Musisz zrobić zasilacz impulsowy, działa on na takiej zasadzie że podaje napięcie a gdy zostanie przekroczona granica np 3.3V to je odcina. Dzięki bardzo szybkim zmianom stanu przewodzenia i kondensatorowi na wyjściu, da się uzyskać bardzo stabilne napięcie 3.3V nawet z 400V. Do tego ma wysoką sprawność bo niemal całe straty są np w MOSFET działającym...
Trochę się zastanawiałem nad odpowiedzią, gdyż nie mam za wielkiego doświadczenia w półmostkach gdzie nie ma rezonansu, ale jednak nie ma aż takich rozbieżności. Zacznijmy od tego że nie powinno się odpalać półmostków bez obciążenia. Dlaczego? Bo występuje wtedy najgorsza forma przełączania - hard swiching. W takim wypadku prądy przeładowania się pojemności...
Czy może mi ktoś podpowiedzieć, jak obliczyć straty podczas otwierania tranzystorów? Chodzi mi oczywiście o sam proces otwierania, ponieważ potem to już pestka policzyć straty w stanie przewodzenia. Mam na myśli MOSFET i IGBT, chociaż pewnie IGBT zachowuje się w tym temacie identycznie jak bipolarny. I ja wiem, że te czasy przełączenia są śmiesznie...
Irfz ma około 100w co na moje potrzeby za mało. Podejrzewam że nie za bardzo dobrze liczysz swój projekt. Mosfet IRFZ44 zastosowany jako czysty klucz (jak to jest przy pracy PWM) nie wydzieli pełnej mocy granicznej z jego specyfikacji, bo mamy dla niego max 50A i opór kanału <0,028om (opieram się na specyfikacji firmy Vishay) czyli ledwo 14W. Jeśli...
ale to jest tylko kwestia, czy zanikanie prądu będzie z powodu rozładowania kondensatorów, czy z powodu wyłączenia tranzystora. Właśnie w tym autor ma problem: przesadziłem trochę z pojemnością kondensatorów co oznacza stopniowy zanik prądu cewki Ah, no tak. Źle zinterpretowałem Twoją wypowiedź. Jeżeli chodzi o odpowiedź jarka, nie mogę się z nią zgodzić....
Witam, Quarz bardzo dziękuję za wyjaśnienie, teraz już jestem w domu. jeszcze tylko jak by mi ktoś powiedział czy IGBT mają większą sprawność niż MOSFET tzn miej tracą mocy to byłbym szczęśliwy. cieszę się, iż znalazłeś swój dom... :D Odnośnie sprawności, w ścisłym tego słowa znaczeniu, to będzie można mówić, kiedy porównamy konkretne typu tranzystorów...
W specyfikacji tranzystora masz podane przeważnie max prąd na bramce. Wylicza się go jako różnice potencjału miedzy stanem hi i lo. Czyli napięcie max jakie używasz to stanu przewodzenia z odjętym napięciem stanu blokowania. Np jak na bramkę możesz podać 15 V lub zewrzeć do masy to masz 15V - 0 V = 15 V. Podobnie jak możesz podać 10 V ale masz źródło...
Tranzystory KD502 mam 4 sztuki połączone równolegle na wspólnym ogromnym radiatorze. Zaletą tego jest cicha praca takiego zestawu, a radiator grzeje się już przy 10 A. To jest kwestia, jaką moc potrzebujesz wytracać na tych tranzystorach - większy prąd z tego samego tranzystora to niższe napięcie i czasem mniejsza moc strat w tranzystorach regulujących...
Oczywiście, że równoległe. Tak, teoretycznie tak to wygląda, chociaż obawiam się, że nie trafisz na na tyle podobne parametrami mostki, że prąd będzie się rozkładał "równo" między mostki. Musiałbyś mostki mierzyć (głównie napięcia przewodzenia), wybrać 2 najbliższe sobie, oraz co najważniejsze porządnie sprząc je termicznie. Znaczy przykręcić blisko...
MOSFET ma stosunkowo dużą rezystancję kanału SD w czasie przewodzenia i nie nadaje się do sterowania np. silnika (duże straty mocy). IGBT jest konstrukcją złożoną z MOSTETa i tranzystora bipolarnego. Połączono w nim właściwości sterowania napięciowego MOSFETa z niską rezystancją przewodzenia tranzystora bipolarnego. :)
Zakładając że jest wysterowany prawidłowo i otwarty "w całości" to wg noty katalogowej IRF 540 ma RDS(ON) = 0,077 OHM. Przy 5A moc odłożona na tranzystorze przy ciągłej pracy ( tylko przewodzenie) to I*I*R co daje 1,925 W . Jeżeli nie masz żadnego radiatora to ten tranzystor musi się grzać. Taki np AUIRFB4410 z TME za 5 zł (10 szt. ) ma RDS(ON) = 0,01...
Nie doczytałem. Zwierając bramkę ze źródłem, albo masą, prąd nie będzie płynął, tylko przez chwilę rozładowywania pojemności bramki. Wcześniej wspomniane przez mnie straty występują w stanie przewodzenia . ;)
Przy charakterystyce indukcyjnej dioda będzie przewodziła, ale wtedy komutacja klucza następuje miękko, więc straty dynamiczne będą dużo mniejsze i w sumie się wychodzi że straty ogólnie będą mniejsze. Ogólnie te 1060nC to dla warunków, które nie osiągniesz (złącze 150 stopni censjusza, bardzo duże di/dt itp) w normalnej pracy i są mocno zawyżone.
