(...) lektrodaBot Czy tranzystor IPD60R280P7ATMA1 jest zamiennikiem 60R360Q (w katalogu polskiego sprzedawcy ten oryginał to IPD60R360P7 - co prawda bez indeksu Q na końcu) Może ktoś z kolegów pomoże? ``` Bezpośrednia odpowiedź IPD60R360P7 (600 V) i 50R380P (500 V) to tranzystory z tej samej rodziny Infineon CoolMOS P7, o zbliżonej rezystancji RDS(on)...
Oczywiście, że równoległe. Tak, teoretycznie tak to wygląda, chociaż obawiam się, że nie trafisz na na tyle podobne parametrami mostki, że prąd będzie się rozkładał "równo" między mostki. Musiałbyś mostki mierzyć (głównie napięcia przewodzenia), wybrać 2 najbliższe sobie, oraz co najważniejsze porządnie sprząc je termicznie. Znaczy przykręcić blisko...
Irfz ma około 100w co na moje potrzeby za mało. Podejrzewam że nie za bardzo dobrze liczysz swój projekt. Mosfet IRFZ44 zastosowany jako czysty klucz (jak to jest przy pracy PWM) nie wydzieli pełnej mocy granicznej z jego specyfikacji, bo mamy dla niego max 50A i opór kanału <0,028om (opieram się na specyfikacji firmy Vishay) czyli ledwo 14W. Jeśli...
No tak, ale powstaje takie pytanie, czy w przypadku, kiedy przez diodę przechodzi napięcie z portu USB, to czy ono nie jest obniżone, jak przy standardowej diodzie z mojego schematu nr 2? Jest oczywiście obniżone, kiedy prąd z USB płynie tylko przez tą diodę. Powiedzmy że będzie tam ok. 4V nawet mniej. Ale to napięcie zasilania już wystarczy by działał...
Witam wszystkim i dziękuję na wstępie zainteresowaniem niniejszym tematem. Przed kilkoma laty opisałem na niniejszym forum instalację balkonową, która po dzień dzisiejszy zaopatruje w słoneczne dni mój dom w energię. https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3... Z biegiem czasu zmniejszyłem bufor energii z 105Ah na 65Ah czyli prawie o połowę z...
Musisz zrobić zasilacz impulsowy, działa on na takiej zasadzie że podaje napięcie a gdy zostanie przekroczona granica np 3.3V to je odcina. Dzięki bardzo szybkim zmianom stanu przewodzenia i kondensatorowi na wyjściu, da się uzyskać bardzo stabilne napięcie 3.3V nawet z 400V. Do tego ma wysoką sprawność bo niemal całe straty są np w MOSFET działającym...
Tranzystor na pewno się nadaje, ale... To wykres SOAR i źle go interpretujesz, n.b. wcale go tu nie potrzebujesz. Pod warunkiem, że odpowiednio wysterujesz tranzystor (wartość napięcia sterującego Vgs, wydajność prądowa tego źródła) ważne jest Rdson - a ono zależy od Vgs. Wówczas moc strat w czasie przewodzenia P=Uds x Id, Uds=Rdson x Id, więc P=Rdson...
Witam, Quarz bardzo dziękuję za wyjaśnienie, teraz już jestem w domu. jeszcze tylko jak by mi ktoś powiedział czy IGBT mają większą sprawność niż MOSFET tzn miej tracą mocy to byłbym szczęśliwy. cieszę się, iż znalazłeś swój dom... :D Odnośnie sprawności, w ścisłym tego słowa znaczeniu, to będzie można mówić, kiedy porównamy konkretne typu tranzystorów...
https://obrazki.elektroda.pl/3496920600_... Jednym z pierwszych projektów, które zrealizowałem mając 9-10 lat było pudełko z kilkoma LEDami, przełącznikami i potencjometrem - taka tam wprawka w lutowanie. Drugim była migająca strzałka LED z kitu bodaj Jabela. Pierwszym, który zepsułem lutownicą transformatorową (której nie polecam)...
http://obrazki.elektroda.net/77_12399076... Od dłuższego czasu miałem ochotę zbudować przetwornicę sieciową do zasilania wzmacniacza audio. Niestety, na forum jest niewiele takich projektów, a żaden nie spełniał moich wymagań. Postanowiłem wykonać taki zasilacz samodzielnie od podstaw. Zaprojektowanie, zbudowanie i przetestowanie zasilacza...
http://obrazki.elektroda.net/41_12633119... Stworzone przeze mnie urządzenie jest praktycznym uzupełnieniem piórnika szkolnego. Jest wyposażone w kilka pożytecznych funkcji i na opisanych poniżej nie zamierzam zaprzestać. Całość została zorganizowana w wygodne w obsłudze intuicyjne menu. 6 przycisków uSwith w jakie jest wyposażony układ umożliwia...
https://obrazki.elektroda.pl/6720313900_... Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje...
(at)ElektrodaBot Poziom sterowania 2.7V Bezpośrednia odpowiedź - Przy sterowaniu 2.7 V z MC32PF1550A4 zdecydowanie wybierz MOSFET „logic level”, a nie tranzystor bipolarny. - 2.7 V wysteruje poprawnie małosygnałowe NMOS‑y o VGS(th) ≲1.5 V i z kartą podającą RDS(on) przy VGS=2.5 V. - Jeśli przełączasz „low‑side” (źródło do GND) – użyj N‑MOS; jeśli „high‑side”...
