Czyli jeszcze opornik równolegle do MOSFET-a - dzięki temu MOSFET mniej się nagrzeje. Wtedy sensowna jest większa stała czasowa ładowania bramki - tak, żeby napięcie progowe włączania MOSFET-a osiągać wtedy, gdy napięcie na kondensatorze w zasilaniu jest już prawie ustalone. Do tego jest pożądany MOSFET o dużym napięciu progowym (a więc nie Logic Level).
Obojętnie, w twoim przypadku istotniejsze niż RDSon będzie napięcie progowe bramki - wybierz tranzystor mający je <2V i sprawdź który z nich jest w sklepie.
Kondensator zamiast do masy jedną nogą podłącz pod dzielnik napięcia (podpięty pod zasilanie) ustawiony na napięcie progowe bramki mosfeta. Możesz tam po prostu wstawić potencjometr montażowy i dobrać wartość eksperymentalnie.
VGS(th) to napięcie progowe, przy którym MOSFET zaczyna przewodzić np. około 0.5mA, co raczej rzadko bywa użyteczne; do przewodzenia dużych prądów potrzebne jest napięcie bramki, dla którego podano RDS(on), czyli w tym przypadku 10V. Dla MOSFET-ów Logic Level to drugie napięcie jest np. 4.5V (jakkolwiek dla nich często podaje się RDS(on) dla dwóch napięć...
Tutaj przydałby się MOSFET, którego oporność włączenia jest podawana dla napięcia bramki ze 3V - ale o takie raczej trudno. Rozróżniaj napięcie bramki: progowe (V_GSthr, czy jakoś tak), przy którym MOSFET zaczyna przewodzić (zwykle podają dla prądu 0.25mA); normalne do włączenia (przy nim podają oporność włączenia); i dopuszczalne.
Jeśli dobrze rozumiem to zasilasz lampkę z trzech akumulatorów AAA (najprawdopodobniej NiMH) czyli napięcie zasilania LM358 rzędu 3,6V i sterujesz z tego LM prosto bramkę mosfeta P, którego napięcie źródła to ok 9V. Czyli go nie wyłączysz i czerwona lampka się nigdy nie zaświeci. Bo wzmacniacz nawet jakby był R2R (a LM358 jest daleki od tego, szczególnie...
Dokładnie tak. Maksymalne napięcie, jakie MOSFET może dostać z samoindukcji w cewce, to napięcie zasilania + napięcie przewodzenia diody - dotyczy to mostku H z drenami połączonymi do cewki. A to nie jest tak, że na dren tranzystora N channel podajemy zerowe napięcie by tranzystor "wyłączyć". Nie - MOSFET-y włączamy i wyłączamy napięciem bramka-źródło,...
Niewygodą jest to, że trudno o MOSFET-a z kanałem P, który by się całkowicie włączał przy niskim napięciu bramki. Choć może w Warszawie da się znaleźć, np. u Piekarza? W każdym razie możliwości są takie: LM4041-ADJ + N-MOSFET; zamiast N-MOSFET-a NPN + P-MOSFET (dający pełne włączenie przy -5V na bramce); TL431 + PNP + N-MOSFET Logic Level (czyli na...
Witam. Tranzystory MOSFET można przyrównać do bipolarnych. Do poprawnej pracy wymagana jest odpowiednia polaryzacja napięć i ich wartość. Dla przykładu MOSFET z wzbogacanym kanałem n i obciążeniem w drenie, do przewodzenia wymaga wysterowania bramki potencjałem wyższym lub równym Up (napięcie progowe). Jeśli przeniesiesz obciążenie do obwodu źródła,...
http://elportal.pl/pdf/k01/55_08.pdf Poczytaj. Generalnie rezystancja D-S, napięcie progowe załączenia bramki i chyba najważniesze: pojemność bramki.
Trzeba jeszcze zwrócić uwagę na taką sprawę: typowy wzmacniacz operacyjny nie jest rail-to-rail, nie da na wyjściu +zasilania; w rezultacie tranzystor nie dostanie na bramkę 0V względem źródła połączonego z +zasilania; to może spowodować, że nie wyłączy się on całkowicie i będzie przepuszczać jakiś prąd; w związku z tym pożądane jest, by MOSFET wyłączał...
TL431 + 3 oporniki (dzielnik, "obciążenie") + P-MOSFET, ewentualnie jeszcze 1 opornik do uzyskania histerezy. Dzielnik ma być taki, żeby 12V przekładało się na "2.5V" wymagane przez TL431. Kiedy napięcie jest poniżej 12V, prąd TL431 jest za mały, żeby spadek napięcia na oporniku między bramką, a źródłem P-MOSFET-a osiągnął napięcie jego progowe; po...
przeszło 200V w przeciągu 50ns, co daje przy nawet kilku pF pojemności prądy rzędu amperów 5pF*200V/50ns=20mA. A jaka jest pojemność dren-bramka np. przy 100V? Pytania: Jakie jest napięcie na bramce, kiedy MOSFET jest włączony? O ile trzeba je zmienić, żeby się wyłączył? O ile trzeba zmienić napięcie na bramce wyłączonego MOSFET-a, żeby się włączył...
Na początek możesz spróbować wysterować MOSFET układem do tranzystorów bipolarnych, jeżeli nie będzie działało to napięcie jest poniżej napięcia progowego bramki. Sterowanie będzie wywoływało straty na tranzystorze jednak w tym prostym układzie można więcej się nauczyć z eksperymentów niż z odgórnych założeń.