MOSFET przede wszystkich królują w układach przełączający (impulsowych). Wielokrotnie szybsze przełączanie, zdolność przewodzenia dużych prądów, zazwyczaj mniejsze straty przewodzenia... Ponadto znacznie łatwiejsze sterowanie - żeby utrzymać MOSFET włączonym nie trzeba żadnych specjalnych zabiegów (starczy przeładować w celu przełączenia pojemność bramki,...
Dla napięcia sinusoidalnego wartość średnia wynosi 0, dlatego wprowadzono coś takiego jak wartość skuteczna. Dla przebiegów których wartość średnia jest zerowa określa sie wartość średnią bezwzględną (średnią wyprostowaną). A więc średnia czy skuteczna? wybiera się tą która lepiej opisuje dane zjawisko. Np. w danych katalogowych diody prostowniczej...
Musisz podać jeszcze czasy narastania/opadania zboczy kluczujących, współczynnik wypełnienia. Zakładamy, że tranzystor w czasie przewodzenia jest w pełni otwarty ( napięcie G-S >= 10V ).
Z noty katalogowej przesłanego tranzystora wynika, że maksymalne napięcie baza-emiter to 9V. Czyli rozwiązanie nadal wymaga dzielnika napięcia przy PU rezystorze. W przypadku tranzystorów BJT istotne jest nie napięcie ( w uproszczeniu ) a prąd, który wpływa do Bazy. A napięcie 9V o którym napisałeś odnosi się do wartości napięcia wstecznego a nie w...
Na tranzystorach MOSFET powinny być dużo mniejsze straty mocy podczas przewodzenia niż na diodach prostowniczych. Wszędzie tam gdzie występują większe moce powinno być stosowane takie rozwiązanie celem oszczędności energii. Z drugiej strony jak taki sterownik będzie podatny na zakłócenia i działał nie prawidłowo to katastrofa dla zasilanych układów....
Trudno znaleźć sens w tym co piszesz. Dioda zabezpieczające bramkę (między G-S) występuje w nielicznych tranzystorach MOSFET/IGBT i nie przewodzi przy normalnej pracy, kiedy zaczyna przewodzić to znaczy że tranzystor został by uszkodzony gdyby jej nie było. Możliwe że chodziło ci o diodę pasożytniczą pomiędzy D i S (zwaną też body diode), nie ma tranzystorów...
Przy częstotliwości 100kHz na przełączanie tranzystora bipolarnego tracimy 30% czasu. Ok. 1us trwa włączanie tranzystora i ok. 2us wyłączanie. Tranzystory bipolarne w nasyceniu wyłączają się bardzo niechętnie. Straty na przełączaniu przy 100kHz można szacować na 15-20% mocy wyjściowej. Co do rezystancji Rdson MOSFETów - można sobie dobrać taki MOSFET,...
Rzeczywiście grzeje się termistor a nie warystor, było pełne zwarcie na mosfecie od pfc i po prostu prąd płynący przez halogen 500w powodował nagrzewanie. Mostek, kondensatory, diody sprawdzone. Po wylutowaniu mosfeta zasilacz pracuje normalnie z tym że bez pfc oczywiście. Sprawdzę czy na wyjściu układu IR1155 mam jakiś przebieg prostokątny. Wcześniej...
Tranzystor na pewno się nadaje, ale... To wykres SOAR i źle go interpretujesz, n.b. wcale go tu nie potrzebujesz. Pod warunkiem, że odpowiednio wysterujesz tranzystor (wartość napięcia sterującego Vgs, wydajność prądowa tego źródła) ważne jest Rdson - a ono zależy od Vgs. Wówczas moc strat w czasie przewodzenia P=Uds x Id, Uds=Rdson x Id, więc P=Rdson...
Nie bardzo rozumiem co ma napięcie przewodzenia na mosfecie do jego strat? Jak można to proszę na moich wyliczeniach pokazać gdzie jest błąd, gdzie czegoś nie uwzględniłem bo nie fajnie było by jak po złożeniu nie działało by to tak jak oczekiwałem.
11,6V to nominalne, czy zmierzone? Jeśli zmierzone bez obciążenia, to przy bardzo małym obciążeniu dostaniesz 64V na kondensatorze. Nominalne warunki pracy takiego transformatora, to szczytowy prąd około 12A, i napięcie szczytowe zmniejszone o 3,3V (o 5%); można mieć około 60V na kondensatorze przy prądzie szczytowym jak dla nominalnych warunków pracy,...
Gdy nie ma rezystora Rg na bramce to i tak mamy rezystancję wewnątrz bramki mosfet oraz rezystancję drivera, więc zawsze te 2 ohm będzie. Ale co to daje i czym to grozi? Zależy od topologii, ale może mieć pozytywne (mniejsze straty dynamiczne) jak negatywne (większe zakłócenia, w half-bridge może spowodować załączenie dwóch kluczy na raz na krótki czas)....
Diody zwrotne w mosfetach (pasożytnicze tak naprawdę) mają kiepskie parametry dynamiczne i nawet po wprowadzeniu czasu martwego może dochodzić do przewodzenia skrośnego, szczególnie przy tak dużych częstotliwościach. Proponuję odseparować te diody w mosfetach przy użyciu szeregowej diody schottky'ego i dodatkowej szybkiej diody zwrotnej. Zamiast mosfetów...
