Witam, Quarz bardzo dziękuję za wyjaśnienie, teraz już jestem w domu. jeszcze tylko jak by mi ktoś powiedział czy IGBT mają większą sprawność niż MOSFET tzn miej tracą mocy to byłbym szczęśliwy. cieszę się, iż znalazłeś swój dom... :D Odnośnie sprawności, w ścisłym tego słowa znaczeniu, to będzie można mówić, kiedy porównamy konkretne typu tranzystorów...
(...) lektrodaBot Czy tranzystor IPD60R280P7ATMA1 jest zamiennikiem 60R360Q (w katalogu polskiego sprzedawcy ten oryginał to IPD60R360P7 - co prawda bez indeksu Q na końcu) Może ktoś z kolegów pomoże? ``` Bezpośrednia odpowiedź IPD60R360P7 (600 V) i 50R380P (500 V) to tranzystory z tej samej rodziny Infineon CoolMOS P7, o zbliżonej rezystancji RDS(on)...
Oczywiście, że równoległe. Tak, teoretycznie tak to wygląda, chociaż obawiam się, że nie trafisz na na tyle podobne parametrami mostki, że prąd będzie się rozkładał "równo" między mostki. Musiałbyś mostki mierzyć (głównie napięcia przewodzenia), wybrać 2 najbliższe sobie, oraz co najważniejsze porządnie sprząc je termicznie. Znaczy przykręcić blisko...
Irfz ma około 100w co na moje potrzeby za mało. Podejrzewam że nie za bardzo dobrze liczysz swój projekt. Mosfet IRFZ44 zastosowany jako czysty klucz (jak to jest przy pracy PWM) nie wydzieli pełnej mocy granicznej z jego specyfikacji, bo mamy dla niego max 50A i opór kanału <0,028om (opieram się na specyfikacji firmy Vishay) czyli ledwo 14W. Jeśli...
No tak, ale powstaje takie pytanie, czy w przypadku, kiedy przez diodę przechodzi napięcie z portu USB, to czy ono nie jest obniżone, jak przy standardowej diodzie z mojego schematu nr 2? Jest oczywiście obniżone, kiedy prąd z USB płynie tylko przez tą diodę. Powiedzmy że będzie tam ok. 4V nawet mniej. Ale to napięcie zasilania już wystarczy by działał...
Musisz zrobić zasilacz impulsowy, działa on na takiej zasadzie że podaje napięcie a gdy zostanie przekroczona granica np 3.3V to je odcina. Dzięki bardzo szybkim zmianom stanu przewodzenia i kondensatorowi na wyjściu, da się uzyskać bardzo stabilne napięcie 3.3V nawet z 400V. Do tego ma wysoką sprawność bo niemal całe straty są np w MOSFET działającym...
Witam wszystkim i dziękuję na wstępie zainteresowaniem niniejszym tematem. Przed kilkoma laty opisałem na niniejszym forum instalację balkonową, która po dzień dzisiejszy zaopatruje w słoneczne dni mój dom w energię. https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3... Z biegiem czasu zmniejszyłem bufor energii z 105Ah na 65Ah czyli prawie o połowę z...
Tranzystor na pewno się nadaje, ale... To wykres SOAR i źle go interpretujesz, n.b. wcale go tu nie potrzebujesz. Pod warunkiem, że odpowiednio wysterujesz tranzystor (wartość napięcia sterującego Vgs, wydajność prądowa tego źródła) ważne jest Rdson - a ono zależy od Vgs. Wówczas moc strat w czasie przewodzenia P=Uds x Id, Uds=Rdson x Id, więc P=Rdson...
https://obrazki.elektroda.pl/3496920600_... Jednym z pierwszych projektów, które zrealizowałem mając 9-10 lat było pudełko z kilkoma LEDami, przełącznikami i potencjometrem - taka tam wprawka w lutowanie. Drugim była migająca strzałka LED z kitu bodaj Jabela. Pierwszym, który zepsułem lutownicą transformatorową (której nie polecam)...
