Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje techniczne nie są proste do analizy, zwłaszcza dla początkujących...
Nie jestem w tej dziedzinie wybitnym specjalistą ale mam wątpliwości co do poprawnego działania układu który chcesz wykonać. Po pierwsze napięcie otwierania tego MOSFETa. W specyfikacji faktycznie jest podana wartość koło 3V ale jest to zdaje się napięcie progowe przy którym tranzystor dopiero zaczyna się otwierać. Do pełnego otwarcia potrzebne jest...
To ja jeszcze coś dopiszę. Kolego atom1477 dioda ma za zadanie zabezpieczyć tranzystor podczas wyłączania obwodów indukcyjnych. No rozumiem, ale to nie wystarczy do zabezpieczenia. Taka dioda musi być jeszcze odpowiednio włączona. A nie byle gdzie. W tym konkretnym układzie to nie ma jej zupełnie gdzie wstawić. Opis poniżej. Owszem można ja wstawić...
Zakładając że jest wysterowany prawidłowo i otwarty "w całości" to wg noty katalogowej IRF 540 ma RDS(ON) = 0,077 OHM. Przy 5A moc odłożona na tranzystorze przy ciągłej pracy ( tylko przewodzenie) to I*I*R co daje 1,925 W . Jeżeli nie masz żadnego radiatora to ten tranzystor musi się grzać. Taki np AUIRFB4410 z TME za 5 zł (10 szt. ) ma RDS(ON) = 0,01...
STMicroelectronics ogłosił pokonanie kolejnej bariery wydajności układów mocy MOSFET, poprzez osiągnięcie najniższej rezystancji załączenia na powierzchnię układu. Dzięki technologii MDmesh™ V najnowsze tranzystory FET z napięciem pracy wynoszącym do 650V osiągają opór podczas załączenia wynoszący jedynie 0.079Ω przy zachowaniu niewielkich...
Sygnał sterowania pochodzi z mikrokontrolera STM32 więc sygnały sterujące będą miały napięcie 3,3V (DIRA, DIRB i DIRC na górze). Przyjęta tu przez Ciebie koncepcja sterowania trzema sygnałami z uC (oszczędzająca jedną bramkę wobec przykładu z linku) jest potencjalnie niebezpieczna bo nie eliminuje w sposób pewny sytuacji zwarcia zasilania przez dwa...
Witam w kolejnej, piątej, części cyklu dotyczącej analizowania kart katalogowych tranzystorów MOSFET. W Rys.1. Pomiar ładunku Qrr i QOSS dla tranzystora CSD18531Q5A przy dI/dt równym 360 A/µs (po lewej) i 2000 A/µs (po prawej). Qrr może zależeć silnie od prądu diody w kierunku przewodzenia (If) szybciej niż od prędkości dI/dt. Dlatego też...
W poniższym artykule opisano najnowszą technologię urządzenia OptiMOS 6 firmy Infineon. Jest to nowatorskie podejście do projektowania modułów zapewniające wyższą gęstość mocy i poprawiające efektywność kosztową wykorzystujących je systemów. Od samego początku swojego istnienia, technologia MOSFET była powszechnie uznawana za doskonałą opcję dla kluczy...
Przy 0R i 20k ten dzielnik będzie dzielił napięcie przez 1, za to zapobiegnie częściowemu przewodzeniu przy włączaniu zasilania, co może uratować MOSFETowi życie. Bo przepraszam, ale piszesz o 1k w stosunku do 20k co daje stratę ćwierć V. Wstawienie zworki nie jest dobrym pomysłem szczególnie jeśli steruje tego mosfeta bezpośrednio z mikrokontrolera....
Spółka Vishay Intertechnology, Inc. ogłosiła właśnie wprowadzenie nowego tranzystora polowego do swojej oferty. MOSFET ten wyposażony jest w kanał typu N i możliwość pracy z napięciem do 30 V. Element wyprodukowany został w opatentowanej technologii TrenchFET? czwartej generacji. Tranzystor ten dedykowany jest do układów przenośnych, elektroniki konsumenckiej...
W mosfecie zwracaj uwagę na prąd jaki wytrzymuje i oporność w momencie przewodzenia, bo na jej bedzie się wytważać moc strat (ciepło) dobre mosfety mają oporność 0,1Ω i wtedy przy 20A wydzieli ci się na nim 2Waty i co najwazniejsze to szybkość wyłanczania i włanczania mosfeta, wtedy też się wydziela spora moc. Twój pierwszy układ był niezły ale...
Gdy nie ma rezystora Rg na bramce to i tak mamy rezystancję wewnątrz bramki mosfet oraz rezystancję drivera, więc zawsze te 2 ohm będzie. Ale co to daje i czym to grozi? Zależy od topologii, ale może mieć pozytywne (mniejsze straty dynamiczne) jak negatywne (większe zakłócenia, w half-bridge może spowodować załączenie dwóch kluczy na raz na krótki czas)....
Przy liczeniu strat w przetwornicach bardzo ważne jest zrozumienie w jaki sposób powstają straty na elementach liniowych (lub bliskich w zachowaniu liniowym) a w jaki na nieliniowych. Straty w elementach liniowych wynikają wprost z prawa Ohma - przepływ prądu skutkuje spadkiem napięcia na rezystancji i wydziela się moc określona wzorem P = U * I. Jesli...
