Obojętnie, w twoim przypadku istotniejsze niż RDSon będzie napięcie progowe bramki - wybierz tranzystor mający je <2V i sprawdź który z nich jest w sklepie.
Witam. Lepiej będzie - moim zdaniem - użyć tranzystora MOSFET, np w takim układzie: http://obrazki.elektroda.net/44_12442136... Typ tranzystora - niekrytyczny (z kanałem "n", napięcie progowe bramki - poniżej 4V, mała rezystancja Rdson). Pozdrawiam.
Na początek możesz spróbować wysterować MOSFET układem do tranzystorów bipolarnych, jeżeli nie będzie działało to napięcie jest poniżej napięcia progowego bramki. Sterowanie będzie wywoływało straty na tranzystorze jednak w tym prostym układzie można więcej się nauczyć z eksperymentów niż z odgórnych założeń.
Witam kolegę . Stałą czasową układów oblicza się na podstawie wzoru RC ln (Udd/Udd-Up). Up - napięcie progowe dla bramki Schmitta. Dioda pozwala na szybkie rozładowanie kondensatora po wyłączeniu zasilania. Układ pierwszy dokładnie tak działa. Do czasu naładowania kondensatora do npięcia Up na wyjściu jest stan H po przełączeniu wyjście pozostaje w...
Rzeczywiście MOSFET może robić problem z napięciem progowym bramki, więc bipolarny ma tutaj przewagę i jeżeli Uce poradzi sobie z ogniwem 1.5V to może to być optymalny wybór. Czy dla testów wpływu prądu testującego na oszacowane Rw zastosować pracę on/off czy pracę z dwoma prądami z różnicą powiedzmy -20% wyższej wartości prądu? Dla 1A daje to 800mA...
Witam, niektórzy stosują nawet IRF520 który cechuje identyczne napięcie progowe bramki. Dałbym 100K i potem ewentualnie zmniejszył (co najwyżej za wcześnie obetnie)
BUK9E06-55B. https://datasheetspdf.com/pdf-file/61328... Można zastąpić IPB80N06S2-H5 o ile nie przeszkadza wyższe napięcie progowe bramki (oryginał max 2V, IPB80N06S2-H5 max 4V). https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-I...
Sprawdziłem co w poście i po stronie pierwotnej transformatora sprawdziłem tranzystor K3530 i wygląda wg katalogu. Napięcie progowe bramki 4.4V i C=1.16nF z miernika LCR-T4. Ma sens sprawdzanie D701 i D702 czy inne po stronie wtórnej transformatora skoro na nim nie ma napięcia? Jeśli mam stronę wtórną odlutowaną to między nóżkami brak napięcia.
Nie musza być duże, a nawet sa zbędne , gdyż R d-on jest tym rezystorem szeregowym . Jest mnóstwo rozwiązań łaczenia mosfetów bez rezystorów Mylisz pojęcia - stosuje się połączenie równoległe MOSFET dla układów impulsowych, gdzie dodatni współczynnik temperaturowy Rds(on) powoduje wyrównanie rozpływu prądów pomiędzy kluczami. W przypadku układów analogowych...
Stare zamienniki mają inne napięcie progowe bramki. Myślałem że te 2SK1058 zachowują się inaczej niż 2SK134 Dodano po 2 Tam z tych starszych tematów były różnice w oporności rezystorów R763L i R763R. Jak to wygląda?
Wszystko fajnie, na bramkach też pewnie by można gdyby nie fakt, że w samochodzie temperatura może zmieniać się od -30 do ok. +60stC. Jak zmieni się pojemność kondensatorów elektrolitycznych, napięcia progowe bramek? - i jak to przełoży się na czas opóźnienia?
Jak dasz lepszy tranzystor to jedynie trudniej go będzie spalić. Trudniej będzie go też przełączyć, ma wyższe napięcie progowe oraz większy ładunek bramki, jeśli układ sterujacy daje 5V to buz 12 nie załączy sie całkowicie, przy niezmienionej wydajnoci prądowej drivera BUZ12 będzie sie przełaczał 10x wolniej.
Kondensator zamiast do masy jedną nogą podłącz pod dzielnik napięcia (podpięty pod zasilanie) ustawiony na napięcie progowe bramki mosfeta. Możesz tam po prostu wstawić potencjometr montażowy i dobrać wartość eksperymentalnie.
Witam. Tranzystory MOSFET można przyrównać do bipolarnych. Do poprawnej pracy wymagana jest odpowiednia polaryzacja napięć i ich wartość. Dla przykładu MOSFET z wzbogacanym kanałem n i obciążeniem w drenie, do przewodzenia wymaga wysterowania bramki potencjałem wyższym lub równym Up (napięcie progowe). Jeśli przeniesiesz obciążenie do obwodu źródła,...
(at)Pokrentz Jakbyś poświęcił minutę czasu i zajrzał do kart katalogowych użytych tu mosfetów to wiedziałbyś, że mają one parametry mocno odbiegające od typowych mosfetów - ich napięcie progowe bramki wynosi zaledwie ok. 1V. Wiadomo już zatem dlaczego nie można użyć tanich zamienników.
http://elportal.pl/pdf/k01/55_08.pdf Poczytaj. Generalnie rezystancja D-S, napięcie progowe załączenia bramki i chyba najważniesze: pojemność bramki.
