Po usunięciu diody można lekko bardziej obciążyć wyjście Owszem, bo trochę zwiększyłeś napięcie bramki i mos trochę bardziej się otworzył. Twój tranzystor ma ok. 5Ω rezystancji kanału dla napięcia bramki 10V, a tu ma tylko ok. 5V. Poza tym jego napięcie odcięcia to ok. 4V. To z diodą jesteś na granicy otwarcia. można lekko bardziej obciążyć wyjście,...
Ten rezystor jest po to by po puszczeniu przycisku rozładować bramkę aby tranzystor przestał przewodzić. Bez niego może zacząć sam przewodzić ( z powodu ładunku zgromadzonego na bramce) , lub przewodzic częściowo i się spalić. Nawet jeśli naładujesz bramkę to dzięki temu rezystorowi po zdjęciu z niej napięcia bramka się rozładuje i tranzystor przestanie...
Konstrukcja i odpalanie mistrzowskie :D Możesz zrobić zdjęcie płytki? I może ją sensownie polutuj jak ciągle "puszcza lut" ;)
Poszukuje tranzystora MOSFET z niskim napięciem przełączania (Up<1,5V) Pomóżcie jeśli cos wiecie Pozdrawiam Tomek
Zmienić mosfet na inny, o niższym napięciu bramki lub dobudować pomiędzy bramką a źródłem sygnału stopień na tranzystorze bipolarnym.
Witam, Mosfet to: IRF3205 obawiam się, że nic z tego nie będzie, Twój tranzystor jest specyfikowany dla napięcia Vgs = 10 V, a z akumulatora będzie około 3 V. Musisz poszukać tranzystora typu "logic level mosfet" o możliwie małym napięciu progowym i możliwie małym napięciu, dla którego jest podawana statyczna rezystancja kanału. Pozdrawiam
To nie jest tak, że ta dioda zewnętrzna przejmuje część strat, przez co MOSFET grzeje się mniej? Kiedy mowa o przepięciach, to musiałbyś dać diodę TVS na niższe napięcie niż napięcie przebicia MOSFET-a, ale wyższe niż 2*Vin. Prąd płynący od masy do drenu nie jest istotnym problemem.
Woltomierz podłączasz równolegle do obciążenia, czyli + woltomierza do + zasilania, a - woltomierza do drenu tranzystora. Napięcie to jest różnica potencjałów. Plusy i minusy są umowne.
Do generowania opóźnień (w tym przedłużenia czasu włączenia) bez stosowania dużych pojemności jest układ scalony CD4541 - ale on sam ma mały prąd wyjściowy, zwłaszcza przy niskim napięciu zasilania, trzeba do niego dodać np. tranzystor. Baterie 2xAAA 1.5V to trochę mało - LED-y białe potrzebują około 3V do świecenia, CD4541 działa w zakresie napięć...
Napięcie 3,3 V jest zbyt niskie, żeby otworzyć "standardowy" tranzystor mosfet, są jednak dedykowane np. IRL8721 do sterowania niskim napięciem. Możesz też zastosować transoptor i sterować nim tranzystorem zasilonym z 12V.
Jest jeszcze kwestia, przy jakim najmniejszym napięciu to ma działać - zastosowanie MOSFET-a, który wymaga napięcia na bramce -2.5V (względem źródła) oznacza, że układ będzie działał poprawnie przy napięciu zasilania od około 3.3V - przy niższych nie, bo nie wystarczy napięcia na wysterowanie MOSFET-a i będzie on miał znacznie większy opór (czyli będzie...
Witam, ponieważ prąd jest duży a napięcie raczej małe (akumulatory samochodowe) proponuję zainteresować się koncepcją pod tytułem "mosfet bridge rectifier". Współczesne mosfet'y na niskie napięcia mają dość nienormalnie małe rezystancje kanału (poniżej 1 mΩ), moc strat takiego prostownika może być dziesięciokrotnie mniejsza, albo i lepiej. Jeżeli...
Muszę zliczać te impulsy za pomocą urządzenia o wysokiej impedancji wejściowej i odseparowanego od obwodów w moim sterowniku. Klasyczne rozwiązanie to transoptor sterowany tranzystorem MOSFET (dla wysokiej impedancji) i izolowana przetwornica DC-DC zasilająca obwód wejściowy. Tranzystor mosfet z niskim napięciem przełączania (na te napięcia co piszesz...