Nie wiem dlaczego to działa i co mnie podkusiło by tak zrobić (intuicja), ale działa Wydaje się że działa ok, bo nie włożyłeś wysiłku w to żeby sprawdzić czy jest dobrze, jak wyglądają zbocza, ile trwa przełączanie, ile mocy wydziela się w MOSFETach, czy płyną prądy skrośne, czy napięcia Ugs są prawidłowe, czy symulator realistycznie oddaje zachowanie...
Witam. U mnie tranzystory IRLZ34N padają po kilku sekundach po włączeniu. ... W tym ukladzie problem moze stanowic rownoczesne przewodzenie Vcc-GND w galeziach Q5-Q6 itd., zwane "cross-conducting". Bramki sa sterowane nieodpowiednio (zbyt duze czasy wylaczenia ze wzgledu na wysokie opornosci R5...R8 ). Jesli software nie zapewnia odpowiednio dlugiej...
Także IRLR 8743 daje radę, ja Tworzę swoje fajki właśnie na nim. Jest mniejszy i tańszy. Wartość rezystora pull-down nie jest aż tak istotna. Jeżeli wrzucisz coś pomiędzy 1k-15k będzie okej. Jego wartość robi się istotna wtedy, kiedy robisz regulację chmury poprzez PWM. Generalnie ten rezystor po prostu wyłącza tranzystor(rozładowuje bramkę) kiedy puścisz...
Nie doczytałem. Zwierając bramkę ze źródłem, albo masą, prąd nie będzie płynął, tylko przez chwilę rozładowywania pojemności bramki. Wcześniej wspomniane przez mnie straty występują w stanie przewodzenia . ;)
Tranzystory MOSFET pracujące jako przełączniki przy dużych wartościach prądu powinny się cechować się jak najniższymi spadkami napięć, aby maksymalnie zminimalizować straty przewodzenia. Aby jak najlepiej spełnić te wymagania firma Advanced Power Electronics wprowadziła na rynek nowy tranzystor mocy MOSFET AP1A003GMT-HF-3 z ultra niską rezystancją...
A więc po kolei: 1.Nie rozumiem idei soft startu, jeżeli i tak napięcie załączasz PWM-em to prąd jest uzależniony od wypełnienia. 2.Zasilanie tak jak je zrobiłeś nie powinno przyczynić się do zepsucia układu, ewentualnie do nieprawidłowego działania. 3.Miganie diody świadczy o zwarciu zasilania uC z masą. 4.Transil nie jest konieczny Po pół dnia przeglądania...
Schemat Napięcie na drenie wynosi maksymalnie 70 V więc dane z noty katalogowej nie są przekroczone. Natomiast ta górka na bramce w stanie off ma wartość około 2,5 V A moc strat liczyłem za pomocą wzoru P=I^2*(Rdson) Prąd drenu = 3 A Rdson (dla IRFP460) = 0,27 Ω P = 3 A*3 A*0,27 Ω=2,43 W i założyłem straty mocy na przełączanie równe 50% mocy...
W przybliżeniu - tak, będzie lepszy. Tak liczone starty mocy (ciepło) dotyczy tylko strat w czasie włączenia (przewodzenia) tranzystora. Ważny tu jest również jaki jest stosunek czasu włączenia do okresu - t.zw. "Duty Cycle". Wiele tu zależy od tego, jak często ten tranzystor ma się włączać/wyłączać. Jeśli np. ma to być PWM to uC sobie słabo z tym poradzi,...
MOSFET przede wszystkich królują w układach przełączający (impulsowych). Wielokrotnie szybsze przełączanie, zdolność przewodzenia dużych prądów, zazwyczaj mniejsze straty przewodzenia... Ponadto znacznie łatwiejsze sterowanie - żeby utrzymać MOSFET włączonym nie trzeba żadnych specjalnych zabiegów (starczy przeładować w celu przełączenia pojemność bramki,...
Napięcie na BC547 najpewniej by go uszkodziło. Skąd taki wniosek? ja bym wybrał mosfety których prąd maksymalny wynosi minimum 10 krotność prądu żarówki Błąd. Idmax podawany w datasheet to parametr w zasadzie ....zbędny, podawany jest na zasadzie tradycji? Ważny jest Rdson, z którego liczy się moc strat w czasie przewodzenia: P=Rdson x I². Uwaga...
Szukasz MOSFETA dość małego, bo raz że wielkiego bydlęcia w obudowie typu TO247 nie potrzebujesz, to dwa że nie masz na niego pewnie miejsca. Najlepiej coś SMT typu Dpack lub podobne. Ma mieć dość duży prąd drenu Id (Continuous Drain Current), na poziomie 5A lub wyżej (przy oporności grzałki 0,5 oma, Tobie pasujące wartości wyliczysz z Prawa ohma)....
W specyfikacji tranzystora masz podane przeważnie max prąd na bramce. Wylicza się go jako różnice potencjału miedzy stanem hi i lo. Czyli napięcie max jakie używasz to stanu przewodzenia z odjętym napięciem stanu blokowania. Np jak na bramkę możesz podać 15 V lub zewrzeć do masy to masz 15V - 0 V = 15 V. Podobnie jak możesz podać 10 V ale masz źródło...