Witam. Lepiej będzie - moim zdaniem - użyć tranzystora MOSFET, np w takim układzie: http://obrazki.elektroda.net/44_12442136... Typ tranzystora - niekrytyczny (z kanałem "n", napięcie progowe bramki - poniżej 4V, mała rezystancja Rdson). Pozdrawiam.
Schemat jest prosty i zasada działania jest banalna, innowacja jest w samej konstrukcji tranzystora MOSFET. Opiera się na naturalnych wartościach progowych. Prąd drenujący MOSFET, na poziomie napięcia progowego lub poniżej, jest wykładniczą funkcją napięcia bramki. W przypadku niewielkich zmian napięcia bramki, prąd wyjściowy będzie się zmieniał o rzędy...
Co to znaczy naładowac bramke? Jak to zrobic? Bramka jest oddzielona galwanicznie od kanału i tworzy z nim rodzaj kondensatora. Jeżeli pomiędzy bramkę a źródło doprowadzisz jakieś napięcie to kondensator ten się naładuje. Jeżeli napięcie pomiędzy bramką a źródłem jest wieksze od napięcia progowego dla danego typu tranzystora MOSFET to tranzystor zacznie...
Sprostuję tylko nieprawdy które napisał (at)gps79 Ad. 1. N-Mosfet przewodzi w jedną stronę D->S gdy jest otwarty (odpowiednim potencjałem bramki), a w drugą stronę (S->D) przy pomocy wbudowanej diody (jeśli jest). Kiedy nie ma napiecia Ugs MOSFET zachowuje się jak dioda - przewodzi tylko w kierunku odwrotnym do normalnej pracy, kiedy jest napiecie Ugs...
Nie musza być duże, a nawet sa zbędne , gdyż R d-on jest tym rezystorem szeregowym . Jest mnóstwo rozwiązań łaczenia mosfetów bez rezystorów Mylisz pojęcia - stosuje się połączenie równoległe MOSFET dla układów impulsowych, gdzie dodatni współczynnik temperaturowy Rds(on) powoduje wyrównanie rozpływu prądów pomiędzy kluczami. W przypadku układów analogowych...
Jeśli napięcie jest 12 V, to może być prosty układ: MOSFET z kanałem N (o małym oporze włączenia i napięciu progowym powyżej 2,5 V, ostatecznie może być 2,0 V, ale już nie mniej), włączony między minus zasilania i minus akumulatora, a do jego sterowania TL431, sterowany napięciem zasilania, który po osiągnięciu odpowiedniego napięcia obniży napięcie...
Witam Zamiast przekaźnika trzeba zastosować tranzystor (mosfet P). Sterowanie bramki jest praktycznie bez prądowe. Komparator napięcia musi mieć histerezę, aby nie było ciągłego włącz/wyłącz, przy napięciu progowym. Polega to na tym że jak komparator wyłączy zasilanie przy 12V, za chwilę napięcie wzrośnie do 12,1V z powodu braku obciążenia, komparator...
Rzeczywiście MOSFET może robić problem z napięciem progowym bramki, więc bipolarny ma tutaj przewagę i jeżeli Uce poradzi sobie z ogniwem 1.5V to może to być optymalny wybór. Czy dla testów wpływu prądu testującego na oszacowane Rw zastosować pracę on/off czy pracę z dwoma prądami z różnicą powiedzmy -20% wyższej wartości prądu? Dla 1A daje to 800mA...
Wyłączać można tranzystorem, który będzie sterowany tak, by przy napięciu około 6V przewodził, a np. przy 6.4V i wyższym był wyłączany. Układ może być prostszy, jeśli ten tranzystor będzie MOSFET-em o odpowiednich parametrach - np. P-MOSFET o napięciu progowym nie mniejszym, niż 1.3V, ale o małej oporności przy napięciu bramki około 5V - wtedy oprócz...
Chciałbym skonstruować układ, którego schemat przedstawiłem w załączniku. Opiszę krótko pożądaną zasadę działania. Gdy zasilanie +12V (V1) jest załączone, kondensator powinien się ładować. Po wyłączeniu zasilania, napięcie z kondensatora powinno zostać podane na bramkę tranzystora MOSFET i spowodować jego czasowe otwarcie, oczywiście do momentu spadku...
Witam Chciałbym się dowiedzieć jak kształtuje się krzywa prawdopodobieństwa dla napięcia Ugs(th) tranzystora tego samego typu w moim przypadku BSP171. Już tłumaczę o co dokładnie mi chodzi. Według noty katalogowej Ugs(th) progowe napięcie bramki może być w zakresie: min. 0.8V typowo 1.4 maksymalnie 2V. Zależy mi, żeby w każdym z moich zaprojektowanych...
Niezasilony procesor wymusza 0,7V na bramkach MOSFETów. A to za sprawą diod zabezpieczających na swoich pinach.
pio_kan uruchomiłem układ z IR2153 i z dodatkowymi wzmacniaczami 6A mcp1407. Wszystko działa pięknie tylko IR2153 ma za duży DT dla moich potrzeb ok. (1200ns) i przy ok 200kHz jest już tylko ok. 25% wypełnienia impulsu, a przy 300kHz pozostają tylko szpilki, które po chwli (parę kHz więcej) giną bo DT jest większe niż okres oscylacji. Potrzebuję ok...