Tu trochę nie rozumiem. Jak wstawisz bardzo duży rezystor R71 (rezystor kolektorowy tranzystora bipolarnego, on też pośrednio ogranicza prąd bamki tranzystora MOSFET) to bramka tranzystora będzie się wolniej ładowała, tranzystor MOSFET będzie się wolniej włączał, a więc będzie się bardziej grzał, a to i ciepło do odprowadzenia i marnowanie energii...
(...) Próbowałem opracować schemat prostownika pełnofalowego na IGBT, szukałem też w Sieci i poległem :-( , (...) duuużo mniejszy spadek mocy na złączu niż w diodzie - nawet diodzie Shotkiego. Wg mnie prostownik na diodach jednak ma mniejsze straty, bo spadek napięcia na IGBT w stanie przewodzenia to jakieś 2,5V. Może masz na myśli jakieś MOSFETy?...
Skoro to wentylator na 5 Voltów i o mocy 1.2 Watt to chociażbyś dał gigantyczny tranzystor z radiatorem to i tak więcej nie popłynie (przy prawidłowych warunkach pracy - wykluczamy zwarcia na wentylatorze itp.) więcej niż 0.24 Amperów prądu. Nie pamiętam jaki dozwolony prąd może płynąć przez BC547B, ale jeśli to za mało to możesz dać inny tranzystor....
Witam, ponieważ prąd jest duży a napięcie raczej małe (akumulatory samochodowe) proponuję zainteresować się koncepcją pod tytułem "mosfet bridge rectifier". Współczesne mosfet'y na niskie napięcia mają dość nienormalnie małe rezystancje kanału (poniżej 1 mΩ), moc strat takiego prostownika może być dziesięciokrotnie mniejsza, albo i lepiej. Jeżeli...
Wybacz meteor77 być może moją głupotę ale niby dlaczego nie bedzie LDO kiedy dobre n-ki mają RDS(on) na poziomie 0,02 więc spadek kupe mniejszy niż ten P-ek który tu zastosowałeś który ma RDS(on) 0,5 Ohm więc wytłumacz o co ci chodzi z tym że straci LDO w końcu na tym p-ku będzie spadek 2,5 V przy 10A? A bipolary mają nap. przewodzenia 0,6 V więc na...
Po kolei. Główna przetwornica robi tylko napięcie 12V. Z niej małe przetwornice DC-DC robią pozostałe napięcia. Diod prostowniczych w takich konstrukcjach się nie używa - spadek napięcia rzędu 0,7V, przy prądzie rzędu 100A (a chwilowym ponad 200A) to straty na które nie można sobie pozwalać. Zamiast tego stosuje się prostowniki synchroniczne, gdzie...
Zobacz na napięcie progowe, w przypadku obu 2...4V, napięcie progowe to napięcie przy którym tranzystor zaczyna przewodzić, czyli płynie przez niego 1mA albo 250uA, do tego żeby przewodził jakiś konkretny prąd potrzeba >5V, a żeby nie wszedł obszar nasycenia* daje się 8-12V. Jeśli układ ma mieć dobrą sprawność to napięcie na bramce nie może być za niskie....
"Nie stosuje się" to tak jak "nie trzeba wymieniać oleju w skrzyni biegów" w autach. Producent po prostu chce sprzedać więcej akumulatorów, a ładowanie "na chama" nieograniczonym prądem nie zbyt zdrowe. Schemat kolegi Jarka jest tu chyba najprostszym rozwiązaniem. Aczkolwiek jak wspomniałem, przy 12V ma kolega spore prądy, nawet stosując diodę schottkiego,...
od kiedy używa się maximum rantings z dokumentacji? _lazor_ od kiedy podaje się niezgodnie z faktami że maximum ratings to 15V podczas gdy wynosi ono 20V (30V dla AC) dla tranzystora i 30V dla układu UC3843? Tranzystor ma wbudowane transile na bramce a do tego dodany jest zewnętrzny transil na 18V. Po drodze jest też dioda UF4007 więc napięcie zasilania...
Przetwornice dużej mocy najczęściej buduje się na IGBT, a czy konstruuje się na MOSFETach? MOSFETy są szybsze od IGBT, co daje szanse na pracę z wyższymi częstotliwościami i mniejszymi stratami przełączania, jednak wraz ze zwiększaniem maksymalnego napięcia Uds rezystancja w stanie włączenia rośnie z kwadratem (przy danej wielkości struktury) co powoduje...
Nie jestem w tej dziedzinie wybitnym specjalistą ale mam wątpliwości co do poprawnego działania układu który chcesz wykonać. Po pierwsze napięcie otwierania tego MOSFETa. W specyfikacji faktycznie jest podana wartość koło 3V ale jest to zdaje się napięcie progowe przy którym tranzystor dopiero zaczyna się otwierać. Do pełnego otwarcia potrzebne jest...
Taki prostownik to dwa prostowniki jednopołówkowe podłączone do końców uzwojeń dających napięcie w przeciwfazie. Na schemacie masz na uzwojeniach początki oznaczone kropkami. Jedna dioda jest przy końcu z kropką, druga przy końcu bez kropki. Diody przewodzę naprzemiennie, co daje prostowanie dwupołówkowe. Miało to sens gdy diody były bardzo drogie....