Nie ma takiego uniwersalnego, ogólnie coś co ma w opisie "logic level", ale nie koniecznie. Napięcie progowe bramki takich tranzystorów jest niższe od 3V, np. 1,4, czy 2,2 V. Żeby dało się w pełni wykorzystać możliwości tranzystora, napięcie bramki musi być znacząco wyższe od napięcia progowego. To progowe to jak sam wkleiłeś - napięcie przy którym...
Napięcie zasilania minus napięcie progowe drugiego tranzystora.
Jako tranzystor mocy dać IRL3803, napięcie progowe bramki 1V, Imax=140A, mała rezystancja = nie będzie się grzał. Driver push-pull, koniecznie - para npn i pnp. Postawić LED na radiatorze z podkładką silikonowo-ceramiczną - mają bardzo małą rezystancję termiczną i po problemie. Niezawodność w porównaniu z izolacją galwaniczną bez porównania wyższa.
Czyli działa czy nie działa ? wg kolegi działa, a wg czystej teorii nie powinno ;) Pozdr A dlaczego nie powinno? Napięcie progowe bramki to 2-4V, czyli zasilany z 5V procesor ją otworzy. A przy takim napięciu max prąd drenu to ponad 10A, tranzystor będzie nie w pełni otwarty, ale przy prądzie 300 mA jaki ma autor to straty są bardzo małe i jak widać...
[url=https://pdf1.alldatasheet.com/datas... (najtańszy, jaki znalazłem): napięcie progowe co najmniej 1,2V (zbyt małe jest niedobre!), oporność kanału najwyżej 0,28Ω przy napięciu bramki 4,5V i prądzie 1,4A. No... to tak trochę na styk, ma dopuszczalną moc strat 0,5W (at)25°C, a teraz mamy globalne...
Jak już szalejemy, to: https://obrazki.elektroda.pl/7827559300_... :) Na bramce powinno się "wyciągać" z 1,5 wota, trzeba by więc użyć tranzystora, jak AO4302 - o niskim napięciu progowym bramki. Dla R4 o rezystancji 470k wystąpi opóźnienie reakcji na ruch, wynoszące ok 0,1s. Jeśli to za długo, wystarczy zmniejszyć R4 do np. 100k i...
Poszukaj mosfetów o kanale N, ale o niskim napięciu progowym bramki VGS(th), takich jak IRF3711. Zwróć też szczególną uwagę na układy jakie stosujesz w roli driverów. Niektóre z nich posiadają wewnątrz układ, który blokuje sterowanie bramek tranzystorów poniżej pewnej wartości napięcia. Z tego co pamiętam dla IR2104 jest to coś poniżej 8V (piszę z pamięci,...
LED-y powinny być połączone anodami do +12V, a katodami do drenów MOSFET-ów (mogą być potrzebne szeregowe rezystory ograniczające prąd). MOSFET-y (z kanałem typu N) muszą mieć napięcie progowe bramki ok 3V (np. BUZ10). Sterowanie bramek tranzystorów - w logice dodatniej (+5V - dioda świeci, 0V - dioda zgaszona). Tak mi się wydaje :D Pozdrawiam
STP45NF06 - dopuszczalne napięcie bramki +/-20 V, napięcie progowe (prąd 0,25 mA, bramka połączona z drenem) 2 do 4 V, opór włączonego 22 mΩ (0,022 Ω) dla prądu 19 A przy napięciu bramka-źródło 10 V (ale zwykle nie robi różnicy, czy jest 8 V, czy np. 12 V - opór jest podobny). Trzeba podać te 10 V (wystarczy 8 V) na bramkę i wtedy mierzyć opór dren-źródło....
Bardzo fajny układ czy znajdzie on zastosowanie w domowej elektrowni fotowoltaicznej z dwoma bateriami 12V 40Ah połączonymi szeregowo. Może zajść konieczność przeróbki - górny tranzystor kluczujący może się nie otwierać ze względu na zmieniający się w większym zakresie potencjał jego źródła (12V a nie 4V). Już teraz miałem z tym problem, gdy obniżyłem...
Okazuje się ten sklep nie ma w ofercie żadnych mosfetów, które by można sterować poziomami logicznymi 8O Jeżeli Twój tranzystor siedział w zasilaczu to być może można by go zastąpić tranzystorem IRFZ46N, który jest całkiem niezły ale nie ma 100% pewności czy ruszy (bo napięcie progowe bramki ma typowo ok.3V a Twój tranzystor jakieś 1.5V). Jeżli chcesz...
Witam. Planuję budowę elektronicznego papierosa na bazie MOSFETU. Poszukuję takiego z napięciem progowym bramki od 2V do 4V i niską rezystancją aby straty były jak najmniejsze. IRF520, IRF1404, IRFL3103, IRLB3034 - który z nich będzie najlepszy i dostanę go w sklepie elektronicznym który jest dosyć ubogi? Drugim pytaniem jest czy dioda zenera o przebiciu...
