http://obrazki.elektroda.net/41_12633119... Stworzone przeze mnie urządzenie jest praktycznym uzupełnieniem piórnika szkolnego. Jest wyposażone w kilka pożytecznych funkcji i na opisanych poniżej nie zamierzam zaprzestać. Całość została zorganizowana w wygodne w obsłudze intuicyjne menu. 6 przycisków uSwith w jakie jest wyposażony układ umożliwia...
https://obrazki.elektroda.pl/7587125800_... https://obrazki.elektroda.pl/2859186300_... Jest środek lata, a więc sezon rowerowy w pełni. Po małej przerwie, ponownie wsiadłem na ten wspaniały środek lokomocji i rekreacji. Zaowocowało to w następstwie, kolejnymi odkryciami wynalazków azjatyckiej myśli technicznej. Historia...
Witam serdecznie, mam problem z odtwarzaczem DVD LG DVX380. Mianowicie chodzi o to że po podłączeniu do zasilania nie dzieje się dosłownie nic odtwarzacz nie reaguje na żaden przycisk, wyślwietlacz... Bezpośrednia odpowiedź na pytanie Najczęstszą przyczyną „martwego” LG DVX-380 jest awaria impulsowego zasilacza – głównie: • przepalony bezpiecznik sieciowy,...
Jest jednak szczegół, który może być istotny, mianowicie gdy do powerbanka nie jest podłączone znaczne obciążenie, jego przetwornica się wyłącza (granica to jakieś 100mA). Sprawdziłem, że maksymalna oporność, jaką należy zewrzeć + i - w gnieździe USB, aby przetwornica się uaktywniła, to 4.7kΩ (10kΩ już nie działa). To jest osobny sporny problem z zachowaniem...
Wysokonapięciowa przetwornica typu flyback, jako zasilacz do lamp Nixie Wstęp Autor prezentowanego układu zbudował wcześniej zegar, który jako wyświetlacza używał lamp Nixie. W związku z tym konieczne było dostarczenie wysokiego napięcia zasilającego. Autor chciał jednak uniknąć konieczności umieszczania w obudowie zegara dużego i nieporęcznego transformatora,...
Dziękuję wszystkim za podpowiedzi. W takim razie sterownik idzie pod lupę. Na obu wyjściach mam stan niski (zwarte do minusa). Może przepalony mosfet albo coś przebite - okaże się po rozebraniu. Przyczyną przeciążenia była uszkodzona izolacja przewodu od elektrozaworu. Pozdrawiam. Magic44
A nie ma ona za małej mocy? Która "ona" ? Pisałem, że FQD12N20L ma wyższą moc niż oryginał. Niechże kolega zajrzy do datasheet-ów. Jak ma się rezystancja przy pełnym otwarciu do doboru zamiennika? J.w. - pisałem o tym, czytać datasheet. Oryginał ma gwarantowane otwarcie i niski Rdson już przy Vgs=4V i analoga nie widzę, ale ponieważ prawie na pewno...
Witam, mam pewnie banalny problem, ale nie mogę znaleźć rozwiązania. Mam następujący układ: http://obrazki.elektroda.pl/1877161100_1... Sterowany z mikroprocesora mosfet włącza lub wyłącza listwę LED (0.4A) zasilaną z 12V. Użyłem 2SK1388, ponieważ taki akurat posiadałem (wg noty powinien zacząć się otwierać około 1.8V Vgs). Efekt jest taki,...
Jak zrobić układ sterowania mosfetem np. BUZ11 żeby w zależności od napięcia zasilania mosfet był całkowicie zamknięty (przy napięciu zasilania < 10 V), a przy napieciu > 10 V całkowicie otwarty. Wiem jak zrobić na układzie NE555 ale może ktoś wie jak prościej i taniej. Dzięki pozdrawiam
Nabazgrałem układ taki jak na rysunku. Jest to tylko część całego układu, także w grę wchodzi tylko tranzystor umieszczony od strony zasilania. Tranzystor włączany jest przy zerowym prądzie, także czas włączenia nie jest tutaj szczególnie istotny, w przeciwieństwie do czasu wyłączenia(prąd dochodzący nawet do 20A). Niestety przedstawiony dzielnik zapewnia...