Nagrzewnica indukcyjna z miękko przełączanym niesymetrycznym generatorem o rezonansie równoległym Jakiś czas temu pracowałem nad eksperymentalną konstrukcją nagrzewnicy indukcyjnej wykonanej w topologii niesymetrycznej, miękko przełączanej o rezonansie równoległym. Budowa układu protypowego o mocy cieplnej 500W miała na celu potwierdzenie założeń dot....
Pytanie: Jak dobrać do naszej aplikacji tranzystor dyskretny? Odpowiedź: No... dyskretnie ;). Tego żartu nie udało się niestety uniknąć. Prawda jest taka, jak piszę autor artykułów, James Bryant, iż wcale nie trzeba dokonywać tego doboru nazbyt dokładnie. Często spotyka się projektantów spędzających długie godziny czy nawet dni poszukując możliwie...
Zasilanie układów elektroniki samochodowej może być trudne ze względu na wymagania dotyczące wysokiej niezawodności przy stosunkowo niestabilnym napięciu akumulatora. Różnorodność systemów elektrycznych i mechanicznych współpracujących z akumulatorem pojazdu i może powodować gwałtowne skoki napięcia w nominalnym zasilaniu 12 V. W rzeczywistości napięcie...
czy STP11nk50zfp jest zamienny z STP10nk60fzp ? STP11NK50ZFP i STP10NK60FZP to tranzystory MOSFET typu N produkowane przez STMicroelectronics. Aby ocenić, czy są zamienne, należy porównać ich kluczowe parametry: 1. Napięcie dren-źródło (VDS) : - STP11NK50ZFP: 500V - STP10NK60FZP: 600V 2. Prąd drenu ciągły (ID) : - STP11NK50ZFP: 11A - STP10NK60FZP:...
(...) https://obrazki.elektroda.pl/8291400600_... https://obrazki.elektroda.pl/6097504500_... https://obrazki.elektroda.pl/5299293900_... https://obrazki.elektroda.pl/9974350000_... https://obrazki.elektroda.pl/6650689500_... (at)ElektrodaBot Wstępna ocena dostępnych informacji Na podstawie załączonych...
https://obrazki.elektroda.pl/5413555400_... Pytanie Czy mogę skorzystać z prostego obliczenia energii przy wyborze superkondensatora do systemu zasilania rezerwowego? Odpowiedź: Proste obliczenie energii zgromadzonej w kondensatorze nie powiedzie się, chyba że weźmiemy pod uwagę dodatkowe szczegóły, które mają wpływ na magazynowanie...
http://obrazki.elektroda.pl/1735556200_1... Międzynarodowa Komisja Elektrotechniczna (IEC) w swojej normie 61000-3-2: 2014 wyznaczyła standardy kompatybilności elektromagnetycznej urządzeń. Norma ta zastępuje poprzednią IEC 61000-3-2: 2006 wchodząc w życie 30 lipca 2017 roku. Omawiana norma dotyczy zniekształceń harmonicznych przewodzonych...
Rezystory Rezystory nazywane są również opornikami. Służą one głównie do ustalania wartości natężeń prądu płynącego w obwodach elektrycznych lub napięć w poszczególnych punktach układu elektronicznego. Rezystor może mieć różną wartość rezystancji, którą mierzy się w omach (symbol W). Ten symbol na tej stronie jest pomijany. Często zastępuję go w następujący...
Taki SSR DC to tak naprawdę nic innego jak zwyczajny tranzystor mosfet z osprzętem pomocniczym. Jeśli czuje się kolega na siłach to można kupić kilka zwyczajnych IRF540 lub podobnych (byle oryginały), spiąć równolegle i straty będą generalnie minimalne, w granicach kilku W. IRF540 pojedynczy ma maksymalnie 0.077Ω w stanie przewodzenia. Moc strat...
Weź pod uwagę, że napięcie przewodzenia diod się różni w pewnych granicach, dodatkowo zmienia się wraz ze wzrostem temperatury. Np. dla jednej z diod z tabelki wynosi ono -200 mV/100 st. C, jeżeli w szeregu masz 8 diod, to masz 1,6V różnicy plus różnice wynikające z indywidualnych diod. W efekcie prąd się zmienia w szerokich granicach, wyliczone straty...
MOSFET przede wszystkich królują w układach przełączający (impulsowych). Wielokrotnie szybsze przełączanie, zdolność przewodzenia dużych prądów, zazwyczaj mniejsze straty przewodzenia... Ponadto znacznie łatwiejsze sterowanie - żeby utrzymać MOSFET włączonym nie trzeba żadnych specjalnych zabiegów (starczy przeładować w celu przełączenia pojemność bramki,...
Dla napięcia sinusoidalnego wartość średnia wynosi 0, dlatego wprowadzono coś takiego jak wartość skuteczna. Dla przebiegów których wartość średnia jest zerowa określa sie wartość średnią bezwzględną (średnią wyprostowaną). A więc średnia czy skuteczna? wybiera się tą która lepiej opisuje dane zjawisko. Np. w danych katalogowych diody prostowniczej...