MOSFET ma stosunkowo dużą rezystancję kanału SD w czasie przewodzenia i nie nadaje się do sterowania np. silnika (duże straty mocy). IGBT jest konstrukcją złożoną z MOSTETa i tranzystora bipolarnego. Połączono w nim właściwości sterowania napięciowego MOSFETa z niską rezystancją przewodzenia tranzystora bipolarnego. :)
Niedawno zauważyłem, że w przetwornicach przepustowych stepdown zamiast diody wspomagającej stosuje się drugi klucz. Powód jak najbardziej uzasadniony (mniejsze straty) chociaż dodatkowy kłopot ze sterowaniem. Jednak do tej pory nie mogę zrozumieć jak płynie prąd prze Q4 - drugi klucz zastępujący diodę. Poniżej schemat. Mosfety są typu N - prąd płynie...
- prąd w dobrze wykonanym układzie zamyka się przez zasilanie więc stosowanie zewnętrznej diody w MOSFET mija się z celem, ma to sens w tranzystorach bipolarnych. Reasumując: Dobrze podłączony tranzystor nie wymaga dodatkowej diody, szczególnie jak sterujemy PWM i pakujemy wolną diodę 1N4004 a dioda w strukturze wytrzymuje np. 50A i jest na niej mniejszy...
Jeśli chodzi o termistor na wejściu to znalazłem takie wyjaśnienie : -- Na chwilę obecną istnieją dwie podstawowe metody ograniczania prądów startowych zasilaczy: Metoda biernego ograniczenia prądów startowych: na wejściu zasilacza włączony jest szeregowo termistor o ujemnym współczynniku temperaturowym (jego rezystancja znacznie naleje przy wzroście...
10-15A to już nie taki mały silniczek:) Skorzystaj z jakiegoś product selectora, np. na farnellu, po wpisaniu N-MOSFET wybierasz odpowiednią zakładkę, potem sobie określasz wymagnae parametry i pojawia ci się lista tranzystorów spełniających twoje kryteria. Przy 10-15A znalezienie N-MOSFETa o na tyle małym RDSon, aby nie był potrzebny radiator może...
Z noty katalogowej przesłanego tranzystora wynika, że maksymalne napięcie baza-emiter to 9V. Czyli rozwiązanie nadal wymaga dzielnika napięcia przy PU rezystorze. W przypadku tranzystorów BJT istotne jest nie napięcie ( w uproszczeniu ) a prąd, który wpływa do Bazy. A napięcie 9V o którym napisałeś odnosi się do wartości napięcia wstecznego a nie w...
Trochę się zastanawiałem nad odpowiedzią, gdyż nie mam za wielkiego doświadczenia w półmostkach gdzie nie ma rezonansu, ale jednak nie ma aż takich rozbieżności. Zacznijmy od tego że nie powinno się odpalać półmostków bez obciążenia. Dlaczego? Bo występuje wtedy najgorsza forma przełączania - hard swiching. W takim wypadku prądy przeładowania się pojemności...
rzeczywiście mocno teoretyczne pytanie. bez znajomości parametrów pracy trazystora MOS w Twoim samochodzie wprost nie da się odpowiedzieć. więc odpowiedź też będzie teoretyczna. przede wszystkim tranzystora MOS charkteryzują 3 najważniejsze cechy (no i różnice względem NPNów): - szybkość przełączania, dużo szybszy MOS od NPN, z tym też się wiąrzą straty...
Witam, Quarz bardzo dziękuję za wyjaśnienie, teraz już jestem w domu. jeszcze tylko jak by mi ktoś powiedział czy IGBT mają większą sprawność niż MOSFET tzn miej tracą mocy to byłbym szczęśliwy. cieszę się, iż znalazłeś swój dom... :D Odnośnie sprawności, w ścisłym tego słowa znaczeniu, to będzie można mówić, kiedy porównamy konkretne typu tranzystorów...
Układ z powyższego schematu odwraca fazę impulsów wyzwalających tranzystor roboczy. Oznacza to odwrócenie wypełnienia czyli odwrotne do spodziewanego zachowanie się układu. Trzeba przekonstruować w/w układ translatora poziomów do postaci układu nieodwracającego. Do układu ograniczania przepięć komutacyjnych na pewno 1N4148 nie wydaje się być najlepszym...
Musiałbyś sobie policzyć straty związane ze sterowaniem oraz z przewodzeniem - tu w dużej mierze krytyczny jest prąd przewodzony przez tranzystor oraz rezystancję otwartego tranzystora. Patrząc na artykuł z EDW nie zauwazyłeś pewnej relacji w tabeli 2 :?:
A typu tranzystora nadal nie ma... ale na przykładzie innego "mocnego" tranzystora w tej obudowie pokażę, że kolega jest w grubym błędzie: Max.Id=355A, ale proszę czytać notkę nr 1 - Imax doprowadzeń to 190A, i trzeba czytać AN1140 Powierzchnia przekroju doprowadzenia źródła (bo kolega chce jako dren wykorzystać wkładkę radiatorową) to ok. 1mm.kw i...
PCONDmosfet = IOUT2 x RDSon x (VOUT / VIN) na straty statyczne oraz PSWmosfet=0.5 x VD x ID x (tSWon + tSWoff) x fs na straty dynamiczne a zaczerpnąłem wiedzy z : . Przebieg narastania na drenie a z niego się przelicza straty jest w porządku - nie ma jakiś mega wielkich opóźnień Jednak, co widzę, Kolega odpisał w/w wzory - jak dla mnie niezrozumiałe,...
