MOSFET przede wszystkich królują w układach przełączający (impulsowych). Wielokrotnie szybsze przełączanie, zdolność przewodzenia dużych prądów, zazwyczaj mniejsze straty przewodzenia... Ponadto znacznie łatwiejsze sterowanie - żeby utrzymać MOSFET włączonym nie trzeba żadnych specjalnych zabiegów (starczy...
Spółka Vishay Intertechnology, Inc. ogłosiła właśnie wprowadzenie nowego tranzystora polowego do swojej oferty. MOSFET ten wyposażony jest w kanał typu N i możliwość pracy z napięciem do 30 V. Element wyprodukowany został w opatentowanej technologii TrenchFET? czwartej generacji. Tranzystor...
Tranzystory MOSFET pracujące jako przełączniki przy dużych wartościach prądu powinny się cechować się jak najniższymi spadkami napięć, aby maksymalnie zminimalizować straty przewodzenia. Aby jak najlepiej spełnić te wymagania firma Advanced Power Electronics wprowadziła na rynek nowy tranzystor mocy...
Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje...
Nie jestem w tej dziedzinie wybitnym specjalistą ale mam wątpliwości co do poprawnego działania układu który chcesz wykonać. Po pierwsze napięcie otwierania tego MOSFETa. W specyfikacji faktycznie jest podana wartość koło 3V ale jest to zdaje się napięcie progowe przy którym tranzystor dopiero zaczyna...
Tranzystor na pewno się nadaje, ale... To wykres SOAR i źle go interpretujesz, n.b. wcale go tu nie potrzebujesz. Pod warunkiem, że odpowiednio wysterujesz tranzystor (wartość napięcia sterującego Vgs, wydajność prądowa tego źródła) ważne jest Rdson - a ono zależy od Vgs. Wówczas moc strat w czasie...
Zakładając że jest wysterowany prawidłowo i otwarty "w całości" to wg noty katalogowej IRF 540 ma RDS(ON) = 0,077 OHM. Przy 5A moc odłożona na tranzystorze przy ciągłej pracy ( tylko przewodzenie) to I*I*R co daje 1,925 W . Jeżeli nie masz żadnego radiatora to ten tranzystor musi się grzać. Taki...
Napięcie na BC547 najpewniej by go uszkodziło. Skąd taki wniosek? ja bym wybrał mosfety których prąd maksymalny wynosi minimum 10 krotność prądu żarówki Błąd. Idmax podawany w datasheet to parametr w zasadzie ....zbędny, podawany jest na zasadzie tradycji? Ważny jest Rdson, z którego liczy się...
PCONDmosfet = IOUT2 x RDSon x (VOUT / VIN) na straty statyczne oraz PSWmosfet=0.5 x VD x ID x (tSWon + tSWoff) x fs na straty dynamiczne a zaczerpnąłem wiedzy z : . Przebieg narastania na drenie a z niego się przelicza straty jest w porządku - nie ma jakiś mega wielkich opóźnień Jednak, co widzę,...
By uzasadnić potrzebę rozbudowania układu sterującego tranzystorem MOS w przypadku pracy impulsowej trzeba zacząć od Adama i Ewy, co w dziale "Poczatkujący" nikogo nie dziwi. Krotko więc. Tranzystor można rozpatrywać w 3 stanach pracy. 1. Brak wysterowania (Ugs=0), Id=0; Uds=Uzas. Moc wytracana =0. 2....
MOSFET ma stosunkowo dużą rezystancję kanału SD w czasie przewodzenia i nie nadaje się do sterowania np. silnika (duże straty mocy). IGBT jest konstrukcją złożoną z MOSTETa i tranzystora bipolarnego. Połączono w nim właściwości sterowania napięciowego MOSFETa z niską rezystancją przewodzenia tranzystora...
W przybliżeniu - tak, będzie lepszy. Tak liczone starty mocy (ciepło) dotyczy tylko strat w czasie włączenia (przewodzenia) tranzystora. Ważny tu jest również jaki jest stosunek czasu włączenia do okresu - t.zw. "Duty Cycle". Wiele tu zależy od tego, jak często ten tranzystor ma się włączać/wyłączać....
STMicroelectronics ogłosił pokonanie kolejnej bariery wydajności układów mocy MOSFET, poprzez osiągnięcie najniższej rezystancji załączenia na powierzchnię układu. Dzięki technologii MDmesh™ V najnowsze tranzystory FET z napięciem pracy wynoszącym do 650V osiągają opór podczas załączenia...
- prąd w dobrze wykonanym układzie zamyka się przez zasilanie więc stosowanie zewnętrznej diody w MOSFET mija się z celem, ma to sens w tranzystorach bipolarnych. Reasumując: Dobrze podłączony tranzystor nie wymaga dodatkowej diody, szczególnie jak sterujemy PWM i pakujemy wolną diodę 1N4004 a dioda...