Tu trochę nie rozumiem. Jak wstawisz bardzo duży rezystor R71 (rezystor kolektorowy tranzystora bipolarnego, on też pośrednio ogranicza prąd bamki tranzystora MOSFET) to bramka tranzystora będzie się wolniej ładowała, tranzystor MOSFET będzie się wolniej włączał, a więc będzie się bardziej grzał, a to i ciepło do odprowadzenia i marnowanie energii...
Zastanawiam się czemu nie masz czasów martwych i Twój mostek jeszcze żyje mimo zasilania z sieci :) Ależ mam czasy martwe, wprowadza je rezystor na bramce wraz z diodą domykającą. :P To standardowe rozwiązanie stosowane w praktycznie wszystkich mostkach sterowanych przez GDT. W takich układach czas martwy ustala się dobierając rezystor przy pomocy...
Musisz podać jeszcze czasy narastania/opadania zboczy kluczujących, współczynnik wypełnienia. Zakładamy, że tranzystor w czasie przewodzenia jest w pełni otwarty ( napięcie G-S >= 10V ).
Efektywność energetyczna wymaga nieustannych optymalizacji: doprowadziło to rynek przemysłowy do poszukiwania różnych nowych rozwiązań. Węglik krzemu (SiC) jest obecnie jednym z najważniejszych półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej. Chętnie wykorzystywany jest do produkcji elementów mocy, gdyż pozwala na uzyskanie niskich strat i zwiększenia...
MOSFET ma stosunkowo dużą rezystancję kanału SD w czasie przewodzenia i nie nadaje się do sterowania np. silnika (duże straty mocy). IGBT jest konstrukcją złożoną z MOSTETa i tranzystora bipolarnego. Połączono w nim właściwości sterowania napięciowego MOSFETa z niską rezystancją przewodzenia tranzystora bipolarnego. :)
Na tranzystorach MOSFET powinny być dużo mniejsze straty mocy podczas przewodzenia niż na diodach prostowniczych. Wszędzie tam gdzie występują większe moce powinno być stosowane takie rozwiązanie celem oszczędności energii. Z drugiej strony jak taki sterownik będzie podatny na zakłócenia i działał nie prawidłowo to katastrofa dla zasilanych układów....
od kiedy używa się maximum rantings z dokumentacji? _lazor_ od kiedy podaje się niezgodnie z faktami że maximum ratings to 15V podczas gdy wynosi ono 20V (30V dla AC) dla tranzystora i 30V dla układu UC3843? Tranzystor ma wbudowane transile na bramce a do tego dodany jest zewnętrzny transil na 18V. Po drodze jest też dioda UF4007 więc napięcie zasilania...
http://obrazki.elektroda.net/43_12163191... Witam :) Złożeniem projektu było wykonanie prostego i taniego wzmacniacza słuchawkowego na elementach dyskretnych. Po krótkich poszukiwaniach wybór padł na układ przedstawiony kiedyś w czasopiśmie EdW, jest do wzmacniacz pracujący w klasie A zrealizowany na tranzystorach mosfet (AVT2464). Całość...
PCONDmosfet = IOUT2 x RDSon x (VOUT / VIN) na straty statyczne oraz PSWmosfet=0.5 x VD x ID x (tSWon + tSWoff) x fs na straty dynamiczne a zaczerpnąłem wiedzy z : https://www.maximintegrated.com/en/app-n... . Przebieg narastania na drenie a z niego się przelicza straty jest w porządku - nie ma jakiś mega wielkich opóźnień Jednak,...
Schemat http://obrazki.elektroda.pl/7870877300_1... Napięcie na drenie wynosi maksymalnie 70 V więc dane z noty katalogowej nie są przekroczone. Natomiast ta górka na bramce w stanie off ma wartość około 2,5 V A moc strat liczyłem za pomocą wzoru P=I^2*(Rdson) Prąd drenu = 3 A Rdson (dla IRFP460) = 0,27 Ω P = 3 A*3 A*0,27 Ω=2,43...
Tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) oparte na azotku galu (GaN) oferują doskonałą charakterystykę elektryczną i stanowią ważną alternatywę dla tranzystorów MOSFET i modułów IGBT w aplikacjach do sterowania silnikami w systemach o wysokim napięciu zasilania i wysokiej częstotliwości przełączania. Poniższy artykuł koncentruje się na zaletach...
Nie jestem w tej dziedzinie wybitnym specjalistą ale mam wątpliwości co do poprawnego działania układu który chcesz wykonać. Po pierwsze napięcie otwierania tego MOSFETa. W specyfikacji faktycznie jest podana wartość koło 3V ale jest to zdaje się napięcie progowe przy którym tranzystor dopiero zaczyna się otwierać. Do pełnego otwarcia potrzebne jest...
W układzie zastosowano tzw. nastawialny czas martwy (ang. DEADTIME). Stosuję się tu odpowiedni rezystor np. o wartości rezystancji 100R. Czas martwy to czas jaki występuje pomiędzy załączeniem jednego a wyłączeniem drugiego tranzystora. Jeśli już dojdzie do takiego zjawiska jakim jest prąd skrośny (ang. CROSS CURRENT CONDUCTION) do którego dochodzi,...
MPPT (lepsze lub gorsze) to nie problem, martwi mnie tylko ten stopień mocy. Powiadasz bez cewki, czyli najprościej jak się da, zwykły PWM... hmm pewnie z odpowiednim filtrem na wejściu i kluczem zamontowanym na grzałce być może nie przerodzi się w nadajnik. Ponadto z tego co wiem to panele nie lubią takiej PWMowej pracy, a już nie mam pojęcia co na...