Tranzystor na pewno się nadaje, ale... To wykres SOAR i źle go interpretujesz, n.b. wcale go tu nie potrzebujesz. Pod warunkiem, że odpowiednio wysterujesz tranzystor (wartość napięcia sterującego Vgs, wydajność prądowa tego źródła) ważne jest Rdson - a ono zależy od Vgs. Wówczas moc strat w czasie przewodzenia P=Uds x Id, Uds=Rdson x Id, więc P=Rdson...
Straty w tranzystorach mosfet dzielimy na dynamiczne i statyczne. Statyczne, w stanie albo pełnego otwarcia, albo pełnego zamknięcia. Wiadomo, przy zamkniętym tranzystorze prąd przez niego płynący jest minimalny, strat prawie nie ma. Straty w stanie przewodzenia wynikają z prądu płynącego przez dren tranzystora oraz z rezystancji kanału. Rezystancję...
No są podobne ale mają bardzo różne maksymalne moce rozpraszane, nie wiem czy to będzie działało z tego powodu. Najlepiej policz sobie moce przełączane przez jeden tranzystor, potem policz straty wydzielane na obydwu tranzystorach i sprawdź czy nowy podoła. Pozdro Jano Ps: może się udać, ponieważ twój zamiennik ma o wiele mniejszą rezystancję przewodzenia...
Musisz podać jeszcze czasy narastania/opadania zboczy kluczujących, współczynnik wypełnienia. Zakładamy, że tranzystor w czasie przewodzenia jest w pełni otwarty ( napięcie G-S >= 10V ).
Witam Zbudowałem urządzenie które steruje silnikiem DC. Zasilanie 12V. Tranzystor to P- MOSFET , model AOD403, bezpiecznik 8A szybki. Sprawa wygląda tak że zwarcie wyjścia do masy zawsze kończy się upaleniem bezpiecznika i tranzystora. Tranzystor uszkodzony ma zwarcie między drenem a źródłem. Nie mogę dać mniejszego bezpiecznika gdyż silnik przy Pmax...
Może od końca. Q3 jest tranzystorem P-MOS. I ok. - do sterowania "plusem" zasilania jest bardziej odpowiedni, bo N-MOS wymagałby układu "pompującego" potencjał bramki. W P-MOS-ach, kanał źródło - dren jest otwarty, kiedy potencjał bramki jest o kilka wolt niższy od potencjału źródła. W układzie z rysunku będzie tak, kiedy wycieraczki zostaną włączone,...
W aplikacjach takich jak inteligentne liczniki zużycia energii elektrycznej czy kontrolery silników elektrycznych, systemy zasilania muszą przetwarzać wysokie, zmienne napięcie wejściowe do niskiego napięcia DC, umożliwiającego zasilanie mikrokontrolerów czy modułów IGBT. Na przykład napięcie trójfazowe, bardzo często spotykane w sieci energetycznej...
Platforma testowa, zaprojektowana przez firmę Infineon w celu zaprezentowania przewagi urządzeń SiC, wykorzystuje układ sterownika EiceDRIVER oraz tranzystory MOSFET z serii CoolSiC w 3- i 4-pinowych obudowach TO247. Płyta główna platformy ewaluacyjnej dla 1200-V MOSFETów CoolSiC w obudowach TO247 z 3- i 4-pinami - IMZ120R045M1 - jest dostarczana wraz...
Po kolei. Główna przetwornica robi tylko napięcie 12V. Z niej małe przetwornice DC-DC robią pozostałe napięcia. Diod prostowniczych w takich konstrukcjach się nie używa - spadek napięcia rzędu 0,7V, przy prądzie rzędu 100A (a chwilowym ponad 200A) to straty na które nie można sobie pozwalać. Zamiast tego stosuje się prostowniki synchroniczne, gdzie...
Stworzone przeze mnie urządzenie jest praktycznym uzupełnieniem piórnika szkolnego. Jest wyposażone w kilka pożytecznych funkcji i na opisanych poniżej nie zamierzam zaprzestać. Całość została zorganizowana w wygodne w obsłudze intuicyjne menu. 6 przycisków uSwith w jakie jest wyposażony układ umożliwia nawigację, ponadto dzięki małemu nadajnikowi...
Wznosząc układy scalone mocy z azotku galu na wyższy poziom, naukowcy z firmy Imec donoszą o współintegracji diod barierowych Schottky'ego i tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) na jednej, inteligentnej platformie zasilania. Postęp, o którym poinformowano podczas Międzynarodowego Spotkania Urządzeń Elektronowych odbywającego się w tym...
Tl;dr: - SEPIC - fsw = 200kHz - Ui = 3 - 15V - Uo = 5+12V/10W - η ≈ 80% Całość: 1. Geneza projektu Bardzo często gdy dłubałem przy jakiejś drobnej elektronice brakowało mi jakiegoś małego, przenośnego zasilacza dostarczającego 5 i 12V. Akumulator żelowy czy pakiet 3S były niepraktyczne i często niebezpieczne (co najmniej jednego żelowca zamordowałem...
