Prawdopodobnie uszkodził się sterownik w hulajnodze. Opory koła wskazywać mogą na zwarcie mosfetow. Ciągle zapalone światło i brak informacji o stanie baterii na przebicie np. portu w mikrokontrolerze w niekontrolowany sposób jeśli mosfet ma przebicie do bramki - zwarł się na amen. Powodem może być: pech, przetarty kabel silnika.
Maksymalne napięcie bramki tego MOSFET-a (4501=podwójny MOSFET), to 20V. Ta dioda Zenera między bramką MOSFET-a (4. wyprowadzenie), a masą ma chronić tranzystor przed przebiciem - więc będzie to dioda Zenera Uz=15-18V.
Być może ten Twój mosfet jest już uszkodzony - przebicie na bramce.
Tak do końca raczej się nie sprawdzi, bo napięcie przebicia potrafi zależeć od temperatury, prądu... Z MOSFET-ami trzeba uważać, żeby nie przebić bramki - najlepiej prze sprawdzaniu zewrzeć ją ze źródłem. Natomiast nie wiem, jaki prąd przebicia dren-źródło wytrzymają bez uszkodzenia.
A czemu zener na 15V jako zabezpieczenie przed pojawieniem się większego napięcia od napięcia alternatora 14,4 V ? A temu, że zenerka w sot-23 kosztuje jakieś 12 groszy, a może uchronić przed jakimś losowym fu.ck-upem MOSFET za 5 zł. Tak przykładowo awaria regulatora napięcia w alternatorze może poskutkować przebiciem bramki mosfeta. Rozbierz sobie...
Niestety czasem gdy pada mosfet przebiciu ulega bramka i pali się wyjście up. Wiem że nie jest to straszny koszt ale czasem problem zest z wsadem np po latach.
Diody pełnią funcję ochronną bramki tranzystora mosfet od ładunków elektrostatycznych i nadmiernym napięciem wejściowym (obcinacz napięcia) tzn. chronią bramkę TR przed przebiciem. Niektóre mosfety mają takie diody zintegrowane w swojej strukturze. Można wykorzystać dowolne krzemowe diody impulsowe - tak jak napisał Kolega wyżej, oprócz tego jescze...
MOSFET-y zwykle mają kanał wzbogacany i żeby przewodził, N-MOSFET wymaga podania na bramkę napięcia dodatniego względem źródła, a P-MOSFET ujemnego (trzeba uważać, żeby nie przekroczyć dopuszczalnego napięcia, ono bywa +-20V, ale bywa też znacznie mniejsze). Zwykle mają wbudowaną diodę, która przewodzi przy odwrotnej polaryzacji drenu. Bramka jest izolowana,...
Witam! Rola rezystora R1 i R2 jest bardziej złożona w tym układzie. R1 przede wszystkim nie zabezpiecza bramki MOSFETa, tylko zabezpiecza przed uszkodzeniem fototranzystor w transoptorze w przypadku gdyby doszło do przebicia bramka/źródło tranzystora T (typowa usterka MOSFETa). Rezystor R2 oprócz ustalenia potencjału masy na bramce MOSFETa w momencie...
Uszkodzone elementy to: Power-MOSFET (jako klucz jednostki szczotki obrotowej MFU) i dioda Zenera (zabezpieczająca bramkę Mosfet-a przed przekroczeniem Ugs max). Prawdopodobnie z jakiś powodów Mosfet uległ przebiciu i całe napięcie zasilania odłożyło się na jego bramce, co w konsekwencji spowodowało spalenie ochronnej diody Zenera. Przed wymianą należałoby...
Na zdjęcia oscyloskopu widać przebiegi z bramek MOSFET-ów - wyraźnie widzę na nich "ząbek" na zboczach, trwający chyba 10us, podczas którego oba MOSFET-y powinny być wyłączone - o ile ich wyłączanie trwa krócej, niż te 10us. A, ktoś mi zgłosił uwagę: pomyliłem się o czynnik 2 w wyliczaniu napięcia, jakie występuje na bramkach MOSFET-ów (błąd jest w...
To jest wzmacniacz różnicowy o lustrzanych gałęziach, dodatniej i ujemnej. Wyciągnij z tego korzyść np. napięcie na R121 powinno być takie samo jak na R120. W pierwszej fazie naprawy zwierasz wejście wzmacniacza czyli mierzysz wszystko przy zerowym sygnale wejściowym. Wtedy wzmacniacz powinien być zrównoważony czyli napięcia na elementach w dodatniej...