Odpowiem hurtem: 1. Minimalne napięcie zasilania LM2675 - patrz na wykresy na stronie 7 - są bardzo pouczające ;-) 2. Sterowanie procesorem - wiele rozwiązań. Ale na pewno nie przez bezpośrednie podawanie na FB jakiegokolwiek napięcia. Możesz sterować różnicowo - podając napięcie przez rezystor. Ale jest jeszcze inna możliwość - wykorzystanie wejścia...
A więc po kolei: 1.Nie rozumiem idei soft startu, jeżeli i tak napięcie załączasz PWM-em to prąd jest uzależniony od wypełnienia. 2.Zasilanie tak jak je zrobiłeś nie powinno przyczynić się do zepsucia układu, ewentualnie do nieprawidłowego działania. 3.Miganie diody świadczy o zwarciu zasilania uC z masą. 4.Transil nie jest konieczny Po pół dnia przeglądania...
Mysle że nie ma wiekszego problemu z zastosowaniem tranzystora MOSFET w stopniu końcowym modułu zapłonowego nalezy tylko zmienic sposób sterowania nalezy wziac pod uwage pojemnośc bramki (czas przelaczania) tronzystory z serii bu931z,941z itp. stosuje sie czesto z powodu wbudowania diody zenera (!baza-kolektor) która zabezpiecza tranzystor przed przekroczeniam...
Witam serdecznie, to mój pierwszy post tutaj i w ogóle na jakimkolwiek forum, mam nadzieję, że dział odpowiedni itd. itd., miejmy to już za sobą. Od kilku miesięcy planuję budowę mojej drugiej przetwornicy Mazzillego i pozwoliłem sobie zmodyfikować ten układ poprzez zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych do sterowania bramkami MOSFETów. Jako klucze zastosuję...
Po zamianie sterowania driver steruje silnik w pełnym zakresie obrotów od blisko 0V. Natomiast jeśli chodzi o prąd i nagrzewanie jest tak jak w przypadku drivera na BD139/140. Wynika z tego, że stromość narastania napięcia sterującego bramkę jest dla obu driverów podobna, albo wartość napięcia wysterowania bramki jest zbyt mała. U Ciebie jest to tylko...
1. Dla uzyskania zmiany napięcia pojedynczej diody LED o 0.4V potrzeba zmiany temperatury o ponad 100stopni. I to sporo ponad. Ależ jest to oczywista oczywistość, że taki zakres zmian napięcia na LED byłby powodem do jej 'śmiertelnego zejścia', ale nic nie stoi na przeszkodzie aby - teoretycznie - układ służący do stabilizacji jej prądu sprawdzić (policzyć)...
Witam Wracam do desperackiej :) próby naprawy tego złomu. Model BQT P6-530W, sterownik główny http://obrazki.elektroda.pl/6372568100_1... http://obrazki.elektroda.pl/3808897800_1... http://obrazki.elektroda.pl/5738617100_1... http://obrazki.elektroda.pl/9732659300_1... Duże zdjęcie płytki PCB....
W aplikacjach takich jak inteligentne liczniki zużycia energii elektrycznej czy kontrolery silników elektrycznych, systemy zasilania muszą przetwarzać wysokie, zmienne napięcie wejściowe do niskiego napięcia DC, umożliwiającego zasilanie mikrokontrolerów czy modułów IGBT. Na przykład napięcie trójfazowe, bardzo często spotykane w sieci energetycznej...
W poniższym artykule opisano najnowszą technologię urządzenia OptiMOS 6 firmy Infineon. Jest to nowatorskie podejście do projektowania modułów zapewniające wyższą gęstość mocy i poprawiające efektywność kosztową wykorzystujących je systemów. Od samego początku swojego istnienia, technologia MOSFET była powszechnie uznawana za doskonałą opcję dla kluczy...
Czy może mi ktoś podpowiedzieć, jak obliczyć straty podczas otwierania tranzystorów? Chodzi mi oczywiście o sam proces otwierania, ponieważ potem to już pestka policzyć straty w stanie przewodzenia. Mam na myśli MOSFET i IGBT, chociaż pewnie IGBT zachowuje się w tym temacie identycznie jak bipolarny. I ja wiem, że te czasy przełączenia są śmiesznie...
https://obrazki.elektroda.pl/9091599600_... Poszukiwanie bardziej wydajnych materiałów elektronicznych do produkcji urządzeń mocy i znajduje się na czele działalności badawczo-rozwojowej w sektorze półprzewodnikowym. Niski koszt i szeroka dostępność krzemu pozwoliły mu wyprzedzić wiele lat temu german jako dominujący materiał półprzewodników...
Z noty katalogowej przesłanego tranzystora wynika, że maksymalne napięcie baza-emiter to 9V. Czyli rozwiązanie nadal wymaga dzielnika napięcia przy PU rezystorze. W przypadku tranzystorów BJT istotne jest nie napięcie ( w uproszczeniu ) a prąd, który wpływa do Bazy. A napięcie 9V o którym napisałeś odnosi się do wartości napięcia wstecznego a nie w...
https://obrazki.elektroda.pl/7864816400_... Tranzystory SuperGaN firmy Transphorm zostały zaprojektowane w celu wzmocnienia tranzystorów mocy GaN do układów kaskodowych. Energoelektronika to szybko rozwijająca się dziedzina, kluczowa w wielu gałęziach przemysłu, od energii odnawialnej po pojazdy elektryczne. Do krytycznych elementów...