Musisz podać jeszcze czasy narastania/opadania zboczy kluczujących, współczynnik wypełnienia. Zakładamy, że tranzystor w czasie przewodzenia jest w pełni otwarty ( napięcie G-S >= 10V ).
10-15A to już nie taki mały silniczek:) Skorzystaj z jakiegoś product selectora, np. na farnellu, po wpisaniu N-MOSFET wybierasz odpowiednią zakładkę, potem sobie określasz wymagnae parametry i pojawia ci się lista tranzystorów spełniających twoje kryteria. Przy 10-15A znalezienie N-MOSFETa o na tyle...
A więc po kolei: 1.Nie rozumiem idei soft startu, jeżeli i tak napięcie załączasz PWM-em to prąd jest uzależniony od wypełnienia. 2.Zasilanie tak jak je zrobiłeś nie powinno przyczynić się do zepsucia układu, ewentualnie do nieprawidłowego działania. 3.Miganie diody świadczy o zwarciu zasilania...
Jeśli chodzi o termistor na wejściu to znalazłem takie wyjaśnienie : -- Na chwilę obecną istnieją dwie podstawowe metody ograniczania prądów startowych zasilaczy: Metoda biernego ograniczenia prądów startowych: na wejściu zasilacza włączony jest szeregowo termistor o ujemnym współczynniku temperaturowym...
Witam. U mnie tranzystory IRLZ34N padają po kilku sekundach po włączeniu. ... W tym ukladzie problem moze stanowic rownoczesne przewodzenie Vcc-GND w galeziach Q5-Q6 itd., zwane "cross-conducting". Bramki sa sterowane nieodpowiednio (zbyt duze czasy wylaczenia ze wzgledu na wysokie opornosci R5...R8...
Niedawno zauważyłem, że w przetwornicach przepustowych stepdown zamiast diody wspomagającej stosuje się drugi klucz. Powód jak najbardziej uzasadniony (mniejsze straty) chociaż dodatkowy kłopot ze sterowaniem. Jednak do tej pory nie mogę zrozumieć jak płynie prąd prze Q4 - drugi klucz zastępujący...
Nie doczytałem. Zwierając bramkę ze źródłem, albo masą, prąd nie będzie płynął, tylko przez chwilę rozładowywania pojemności bramki. Wcześniej wspomniane przez mnie straty występują w stanie przewodzenia . ;)
Z noty katalogowej przesłanego tranzystora wynika, że maksymalne napięcie baza-emiter to 9V. Czyli rozwiązanie nadal wymaga dzielnika napięcia przy PU rezystorze. W przypadku tranzystorów BJT istotne jest nie napięcie ( w uproszczeniu ) a prąd, który wpływa do Bazy. A napięcie 9V o którym napisałeś...
Tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) oparte na azotku galu (GaN) oferują doskonałą charakterystykę elektryczną i stanowią ważną alternatywę dla tranzystorów MOSFET i modułów IGBT w aplikacjach do sterowania silnikami w systemach o wysokim napięciu zasilania i wysokiej częstotliwości przełączania....
Nexperia opracowała nową gamę rozwiązań GaN FET wykorzystujących technologię nowej generacji wysokiego napięcia GaN HEMT H2. Układy dostępne są w obudowach TO-247 i opatentowanym pakiecie CCPAK do montażu powierzchniowego. Przeznaczone są głównie do zastosowań motoryzacyjnych, stacji 5G i centrów...
Schemat Napięcie na drenie wynosi maksymalnie 70 V więc dane z noty katalogowej nie są przekroczone. Natomiast ta górka na bramce w stanie off ma wartość około 2,5 V A moc strat liczyłem za pomocą wzoru P=I^2*(Rdson) Prąd drenu = 3 A Rdson (dla IRFP460) = 0,27 Ω P = 3 A*3 A*0,27...
Gdy nie ma rezystora Rg na bramce to i tak mamy rezystancję wewnątrz bramki mosfet oraz rezystancję drivera, więc zawsze te 2 ohm będzie. Ale co to daje i czym to grozi? Zależy od topologii, ale może mieć pozytywne (mniejsze straty dynamiczne) jak negatywne (większe zakłócenia, w half-bridge może spowodować...
W poniższym artykule omówiono system "Pre-switch" firmy CleanWave. Artykuł pokazuje, w jaki sposób technologia Pre-Switch umożliwia projektantom osiągnięcie 99,1% sprawności przy 100 kHz w falowniku dla pojazdu elektrycznego o mocy równej 200 kW. W ten sposób możliwe jest zwiększenie zasięgu samochodu...
Pytanie Czy mogę skorzystać z prostego obliczenia energii przy wyborze superkondensatora do systemu zasilania rezerwowego? Odpowiedź: Proste obliczenie energii zgromadzonej w kondensatorze nie powiedzie się, chyba że weźmiemy pod uwagę dodatkowe szczegóły, które mają wpływ na magazynowanie...