Poszukiwanie bardziej wydajnych materiałów elektronicznych do produkcji urządzeń mocy i znajduje się na czele działalności badawczo-rozwojowej w sektorze półprzewodnikowym. Niski koszt i szeroka dostępność krzemu pozwoliły mu wyprzedzić wiele lat temu german jako dominujący materiał półprzewodników dla układów mocy. Dziś jednak krzem schodzi z podium...
Efektywność energetyczna wymaga nieustannych optymalizacji: doprowadziło to rynek przemysłowy do poszukiwania różnych nowych rozwiązań. Węglik krzemu (SiC) jest obecnie jednym z najważniejszych półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej. Chętnie wykorzystywany jest do produkcji elementów mocy, gdyż pozwala na uzyskanie niskich strat i zwiększenia...
Czy rezystancja prądnicy (silnika) rzeczywiście wynosi 30Ω, przy parametrach które podałeś brzmi to nieprawdopodobnie, a jest to ważny parametr, maksymalną moc uzyskasz przy dopasowaniu, więc warto żeby twój układ miał charakterystykę prądowo-napięciową zbliżoną do rezystora o rezystancji źródła. Z symulacji w LTspice'ie wynika że przy przy wyższych...
hmm.. marek nie wiesz moze gdzie w lodzi sa sklepy gdzie moglbym dostac owy sprzet? btw. i co to jest to PWM ? :P Pulse width modulation czyli modulacja szerokości impulsu - na obciążenie zamiast sygnału o określonym poziomie podajesz na zmianę wartość maksymalną i zero. Zależnie od stopnia wypełnienia sygnału (czyli im dłuższy jest okres wystawiania...
MPPT (lepsze lub gorsze) to nie problem, martwi mnie tylko ten stopień mocy. Powiadasz bez cewki, czyli najprościej jak się da, zwykły PWM... hmm pewnie z odpowiednim filtrem na wejściu i kluczem zamontowanym na grzałce być może nie przerodzi się w nadajnik. Ponadto z tego co wiem to panele nie lubią takiej PWMowej pracy, a już nie mam pojęcia co na...
W tym celu potrzebuje przewodnicy 3,3 do 400 V. Znalazłem układ przetwonicy 5/400V Praktycznie szansa że ten układ będzie pracował na 3,3V jest bardzo nikła. Powodem jest to że użyty mosfet ma progowe napięcie przewodzenia Vgs(th) (Gate-Source Threshold Voltage) w zakresie 1-3V, czyli może się trafić egzemplarz, który w ogóle nie zacznie przewodzić...
Pytanie: Jak dobrać do naszej aplikacji tranzystor dyskretny? Odpowiedź: No... dyskretnie ;). Tego żartu nie udało się niestety uniknąć. Prawda jest taka, jak piszę autor artykułów, James Bryant, iż wcale nie trzeba dokonywać tego doboru nazbyt dokładnie. Często spotyka się projektantów spędzających długie godziny czy nawet dni poszukując możliwie...
Irfz ma około 100w co na moje potrzeby za mało. Podejrzewam że nie za bardzo dobrze liczysz swój projekt. Mosfet IRFZ44 zastosowany jako czysty klucz (jak to jest przy pracy PWM) nie wydzieli pełnej mocy granicznej z jego specyfikacji, bo mamy dla niego max 50A i opór kanału <0,028om (opieram się na specyfikacji firmy Vishay) czyli ledwo 14W. Jeśli...
Wiele nowoczesnych urządzeń i systemów potrzebuje redundantnych źródeł zasilania, bądź po prostu kilku źródeł zasilania – w celu pracy z wieloma napięciami bądź z uwagi na wysoki pobór mocy. W poniższym artykule przedstawimy metodę sumowania źródeł zasilaczy, tzw. ORowania zasilaczy, od funkcji logicznej OR, którą układy te de facto wykonują....
Jest taki artykuł jeśli chodzi o tranzystory, ale warto przeczytać pod kątem scalaków gdzie jest podobnie. O to on: Tranzystory - zamienniki Nie zawsze elektronik ma pod ręką typ tranzystora czy diody podany na schemacie. Czym go zastąpić? Czy musi to być ścisły odpowiednik? Czy można dać cokolwiek wprost z półki? Jakie parametry są najważniejsze? Które...
Wydaje mi się, że na zewnętrznej diodzie znacznie zredukuje moc strat, która będzie się wydzielać na tranzystorze. W niektórych MOSFET-ach wewnętrzna dioda nie była wystarczająco szybka (zazwyczaj w wysokonapięciowych) , płynął przez nią prąd wtedy gdy drugi tranzystor był otwarty i to powodowało duże straty mocy, albo uszkodzenie tranzystorów, zabezpieczenie...
Zasilanie układów elektroniki samochodowej może być trudne ze względu na wymagania dotyczące wysokiej niezawodności przy stosunkowo niestabilnym napięciu akumulatora. Różnorodność systemów elektrycznych i mechanicznych współpracujących z akumulatorem pojazdu i może powodować gwałtowne skoki napięcia w nominalnym zasilaniu 12 V. W rzeczywistości napięcie...
Z MOSFET-ami będzie kłopot właśnie taki jak zauważyłeś - albo częściowo otwarty, albo niedomknięty. Powodem jest szeroki zakres Vgsth - kilka V, w przeciwieństwie do BJT, które dla Ube<0,4V jest zatkany, powyżej 0,8V - otwarty. Ano właśnie - choć ciekawi mnie "szeroki zakres Vgsth" - czy masz na myśli że dla jakiegoś tranzystora rozbieżność parametrów...