Witam, ponieważ prąd jest duży a napięcie raczej małe (akumulatory samochodowe) proponuję zainteresować się koncepcją pod tytułem "mosfet bridge rectifier". Współczesne mosfet'y na niskie napięcia mają dość nienormalnie małe rezystancje kanału (poniżej 1 mΩ), moc strat takiego prostownika może być dziesięciokrotnie mniejsza, albo i lepiej. Jeżeli...
Trochę się zastanawiałem nad odpowiedzią, gdyż nie mam za wielkiego doświadczenia w półmostkach gdzie nie ma rezonansu, ale jednak nie ma aż takich rozbieżności. Zacznijmy od tego że nie powinno się odpalać półmostków bez obciążenia. Dlaczego? Bo występuje wtedy najgorsza forma przełączania - hard swiching. W takim wypadku prądy przeładowania się pojemności...
https://obrazki.elektroda.pl/3987279300_... Przetwornice mocy są niezbędnymi elementami wykorzystywanymi w zastosowaniach elektrycznych, a wraz z nimi cewki indukcyjne, klucze mocy itp. Tego rodzaju rozwiązania użytkowane są w systemach odnawialnych źródeł energii i magazynowania jej. Potrzeba elektryfikacji mechanizmów, które wcześniej...
https://obrazki.elektroda.pl/5266100300_... Rys.1. Hybrydowa (GaN i IGBT) topologia falownika. W ciągu ostatnich kilku lat liczba pojazdów elektrycznych (EV) na naszych drogach znacznie wzrosła. Stawia to przed projektantami wysokie wyzwania, takie jak maksymalizacja sprawności maszyn tego typu, optymalizacja infrastruktury ładowania...
ale to jest tylko kwestia, czy zanikanie prądu będzie z powodu rozładowania kondensatorów, czy z powodu wyłączenia tranzystora. Właśnie w tym autor ma problem: przesadziłem trochę z pojemnością kondensatorów co oznacza stopniowy zanik prądu cewki Ah, no tak. Źle zinterpretowałem Twoją wypowiedź. Jeżeli chodzi o odpowiedź jarka, nie mogę się z nią zgodzić....
Zakładając że jest wysterowany prawidłowo i otwarty "w całości" to wg noty katalogowej IRF 540 ma RDS(ON) = 0,077 OHM. Przy 5A moc odłożona na tranzystorze przy ciągłej pracy ( tylko przewodzenie) to I*I*R co daje 1,925 W . Jeżeli nie masz żadnego radiatora to ten tranzystor musi się grzać. Taki np AUIRFB4410 z TME za 5 zł (10 szt. ) ma RDS(ON) = 0,01...
https://obrazki.elektroda.pl/1470391800_... Firma STMicroelectronics zaprezentowała dwa nowe moduły mocy oparte na półprzewodniku szerokoprzerwowym — węgliku krzemu (SiC). Jednostki należą do drugiej generacji tego rodzaju elementów STM-a i korzystają z technologii obudów ACEPACK 2. Według firmy, pozwala to zwiększyć gęstość...
11,6V to nominalne, czy zmierzone? Jeśli zmierzone bez obciążenia, to przy bardzo małym obciążeniu dostaniesz 64V na kondensatorze. Nominalne warunki pracy takiego transformatora, to szczytowy prąd około 12A, i napięcie szczytowe zmniejszone o 3,3V (o 5%); można mieć około 60V na kondensatorze przy prądzie szczytowym jak dla nominalnych warunków pracy,...
Moc zależy od prądu tranzystora i spadku na nim napięcia. Każdy będzie musiał się grzać. Tu masz symulacje - porównaj skuteczność/wyniki. https://obrazki.elektroda.pl/1920016600_... Przyjąłem obciążenie 1 A. Gdyby przyjąć dużą wydajność prądową źródła, to usmażysz każdy tranzystor. Szczególnie przy przepięciach długotrwałych. Będzie...
Sprawność przetwarzania energii ma kluczowe znaczenie dla rozwiązania problemów związanych z zasięgiem pojazdu elektrycznego i czasem jego zasilania. Ładowarki pokładowe (OBC) z wyjściem prądu stałego i dużymi komponentami magnetycznymi mogą skorzystać poprzez zmniejszenie rozmiarów i kosztów na skutek przejścia na znacznie wyższe częstotliwości pracy....
Nie doczytałem. Zwierając bramkę ze źródłem, albo masą, prąd nie będzie płynął, tylko przez chwilę rozładowywania pojemności bramki. Wcześniej wspomniane przez mnie straty występują w stanie przewodzenia . ;)
Nie wiem - zależy co chcesz osiągnąć i w jakim układzie. Czasem układ wymusza nierealistyczne wymagania wobec kluczy, dowodząc błędu w założeniach. Redukcja strat przełączania z reguły pociąga za sobą wzrost strat przewodzenia. Redukcja obu - wzrost kosztów i strat w sterowniku kluczy...
