Prąd zasilania (średni!) konieczny do przeładowywania bramki: Iavg=Qt*f Prąd szczytowy potrzebny do przeładowania bramki to: Ig = Qt/t Czyli dla częstotliwości 150kHz zasilanie drivera wymaga 380nC*150kHz=57mA oczywiście do tego trzeba dodać prąd zasilania samego drivera. Zazwyczaj na zasilanie drivera wystarcza łącznie 100mA. No i oczywiście solidne...
Odbiegacie od tematu, bramka tranzystora to nie kondensator, pojemności bramki są dwie i do tego zmienne i nie ma żadnej krzywej wykładniczej, biorąc do obliczeń Ciss i traktując jak kondensator wyjdzie wartość kilkukrotnie za mała. To już lepsze przybliżenie daje jeśli do obliczeń weźmiemy ładunek bramki Qg. Zależy też co będziemy traktowali za stan...
Aby ograniczyć prąd przeładowania bramki (pojemność bramki), ograniczyć stromość zboczy, które mogą być źródłem zakłóceń EMI.
Co się przepala, 555? Podejrzewam problem z zasilaniem - może cewka generuje takie zakłócenia, które uszkadzają 555, zasilaj go osobno. Możliwe też, że za bardzo obciążasz wyjście - opornik 50Ω przy 12V pozwala na szczytowy prąd około 200mA - ale to chyba jeszcze NE555 powinien wytrzymać, zwłaszcza że to tylko na czas przeładowania bramki MOSFET-a (to...
Podana zależność wynika zapewne ze wzoru I=Q/t. Mosfet który podałeś wygląda na stosunkowo łatwy do sterowania, przy tej pojemności wejściowej nie powinno być problemu (im większa pojemność i/lub częstotliwość przełączania, tym uC ma "ciężej" przeładować bramkę).
https://www.dmcinfo.com/latest-thinking/... https://www.tycorun.com/blogs/news/mosfe... wpisałem w google: how to calculate mosfet switching losses I ja wiem że te czasy przełączenia są śmiesznie małe. No właśnie one są podstawową...
Poszukiwałem informacji (wzoru) do obliczania czasu przeładowania bramki MOSFET-a Znalazłem kilka prosiłbym bardziej doświadczonych o ewentualne zrewidowanie. t=(Qg*Ug)/Ig Qg - całkowita pojemnośc bramki w Kulombach Ug - napięcie na bramce Ig - prąd bramki Inny wzór jaki spotkałem to: t=(Ciss*Ug)/Ig Ciss - Pojemność wejściowa bramki w Faradach Na jakimś...
1) Na wrazie czego daj rezystory z wyjścia procka do wejścia bramek co ograniczy prąd przy przeładowaniu bramki. 2) Przy sterowaniu indukcyjnym nalezy użyć diod aby ograniczyć przepięcia na drenie przy wyłączaniu obciążenia Dodano po 53 http://www.elektroda.pl/rtvforum/viewtop...
Lipa!... Zastosowanie mosfetów w miejsce BJT w tym układzie nie jest takie proste. Pierwsze i podstawowe wątpliwości budzą rezystory ściągające bazę/bramkę(w przypadku FET) do masy. Skoro w portach procka są bufory totem-pole, to nie ma sensu sciągać bramek aż takim rezystorem. Ja bym dał 47k, tylko po to, żeby tranzystory się samorzutnie nie włączały...
AT tiny to mikrokontroler. Jest programowalny i może służyć do wielu rzeczy w zależności do zaprogramowania. Drugi układ to wyspecjalizowany układ do sterowania tranzystorów mos-fet. Służy jako wyspecjalizowany wzmacniacz prądu (ładowanie i rozładowanie bramki tranzystora mos fet przy aplikacjach w układach średniej częstotliwości ) i napięcia. Gdy...