Złącze pomiędzy podłożem a drenem jest tą pasożytniczą diodą, w każdym tranzystorze MOSFET ona będzie. Diody "Zenera" na napięcia >8 V to diody lawinowe, ale w każdej diodzie przy odpowiednio wysokim napięciu nastąpi przebicie lawinowe, podobnie w każdym tranzystorze MOSFET ono wystąpi. Jeśli przebicie lawinowe spowoduje przepływ prądu na małej powierzchni...
Witam Bramka wytrzyma tylko 20V, przy 60V od razu dostanie przebicia.
Diody zabezpieczają bramki przed przebiciem np. od elektryczności statycznej. Są tylko N- kanałowe, zubożane (o ile czegoś nie przeoczyłem). Tu jest jakaś nowość - mieszanka mosfeta i jfeta http://www.ece.msstate.edu/academics/gra...
Wynika z tego że istnieje przebicie między źródłem a drenem na mosfetach PQ992 i PQ994. Natomiast na pozostałych tranzystorach PQ991 i PQ993 przebicia nie ma, jednak jest przejście między bramką a masą. 1. Sprawdzałeś na wylutowywanych? 2. Ja planujesz zmienić , zmieniaj wszystkie 4-y.
uklady z CMOS-ami sa bardzo wrazliwe na wyladowanie elektrostatyczne ,czlowieka mozna traktowac jak rezystor i kondzior (naladowany) jak ladunek z takiego kondziorka przejdzie na bramke MOSFET-a to nastapi przebicie bramki i uklad do wyrzucenia
Jeżeli nie będziesz miał kondensatorów blisko, fizycznie blisko pary BC807/817 to indukcyjność ścieżki będzie działała niekorzystnie w dwojaki sposób. Jej indukcyjność uniemożliwi szybki wzrost prądu ładowania złącza bramki MOSFET-a poprzez BC817/807. A to uniemożliwi właściwą stromość ładowania bramki i pogorszy komutację. Będziesz miał sporo cieplejszy...
IRFR9120N VGS=+-20V :/ To jest w "Absolute Maximum Ratings", czyżbyś chciał takiego w którym łatwiej przebić dielektryk bramki? Jeśli szukałeś parametru Vgs(th) to jest niżej.
witam !!robiłem kiedyś zasilacz do cb 15a na 4 równoległych mosfetach i problem sasilania bramki wyższym nap. można rozwiązać dość prosto (znalazłem sch. w nowym elektroniku) wziąłem nap. bezpośrednio z trafa (przed mostkiem) dałem mały mosteczek i zasiliłem 723 .nap na trafie toroidalnym spada bardzo mało a na kondorach ,,głównych,,więcej i wszystko...
Mosfety najczęściej ulegają uszkodzeniu właśnie w wyniku przebicia izolatora bramki. Wystarczy zabezpieczyć bramkę przy użyciu diody zabezpieczającej (transil) lub chociażby diody zenera na napięcie 15-18V.
Możesz (do każdej bramki osobny rezystor), ale zadbaj przede wszystkim o prawidłowe sterowanie bramki mosfeta, która jest w uproszczeniu kondensatorem o pojemności (dla IRF840) około 1,3nF. Proponuję nie sterować mosfeta bezpośrednio z NE555 który ma małą wydajność prądową, lecz zastosować dodatkową parę komplementarną, np. BC327 + BC337. Warto też...
W przypadku uszkodzeń w wyniku wyładowań elektryczności statycznej mamy definitywne uszkodzenie i natychmiastowo występujący trwały defekt w postaci braku działania. Nie ma, w tym przypadku, mowy o jakimś nadwerężeniu czy osłabieniu. Następuje uszkodzenie złącza półprzewodnikowego wykonanego w technologii MOS i któryś element, zazwyczaj tranzystor...
Ale nie działa czy pali tranzystor ? Jak jest uszkodzony tranzystor ? Zwarcie D-S ? Przebicie bramki ? A nie wlutowałeś odwrotnie MOSFET-A ? Czy tranzystor się grzeje ?
Dioda powinna skutecznie zabezpieczyć tranzystor przed przepięciami przy wyłączaniu; bramkę MOSFET-a można sterować poprzez opornik (nawet dość duży - prąd bramki to zwykle ułamek nA), żeby ograniczyć prąd, jaki popłynie do źródła sygnału w razie przebicia bramki. Przy przebiciu bramki nie powinno pojawić się napięcie ujemne: źródło jest połączone z...
Warto zabezpieczyć mosfet, szczególnie obwód bramki np. diodą zenera, przed przebiciem. Chciałbym również zwrócić uwagę na fakt, że obwód wejściowy tego układu powinien mieć trochę wyższy próg przełączania i najlepiej jakby tam był przerzutnik Smitha.