Gdy nie ma rezystora Rg na bramce to i tak mamy rezystancję wewnątrz bramki mosfet oraz rezystancję drivera, więc zawsze te 2 ohm będzie. Ale co to daje i czym to grozi? Zależy od topologii, ale może mieć pozytywne (mniejsze straty dynamiczne) jak negatywne (większe zakłócenia, w half-bridge może spowodować załączenie dwóch kluczy na raz na krótki czas)....
http://obrazki.elektroda.pl/2905688100_1... Spółka Vishay Intertechnology, Inc. ogłosiła właśnie wprowadzenie nowego tranzystora polowego do swojej oferty. MOSFET ten wyposażony jest w kanał typu N i możliwość pracy z napięciem do 30 V. Element wyprodukowany został w opatentowanej technologii TrenchFET? czwartej generacji. Tranzystor...
Skoro to wentylator na 5 Voltów i o mocy 1.2 Watt to chociażbyś dał gigantyczny tranzystor z radiatorem to i tak więcej nie popłynie (przy prawidłowych warunkach pracy - wykluczamy zwarcia na wentylatorze itp.) więcej niż 0.24 Amperów prądu. Nie pamiętam jaki dozwolony prąd może płynąć przez BC547B, ale jeśli to za mało to możesz dać inny tranzystor....
W specyfikacji tranzystora masz podane przeważnie max prąd na bramce. Wylicza się go jako różnice potencjału miedzy stanem hi i lo. Czyli napięcie max jakie używasz to stanu przewodzenia z odjętym napięciem stanu blokowania. Np jak na bramkę możesz podać 15 V lub zewrzeć do masy to masz 15V - 0 V = 15 V. Podobnie jak możesz podać 10 V ale masz źródło...
Po kolei. Główna przetwornica robi tylko napięcie 12V. Z niej małe przetwornice DC-DC robią pozostałe napięcia. Diod prostowniczych w takich konstrukcjach się nie używa - spadek napięcia rzędu 0,7V, przy prądzie rzędu 100A (a chwilowym ponad 200A) to straty na które nie można sobie pozwalać. Zamiast tego stosuje się prostowniki synchroniczne, gdzie...
W przetwornicy step-down "buck" na LM2596 po otwarciu klucza (wbudowany w LM2596) dławik wymusza dalszy przepływ prądu i ten prąd płynie przez diodę D1; przy zamkniętym kluczu prąd dławika narasta, bo napięcie wejściowe jest wyższe od wyjściowego, po otwarciu klucza prąd maleje, bo "napięcie wejściowe" to minus napięcie przewodzenia D1 (a szybkość zmiany...
Przy częstotliwości 100kHz na przełączanie tranzystora bipolarnego tracimy 30% czasu. Ok. 1us trwa włączanie tranzystora i ok. 2us wyłączanie. Tranzystory bipolarne w nasyceniu wyłączają się bardzo niechętnie. Straty na przełączaniu przy 100kHz można szacować na 15-20% mocy wyjściowej. Co do rezystancji Rdson MOSFETów - można sobie dobrać taki MOSFET,...
Myślę, że układ z MOSFET-em zajmie więcej miejsca, niż z triakiem, i będzie miał większe straty na diodach, niż układ z triakiem na triaku - może sprawdź w notach katalogowych, jak porównuje się napięcie przewodzenia triaka i suma napięć przewodzenia dwu diod mostka? A jeśli chodzi o sterowanie i charakterystykę sinusa, to czy potrzeba mieć liniową...
Sygnał sterowania pochodzi z mikrokontrolera STM32 więc sygnały sterujące będą miały napięcie 3,3V (DIRA, DIRB i DIRC na górze). Przyjęta tu przez Ciebie koncepcja sterowania trzema sygnałami z uC (oszczędzająca jedną bramkę wobec przykładu z linku) jest potencjalnie niebezpieczna bo nie eliminuje w sposób pewny sytuacji zwarcia zasilania przez dwa...
W przybliżeniu - tak, będzie lepszy. Tak liczone starty mocy (ciepło) dotyczy tylko strat w czasie włączenia (przewodzenia) tranzystora. Ważny tu jest również jaki jest stosunek czasu włączenia do okresu - t.zw. "Duty Cycle". Wiele tu zależy od tego, jak często ten tranzystor ma się włączać/wyłączać. Jeśli np. ma to być PWM to uC sobie słabo z tym poradzi,...
Czy rezystancja prądnicy (silnika) rzeczywiście wynosi 30Ω, przy parametrach które podałeś brzmi to nieprawdopodobnie, a jest to ważny parametr, maksymalną moc uzyskasz przy dopasowaniu, więc warto żeby twój układ miał charakterystykę prądowo-napięciową zbliżoną do rezystora o rezystancji źródła. Z symulacji w LTspice'ie wynika że przy przy wyższych...
Witam. W pewnym zastosowaniu muszę odzielić zasilanie od odbiornika przez diodę. Jednakże na skutek znacznego spadku napięcia na diodzie w kierunku przewodzenia, powstają straty, dioda się grzeje, część energii idzie w powietrze - prąd rzędu 20A nap 12V, więc traci się na diodzie 14W. Pomyślałem sobie iż przez odpowiednie połączenie diody i mosfeta...
Zamiennik jaki dałeś ma większą pojemność bramki, tj 5,31nF zamiast 3,85nF - trzeba tu większych prądów, żeby go włączać i wyłączać równie szybko a skoro się nic nie zmieniło pod tym względem (driver) to bardzo możliwe, że tranzystor dłużej pracuje w stanie aktywnym co przekłada się na duże straty mocy na złączu, więc - mimo iż podczas przewodzenia...