Co uważasz o tym rdzeniu, którego kartę zamieściłem w załączniku wcześniej ? Interesujący warto spróbować, natomiast zacząłem się zastanawiać że nie wiem jak określić optymalną wielkość rdzenia. Wiadomo za mały wymaga więcej zwojów, przez co zwiększa straty w uzwojeniu, za duży to większe straty w rdzeniu. Poszukam czegoś na ten temat. Zbocza przy...
http://obrazki.elektroda.net/77_12399076... Od dłuższego czasu miałem ochotę zbudować przetwornicę sieciową do zasilania wzmacniacza audio. Niestety, na forum jest niewiele takich projektów, a żaden nie spełniał moich wymagań. Postanowiłem wykonać taki zasilacz samodzielnie od podstaw. Zaprojektowanie, zbudowanie i przetestowanie zasilacza...
http://obrazki.elektroda.net/41_12633119... Stworzone przeze mnie urządzenie jest praktycznym uzupełnieniem piórnika szkolnego. Jest wyposażone w kilka pożytecznych funkcji i na opisanych poniżej nie zamierzam zaprzestać. Całość została zorganizowana w wygodne w obsłudze intuicyjne menu. 6 przycisków uSwith w jakie jest wyposażony układ umożliwia...
https://obrazki.elektroda.pl/6720313900_... Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje...
(at)ElektrodaBot Poziom sterowania 2.7V Bezpośrednia odpowiedź - Przy sterowaniu 2.7 V z MC32PF1550A4 zdecydowanie wybierz MOSFET „logic level”, a nie tranzystor bipolarny. - 2.7 V wysteruje poprawnie małosygnałowe NMOS‑y o VGS(th) ≲1.5 V i z kartą podającą RDS(on) przy VGS=2.5 V. - Jeśli przełączasz „low‑side” (źródło do GND) – użyj N‑MOS; jeśli „high‑side”...
Nagrzewnica indukcyjna z miękko przełączanym niesymetrycznym generatorem o rezonansie równoległym Jakiś czas temu pracowałem nad eksperymentalną konstrukcją nagrzewnicy indukcyjnej wykonanej w topologii niesymetrycznej, miękko przełączanej o rezonansie równoległym. Budowa układu protypowego o mocy cieplnej 500W miała na celu potwierdzenie założeń dot....
Pytanie: Jak dobrać do naszej aplikacji tranzystor dyskretny? Odpowiedź: No... dyskretnie ;). Tego żartu nie udało się niestety uniknąć. Prawda jest taka, jak piszę autor artykułów, James Bryant, iż wcale nie trzeba dokonywać tego doboru nazbyt dokładnie. Często spotyka się projektantów spędzających długie godziny czy nawet dni poszukując możliwie...
Zasilanie układów elektroniki samochodowej może być trudne ze względu na wymagania dotyczące wysokiej niezawodności przy stosunkowo niestabilnym napięciu akumulatora. Różnorodność systemów elektrycznych i mechanicznych współpracujących z akumulatorem pojazdu i może powodować gwałtowne skoki napięcia w nominalnym zasilaniu 12 V. W rzeczywistości napięcie...
czy STP11nk50zfp jest zamienny z STP10nk60fzp ? STP11NK50ZFP i STP10NK60FZP to tranzystory MOSFET typu N produkowane przez STMicroelectronics. Aby ocenić, czy są zamienne, należy porównać ich kluczowe parametry: 1. Napięcie dren-źródło (VDS) : - STP11NK50ZFP: 500V - STP10NK60FZP: 600V 2. Prąd drenu ciągły (ID) : - STP11NK50ZFP: 11A - STP10NK60FZP:...