Cześć, błędy są. Ja na szybko widzę dwa/trzy/cztery: -BMS to nie ładowarka, jak mu podasz 5V z USB to on Ci nie naładuje pakietu ogniw 11,1V - po co mierzyć napięcie za przetwornicą, skoro przetwornica zrobi wszystko, by utrzymać to napięcie stabilne (bez względu na napięcie ogniw)? - nie wydaje mi się, by sposób podłączenia mosfeta był dobry - nie...
Na moje oko to rozerwał się mosfet od PFC. Jeżeli poszło przebicie ponad 300V na bramkę tego tranzystora to uszkodzone będzie wiele jeszcze elementów. Naprawa wątpliwa, raczej zachowaj na części do następnego.
Uszkodzony Mosfet na teście diody wartość 000 i piszczy - przebicie, zwarcie dren-źródło, prawidłowe wartości to około 536 lub przerwa zależy jak przyłożysz kable miernika do nóżek dren-źródło - mosfety z wbudowaną diodą, uważaj jak dotkniesz bramki do zacznie trwale przewodzić D-S i może Cię to zmylić trzeba go wtedy "zresetować", wcześniejsze pomiary...
elim - przecież to jest dioda Zenera zabezpieczająca bramkę mosfeta pred przebiciem...
Witam, R6 (szeregowy bramka - sterownik) = 15R R9 (pull down bramki do masy) = 5k1 :idea:->Jeżeli uległ spaleniu rezystor R6 w wyniku przebicia źródło-bramka MOSFET-a, to na 90% mógł też ulec uszkodzeniu stopień wyjściowy sterownika zasilacza.
Może by transoptorem wyłączać MOSFET-a, a nie włączać - żeby w stanie włączonym nie pobierać prądu z bootstrapu. I pomyśl o zabezpieczeniu bramki przed przebiciem.
Cześć. Wymień driver FD2103S i powinno być po problemie. Miałem to samo w ESC Xiaomi V1.4. Objaw powstał po przebiciu bramki.
czy w tych zamiennikach nie będzie przeszkadzać że te diody są nie w tą stronę chodzi mi o te diody między źródłem a bramką Jesteś spostrzegawczy, ale patrzysz bez zrozumienia. Bo czym się różnią diody Zenera połączone na te dwa różne sposoby? https://obrazki.elektroda.pl/7661163000_... Czy przyłożysz napięcie dodatnie do bramki wzgl...
Na bramce ładny przebieg prostokątny, ale MOSFET się nie przełącza i jest cały czas otwarty. BD911 dlatego, że innego nie miałem. A z tym przebiciem dren-źródło to się myliłem.
Z tego widać, że mimo przebicia, element pozostaje nieliniowy (co nie jest częste, zazwyczaj palą się na zwarcie <1 Om). Najlepiej było by mierzyć, przy wyższych napięciach, niż działa typowy test diody. Takie uszkodzenie by wyszło, gdybyś naładował bramkę z baterii i sprawdził czy przewodzi D-S, w sprawnym tranzystorze stan naładowanej bramki utrzyma...
Mosfety mogą być dowolne z kanałem N ,diody przy mosfetach to zenery zabezpieczające przed przebiciem bramek mosfetóch ,swoją drogą można smiało zastosować zenery 12V dla typowych mosfetów IRF.... Wydajnośc napiecia 15V musi być dobrana do obciążenia + pewny zapas
Sprawdź tranzystory SPW47N60C3 na "przebicie" bramka - dren.
Do pomierzenia przebicia na górnych kluczach (mosfetach) pomiędzy źródłem a drenem, a także do bramki.
Czy po podłączeniu silnika od razu takie coś się dzieje, tzn. czy jest jakakolwiek regulacja (w połączeniu z silnikiem) ? Problemem może być właśnie sterowanie bramki - tranzystor chyba ani nie wchodzi w nasycenie ani też nie wyłącza się -- zastosuj specjalizowany driver Takie bezpośrednie podłączenie do µC może powodować nieprawidłową pracę samego...
Witam, Jeśli sterowanie bezpośrednio z uP to proponuje koledze tranzystory z serii IRLZ (seria LOGIC np IRLZ44 lub wyższe oferują naprawdę spory prąd mankament to stosunkowo niskie Uds) w celu uzyskania jak największej prędkości działania wyprowadzenie uP bezpośrednio do bramki tranzystora (bez żadnych oporników), jeśli kolega użyje PWM do sterownia...
Ok udało mi się zrobi układ że schematu poniżej, na 12 V bardzo ładnie zalicza i rozłącza , ale pojawia się problem przy zasilaniu bateryjnym bo mam 25 na plusie i zastanawiam się jak zejść z tego napiecia żeby nie przebić bramki MOSFET , myślałem o zastosowaniu np 2-3 diod każda będzie miała te 0.7 spadku napięcia żeby przynajmniej do 21-22 volt zejść...