Poniżej typowa konfiguracja mostka H do sterowania np. prędkością i kierunkiem wirowania silnika DC: https://obrazki.elektroda.pl/7273343300_... Tranzystory IRF4905 mogą się w takim układzie nadmiernie nagrzewać, poniżej powody nadmiernych strat mocy: 1. Niedostateczna amplituda przebiegów sterujących na A0 i A1. Jeżeli napięcie...
Jeśli będzie spadek napięcia i tym samym będzie się grzać podczas ładowania jak przy prostowaniu prądu przemiennego to nie ma dla mnie sensu grzebać się przy tym. Każda dioda ma jakiś spadek napięcia w kierunku przewodzenia i jakieś straty z tym związane. Spadek napięcia, w zależności od typu diody i prądu przez nią płynącego 0,4-1V, straty mocy proporcjonalne...
Tak jak podejrzewałem, triaki to BTA16-600B, TIP122 robi za kluczowanie i stabilizator napięcia dla wentylatora w kolbie HA. Niewiadomą jest stabilizacja 3.3V i to wymaga sprawdzenia, zmierzenia jak i gdzie jest stabilizowane? Podejrzewam, że za to odpowiada IC1, ten między kondensatorami elektrolitycznymi? Skoro LM358 jest zasilany z 3.3V oznacza,...
Witam Chciałbym zabezpieczyć uklad przed odrotną polaryzacja i wyczytałem że do tego celu najlepiej nadaje się dioda SBR DIODES. W przeciwieństwie do typowej diody Schottky'ego w SBR do utworzenia niskiej bariery potencjałowej dla nośników większościowych służy kanał MOS, o niskim napięciu przewodzenia i dużej niezawodności. SBR charakteryzuje się niskim...
Witam! Wystarczy poszukać w googlah ale dam to co mam: W każdym domu można dziś znaleźć kilka wzmacniaczy audio. Wszelkie odbiorniki radiowe, zestawy dźwiękowe, odbiorniki telewizyjne zawierają wzmacniacze mocy. Wzmacniacze lampowe wyparte swego czasu przez wzmacniacze tranzystorowe, wróciły do łask i są stosowane w sprzęcie najwyższej klasy. Obecnie...
A o jakich konkretnie MOSFET-ach z kanałem P, lub Darlingtonach PNP piszesz, może coś znajdę w swoich zbiorach? Sprawdź, do jakiego prądu są podawane ich charakterystyki (ma być nie mniejszy, niż 700mA, skoro tyle mają dostawać LED-y), i jaka jest dla nich dopuszczalna moc strat. Powiedzmy, dla 2 czerwonych LED-ów o napięciu przewodzenia 2,25V z opornikiem...
Nie wiem dlaczego to działa i co mnie podkusiło by tak zrobić (intuicja), ale działa Wydaje się że działa ok, bo nie włożyłeś wysiłku w to żeby sprawdzić czy jest dobrze, jak wyglądają zbocza, ile trwa przełączanie, ile mocy wydziela się w MOSFETach, czy płyną prądy skrośne, czy napięcia Ugs są prawidłowe, czy symulator realistycznie oddaje zachowanie...
Wydaje mi się, że na zewnętrznej diodzie znacznie zredukuje moc strat, która będzie się wydzielać na tranzystorze. W niektórych MOSFET-ach wewnętrzna dioda nie była wystarczająco szybka (zazwyczaj w wysokonapięciowych) , płynął przez nią prąd wtedy gdy drugi tranzystor był otwarty i to powodowało duże straty mocy, albo uszkodzenie tranzystorów, zabezpieczenie...
Witam, nasunęła mi się drobna uwaga. Po co dawać dodatkowe diody, skoro już one są w tranzystorach? Po pierwsze diody Schottkiego mają mniejsze napięcie przewodzenia, co ogranicza straty w czasie, gdy oba tranzystory w pół mostku nie przewodzą (w czasie martwym). Po drogie są dużo szybsze niż diody które są w tranzystorze (nie są to specjalnie dodawane...
IGBT na duże napięcie (1200V) ma duże napięcie przewodzenia, co wiąże się z niepotrzebnymi stratami mocy Najlepiej zastosować na jak najniższe np 600V bo mniejszych chyba nie robią Przy tak małym napięciu 50V lepiej by się spisywał mały mosfet który kupisz za kilka zł w każdym sklepie Leszek
Jest taki artykuł jeśli chodzi o tranzystory, ale warto przeczytać pod kątem scalaków gdzie jest podobnie. O to on: Tranzystory - zamienniki Nie zawsze elektronik ma pod ręką typ tranzystora czy diody podany na schemacie. Czym go zastąpić? Czy musi to być ścisły odpowiednik? Czy można dać cokolwiek wprost z półki? Jakie parametry są najważniejsze? Które...