Tak zupełnie przez przypadek producenci w notach katalogowych zaznaczają na charakterystyce SOA prostą ograniczającą, którą nazwywają przebiciem wtórnym. Nota katalogowa TIP35. Widocznie dla nich ma to znaczenie i to na tyle istotne, że jest to jedna z pierwszych jak nie pierwsza charakterystyka zamieszczona w nocie katalogowej. Masz dwa takie same...
Pytanie: Jakimi aktywnymi układami elektronicznymi mogę zastąpić diody transil i bezpieczniki? Odpowiedź: Zabezpieczeniami przeciwprzetężeniowymi. Producenci we wszystkich branżach nieustannie dążą do osiągnięcia najnowocześniejszych systemów, próbując jednocześnie zrównoważyć takie innowacje sprawdzonymi i niezawodnymi rozwiązaniami. Projektanci stają...
ale to jest tylko kwestia, czy zanikanie prądu będzie z powodu rozładowania kondensatorów, czy z powodu wyłączenia tranzystora. Właśnie w tym autor ma problem: przesadziłem trochę z pojemnością kondensatorów co oznacza stopniowy zanik prądu cewki Ah, no tak. Źle zinterpretowałem Twoją wypowiedź. Jeżeli chodzi o odpowiedź jarka, nie mogę się z nią zgodzić....
Tranzystory SuperGaN firmy Transphorm zostały zaprojektowane w celu wzmocnienia tranzystorów mocy GaN do układów kaskodowych. Energoelektronika to szybko rozwijająca się dziedzina, kluczowa w wielu gałęziach przemysłu, od energii odnawialnej po pojazdy elektryczne. Do krytycznych elementów układów energoelektronicznych należą tranzystory mocy, które...
Kolega WojcikW jest właśnie douczony. Ja dodatkowo lubie czasami podzielić się wiedzą więc sobie popisze. Układy tyrystorowe w obwodach prądu stałego spisują się całkiem dobrze. Uczą o tym w szkołach piszą w książkach. Miałem laboratoria z tyrystorami w roli głównej. Miałem do tego upierdliwego doktorka z energoelektroniki więc teorii się uczyłem i...
Sprawność przetwarzania energii ma kluczowe znaczenie dla rozwiązania problemów związanych z zasięgiem pojazdu elektrycznego i czasem jego zasilania. Ładowarki pokładowe (OBC) z wyjściem prądu stałego i dużymi komponentami magnetycznymi mogą skorzystać poprzez zmniejszenie rozmiarów i kosztów na skutek przejścia na znacznie wyższe częstotliwości pracy....
Przetwornice mocy są niezbędnymi elementami wykorzystywanymi w zastosowaniach elektrycznych, a wraz z nimi cewki indukcyjne, klucze mocy itp. Tego rodzaju rozwiązania użytkowane są w systemach odnawialnych źródeł energii i magazynowania jej. Potrzeba elektryfikacji mechanizmów, które wcześniej były zasilane paliwami kopalnymi, staje się coraz pilniejsza,...
Najlepszym rozwiązaniem było by wstawienie "diody idealnej" między wyjściem na obciążenie i układem przetwornicy pozwoliło by to zniwelować możliwość zwarcia na akumulatorze w przypadku błędnej pracy przetwornicy lub błędnego sterownia np załączenia na stałe tranzystora górnego. Niby w jaki sposób ta dioda miała by zabezpieczać przed zwarciem? Jeżeli...
Nexperia opracowała nową gamę rozwiązań GaN FET wykorzystujących technologię nowej generacji wysokiego napięcia GaN HEMT H2. Układy dostępne są w obudowach TO-247 i opatentowanym pakiecie CCPAK do montażu powierzchniowego. Przeznaczone są głównie do zastosowań motoryzacyjnych, stacji 5G i centrów danych. Nexperia zaprezentowała nowe rozwiązania dla...
Rys.1. Hybrydowa (GaN i IGBT) topologia falownika. W ciągu ostatnich kilku lat liczba pojazdów elektrycznych (EV) na naszych drogach znacznie wzrosła. Stawia to przed projektantami wysokie wyzwania, takie jak maksymalizacja sprawności maszyn tego typu, optymalizacja infrastruktury ładowania i skrócenie jego czasu. W każdym samochodzie EV, falownik...
Użycie MOSFET-a oznacza konieczność dostarczenia dość wysokiego napięcia dla bramki (no, może nie dla każdego MOSFET-a - są takie, które się włączają poniżej 2V, ale też chyba jest to początek przewodzenia, a do pełnego trzeba 3-4V), co powoduje, że albo trzeba mieć dwa napięcia zasilające, albo duże straty mocy. Dla pojedyńczego napięcia zasilającego...
Czy ta płytka musi być taka mała? Bo tak na oko, sądząc po rozstawie pinów, ma ona jakieś 30x30mm. Jeśli tak to niedobrze, a jeśli jeszcze musi być płaska, jak można sądzić po ułożeniu diody w obudowie TO220, to obawiam się, że jesteś ugotowany. Ale po kolei. Opornik 0.1Ω/5W ma za małą moc! Przy prądzie 6.5A moc tracona wynosi już 4.225W, a co...