Mam pytanie.posiadam tranzystory MOSFET IRFZ46N na krotych chcialem zbudować układ sterowania silniczkiem DC. problem jest taki iz aby porzadnie otworzyc te tranzystory potrzebuje napiecia w układzie co najmniej 14V(niestety takiego nie posiadam-zasilanie 7,2V). Potrzebuje tranzystory o podobnych parametrach tylko sterowane niższym napieciem(ogołem...
Napięcie 3,3 V jest zbyt niskie, żeby otworzyć "standardowy" tranzystor mosfet, są jednak dedykowane np. IRL8721 do sterowania niskim napięciem. Możesz też zastosować transoptor i sterować nim tranzystorem zasilonym z 12V.
Wygląda jakby się górne tranzystory nie otwierały. Błędy w montażu ? Inne typy tranzystorów ? Czy możesz pokazać przebiegi na kolektorach T5 i T6 przy wypełnieniu 25% 50% i 75% ?
Jakie są wartości rezystorów? Wygląda jak 15k i 6,8k. To takie rezystory sprawiają, że na bramce jest prawie połowa wartości zasilania. Policz ile to będzie przy 3,7V. Mimo, że jest to tranzystor z niskim napięciem otwarcia, jednak obecnie jest zbyt niskie, by się całkowicie otworzył. http://pdf.datasheetcatalog.com/datashee... Pozdrawiam
Prąd max do 1A. Muszę taki mosfet zakupić jeśli przy 3V w pełni się otworzy. A znasz jakiś mosfet z kanałem P, żeby odwrotnie przy podaniu masy przy tak niskim progu caly się otworzył szukałem ale widziałem w obudowie przewlekanej.
IRLML2505 ma mały ładunek bramki (12nC) ATMEGA zasilana z 5V ma rezystancję wyjściową ok 25Ω więc bez problemu przeładuje bramkę w czasie <1µs . Nie podłączaj tam kondensatorów. Podłączenie tam takiego "wzmacniacza" na BC547 stanie statycznym zapewnia potrzebne BUZ11 wyższe napięcie na bramce, ale rezystancja wyjściowa w stanie wysokim...
Słowo klucz - logic level mosfet. Jest tego cała masa choćby w TME. Zwykle pełne otwarcie tranzystora tego typu występuje przy Ugs niższym od 3V.
[url=https://www.ti.com/lit/ds/symlink/t... mają inaczej rozmieszczone końcówki, 8 wyjść otwarty dren MOSFET-a z kanałem N (wytrzymuje napięcie do 50V, mały prąd w stanie wyłączenia do 40V, opór w stanie włączenia dla prądu 100mA kilka Ω), wejścia o dużej oporności - nie wolno ich pozostawiać bez podłączenia, "G#" trzeba połączyć...
Sprostuję tylko nieprawdy które napisał (at)gps79 Ad. 1. N-Mosfet przewodzi w jedną stronę D->S gdy jest otwarty (odpowiednim potencjałem bramki), a w drugą stronę (S->D) przy pomocy wbudowanej diody (jeśli jest). Kiedy nie ma napiecia Ugs MOSFET zachowuje się jak dioda - przewodzi tylko w kierunku odwrotnym do normalnej pracy, kiedy jest napiecie Ugs...
To oznacza, że zastosowanie PWM da mi spokojnie możliwość sterowania mocą poprzez sam sygnał prostokątny, który będzie otwierał i zamykał tranzystor co pozwoli sterować w jakikolwiek sposób mocą dostarczaną na grzałkę? Tylko które elementy zapewnią mi to, że tranzystor nie będzie pozostawał nasycony i otwarty w czasie gdy na bramce jest stan niski?
Rozumujesz mniej więcej dobrze, ale driver lepszy niż taka kombinacja. Podłączasz pod µC, zasilanie, MOSFET-a i lecisz z tym koksem. Tylko zwróć uwagę, czy dany driver jest odwracający czy nie. Ten chyba jest, więc przy pisaniu programu musisz uwzględnić to, że stan niski z µC otworzy MOSFET-a N, a wysoki zamknie.
Vgs(th) tego mosfeta wynosi od 2 do 4V, ale dla pradu drenu 250uA i pewnie tu jest pies pogrzebany.....wydaje mi się ze to napięcie jest zbyt niskie by mosfet całkowicie się otworzył. https://obrazki.elektroda.pl/8534602200_...