Coś takiego... czas startu jest określony przez stałą czasową C1*R1*R2/(R1+R2), napięcie na bramce przez Uwyprostowane*R1/(R1+R2), prąd początkowy jest ograniczony do Uwyprostowane/R3; drobna niedogodność jest taka, że podczas włączania się MOSFET-a przez chwilę wydziela się w nim duża moc, zwłaszcza jak się wyłączy na chwilę, i włączy tak, że C2 zdąży...
... i w tym układzie spadek napięcia między uzwojeniem 7,5V, a wyjściem, jest tylko z napięcia przewodzenia jednej diody, tętnień, oraz napięcia kolektor-emiter 2N3055; tylko przy 25mF (C1) i 10A w czasie bez przewodzenia diody napięcie na C1 będzie maleć z szybkością 400V/s, a więc zmaleje ze 3V; powiedzmy, że szczytowe napięcie będzie 10V, na diodzie...
....Można też przerobić układ na PMOS + NMOS. co napewno jest prostsze przy zasilaniu z 12V. 1) Znajdź MOSFETa z kanałem P o prądzie przewodzenia ponad 20 A 2) Zobacz w katalogu ile wynosi RDS(on) 3) Policz moc strat w tranzystorze . 4) Zapomnij o MOSFETach z kanałem P przy takich prądach .
Sygnał sterowania pochodzi z mikrokontrolera STM32 więc sygnały sterujące będą miały napięcie 3,3V (DIRA, DIRB i DIRC na górze). Przyjęta tu przez Ciebie koncepcja sterowania trzema sygnałami z uC (oszczędzająca jedną bramkę wobec przykładu z linku) jest potencjalnie niebezpieczna bo nie eliminuje w sposób pewny sytuacji zwarcia zasilania przez dwa...
No tak, ale powstaje takie pytanie, czy w przypadku, kiedy przez diodę przechodzi napięcie z portu USB, to czy ono nie jest obniżone, jak przy standardowej diodzie z mojego schematu nr 2? Jest oczywiście obniżone, kiedy prąd z USB płynie tylko przez tą diodę. Powiedzmy że będzie tam ok. 4V nawet mniej. Ale to napięcie zasilania już wystarczy by działał...
Myślę, że układ z MOSFET-em zajmie więcej miejsca, niż z triakiem, i będzie miał większe straty na diodach, niż układ z triakiem na triaku - może sprawdź w notach katalogowych, jak porównuje się napięcie przewodzenia triaka i suma napięć przewodzenia dwu diod mostka? A jeśli chodzi o sterowanie i charakterystykę sinusa, to czy potrzeba mieć liniową...
1. Jakie sposób zasilania kostki będzie lepszy? 5V czy więcej (np. 9V)? Wyższe napięcie daje mi trochę „zapasu” i mogę użyć większych rezystorów, przez co ewentualne wahania prądu płynącego przez diodę powinny być mniejsze*, ale z drugiej strony zwiększy to pobór mocy oraz konieczne będzie dodatkowo obniżanie napięcia żeby zasilić mikrokontroler....
Taki SSR DC to tak naprawdę nic innego jak zwyczajny tranzystor mosfet z osprzętem pomocniczym. Jeśli czuje się kolega na siłach to można kupić kilka zwyczajnych IRF540 lub podobnych (byle oryginały), spiąć równolegle i straty będą generalnie minimalne, w granicach kilku W. IRF540 pojedynczy ma maksymalnie 0.077Ω w stanie przewodzenia. Moc strat...
W układzie zastosowano tzw. nastawialny czas martwy (ang. DEADTIME). Stosuję się tu odpowiedni rezystor np. o wartości rezystancji 100R. Czas martwy to czas jaki występuje pomiędzy załączeniem jednego a wyłączeniem drugiego tranzystora. Jeśli już dojdzie do takiego zjawiska jakim jest prąd skrośny (ang. CROSS CURRENT CONDUCTION) do którego dochodzi,...
W przetwornicy step-down "buck" na LM2596 po otwarciu klucza (wbudowany w LM2596) dławik wymusza dalszy przepływ prądu i ten prąd płynie przez diodę D1; przy zamkniętym kluczu prąd dławika narasta, bo napięcie wejściowe jest wyższe od wyjściowego, po otwarciu klucza prąd maleje, bo "napięcie wejściowe" to minus napięcie przewodzenia D1 (a szybkość...
czy STP11nk50zfp jest zamienny z STP10nk60fzp ? STP11NK50ZFP i STP10NK60FZP to tranzystory MOSFET typu N produkowane przez STMicroelectronics. Aby ocenić, czy są zamienne, należy porównać ich kluczowe parametry: 1. Napięcie dren-źródło (VDS) : - STP11NK50ZFP: 500V - STP10NK60FZP: 600V 2. Prąd drenu ciągły (ID) : - STP11NK50ZFP: 11A - STP10NK60FZP:...
Szukasz MOSFETA dość małego, bo raz że wielkiego bydlęcia w obudowie typu TO247 nie potrzebujesz, to dwa że nie masz na niego pewnie miejsca. Najlepiej coś SMT typu Dpack lub podobne. Ma mieć dość duży prąd drenu Id (Continuous Drain Current), na poziomie 5A lub wyżej (przy oporności grzałki 0,5 oma, Tobie pasujące wartości wyliczysz z Prawa ohma)....
