Przepraszam mój błąd z pominięciem D Proszę... ... poza tym myślałem, że jak producent taki jak MAXIM opisuje metodykę przeliczania strat na MOSFETach to ma racje opartą o doświadczenia co nierzadko pokazuje. MAXIM, nieMAXIM, mało to ważne - widziałem podobne "knoty" i u innych firm. Wzory przybliżone , to chadzanie na niebezpieczne skróty , a co tu...
https://www.dmcinfo.com/latest-thinking/... https://www.tycorun.com/blogs/news/mosfe... wpisałem w google: how to calculate mosfet switching losses I ja wiem że te czasy przełączenia są śmiesznie małe. No właśnie one są podstawową...
Trudno znaleźć sens w tym co piszesz. Dioda zabezpieczające bramkę (między G-S) występuje w nielicznych tranzystorach MOSFET/IGBT i nie przewodzi przy normalnej pracy, kiedy zaczyna przewodzić to znaczy że tranzystor został by uszkodzony gdyby jej nie było. Możliwe że chodziło ci o diodę pasożytniczą pomiędzy D i S (zwaną też body diode), nie ma tranzystorów...
Jescze chciałem dodać że w moim układzie gdy wszystkie MOSFETy są wyłączone to mamy połączenie równoległe ale przez diody wewnętrzne, gdyby zaakceptować pracę z diodami układzie wystarczył by jeden MOSFET i dwie diody, tylko ze straty mocy na załączonym MOSFETcie są znacznie mniejsze niz na diodzie. W układzie kolegi slawussj mozna wyrzucić jedną diodę...
RU6099R ma Gate Charge 47 nC, a IRF1407PBF 160 nC. Czyli ponad 3 razy tyle. I jakieś 1.5 razy większe Coos. Czyli IRF1407PBF będzie miał o wiele większe straty przełączania.
https://obrazki.elektroda.pl/6720313900_... Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje...
Pokazane wcześniej diody mają napięcie około 2,7V (upraszczając), łącząc je po 8 sztuk w szeregu mamy 21,6V czyli musimy utracić 3,4V z 24V zasilania co przy 65mA prądu daje nam 0,221W straty na moduł 8 diód w sumie 1,404W (8*2,7V*65mA), czyli 15,7% straty. Dlatego skłaniam się do połączenia 9 diód w szeregu dającym 24,3V (1,58W) i ustawienie zasilacza...
Nie za bardzo mogę jednak znaleźć MOSFET SMD z Rds(on) na poziomie 10 mOm, Ids>0,5A i mocy dajmy na to >1W. Czy np. IRLML0060 spełni tutaj swoją funkcję? Czy może ktoś zaproponować lepszy (mniejsze Rds(on)) tranzystor? Dlaczego chcesz użyć typ "Logic Level" (IRLML0060), skoro zasilasz WO z 12V? - niepotrzebnie sobie zawężasz wybór tranzystora. IRLML0060Ma...
Dlaczego uparłeś się na bipolarny? Unipolarny ma niewielką oporność dren/źródło, mniejsze straty mocy oraz radiator. Pomyśl nad IGBT. A jakim cudem? nie ma znaczenia jakiego typu tranzystora użyjesz w stratnym regulatorze szeregowym, ten nadmiar mocy musi gdzieś się wydzielić. Wydaje mi się że chodzi ci o regulację PWM i tranzystor klucza w niej, wtedy...
(...) lektrodaBot Czy tranzystor IPD60R280P7ATMA1 jest zamiennikiem 60R360Q (w katalogu polskiego sprzedawcy ten oryginał to IPD60R360P7 - co prawda bez indeksu Q na końcu) Może ktoś z kolegów pomoże? ``` Bezpośrednia odpowiedź IPD60R360P7 (600 V) i 50R380P (500 V) to tranzystory z tej samej rodziny Infineon CoolMOS P7, o zbliżonej rezystancji RDS(on)...
Tranzystory MOSFET nadają się bardzo dobrze do załączania dużych prądów, przy małych napięciach, w takim zastosowaniu mają mniejsze straty od bipolarnych. Przy wysokim napięciu i dużych prądach, mniejsze straty mają bipolarne lub IGBT. W układach analogowych tranzystory JFET i MOSFET stosowane są w układach o małych prądach wejściowych i w kluczach...