To jest forum techniczne i aby być zrozumiałym warto używać zwrotów technicznych oraz znać podstawy elektrotechniki i/lub elektroniki. Pytania szczerze nie rozumiem. Mosfety steruje się potencjałem między bramką a źródłem. Dla N-mosfet klucz jest otwarty gdy potencjał na bramce jest wyższy względem źródła, w przypadku P-mosfet gdy potencjał na bramce...
Bardzo dobrze :) I dlatego nie otworzył się całkowicie.
Wszystko byłoby ładnie ale nie z tranzystorem IRFZ44 - na emiterze tranzystora wtórnika w stanie 1 będzie napięcie zaledwie 4.3V a to za mało na pewne otwarcie tego typu tranzystora - potrzeba zastosować MOSFET o znacznie niższym napięciu progrowym - tzw. logic level. Przy tak niskim prądzie obciążenia polecam malutkie MOSFETy serii Si44xx, na przykład...
Całkowity ładunek bramki około 10nC, napięcie progowe około 1V - z opornikiem bramka-źródło 1k wyłączanie potrwa 10 nC * 1 kΩ / 1 V=10 us. I im większy będzie ten opór, tym wyłączanie będzie wolniejsze; ale jeśli będzie on mały, to będzie potrzebny spory prąd płynący przez tranzystor transoptora - jaki on ma gwarantowany CTR (PC817 jest robiony...
Ok dzieki a jeszcze jedna rzecz skoro utworzy mi się kanal w mosfet to czy napięcie na S zejdzie mi z 0.7V na wartosc spadku napiecia na Rsd Tak, napięcie spadnie do wartości bliskiej zeru. Jeden stan pracy tego układu W stanie spoczynku tzn. kiedy urządzenia zasilane 3.3V nic nie nadają nie wystawiają żadnych stanów niskich tak samo urządzenia zasilane...
Ewent CD4066 https://www.google.pl/url?sa=t&rct=j... Ale mają one spore rezystancje w stanie włączenia, które mogą bruździć w tym układzie wzm. odwracającego...
Tak- przy PWM jak stan na wejściu tranzystora bipolarnego będzie niski to mosfet będzie otwarty i popłynie pełen prąd. Można to zmienić programowo. Podobnie będzie gdy procesor z jakichkolwiek powodów nie będzie pracował. Do pomiaru prądu można dać rezystor 0.1 0hm w szereg z grzałką- od strony masy. Oczywiście musi to być jakoś uśrednione- przez układ...
Tak, Freddie miał na myśli tranzystor do sterowania bramką MOSFETa. Chodzi o to, że port ATMegi nie da napięcia wystarczającego do pełnego otwarcia tego typu tranzystora. Stąd dodatkowy tranzystor sterujący. Możesz też zastosować N-MOSFET, najlepiej z bramką logic level, dzięki czemu przy niższym napięciu będzie praktycznie całkowicie otwarty. Pamiętaj...
To ja jeszcze coś dopiszę. Kolego atom1477 dioda ma za zadanie zabezpieczyć tranzystor podczas wyłączania obwodów indukcyjnych. No rozumiem, ale to nie wystarczy do zabezpieczenia. Taka dioda musi być jeszcze odpowiednio włączona. A nie byle gdzie. W tym konkretnym układzie to nie ma jej zupełnie gdzie wstawić. Opis poniżej. Owszem można ja wstawić...
Najlepiej byłoby wstawić MOSFET-P w plus zasilania - albo przed stabilizatorem albo po stabilizatorze po dzielniku kontrolującym Uwy - ale wtedy Uwy będzie zaniżone o spadek napięcia na Rds MOSFET-a, ale jeśli wybierzesz typ o małym Rdson, np. 10mOhm to spadek wyniesie niewiele, rzędu 10mOhm x 3A= 30mV. Pozostaje wtedy kwestia zasilania układu zabezpieczającego...
Oczywiście, że tak można. MOSFET musi się w pełni "otworzyć" przy napięciu G-S nieco poniżej 5V, żeby zminimalizować straty w postaci ciepła. BS170 spełnia ten warunek. Dla prądu podświetlenia rzędu 200mA wystarczy w zupełności. Wyjście mikrokontrolera musi być skonfigurowane jako totem-pole. Wyjście z podciąganiem do + zasilania może mieć za małą wydajność...
Mało tego, stosowanie tranzystora bipolarnego w układach sterowania PWM to tylko niepotrzebne straty i ciepło. Powinien być mosfet Wydaje mi się, że napięcie na bramce tranzystora 3.3V może być za niskie, aby w pełni został otwarty mosfet. No i jeszcze jest jakiś dziwny C1 równolegle do silnika. Po co taki kondensator wraz z PWMem? Kondensator miałby...