Jemu raczej chodziło właśnie o niskie napięcie progowe (niskie Rds(on) już przy 3v3 to niskie napięcie progowe). Moje ulubione: IRLML0030 IRLML2030 IRLML2502 <-- na moje oko ten będzie najlepszy.
Nie chodzi o rezystancję przewodzenia, tylko napięcie sterujące bramką. Mosfet P potrzebuje niższe napięcie od napięcia wejściowego w zasilaczu, więc nie ma problemu a mosfet N potrzebuje wyższe od napięcia wyjściowego zasilacza. Tanie mosfety potrzebują do 5V a nawet 7V przy dużych prądach, więc bez jakiś sztuczek z podwyższeniem napięcia sterującego...
W nocie katalogowej pisze że Gate to Threshold Voltage jest max 4V. Zwracaj większą uwagę na parametr, który czytasz bo wybrałeś prawidłowy i prawie dobrze go zinterpretowałeś. Jest on oznaczony tak: V GS(th) Teraz dwa pytania: 1. co oznaczają duże literki G oraz S? 2. jak więc rozumieć cały parametr V GS(th)
Nie stosuje się Darlingtona przy niskich napięciach i dużych prądach, bo napięcie nasycenia jest spore. W jego miejsce MOSFET P i będzie dobrze.
To lepiej wrzuć tam P-MOSFET odcinający zasilanie Przy zasilaniu bateryjnym zwykle można odcinać masę, zatem może wystarczy N-MOSFET - tańszy i łatwiej znaleźć typ o niskim napięciu bramki.
Przy 2-3A wystarczy tranzystor w obudowie SO8, w tych szukaj niskiego napięcia bramki.
Witam, zasiliłeś układ ze zbyt niskiego napięcia. Pozdrawiam
Najbardziej chciałbym, żeby brało mi to mało prądu. Zastosuj układy logiczne CMOS 4XXX. Przy pracy statycznej pobierają znikomy prąd. Podobnie układy 74HC, 74HCT. Jednak te biorą troszkę więcej. Zamiast tranzystora PNP jako przełącznika zasilania SD lepiej dać Mosfet typu P. Na PNP masz duży spadek napięcia, a na Mosfecie praktycznie zero. Przy tak...
Aby nasycić ten tranzystor przy prądzie kolektora ok.10A trzeba by mu dać w bazę prąd rzędu 1A albo i nawet kilka A, a nawet i wtedy będzie miał spore napiecie Ucesat. Ten tranzystor na pewno się tu nie nadaje, a biorąc pod uwagę niskie napiecie zasilania (i konieczność zapewnienia bardzo niskiego Ucesat) - nie widzę mozliwości zastosowania żadnego...
Próg zadziałania przerzutnika ustawia się potencjometrem P1 (mniejsza rezystancja -> niższe napięcie). Napięcie, przy którym następuje zatkanie MOSFET'a zależy również od rozrzutu (dokładności) diody Zenera. Pozdrawiam.
Witam, potrzebuje wykonać regulator silnika 12V, sterowanie mam z odbiornika od helikoptera na wyjściu jest 2.3V do 4V, wykonałem prosty układ na IRF530, przy testach na żarówce ładnie działa, ale gdy podpinam silnik to tylko buczy/piszczy, zmieniłem opornik na mniejszy aż doszedłem do 10ohm to silnik się tylko lekko kręci a mosfet grzeje, o co z tym...
Mam taki problem z w/w wzmacniaczem, elementy są wlutowane odpowiednio (tranzystory), a napięcie na kolektorach bd 139 i bd 140 wynosi coś koło 0,6v nie wiem czy ono jest dobre.
T1 jako zabezpieczenie przed odwrotną polaryzacją, musi być włączony odwrotnie, żeby pasożytnicza dioda nie uniemożliwiła działania zabezpieczenia. T2 jest na wyjściu układu monitorującego napięcie - odcina, kiedy jest za niskie.
Zobacz: www.sp5jnw.sem.pl/technika/detektory2htm... Niższe napięcie końcowe rozładowania zapewniłby MOSFET lub NPN włączony inwersyjnie. PS. Masz ode mnie 200 punktów za determinację. :)
Jeśli napięcie na bramce (G) będzie niższe o minimum 2.5V (i więcej) od napięcia źródła (S), tranzystor wejdzie w stan pełnego przewodzenia. Dlatego, że napięcie ma być niższe względem źródła (P channel), piszemy -2,5V, a nie 2,5.