Dlaczego zdecydowałeś się na baterię kilku tranzystorów? Ogólnie kiepsko je dobrałeś - niski prąd drenu, duże Rds. Będą się grzały, nadto możesz cały ten zestaw zastąpić jednym, solidniejszym tranzystorem który do tego będzie miał dla całości mniejsze straty przewodzenia, niż teraz masz dla jednego (mało...
Witam, Quarz bardzo dziękuję za wyjaśnienie, teraz już jestem w domu. jeszcze tylko jak by mi ktoś powiedział czy IGBT mają większą sprawność niż MOSFET tzn miej tracą mocy to byłbym szczęśliwy. cieszę się, iż znalazłeś swój dom... :D Odnośnie sprawności, w ścisłym tego słowa znaczeniu, to...
Jest taki artykuł jeśli chodzi o tranzystory, ale warto przeczytać pod kątem scalaków gdzie jest podobnie. O to on: Tranzystory - zamienniki Nie zawsze elektronik ma pod ręką typ tranzystora czy diody podany na schemacie. Czym go zastąpić? Czy musi to być ścisły odpowiednik? Czy można dać...
W aplikacjach takich jak inteligentne liczniki zużycia energii elektrycznej czy kontrolery silników elektrycznych, systemy zasilania muszą przetwarzać wysokie, zmienne napięcie wejściowe do niskiego napięcia DC, umożliwiającego zasilanie mikrokontrolerów czy modułów IGBT. Na przykład napięcie trójfazowe,...
Wysokonapięciowa przetwornica typu flyback, jako zasilacz do lamp Nixie Wstęp Autor prezentowanego układu zbudował wcześniej zegar, który jako wyświetlacza używał lamp Nixie. W związku z tym konieczne było dostarczenie wysokiego napięcia zasilającego. Autor chciał jednak uniknąć konieczności...
Pytanie: Jak dobrać do naszej aplikacji tranzystor dyskretny? Odpowiedź: No... dyskretnie ;). Tego żartu nie udało się niestety uniknąć. Prawda jest taka, jak piszę autor artykułów, James Bryant, iż wcale nie trzeba dokonywać tego doboru nazbyt dokładnie. Często spotyka się projektantów spędzających...
Poszukiwanie bardziej wydajnych materiałów elektronicznych do produkcji urządzeń mocy i znajduje się na czele działalności badawczo-rozwojowej w sektorze półprzewodnikowym. Niski koszt i szeroka dostępność krzemu pozwoliły mu wyprzedzić wiele lat temu german jako dominujący materiał półprzewodników...
Poniżej typowa konfiguracja mostka H do sterowania np. prędkością i kierunkiem wirowania silnika DC: Tranzystory IRF4905 mogą się w takim układzie nadmiernie nagrzewać, poniżej powody nadmiernych strat mocy: 1. Niedostateczna amplituda przebiegów sterujących na A0 i A1. Jeżeli napięcie...
Czy ta płytka musi być taka mała? Bo tak na oko, sądząc po rozstawie pinów, ma ona jakieś 30x30mm. Jeśli tak to niedobrze, a jeśli jeszcze musi być płaska, jak można sądzić po ułożeniu diody w obudowie TO220, to obawiam się, że jesteś ugotowany. Ale po kolei. Opornik 0.1Ω/5W ma za małą moc! Przy...
Zasilanie układów elektroniki samochodowej może być trudne ze względu na wymagania dotyczące wysokiej niezawodności przy stosunkowo niestabilnym napięciu akumulatora. Różnorodność systemów elektrycznych i mechanicznych współpracujących z akumulatorem pojazdu i może powodować gwałtowne skoki napięcia...
Stworzone przeze mnie urządzenie jest praktycznym uzupełnieniem piórnika szkolnego. Jest wyposażone w kilka pożytecznych funkcji i na opisanych poniżej nie zamierzam zaprzestać. Całość została zorganizowana w wygodne w obsłudze intuicyjne menu. 6 przycisków uSwith w jakie jest wyposażony układ umożliwia...
Efektywność energetyczna wymaga nieustannych optymalizacji: doprowadziło to rynek przemysłowy do poszukiwania różnych nowych rozwiązań. Węglik krzemu (SiC) jest obecnie jednym z najważniejszych półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej. Chętnie wykorzystywany jest do produkcji elementów mocy,...
Oczywiście, że równoległe. Tak, teoretycznie tak to wygląda, chociaż obawiam się, że nie trafisz na na tyle podobne parametrami mostki, że prąd będzie się rozkładał "równo" między mostki. Musiałbyś mostki mierzyć (głównie napięcia przewodzenia), wybrać 2 najbliższe sobie, oraz co najważniejsze porządnie...