Górne MOSFET-y podłączyłeś jakoś dziwnie - trzeba źródło do +zasilania (to ma być P-MOSFET), diodę Zenera między bramką, a źródłem. Być może dałoby się sterować górne MOSFET-y z dolnych, oszczędzając dwa transoptory. A transoptory nie muszą byś wysokonapięciowe, skoro napięcia na bramkach są niskie - tylko trzeba je inaczej podłączyć, między bramkę,...
W realnym układzie, przy parze BC807/817 powinieneś blisko dać kondensatory blokujące 100nF+10nF. Za rezystorem bramkowym powinna pojawić się dioda zenera 18V/0.5W. Jest jeszcze problem prądu przeładowania bramki tranzystora MOSFET, BC807/817 wytrzyma albo i nie, musisz sprawdzić: http://ww1.microchip.com/downloads/en/Ap... http://ww1.microchip.com/downloads/en/Ap...
.....dla czego stosuje sie jeszcze Q2 i Q4 w praktyce ? Do szybkiego przeładowania pojemności bramki.
Dodam jeszcze, że 30kOhm to raczej trochę za dużo, przez co bramka może się powoli rozładowywać, pozostawiając przez pewien czas tranzystor w częściowym otwarciu, do czego nie wolno dopuścić. Co do sterowania z mikrokontrolera, to sprawa jest dość prosta. Do wysterowania możesz zrobić podwajacz napięcia (dwa kondensatory, dwa tranzystory i dwie diody)...
Tak masz rację co do rezystancji na MOSFET - obstawiałem że działa ten układ impulsowo wtedy rezystancja miała by wpływ czasy przeładowania bramek. Ale tutaj ewidentnie jest sterowanie napięciowe bez impulsów.
Te wtórniki są dla zwiększenia wydajności prądowej i szybkiego przeładowania pojemności bramki MOSa, żeby straty podczas kluczowania nie były za duże. Równie dobrze możesz zastosować jakiś układ scalony, poszukaj pod nazwą "gate driver".
Wnioski mogą być błędne, sprawdzi tylko wyjścia HSG i LSG w stanie spoczynku, mimo że z testu diody będzie ok. nie będą w stanie przeładować bramki. A to jest jego najczęstsza usterka. Co do zatrzaśnięcia to w dokumentacji czytamy że szczątkowe napięcie już zatrzaśnie. Opisana jako szczególna właściwość układu. Czyli przy pomiarach trzeba mieć to na...
Bootstrap nie może być tutaj zrealizowany z fizycznego powodu - nie ma tutaj klucza na pływającym potencjale ;) Co do charge pump to jest problem w tym, że one dużo mocy nie dostarczają, a o dziwo przeładowanie bramki mosfet trochę tej mocy pochłania. Q * U * f = P_w Czyli dla STD10NM60 gdzie przy napięciu 5V ładunek na bramce to około 15nC a częstotliwość...
Oporniki pomiarowe w dreny- a nie w źródła. Z każdej bramki opornik 250Ohm do +. Jak nie włączysz procesora albo jak się zresetuje- wszystkie przewodzą. Przeładowanie pojemności bramki nie daje chyba wtedy szpilek. Ten 0.1Ohm da błąd ok. 6%- można go zbocznikować jakimś potencjometrem. Drugi- 0.6%- itd. Jak znajdziesz jakiś lepszy układ- podaj dla potomności....
A to mi sie nie podoba, że np tak prosty układ to można było zrobić bez żadnej zwory a tu są aż dwie, w bramkach mosfetów powinny być rezystory tu ich nie ma, nie wiem jaką ma wydajność prądową wyjść ten Attiny2313 bo pytanie czy będzie w stanie sam przeładować pojemność bramki mosfeta. I po co są dwa mosfety?
"Przykładowo, przy przepływie przez tranzystor MOSFET prądu o wartości 20 A, straty na nim wyniosą 120...400 W, podczas gdy na IGBT wytraci się jedynie 33 W." Link To weźmy IRFP7718 - 1,5mΩ więc wytraci się 0,6W przy 20A (nie licząc strat przełączania). O ile w MOSFETach straty przełączania zależą od szybkości przeładowania bramki (można bardzo...