Ten AMC7135 typowo ma spadek napięcia 0,12V - pewnie będzie wystarczająco mały, żeby nie trzeba było walczyć o mniejszy. Połączenie LM334 + P-MOSFET o małym napięciu włączenia może dać mniejszy (gwarantowany około 0.065V), ale ze wzrostem temperatury prąd będzie rósł - i układ bardziej skomplikowany. Koszt pewnie podobny (5PCS LM334Z LM334 TO-92 za...
TDA7384 i TDA7386 to nie są idealne odpowiedniki PAL006A. Aplikacja wprawdzie taka sama ale brak jest sterowania elektryczną anteną (pin 25) oraz mniejsza moc wyjściowa. Za PAL006A możesz wstawić PAL007A lub PAL005A(trochę mniejsza moc). Oba zamienniki są wykonane w technologi MOSFET. Możesz też zastosować TDA7560 , ma sterowanie elektryczną anteną...
Zasadniczą sprawą jest napięcie sterujące bramkę - czy będzie te 4V, czy mniej? Niestety MOSFET-y, dla których producent deklaruje niski opór włączenia przy niskim napięciu bramki, stanowią rzadkość i niewiele sklepów takie ma. Jeśli syrena ma pobierać 120mA, to nie musi być MOSFET na kilkanaście A; ale mały opór włączenia przy niskim napięciu bramki...
Sytuacja się trochę rozwiązała. Gdy obciążyłem główne napięcie 36V rezystorem 360R na stałe to napięcie spadło do 33V ale za to na uzwojeniu tym pomocniczym ustaliło się 25V i jest odporne na obciążenia. Pozostała jeszcze sprawa dlaczego pomimo większej liczby zwojów jest niższe napięcie. Przy małym obciążeniu będzie małe wypełnienie, czyli nawet jak...
Projektuję układ mikroprocesorowy zasilany z 3V. Chcę go wyłączać programowo a załączać jednym z przycisków funkcyjnych. By to zrealizować potrzebuję MOSFETA typu P o niskim napięciu załaczania (<-3V). Co z dostepnych w kraju mogę zastosować? RGB
Oczywiście FEM do ustawień fabrycznych zresetowałeś? Wnioskuję, że moduł (FEM) jest okej, bo inaczej waliłby błędami, a pokazuje tylko zwykły błąd żarówki. Nie będzie sypać błędami, sterowanie jest przez mosfet, wiec zaczynał bym pierw od wyjścia tego niedziałającego halogenu w FEM.
Witam potrzebuje kupić mocne tranzystory mosfet na niskie napięcie 60V koło 60A i 0.03ohm. Gdzie kupie w cenie 1 1.5zł za szt?
Schematu wnętrza sterownika nie znajdziesz nigdzie, zapomnij Za sterowanie wtryskiwaczami odpowiada ten rząd 8 tranzystorów mosfet na krawędzi płyty, przyglądnij się jak wygląda płyta sterownika w ich pobliżu
Przy tak niskim napięciu MOSFET będzie lepszym kluczem niż tyrystor, ESR kondensatora to 52mOm więc nawet na zwarciu nie popłynie więcej niż 48A. Szybkość narastania prądu w cewce di/dt=U/L więc niskie napięcie ją obniża.
Małe to zdjęcie i niewiele widać ale na 99% jest to tranzystor MOSFET. Niestety jakie ma parametry trudno stwierdzić. Musi mieć na pewno spory prąd i niskie napięcie włączenia.
Sparowane 2SJ50 oraz 2SK175. Nie ma sensu modyfikować gdyby to były teraźniejsze IRFP... To ważna różnica bo lateral MOSFET ma zupełnie inną charakterystykę. Gdzie takie dostałeś w dzisiejszych czasach? Masz pewność że nie podróby? Te tranzystory potrzebują niskiego napięcia polaryzacji, niższe można uzyskać bocznikując Q1 własnym mnożnikiem Ube to...
(na diodach Schottky'ego, mają mały spadek napięcia) i ograniczenie napięcia do 5 V (stabilizator o niskim spadku napięcia) Jeszcze niższy spadek daje prostownik synchroniczny na MOSFET-ach.
Będzie OK, ale: - Q2 - P-channel, "logic Level", o niskim Rdson, - napięcie zasilania uC=napięciu przełączanemu (5V jak na schemacie).
Witam - to jest tranzystor mosfet . Dodano po 18 Mosfet AO4468 . https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-...