Masz racje... "Nie, dioda Zenera nie będzie generowała szumu, ponieważ napięcie 2.81V jest poniżej napięcia znamionowego 3.3V, co oznacza, że dioda nie jest w trybie przebicia lawinowego. Przy tak małym prądzie (131pA) szum jest praktycznie nieistotny. Nie jest to również punkt przebicia – dioda znajduje się w stanie przed przebiciem, działając jak...
Czy zjawisko samoistnego załączenia (a przynajmniej ładowania bramki przez Cgd) następuje tylko wtedy gdy okres trwania skoku napięcia Uds jest znacznie mniejszy niż stała czasowa Rg*(Cgs+Cgd)? No, nie całkiem - istotny jest nie tylko czas, ale i wielkość skoku Uds (napięcia dren-źródło). Czy jest prosty wzór aby zorientować się jak szybkie zmiany...
Witam! Ad1. Tak. ...w książkach jest napisane ze jak temperatura rośnie to prąd maleje. To, dlaczego w niektórych wzmacniaczach mocy stosuje się kompensacje temperaturowa a w innych nie. Książki, w których tak pisze, podaruj wrogowi na imieniny. :P To jest powierzchowna i blędna z gruntu "wiedza". Doświadczalnie stwierdzono i wykazano teoretycznie z...
https://obrazki.elektroda.pl/2850955900_... Rezystor pull-down pomiędzy bramką (G) i źródłem (S) tranzystora MOSFET pełni kilka funkcji: 1.Zapobieganie fałszywemu włączeniu: Pojemność Millera, pasożytniczy kondensator między bramką (G) i drenem (D), może powodować zmianę napięcia dren-źródło (Vds) tranzystora MOSFET z prawie 0 (spadek...
Całkowity ładunek bramki około 10nC, napięcie progowe około 1V - z opornikiem bramka-źródło 1k wyłączanie potrwa 10 nC * 1 kΩ / 1 V=10 us. I im większy będzie ten opór, tym wyłączanie będzie wolniejsze; ale jeśli będzie on mały, to będzie potrzebny spory prąd płynący przez tranzystor transoptora - jaki on ma gwarantowany CTR (PC817 jest robiony...
Popieram - faktycznie takie zjawisko występuje. A co do miernika - użyj 3 tranzystorów n-mosfet z napięciem progowym nie większym niż 1,5V. Bramkę każdego podłącz przez potencjometr montażowy w konfiguracji dzielnika napięcia i wyreguluj :D
Przy sterowaniu tranzystorami MOSFET bezpośrednio z wyjścia mikrokontrolera, należy pamiętać o kilku rzeczach: 1. napięciu progowym tranzystora UGSth, 2. pojemności wejściowej tranzystora, 3. poziomie napięć, o ile jest to tranzystor z kanałem typu P. Zalecane schematy połączeń dla tranzystora z kanałem typu N i typu P wyglądają w ten sposób: https://obrazki.elektroda.pl/3420320700_...
Proponuję tranzystor MOSFET n-kanałowy. 0V z mikrokoltrolera wyłączy, 5V włączy. Trzeba tylko wybrać tranzystor z napięciem progowym poniżej 4V, aby mieć pewność, że się "dobrze" włączy. Obciążenie musi być włączone pomiędzy dren a +12V. Źródło na masie. Bramka przez duży (kilkaset kilo) do masy. Generalnie możesz pogrzebać w temacie "klucz nasycony".
STP45NF06 - dopuszczalne napięcie bramki +/-20 V, napięcie progowe (prąd 0,25 mA, bramka połączona z drenem) 2 do 4 V, opór włączonego 22 mΩ (0,022 Ω) dla prądu 19 A przy napięciu bramka-źródło 10 V (ale zwykle nie robi różnicy, czy jest 8 V, czy np. 12 V - opór jest podobny). Trzeba podać te 10 V (wystarczy 8 V) na bramkę i wtedy mierzyć opór dren-źródło....
Jaki konkretnie to p-mosfet? Bo skoro dioda zenera jest na 10V to i na R układ będzie usiłował zrobić 10V. No ale jak to zrobić? Mosfet ma swoje napięcie progowe Ugs i może być tak że ono jest jednak większe niż 5V które pozostało na to by go włączyć. (Na schemacie masz na źródle 4.9V i być może aby układ regulował to wymagane napięcie bramki schodzi...
Pewnie to "triangle" ma dawać napięcie w kształcie trójkąta, ale poprzez opornik 1k, a może częstotliwość powtarzania 1kHz? Nie wiadomo, co autor schematu miał na myśli. Wykres wygląda mi na zależność napięcia na wyjściu (drenie - ten tranzystor to jest N-MOSFET, jakiś o niskim napięciu progowym) od napięcia na wejściu (bramce tranzystora). Ale tak...
Jeżeli chcemy użyć tranzystora w roli "przekaźnika", najlepiej będzie podłączyć go w konfiguracji wspólnego emitera (jeżeli to tranzystor bipolarny) albo wspólnego źródła, jeżeli chcemy użyć tranzystora MOSFET. W zależności od tego, jak chcemy sterować odbiornikiem, należy dobrać odpowiedni tranzystor: - typu NPN (bipolarny) lub z kanałem typu N (MOSFET),...