No i w tym zaproponowanym przez ciebie Vgs = +/- 12V. Jak to interpretować? Bo to jest maksimum, powyżej może nastąpić przebicie bramki. Rzuć okiem w pdf - 48 mΩ (at) Vgs = 2.5 V.
A jakby dorobić układ warunkowy? W szereg z cewką stycznika dołożyć jakiś przekaźnik. Warunkiem obecności napięcia na cewce musi być obecność sygnału sterującego mosfeta. W innym przypadku przekaźnik ma rozewrzeć styki. Najlepiej wykorzystać styki NC w przekaźniku. Jeżeli sterujesz mosfetem przez transoptor to sygnał sterujący do układu warunkowego...
Jeśli chodzi o odczytywanie danych z art katalogowych tranzystorów polowych MOSFET trzeba wiedzieć, czego szukać. Część parametrów jest opisana w sposób bardzo prosty i przystępny (BVDSS, RDS(ON) czy ładunek bramki), ale inne są już co najmniej ciężkie do zrozumienia (ID, krzywe SOA) a jeszcze inne czasami zupełnie nieprzydatne (jak np. czasy przełączania)....
91V na bramce OP2 wskazuje na częściowe przebicie mosfeta. Tego bym wymienił. Tam napięcie powinno być takie samo, jak na wyjściu GATE, lub nieco niższe. Wylutuj go i sprawdź jeszcze multimetrem, jak tu: https://www.youtube.com/watch?v=mHpY_3tz...
Katalogowe Vds to napięcie przebicia, nie pracy, więc zapas musi być, przy zasilaniu 60V dał bym min 100V, rezystancję Rdson tak żeby była znacząco mniejsza powiedzmy 50%, wpisując >100V i <22mOm wyszukiwarka TME znalazła mi IXFH110N15T2 (150V 13mOm) za ~25zł (słabsze były droższe, więc bez sensu) Rdson to 24% tego co było więc powinno wydzielić...
Wylutowałem tranzystory IRF830, dwa z nich mają przebicie między bramką, źródłem i drenem. Całe są przebite. Niestety nie oznaczyłem ich i nie wiem, które gdzie były, by sprawdzić układ sterowania mosfetami, ale z tego co widzę są sterowane przez małe tranzystory w smd (które nie wykazują żadnego przebicia między wyjściami). Mam nadzieję, że układy...
Witam Wykonałem zasilacz wg schematu poniżej. Jako, że posiadam dużo mosfetów IRFP240 chciałem je wykorzystać w zasilaczu . Zasilacz sam w sobie działa wyśmienicie, stabilizacja jest bardzo sztywna i przy obciążeniu prądem 10A napięcie spada nie mnie jak 0.02V :D Oczywiście mosfetów są 4 sztuki, połączone równolegle. Każdy z rezystorem bramkowym . Transformator...
Skoro układ był uszkodzony do tego stopnia to i sterowane przez niego tranzystory raczej też są uszkodzone- możliwe przebicie 19v do bramki mosfeta i układ ugotowany. Ps. nigdy nie włączamy laptopa bez układu przetwornicy, bo łatwo spalić zasilane przez niego elementy płyty.
BQ24735 tj. układ U509 sorry literówka Sprawdź czy mosfety Q505 i Q506 nie mają przebicia G-D, G-S (bramka-dren, bramka-źródło)
Jeśli na opornikach R1/2/3 ma być ułamek wolta, to na bramki na pewno nie trzeba (i nie należy) podać więcej, niż kilkanaście V (a ile, to zależy od typu MOSFET-ów). 50V to już jest napięcie, które dla zdecydowanej większości tranzystorów bipolarnych wymaga zmniejszenia mocy ze względu na wtórne przebicie; nie oznacza to, że te tranzystory nie mogą...
I_C/I_B=20 jednak nie wzięło się ot tak czy z zasady tylko jednak z noty i ta wartość może być inna dla różnych tranzystorów. Dobrze rozumiem? Dobrze rozumiesz, z noty, ale i z zasady/reguły. Zależy od tranzystora - te o dużej becie powinny mieć zwykle Ic/Ib=20, zwykłe 10, wysokonapięciowe (o małej becie) - 5 albo nawet 4, a specjalne 50 czy nawet...
[SOLVED] walnięta była diodka w podświetleniu + dioda Zenera ZD242 w obwodzie bramki mosfeta od 24V (na zbyt niskim napięciu dostawała przebicia i bramka nie była odpowiednio wysterowana). Po wymianie napięcie podskoczyło do 23.6V i po podłączeniu paska wszystko zaczęło prawidłowo działać. Niestety samo podświetlenie od ciepła i wymiany ledów jest mocno...