Kwestia tego typu, że bawię się ostatnio głównie zasilacze impulsowe, mostki. I gdy nagle pada mi układ w którym są dajmy np. 4 tranzystory IGBT, to mało że tracę sporo czasu by wszystkie wylutowywać (bo radiator trzeba odkręcić wpierw itd.), to zaraz zaczyna się szukanie jakiegoś silniczka/żarówki itp. (żeby zasygnalizował pracę lub jej brak), plątać...
Jesteś pewien, że ten tranzystor ma być podłączony w taki sposób? Moim zdaniem ten tranzystor mierzył spadek napięcia na diodzie szeregowej, w celu określenia prądu ładowania. Emiter do +5V, kolektor do diody, a baza przez rezystor 1k za diodę. Ale to nadal słabe rozwiązanie z uwagi na konieczne napięcie baza-emiter, rozrzut parametrów i wrażliwość...
Autorze tematu - schemat,mniej prądochłonny. https://obrazki.elektroda.pl/7012607400_... Jako tranzystor T2 jest zastosowany FET BS170 o maksymalnym prądzie 500mA. Rezystor R2 może pozostać 10kΩ. Ale wtedy napięcie progowe będzie ok. 1,1V. Jeżeli kolega potrzebuje mniejsze napięcie progowe, to R2 można zwiększyć. Na schemacie kolegi...
Witam . Tyrystor włącza prąd (zależy od typu - zwykle od 20 do 300mA dla dużych ) . Napięcie progowe bramki ok.1-1.5V. Tyrystor włącza pierwsze przekroczenie prądu załączania . Kształt prądu bramki ważny jest praktycznie tylko w falownikach tyrystorowych. Tu wystarczy impuls . Spróbuj połączyć anody tyrystorów z bramkami przez oporniki 10Ω.Nie...
Vgs(th) - Gate treshold voltage. Napięcie progowe bramki - tak jak napisał Futrzak - jest to minimalne napięcie które powoduje otwarcie tranzystora. Tranzystor ten jest typu logic level, co oznacza że ma niższe niż standardowe napięcie otwarcia, dzięki temu może być sterowany wprost z wyjść układów cyfrowych. W celu zabezpieczenia przed uszkodzeniem...
No więc MOSFET może być tylko trzeba odpowiednio dobrać jego parametry (prąd nasycenia drenu co najmnej 0,3 A i małe napięcie progowe bramki tak aby uzyskać szerszy zakres napięć). Sygnał z przetwornika dajesz na bramkę, źródło do masy i masę wiatraka do drenu a plus wiatraka narmalnie do plusa zasilania (tranzystor z kanałem N). Dodano po 2 Chociaż...
Wszystkie układy z bootstrapem, w tym w/w HIP4081, mają jedną zasadniczą wadę - nie pozwalają na pełne 100% otwarcie górnego mosfeta. Jako tańszą alternatywę dla HIP4081 proponuję IR2184, ale mają tą samą wadę wynikającą z zasady działania bootstrapu. Można sobie z tym poradzić stosując przetworniczkę małej mocy z izolowanymi wyjściami do zasilania...
Tutaj przydałby się MOSFET, którego oporność włączenia jest podawana dla napięcia bramki ze 3V - ale o takie raczej trudno. Rozróżniaj napięcie bramki: progowe (V_GSthr, czy jakoś tak), przy którym MOSFET zaczyna przewodzić (zwykle podają dla prądu 0.25mA); normalne do włączenia (przy nim podają oporność włączenia); i dopuszczalne.
Z tych napięć wynika, że masz całkowicie otwarty tranzystor T7. Nie wiem w jakim położeniu jest potencjometr P1, ale wygląda, że blisko skrajnego górnego na schemacie, czyli blisko R10. Jeżeli jest inaczej, to masz zwarty T7. Teraz dobrze by było znać napięcie baza-emiter T7. Jeżeli jest sprawny to powinno być około 0.7V lub więcej, jeżeli jest mniej...
Prosiłbym o pomoc w przetłumaczeniu tych nazw. Niby pojedyncze słówka się zna w niektórych przypadkach, ale i tak nawet jak próbuje coś z tego sklecić, to wychodzi jakaś bezsensowna papka :/ W nocie katalogowej SG3525: deadtime resistir range (Rd)- reference load current (Iref)- output sink/source current (Io)- oraz IRFZ44 http://obrazki.elektroda.pl/8017329400_1...
Coś takiego mogło by być ale w wersji na dwa przewody aby wstawić w szereg na wyjściu ze stacji ładującej. Jak chcesz zmierzyć napięcie i ocenić czy jest ono przekroczone lub nie, gdy urządzenie to realizujące wpięte będzie W SZEREG (!!!!) ???? Najprostszym rozwiązaniem jest bezpiecznik szeregowo z tyrystorem wyzwalanym przez układ progowy. Po przekroczeniu...
Czyli jeszcze opornik równolegle do MOSFET-a - dzięki temu MOSFET mniej się nagrzeje. Wtedy sensowna jest większa stała czasowa ładowania bramki - tak, żeby napięcie progowe włączania MOSFET-a osiągać wtedy, gdy napięcie na kondensatorze w zasilaniu jest już prawie ustalone. Do tego jest pożądany MOSFET o dużym napięciu progowym (a więc nie Logic Level).