Ja robiłem załączanie anodowego, w układzie który był jednocześnie aktywnym filtrem zasilania, był tam NMOSFET podłączony na wyjściu filtra RC jako wtórnik, rezystancja wyjściowa tego filtra była duża kolejny NMOSFET zwierał wyjście filtra do masy wyłączając napięcie Dodano po 45 Przykład takiego układu https://obrazki.elektroda.pl/6836191200_...
mierzyłeś może te parametry? To skąd się to bierze, już wyjaśnił w pełni kolega slavo666. Dodam tylko że praktyce dochodzi jeszcze kwestia przerw na pomiar i inne straty napięcia w obwodzie i rzeczywiście wydzielana moc będzie mniejsza niż ta wyliczona. Dlatego kwestia trzymania się nominalnego 24V jest bardzo istotna dla uzyskania pełni osiągów lutownicy....
Oczywiście, że równoległe. Tak, teoretycznie tak to wygląda, chociaż obawiam się, że nie trafisz na na tyle podobne parametrami mostki, że prąd będzie się rozkładał "równo" między mostki. Musiałbyś mostki mierzyć (głównie napięcia przewodzenia), wybrać 2 najbliższe sobie, oraz co najważniejsze porządnie sprząc je termicznie. Znaczy przykręcić blisko...
Nie ma nic dziwnego w tym, że MOSFET mniej się grzeje wtedy, gdy żarówka świeci pełnym lub niemal pełnym światłem. NE555 jest dość marnym źródłem prądów do przeładowywania bramki MOSFETa - czas przełączania jest stosunkowo długi. Przy zimnym włóknie żarówki jej oporność jest bardzo mała i płyną przez nią bardzo duże prądy. A straty na przełączanie w...
Straty na rezystancji tranzystora to okolo 20W. Wiec radiator musi byc dosyc duzy. 2 rownolegle to zmniejszenie rezystancji do 0,15 omow. Wiec straty spadaja do 10W.
Irfz ma około 100w co na moje potrzeby za mało. Podejrzewam że nie za bardzo dobrze liczysz swój projekt. Mosfet IRFZ44 zastosowany jako czysty klucz (jak to jest przy pracy PWM) nie wydzieli pełnej mocy granicznej z jego specyfikacji, bo mamy dla niego max 50A i opór kanału <0,028om (opieram się na specyfikacji firmy Vishay) czyli ledwo 14W. Jeśli...
Zamiast diod prostowniczych można zastosować diody schottkiego. O połowę mniejszy spadek napięcia. Spokojnie wymontuje kolega odpowiednie z jakiegoś chińskiego ATX-a. Na linii +12V montują tam często diody na 20A a nawet więcej. Do tego w wygodnym opakowaniu do montażu na radiatorze. Są tam po dwie diody spięte katodami więc od razy wszystko w jednym....
Jeśli prąd jest duży - kilka amperów lub wiecej i chcesz kluczować z częstotliowścią ponadakustyczną, to bez drivera sie nie obejdzie. Dlatego że przełączanie trwało by kilka - kilkanaście µs, przez co tranzystor miał by bardzo duże straty mocy. Statyczne obciązęnia i małe MOSFET'y możesz bezpośrednio z portu jeśli starczy napięcia do pełnego otwarcia...
Bramka mosfeta to kondensator o pojemności ~ kilka nF, takie rozwiązanie układowe pozwala na szybsze otwieranie / zamykanie ponieważ, w tym przypadku stała czasowa RC bramka - R3 jest 100 razy mniejsza niż stała bramka - R1. Gdyby R1 był mniejszy to zmieniają się prądy i są większe straty mocy.
"Przykładowo, przy przepływie przez tranzystor MOSFET prądu o wartości 20 A, straty na nim wyniosą 120...400 W, podczas gdy na IGBT wytraci się jedynie 33 W." Link To weźmy IRFP7718 - 1,5mΩ więc wytraci się 0,6W przy 20A (nie licząc strat przełączania). O ile w MOSFETach straty przełączania zależą od szybkości przeładowania bramki (można bardzo...
No tak, ale powstaje takie pytanie, czy w przypadku, kiedy przez diodę przechodzi napięcie z portu USB, to czy ono nie jest obniżone, jak przy standardowej diodzie z mojego schematu nr 2? Jest oczywiście obniżone, kiedy prąd z USB płynie tylko przez tą diodę. Powiedzmy że będzie tam ok. 4V nawet mniej. Ale to napięcie zasilania już wystarczy by działał...