1N4007 raczej jest za wolna, użyj UF4007. Poza tym wyłączanie MOSFET-a może trochę potrwać - jaki on ma ładunek bramki? Niestety w nocie katalogowej na Elenota.pl brak parametru "Total Gate Charge" dla BUZ10 i nie ma BUZ103S (jest dla BUZ102S - typowa 45nC, maksymalna 70nC, przy napięciu drenu 40V); dla BUZ10 podają parametry szybkości przełączania...
Nie pamiętam czy już to pisałem w bieżącym wątku, jeśli tak to dla przypomnienia - tranzystory MOSFET/IGBT ulegają uszkodzeniu od: 1. przebicia tlenkowego izolatora bramki, dlatego należy stosować transile zabezpieczające obwody bramek, 2. przeciążenia termicznego, czyli przegrzania struktury krzemowej od nadmiernej mocy wydzielanej w tranzystorze....
Jeśli przebiło mosfeta trzeba się cofnąć po bramce i sprawdzić driver a wcześniej diodę,ew. rezystor bo wątpię żeby przebicie doszło aż do mikrokontrolera bez zabezpieczeń po drodze.
Mamy jak w każdej indukcji tranzystory IGBT zatem nie rób zamieszania... Przepraszam za wcześniejsze nieporozumienie. Jeśli mówimy o tranzystorach IGBT, które są często stosowane w układach zasilania i sterowania silników w płytach indukcyjnych, to faktycznie rozważamy zupełnie inny scenariusz. Tranzystory IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) łączą...
Tak, wygląda na sprawny, nie widac "zwisów" na przebiegu, czyli wyjścia driverów dają impulsy push-pull do sterowania bramek MOS. Jest szansa, że przeżyły strzał po przebiciu bramki i spaleniu rezystora R207. Warto by było też, mając oscyloskop sprawdzić przebieg na wyjściu mostka MOSFET: dren Q205 w stosunku do masy, czy przebieg jest symetryczny w...
W stanie wysokiej impedancji, więc bazy tranzystorów sterujących są w powietrzu. Konieczny byłby zewnętrzny pull-up/down i przemyślane konfigurowanie portów. Górne MOSFETy nie załączą się całkowicie a przy niskim VBAT może nawet wcale - bramka musi być zasilana przynajmniej 10V powyżej VBAT. Przy silnie niesymetrycznym sterowaniu bramki (5.6k/tranzystor),...
Korzystając z wolnego weekendu uszyłem opisywany wzmacniacz, sprawdziwszy po kilka razy zgodność połączeń ze schematem, zero błędów, zero mikrozwarć, zero zimnych lutów. No i mówiąc krótko - nie działa. Oba kanały zachowują się tak samo, mianowicie: - żarówki świecą tak, że bez okularów przeciwsłonecznych nie podchodź (dostają 22V, aż dziwne że sie...
Czyli zasilanie na układzie jest. 1. Zaczynamy od kontroli zwarcia bramka-źródło mosfeta TAK - zener zabezpieczający lub przebicie mosfeta - wymieniamy element (zener 15V katodą do bramki) NIE - oscyloskopem wejście bramki do źródła (masa gorąca) 2. impulsy na bramce TAK - rezystor źródło - masa gorąca (minus) - powinien mieć ułamek oma (0,47 - 0,33)...
Zmierz rezystancję na porcie D/C# w stosunku do masy, porównaj z innymi liniami GPIO, mała rezystancja rzędu omów, czy nawet setek omów świadczy o przebiciu wyjścia portu. Zmiana o 30 mV na porcie który powinien dawać 0 i 3V to śmieci pomiarowe albo efekt uszkodzenia(przebity tranzystor masowy na wyjściu komplementarnym). Co do otwierania PQ28, 3V różnicy...
Moim zdaniem ten rezystor jest w celu ochrony drivera w razie przebicia MOSFETa i może mieć kilkaset Ohm, bo MOSFETy steruje się napięciem.
Co to znaczy naładowac bramke? Jak to zrobic? Bramka jest oddzielona galwanicznie od kanału i tworzy z nim rodzaj kondensatora. Jeżeli pomiędzy bramkę a źródło doprowadzisz jakieś napięcie to kondensator ten się naładuje. Jeżeli napięcie pomiędzy bramką a źródłem jest wieksze od napięcia progowego dla danego typu tranzystora MOSFET to tranzystor zacznie...
Tak, na pewno jest uszkodzony. Masz przebicie na bramce. To co zrobiłeś na tym filmiku od 1:06 już wystarczy by zabić mosfeta.