Czy w tak prostym układzie jest jakaś zaleta stosowania PMosa zamiast PNP? MOS zamiast BJT jako klucz - zalety są zawsze dwie: - niski spadek napięcia na tranzystorze (i małe straty mocy) - zależne tylko od odpowiedniego MOSFET-a o niskim Rdson, - łatwość sterowania - MOSFET nie wymaga prądu (BJT jako klucz wymaga prądu bazy rzędu 1/20 Ic) Np. używając...
Jeśli zasilanie zostanie przełączone na baterie, to chciałbym aby w tym stanie pozostało, dopóki nie kliknę przycisku (nawet jeśli zasilanie główne się ustabilizuje.) Jeśli zasilacz może mieć pewną nadwyżkę napięcia, to może być podłączony poprzez tyrystor - dopóki prąd płynie, to ma połączenie, a jak prąd przestanie płynąć, to trzeba będzie włączyć...
Tak, problem ten sam - ograniczenie prądu - ale inny projekt. Prąd ograniczenia na poziomie 150 mA przy R = 0,7 om. https://obrazki.elektroda.pl/9981339800_... [/quote]Nie ten sam i nie wolno tak zrobić jak na powyższym rysunku, bo to nie będzie działać poprawnie. Spadek napięcia na LM317 jest duży i nie jest dokładnie znany, więc...
Do akumulatorów 55Ah i większych przydałby się prąd ładowania 5÷10A, może warto postarać się wycisnąć więcej z tego transformatora? Napięcie ma trochę niskie, jak na układ jozefg, może należałoby zastąpić tyrystor mosfet-em - może mieć dużo niższy spadek napięcia.
:arrow: https://www.vishay.com/docs/91017/irf520... - IRF520 jest przeznaczony do sterowania napięciem 10V (tylko dla takiego napięcia podano opór) - ma V_GS(th) (at)0.25mA w zakresie 2.0-4.0V, więc przy sterowaniu 3.7V nie musi przewodzić. Typowy egzemplarz powinien przewodzić około 1A przy napięciu bramki 4.5V (Fig.1). Są MOSFET-y przeznaczone do...
Jedynie sterowanie PWM pomoże w takiej sytuacji i mocny MOSFET na niskie napięcie.
Witam. :P Możesz całkowicie usunąć komparator i nie będzie różnicy. Diodę podłączysz w miejsce wejścia nieodwracającego. I jeszcze jedno. Na tym nowym schemacie widzę zamianę typu MOSFET'a, a to już nie jest dobre. ;) Pzdr.
W skrócie - jest to sterownik zasilaczy impulsowych w topologii FLYBACK. Układ zawiera w sobie MOSFET sterujący uzwojeniem pierwotnym "transformatora" (w zasadzie dławika, ale mniejsza o szczegóły) z określoną częstotliwością. Posiada wejście współpracujące z obwodem sprzężenia zwrotnego - które kontroluje napięcie wyjściowe zasilacza, odpowiednio blokując...
Brak zabezpieczeń przed nadmiernym rozładowaniem ogniwa/zwarciem ogniwa. Tak jak kolega wyżej napisał, dzięki temu możesz użyć małego przycisku, ponieważ cała moc przełączania przechodzi na tranzystor. W przypadku zwarcia zapewne on ulegnie uszkodzeniu jako pierwszy. W przypadku mocnego tranzystora i zwarcia, może dojść do uszkodzenia ogniwa. Drugi...
Właściwie dlaczego stosowane są oba typy tranzystorów skoro unipolarne mają zdecydowanie lepsze parametry? W każdym zastosowaniu ważne są inne parametry. We wzmacniaczach ważna jest transkonduktancja, FET-y mają zdecydowanie mniejszą więc jeśli we wzmacniaczu na pojedynczym tranzystorze bipolarnym wstawisz MOSFET-a to spadnie wzmocnienie. Do kluczowania...
[url=http://www.elektroda.pl/rtvforum/to... [url=http://sklep.avt.com.pl/p/pl/485745...
Nie myślałeś o gotowym driverze np HCPL3120 ? Wymaga wprawdzie 15V ale w zamian oferuje zabezpieczenia przed zbyt niskim napięciem (niepełnym otwarciem) i gotowy szybki stopień sterujący z optoizolacją.
Najprościej arduino nano . Ładny prostokątny przebieg PWM. Do tego tranzystor mosfet z niskim napięciem bramki i przetwornica 5V do zasilania arduino. Wyjscie ardiuno można podciągnąć rezytorem do 5V tak by zwiekszyć wydajność prądową ( szybkość zmian stanu tranzystora przez zwiększenie prądów bramki). Calość gratów to jakieś 50pln. Program to dosłownie...