(...) https://obrazki.elektroda.pl/8291400600_... https://obrazki.elektroda.pl/6097504500_... https://obrazki.elektroda.pl/5299293900_... https://obrazki.elektroda.pl/9974350000_... https://obrazki.elektroda.pl/6650689500_... (at)ElektrodaBot Wstępna ocena dostępnych informacji Na podstawie załączonych...
https://obrazki.elektroda.pl/5413555400_... Pytanie Czy mogę skorzystać z prostego obliczenia energii przy wyborze superkondensatora do systemu zasilania rezerwowego? Odpowiedź: Proste obliczenie energii zgromadzonej w kondensatorze nie powiedzie się, chyba że weźmiemy pod uwagę dodatkowe szczegóły, które mają wpływ na magazynowanie...
http://obrazki.elektroda.pl/1735556200_1... Międzynarodowa Komisja Elektrotechniczna (IEC) w swojej normie 61000-3-2: 2014 wyznaczyła standardy kompatybilności elektromagnetycznej urządzeń. Norma ta zastępuje poprzednią IEC 61000-3-2: 2006 wchodząc w życie 30 lipca 2017 roku. Omawiana norma dotyczy zniekształceń harmonicznych przewodzonych...
Rezystory Rezystory nazywane są również opornikami. Służą one głównie do ustalania wartości natężeń prądu płynącego w obwodach elektrycznych lub napięć w poszczególnych punktach układu elektronicznego. Rezystor może mieć różną wartość rezystancji, którą mierzy się w omach (symbol W). Ten symbol na tej stronie jest pomijany. Często zastępuję go w następujący...
Taki SSR DC to tak naprawdę nic innego jak zwyczajny tranzystor mosfet z osprzętem pomocniczym. Jeśli czuje się kolega na siłach to można kupić kilka zwyczajnych IRF540 lub podobnych (byle oryginały), spiąć równolegle i straty będą generalnie minimalne, w granicach kilku W. IRF540 pojedynczy ma maksymalnie 0.077Ω w stanie przewodzenia. Moc strat...
MOSFET przede wszystkich królują w układach przełączający (impulsowych). Wielokrotnie szybsze przełączanie, zdolność przewodzenia dużych prądów, zazwyczaj mniejsze straty przewodzenia... Ponadto znacznie łatwiejsze sterowanie - żeby utrzymać MOSFET włączonym nie trzeba żadnych specjalnych zabiegów (starczy przeładować w celu przełączenia pojemność bramki,...
Dla napięcia sinusoidalnego wartość średnia wynosi 0, dlatego wprowadzono coś takiego jak wartość skuteczna. Dla przebiegów których wartość średnia jest zerowa określa sie wartość średnią bezwzględną (średnią wyprostowaną). A więc średnia czy skuteczna? wybiera się tą która lepiej opisuje dane zjawisko. Np. w danych katalogowych diody prostowniczej...
Weź pod uwagę, że napięcie przewodzenia diod się różni w pewnych granicach, dodatkowo zmienia się wraz ze wzrostem temperatury. Np. dla jednej z diod z tabelki wynosi ono -200 mV/100 st. C, jeżeli w szeregu masz 8 diod, to masz 1,6V różnicy plus różnice wynikające z indywidualnych diod. W efekcie prąd się zmienia w szerokich granicach, wyliczone straty...
Tu trochę nie rozumiem. Jak wstawisz bardzo duży rezystor R71 (rezystor kolektorowy tranzystora bipolarnego, on też pośrednio ogranicza prąd bamki tranzystora MOSFET) to bramka tranzystora będzie się wolniej ładowała, tranzystor MOSFET będzie się wolniej włączał, a więc będzie się bardziej grzał, a to i ciepło do odprowadzenia i marnowanie energii...
Witajcie, Potrzebuję zrealizować przełącznik wysokiego napięcia (~400 V=) o prądzie 100-200 mA. Myślałem o przekaźniku, ale ciężko znaleźć stosunkowo nieduży przekaźnik, który wytrzyma pracę w takich warunkach (chyba że źle szukam). Obecnie myślę nad wykorzystaniem MOSFET-a z kanałem P, np. FQB1P50. Sterowanie miałoby się odbywać napięciem +5 V. W jaki...
Chcę wykonać klucz sterowany impulsami prostokątnymi o częstotliwości 100Hz i amplitudzie 10V, sterujący napięciem ok 600V/1A. Czy mógłbym prosić o przykładowy schemat?