Rys.1. Schemat blokowy wzmacniacza klasy D. Entuzjaści dźwięku o wysokiej jakości są ostatnimi beneficjentami szeregu zalet azotku galu (GaN), ponieważ zapewnił on audiofilom wytchnienie w ich poszukiwaniach wysokiej klasy dźwięku. Dylemat, co stanowi optymalną konfigurację dla domowego systemu...
Międzynarodowa Komisja Elektrotechniczna (IEC) w swojej normie 61000-3-2: 2014 wyznaczyła standardy kompatybilności elektromagnetycznej urządzeń. Norma ta zastępuje poprzednią IEC 61000-3-2: 2006 wchodząc w życie 30 lipca 2017 roku. Omawiana norma dotyczy zniekształceń harmonicznych przewodzonych...
11,6V to nominalne, czy zmierzone? Jeśli zmierzone bez obciążenia, to przy bardzo małym obciążeniu dostaniesz 64V na kondensatorze. Nominalne warunki pracy takiego transformatora, to szczytowy prąd około 12A, i napięcie szczytowe zmniejszone o 3,3V (o 5%); można mieć około 60V na kondensatorze przy prądzie...
Rezystory Rezystory nazywane są również opornikami. Służą one głównie do ustalania wartości natężeń prądu płynącego w obwodach elektrycznych lub napięć w poszczególnych punktach układu elektronicznego. Rezystor może mieć różną wartość rezystancji, którą mierzy się w omach (symbol W). Ten symbol...
Układ ładowania akumulatora, który chcę przedstawić działa nieco inaczej niż tradycyjne układy regulatorów napięcia do motorowerów budowane samodzielnie. Użyłem go w motorowerze Simson S51 ale zapewne może być zastosowany w innych z tradycyjną prądnicą. Jest to ogranicznik napięcia, który...
Tak zupełnie przez przypadek producenci w notach katalogowych zaznaczają na charakterystyce SOA prostą ograniczającą, którą nazwywają przebiciem wtórnym. Nota katalogowa TIP35. Widocznie dla nich ma to znaczenie i to na tyle istotne, że jest to jedna z pierwszych jak nie pierwsza charakterystyka zamieszczona...
Wiele nowoczesnych urządzeń i systemów potrzebuje redundantnych źródeł zasilania, bądź po prostu kilku źródeł zasilania – w celu pracy z wieloma napięciami bądź z uwagi na wysoki pobór mocy. W poniższym artykule przedstawimy metodę sumowania źródeł zasilaczy, tzw. ORowania zasilaczy, od funkcji...
W tym układzie na rysunku na R1 jest 0.66V, czyli płynie prąd 20mA - jak ma być np. 0.3A, to trzeba użyć R1=2R2. No i jest kwestia: jakiego prądu bazy potrzebuje Q2, żeby dać mały spadek napięcia (czyli żeby był odpowiednio głęboko nasycony)? Na ogół w notach katalogowych podaje się napięcie nasycenia...
1. Dla uzyskania zmiany napięcia pojedynczej diody LED o 0.4V potrzeba zmiany temperatury o ponad 100stopni. I to sporo ponad. Ależ jest to oczywista oczywistość, że taki zakres zmian napięcia na LED byłby powodem do jej 'śmiertelnego zejścia', ale nic nie stoi na przeszkodzie aby - teoretycznie...
Witam, Witam, Jak w temacie, próbuję zbudować przetwornicę obniżającą pracującą przy częstotliwości 1M H z. Zbudowałem układ, ale w pomiarach występują zjawiska których nie rozumiem: na bazach tranzystorów bipolarnych i bramce MOSFET a występują napięcia wyższe niż powinny. Byłbym wdzięczny...
Irfz ma około 100w co na moje potrzeby za mało. Podejrzewam że nie za bardzo dobrze liczysz swój projekt. Mosfet IRFZ44 zastosowany jako czysty klucz (jak to jest przy pracy PWM) nie wydzieli pełnej mocy granicznej z jego specyfikacji, bo mamy dla niego max 50A i opór kanału <0,028om (opieram...
Wznosząc układy scalone mocy z azotku galu na wyższy poziom, naukowcy z firmy Imec donoszą o współintegracji diod barierowych Schottky'ego i tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) na jednej, inteligentnej platformie zasilania. Postęp, o którym poinformowano podczas Międzynarodowego Spotkania...
Użycie MOSFET-a oznacza konieczność dostarczenia dość wysokiego napięcia dla bramki (no, może nie dla każdego MOSFET-a - są takie, które się włączają poniżej 2V, ale też chyba jest to początek przewodzenia, a do pełnego trzeba 3-4V), co powoduje, że albo trzeba mieć dwa napięcia zasilające, albo...
Platforma testowa, zaprojektowana przez firmę Infineon w celu zaprezentowania przewagi urządzeń SiC, wykorzystuje układ sterownika EiceDRIVER oraz tranzystory MOSFET z serii CoolSiC w 3- i 4-pinowych obudowach TO247. Płyta główna platformy ewaluacyjnej dla 1200-V MOSFETów CoolSiC w obudowach TO247...