Dokładnie jeszcze specjalizowane układy mają na wejściu fotoelement, czyli mamy galwaniczną izolację od napięcia, którym steruje MOSFET. Przydatne szczególnie przy sterowaniu z mikrokontrolera, który jest dość wrażliwy na wyższe napięcie na portach I/O. Druga zaleta to możliwość stosowania napięć ujemnych do szybszego wyłączania/przeładowania bramki.
Ale, żeby przeładować spore pojemności bramek i zachować odpowiednie stromości narastania impulsów sterujących to źródło impulsów musi mieć odpowiednią wydajność prądową. I to również należy brać pod uwagę, a nie tylko amplitudę impulsów sterujących.
jarek_lnx - ok rozumiem to ja zadaje jakim prądem chcę przeładować bramkę, ale nie mogę ograniczyć za bardzo tego prądu bo chcę żeby tranzystor pracował optymalnie, to się ustala rezystorem bramkowym dobrze kojarzę? Tak, ale czasem ogranicza się szybkość przełączania tranzystora rezystorem
Przeczytałem kilka not aplikacyjnych związanych z tym układem, ale nic nie jest wspomniane jaka wydajność prądowa jest wymagana od tego źródła napięcia. Karta katalogowa podaje 1mA+3mA pobór samego scalaka do tego należy dodać pobór prądu na przeładowanie bramek dla IRF6645 było by 20nC*2*800kHz=32mA. Nie wiem jakie dasz tranzystory.
Ok dzięki za odpowiedz, mam jeszcze pytaníe czy najlepiej przeładować ładunek bramki mosfeta rzędu 300-400 nC? czy może wtórnik tranzystorowy, czy dedykowany driver mosfetów? A z jaką szybkością chcesz to przeładowywać i jak często? Przykładowo przy 12V i 50kHz na samo sterowanie bramki będzie potrzeba prawie 3W mocy. A żeby przełączyć w 100ns potrzeba...
Proces i zjawiska związane z przeładowaniem i rozładowaniem bramki w MOSFET opisałem w tym artykule: https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3... Ogólnie NE555 bardzo słabo nadaje się do sterowania kluczami, właśnie z tego tytułu, że ma bardzo dużą rezystancję wewnętrzną. Dobre drivery potrafią "podać" na ładowną bramkę nawet kilka amperów.
Witam !!! Wszyscy chyba zapomnieli o problemie pojemności baterii. Jeżeli będziecie badać przerwania to procek musi być conajmniej uśpiony a to zawsze jakiś prąd. Trzeba go maksymalnie ograniczyć. Ja zawsze robie to na wydzielonym przycisku klawiatury (mogę wysłać schemat z opisem). Jeżeli jednak włączać ma dowolny klawisz matrycy to wydaje się że najlepiej...
Witam, cofne się jeszcze z pytaniem o tranzystor, tzn zdobyłem orginalnego 2N3055, dlaczego proponujecie zmianę na IRFZ44? to proste, ze zwykłej oszczędności, ponieważ sterowanie tranzystora polowego IRFZ44 jest napięciowe (pomijając prąd przeładowania bramki), natomiast bipolarnegeo 2N3055 prądowe. Teraz przykład obliczeniowy; dla sterowania bazy tranzystora...
A po co transformator? Nie możesz bez? Jaką moc powinny one mieć ? Możesz poradzić ? To rezystor ograniczający prąd przeładowania bramki, może być małej mocy. 1/8W czy 1/4W
No to R1 o małej wartości. Jak tranzystory wytrzymują 1A w impulsie- to dajmy im opornik w Twoim schemacie 20 OHm. Tranzystor wytrzymuje 1A- rozładowany kondensator bramki tranzystora jest zwarciem. Rezystor R2 powinien być o małej wartości- tyle ile wytrzyma prąd kolektora Q3. Bo wtedy impedancja wyjściowa Q3 będzie mniejsza. A C1 nie ma sensu. Małe...