Ja także "bawię się" elektroniką. Dziękuję za odpowiedź, która mnie przekonuje. Buduję także prosty układ do sterowania obciążeniem wiatraka. Używam gotowego przetwornika napięcie/PWM za kilka pln. Bramkę mosfeta steruję układem IR2104 a konkretnie jego wyjściem Lo i to doskonale się sprawdza. W moim przypadku wykorzystuję jeszcze tańszy mosfet ale...
Przy sterowaniu tranzystorami MOSFET bezpośrednio z wyjścia mikrokontrolera, należy pamiętać o kilku rzeczach: 1. napięciu progowym tranzystora UGSth, 2. pojemności wejściowej tranzystora, 3. poziomie napięć, o ile jest to tranzystor z kanałem typu P. Zalecane schematy połączeń dla tranzystora z kanałem typu N i typu P wyglądają w ten sposób: https://obrazki.elektroda.pl/3420320700_...
ad 1. Zasilanie bez znaczenia, to będzie brało mA, więc o jakichś większych stratach nie ma mowy. Mały stabilizator liniowy jest ok. ad 2. PWM o jakiej częstotliwości? MOSFET nie może być sterowany bezpośrednio z IO procesora. Bramka w przypadku P-MOSFET będzie miała potencjał zawsze niższy niż źródło w efekcie MOSFET będzie permanentnie otwarty. Potrzebny...
Mam mały problemik z MOSFETem który nie chce się zamknąć. Jest on sterowany generatorem astabilnym zrealizowanym na CMOS 4011. Sygnał o częstotliwości ok. 200 Hz jest podawany na bramkę. Gdy jest stan wysoki tranzystor się otwiera czyli na razie jest ok. Gdy jest stan niski tranzystor dalej jest otwarty i nie wiem dlaczego? :? Ten MOSFET to IRF840 ma...
Po usunięciu diody można lekko bardziej obciążyć wyjście Owszem, bo trochę zwiększyłeś napięcie bramki i mos trochę bardziej się otworzył. Twój tranzystor ma ok. 5Ω rezystancji kanału dla napięcia bramki 10V, a tu ma tylko ok. 5V. Poza tym jego napięcie odcięcia to ok. 4V. To z diodą jesteś na granicy otwarcia. można lekko bardziej obciążyć wyjście,...
PowerWalker 1000VA TGS - zewnętrzny AKU LiFePo4 24V. Awaria taka, że zrobiłem niechcący zwarcie, prawdopodobnie minus baterii do uziemionej rozdzielnicy, (a z tego co mierzę to minus baterii jest wewnętrznie połączony z N wyjścia falownika). UPS działał na co dzień w trybie online, zależało mi na czyszczeniu zasilania bo u mnie jakaś tragedia z sieci...
Poprawny układ (trzeba zmniejszyć wartość R1 do około 1k) https://serwis.avt.pl/manuals/AVT772.pdf To układ o którym pisałem. Tak, poprawny ale dla wyższych napięć. Tu układ musi pracować jeszcze poprawnie przy Uzas=3V, co oznacza, że MOSFET musi być całkowicie otwarty przy napięciu bramka - źródło Vgs=1V, typ P-Channel i musi mieć niskie Rdson przy...
Niby dlaczego...? MOSFET z kanałem P jest otwarty kiedy bramka jest na niskim potencjale... Nie na niskim potencjale tylko na niższym potencjale niż źródło. Czyli tak naprwdę liczy się rożnica potencjałów pomiędzy bramką a źródłem. A rozwiązaniem tego problemu jest stosowanie układy z rysunku 2 :-). Można też kombinować z diodami zenera, ale nigdy...
Musisz znać jaka jest wydajność prądowa wyjścia z ESP, bo od tego będzie zależeć jak szybko bramka MOSFET'a się naładuje i maksymalna częstotliwość. Od tego także zależy kształt wyjściowego przebiegu. Jeśli jest za mała, to stosuje się driver (gotowy bądź samodzielnie robiony na tranzystorach) aby przyśpieszyć ten proces. Najpewniej wystarczy Ci IRLML6246,...