Witam serdecznie! Poszkuje tranzystora mosfet który można sterować bezpośrednio z mikrokontrolera (5V) bez stosowania stopnia wstępnego. Obciążenia około 5A, max 10A częstotliwość przełączeń max około 250Hz. W tej chwili jest IRF44n ( Uz max 16V ) ze żródłem na BC337, BC327 a zależałoby mi na uproszczeniu konstrukcji i miniaturyzacji. ( może być przewlekany...
Po pierwsze chcę przeprosić administratora bo podobne tematy były poruszane niestety nie ma w nich jednoznacznej odpowiedzi na mój problem. Potrzebuję zbudować klucz na tranzystorze mosfet. Dostępne mam następujące tranzystory: Poprawiłem tytuł.
Zastanawiam się czemu nie masz czasów martwych i Twój mostek jeszcze żyje mimo zasilania z sieci :) Ależ mam czasy martwe, wprowadza je rezystor na bramce wraz z diodą domykającą. :P To standardowe rozwiązanie stosowane w praktycznie wszystkich mostkach sterowanych przez GDT. W takich układach czas martwy ustala się dobierając rezystor przy pomocy...
Musisz podać jeszcze czasy narastania/opadania zboczy kluczujących, współczynnik wypełnienia. Zakładamy, że tranzystor w czasie przewodzenia jest w pełni otwarty ( napięcie G-S >= 10V ).
http://obrazki.elektroda.net/45_12647633... Zastosowanie tranzystora MOSFET z kanałem typu p jako element przełączający napięcia przekraczające 100 V, pozwala uprościć cały schemat. Aby sterować tranzystorem MOSFET i zredukować straty wydzielane w postaci ciepła, należy na przemian ładować i rozładowywać pojemność wejściową między jego bramką...
Witam Zamierzam sterować tranzystorem mosfet TK40E06N1 za pomocą PWM z mikrokontrolera zasilanego napięciem 3,3 V. Ponieważ napięcie progowe dla tego tranzystora wynosi około 5,5 V, narysowałem schemat układu którego zadaniem miałoby być sterowanie napięciem bramki. Napięcie zasilania układu to 12-24V. http://obrazki.elektroda.pl/8928447900_1...
Witam Poszukuję schematu jak można sterować tym mostkiem z jakiegoś układu lub uP. Tranzystory typu IRFPE50 Pozdrawia G.W
Witam http://sound.westhost.com/project89.htm Pod tym linkiem znajduje sie schemat ideowy układu przetwornicy do audio w samochodzie. Na pierwszym rysunku (Figure 2) dwie pary mosfetow IRFZ44 jest sterowanych poprzez pary komplementarne BD139/140 oraz kilka R. Natomiast na rysunku (Figure 9) nie ma tych tranzystorow bipolarnych, są tylko rezystory w...
Hej. Problem jak w temacie - potrzebuję sterować większym obciążeniem przy użyciu mikroprocesora. Chciałbym zrobić to za pomocą tranzystora N-Mosfet. Jednak 5V nie wystarcza do pełnego jego otwarcia, dlatego planuję użyć tranzystora / tranzystorów bipolarnych. Szukałem sporo po elektrodzie i innych forach, jednak na ten temat jest bardzo dużo wariacji...
Witam Was serdecznie :) http://obrazki.elektroda.pl/3108540200_1... Takie oto podłączenie. A - wszystko tak jak oczekuję -> gdy na bramkę podam napięcie, woltomierz pokazuje napięcie baterii, gdy nie ma napięcia na bramce, woltomierz pokazuje 0V. B - "powiedzmy", że schemat ten pokazuje ładowarkę. Nie rozumiem dlaczego, gdy podam napięcie...
Witam serdecznie, chciałbym prosić o zamieszczenie schematów teoretycznych, polaryzacji MOSFETów z kanalami zub./wzb. typu N oraz P. Chodzi mi o to jak ma być spolaryzowane Ugs i Usd Dziękuję serdecznie
witam czy można łączyć tranzystory MOSFET rownolegle w celu zwiększenia wydajności prądowej "klucza"? i sterowac je jednym sygnałem PWM?