No to prawda, żeby to był jeszcze klimatyzator dla ludzi :). To zwykły N MOSFET ~40V ~7A, co ciekawe różne firmy robią na różne napięcia. Jeśli to pracuje przy półce z wentylatorami to zasilane sa z niskiego napięcia i 40V wystarczy.
IRFZ44N to MOSFET z kanałem N na 55V, D1555 to tranzystor bipolarny NPN wysokonapięciowy (1500V) - są zupełnie niepodobne do siebie. W tym układzie z filmu z założenia miały być niskie napięcia (na tych dowiniętych uzwojeniach po 5 zwojów), więc po co tranzystor na 1500V?
Będzie również działać na tranzystorach N-MOSFET ale ze znacznie niższym napięciem wyjściowym, jakieś 4V ubędzie z maksymalnego napięcia wyjściowego Tu zaproponowałem proste i tanie rozwiązanie z łączeniem równoległym tranzystorów bipolarnych, KD503 czy 2N3055 kosztują grosze a obudowa TO-3 świetnie odprowadza znaczne ilości ciepła.
No wygląda, że się nada, ale napięcie jest z niskie. Potrzebowałbyś conajmniej dwa takie szeregowo. PS - jak rozumiem, masz do niego dedykowaną ładowarke?
Ten układ jest w obudowie przewlekanej czy powierzchniowej ? Jeśli przewlekanej to proponowałbym wylutować go i zrobić układ testowy na płytce razem z mosfetem wyjściowym jako obciążenie tranzystora dając żarówkę i zasilając układ niskim napięciem. Podając na wejście układu przemiennie stan niski i wysoki będziemy wiedzieć czy tranzystor się załącza...
Przestańcie pisać GŁUPOTY, ukłąd wyłącza się bo musi , mosfet przy niskim napięciu bramki przechodzi w stanliniowy i po prostu się pali, także gratuluje wiedzy technicznej i topologii przetwornic.' Na prawdę 18 postów nie na temat. Jak już to dodatkowy akumulator i oddzielenie go diodami.
Wysokiego napięcia czy na wysokie natężenie? Co znaczy "w postaci mosfeta"? Może chodzi Ci o obudowę TO-220? Jakie napięcie zasilania? 3A znajdziesz, może jakieś LDO 5A ale przede wszystkim trzeba znać założenia. Musi być liniowy, nie może być impulsowy?
Jakie są wartości rezystorów? Wygląda jak 15k i 6,8k. To takie rezystory sprawiają, że na bramce jest prawie połowa wartości zasilania. Policz ile to będzie przy 3,7V. Mimo, że jest to tranzystor z niskim napięciem otwarcia, jednak obecnie jest zbyt niskie, by się całkowicie otworzył. http://pdf.datasheetcatalog.com/datashee... Pozdrawiam
Zobacz na napięcie progowe, w przypadku obu 2...4V, napięcie progowe to napięcie przy którym tranzystor zaczyna przewodzić, czyli płynie przez niego 1mA albo 250uA, do tego żeby przewodził jakiś konkretny prąd potrzeba >5V, a żeby nie wszedł obszar nasycenia* daje się 8-12V. Jeśli układ ma mieć dobrą sprawność to napięcie na bramce nie może być za niskie....
Dlatego że mosfet ma diodę wsteczną. Nie w tym problem, to łatwo ominąć, wszystkie układy prostujące z powodu tej diody pracują w odwrotną stronę, tzn w N-MOSFE-cie prąd płynie od źródła do drenu, podanie napięcia na bramkę powoduje że dioda jest bocznikowana przez Rds(on) i nie ma znaczenia to że prąd płynie w "niewłaściwym" kierunku, kiedy napięcie...
Górne MOSFET-y podłączyłeś jakoś dziwnie - trzeba źródło do +zasilania (to ma być P-MOSFET), diodę Zenera między bramką, a źródłem. Być może dałoby się sterować górne MOSFET-y z dolnych, oszczędzając dwa transoptory. A transoptory nie muszą byś wysokonapięciowe, skoro napięcia na bramkach są niskie - tylko trzeba je inaczej podłączyć, między bramkę,...