Odłącz anodę diody od +9V, a w to miejsce wstaw tranzystor bazą do diody , a emiterem do +9V. Z kolektora zasilasz przekaźnik, albo bramkę mosfeta. W przypadku przekaźnika równolegle z cewką dajesz diodę np.1N4007 w kierunku zaporowym. Załączenie się diody led wymusza otwarcie tranzystora PNP i na jego kolektorze pojawia się +9V. Aby poprawnie sterować...
(at)Pokrentz Jakbyś poświęcił minutę czasu i zajrzał do kart katalogowych użytych tu mosfetów to wiedziałbyś, że mają one parametry mocno odbiegające od typowych mosfetów - ich napięcie progowe bramki wynosi zaledwie ok. 1V. Wiadomo już zatem dlaczego nie można użyć tanich zamienników.
Sam NE555 powinien zapewnić rozładowanie się pojemności bramki, ale dla pewności na schemacie jest jeszcze rezystor między bramką a źródłem. Są tu istotne parametry MOSFET-a i NE555 - trzeba zajrzeć do not katalogowych i odczytać: * V_GS(max) = najwyższe dopuszczalne napięcie bramka-źródło; :arrow: napięcie zasilania NE555 nie powinno być wyższe od...
LED-y powinny być połączone anodami do +12V, a katodami do drenów MOSFET-ów (mogą być potrzebne szeregowe rezystory ograniczające prąd). MOSFET-y (z kanałem typu N) muszą mieć napięcie progowe bramki ok 3V (np. BUZ10). Sterowanie bramek tranzystorów - w logice dodatniej (+5V - dioda świeci, 0V - dioda zgaszona). Tak mi się wydaje :D Pozdrawiam
Nic dziwnego, że obcina wcześniej na dole. Przecież typowe MOSFET-y mają napięcie progowe rzędu 4-5V. U góry co prawda też jest MOSFET ale tam zastosowany jest układ bootstrap, który podnosi napięcie sterowania bramką. Jednak w tym przypadku użycie go nie ma sensu, skoro i tak wcześniej wzmacniacz obcina dolne połówki sygnału. Rozwiązaniem może być...
Jesteś pewien, że ten tranzystor ma być podłączony w taki sposób? Moim zdaniem ten tranzystor mierzył spadek napięcia na diodzie szeregowej, w celu określenia prądu ładowania. Emiter do +5V, kolektor do diody, a baza przez rezystor 1k za diodę. Ale to nadal słabe rozwiązanie z uwagi na konieczne napięcie baza-emiter, rozrzut parametrów i wrażliwość...
Zobacz na napięcie progowe, w przypadku obu 2...4V, napięcie progowe to napięcie przy którym tranzystor zaczyna przewodzić, czyli płynie przez niego 1mA albo 250uA, do tego żeby przewodził jakiś konkretny prąd potrzeba >5V, a żeby nie wszedł obszar nasycenia* daje się 8-12V. Jeśli układ ma mieć dobrą sprawność to napięcie na bramce nie może być za niskie....
Jeśli chodzi o przetwornice impulsowe, oba rodzaje tematycznych tranzystorów mają swoje wady i zalety. Ale który jest najlepszy do danej aplikacji? W poniższym artykule nie odpowiemy bezpośrednio na to pytanie, jednakże porównamy tranzystory MOSFET z modułami IGBT, aby wskazać, na jakim polu poszczególne elementy są lepsze. Zasadniczo, przyjęło się,...
Wywal R10, R30 możesz zostawić w spokoju. Napięcie progowe załączenia to wg. datasheeta 2,35V, bezpośrednio z pinu procka możesz go bez problemu wysterować. Zwróć uwagę na pojemność bramki, która wynosi aż 1077 pF.
Według noty katalogowej, na wyjściu (pin 3) NE555 zasilanym napięciem 5V w stanie niskim będzie najwyżej 0.35V przy prądzie wpływającym 5mA, a w stanie wysokim przynajmniej 2.75V przy prądzie wypływającym 100mA (dla mniejszego prądu nie podają napięcia w tabelce, według wykresu przy 5mA typowe powinno być o 1.4V poniżej +zasilania). Może warto pomierzyć...
Witam, tworzę układ sterowania serwomechanizmami, który zasilany będzie z USB, a więc może zajść potrzeba wpięcia zewnętrznego zasilania w przypadku zapotrzebowania na większy prąd. Potrzebuję mieć wciąż wpięte USB do komunikacji. Analizowałem schemat Arduino Uno, w którym jest obwód przełączający z zasilania USB na gniazdo DC.. dochodzę jednak do dziwnego...
Kwestia tego typu, że bawię się ostatnio głównie zasilacze impulsowe, mostki. I gdy nagle pada mi układ w którym są dajmy np. 4 tranzystory IGBT, to mało że tracę sporo czasu by wszystkie wylutowywać (bo radiator trzeba odkręcić wpierw itd.), to zaraz zaczyna się szukanie jakiegoś silniczka/żarówki itp. (żeby zasygnalizował pracę lub jej brak), plątać...
Trochę nad tym siedziałem, bo chce to zrozumieć i chyba wiem!!! Układ załącza 5 wolt na bazę tranzystora bc639 przez rezystor 5,6kOHM zatem Ib=0.9mA co pozwala na otwarcie tranzystora Ice=100mA. Rezystory to dzielnik napięciowy. Na kolektorze bc639 będzie 2V zaś na bramce MOSFETA 10V co spowoduje otwarcie go. Natomiast gdy bc639 jest zamknięty to bramka...