A co Ty chcesz od AI? Trzeba użyć swoje I, żeby zwiększyć I w układzie. Rozkoduj oznaczenie tranzystora, ale to tak dla zabawy i zabicia czasu. Wystarczy ustalić czy mosfet jest typu N czy P, na 99% jest typu N, co się objawia tym, że jest włączony jedną nogą do masy (minusa) zasilania, drugą nogą do silnika, no i 3 nogą przez opornik do układu 555,...
I_C/I_B=20 jednak nie wzięło się ot tak czy z zasady tylko jednak z noty i ta wartość może być inna dla różnych tranzystorów. Dobrze rozumiem? Dobrze rozumiesz, z noty, ale i z zasady/reguły. Zależy od tranzystora - te o dużej becie powinny mieć zwykle Ic/Ib=20, zwykłe 10, wysokonapięciowe (o małej becie) - 5 albo nawet 4, a specjalne 50 czy nawet...
Wpływ dławika na przebiegi możesz zobaczyć w http://schmidt-walter-schaltnetzteile.de... Teraz jeszcze czy ktoś się orientuje jak ta przetwornica działa nie mając diody Schottkego? Są tylko 3 tranzystory mosfet MDP14N50. Tranzystor jest lepszą diodą niż dioda :) tylko trzeba go sterować żeby był załączony kiedy dioda ma przewodzić,...
Chyba kolega słabo rozumie idee sterowania mosfeta. On zachowa się jak "kondensator". Trzeba go w odpowiednim czasie naładować I rozładować. Jaki prąd na porcie zapewni mikrokontroler a jaki specjalistyczny driver? Podczas przeładowywania pojemności mosfeta zachowa się on jak taki "regulowany rezystor" I na nim będzie odkładać się napięcie proporcjonalne...
Czy nie lepiej zrobić stabilizator napięcia i ustawić na nim 45V . Przetwornica zawsze wystartuje a wydzielana moc na tym stabilizatorze będzie niewielka bo przetwornica obciąży panele i spadnie na nich napięcie. Do stabilizacji 12 V stosuję takie coś: https://obrazki.elektroda.pl/3287758700_... Po niewielkiej modyfikacji mógłby zasilić...
Bardzo dobre diody produkuje Bridgelux (są w TME) https://www.tme.eu/Document/253e02f8f182... W praktyce CRI ~ 98. Bardzo fajna dioda, to jest jedna z tych full spectrum, doskonale odwzorowująca skład światła naturalnego: https://obrazki.elektroda.pl/2334710200_... Niestety na ten moment mają one...
Dodatkowo chciałbym się upewnić. w jednej kwestii Zakładając że Vout przy układzie 6005 to 60V. To mogę maksymalnie 18x1W LED zapiąć na wyjściu w szeregu. Te 60V w dokumentacji to maksymalne napięcie wewnętrznego mosfeta ale warunki robocze w układzie producent określa na max 11led. Tak że praca przy tym 60V to duże ryzyko uwzględniając przepięcia...
Vceo - W karcie katalogowej napięcie powinno być wyższe niż 170V Sporo wyższe Vebo - W karcie katalogowej napięcie powinno być wyższe niż 5V Bez znaczenia przecież nie będziesz tu doprowadzał ujemnych napięć do bazy. Ic - To maksymalny prąd pracy tranzystora, tutaj powinienem zostawić rezerwę x2, żeby tranzystor się nie grzał za bardzo? Mało istotne...
Układ sterujący przetwornicą oraz obwód mocy strony pierwotnej pominę - jak działa to dobrze. Są za to 3 duże błędy. Albo 2 duże i jeden mały. Ogromny błąd, to podłączenie feedbacku napięcia za bezpiecznikami. Po spaleniu się bezpiecznika kontroler będzie "myślał" że na wyjściu nie ma napięcia, i będzie pracował z maksymalnym wypełnieniem coś uwalając....
MPPT (lepsze lub gorsze) to nie problem, martwi mnie tylko ten stopień mocy. Powiadasz bez cewki, czyli najprościej jak się da, zwykły PWM... hmm pewnie z odpowiednim filtrem na wejściu i kluczem zamontowanym na grzałce być może nie przerodzi się w nadajnik. Ponadto z tego co wiem to panele nie lubią takiej PWMowej pracy, a już nie mam pojęcia co na...
A czemu dużo, mosfeta mocy doprowadzisz do stanu przewodzenia nawet takim obwodem, gdzie część układu stanowi pośliniony palec. Dyskusja jest o stratach przy przełączaniu. Tutaj sam sobie odpowiedziałeś: Chodzi o stromość przełączania.
Schemat http://obrazki.elektroda.pl/7870877300_1... Napięcie na drenie wynosi maksymalnie 70 V więc dane z noty katalogowej nie są przekroczone. Natomiast ta górka na bramce w stanie off ma wartość około 2,5 V A moc strat liczyłem za pomocą wzoru P=I^2*(Rdson) Prąd drenu = 3 A Rdson (dla IRFP460) = 0,27 Ω P = 3 A*3 A*0,27 Ω=2,43...
https://obrazki.elektroda.pl/6720313900_... Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje...
Ale kolega prawdopodobnie chce zrobić te napięcia z 1-3V. Jak tak to MOSFET się nie sprawdzi bo jak pisałem do pełnego otwarcia jest potrzebne napiecie 15V. MOSFET są użyteczne tylko przy sterowaniu napięć 15-800V. Ewentualnie dla małych prądów można obniżyć napięcie do 4-5V godząc sie na spore straty cieplne i spadek napięcia. Zależy co w karcie katalogowej...