Czy nie lepiej zrobić stabilizator napięcia i ustawić na nim 45V . Przetwornica zawsze wystartuje a wydzielana moc na tym stabilizatorze będzie niewielka bo przetwornica obciąży panele i spadnie na nich napięcie. Do stabilizacji 12 V stosuję takie coś: https://obrazki.elektroda.pl/3287758700_... Po niewielkiej modyfikacji mógłby zasilić...
prosze bardzo: zamiast tych S20C40C - 72CPQ030 w TO247 IR-a (to są mocne Schottky 2x 35A , 30V; mocne prądowo i z nie za wysokim napięciem wstecznym mają niski spadek w kierunku przewodzenia, będą mniejsze straty - np. przy prądzie 10A na jedną diode spadek na niej to ok. 0.42V (25°C) a taki MOSPEC S20C40: 0.55V (25°C). Te dwie diodki na wsporniku -...
Witam, Witam, Jak w temacie, próbuję zbudować przetwornicę obniżającą pracującą przy częstotliwości 1M H z. Zbudowałem układ, ale w pomiarach występują zjawiska których nie rozumiem: na bazach tranzystorów bipolarnych i bramce MOSFET a występują napięcia wyższe niż powinny. Byłbym wdzięczny gdyby któryś z kolegów naprowadził mnie na to jak zdiagnozować...
Dlaczego zdecydowałeś się na baterię kilku tranzystorów? Ogólnie kiepsko je dobrałeś - niski prąd drenu, duże Rds. Będą się grzały, nadto możesz cały ten zestaw zastąpić jednym, solidniejszym tranzystorem który do tego będzie miał dla całości mniejsze straty przewodzenia, niż teraz masz dla jednego (mało energii marnowanej na grzanie tranzystora). Ten...
Witam Zbudowałem urządzenie które steruje silnikiem DC. Zasilanie 12V. Tranzystor to P- MOSFET , model AOD403, bezpiecznik 8A szybki. Sprawa wygląda tak że zwarcie wyjścia do masy zawsze kończy się upaleniem bezpiecznika i tranzystora. Tranzystor uszkodzony ma zwarcie między drenem a źródłem. Nie mogę dać mniejszego bezpiecznika gdyż silnik przy Pmax...
W poniższym artykule omówiono system "Pre-switch" firmy CleanWave. Artykuł pokazuje, w jaki sposób technologia Pre-Switch umożliwia projektantom osiągnięcie 99,1% sprawności przy 100 kHz w falowniku dla pojazdu elektrycznego o mocy równej 200 kW. W ten sposób możliwe jest zwiększenie zasięgu samochodu o nawet 12%. Zacznijmy od omówienia strat w układzie...
W GaN nie chodzi tylko o parametry takie jak rezystancja złącza czy czas przełączania, ale najbardziej atrakcyjny jest fakt blokowania przepływu prądu w obydwu kierunkach. Nie występuje w nich pasożytnicza dioda jak w tranzystorach MOSFET. Fakt, nie posiadają one diody, ale większość tranzystorów GaN (a przynajmniej te, z którymi pracuję) przewodzą...
hmm.. marek nie wiesz moze gdzie w lodzi sa sklepy gdzie moglbym dostac owy sprzet? btw. i co to jest to PWM ? :P Pulse width modulation czyli modulacja szerokości impulsu - na obciążenie zamiast sygnału o określonym poziomie podajesz na zmianę wartość maksymalną i zero. Zależnie od stopnia wypełnienia sygnału (czyli im dłuższy jest okres wystawiania...
- prąd w dobrze wykonanym układzie zamyka się przez zasilanie więc stosowanie zewnętrznej diody w MOSFET mija się z celem, ma to sens w tranzystorach bipolarnych. Reasumując: Dobrze podłączony tranzystor nie wymaga dodatkowej diody, szczególnie jak sterujemy PWM i pakujemy wolną diodę 1N4004 a dioda w strukturze wytrzymuje np. 50A i jest na niej mniejszy...
Szukasz MOSFETA dość małego, bo raz że wielkiego bydlęcia w obudowie typu TO247 nie potrzebujesz, to dwa że nie masz na niego pewnie miejsca. Najlepiej coś SMT typu Dpack lub podobne. Ma mieć dość duży prąd drenu Id (Continuous Drain Current), na poziomie 5A lub wyżej (przy oporności grzałki 0,5 oma, Tobie pasujące wartości wyliczysz z Prawa ohma)....
Użycie MOSFET-a oznacza konieczność dostarczenia dość wysokiego napięcia dla bramki (no, może nie dla każdego MOSFET-a - są takie, które się włączają poniżej 2V, ale też chyba jest to początek przewodzenia, a do pełnego trzeba 3-4V), co powoduje, że albo trzeba mieć dwa napięcia zasilające, albo duże straty mocy. Dla pojedyńczego napięcia zasilającego...
Górne diody są zbędne. Co ogranicza prąd w czasie ładowania? Przy napięciu 30 V, małym oporze wewnętrznym ładowanej baterii (poniżej 1 oma) wartość prądu będzie sięgała ponad 20 A. Bierzemy skuteczne napięcie 30 V, odejmujemy napięcie baterii - 10 V gdy mocno rozładowana i dla ułatwienia opór wewnętrzny 1 om. Wzór na prąd I = U / R. I = (30 V - 10 V)...
straty przewodzenia straty przewodzenia tranzystora mosfet straty
daewoo rozrząd zawór regeneracji bosch kreska środku
niegasnące światła stopu niegasnące światła stopu
Lokalizacja elektrozaworu w lodówkach Samsung Jak podłączyć wrzeciono CNC do falownika - krok po kroku