Po pierwsze, użyj przycisku "Szukaj" - znajduje całkiem sporo porad. Transformator: pomiar oporności uzwojeń nie wykryje zwarcia, ale jak podłączysz baterię, to przy jej odłączaniu będzie iskra (albo ciebie "popieści", jak dotkniesz gdzie nie trzeba). JFET - przewodzi, jeśli bramka nie jest spolaryzowana zaporowo (a ona łatwo polaryzuje się zaporowo...
Nie moze, ponieważ zauważ, że jak otworzysz t6 i bramka mosfeta zostanie przeładowana do tych 4,5V to tranzystor się włączy, ale ... nie masz jak go wyłączyć. Wyłączysz t6, a napiecie na bramce nie spadnie. Nie ma co go ściągnąć do masy. Ogólnie przekombinowałes. Podłącz bramke MOSFETA do portu atmega tylko za pośrednictwem rezystora. Chyba że z jakąs...
Ten tranzystor ma napięcie odcięcia poniżej 2 V, czyli na pewno będzie mógł być włączany Widzę, że Kolega nie rozumie, co oznaczają parametry MOSFET-a, choć to jest napisane w nocie katalogowej: napięcie progowe (threshold) wystarcza, by tranzystor przewodził bardzo mały prąd (dla IRLU024NPBF jest to napięcie od 1V do 2V dla prądu 0,25mA); ale taki...
To jakiś cud mniemany, że zwiększenie pojemności w bramce powoduje wyłączanie MOSFETA :) Może ten kondensator ma sporą upływność ;) ? MOSFETA sterujesz napięciowo: 0V - wyłączony Up<<Ugs<20V - włączony Up - napięcie progowe tranzystora MOSFET (tu ok. 3V). << oznacza sporo większe tj. 10-15V dzięki czemu masz możliwie mały spadek napięcia...
Tak też wcześniej myślałem ale nie wpadłem na pomysł z negatywnym napięciem. A teraz pojawił się kolejny problem, bo nie wiem jak kontrolować to negatywne napięcie by nim sterować mosfet. Poproszę o jakiś poglądowy schemat. A proszę bardzo :) W tym układzie, bramka tranzystora MOSFET jest sterowania relatywnie szybko, tj. rozładowywana wtórnikiem na...
Może od końca. Q3 jest tranzystorem P-MOS. I ok. - do sterowania "plusem" zasilania jest bardziej odpowiedni, bo N-MOS wymagałby układu "pompującego" potencjał bramki. W P-MOS-ach, kanał źródło - dren jest otwarty, kiedy potencjał bramki jest o kilka wolt niższy od potencjału źródła. W układzie z rysunku będzie tak, kiedy wycieraczki zostaną włączone,...
A po czym można poznać jaki rodzaj kanału (zubożony czy wzbogacony) ma tranzystor MOSFET? Jest to gdzieś napisane w tym pdfie bo nie mogę znaleźć? W moim przypadku lepszy jest MOSFET z kanałem wzbogaconym (normalnie zamknięty) dzięki czemu kanał tworzy się dopiero, gdy napięcie bramka-źródło przekroczy napięcie progowe. Czyli zamknięcie obwodu zgrzewania...
Moduł IGBT czy tranzystor MOSFET to napięciowo kontrolowane urządzenie półprzewodnikowe służące do sterowania przepływem prądu elektrycznego w systemach sterowania oświetleniem, silnikami, zasilaczach impulsowych i wielu innych. Bramka takiego elementu jest galwaniczne odizolowana od pozostałych dwóch wyprowadzeń układu (źródła i drenu w przypadku FETa...
Potrzebuję sterować nim poprzez mikrokontroler (MCU2), który na konkretnym wyjściu normalnie ma LOW - zmieniając stan (na chwilę) na HI aktywuje bramkę MOSFET typu N. Dren tego MOSFETa jest połączony zamiast oryginalnego przycisku, a źródło jest podłączone do masy. Do tego miejsca Twój projekt wygląda w porządku. O ile dobrze Cię rozumiem. Po prostu...
Mam układ z fototranzystorem diodom i tranzystorem.Gdy fototranzystor jest oświetlony przez diode zamyka obwód który powoduje otworzenie bramki w tranzystorze MOSFET BUZ11A, a chodzi mi oto żeby ten tranzystor BUZ11A przewodził jak fototranzystor jest nieoświetlony
Weź dowolny o wystarczającym prądzie drenu. Najwygodniej z kanałem N, z kanałem P będzie wymagał dodatkowego tranzystora do sterowania bramką. Jeżeli procek zasilany z 5V to nie ma problemu, jeśli z 3,3 lub mniej to musisz zwrócić uwagę na parametr - VGSth - napięcie progowe pomiędzy bramką a źródłem - musi być jak najmniejsze, 2-2,5V max. Inaczej mówiąc...
Załóżmy, że mam do dyspozycji pomiary natężenia prądu drenu w zależności od napięcia bramka-źródło oraz dren-źródło, a także pomiary czasów przełączania w zależności od częstotliwości sygnału. W jaki sposób mogę z tych danych wywnioskować napięcie progowe Napięcie progowe to tzw. Utreshold. Widać na charakterystyce kiedy tranzystor się włącza/ wyłącza...