Witam Panowie, Zajmuję się aktualnie sterowaniem cewki przy użyciu tranzystora MOSFET AO3400A. Generalnie chcę uzyskać możliwość sterowania przepływem prądu przez tę cewkę. Schemat przedstawiam poniżej. Napięciem bramki steruję za pomocą przetwornika C/A płytki STM32 poprzez zadawanie wartości napięcia w komputerze (komunikacja UART między mikrokontrolerem...
Uważam, że ani MOSFET, ani IGBT nie nadaje się do pracy jako zabezpieczenie, gdyż stosunkowo łatwo w awaryjnej sytuacji jak przepiecie, zwarcie (szczególnie gdy na zasilaniu są kondensatory dużej pojemności), ulega uszkodzeniu przez zespawanie kanału zmieniając się w kompletne zwarcie. Co gorsza przebiciu ulega też zwykle bramka co może usmażyć układ...
Mosfet wygląda na typu N. Nie wnikając w jego datasheet popełniłeś dwa błędy (moim zdaniem). 1. Mosfet się nie wyłączy w rozsądnym czasie, bo brak jest rezystora rozładowującego bramkę (łączącego bramkę ze źródłem). 2. Mosfet ulegnie przebiciu napięciem 24V jeśli obciążenie będzie pojemnościowe (o małej rezystancji). Należałoby zabezpieczyć złącze G-S...
Mam pytanie bo coś nie jażę Czy pierwsza dioda ma być na napięcie 6,2V czy na 62V i druga dioda równolegle do P1 ma być na 8,2V czy na 82V Pozdrawiam Piszę tak, jak jest przyjęte i drukowane na diodach Zennera: 6V2 oznacza 6,2V, podobnie dla rezystorów 6k2 oznacza 6,2kΩ, nie 62kΩ. Tak trudno zjarzyć? Diody zabezpieczające bramki przed przebiciem...
Ten schemat to herezja. Enhancement mode NMOS aby go otworzyć potrzeba podać mu na bramkę napięcie wyższe niz potencjał żródła. Zeby go zamknąć - równe; może być i niższe tylko mało w tym sensu. Twój układ zrobi źle (na bramkę poda VCC, które 'być może' [w pewnych okolicznościach] będzie wyższe od potencjału źródła i skonczysz z półotwartym tranzystorem...
Masz racje... "Nie, dioda Zenera nie będzie generowała szumu, ponieważ napięcie 2.81V jest poniżej napięcia znamionowego 3.3V, co oznacza, że dioda nie jest w trybie przebicia lawinowego. Przy tak małym prądzie (131pA) szum jest praktycznie nieistotny. Nie jest to również punkt przebicia – dioda znajduje się w stanie przed przebiciem, działając jak...
Możesz tylko zmniejszyć ich prawdopodobieństwo i nasilenie, nie da się powiedzieć jak masz robić żeby ich na pewno nie było. Przynajmniej nie w pająkach :) Trzeba trzymać z dala przewody i elementy mocy od elementów sterujących, odpowiednio poprowadzić masy mosfetów i sterownika, trzymać z dala obwody bramek od obwodów drenów, wszystkie elementy montować...
Ewentualnemu przebiciu tranzystora MOSFET (w takich lub innych okolicznościach) może zapobiec dioda Zenera podłączona między bramkę a źródło. ZF Dodano po 20 Istotnie, gdy nie ma zwarcia, napięcia na wszystkich elektrodach T3 są niewielkie. ZF
Proszę delikatnie ściągnąć zewnętrzną obudowę FRC1C albo dokładnie opisać jak ona wygląda . obudowa zdjęta http://obrazki.elektroda.pl/3482828500_1... Wylutowałem i sprwadziłem 4 Mosfety co do, których wcześniej miałem podejrzenia. Wszystkie sa ok. Dodano po 8 Chyba znalazłem pierwszy uszkodzony element. Na przeciwnej stronie BMS, tej...
ad 1. Ale czy ten pullup jest stale, czy dopiero w chwili konfiguracji pinu IO przez software? Niektóre ARMy mają możliwość zapamiętania konfiguracji i wtedy jest ok. Jeśli jednak dopiero software konfiguruje ten pull up masz stan nieustalony do momentu aż zostanie on skonfigurowany, czyli potenc jalny glitch na magistrali RS485. Nie jest to wielkim...
To pewnie zależy od przyczyny uszkodzenia: podanie zbyt wysokiego napięcia na bramkę i jej przebicie pewnie nie spowoduje zwarcia drenu ze źródłem; zbyt duży prąd spowoduje.