Z noty katalogowej przesłanego tranzystora wynika, że maksymalne napięcie baza-emiter to 9V. Czyli rozwiązanie nadal wymaga dzielnika napięcia przy PU rezystorze. W przypadku tranzystorów BJT istotne jest nie napięcie ( w uproszczeniu ) a prąd, który wpływa do Bazy. A napięcie 9V o którym napisałeś odnosi się do wartości napięcia wstecznego a nie w...
Przy pracy PWM liczy się szybkie ładowanie i rozładowanie bramki tak by tranzystor pracował jak najwięcej w trybie full on/ full off. Stan pomiędzy generuje straty które to odkładają sie w postaci ciepla na tranzystorze a to już go może przegrzać. Wyjscia z mikrokontrolera dają ok 20 mA to za mało by szybko włączyć i wyłączyć tranzystor. Dlatego daje...
Czy w tak prostym układzie jest jakaś zaleta stosowania PMosa zamiast PNP? MOS zamiast BJT jako klucz - zalety są zawsze dwie: - niski spadek napięcia na tranzystorze (i małe straty mocy) - zależne tylko od odpowiedniego MOSFET-a o niskim Rdson, - łatwość sterowania - MOSFET nie wymaga prądu (BJT jako klucz wymaga prądu bazy rzędu 1/20 Ic) Np. używając...
Jak to jest np. w MOSFET (0,5ohma), jeśli na wejściu mamy 30V i podajemy PWM 20% to jaka moc wydzieli się na tranzystorze? Jak obciążenie pobierze 1A to w tranzystorze wydzieli się 0,5W przy PWM 100% i 0,1W przy PWM 20%. Przy 20A w takim tranzystorze wydzieli się 200W przy PWM 100% i 40W przy PWM 20%. Moc strat na rezystancji Rds(on) to iloczyn kwadratu...
Kilkadziesiąt amperów i 3,6V kojarzy się z e-szlugiem, jeśli tak to użyj PWM'a. Regulacja liniowa jest kłopotliwa, że względu na straty mocy, niestabilność termiczną MOSFETów oraz pozostałe analogowe problemy, oczywiście zrobić się da ale trzeba mieć konkretne powody żeby wybrać takie (trudniejsze) rozwiązanie.
Dlatego trzeba mniej więcej, doświadczalnie, dobierać rezystory bramkowe które takie oscylacje tłumią przez co na bramce mamy ładny prostokąt. Popsucie obwodu rezonansowego bramki jest jednym z celów użycia rezystora. Niektórzy projektanci używają również szeregowych perełek ferrytowych, częstotliwości rezonansowe tych pasożytniczych obwodów są dosyć...
MOSFET z N-kanałem powinien być zasadniczo sterowany ok. +15V ,ale ten już przy +5V nieźle się nasyca i może być. Identyczny obwód z AT16 uruchomiłem w weekend tyle, że z +12V (a nie +21V) i kluczował z częstotliwościami rzędu kHz cewką zaworu, która przy +12V pobierała 2,5A . MOSFET nawet nie był letni, czyli straty w nim pomijalne. Masz tu na szybko...
Co to oznacza, że tranzystory bipolarny są sterowane prądowo, a mosfet syn sterowany napięciowo Tranzystor bipolarny jest urządzeniem sterowanym prądowo. Duży prąd kolektora ( Ic ) przepływa przez niego pomiędzy kolektorem a emiterem, kiedy tranzystor jest otwarty. Jednak dzieje się tak tylko wtedy, gdy do bazy wpływa prąd ( Ib ), umożliwiając jej...
Przy charakterystyce indukcyjnej dioda będzie przewodziła, ale wtedy komutacja klucza następuje miękko, więc straty dynamiczne będą dużo mniejsze i w sumie się wychodzi że straty ogólnie będą mniejsze. Ogólnie te 1060nC to dla warunków, które nie osiągniesz (złącze 150 stopni censjusza, bardzo duże di/dt itp) w normalnej pracy i są mocno zawyżone.
Chodzi o pojemność bramki. Bramka tranzystora zawiera pasożytniczy kondensator. Jak ładujemy lub rozładowujemy kondensator to potrzebujemy dostarczyć albo odebrać prąd. Ten tranzystor ma dużą pojemność bramki. Aby ją szybko naładować czy rozładować trzeba dać większy prąd. Arduino może mieć problem z dostarczeniem takiego prądu. Jeżeli obniżymy prąd...