Witam, Mam male pytanie do doswiadczonych projektantow przetwornic, otoz zalozmy, ze chcialbym zaprojektowac przetwornice o jak najmniejszych stratach na sterowaniu mosfetow i samych mosfetach, jakie wiec najlepiej dobrac uklady? Zalozmy ze z Mosfetow do wyboru mamy IRF1010N (Vdss = 55V, Rdson=11mOhm, Id=85A, Ciss=3120pF,Coss=690pF,Crss=140pF dla Vgs=0V,...
Jak zrobić układ sterowania mosfetem np. BUZ11 żeby w zależności od napięcia zasilania mosfet był całkowicie zamknięty (przy napięciu zasilania < 10 V), a przy napieciu > 10 V całkowicie otwarty. Wiem jak zrobić na układzie NE555 ale może ktoś wie jak prościej i taniej. Dzięki pozdrawiam
Witam! Buduję urządzenie, które będzie sterowało elektrozaworem (załącz/wyłącz). Ponieważ muszę podawać "+" (masa jest na obudowie elektrozaworu) zastosowałem MOSFET z kanałem P. Całość ma być sterowana z mikrokontrolera za pośrednictwem transoptorów (konieczna izolacja galwaniczna). Cewka elektrozaworu pobiera 1,3A przy 12V. I chodzi o to, że muszę...
Mam problem następujący. Buduję układ rozładowywania akumulatorków sterowany mikroprocesorowo. Chciałbym sterować prądem rozładowywania w następujący sposób: Za pomocą PWM z uC chciałbym generować napięcie wzorcowe które będzie porównywane z napięciem odkładającym się na rezystorze przez który płynie prąd rozładowywania. Jaki układ powinien być w miejscu...
Witajcie, Projektuję mały układ, będący grzałką zasilaną ogniwem 18650 z dodatkową funkcjonalnością powerbanku. Żeby grzałka nie rozładowała całkowicie ogniwa chciałbym aby była sterowana poprzez MOSFET (irl2203). Żeby mosfet bez problemu się otworzył chce użyć układu z przetwornicą na 5v (który jednocześnie będzie pełnił ochronę przed rozładowaniem...
Witam serdecznie. Projektuje mikroprocesorowy sterownik do układu falownika w półmostku. Zatrzymał mnie następujący problem: sterowanie tranzystorów MOSFET. Schemat obwodu mocy klasyczny - jak niżej (przepraszam za brak opisów): http://obrazki.elektroda.net/92_12133845... Mam już całą część cyfrową generującą impulsy sterujące w standardzie...
Witam, projektuję przetwornice DC/DC 20V...36V -> 5V na prąd 8A na układzie TL494. W linii plusa jest mosfet z kanałem N. Pytanie moje dotyczy jak w sposób łatwy sterować tym mosfetem? Problem oczywiście wynika z tego iż napięcie potrzebne do pełnego otwarcia będzie o kilka voltów większe od napięcia wejściowego. W jaki sposób uzyskać odpowiednie napięcie...
MOSFET ma stosunkowo dużą rezystancję kanału SD w czasie przewodzenia i nie nadaje się do sterowania np. silnika (duże straty mocy). IGBT jest konstrukcją złożoną z MOSTETa i tranzystora bipolarnego. Połączono w nim właściwości sterowania napięciowego MOSFETa z niską rezystancją przewodzenia tranzystora bipolarnego. :)
Efektywność energetyczna wymaga nieustannych optymalizacji: doprowadziło to rynek przemysłowy do poszukiwania różnych nowych rozwiązań. Węglik krzemu (SiC) jest obecnie jednym z najważniejszych półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej. Chętnie wykorzystywany jest do produkcji elementów mocy, gdyż pozwala na uzyskanie niskich strat i zwiększenia...