W przybliżeniu - tak, będzie lepszy. Tak liczone starty mocy (ciepło) dotyczy tylko strat w czasie włączenia (przewodzenia) tranzystora. Ważny tu jest również jaki jest stosunek czasu włączenia do okresu - t.zw. "Duty Cycle". Wiele tu zależy od tego, jak często ten tranzystor ma się włączać/wyłączać. Jeśli np. ma to być PWM to uC sobie słabo z tym poradzi,...
Poniżej typowa konfiguracja mostka H do sterowania np. prędkością i kierunkiem wirowania silnika DC: https://obrazki.elektroda.pl/7273343300_... Tranzystory IRF4905 mogą się w takim układzie nadmiernie nagrzewać, poniżej powody nadmiernych strat mocy: 1. Niedostateczna amplituda przebiegów sterujących na A0 i A1. Jeżeli napięcie...
Pisałem o szeregowym łączeniu żarówek i świeciły słabiej ale wiadomo było że maluchy miały słabe światła więc to nie zwracało uwagi ważne że światła mijania były włączone.Jechałem do przeglądu lub w nocy to przełączyłem.Ważne by były dobre odbłyśniki.Układ był przerobiony na przekażniki i żarówki miały bodajże 75W sztuka(były takie).Jeżeli już ma to...
Nie wiem dlaczego to działa i co mnie podkusiło by tak zrobić (intuicja), ale działa Wydaje się że działa ok, bo nie włożyłeś wysiłku w to żeby sprawdzić czy jest dobrze, jak wyglądają zbocza, ile trwa przełączanie, ile mocy wydziela się w MOSFETach, czy płyną prądy skrośne, czy napięcia Ugs są prawidłowe, czy symulator realistycznie oddaje zachowanie...
PCONDmosfet = IOUT2 x RDSon x (VOUT / VIN) na straty statyczne oraz PSWmosfet=0.5 x VD x ID x (tSWon + tSWoff) x fs na straty dynamiczne a zaczerpnąłem wiedzy z : https://www.maximintegrated.com/en/app-n... . Przebieg narastania na drenie a z niego się przelicza straty jest w porządku - nie ma jakiś mega wielkich opóźnień Jednak,...
Może od końca. Q3 jest tranzystorem P-MOS. I ok. - do sterowania "plusem" zasilania jest bardziej odpowiedni, bo N-MOS wymagałby układu "pompującego" potencjał bramki. W P-MOS-ach, kanał źródło - dren jest otwarty, kiedy potencjał bramki jest o kilka wolt niższy od potencjału źródła. W układzie z rysunku będzie tak, kiedy wycieraczki zostaną włączone,...
Witam! Wystarczy poszukać w googlah ale dam to co mam: W każdym domu można dziś znaleźć kilka wzmacniaczy audio. Wszelkie odbiorniki radiowe, zestawy dźwiękowe, odbiorniki telewizyjne zawierają wzmacniacze mocy. Wzmacniacze lampowe wyparte swego czasu przez wzmacniacze tranzystorowe, wróciły do łask i są stosowane w sprzęcie najwyższej klasy. Obecnie...
A jak ten układ wygląda? Jeżeli włączysz ten rezystor szeregowo z bramką, to przecież i przy włączaniu i przy wyłączaniu będzie on ograniczał prąd. Co do grzania się w obudowie to rzecz jest trochę skomplikowana. Droga ciepła od tranzystora do otoczenia (zasilacza) jest trochę długa, a opór cieplny spory. Grzejący się tranzystor będzie ogrzewał powietrze...
Źle myślisz. Praktycznie wszystkie MOSFETy mają w sobie takie diody. Przepięcia o których mówisz to są inne przepięcia niż te na pinach VS. Zewnętrzne diody można dodać aby zminimalizować straty na tych wewnętrznych w MOSFETach. Czasami się tak robi a czasami nie. Trzeba porównać parametry wbudowanych diod do diod które byśmy dawali na zewnątrz. Diody...
(...) lektrodaBot Czy tranzystor IPD60R280P7ATMA1 jest zamiennikiem 60R360Q (w katalogu polskiego sprzedawcy ten oryginał to IPD60R360P7 - co prawda bez indeksu Q na końcu) Może ktoś z kolegów pomoże? ``` Bezpośrednia odpowiedź IPD60R360P7 (600 V) i 50R380P (500 V) to tranzystory z tej samej rodziny Infineon CoolMOS P7, o zbliżonej rezystancji RDS(on)...
Po wlutowaniu i poprawnym połączeniu działa do dzisiaj. Do tej devboard wlutowałem sobie na wszelki wypadek zaporowo diodę która zewrze zasilanie gdy jeszcze raz się pomylę, Lepiej użyc P-MOSFET - praktycznie zerowy spadek napięcia i straty. Te 0,3-0,6V spadku na diodzie może robić różnicę, jeśli MCU łączysz z układami zasilanymi spoza tej diody. Wtedy...
W mosfecie zwracaj uwagę na prąd jaki wytrzymuje i oporność w momencie przewodzenia, bo na jej bedzie się wytważać moc strat (ciepło) dobre mosfety mają oporność 0,1Ω i wtedy przy 20A wydzieli ci się na nim 2Waty i co najwazniejsze to szybkość wyłanczania i włanczania mosfeta, wtedy też się wydziela spora moc. Twój pierwszy układ był niezły ale...