Witam Co do kompatybilności elektromagnetycznej to proponowałbym ten wątek pozostawić. Jeśli chodzi o dobór tranzystorów to wielkiego wyboru nie masz. Jak pójdziesz do sklepu to na dzień dobry dostaniesz za śmiesznie małe pieniądze tranzystory, które mają prądy rzędu kilkunastu, kilkudziesięciu amper i napięcia około 100V - to wystarczy.Sugestia jest...
Witam wszystkim i dziękuję na wstępie zainteresowaniem niniejszym tematem. Przed kilkoma laty opisałem na niniejszym forum instalację balkonową, która po dzień dzisiejszy zaopatruje w słoneczne dni mój dom w energię. https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3... Z biegiem czasu zmniejszyłem bufor energii z 105Ah na 65Ah czyli prawie o połowę z...
Skoro już wiadomo że chodzi o IRFZ44N to przy rezystancji wyjściowej drivera 47Ω przełączanie potrwa ok 200ns nawet jeśli szczytowa moc strat podczas przełaczania osiągnie 120W (najgorszy przypadek 12V 10A obciążenie indukcyjne - silnik) to przy 1kHz dodało by to tylko 24mW do strat w tranzystorze. Dlatego pisałem że mozna zwiększyc rezystor R4...
Dobrze kombinujesz ale jest jeden błąd w twoim rozumowaniu, da sie go poprawić, wtedy uzyskamy jedno z dwóch powszechnie znanych i popularnych rozwiązań. Mikroprocesor przez adc bada napięcie na kondensatorze, jeśli niższe niż zadane, odtyka mosfet/tranzystor, który doładowuje kondensator (równolegle z kondensatorem wyjście zasilacza) Dzięki temu, że...
A jeśli pozwolisz, że spytam poza tematem, który parametr tranzystora przystosowanego do pracy liniowej podany w karcie katalogowej odpowiada za "Możliwość jego pracy przy częstotliwości 100kHz" i nagłej pracy liniowej ? MOSFETy da się bardzo szybko przełączać, ale im wyższa częstotliwość tym większych prądów bramki potrzeba, pewnym ograniczeniem jest...
MOSFET będzie miał najmniejsze straty. IGBT to tranzystor bipolarny połączony z MOSFET, więc straty mocy będą większe, największe będą w diodzie. Jarek pewnie to rozwinie, bo ma z tym styczność i doświadczenie. Napisz, jeśli to nie tajemnica, jak duże prądy mają płynąć, jakie napięcia są - zasilania, spadek na kondensatorze (można dobrać indukcyjność...
Witam, rozwiązanie ma głęboki sens energetyczny, pod warunkiem, że spadki napięć na załączonych tranzystorach będą mniejsze niż na diodach. Oznacza to, że gdy wchodzą w grę dosyć wysokie napięcia wejściowe, układ może dawać większe straty niż w przypadku klasycznych diod prostowniczych, tranzystory MOSFET na wysokie napięcia uwielbiają mieć dużą rezystancję...
Musisz zrobić zasilacz impulsowy, działa on na takiej zasadzie że podaje napięcie a gdy zostanie przekroczona granica np 3.3V to je odcina. Dzięki bardzo szybkim zmianom stanu przewodzenia i kondensatorowi na wyjściu, da się uzyskać bardzo stabilne napięcie 3.3V nawet z 400V. Do tego ma wysoką sprawność bo niemal całe straty są np w MOSFET działającym...
Kolego jarek_lnx, dziękuję za schemat, na pewno go wypróbuję. A co w tym schemacie przeszkadza, aby całość pracowała na wyższych częstotliwościach? Tranzystory sterujące nie wyrobią tempa? Ładunek bramek P-MOSFET'ów musiał by sie rozładowywać przez rezystor 1kΩ przy 97nC wyłączanie tranzystora będzie trwało ponad 10us w stosunku do okresu 50us...
Tranzystor na pewno się nadaje, ale... To wykres SOAR i źle go interpretujesz, n.b. wcale go tu nie potrzebujesz. Pod warunkiem, że odpowiednio wysterujesz tranzystor (wartość napięcia sterującego Vgs, wydajność prądowa tego źródła) ważne jest Rdson - a ono zależy od Vgs. Wówczas moc strat w czasie przewodzenia P=Uds x Id, Uds=Rdson x Id, więc P=Rdson...