Dla irl2203 maxymalne napięcie między, drainem a sourcem to 30V. MOSFET'y charakteryzują się tym że powodują małe straty mocy w układach niskiej częstotliwości. wg. noty dla napięcia 4,5V na bramce rezystancja pomiędzy drainem, a sourcem ma maxymalnie 10mOhm. Licząc z prawa ohma straty będą równe 0,7A* 0,01ohm = 0,007V(spadek napięcia na mosfecie),...
Proponuję użyć tranzystorów bardziej "współczesnych" o lepszych parametrach, szczególnie że napięcie jest niskie. Drivery tranzystorów mosfet są tanie jak barszcz i łatwe w stosowaniu, przy tak niskim napięciu driverem low-side można sterować tranzystory z kanałem n tudzież p.
Witam serdecznie. Robię projekt i mam problem: mam sygnał z głośnika ok. 60 mV i chcę go dać jako sygnał wyzwalający na tranzystor, który załączy mi obwód oświetlenia (obwód oświetlenia ma osobne zasilanie). 1. Czy dostanę MOSFET lub tranzystor, który wzbudzi się przy tak niskim napięciu? 2. Czy istnieją takie rozwiązania, które podbiją mi tak niskie...
Jak obliczyć stan nasycenia? Jakiś wzór? W DS jest wartość βsat. Dodano po 3 czy lepiej byłoby użyć układ darlingtona? A może w ogóle mosfet - o niskim napięciu bramki rzecz jasna, żeby mógł go wysterować prawidłowo Twój RPi.
Do migania nie potrzebujesz multiwibratora - wystarczy, że FPGA, albo uC wygeneruje sygnał sterujący (może to zrobić dzieląc częstotliwość swojego zegara), który podasz na MOSFET-y. Tylko... MOSFET-y zwykle potrzebują sporego napięcia bramki, więc albo trzeba poszukać MOSFET-ów sterowanych bardzo niskim napięciem, albo dodać konwerter napięć.
Jeśli prąd ładowania/rozładowania nie będzie duży, to potrzebny prąd bazy tranzystora bipolarnego będzie dużo mniejszy, niż prąd uzwojenia przekaźnika. Można też rozważyć użycie przekaźnika bistabilnego - są takie, potrzebują prądu tylko do zmiany stanu, nie do jego utrzymania. A może się znajdzie MOSFET na niskie napięcie? Albo energooszczędna przetwornica?
Justyniunia: Bo jeśli chcesz mieć źródło regulowane, to musiałbyś zamiast Rs wstawić potencjometr, a im większy prąd chcesz regulować, tym większej mocy potencjometru musiał byś użyć. I na dodatek, jeśli regulacja ma być z uC, musiałby to być potencjometr sterowany elektronicznie, i to o sporej mocy... nie wiem, czy taki się znajdzie, a na pewno niełatwo....
To trzeba by zrobić jakieś porządne (pod względem stabilności) źródło prądowe - jest jakiś układ scalony, który ma dwa źródła prądowe po 100uA, może go użyć? i dodać tranzystor (MOSFET małej mocy) do kluczowania tego źródła prądowego. Albo: LM4041-ADJ (to jest wzorzec napięcia 1.2V, zrobiony tak, że zachowuje się jak tranzystor PNP o bardzo dużym wzmocnieniu,...
(at)kwapek1947 IGBT stosuje się w zakresie setek woltów, gdzie MOSFETy kiepskie rezystancje w stanie włączenia. W zakresie <50V MOSFETy górują nad IGBT pod każdym względem, wyższe prądy maksymalne, niższe spadki napięcia przez to niższe straty, szybsze przełączanie, niższa cena. Jedyna "zaleta" jest taka że jak źle zaprojektujesz układ 12V i będą...
Moja propozycja, potrzeba MOSFET'ów o niskim Vgs(th) którym do załączenia wystarczy napięcie jednego ogniwa. Wejściem R załączamy połączenie równoległe, wejściem /S rozłączamy połączenie szeregowe. Pomiędzy tymi sygnałami powinno być opóźnienie, żeby nie zrobić zwarcia. http://obrazki.elektroda.pl/8539731200_1... Kto znajdzie błędy ;)
[url=https://www.lighting.philips.co.uk/... ściemniaczy (EN). [url=https://www.lamps-on-line.com/leadi... - wyjaśnienie, jakie to są "leading edge", a jakie "trailing edge". W [url=https://en.wikipedia.org/wiki/Dimme... też to jest, tylko nigdzie po polsku. Niestety...