Przegląd aplikacji układów z GaNu hodowanego na diamencie Azotek galu (GaN) to gorący tematy. Jeszcze gorętszy jest wyścig o integrację GaN z innymi materiałami, w celu dalszego poprawienia parametrów tego materiału we współczesnych układach scalonych. „Technologia GaN-na-diamencie...
Taki SSR DC to tak naprawdę nic innego jak zwyczajny tranzystor mosfet z osprzętem pomocniczym. Jeśli czuje się kolega na siłach to można kupić kilka zwyczajnych IRF540 lub podobnych (byle oryginały), spiąć równolegle i straty będą generalnie minimalne, w granicach kilku W. IRF540 pojedynczy ma maksymalnie...
Z MOSFET-ami będzie kłopot właśnie taki jak zauważyłeś - albo częściowo otwarty, albo niedomknięty. Powodem jest szeroki zakres Vgsth - kilka V, w przeciwieństwie do BJT, które dla Ube<0,4V jest zatkany, powyżej 0,8V - otwarty. Ano właśnie - choć ciekawi mnie "szeroki zakres Vgsth" - czy masz...
Czy rezystancja prądnicy (silnika) rzeczywiście wynosi 30Ω, przy parametrach które podałeś brzmi to nieprawdopodobnie, a jest to ważny parametr, maksymalną moc uzyskasz przy dopasowaniu, więc warto żeby twój układ miał charakterystykę prądowo-napięciową zbliżoną do rezystora o rezystancji źródła. Z...
Od dłuższego czasu miałem ochotę zbudować przetwornicę sieciową do zasilania wzmacniacza audio. Niestety, na forum jest niewiele takich projektów, a żaden nie spełniał moich wymagań. Postanowiłem wykonać taki zasilacz samodzielnie od podstaw. Zaprojektowanie, zbudowanie i przetestowanie zasilacza...
Wydaje mi się, że na zewnętrznej diodzie znacznie zredukuje moc strat, która będzie się wydzielać na tranzystorze. W niektórych MOSFET-ach wewnętrzna dioda nie była wystarczająco szybka (zazwyczaj w wysokonapięciowych) , płynął przez nią prąd wtedy gdy drugi tranzystor był otwarty i to powodowało...
Witam. Wypełniłem test z energoelektroniki na podstawie mojej wiedzy i materiałów pomocniczych z wykładów / internetu, jednak nie jestem pewien czy wszystko zrobiłem dobrze. Mógłbym prosić o sprawdzenie i ewentualne poprawienie odpowiedzi? Z góry dziękuje za pomoc. Test (moje odpowiedzi zaznaczone...
Pytanie: Jakimi aktywnymi układami elektronicznymi mogę zastąpić diody transil i bezpieczniki? Odpowiedź: Zabezpieczeniami przeciwprzetężeniowymi. Producenci we wszystkich branżach nieustannie dążą do osiągnięcia najnowocześniejszych systemów, próbując jednocześnie zrównoważyć takie innowacje...
Witam, pewnie nie jednemu z was było potrzebne napięcie 24 V, a mieliście do dyspozycji tylko 12V np. z zasilacza komputerowego, albo 12V z akumulatora samochodowego. Może też potrzebowaliście mieć zawsze równą stabilizację 12V, dzięki tej przetwornicy można mieć wysoko sprawną stabilizację...
Witam w kolejnej, piątej, części cyklu dotyczącej analizowania kart katalogowych tranzystorów MOSFET. W Rys.1. Pomiar ładunku Qrr i QOSS dla tranzystora CSD18531Q5A przy dI/dt równym 360 A/µs (po lewej) i 2000 A/µs (po prawej). Qrr może zależeć silnie od prądu diody w kierunku...
Dla napięcia sinusoidalnego wartość średnia wynosi 0, dlatego wprowadzono coś takiego jak wartość skuteczna. Dla przebiegów których wartość średnia jest zerowa określa sie wartość średnią bezwzględną (średnią wyprostowaną). A więc średnia czy skuteczna? wybiera się tą która lepiej opisuje dane...
W GaN nie chodzi tylko o parametry takie jak rezystancja złącza czy czas przełączania, ale najbardziej atrakcyjny jest fakt blokowania przepływu prądu w obydwu kierunkach. Nie występuje w nich pasożytnicza dioda jak w tranzystorach MOSFET. Fakt, nie posiadają one diody, ale większość tranzystorów...
Zastanawiam się czemu nie masz czasów martwych i Twój mostek jeszcze żyje mimo zasilania z sieci :) Ależ mam czasy martwe, wprowadza je rezystor na bramce wraz z diodą domykającą. :P To standardowe rozwiązanie stosowane w praktycznie wszystkich mostkach sterowanych przez GDT. W takich układach...