Pewny nie jestem, ale myślę że to transil na 15V, a tą stronę skierował bym poszukiwania. Ponieważ cały układ "Współpracuje z pakietami NiCd, NiMh, LiPo o napięciu od 7.2V do 12V. Likwiduje on straty powstające podczas zwierania mechanicznych styków spustowych oraz zabezpiecza je przed przepaleniem."
MOSFET na pierwszym stopniu, pozwala ci wyeliminować rezystor bazowy potrzebny dla bipolarnego, nic poza tym, to może lepiej dać kolejnego ULN'a jeden wystarczy do wysterowania wszystkich FET'ów. Nie potrzeba rezystora 220Ω, wystarczył by nawet ten 4,7kΩ wyłączanie by trwało mniej niż 20us, przy okresie ponad 20ms straty mocy w IRF7314 będą...
Musi być MOSFET czy może być NPN np MJE 13003 ( takich mam kilka jeszcze ) Dał bym MOSFETa szczególnie że potrzeba elementu który przewodzi w obu kierunkach. Musze jeszcze opracować jak to zrobić aby tranzystor się załączał gdy ten po stronie pierwotnej się wyłącza. Sprawa jest o tyle ważna że załączenie obu to zwarcie, które może je uszkodzić. Zastanawia...
I dlatego powstały IGBT IGBT stosuje się tam, gdzie mamy wysokie napięcia, bo wtedy rezystancja otwartego kanału MOSFETów jest na tyle wysoka*, że straty na nich są wielokrotnie większe niż np. na napięciu kolektor-emiter otwartego IGBT. Zależność między mocą traconą na elementach przełączających jest prosta: P = I^2 * RDSon (dla MOSFET) P = UCEsat...
I_C/I_B=20 jednak nie wzięło się ot tak czy z zasady tylko jednak z noty i ta wartość może być inna dla różnych tranzystorów. Dobrze rozumiem? Dobrze rozumiesz, z noty, ale i z zasady/reguły. Zależy od tranzystora - te o dużej becie powinny mieć zwykle Ic/Ib=20, zwykłe 10, wysokonapięciowe (o małej becie) - 5 albo nawet 4, a specjalne 50 czy nawet...
Witam, szeregowe rezystory w bramkach tranzystorów mosfet stosuje się głównie dla uniknięcia pasożytniczych zjawisk związanych z pracą tranzystorów w układach przełączających. Tranzystory mosfet są "same z siebie" elementami o bardzo krótkich czasach przełączania, ma to zarówno plusy dodatnie jak i ujemne, jak mawiał klasyk. Z jednej strony (dla ustalonej...
Zakładając że silnik ma pobiera 500W płynie 42A tranzystory sie nagrzeją powiedzmy do 100°C Rdson zestawu wzrośnie do 6mΩ? straty statyczne będą do 10W. Jak do tego mają sie straty przełączania? Kolega pisze że 170ns to duzo, ja założę że 12x więcej - 2µs to nadal mało, załóżmy w uprosczeniu że przez te 2us wydziela sie 500W, uwzględniając...
To wogóle nie zadziała :( Do silników nie stosuje się takiego sterowania ze względu na bardzo duże straty mocy na elemencie sterującym (a już szczególnie jak silnik dociążysz). Zastosuj sterowanie z modulacją wypełnienia impulsów PWM, wtedy MOSFET pracuje tylko w dwóch stanach: włączeny/wyłączony i jest minimalna strata mocy na nim (praktycznie tylko...
powiedzmy że mam tranzystor mosfet 100W i napięciu 150V prądzie 20A w imp. 100A, (tak sobie tylko wymyśliłem wiec proszę nie pisać że takiego nie ma). chciałbym nim obciążyć cewkę przy napięciu 100V. z mocy mi wychodzi że nie mogę puścić więcej jak 1A ale czy impulsy z 50-cio % wypełnieniem mogą mieć 2A? (częstotliwość od 10-300Hz) dla całego cyklu...
straty mosfet straty tranzystorze mosfet straty przełączania mosfet
radio clarion głowica oporność głośnik kamera easycam
reset tuszy canon reset tuszy canon