Pamiętam że ten problem przewijał sie na forum kilkukrotnie, w oryginale brak było układu rozładowywania pojemności bramki. Piszesz że przebiegi na bramce poprawne to znaczy jakie? Jak wygląda napiecie na drenie, czy dochodzi do przebicia lawinowego w mosfecie?
Tak, to był ten film, gdzie skorzystałem z pomysłu obejścia problemu dla przetestowania czy odpali :) Zastanawia mnie czemu nie chciał odpalić po pierwszym wlutowaniu... Dodano po 1 Niestety sytuacja się powtórzyła, włączyłem, wyłączyłem pilotem i złożyłem obudowę. Po złożeniu znów nie działa. Wylutowałem wszystkie elektrolity w okolicy, są jak nowe...
Diodę możesz wstawić na 12V - nic nie zepsujesz. Służy ona zabezpieczeniu bramki tranzystora przed przebiciem zbyt wysokim napięciem. Zazwyczaj mosfety mają napięcie Ugs graniczne +-20 do +-30V, więc najwłaściwszym wydaje mi się zastosowanie diody na 18V (co jest często praktycznie stosowane). Co to za IC901 - poszukaj noty aplikacyjnej. Sprawdź koniecznie...
Jak wygląda sprawa z tranzystorami MOSFET wykonanych z azotku galu w sterownikach silników? Producenci zachwalają ich parametry, jednak sterowanie bramką ze względu na niskie napięcie przebicia czy specyficzna obudowa mogą stwarzać problemy w praktyce.
Rozwiązanie z diodą jest pewniejsze, choć ma wadę w postaci strat mocy na diodzie. Innym sposobem jest zastosowanie diody równolegle do zasilania włączonej zaporowo, a przed układem bezpiecznik typu F (o ile F można zastosować). A jeszcze lepszym jest odpowiednio wstawiony MOSFET. Choć przy zasilaniach większych niż 20V nie może to być sam MOSFET (musi...
Jak tranzystory dales na 200V to na pewno nie wina napiecia przebicia. Jest na forum znany pewien schemat wzmaka na tranzystorach n-mosfet ktory zwie sie niszczycielem mosfetow :) Zazwyczaj spalenie mosfetow wynika z klopotow z pradem spoczynkowym ktory nagle wzrastajac pali tranzystory. A napiecie dren zrodlo mozesz zbadac po podlaczeniu zasilacza...
Zobacz na napięcie progowe, w przypadku obu 2...4V, napięcie progowe to napięcie przy którym tranzystor zaczyna przewodzić, czyli płynie przez niego 1mA albo 250uA, do tego żeby przewodził jakiś konkretny prąd potrzeba >5V, a żeby nie wszedł obszar nasycenia* daje się 8-12V. Jeśli układ ma mieć dobrą sprawność to napięcie na bramce nie może być za niskie....
Mosfet najczęściej właśnie uszkadza się w ten sposób, niezależnie od przyczyny. Zacytuję też odpowiedź (at)tmf na innym forum: "Uzytkownik "T.M.F." napisal w wiadomosci Jakie sa typowe uszkodzenia tych tranzystorow? Zwarcie zrodlo<->dren czy Zwarcie bramka - dren i zródlo dren Na rozwarcie nie padaja, chyba, ze po wybuchu lub sporadycznie gdy...
Między bramkę i procesor dajemy rezystor rzędu 33Ω - 47Ω, nie pytajcie po co, zawsze się nad tym zastanawiałem ale producent tak zaleca. Podstawowe przyczyny są dwie: zabezpieczenie MCU przed przepływem zbyt dużego prądu ładowania bramki oraz przed przepięciem w przypadku przebicia bramka dren (lub impulsem od włączenia napiecia drenu przeniesionym...
Vgs ma za małe [url=https://www.infineon.com/cms/en/pro... Przebije bramkę i będzie po tranzystorze.
Witam, chciałbym prosić forumowiczów o pomoc w rozwiązaniu następującego problemu: "Popełniłem" układ bardzo podobny do tego, który przedstawił Jarek_b na rys.3 a mianowicie: http://obrazki.elektroda.net/54_12881207... Gdy odłączę MOSFET-a od zasilania to sam BC817 pracuje dokładnie tak samo jak obliczyłem na papierze a co najważniejsze gdy Ub =...
Kolega przyjrzy się układowi UC2906 lub UC3906. Układ ma ogranicznik prądu ładowania, który może sobie kolega potencjometrem regulować. Układ może pracować jako ładowarka dwustanowa ładująca prądem o określonej wartości do 16V i przechodząca w stan podtrzymania ładując akumulator bardzo małym prądem do czasu aż napięcie spadnie do wartości 14.5V i znowu...