W takich standardowych mosfetach nie LL bramkę steruje się takim samym napięciem jak źródło zasilania tak? Wystarczy datasheet przeczytać, są tam podane odpowiednie wykresy Ugs vs Id. Czy w rozwiązaniu które zaproponowałeś mógł bym użyć IRLB3034PBF? Oczywiście, ma nawet lepsze parametry bramki niż ten który zaproponowałem. Aczkolwiek trochę niższe...
Akumulator podłączony poprzez MOSFET-a - jeśli N-MOSFET, to -akumulatora do drenu MOSFET-a, -odbiornika do źródła MOSFET-a, -zasilacza do katody diody, -odbiornika do jej anody, bramka MOSFET-a do -zasilacza, + wszystkiego razem. Brak napięcia z zasilacza włączy MOSFET-a dając niższy spadek napięcia między akumulatorem, a odbiornikiem.
Do testów obciążaj zasilacz rezystorem dużej mocy, a nie akumulatorem. To zasilacz liniowy, więc główny tranzystor będzie się grzał i to bardzo, zwłaszcza jak ustawisz na wyjściu niskie napięcie. Jak masz Ui=46V, Uo=4,2V i Io=0,2A to na tranzystorze odkłada się 8,4W mocy.
"Będzie dobry" to bardzo ogólne pojęcie :) . Problem ze sterowaniem takiego tranzystora są dwa. Pierwszy to wydajność prądowa wyjścia Arduino. Wraz ze wzrostem częstotliwości przełączania proporcjonalnie rośnie prąd konieczny do naładowania pojemności bramki tranzystora MOSFET. W przypadku wymienionego 2nF to już sporo i wymagane byłoby dodanie driver-a....
(at)elek555 - opisałem to w 1. poście, że błąd zobaczyłem dopiero przy pisaniu posta, a w rzeczywistości jest tam IRLZ. (at)avatar - zgadza się, w układzie oczywiście rezystor się tam pojawił, ale na schemacie już zapomniałem poprawić; co do napięcia, to tak, ten mosfet jest sterowany poziomem logicznym.
A co do katody na masie to można mosfeta z kanałem-p dać. Tak, tylko o ile dobrze kombinuję modulacja będzie wtedy względem + co może trochę utrudniać. Poza tym to jest jakiś dziwny mosfet z niskim napięciem GS.
A może poszukać MOSFET-a z kanałem zubażanym? Są takie. Alternatywa, jeśli ma się włączać przy zasilaniu 3V (a jeszcze gorzej, jak 1.5V), to: (1) użyć MOSFET-a włączanego tak niskim napięciem (często napięcie progowe jest niższe, ale do otwarcia na dobre zwykle trzeba choć z 5V), albo (2) zrobić przetwornicę podnoszącą napięcie.
Owszem, 2SK/SJ mają niższe Vgs, dużo niższą transkonduktancję i wyższe Rds, oraz duże napięcie w zakresie ohmowym - dla Id=8A mają one 4V - a IRF dla 8A mają 1V. Poza tym inaczej położony ZTC. 2SK/SJ są podobne do starych "lateral mosfet" i są przeznaczone do pracy liniowej w przeciwieństwie do IRF (praca impulsowa). Na pewno IRF będą mniej stabilne,...
Macie jakieś inne pomysły na zabezpieczenie bez aż takich temperatur przy tym? Do Twojej aplikacji (dość niskie napięcie i względnie duży prąd) wymyślono diody idealne , czyli mosfet plus sterownik. Sterowniki robią różne firmy na przykład Texas. Analog, itd, należy szukać pod hasłem "ideal diode controller". Mosfety - wiadomo, jest ich teraz na rynku...
Wymiana kondensatorów po stronie niskiego napięcia i obu tranzystorów MOSFET HY1906
Możesz wyjaśnić jak układ miałby działać i czym sterować? Chodzi zapewne o rozłączanie zasilania w masie. Musisz policzyć sobie co będzie bardziej opłacalne energetycznie. Jeżeli w grę wchodzi niskie napięcie lepiej zastosować tranzystor mosfet, współczesne mosfet-y na niskie napięcia mają bardzo małe rezystancje kanału w stanie załączenia, będziesz...
Dzięki wielkie. Jutro będę testował, jak tylko zakupię potrzebne elementy. A jeszcze jedno pytanie - BD140 to "zwykły" tranzystor, a duża byłaby modyfikacja, żeby w jego miejsce wstawić jakiś mosfet?