Na tranzystorach MOSFET powinny być dużo mniejsze straty mocy podczas przewodzenia niż na diodach prostowniczych. Wszędzie tam gdzie występują większe moce powinno być stosowane takie rozwiązanie celem oszczędności energii. Z drugiej strony jak taki sterownik będzie podatny na zakłócenia i działał nie prawidłowo to katastrofa dla zasilanych układów....
od kiedy używa się maximum rantings z dokumentacji? _lazor_ od kiedy podaje się niezgodnie z faktami że maximum ratings to 15V podczas gdy wynosi ono 20V (30V dla AC) dla tranzystora i 30V dla układu UC3843? Tranzystor ma wbudowane transile na bramce a do tego dodany jest zewnętrzny transil na 18V. Po drodze jest też dioda UF4007 więc napięcie zasilania...
http://obrazki.elektroda.net/43_12163191... Witam :) Złożeniem projektu było wykonanie prostego i taniego wzmacniacza słuchawkowego na elementach dyskretnych. Po krótkich poszukiwaniach wybór padł na układ przedstawiony kiedyś w czasopiśmie EdW, jest do wzmacniacz pracujący w klasie A zrealizowany na tranzystorach mosfet (AVT2464). Całość...
Schemat http://obrazki.elektroda.pl/7870877300_1... Napięcie na drenie wynosi maksymalnie 70 V więc dane z noty katalogowej nie są przekroczone. Natomiast ta górka na bramce w stanie off ma wartość około 2,5 V A moc strat liczyłem za pomocą wzoru P=I^2*(Rdson) Prąd drenu = 3 A Rdson (dla IRFP460) = 0,27 Ω P = 3 A*3 A*0,27 Ω=2,43...
PCONDmosfet = IOUT2 x RDSon x (VOUT / VIN) na straty statyczne oraz PSWmosfet=0.5 x VD x ID x (tSWon + tSWoff) x fs na straty dynamiczne a zaczerpnąłem wiedzy z : https://www.maximintegrated.com/en/app-n... . Przebieg narastania na drenie a z niego się przelicza straty jest w porządku - nie ma jakiś mega wielkich opóźnień Jednak,...
Nie jestem w tej dziedzinie wybitnym specjalistą ale mam wątpliwości co do poprawnego działania układu który chcesz wykonać. Po pierwsze napięcie otwierania tego MOSFETa. W specyfikacji faktycznie jest podana wartość koło 3V ale jest to zdaje się napięcie progowe przy którym tranzystor dopiero zaczyna się otwierać. Do pełnego otwarcia potrzebne jest...
Tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) oparte na azotku galu (GaN) oferują doskonałą charakterystykę elektryczną i stanowią ważną alternatywę dla tranzystorów MOSFET i modułów IGBT w aplikacjach do sterowania silnikami w systemach o wysokim napięciu zasilania i wysokiej częstotliwości przełączania. Poniższy artykuł koncentruje się na zaletach...
W układzie zastosowano tzw. nastawialny czas martwy (ang. DEADTIME). Stosuję się tu odpowiedni rezystor np. o wartości rezystancji 100R. Czas martwy to czas jaki występuje pomiędzy załączeniem jednego a wyłączeniem drugiego tranzystora. Jeśli już dojdzie do takiego zjawiska jakim jest prąd skrośny (ang. CROSS CURRENT CONDUCTION) do którego dochodzi,...
MPPT (lepsze lub gorsze) to nie problem, martwi mnie tylko ten stopień mocy. Powiadasz bez cewki, czyli najprościej jak się da, zwykły PWM... hmm pewnie z odpowiednim filtrem na wejściu i kluczem zamontowanym na grzałce być może nie przerodzi się w nadajnik. Ponadto z tego co wiem to panele nie lubią takiej PWMowej pracy, a już nie mam pojęcia co na...
Odpowiem hurtem: 1. Minimalne napięcie zasilania LM2675 - patrz na wykresy na stronie 7 - są bardzo pouczające ;-) 2. Sterowanie procesorem - wiele rozwiązań. Ale na pewno nie przez bezpośrednie podawanie na FB jakiegokolwiek napięcia. Możesz sterować różnicowo - podając napięcie przez rezystor. Ale jest jeszcze inna możliwość - wykorzystanie wejścia...