Witam! Na podstawie bloga [url=http://mikrokontrolery.blogspot.com... stworzyłem schemat prostego sterownika silnika 3f. Założenia: - sterowanie poziomem napięć 0-3V3, - maksymalna moc silnika 60W - zasilanie z baterii 7,4V (lecz maksymalne dopuszczalne napięcie 12V), - jak największe odciążenie procesora. - częstotliwość...
Dziękuję pięknie. No to jest przebity bo ma zwarta jedną bramkę
1. Dla kilku Hz możesz sobie odpuścić. 2. Czasami. Bramka MOSFETA zachowuje się jak kondensator. Przy jego przeładowywaniu może płynąć spory prąd, stąd rezystor. Drugi powód - jeśli z jakiegoś magicznego powodu dojdzie do przebicia bramki to rezystor ochroni port mikrokontrolera. 3. Nie jeśli obciążeniem są LEDy. 4. Nie jest potrzebna, tym bardziej,...
Kolega z powodzeniem uruchomił lampę plazmową ze sterownikiem w układzie mostkowym - 4x IRFZ44, zasilanie mostka około 25..30V. Mosfety (które niewiele się grzały) sterowane były sygnałem prostokątnym przez dodatkowy transformator impulsowy z osobnymi uzwojeniami wtórnymi dla każdego tranzystora. Układ z 1 mosfetem jest niedopracowany i sprawia wiele...
Widzę, że brak odpowiedzi, jak sprawdzić. To, co piszę, dotyczy przede wszystkim MOSFET-ów włączanych - które są wyłączone przy zerowym napięciu na bramce; istnieją też wyłączane, ale rzadko się je spotyka. Po pierwsze, sprawdzić miernikiem (omomierzem), czy nie ma zwarcia lub upływności. MOSFET ma zwykle diodę (może być pasożytnicza, ale raczej spotykałem...
Struktura tranzystora MOSFET 2SK2134. Obudowa TO-220AB, kanał typu N. Podstawowe parametry: Maksymalne napięcie dren-źródło- 200v Napięcie bramki ±30V Prąd przewodzenia 13A (39A w impulsie) Rezystancja otwartego kanału 0.4Ω https://obrazki.elektroda.pl/3046474900_... Po lewej stronie widzimy resztki wyprowadzenia bramki, po...
A cena tego urządzenia (wraz z oprogramowaniem) to nie przekroczy ceny roweru, bo to na jakieś perpetuum-mobile na pedały wygląda ? ;) Bramki MOSFET-ów możesz przecież sterować z wtórników emiterowych (najlepiej symetrycznych NPN-PNP dla uzyskania symetrycznej dwukierunkowej wydajności prądowej) to nie muszą być aż układy scalone. Pamiętaj tylko w tym...
BU208 jest podatny na drugie przebicie - sprawdź, jaki ma bezpieczny obszar pracy, przypuszczam że zbyt powolne włączenie, pojemność w obciążeniu, powolne wyłączenie, indukcyjność w obciążeniu mogą spowodować spalenie tego tranzystora - istotny jest czas, przez który i prąd, i napięcie będą duże, Typowego mosfeta włącza napięcie bramka-źródło: powyżej...
Nie bedzie stanow nieustalonych bo rezystor na bramce bedzie zwieral do masy wiec gdy nie bedzie sygnalu z uC wtedy bedzie mosfet zatkany. Jedyne czego sie mozna obawiac to zaklocen i ew strat w razie przebicia ale to juz calkiem inna bajka.
MOSFETy są bardziej narażone na zniszczenie za pomoca ładunku elektrostatycznego, dlaczego? Bramka jest od podłoża odizolowana dielektrykiem o napięciu przebicia rzędu kilku-kilkudziesięciu woltów. Kilkanaście razy więcej masz na sobie człapiąc w klapkach i polarze w suchym pomieszczeniu. Krótko mówiąc: eletryczność statyczna jest w stanie je z łatwością...
On ma chyba za małą rezerwę napięcia, żeby transil wystarczył - no i kwestia strat w tym transilu, czy się nie przegrzeje. (chodzi mi o tego MOSFET-a z dopuszczalnym napięciem 25V - swoją drogą nie wytrzyma odwrotnego podłączenia akumulatora - trzeba poszukać jakiegoś na większe napięcie, choćby miał większy opór włączenia) Dość prosty układ, to kondensator...
mosfet przebicie przebicie mosfet rozładowanie bramki mosfet
nierówny praca gaźnik kosiarka czułość anteny ładowarka kontrolka ładowania
falownik wyłącznik różnicowy wyrzucenie różnicówki
Montaż sprężyny zestykowej w Stihl 026 - krok po kroku Wpływ uszkodzonego czujnika wału korbowego na kąt wtrysku w VW LT 2.5 TDI