AVE... Tak. O ile zasilacz ATX daje faktycznie te 12V. Czasami dają niższe napięcia... A wiesz, jak zrobić proste ograniczenie prądowe? EDIT: Zrobiłem Ci schemat poglądowy ograniczenia dla Twojej diody. Tranzystor MOSFET powinien mieć możliwie niski Rdson. Tranzystor NPN to może być dowolny małosygnałowy, na przykład BC547C. W miejsce D1 możesz wpiąć...
Ostrożnie z podłączaniem wejścia na bazę tranzystora: dla PNP podasz na to wejście -zasilania i cały prąd emitera popłynie do bazy... Układ z #2 też zawiedzie: podajesz 0V na wejście '+' i np. 1V na wejście '-' i wynik jest inny, niż jak podasz 1V na '+', a 2V na '-'. W scalonych komparatorach stosuje się na wejściu coś w stylu Darlingtona, ale kolektor...
Sprostuję tylko nieprawdy które napisał (at)gps79 Ad. 1. N-Mosfet przewodzi w jedną stronę D->S gdy jest otwarty (odpowiednim potencjałem bramki), a w drugą stronę (S->D) przy pomocy wbudowanej diody (jeśli jest). Kiedy nie ma napiecia Ugs MOSFET zachowuje się jak dioda - przewodzi tylko w kierunku odwrotnym do normalnej pracy, kiedy jest napiecie Ugs...
Z tym "przesuwnikiem" chodzi o obniżenie napięcia z uC, przez wstawienie diody w szereg przed bramką? W zasadzie tak ale jest tu bardzo ważna sprawa. Mianowicie by dioda była tym przesuwnikiem trzeba wymusić opornikiem przepływ odpowiedniego prądu przez diodę bo sam prąd bramki jest pomijalnie mały do tego celu. Dodatkowo opornik jest potrzebny do...
Witam czy istnieje odpowiednik (chodzi o 8 kanałów) ULN2803 smd na tranzystorach mosfet z kanałem n ?? Są takie. Przykładowo: TBD62083A Ich zaletą jest właśnie niski spadek napięcia na kluczach względem tych nieszczęsnych darlingtonów z ULN2803.
metodą prób i błędów postanowiłem dobrać te kondensatory. sprawdziłem tak: C1 - 10nF, C2 - 10nF zero piszczenia Halogena 12V / 55W natomiast zaczął się grzać MOSFET do tego stopnia że jeszcze mogłem go utrzymać w dłoni na pograniczu parzenia. gdy dałem C1 -100nF, C2 - 100nF Halogen znów zaczął piszczeć MOSFET przy niskim napięciu wyjściowym niemal że...
Witam Przekaźniki nie są potrzebne, wystarczą odpowiednie tranzystory MosFet o niskim napięciu bramki oznaczone literką L na końcu. Autor napisał o wykorzystaniu klaksonu Z SAMOCHODU OSOBOWEGO. Nikt tutaj nie mówi o użyciu tego w aucie, a kwestie prawne mogą pojawić się jako ciekawostka. Jak sam twórca twierdzi, używa tego na imprezach okolicznościowych...
Zewrzyj G i S w tranzystorze, nawet śrubokrętem, jeśli LED nie zgaśnie to MOSFET uszkodzony. Im mniejszy MOSFET tym łatwiej uszkodzić ESD.
Z noty katalogowej przesłanego tranzystora wynika, że maksymalne napięcie baza-emiter to 9V. Czyli rozwiązanie nadal wymaga dzielnika napięcia przy PU rezystorze. W przypadku tranzystorów BJT istotne jest nie napięcie ( w uproszczeniu ) a prąd, który wpływa do Bazy. A napięcie 9V o którym napisałeś odnosi się do wartości napięcia wstecznego a nie w...
A tu jest ten układzik sterujący MOSFET'em, który imituje diodę o niskim spadku napięcia. Pozdrawiam.
Jeśli ma być niskie napięcie i nie musi szybko przełączać, to od biedy STP40NF03L, a lepiej PSMN004-25 - ten drugi ma opór włączenia ze 4 mΩ, oba są w ofercie Semiconductors Bank. Z oferty Piekarza: SUD50N04-07.
niski napiąć bramka mosfet mosfet niski otwarcie mosfet niski rezystancja
testowy audio fotodioda prąd bosch blokada bębna
miele pralka opinie miele pralka opinie
Xerox® WorkCentre® 6605 - Dlaczego unikać skserowanego papieru? Otwieranie bagażnika Fiat 500L z kluczyka - jak to zrobić?