Witam, nasunęła mi się drobna uwaga. Po co dawać dodatkowe diody, skoro już one są w tranzystorach? Po pierwsze diody Schottkiego mają mniejsze napięcie przewodzenia, co ogranicza straty w czasie, gdy oba tranzystory w pół mostku nie przewodzą (w czasie martwym). Po drogie są dużo szybsze niż...
Najlepszym rozwiązaniem było by wstawienie "diody idealnej" między wyjściem na obciążenie i układem przetwornicy pozwoliło by to zniwelować możliwość zwarcia na akumulatorze w przypadku błędnej pracy przetwornicy lub błędnego sterownia np załączenia na stałe tranzystora górnego. Niby w jaki sposób...
Witam! Wystarczy poszukać w googlah ale dam to co mam: W każdym domu można dziś znaleźć kilka wzmacniaczy audio. Wszelkie odbiorniki radiowe, zestawy dźwiękowe, odbiorniki telewizyjne zawierają wzmacniacze mocy. Wzmacniacze lampowe wyparte swego czasu przez wzmacniacze tranzystorowe, wróciły do...
Witam! Sprawa z tranzystorami jest bardzo prosta do wyjaśnienia. 1. Sprawa mocy: straty mocy nie zależą od rodzaju użytego tranzystora. Bez znaczenia jest czy to MOSFET czy npn. Są zawsze takie same i zależą od iloczynu spadku napięcia na tranzystorach i prądu sumarycznego przez nie płynącego. Temperatura...
Witam Wracam do desperackiej :) próby naprawy tego złomu. Model BQT P6-530W, sterownik główny Duże zdjęcie płytki PCB. Wlutowany radiator z tranzystorami (w tym jeden osobny ale na wspólnym zdjęciu). Od lewej: Wymieniłem kondensator elektrolityczny główny na nowy (PP trzyma...
Zaletą Arduino jest mała ilość połączeń - wadą konieczność zaprogramowania. Można zrobić układ elektroniczny z układów scalonych "zaprogramowany" poprzez połączenia. Niezależnie od tego, którą wersję się wybierze, samo sterowanie tranzystora (lepiej MOSFET-a) sygnałem PWM nie gwarantuje potrzebnego...
Mam jeszcze pytanie na temat zabezpieczenia 1wire. Czy jest możliwość izolacji pinu odpowiedzialnego za komunikację 1W np. za pomocą dwóch szybkich transoptorów? Albo ewentualnie jego wzmocnienie jakimiś tranzystorami. Czy są jakieś inne sprawdzone i pewne sposoby? Warto by jak pisze kolega TMF zabezpieczyć...
Mysle że nie ma wiekszego problemu z zastosowaniem tranzystora MOSFET w stopniu końcowym modułu zapłonowego nalezy tylko zmienic sposób sterowania nalezy wziac pod uwage pojemnośc bramki (czas przelaczania) tronzystory z serii bu931z,941z itp. stosuje sie czesto z powodu wbudowania diody zenera...
Myślę, że układ z MOSFET-em zajmie więcej miejsca, niż z triakiem, i będzie miał większe straty na diodach, niż układ z triakiem na triaku - może sprawdź w notach katalogowych, jak porównuje się napięcie przewodzenia triaka i suma napięć przewodzenia dwu diod mostka? A jeśli chodzi o sterowanie...
Musisz zrobić zasilacz impulsowy, działa on na takiej zasadzie że podaje napięcie a gdy zostanie przekroczona granica np 3.3V to je odcina. Dzięki bardzo szybkim zmianom stanu przewodzenia i kondensatorowi na wyjściu, da się uzyskać bardzo stabilne napięcie 3.3V nawet z 400V. Do tego ma wysoką sprawność...
Na tranzystorach MOSFET powinny być dużo mniejsze straty mocy podczas przewodzenia niż na diodach prostowniczych. Wszędzie tam gdzie występują większe moce powinno być stosowane takie rozwiązanie celem oszczędności energii. Z drugiej strony jak taki sterownik będzie podatny na zakłócenia i działał nie...
Mógłbyś w miejsce tego tranzystora dać taki z kanałem P. Jego bramkę podciągnąć przez rezystor do wyjścia stabilizatora i "zwierać" ją z masą tranzystorem bipolarnym (wyjdzie ci taki negator). Ale wybierz sobie jakiś z serii IRF (o niskim Rdson )bo BUZ-y to kosztowny przeżytek. Wybierz taki wysoko prądowy,niskonapięciowy...
Skoro to wentylator na 5 Voltów i o mocy 1.2 Watt to chociażbyś dał gigantyczny tranzystor z radiatorem to i tak więcej nie popłynie (przy prawidłowych warunkach pracy - wykluczamy zwarcia na wentylatorze itp.) więcej niż 0.24 Amperów prądu. Nie pamiętam jaki dozwolony prąd może płynąć przez BC547B,...