Ktoś się pomylił o rząd wielkości z rezystorami. Stąd grzanie nawet bez obciążenia. Zmniejsz do 22 Ω. A co do pracy przez kilka lat - to dość typowe rozwiązanie - ma pracować kilka lat i się zepsuć. Zakładając, że kontroler jest zasilany z 12V a napięcie progowe MOSFETa wynosi 5V oraz zerową rezystancję wyjściową drivera - co nie jest prawdą - otrzymujemy...
Wszystkie układy z bootstrapem, w tym w/w HIP4081, mają jedną zasadniczą wadę - nie pozwalają na pełne 100% otwarcie górnego mosfeta. Jako tańszą alternatywę dla HIP4081 proponuję IR2184, ale mają tą samą wadę wynikającą z zasady działania bootstrapu. Można sobie z tym poradzić stosując przetworniczkę małej mocy z izolowanymi wyjściami do zasilania...
Witam Zamierzam sterować tranzystorem mosfet TK40E06N1 za pomocą PWM z mikrokontrolera zasilanego napięciem 3,3 V. Ponieważ napięcie progowe dla tego tranzystora wynosi około 5,5 V, narysowałem schemat układu którego zadaniem miałoby być sterowanie napięciem bramki. Napięcie zasilania układu to 12-24V. http://obrazki.elektroda.pl/8928447900_1...
jak obliczyć pojemność kondensatora sterującego bramką dla różnych czasów opóźnienia Praktycznie jest trudno wyliczyć taki układ w miarę dokładnie (ale też nie ma to praktycznie sensu), bo jak widzisz w danych, rozrzut napięcia progowego jest prawie dwukrotny. Skoro ta wartość, praktycznie dla każdego egzemplarza jest inna, to można określić wartość...
Chyba za szybko chcesz wszystko zrozumieć na raz tak się nie da. A jeśli chodzi o tranzystory polowe (unipolarne) to są dwie główne rodziny tych tranzystorów. Tak zwane złączowe (FET) i druga rodzina Tranzystory polowe z izolowaną bramką MOSFET. I też mamy fety typu N i P i MOSFET typu N i P. Tranzystory te też mają trzy elektrody: Bramkę( odpowiednik...
MOSFET-y steruje się napięciem, zamiast prądem (tak ściślej mówiąc, to i zwykłe tranzystory steruje się napięciem emiter-baza, tylko że w nich przez bazę płynie prąd, który od napięcia emiter-baza zależy tak samo, jak prąd kolektora, i te zwykłe steruje się dużo mniejszym napięciem). Zwykle MOSFET zachowuje się tak: jak napięcie "emiter-baza" (u niego...
2. Brak dead time powoduje krótkotrwałe zwarcia, które wykańczają złącza zanim zdążą złapać temperaturę. 3. Opóźnienie otwarcia górnego klucza poprzez obecność BC546. Jeśli wyłączasz górnego MOSFET-a, a włączasz dolnego, bez "dead time", to: * dla wyłączenia górnego musi rozładować się jego bramka poprzez opornik 1k; * dla włączenia dolnego musi naładować...
Teraz weź pod uwagę tolerancję przyrządów i oprzyrządowań użytych do tych analiz - np. oscyloskop: jakie parametry dokładności mają same wzmacniacze kanałów...? w analizie cyfrowej: np. jaką tolerancje mają przetworniki A/C...? itp. itd - suma wszystkich tolerancji błędów się sumuje więc jaką wyjściową tolerancję otrzymamy mierząc "jakiś" sygnał...?...
Tranzystor Mosfet typu N. Szukaj modelu z niskim Ugs(th) (niskie napięcie progowe), oraz patrz po charakterystykach czy i przy jakim napięciu Uds tranzystor pozwoli na przepływ potrzebnego prądu, przy 3V na bramce.
No więc MOSFET może być tylko trzeba odpowiednio dobrać jego parametry (prąd nasycenia drenu co najmnej 0,3 A i małe napięcie progowe bramki tak aby uzyskać szerszy zakres napięć). Sygnał z przetwornika dajesz na bramkę, źródło do masy i masę wiatraka do drenu a plus wiatraka narmalnie do plusa zasilania (tranzystor z kanałem N). Dodano po 2 Chociaż...
Prąd potrzebny do sterowania bramki zależy od napięcia (również drenu, zwłaszcza gdy jest duże) i szybkości przełączania, natomiast nie powinien zależeć od prądu, jaki jest przełączany. Dla IRBL3034 podają ładunek bramki 108nC - jako typowy dla napięcia 20V (maksymalny 162nC) - dla maksymalnego Arduino będzie potrzebować ponad 4us na włączenie, bądź...
1) Od jakiego napięcia IRF540N jest dobrze otwarty? Czy Arduino dostarczy tego napięcia? 1) Wg dokumentacji 2-4V, a z Arduino mam 3,3V. Dla IRF540 [url=http://semiconductors.com.pl/web/pl... katalogowa ST (STMicroelectronics) podaje napięcie progowe od 2 do 4 V - to jest napięcie, przy którym zaczyna się przewodzenie, ale bardzo małego...