Tak jak podejrzewałem, triaki to BTA16-600B, TIP122 robi za kluczowanie i stabilizator napięcia dla wentylatora w kolbie HA. Niewiadomą jest stabilizacja 3.3V i to wymaga sprawdzenia, zmierzenia jak i gdzie jest stabilizowane? Podejrzewam, że za to odpowiada IC1, ten między kondensatorami elektrolitycznymi? Skoro LM358 jest zasilany z 3.3V oznacza,...
Niedawno zauważyłem, że w przetwornicach przepustowych stepdown zamiast diody wspomagającej stosuje się drugi klucz. Powód jak najbardziej uzasadniony (mniejsze straty) chociaż dodatkowy kłopot ze sterowaniem. Jednak do tej pory nie mogę zrozumieć jak płynie prąd prze Q4 - drugi klucz zastępujący diodę. Poniżej schemat. http://obrazki.elektroda.pl/9192321300_1...
Witam, pomysł z przetwornicą jest rzeczywiście najlepszy jeśli chodzi o sprawność. Nie jestem specjalistą od układów zasilania, musiałby wypowiedzieć się ktoś bardziej doświadczony w projektowaniu przetwornic. Urządzenie musi być małe, niezawodne i pracować w zakresie temperatur -30°C do ok.80°C. Głównym problemem jest pasywne chłodzenie przy niewielkim...
To ja jeszcze coś dopiszę. Kolego atom1477 dioda ma za zadanie zabezpieczyć tranzystor podczas wyłączania obwodów indukcyjnych. No rozumiem, ale to nie wystarczy do zabezpieczenia. Taka dioda musi być jeszcze odpowiednio włączona. A nie byle gdzie. W tym konkretnym układzie to nie ma jej zupełnie gdzie wstawić. Opis poniżej. Owszem można ja wstawić...
10-15A to już nie taki mały silniczek:) Skorzystaj z jakiegoś product selectora, np. na farnellu, po wpisaniu N-MOSFET wybierasz odpowiednią zakładkę, potem sobie określasz wymagnae parametry i pojawia ci się lista tranzystorów spełniających twoje kryteria. Przy 10-15A znalezienie N-MOSFETa o na tyle małym RDSon, aby nie był potrzebny radiator może...
Witam. W pewnym zastosowaniu muszę odzielić zasilanie od odbiornika przez diodę. Jednakże na skutek znacznego spadku napięcia na diodzie w kierunku przewodzenia, powstają straty, dioda się grzeje, część energii idzie w powietrze - prąd rzędu 20A nap 12V, więc traci się na diodzie 14W. Pomyślałem sobie iż przez odpowiednie połączenie diody i mosfeta...
Zamiennik jaki dałeś ma większą pojemność bramki, tj 5,31nF zamiast 3,85nF - trzeba tu większych prądów, żeby go włączać i wyłączać równie szybko a skoro się nic nie zmieniło pod tym względem (driver) to bardzo możliwe, że tranzystor dłużej pracuje w stanie aktywnym co przekłada się na duże straty mocy na złączu, więc - mimo iż podczas przewodzenia...
Wydaje mi się, że na zewnętrznej diodzie znacznie zredukuje moc strat, która będzie się wydzielać na tranzystorze. W niektórych MOSFET-ach wewnętrzna dioda nie była wystarczająco szybka (zazwyczaj w wysokonapięciowych) , płynął przez nią prąd wtedy gdy drugi tranzystor był otwarty i to powodowało duże straty mocy, albo uszkodzenie tranzystorów, zabezpieczenie...
Jeśli będzie spadek napięcia i tym samym będzie się grzać podczas ładowania jak przy prostowaniu prądu przemiennego to nie ma dla mnie sensu grzebać się przy tym. Każda dioda ma jakiś spadek napięcia w kierunku przewodzenia i jakieś straty z tym związane. Spadek napięcia, w zależności od typu diody i prądu przez nią płynącego 0,4-1V, straty mocy proporcjonalne...
hmm.. marek nie wiesz moze gdzie w lodzi sa sklepy gdzie moglbym dostac owy sprzet? btw. i co to jest to PWM ? :P Pulse width modulation czyli modulacja szerokości impulsu - na obciążenie zamiast sygnału o określonym poziomie podajesz na zmianę wartość maksymalną i zero. Zależnie od stopnia wypełnienia sygnału (czyli im dłuższy jest okres wystawiania...
A o jakich konkretnie MOSFET-ach z kanałem P, lub Darlingtonach PNP piszesz, może coś znajdę w swoich zbiorach? Sprawdź, do jakiego prądu są podawane ich charakterystyki (ma być nie mniejszy, niż 700mA, skoro tyle mają dostawać LED-y), i jaka jest dla nich dopuszczalna moc strat. Powiedzmy, dla 2 czerwonych LED-ów o napięciu przewodzenia 2,25V z opornikiem...
- prąd w dobrze wykonanym układzie zamyka się przez zasilanie więc stosowanie zewnętrznej diody w MOSFET mija się z celem, ma to sens w tranzystorach bipolarnych. Reasumując: Dobrze podłączony tranzystor nie wymaga dodatkowej diody, szczególnie jak sterujemy PWM i pakujemy wolną diodę 1N4004 a dioda w strukturze wytrzymuje np. 50A i jest na niej mniejszy...