AVE... Piszesz strasznie chaotycznie, ciężko to się czyta i ciężko odpowiadać na pytania. Ponadto brak schematów czy zdjęć i same opisy układów raczej nie ułatwiają zadania. Większość przetwornic pracuje z częstotliwością >20kHz, coby nie czynić słyszalnego hałasu w indukcjach (magnetostrykcja). IGBT i niskie napięcie to zły pomysł. To są tranzystory...
Driver nie jest wymagany dla niższych prędkości przełaczania (a kosztuje sporo). MOSFET w pracy impulsowej to zwykły tranzystor z kondensatorem w bramce. Aby go otworzyć trzeba naładować bramkę do napięcia 15V, przy niższych np 5V ma spory opór. Dlatego właśnie masz rezystory na bramce, aby prąd ładujacy bramkę nie spalił sterownika. Jest jeszcze jeden...
Rezystor - odczytujesz jaką powinien mieć rezystancję. Potem mierzysz ją omomierzem. Jeśli wynik pomiaru mieści się w tolerancji danego rezystora, to jest on sprawny. Zwykle uszkodzony rezystor jest przegrzany i widać to nawet gołym okiem a pomiar omomierzem daje nieskończoną rezystancję ( obwód otwarty ). Termistor - podobnie jak rezystor z tym, że...
To nie jest regułą, że trzeba podawać na bramkę napięcie zasilania, aby go otworzyć. Przy niskich napięciach 10-15V to jeszcze może się udać, ale wyższe napięcia na bramce mogą uwalić mosfet. Szczegóły w dokumentacji odpowiedniego tranzystora.
(at)ElektrodaBot Urządzenie jest regulatorem prędkości wentylatora (znanym również jako "rezystor" w żargonie motoryzacyjnym) dla wentylatora kabiny w Peugeot 406 200X. Z analizy obwodu, w zależności od tego, czy jest to MOSFET czy BJT-IGBT: Pin 1 musi być bramką lub bazą, ponieważ jest podłączony do obwodu sterującego Pin 2 musi być drenem lub kolektorem,...
Serdeczne dzięki. Frezarka Podolog. https://obrazki.elektroda.pl/5860057100_... Przesyłam zdjęcia, może one pomogą:) https://obrazki.elektroda.pl/5147576500_... https://obrazki.elektroda.pl/1432231700_... Bezpośrednia odpowiedź - Po analizie Twoich zdjęć: HMT624.1 w obudowie SOP‑28 nie jest driverem 3‑fazowym typu IR213x,...
Mam problem ze zrozumieniem w jaki sposób taka przetwornica sama wzbudza się do działania, skoro po podaniu zasilania na bramkach mosfetów są takie same potencjały. Może mi ktoś przybliżyć o co tutaj chodzi? Właśnie o to chodzi, że po włączeniu potencjał zasilania nie pojawia się od razu na bramkach tranzystorów. Tutaj fajny opis: http://teslacoil.pl/generatory-wysokiego...
sprawdz czy przypadkiem tranzystor nie pracuje w obszarze liniowym, choc to pewnie mosfet - jesli tak sprawdz czy sygnal sterujacy tego tranzystora jest na odpowiednim poziomie - jesli jest za niski brama sie niecalkiem otworzy i rezystancja dren-zrodlo bedzie wieksza niz zakladana (usmarzy sie)
Rezystory 1k (R9 i R10) zabezpieczą układ przed efektem Millera czyli przypadkowym załączeniem tranzystora dolnego gdy załączy się górny. Ale rzeczywiście dam 10k powinno wystarczyć aby odprowadzić ładunki. W żadnym wypadku. Żeby zabezpieczyć dolny tranzystor przed załączeniem to trzeba mocno przytrzymać bramkę na potencjale masy. Rezystancją rzędu...
Czy te akumulatory są wysokoprądowe ? Niewiem to jest stary akum niewiadomo z czego Może to zadziała z IRF520 Nie wiem czy on przez ene zdoła się całkiem otworzyć bo w stanie wysokim ne ma 3 v na wyjściu Dodano po 4 Ja się też zastanawiam czy ten mój akumulator po prostu nie daje za słabego prądu żeby zasilić ten silnik tylko moja teoria się nie sprawdza...
mosfet niski rezystancja mosfet niski bramka mosfet niski napiąć
detector metale programować avrów czujnik drgać
stacja lutownicza ekspres ciśnieniowy
Świecące diody w suszarce Candy Smart Touch - co oznaczają? Spalenie silnika 400/690V po wymianie z 230/400V