Witam Nie ruszając mikro kontrolerów, najprościej można to zrealizować na: - termistor jako czujnik temperatury - bramka schmitta np. HCF4093B - przerzutnik CD4013 - zasilanie 3x1,5V Zalety: prawie zerowy pobór prądy przez układy. Wady: dokładność progów tj. 30 i 25°C zależne od zasilania i temperatury HCF4093B Zasada działania: jedna bramka kontroluje...
https://obrazki.elektroda.pl/8811671800_... Wzrost zastosowania sterowników silników, inteligentnych sieci przesyłowych i technologii inteligentnego domu, a także zwiększone zapotrzebowanie na urządzenia wysokiego napięcia, przyczyniły się do wzrostu światowego rynku sterowników bramek tranzystorów MOSFET i modułów IGBT mocy. Kompletny...
http://obrazki.elektroda.pl/1724590200_1... Jest to tłumaczenie opisu jaki zamieszcza sprzedawca, a potem moje obserwacje i przykłady pomiarów. Tester zbudowany na podstawie popularnego w sieci testera Markusa. To jego kolejna już modyfikacja i rozszerzenie. Pierwszą wersję tego testera opisywaliśmy razem z bobo http://obrazki.elektroda.pl/6049908800_1...
Oj, nie polecałbym takiego układu: 1. potrzebny jest do niego wyłączalny tyrystor; 2. trzeba z napięciem diody Zenera trafić z dokładnością ułamka wolta, a że tolerancja jest wielokrotnie większa, to wypada kupić garść diód i liczyć na to, że któraś będzie pasować; 3. napięcie diody Zenera trzeba dobrać do napięcia włączania tyrystora. Ale oczywiście...
Rozumiem, że pojemności są sensowne, albo zamierzasz zastosować układ do nowych akumulatorów po wymianie tych, które masz? Dla N-MOSFET-a/ów (można połączyć kilka równolegle) układ może wyglądać tak: dren MOSFET-a do -akumulatora, źródło do -UPS-a, +akumulatora do +UPS-a (i te połączenia grubymi przewodami); bramkę trzeba zabezpieczyć diodą Zenera (między...
prądzie kolektora 30mA napięcie nasycenia jest 3V Faktycznie, nie zwróciłem uwagi. W praktyce, na trzy sprawdzone 817-tki (różnych producentów),najlepiej wypadł jakiś no name SMD. Napięcia Uce, dla prądów w okolicy 35mA (od 32,5 do 40,5) wahały się od 1,5 do 3,1V (zasilanie ze źródła napięcia przez rezystor, więc wynik 1,5V dla 40,5mA, a 3,1 dla 32,5)....
t=(Qg*Ug)/Ig Zły. Inny wzór jaki spotkałem to: t=(Ciss*Ug)/Ig Ciss - Pojemność wejściowa bramki w Faradach Liczenie w ten sposób to bardzo popularny błąd, daje mocno zaniżone wyniki. Raz tu na forum widziałem wzór t=Qg/Ig Najbliższy prawdy, da wartość za dużą, można stosować do bardzo zgrubnego oszacowania, rzeczywista wartość może wyjść kilkukrotnie...
Bardzo ogólnie mówiąc, do zbudowania bezpiecznika elektronicznego potrzeba: -rezystora - bocznika - do pomiaru prądu -komparatora -przerzutnika - do pamiętania stanu -tranzystora MOSFET jako klucza -zasilania - 5V lub 12V dla układów scalonych, lub tylko ograniczenia napięcia na bramce w układzie tranzystorowym. Da się zrealizować powyższe 5 funkcji...
pobawilem sie troche i wykonalem taki prosty uklad. akurat kozystalem z zasilacza ktory dawal tylko 3A wiec na wiekszym pradzie nie sprawdzalem. Jedyna wada tego ukladu jest to ze przy bardzo malym napieciu wejsciowym zedu 5-6V mosfet nie jest w stanie w pelni sie nasycic bo na bramce chcialby miec z 6-8V a zasilanie i uklad strujacy na to nie pozwala....
Może UDN2981+rejestry przesuwne? Jeśli nie przeszkadza Ci spadek napięcia bliski 2V na stopniu wyjściowym tego układu, to możesz go użyć. Natomiast wiersze, ze względu na znaczny sumaryczny prąd przy wielu matrycach, najlepiej sterować mosfetami z kanałem N o niskim napięciem progowym bramki (np. seria IRL) aby poprawnie je wysterować poziomami 0/5V....
TL431 i podobnie LM317 z powodu za niskiego napięcia wymagają dodatkowych elementów, jak kolega zauważył. Będę próbował ograniczyć liczbę zastosowanych elementów, jak w przykładzie tutaj: https://grangeramp.com/product/mosfet-b-... który producenci nazywają "Reinvented for 2021. Formerly known as “MOSFET B+ Drop Kit.” We have redesigned...
A jakich MOSFET-ów użyłeś? Na schemacie są IRF512, to nie są LL, potrzebne jest zasilanie 12V. A IRLZ44 mogą mieć napięcie progowe od 1V, to już bliskie (ale na szczęście powyżej) napięcia EB tych tranzystorów, które są połączone emiterem do bramek.
Witam serdecznie Od jakiegoś czasu chciałem zrobić regulator prądu na 3.3A w topologi step down Znalazłem regulator prądu w tak zwanej odwróconej konfiguracji. Jak się okazało są gotowe kości które realizują takie rozwiązanie np kość ZLED7001 https://www.idt.com/document/dst/zled700... wysokonapięciowy sterownik byłby idealny ale zaprojektowałem...