W poniższym artykule omówiono system "Pre-switch" firmy CleanWave. Artykuł pokazuje, w jaki sposób technologia Pre-Switch umożliwia projektantom osiągnięcie 99,1% sprawności przy 100 kHz w falowniku dla pojazdu elektrycznego o mocy równej 200 kW. W ten sposób możliwe jest zwiększenie zasięgu samochodu o nawet 12%. Zacznijmy od omówienia strat w układzie...
rzeczywiście mocno teoretyczne pytanie. bez znajomości parametrów pracy trazystora MOS w Twoim samochodzie wprost nie da się odpowiedzieć. więc odpowiedź też będzie teoretyczna. przede wszystkim tranzystora MOS charkteryzują 3 najważniejsze cechy (no i różnice względem NPNów): - szybkość przełączania, dużo szybszy MOS od NPN, z tym też się wiąrzą straty...
Wchodząc jednak w Kolegi dywagacje, a właściwie w polemikę z ich zasadnością gdyż sprawa rozbija się o inne kwestie techniczne. Przede wszystkim można i wręcz trzeba doprowadzić do jak najmniejszej różnicy napięć między napięciem zasilania i napięciem przewodzenia diody, a wtedy straty występujące na rezystorze ograniczającym prąd uda się zminimalizować...
Witam ponownie czas 7us to arbitralnie dobrany czas kluczowania który zapewnia znamionowe napięcie wyjściowe przy prądzie wyjściowym zasilacza większym od prądu krytycznego. Krótko mówiąc jeśli w dławikach wyjściowych prostownika prąd jest monotoniczny i jednego znaku + lub - (w zależności od terminalu +50V lub -50V). Wraz ze zmianą napięcia zasilania...
Witam Chciałbym zabezpieczyć uklad przed odrotną polaryzacja i wyczytałem że do tego celu najlepiej nadaje się dioda SBR DIODES. W przeciwieństwie do typowej diody Schottky'ego w SBR do utworzenia niskiej bariery potencjałowej dla nośników większościowych służy kanał MOS, o niskim napięciu przewodzenia i dużej niezawodności. SBR charakteryzuje się niskim...
http://obrazki.elektroda.pl/2452620000_1... Witam, pewnie nie jednemu z was było potrzebne napięcie 24 V, a mieliście do dyspozycji tylko 12V np. z zasilacza komputerowego, albo 12V z akumulatora samochodowego. Może też potrzebowaliście mieć zawsze równą stabilizację 12V, dzięki tej przetwornicy można mieć wysoko sprawną stabilizację...
Zastanawiam się czemu nie masz czasów martwych i Twój mostek jeszcze żyje mimo zasilania z sieci :) Ależ mam czasy martwe, wprowadza je rezystor na bramce wraz z diodą domykającą. :P To standardowe rozwiązanie stosowane w praktycznie wszystkich mostkach sterowanych przez GDT. W takich układach czas martwy ustala się dobierając rezystor przy pomocy...
prosze bardzo: zamiast tych S20C40C - 72CPQ030 w TO247 IR-a (to są mocne Schottky 2x 35A , 30V; mocne prądowo i z nie za wysokim napięciem wstecznym mają niski spadek w kierunku przewodzenia, będą mniejsze straty - np. przy prądzie 10A na jedną diode spadek na niej to ok. 0.42V (25°C) a taki MOSPEC S20C40: 0.55V (25°C). Te dwie diodki na wsporniku -...
Jeśli wam przeszkadza LM to pomińcie go w rozważaniach. Nie jest on istotny do pracy układu a jedynie do optymalnego wykorzystania diod kosztem niewielkiej straty energii. Bez niego i odrobinę mniejszym napięciu diody też będą świeciły. Istotne jest wymyślenie jakiegoś wyłącznika, który będzie "wycinał" z przebiegu fragment do wybranego napięcia. Myślałem...
W roli generatora sygnału sterującego tranzystorem można by użyć NE555 - daje większy prąd wyjściowy, może szybciej przełączać tranzystor, to pozwoli zmniejszyć straty podczas przełączania. Przy wyłączaniu tranzystora w uzwojeniu pierwotnym generuje się wysokie napięcie (odgrywa tu rolę indukcyjność rozproszenia) - celowe jest użycie układu, który je...
Odpowiem hurtem: 1. Minimalne napięcie zasilania LM2675 - patrz na wykresy na stronie 7 - są bardzo pouczające ;-) 2. Sterowanie procesorem - wiele rozwiązań. Ale na pewno nie przez bezpośrednie podawanie na FB jakiegokolwiek napięcia. Możesz sterować różnicowo - podając napięcie przez rezystor. Ale jest jeszcze inna możliwość - wykorzystanie wejścia...
W GaN nie chodzi tylko o parametry takie jak rezystancja złącza czy czas przełączania, ale najbardziej atrakcyjny jest fakt blokowania przepływu prądu w obydwu kierunkach. Nie występuje w nich pasożytnicza dioda jak w tranzystorach MOSFET. Fakt, nie posiadają one diody, ale większość tranzystorów GaN (a przynajmniej te, z którymi pracuję) przewodzą...
straty przewodzenia straty przewodzenia tranzystora mosfet straty
samsung ue42f5000aw płyta indukcyjna schemat amica amplituner pioneer gramofon
ciągnik przedni napęd ciągnik przedni napęd
Schemat sterownika lutownicy ELWIK LSE-30 – opis, elementy, typowe usterki, modernizacja Objawy uszkodzonego rezonatora kwarcowego w mikroprocesorze