Może UDN2981+rejestry przesuwne? Jeśli nie przeszkadza Ci spadek napięcia bliski 2V na stopniu wyjściowym tego układu, to możesz go użyć. Natomiast wiersze, ze względu na znaczny sumaryczny prąd przy wielu matrycach, najlepiej sterować mosfetami z kanałem N o niskim napięciem progowym bramki (np. seria IRL) aby poprawnie je wysterować poziomami 0/5V....
Najpewniej MOSFETy. Produkcent to International Rectifier. Symbole ich tranzystorów zaczynają się od "IRF", "IRL". Te liczby, które znalzłeś, to może być data produkcji elementu (rok, tydzień). Przynajmniej tak to wygląda na moich IRFach w obudowach SO-8, na górze jest data, a na dole oznaczenie tranzystora. Rozrysuj sobie schemat stopni końcowych....
Całkowity ładunek bramki około 10nC, napięcie progowe około 1V - z opornikiem bramka-źródło 1k wyłączanie potrwa 10 nC * 1 kΩ / 1 V=10 us. I im większy będzie ten opór, tym wyłączanie będzie wolniejsze; ale jeśli będzie on mały, to będzie potrzebny spory prąd płynący przez tranzystor transoptora - jaki on ma gwarantowany CTR (PC817 jest robiony...
Jeśli dobrze rozumiem to zasilasz lampkę z trzech akumulatorów AAA (najprawdopodobniej NiMH) czyli napięcie zasilania LM358 rzędu 3,6V i sterujesz z tego LM prosto bramkę mosfeta P, którego napięcie źródła to ok 9V. Czyli go nie wyłączysz i czerwona lampka się nigdy nie zaświeci. Bo wzmacniacz nawet jakby był R2R (a LM358 jest daleki od tego, szczególnie...
Układ rzeczywiście ma błąd, brak podciągającego rezystora nóżkę 2 do plusa. Ale po dotknięciu bazy do plusa, układ powinien wygenerować dodatni impuls o długości wyznaczonej przez R2, C1 i dodatkowo opóźniony przez R3,C3. Opóźnienie te zależny od R3, C3 jak i napięcia progowego bramki NOT. I przydał by się układ skracający impuls wejściowy. Otwartym...
Witam Chciałbym się dowiedzieć jak kształtuje się krzywa prawdopodobieństwa dla napięcia Ugs(th) tranzystora tego samego typu w moim przypadku BSP171. Już tłumaczę o co dokładnie mi chodzi. Według noty katalogowej Ugs(th) progowe napięcie bramki może być w zakresie: min. 0.8V typowo 1.4 maksymalnie 2V. Zależy mi, żeby w każdym z moich zaprojektowanych...
RDS(ON) praz VGS(th) zdefiniowane są na stronie drugiej - są to, odpowiednio, rezystancja kanału w pełni otwartego tranzystora oraz oraz progowe napięcie bramka-źródło, które zapewnia iż tranzystor będzie w pełni otwarty. No nie bardzo ;) Od tego napięcia ZACZYNA przewodzić i może mu być jeszcze daleko do pełnego otwarcia...
Imax dla BUZ11 to 30A, ale w tym układzie nie uzyska się nawet 10A (na typowym egzemplarzu BUZ11) - należałoby zamiast LM7805 użyć czegoś dającego nieco wyższe napięcie, np. LM7809, bo BUZ11, żeby przewodzić 20A, potrzebuje napięcia na bramce około 6.5V (typowo). Opór włączenia, mierzony przy małych prądach, jest na poziomie 0.05Ω (przy napięciu...
Witam No więc komparator LTC1540 który potrzebuje 0.3uA i posiada własne źródło odniesienia. Prąd wejściowy jest oczywiście pomijalny bo to są nA. Działa od 2V. 1) Przy takich parametrach, rzeczywiście układ spełni swoje zadanie. Należy pamiętać o odpowiednio dużych rezystorach do dzielnika, ale przy prądach wejściowych rzędu nA nie jest to problem....
Chcę policzyć ten co dałem w siódmym poście. Tu trzeba tylko zapewnić żeby dwa tranzystory nie robiły zwarcia, inwertery w scalakach mają pewien obszar przejściowy kiedy przewodzą oba tranzystory, ale w przypadku elementów dyskretnych robił bym tak aby zasilanie nie przekraczało sumy napięć progowych.
Czy zjawisko samoistnego załączenia (a przynajmniej ładowania bramki przez Cgd) następuje tylko wtedy gdy okres trwania skoku napięcia Uds jest znacznie mniejszy niż stała czasowa Rg*(Cgs+Cgd)? No, nie całkiem - istotny jest nie tylko czas, ale i wielkość skoku Uds (napięcia dren-źródło). Czy jest prosty wzór aby zorientować się jak szybkie zmiany...
VGS(th) to napięcie progowe, przy którym MOSFET zaczyna przewodzić np. około 0.5mA, co raczej rzadko bywa użyteczne; do przewodzenia dużych prądów potrzebne jest napięcie bramki, dla którego podano RDS(on), czyli w tym przypadku 10V. Dla MOSFET-ów Logic Level to drugie napięcie jest np. 4.5V (jakkolwiek dla nich często podaje się RDS(on) dla dwóch napięć...