Można dać diodę Zenera, jakkolwiek jest mało prawdopodobne, by uszkodził się on w tym układzie - raczej przy lutowaniu (z MOSFET-ami trzeba pamiętać o tym, że mają izolowaną bramkę, na którą nie wolno podać napięcia wyższego, niż podaje nota katalogowa - można je uszkodzić ładunkiem elektrostatycznym), lub już był uszkodzony - a może po prostu ten egzemplarz...
przy 4a i takim trazystorze powinien on byc prawie zimny na pewno nie potrzebaradiatora. Dla IRF520 (Ron = 0,11) przy Vgs=10V i prądzie drenu 4A mamy P=0,11*4*4=1,76 W. Czyli potrzeba radiatora bo bez się spali. Dla IRF540 (Ron = 0,04) przy Vgs=10V mamy P=0,64W czyli bez radiatora będzie cieplejszy o 48 stopni od otoczenia. O ile IRF520 to praktyznie...
"np. tani IRF540, działa od ok 3 V Ugs, sterowany wprost z portu Arduino przez rezystor ok 100 Ω" - a co ma do rzeczy napięcie progowe (bo to ono jest typowo 3V)? Istotne jest, że parametry włączenia dla IRF540 podaje się dla napięcia bramki 10V; wykres 5 w nocie Philipsa pokazuje, że dla typowego egzemplarza i niewielkiego prądu wystarcza 5V na...
Przede wszystkim jest takie zastrzeżenie, że jeśli obciążenie układu z MOSFET-em jest od strony źródła, to prąd płynący przez TL431 dodaje się do prądu obciążenia, a nie przepływa on przez R(CL), więc dostajesz za duzy prąd. Następnie: w układzie 1 napięcie na oporniku 150 om jest tracone bezużytecznie - odpowiada mu jakiś spadek napięcia na mosfecie;...
W takim razie jak obliczyć wartości na amperomierzach ? Z Prawa Ohma. Teoretycznie tak. W praktyce napięcie 5V na bramce może być niewystarczające dla całkowitego otwarcia niektórych typow mosfeta ,więc prąd będzie mniejszy W takich zadaniach przyjmuje się rezystancję kanału otwartego jako dużo mniejszą niż rezystancja szeregowa. Jesteś poniżej napięcia...
Z mosfetów o niskim Vgs używałem IFR7307, (0.7V) ale on jest w SO8 jako para komplementarna. Z użyciem 2 komparatorów, i pary mosfet dało by się zrobić driver z prostowaniem synchronicznym. Warunek jest tylko taki, że tranzystor do prostownika synch. nie może posiadać wew. diody zwrotnej. Komparatory np MCP6541 (ok 1uA Quiescent cur.) zasilamy z baterii....
Poszukaj mosfetów o kanale N, ale o niskim napięciu progowym bramki VGS(th), takich jak IRF3711. Zwróć też szczególną uwagę na układy jakie stosujesz w roli driverów. Niektóre z nich posiadają wewnątrz układ, który blokuje sterowanie bramek tranzystorów poniżej pewnej wartości napięcia. Z tego co pamiętam dla IR2104 jest to coś poniżej 8V (piszę z pamięci,...
Poniżej typowa konfiguracja mostka H do sterowania np. prędkością i kierunkiem wirowania silnika DC: https://obrazki.elektroda.pl/7273343300_... Tranzystory IRF4905 mogą się w takim układzie nadmiernie nagrzewać, poniżej powody nadmiernych strat mocy: 1. Niedostateczna amplituda przebiegów sterujących na A0 i A1. Jeżeli napięcie...
Witam, Spróbuj przed rozłączeniem skonfigurować piny Rx i Tx jako wyjścia i wymuś na nich stan niski. BT rozłącza z hebla Arduino, więc nie mam zbytnio jak dodać opcji zmiany programu po rozłączeniu Koledze (zapewne) chodziło o skonfigurowanie pinów w module Bluetooth . Podejrzewam, że może to być jednak niewykonalne. Poradzi ktoś co zrobić by z RX...
1. Noty katalogowe IRFI640 nie zapewniają pełnego otwarcia przy napięciu bramki 4.5V, a dopiero przy 10V. Widać, że napięcie progowe (dla prądu drenu 250uA) może być od 2 do 4V; prawdopodobnie napięcie dla prądu 300mA może mieć nawet większy rozrzut, a do dyspozycji jest napięcie zasilania minus około 0.6V - można trafić na egzemplarz, któremu będzie...
Zbudowałem ten wzmacniacz według swojego pomysłu, niewiele go zmieniając. Problem z ustalaniem punktu spoczynkowego jednak pozostał. W układzie przeciwsobnym rozgrzewanie się tranzystorów wyjściowych powoduje spadek napięcia progowego baza-emiter i żeby to skompensować stosuje się diody lub tranzystor, które to rozgrzewając się również zmniejszają napięcie...
napięcie progowe bramki mosfet napięcie bramki napięcie progowe dioda
zamiennik tranzystora indukcji ładowarka huawei motogodzina zetor
rower elektryczny usuniecie konta
Kamera Panasonic NV-DS29 wyłącza się po kilku sekundach Suszarka Miele zatrzymała się na programie końcowym