Witam, ponieważ prąd jest duży a napięcie raczej małe (akumulatory samochodowe) proponuję zainteresować się koncepcją pod tytułem "mosfet bridge rectifier". Współczesne mosfet'y na niskie napięcia mają dość nienormalnie małe rezystancje kanału (poniżej 1 mΩ), moc strat takiego prostownika może...
W tym celu potrzebuje przewodnicy 3,3 do 400 V. Znalazłem układ przetwonicy 5/400V Praktycznie szansa że ten układ będzie pracował na 3,3V jest bardzo nikła. Powodem jest to że użyty mosfet ma progowe napięcie przewodzenia Vgs(th) (Gate-Source Threshold Voltage) w zakresie 1-3V, czyli może się trafić...
Tak jak podejrzewałem, triaki to BTA16-600B, TIP122 robi za kluczowanie i stabilizator napięcia dla wentylatora w kolbie HA. Niewiadomą jest stabilizacja 3.3V i to wymaga sprawdzenia, zmierzenia jak i gdzie jest stabilizowane? Podejrzewam, że za to odpowiada IC1, ten między kondensatorami elektrolitycznymi?...
hmm.. marek nie wiesz moze gdzie w lodzi sa sklepy gdzie moglbym dostac owy sprzet? btw. i co to jest to PWM ? :P Pulse width modulation czyli modulacja szerokości impulsu - na obciążenie zamiast sygnału o określonym poziomie podajesz na zmianę wartość maksymalną i zero. Zależnie od stopnia wypełnienia...
Witam :) Złożeniem projektu było wykonanie prostego i taniego wzmacniacza słuchawkowego na elementach dyskretnych. Po krótkich poszukiwaniach wybór padł na układ przedstawiony kiedyś w czasopiśmie EdW, jest do wzmacniacz pracujący w klasie A zrealizowany na tranzystorach mosfet (AVT2464). Całość...
Gusta gustami ale parametry techniczne im nie podlegają. Weźmy parametry pracy 5A w szczycie, 60V, 100'C temperatury złącza podczas pracy. 2N6491 ma hFE minimalne 20. Czyli prąd bazy: przynajmniej 250mA. Vce(SAT) katalogowo 1.3V przy Ib=0.5A, Ic=5A. ale Figure 9 później mówi o około 0.5V przy...
Po zamianie sterowania driver steruje silnik w pełnym zakresie obrotów od blisko 0V. Natomiast jeśli chodzi o prąd i nagrzewanie jest tak jak w przypadku drivera na BD139/140. Wynika z tego, że stromość narastania napięcia sterującego bramkę jest dla obu driverów podobna, albo wartość napięcia wysterowania...
Nie jest prawdą że RFD3055 (podobnie jak każdy MOSFET) nie ma diody w swojej strukturze - ma ją gdyż jest to nieodłączny, pasożytniczy "dodatek" to tej struktury tranzystora. Dioda ta może przenieść spore natężenie prądu, problemem jest prędkość jej zadziałania - w podanym tranzystorze zareaguje ona...
Jeśli będzie spadek napięcia i tym samym będzie się grzać podczas ładowania jak przy prostowaniu prądu przemiennego to nie ma dla mnie sensu grzebać się przy tym. Każda dioda ma jakiś spadek napięcia w kierunku przewodzenia i jakieś straty z tym związane. Spadek napięcia, w zależności od typu diody...
Nagrzewnica indukcyjna z miękko przełączanym niesymetrycznym generatorem o rezonansie równoległym Jakiś czas temu pracowałem nad eksperymentalną konstrukcją nagrzewnicy indukcyjnej wykonanej w topologii niesymetrycznej, miękko przełączanej o rezonansie równoległym. Budowa układu protypowego o mocy...
1) no, to ten mosfet by powodował stratę 0.5V - trochę dużo, jak mamy wszystkiego ze 3V: 1/6; z tego powodu sugerowałem jakiś sposób uzyskania wyższego napięcia do bramki mosfeta; 2) dzielnik nie jest podłączony do akumulatora; zenerka ma duży prąd już poniżej napięcia Zenera, a ja chcę zminimalizować...
Kolega WojcikW jest właśnie douczony. Ja dodatkowo lubie czasami podzielić się wiedzą więc sobie popisze. Układy tyrystorowe w obwodach prądu stałego spisują się całkiem dobrze. Uczą o tym w szkołach piszą w książkach. Miałem laboratoria z tyrystorami w roli głównej. Miałem do tego upierdliwego doktorka...
Witam. W pewnym zastosowaniu muszę odzielić zasilanie od odbiornika przez diodę. Jednakże na skutek znacznego spadku napięcia na diodzie w kierunku przewodzenia, powstają straty, dioda się grzeje, część energii idzie w powietrze - prąd rzędu 20A nap 12V, więc traci się na diodzie 14W. Pomyślałem sobie...