A więc po kolei: 1.Nie rozumiem idei soft startu, jeżeli i tak napięcie załączasz PWM-em to prąd jest uzależniony od wypełnienia. 2.Zasilanie tak jak je zrobiłeś nie powinno przyczynić się do zepsucia układu, ewentualnie do nieprawidłowego działania. 3.Miganie diody świadczy o zwarciu zasilania uC z masą. 4.Transil nie jest konieczny Po pół dnia przeglądania...
Mysle że nie ma wiekszego problemu z zastosowaniem tranzystora MOSFET w stopniu końcowym modułu zapłonowego nalezy tylko zmienic sposób sterowania nalezy wziac pod uwage pojemnośc bramki (czas przelaczania) tronzystory z serii bu931z,941z itp. stosuje sie czesto z powodu wbudowania diody zenera (!baza-kolektor) która zabezpiecza tranzystor przed przekroczeniam...
Po zamianie sterowania driver steruje silnik w pełnym zakresie obrotów od blisko 0V. Natomiast jeśli chodzi o prąd i nagrzewanie jest tak jak w przypadku drivera na BD139/140. Wynika z tego, że stromość narastania napięcia sterującego bramkę jest dla obu driverów podobna, albo wartość napięcia wysterowania bramki jest zbyt mała. U Ciebie jest to tylko...
Witam serdecznie, to mój pierwszy post tutaj i w ogóle na jakimkolwiek forum, mam nadzieję, że dział odpowiedni itd. itd., miejmy to już za sobą. Od kilku miesięcy planuję budowę mojej drugiej przetwornicy Mazzillego i pozwoliłem sobie zmodyfikować ten układ poprzez zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych do sterowania bramkami MOSFETów. Jako klucze zastosuję...
1. Dla uzyskania zmiany napięcia pojedynczej diody LED o 0.4V potrzeba zmiany temperatury o ponad 100stopni. I to sporo ponad. Ależ jest to oczywista oczywistość, że taki zakres zmian napięcia na LED byłby powodem do jej 'śmiertelnego zejścia', ale nic nie stoi na przeszkodzie aby - teoretycznie - układ służący do stabilizacji jej prądu sprawdzić (policzyć)...
Witam Wracam do desperackiej :) próby naprawy tego złomu. Model BQT P6-530W, sterownik główny http://obrazki.elektroda.pl/6372568100_1... http://obrazki.elektroda.pl/3808897800_1... http://obrazki.elektroda.pl/5738617100_1... http://obrazki.elektroda.pl/9732659300_1... Duże zdjęcie płytki PCB....
W aplikacjach takich jak inteligentne liczniki zużycia energii elektrycznej czy kontrolery silników elektrycznych, systemy zasilania muszą przetwarzać wysokie, zmienne napięcie wejściowe do niskiego napięcia DC, umożliwiającego zasilanie mikrokontrolerów czy modułów IGBT. Na przykład napięcie trójfazowe, bardzo często spotykane w sieci energetycznej...
W poniższym artykule opisano najnowszą technologię urządzenia OptiMOS 6 firmy Infineon. Jest to nowatorskie podejście do projektowania modułów zapewniające wyższą gęstość mocy i poprawiające efektywność kosztową wykorzystujących je systemów. Od samego początku swojego istnienia, technologia MOSFET była powszechnie uznawana za doskonałą opcję dla kluczy...
Czy może mi ktoś podpowiedzieć, jak obliczyć straty podczas otwierania tranzystorów? Chodzi mi oczywiście o sam proces otwierania, ponieważ potem to już pestka policzyć straty w stanie przewodzenia. Mam na myśli MOSFET i IGBT, chociaż pewnie IGBT zachowuje się w tym temacie identycznie jak bipolarny. I ja wiem, że te czasy przełączenia są śmiesznie...
straty przewodzenia straty przewodzenia tranzystora mosfet straty
yanosik pliki volvo silnika philips wieża czytnik
interfejs delphi interfejs delphi
Problem z udostępnianiem LAN przez AWUS036ACS na iPhone Podłączenie anody wolframowej: sterownik solarny czy zasilacz?