ przebiciu i całe napięcie zasilania odłożyło się na jego bramce, co w konsekwencji spowodowało spalenie ochronnej diody Zenera. Przed wymianą należałoby...
Przy szybkiej zmianie napięcia drenu opór musiałby być mały, żeby nie pozwolił na naładowanie bramki. Bez opornika napięcie na bramce może pływać.
IRFR9120N VGS=+-20V :/ To jest w "Absolute Maximum Ratings", czyżbyś chciał takiego w którym łatwiej przebić dielektryk bramki? Jeśli szukałeś parametru Vgs(th) to jest niżej.
Ponieważ w danych katalogowych jest napisane, że w związku z tym, że w stopniu wyjściowym zastosowano układ Darlingtona to napięcie wyjściowe jest mniejsze o około 1,7V od napięcia zasilającego. Żeby zapewnić odpowiednie napięcie sterujące na bramce mosfeta zastosowano dodatkowy tranzystor. Dzieki temu na bramce jest pelne napiecie zasilania.
czy rownolegle do diody nie powinno być rezystora ograniczającego jej prąd Jeśli już to szeregowo. Taki rezystor już jest - to R11/R13. Gdy 4N35 jest wył. - prąd płynie przez diodę Zenera i R11: I=(40-15)/10k=2,5mA, gdy 4N35 jest wł. - prąd płynie przez R11+R10 i wynosi I=40/10,1k= ok. 4mA, na R10 jest spadek napięcia 0,4V=Vgs - MOSFET wyłączony. Bramka...
Jak dla mnie L to napięcie sieci(faza)...
Może MOSFET nie jest całkowicie wyłączany? Jakie są napięcia na jego bramce?
Problem z MOSFET polega na dużym wymaganym napięciu bramki do wysterowania. Sam zobaczysz w trakcie prób. Nie zapomnij ustalić wzmocnienia w WO Planuję zasilać układ napięciem min. 12V tak, że mosfet zawsze będzie wysterowany. Jest dla mnie wygodniejszy ponieważ nie ma prądu bramki. Nie jest tak, że jak WO ma maksymalne wzmocnienie to szybciej reaguje...
Jest coś takiego jak pojemności bramki z tym że nie jest ona stała w funkcji napięcia tj. nie ma liniowej zależności pomiędzy zgromadzonym ładunkiem a napięciem bramki.
To dając w emiterze (tranzystora NPN) opornik 2X mniejszy, niż w bramce MOSFET-a uzyskasz napięcie bramka-źródło około -8.9V - powinno wystarczyć dla zwykłego P-MOSFET-a, nie musi być LL. Z 3X mniejszym wyjdzie ponad -13V, dla niektórych MOSFET-ów to może być za dużo.
napięcie progowe bramki mosfet rozładowanie bramki mosfet pojemność bramki mosfet
uszkodzenie martwa płyta sterownik astra delco układ próbkująco pamiętający
haier pralka wyciek radio delta6
Elektryczny dozownik mydła wydaje dźwięk, ale nie podaje mydła Urządzenia wygłuszające hałas na koncertach