Sprawa jest prosta i zarazem nie. Prosta bo przetworzyć sygnał sin na przebieg prostokątny to proste. Wystarczy posłużyć się np: komparatorem gdzie na jedno wejście podajemy napięcie referencyjne (odniesienia) a na drugie sygnał sin. Komparator będzie generował przebieg prostokątny a więc cyfrowy. Jeszcze prościej to podać sygnał na dowolną bramkę np:...
Wyłączać można tranzystorem, który będzie sterowany tak, by przy napięciu około 6V przewodził, a np. przy 6.4V i wyższym był wyłączany. Układ może być prostszy, jeśli ten tranzystor będzie MOSFET-em o odpowiednich parametrach - np. P-MOSFET o napięciu progowym nie mniejszym, niż 1.3V, ale o małej oporności przy napięciu bramki około 5V - wtedy oprócz...
Najprostszy taki układ to bramka Schmitta (np. z układów CMOS 4093, 40106, 4584). Pomiędzy wejściem a masą, równolegle, kondensator i rezystor (typowy układ czasowy RC rozładowujący kondensator). Podając +12 V ładujemy kondensator. Po odłączeniu +12 V kondensator zaczyna się rozładowywać poprzez równoległy rezystor, a czas tego rozładowania będzie tym...
Macie racje jednak układ jest zaprojektowany pod prąd 2.5A, przy prądzie 3A hfe=~70, co daje prąd 36mA, błąd więc wynosi 1,5% na rezystorach pomiarowych, taki błąd jest dla mnie jak najbardziej do przyjęcia. Ten błąd można by zredukować praktycznie do zera, łącząc dren mosfeta, nie z zasilaniem, a z kolektorem T1. Wtedy prąd obciążenia będzie zawierał...
Żeby mówić o poziomach 0 i 1 musiałbyś używać tranzystorów sterowanych poziomem logicznym - IRFL chyba się do tego nadają ale chyba nie w tej konfiguracji. Do sterowania mostkiem H proponuję 2 szt IR2110. Tu masz Nie no, to 0 i 1 to pewne nagięcie, bo tutaj jest kwestia napięć progowych bramki itp. Ale wiadomo, chodziło o wysterowanie napięciem, które...
A po czym można poznać jaki rodzaj kanału (zubożony czy wzbogacony) ma tranzystor MOSFET? Jest to gdzieś napisane w tym pdfie bo nie mogę znaleźć? W moim przypadku lepszy jest MOSFET z kanałem wzbogaconym (normalnie zamknięty) dzięki czemu kanał tworzy się dopiero, gdy napięcie bramka-źródło przekroczy napięcie progowe. Czyli zamknięcie obwodu zgrzewania...
Pewnie to "triangle" ma dawać napięcie w kształcie trójkąta, ale poprzez opornik 1k, a może częstotliwość powtarzania 1kHz? Nie wiadomo, co autor schematu miał na myśli. Wykres wygląda mi na zależność napięcia na wyjściu (drenie - ten tranzystor to jest N-MOSFET, jakiś o niskim napięciu progowym) od napięcia na wejściu (bramce tranzystora). Ale tak...
Potrzebuję sterować nim poprzez mikrokontroler (MCU2), który na konkretnym wyjściu normalnie ma LOW - zmieniając stan (na chwilę) na HI aktywuje bramkę MOSFET typu N. Dren tego MOSFETa jest połączony zamiast oryginalnego przycisku, a źródło jest podłączone do masy. Do tego miejsca Twój projekt wygląda w porządku. O ile dobrze Cię rozumiem. Po prostu...
prądzie kolektora 30mA napięcie nasycenia jest 3V Faktycznie, nie zwróciłem uwagi. W praktyce, na trzy sprawdzone 817-tki (różnych producentów),najlepiej wypadł jakiś no name SMD. Napięcia Uce, dla prądów w okolicy 35mA (od 32,5 do 40,5) wahały się od 1,5 do 3,1V (zasilanie ze źródła napięcia przez rezystor, więc wynik 1,5V dla 40,5mA, a 3,1 dla 32,5)....
... Tak wyglądają przebiegi na kondensatorze i wyjściu przerzutnika dla różnych napięć przełączania bramek: ... Nie wiem poco kolego robisz symulacje przełączania dla różnych napięć, skoro progi przełączania CMOS są ustalone. Jeśli juz chcesz, zrób symulację dla napięcia progowego CMOS. ... Progi przełączania to są ustalone tylko w katalogach, a w...
Co to znaczy naładowac bramke? Jak to zrobic? Bramka jest oddzielona galwanicznie od kanału i tworzy z nim rodzaj kondensatora. Jeżeli pomiędzy bramkę a źródło doprowadzisz jakieś napięcie to kondensator ten się naładuje. Jeżeli napięcie pomiędzy bramką a źródłem jest wieksze od napięcia progowego dla danego typu tranzystora MOSFET to tranzystor zacznie...