Rys.1. Schemat blokowy wzmacniacza klasy D. Entuzjaści dźwięku o wysokiej jakości są ostatnimi beneficjentami szeregu zalet azotku galu (GaN), ponieważ zapewnił on audiofilom wytchnienie w ich poszukiwaniach wysokiej klasy dźwięku. Dylemat, co stanowi optymalną konfigurację dla domowego systemu audio, został rozwiązany przez elementy wykonane właśnie...
Wysokonapięciowa przetwornica typu flyback, jako zasilacz do lamp Nixie Wstęp Autor prezentowanego układu zbudował wcześniej zegar, który jako wyświetlacza używał lamp Nixie. W związku z tym konieczne było dostarczenie wysokiego napięcia zasilającego. Autor chciał jednak uniknąć konieczności umieszczania w obudowie zegara dużego i nieporęcznego transformatora,...
Oczywiście, że równoległe. Tak, teoretycznie tak to wygląda, chociaż obawiam się, że nie trafisz na na tyle podobne parametrami mostki, że prąd będzie się rozkładał "równo" między mostki. Musiałbyś mostki mierzyć (głównie napięcia przewodzenia), wybrać 2 najbliższe sobie, oraz co najważniejsze porządnie sprząc je termicznie. Znaczy przykręcić blisko...
Stacje szybkiego ładowania prądem stałym (DC) można znaleźć głównie w miejscach publicznych. Podczas gdy koncepcje bazujące na prądzie przemiennym (AC) są przeważnie stosowane w prywatnych gospodarstwach. Teraz jednak, w przypadku tych pierwszych, pojawiła się wydajna opcja zasilania w domu, której efektywność została zwiększona dzięki użytkowi półprzewodników...
Rezystory Rezystory nazywane są również opornikami. Służą one głównie do ustalania wartości natężeń prądu płynącego w obwodach elektrycznych lub napięć w poszczególnych punktach układu elektronicznego. Rezystor może mieć różną wartość rezystancji, którą mierzy się w omach (symbol W). Ten symbol na tej stronie jest pomijany. Często zastępuję go w następujący...
Chyba kolega słabo rozumie idee sterowania mosfeta. On zachowa się jak "kondensator". Trzeba go w odpowiednim czasie naładować I rozładować. Jaki prąd na porcie zapewni mikrokontroler a jaki specjalistyczny driver? Podczas przeładowywania pojemności mosfeta zachowa się on jak taki "regulowany rezystor" I na nim będzie odkładać się napięcie proporcjonalne...
Zaletą Arduino jest mała ilość połączeń - wadą konieczność zaprogramowania. Można zrobić układ elektroniczny z układów scalonych "zaprogramowany" poprzez połączenia. Niezależnie od tego, którą wersję się wybierze, samo sterowanie tranzystora (lepiej MOSFET-a) sygnałem PWM nie gwarantuje potrzebnego działania - jest kwestia, jak prąd LED-ów ma być ograniczany?...
Układ sterujący przetwornicą oraz obwód mocy strony pierwotnej pominę - jak działa to dobrze. Są za to 3 duże błędy. Albo 2 duże i jeden mały. Ogromny błąd, to podłączenie feedbacku napięcia za bezpiecznikami. Po spaleniu się bezpiecznika kontroler będzie "myślał" że na wyjściu nie ma napięcia, i będzie pracował z maksymalnym wypełnieniem coś uwalając....
Witam, pewnie nie jednemu z was było potrzebne napięcie 24 V, a mieliście do dyspozycji tylko 12V np. z zasilacza komputerowego, albo 12V z akumulatora samochodowego. Może też potrzebowaliście mieć zawsze równą stabilizację 12V, dzięki tej przetwornicy można mieć wysoko sprawną stabilizację napięcia 12V, podczas gdy napięcie zasilania spadnie nawet...
Dlaczego zdecydowałeś się na baterię kilku tranzystorów? Ogólnie kiepsko je dobrałeś - niski prąd drenu, duże Rds. Będą się grzały, nadto możesz cały ten zestaw zastąpić jednym, solidniejszym tranzystorem który do tego będzie miał dla całości mniejsze straty przewodzenia, niż teraz masz dla jednego (mało energii marnowanej na grzanie tranzystora). Ten...
Dodatkowo chciałbym się upewnić. w jednej kwestii Zakładając że Vout przy układzie 6005 to 60V. To mogę maksymalnie 18x1W LED zapiąć na wyjściu w szeregu. Te 60V w dokumentacji to maksymalne napięcie wewnętrznego mosfeta ale warunki robocze w układzie producent określa na max 11led. Tak że praca przy tym 60V to duże ryzyko uwzględniając przepięcia...
Taki SSR DC to tak naprawdę nic innego jak zwyczajny tranzystor mosfet z osprzętem pomocniczym. Jeśli czuje się kolega na siłach to można kupić kilka zwyczajnych IRF540 lub podobnych (byle oryginały), spiąć równolegle i straty będą generalnie minimalne, w granicach kilku W. IRF540 pojedynczy ma maksymalnie 0.077Ω w stanie przewodzenia. Moc strat...