IGBT na duże napięcie (1200V) ma duże napięcie przewodzenia, co wiąże się z niepotrzebnymi stratami mocy Najlepiej zastosować na jak najniższe np 600V bo mniejszych chyba nie robią Przy tak małym napięciu 50V lepiej by się spisywał mały mosfet który kupisz za kilka zł w każdym sklepie Leszek
Dobrze zrozumiałeś. R1 trzeba dobrać do spadku napięcia na D4..D6 i napięcia przewodzenia LED-a w transoptorze, orientacyjnie ze 150R. Jakoś nie mam przekonania, żeby MOSFET-y były słyszalne. Natomiast przy szybkim narastaniu/zanikaniu prądu przewód może emitować zakłócenia np. dla odbioru radiowego. Co...
Powiadasz bez cewki, czyli najprościej jak się da, zwykły PWM... hmm pewnie z odpowiednim filtrem na wejściu i kluczem zamontowanym na grzałce być może nie przerodzi się w nadajnik. Ze względu na EMI można zostawić pełny układ buck, tylko wymagania na wyjściowe L i C sie zmniejszą bo celem będzie zmniejszenie...
Witam, stosowanie diod w tym układzie jest niezbyt szczęśliwe. Nawet diody Schottky'ego na taki prąd mają napięcie przewodzenia realnie powyżej jednego wolta, czyli moc strat ponad 30 W na diodę, razem około 100 W. Proponuję sprawdzić w dokumentacji czy te zasilacze mają możliwość pracy równoległej,...
Firma D3 Semiconductor zadebiutowała na rynku urządzeń półprzewodnikowych tranzystorami z rodziny +FET. Jest to rodzina tranzystorów MOSFET o napięciu pracy do 650 V. Układy te dedykowane są do wysokowydajnych rozwiązań w przetwornicach impulsowych, układach PFC, inwerterach oraz sprzęcie telekomunikacyjnym,...
Jeśli producent rekomenduje napięcie 16 - 20 V( optymalne 17V wskazano na schemacie ) to myślę inżynierzy producenta znają, że rekomendują Gdyby to napisał początkujący - mógłbym go zrozumieć. Ale Ty jesteś elektronikiem! - nie czytasz schematu? - czy nie rozumiesz tekstu nie ma tam sporego spadku...
Pozwolę sobie na kilka uwag. Ale niekoniecznie należy używać tranzystorów o tak niskiej oporności kanału - prąd 100A wymaga całkiem grubego przewodu, i podłączenie takiego przewodu do tranzystora to spore wyzwanie (chyba, że tranzystor ma do tego śruby z gwintem 8mm). Pewnie łatwiej i taniej wyjdzie...
Sygnał sterowania pochodzi z mikrokontrolera STM32 więc sygnały sterujące będą miały napięcie 3,3V (DIRA, DIRB i DIRC na górze). Przyjęta tu przez Ciebie koncepcja sterowania trzema sygnałami z uC (oszczędzająca jedną bramkę wobec przykładu z linku) jest potencjalnie niebezpieczna bo nie eliminuje...
Silniki synchroniczne, a zwłaszcza silniki krokowe i silniki z magnesem stałym, coraz częściej stosuje się do sterowania w systemach, w których wymagana jest nie tylko precyzja, ale też wysoka wydajność i wyjątkowa sprawność energetyczna. Obecna technologia sterowania silnikiem obejmuje zastosowanie...
Witam Zbudowałem urządzenie które steruje silnikiem DC. Zasilanie 12V. Tranzystor to P- MOSFET , model AOD403, bezpiecznik 8A szybki. Sprawa wygląda tak że zwarcie wyjścia do masy zawsze kończy się upaleniem bezpiecznika i tranzystora. Tranzystor uszkodzony ma zwarcie między drenem a źródłem. Nie...
Witam Chciałbym zabezpieczyć uklad przed odrotną polaryzacja i wyczytałem że do tego celu najlepiej nadaje się dioda SBR DIODES. W przeciwieństwie do typowej diody Schottky'ego w SBR do utworzenia niskiej bariery potencjałowej dla nośników większościowych służy kanał MOS, o niskim napięciu przewodzenia...
"Nie stosuje się" to tak jak "nie trzeba wymieniać oleju w skrzyni biegów" w autach. Producent po prostu chce sprzedać więcej akumulatorów, a ładowanie "na chama" nieograniczonym prądem nie zbyt zdrowe. Schemat kolegi Jarka jest tu chyba najprostszym rozwiązaniem. Aczkolwiek jak wspomniałem, przy...
No to liczymy. Napięcie diody 3,1-3,2 V nie wiadomo przy jakim prądzie? Napięcie jednego ogniwa R20 1,6 V gdy jest nowe. W czasie pracy napięcie spada do 1 V lub 0,9 V. Napięcie baterii złożonej z dwóch ogniw pierwotnych jest sumą napięć tych ogniw, więc wyniesie 2x1,6 V=3,2 V gdy ogniwa są nowe i 2x0,9...