Jak najbardziej podawaj na bramkę napięcie od 0 do jakiejś wartości. Jakiej? Zazwyczaj napięcie progowe (takie przy którym przez złącze Dren Źródło zaczyna przepływać prąd) w tego typu tranzystorach to ok 3V DC, czasem więcej a czasem trochę mniej. Myślę, że możesz spokojnie zwiększać napięcie od 0V do nawet 10V DC, i multimetrem możesz spokojnie jednocześnie...
pio_kan uruchomiłem układ z IR2153 i z dodatkowymi wzmacniaczami 6A mcp1407. Wszystko działa pięknie tylko IR2153 ma za duży DT dla moich potrzeb ok. (1200ns) i przy ok 200kHz jest już tylko ok. 25% wypełnienia impulsu, a przy 300kHz pozostają tylko szpilki, które po chwli (parę kHz więcej) giną bo DT jest większe niż okres oscylacji. Potrzebuję ok...
Popieram - faktycznie takie zjawisko występuje. A co do miernika - użyj 3 tranzystorów n-mosfet z napięciem progowym nie większym niż 1,5V. Bramkę każdego podłącz przez potencjometr montażowy w konfiguracji dzielnika napięcia i wyreguluj :D
Niewygodą jest to, że trudno o MOSFET-a z kanałem P, który by się całkowicie włączał przy niskim napięciu bramki. Choć może w Warszawie da się znaleźć, np. u Piekarza? W każdym razie możliwości są takie: LM4041-ADJ + N-MOSFET; zamiast N-MOSFET-a NPN + P-MOSFET (dający pełne włączenie przy -5V na bramce); TL431 + PNP + N-MOSFET Logic Level (czyli na...
Typ termistora zależny jest właśnie od napięcia progowego tranzystora. Tak to trzeba dobrać, by zmiany napięcia na bramce pozwalały regulować prąd drenu. Dając termistor 10kΩ można zmienić zakres zmian napięcia na bramce.
t=(Qg*Ug)/Ig Zły. Inny wzór jaki spotkałem to: t=(Ciss*Ug)/Ig Ciss - Pojemność wejściowa bramki w Faradach Liczenie w ten sposób to bardzo popularny błąd, daje mocno zaniżone wyniki. Raz tu na forum widziałem wzór t=Qg/Ig Najbliższy prawdy, da wartość za dużą, można stosować do bardzo zgrubnego oszacowania, rzeczywista wartość może wyjść kilkukrotnie...
1. To fakt, że przeładowanie pojemności G-S jest szybsze bez rezystora, tyle tylko że łatwo wówczas uszkodzić port. Zwłaszcza, że ATMEGA nie ma żadnego zabezpieczenia nadprądowego - wbrew temu co pisze Kol. shg. Nota katalogowa zawiera dość precyzyjną informację, że nieprzekraczalny prąd wpływający lub wypływający do pinu może wynosić 40 mA. Za bezpieczną...
Proponuję tranzystor MOSFET n-kanałowy. 0V z mikrokoltrolera wyłączy, 5V włączy. Trzeba tylko wybrać tranzystor z napięciem progowym poniżej 4V, aby mieć pewność, że się "dobrze" włączy. Obciążenie musi być włączone pomiędzy dren a +12V. Źródło na masie. Bramka przez duży (kilkaset kilo) do masy. Generalnie możesz pogrzebać w temacie "klucz nasycony".
Elementy przełączające 4 warstwowe. Normalnie są wyłączone a włączyć je można podając impuls na bramkę lub zwiększając napięcie na elektrodach tyrystora powyżej napięcia przebicia. Tyrystor wyłącza się gdy prąd przez niego płynący spadnie poniżej wartości progowej. Używa go się głównie w ukłądach prądu zmiennego jako element wykonawczy dwustanowy, np....
LM358 ma dwa WO w sobie więc mogę 1 układ do dwóch takich układów ? - Tak, jeśli tylko mają wspólne zasilanie (a pewnie mają). IRF9540 ma napięcie progowe od -2.0 do -4.0V (pasuje), opór włączenia do 0R2 przy napięciu bramki -10V, więc będzie wyraźnie lepszy od BD136. IRF9Z34N ma takie samo napięcie progowe i opór włączenia 0R1, więc byłby lepszy,...
Wystarczy kartka i ołówek/długopis. A nawet patyk i nieco piasku. Czyli jakiś sprzęt potrzebny. Pierwsze programy pisało się w języku maszynowym używając kodów szesnastkowych. Wystarczy patyk i piasek. A nauka pisania programów zajmuje dużo więcej czasu, niż nauczenie się prostych obliczeń. W IDE Arduino też? Co do obliczeń, to jak się mają proste...
Witam Zamiast przekaźnika trzeba zastosować tranzystor (mosfet P). Sterowanie bramki jest praktycznie bez prądowe. Komparator napięcia musi mieć histerezę, aby nie było ciągłego włącz/wyłącz, przy napięciu progowym. Polega to na tym że jak komparator wyłączy zasilanie przy 12V, za chwilę napięcie wzrośnie do 12,1V z powodu braku obciążenia, komparator...
Zacznę może od tego, że triak pomiędzy bramką i anodami przewodzi (jest niewielka rezystancja, np. ~60Ω dla triaków 5A/600V, przynajmniej dla tych które mam w szufladzie :D ). Diak przełącza się po osiągnięciu pomiędzy jego końcówkami napięcia równego jego napięciu znamionowemu (bardzo upraszczam, wybaczcie) i rozłącza po tym, jak płynący przez...