Zdarza się, że w praktycznych rozwiązaniach są dwa, równolegle połączone MOSFET-y dla minimalizacji strat przełączania. Na dokładkę wewnętrzna dioda jest typu Schottky-ego czyli dodatkowa w strukturze, równolegle do pasożytniczej MOSFET-a. 10 lat temu, można było spotkać w laptopowych przetwornicach zewnętrzną diodę Schottky-ego, mniej więcej na 1/5...
Skoro to wentylator na 5 Voltów i o mocy 1.2 Watt to chociażbyś dał gigantyczny tranzystor z radiatorem to i tak więcej nie popłynie (przy prawidłowych warunkach pracy - wykluczamy zwarcia na wentylatorze itp.) więcej niż 0.24 Amperów prądu. Nie pamiętam jaki dozwolony prąd może płynąć przez BC547B, ale jeśli to za mało to możesz dać inny tranzystor....
11,6V to nominalne, czy zmierzone? Jeśli zmierzone bez obciążenia, to przy bardzo małym obciążeniu dostaniesz 64V na kondensatorze. Nominalne warunki pracy takiego transformatora, to szczytowy prąd około 12A, i napięcie szczytowe zmniejszone o 3,3V (o 5%); można mieć około 60V na kondensatorze przy prądzie szczytowym jak dla nominalnych warunków pracy,...
Wtórnik jest po to, żeby zwiększyć wydajność prądową wyjścia wzmacniacza, co powoduje znacznie szybsze przeładowanie pojemności wejściowej MOSFETa i znaczne zmniejszenie strat wywołanych niecałkowitym jego otwarciem w trakcie przełączania. Projekt opublikowany w Ep, to kicha niesamowita, tam bramka była sterowana przez rezystor zdaje się 200ohm, zastosowanie...
Międzynarodowa Komisja Elektrotechniczna (IEC) w swojej normie 61000-3-2: 2014 wyznaczyła standardy kompatybilności elektromagnetycznej urządzeń. Norma ta zastępuje poprzednią IEC 61000-3-2: 2006 wchodząc w życie 30 lipca 2017 roku. Omawiana norma dotyczy zniekształceń harmonicznych przewodzonych do sieci przez urządzenia elektroniczne pracujące z...
Tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) oparte na azotku galu (GaN) oferują doskonałą charakterystykę elektryczną i stanowią ważną alternatywę dla tranzystorów MOSFET i modułów IGBT w aplikacjach do sterowania silnikami w systemach o wysokim napięciu zasilania i wysokiej częstotliwości przełączania. Poniższy artykuł koncentruje się na zaletach...
Czytałem już wcześniej Twój artykuł a także oglądałem wykłady na temat mosfetów. Akurat tam była podana zależność na straty w tej diodzie P= Qrr*fsw*Vds . Czyli w moim wypadku= 80kHz *160V* 1060nC= 13.5W. Dużo więcej niż straty przewodzenia, Coss i przełączania razem wzięte. Z drugiej strony widziałem artykuł z Texas Instruments i tam na wykresach było...
Poniżej typowa konfiguracja mostka H do sterowania np. prędkością i kierunkiem wirowania silnika DC: Tranzystory IRF4905 mogą się w takim układzie nadmiernie nagrzewać, poniżej powody nadmiernych strat mocy: 1. Niedostateczna amplituda przebiegów sterujących na A0 i A1. Jeżeli napięcie V+ wynosi 12V, to napięcie sterujące bramkami (podawane na węzły...
Myślę, że układ z MOSFET-em zajmie więcej miejsca, niż z triakiem, i będzie miał większe straty na diodach, niż układ z triakiem na triaku - może sprawdź w notach katalogowych, jak porównuje się napięcie przewodzenia triaka i suma napięć przewodzenia dwu diod mostka? A jeśli chodzi o sterowanie i charakterystykę sinusa, to czy potrzeba mieć liniową...
Zastanawiam się czemu nie masz czasów martwych i Twój mostek jeszcze żyje mimo zasilania z sieci :) Ależ mam czasy martwe, wprowadza je rezystor na bramce wraz z diodą domykającą. :P To standardowe rozwiązanie stosowane w praktycznie wszystkich mostkach sterowanych przez GDT. W takich układach czas martwy ustala się dobierając rezystor przy pomocy...
Dla napięcia sinusoidalnego wartość średnia wynosi 0, dlatego wprowadzono coś takiego jak wartość skuteczna. Dla przebiegów których wartość średnia jest zerowa określa sie wartość średnią bezwzględną (średnią wyprostowaną). A więc średnia czy skuteczna? wybiera się tą która lepiej opisuje dane zjawisko. Np. w danych katalogowych diody prostowniczej...
Witam serdecznie, to mój pierwszy post tutaj i w ogóle na jakimkolwiek forum, mam nadzieję, że dział odpowiedni itd. itd., miejmy to już za sobą. Od kilku miesięcy planuję budowę mojej drugiej przetwornicy Mazzillego i pozwoliłem sobie zmodyfikować ten układ poprzez zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych do sterowania bramkami MOSFETów. Jako klucze zastosuję...
Przetwornice dużej mocy najczęściej buduje się na IGBT, a czy konstruuje się na MOSFETach? MOSFETy są szybsze od IGBT, co daje szanse na pracę z wyższymi częstotliwościami i mniejszymi stratami przełączania, jednak wraz ze zwiększaniem maksymalnego napięcia Uds rezystancja w stanie włączenia rośnie z kwadratem (przy danej wielkości struktury) co powoduje...