[url=https://www.infineon.com/dgdl/Infin... Wygodne jest to, że napięcie progowe do włączania jest ponad 3V, opór włączonego tranzystora podają do napięcia bramki 10V, a dopuszczalne jest 20V - nie ma dużych wymagań do zakresu napięć układu sterowania bramki,...
TL431 + 3 oporniki (dzielnik, "obciążenie") + P-MOSFET, ewentualnie jeszcze 1 opornik do uzyskania histerezy. Dzielnik ma być taki, żeby 12V przekładało się na "2.5V" wymagane przez TL431. Kiedy napięcie jest poniżej 12V, prąd TL431 jest za mały, żeby spadek napięcia na oporniku między bramką, a źródłem P-MOSFET-a osiągnął napięcie jego progowe; po...
Teoretycznie układ taki wygląda bardzo prosto. Tranzystor podłączasz jak w układzie zwykłego klucza, ale dodatkowo w obwodzie źródła (między źródłem a GND) wpinasz odpowiednio obliczony rezystor. Powstaje źródło prądowe (stabilizujące prąd gałęzi drenu), sterowane napięciem bramki - prąd utrzymuje się na takim poziomie, aby suma spadku napięcia na rezystorze...
Trzeba jeszcze zwrócić uwagę na taką sprawę: typowy wzmacniacz operacyjny nie jest rail-to-rail, nie da na wyjściu +zasilania; w rezultacie tranzystor nie dostanie na bramkę 0V względem źródła połączonego z +zasilania; to może spowodować, że nie wyłączy się on całkowicie i będzie przepuszczać jakiś prąd; w związku z tym pożądane jest, by MOSFET wyłączał...
Tranzystor Mosfet typu N. Szukaj modelu z niskim Ugs(th) (niskie napięcie progowe), oraz patrz po charakterystykach czy i przy jakim napięciu Uds tranzystor pozwoli na przepływ potrzebnego prądu, przy 3V na bramce.
Warto zajrzeć do noty katalogowej: http://www.elenota.pl/datasheet-pdf/4161... On może mieć napięcie progowe 1V (albo większe) i może przewodzić 1.5A przy napięciu bramki 4.5V (ma wtedy oporność do 0R125). Można go sterować z Arduino, ale pod warunkiem, że i ten tranzystor (źródło), i uC Arduino są zasilane napięciem 5V, a obciążenie...
Dzielnik napięcia z zasilania podłączony do bramki tranzystora. Stosunek rezystorów dobrać na podstawie napięcia progowego tranzystora i minimalnego progu zadziałania układu. Zapewne potrzebne byłoby zastosowanie drugiego tranzystora w celu zwiększenia wzmocnienia. Następnym razem najpierw napisz swoje wymagania, a dopiero później oczekuj odpowiedzi.
HC trawi ten sygnał i nie są to czary mary. Zwróć uwagę na rezystor łączący wejście bramki z jej wyjściem. powoduje on, ze bramka pracuje jako wzmacniacz, i na jej wejsciu utrzymuje się napięcie stałe równe napięciu progowemu przełączania wejścia. Dlatego nawet mały sygnał wejściowy powoduje reakcję bramki. Nie jest to pewnie zbyt 'profesjonalne" wytłumaczenie,...
Jaki zamiennik polecacie zamiast YGW40N65F1 ? coś ogólnodostępnego . Część pochodzi z invertera hybrydowego. Typ: IGBT Typ kanału IGBT: N Maksymalne rozpraszanie mocy (Pc), W: 188 Maksymalne napięcie kolektor-emiter |Vce|, V: 650 Maksymalne napięcie bramka-emiter |Vge|, V: 20 Maksymalny prąd kolektora |Ic| (at)25℃, A: 80 Napięcie nasycenia kolektor-emiter...
Dokładnie tak. Maksymalne napięcie, jakie MOSFET może dostać z samoindukcji w cewce, to napięcie zasilania + napięcie przewodzenia diody - dotyczy to mostku H z drenami połączonymi do cewki. A to nie jest tak, że na dren tranzystora N channel podajemy zerowe napięcie by tranzystor "wyłączyć". Nie - MOSFET-y włączamy i wyłączamy napięciem bramka-źródło,...
przeszło 200V w przeciągu 50ns, co daje przy nawet kilku pF pojemności prądy rzędu amperów 5pF*200V/50ns=20mA. A jaka jest pojemność dren-bramka np. przy 100V? Pytania: Jakie jest napięcie na bramce, kiedy MOSFET jest włączony? O ile trzeba je zmienić, żeby się wyłączył? O ile trzeba zmienić napięcie na bramce wyłączonego MOSFET-a, żeby się włączył...
Po pierwsze, użyj przycisku "Szukaj" - znajduje całkiem sporo porad. Transformator: pomiar oporności uzwojeń nie wykryje zwarcia, ale jak podłączysz baterię, to przy jej odłączaniu będzie iskra (albo ciebie "popieści", jak dotkniesz gdzie nie trzeba). JFET - przewodzi, jeśli bramka nie jest spolaryzowana zaporowo (a ona łatwo polaryzuje się zaporowo...
http://obrazki.elektroda.pl/9635775800_1... Mikroprocesorowy tester elementów elektronicznych pojawi się w lipcu 2017 w 12-15mA , natomiast w trybie uśpienia wg. opisu 20nA (ale w praktyce wartość prądu powinna być niższa, nie udało mi się zmierzyć wartości prądu w trybie uśpienia). Badany element podłączamy dowolnie pod trzy (lub dwa)...
Niezasilony procesor wymusza 0,7V na bramkach MOSFETów. A to za sprawą diod zabezpieczających na swoich pinach.
Witam! Ad1. Tak. ...w książkach jest napisane ze jak temperatura rośnie to prąd maleje. To, dlaczego w niektórych wzmacniaczach mocy stosuje się kompensacje temperaturowa a w innych nie. Książki, w których tak pisze, podaruj wrogowi na imieniny. :P To jest powierzchowna i blędna z gruntu "wiedza". Doświadczalnie stwierdzono i wykazano teoretycznie z...
Rysunek dotyczy przeciętnego tranzystora - odchylenia od przeciętności wyrażone w napięciu na bramce są na poziomie 1V przy napięciu progowym (jest od 2V do 4V), a przy większym mogą być większe - czyli np. jeden może przewodzić 1A przy 3.2V na bramce, a drugi 200mA przy 5.9V. Oczywiście, jak masz w ręku tranzystor, to możesz go zmierzyć i stwierdzić,...
Jaki konkretnie to p-mosfet? Bo skoro dioda zenera jest na 10V to i na R układ będzie usiłował zrobić 10V. No ale jak to zrobić? Mosfet ma swoje napięcie progowe Ugs i może być tak że ono jest jednak większe niż 5V które pozostało na to by go włączyć. (Na schemacie masz na źródle 4.9V i być może aby układ regulował to wymagane napięcie bramki schodzi...
Jeżeli chcemy użyć tranzystora MOSFET, wartość tego napięcia sterującego powinna kilkukrotnie (3...5 razy) przekraczać napięcie progowe UGSth tego tranzystora. To nie jest dobre kryterium - proponowałbym zajrzeć do noty katalogowej i zobaczyć, dla jakiego napięcia bramki podaje się oporność włączenia - jeśli nota podaje np., że ta oporność jest poniżej...
Układ taki można zbudować z dwóch komparatorów o napięciach progowych 8V i 11V oraz prostego układu kombinacyjnego na bramkach np. NAND. http://obrazki.elektroda.net/97_12200753... Przełącznik V1 symbolizuje wyjście komparatora 11V, a V2 to wyjście komparatora 8V. dioda D1 sygnalizuje napięcia wejściowe między 8V a 11V, a dioda D2 napięcie...
Chciałbym skonstruować układ, którego schemat przedstawiłem w załączniku. Opiszę krótko pożądaną zasadę działania. Gdy zasilanie +12V (V1) jest załączone, kondensator powinien się ładować. Po wyłączeniu zasilania, napięcie z kondensatora powinno zostać podane na bramkę tranzystora MOSFET i spowodować jego czasowe otwarcie, oczywiście do momentu spadku...
Jeśli napięcie jest 12 V, to może być prosty układ: MOSFET z kanałem N (o małym oporze włączenia i napięciu progowym powyżej 2,5 V, ostatecznie może być 2,0 V, ale już nie mniej), włączony między minus zasilania i minus akumulatora, a do jego sterowania TL431, sterowany napięciem zasilania, który po osiągnięciu odpowiedniego napięcia obniży napięcie...
Sprostuję tylko nieprawdy które napisał (at)gps79 Ad. 1. N-Mosfet przewodzi w jedną stronę D->S gdy jest otwarty (odpowiednim potencjałem bramki), a w drugą stronę (S->D) przy pomocy wbudowanej diody (jeśli jest). Kiedy nie ma napiecia Ugs MOSFET zachowuje się jak dioda - przewodzi tylko w kierunku odwrotnym do normalnej pracy, kiedy jest napiecie Ugs...
Jeśli chodzi o przetwornice impulsowe, oba rodzaje tematycznych tranzystorów mają swoje wady i zalety. Ale który jest najlepszy do danej aplikacji? W poniższym artykule nie odpowiemy bezpośrednio na to pytanie, jednakże porównamy tranzystory MOSFET z modułami IGBT, aby wskazać, na jakim polu poszczególne elementy są lepsze. Zasadniczo, przyjęło się,...
https://obrazki.elektroda.pl/2850955900_... Rezystor pull-down pomiędzy bramką (G) i źródłem (S) tranzystora MOSFET pełni kilka funkcji: 1.Zapobieganie fałszywemu włączeniu: Pojemność Millera, pasożytniczy kondensator między bramką (G) i drenem (D), może powodować zmianę napięcia dren-źródło (Vds) tranzystora MOSFET z prawie 0 (spadek...
napięcie progowe bramki mosfet napięcie progowe dioda napięcie progowe diody
otwieranie pralki gniazdka angielskie bateria wkrętarka naprawa
Seat: Błąd 00566 i 2700 w układzie wspomagania Trudny rozruch i kopcenie ZIPP BT 49QT-28A