Czy ktoś umie w krótkich prostych słowach wyjaśnić mechanikowi jaka jest różnica pomiędzy transoptorem z wyjściem analogowym a cyfrowym? Analogowy ma na wyjściu po prostu tranzystor - prąd wyjściowy proporcjonalny do wejściowego. Cyfrowy ma bramkę - możliwe stany 0-1 i potrzebuje zasilania. Mam kilka hcpl3120 i używam do wysterowania MOSFET. Zastanawiam...
Na czym polega problem z przeładowaniem bramki?
Można tak zrobić, ale to nie wystarczy. Poza tym pamiętaj że zwiększając ilość mosfetów zwiększasz prąd potrzebny na przeładowanie bramek.
Wynika to z prostoty i z tego żeby ładować akumulator prądem tętniącym, a nie wyprostowanym. W drugim przypadku wymaga tego układ z tyrystorem. Jednopołówkowe prostowanie prądu jest potrzebne do przeładowania bramki tyrystora. Przy prostowaniu dwupołówkowym tyrystor byłby stale w stanie przewodzenia.
To jest przykład antyporadnika. Rozumiem, napisałeś o pewnych uproszczeniach, ale ten poradnik wprowadza w błąd. Po pierwsze: Stwierdzenie, że mosfety sterowane są napięciem. Tak dzieje się w stanie statycznym. Przy szybkim przełączaniu, płynie prąd bramki. Dlaczego drivery do mosfetów czy IGBT są zdolne do wystawiania kilku A prądu? Właśnie do przeładowania...
Ważnym jest by driver zapewniał odpowiednią wydajność prądową by jak najszybciej przeładować bramkę. Bez przesady, super szybkie przełączenie tranzystora generuje wysokie szybkości narastania i większe zakłócenia. Choć większe znaczenie ma to w przypadku MOSFETów niż IGBT - te się wyłączają stosunkowo powoli. Szczerze mówiąc, dzisiaj mi się nie chce...
Tyrystor to nie mosfet - nie ma tu pojemności bramki, którą trzeba przeładować. Tym niemniej spróbował bym użyć TC4427 lub podobnego, zasilanie go z wyższego napięcia. Driver dostarczy łatwo wymagany prąd do bramki, a jego konstrukcja zoptymalizowana pod kątem szybkości powinna pomóc.
No tak, z tym się zgadzam że przeładowanie bramki z takiego rezystora chwilę potrwa. Ale jeśliby go trochę zmniejszyć ;-) z tym że na oscyloskopie oglądałem przebiegi i stromość nie jest taka zła.
Wg mnie mosfet wymaga przeładowania bramki więc trzeba wyciągać prąd np z mikrokontrolera (niby tylko impulsy ale jednak dobierać rezystor by nie ubić wyjścia mikrokontrolera). Aplikacja Bipolarnego tranzystora jest prostsza. Ale jak wyżej nie ma przeciwskazań by stosować mosfety.
Nie rozumiem, myślałem że trzeba za wszelką cenę skracać ten czas przeładowania bramki. W każdej dziedzinie tak jest, że początkujący uczy się zasad, a zaawansowany uzyskuje lepsze rezultaty łamiąc te zasady :) Pierwszy poziom wtajemniczenia: trzeba szybko przełączać, żeby tranzystory się nie grzały. Drugi poziom wtajemniczenia: zmniejszając szybkość...
Nie, dwa tranzystory zaraz za 555. Jeden PNP a drugi NPN. Dopiero to jest w stanie poprawnie przeładować bramkę mosfeta.
Ok, a mam jeszcze pytanie - jak wyliczyć jaki minimalny prąd będzie wymagany do przeładowań tej bramki dla stanu wysokiego i niskiego dla widocznego MOSFET'a ( https://www.elektroda.pl/rtvforum/viewto...
A może szpilki prądowe powstają dlatego, że włączanie MOSFET-a jest szybsze, niż wyłączanie, i przez krótki czas (przeładowanie bramki) przewodzą oba naraz?
Chodzi o Rg, nie jest wyjaśnione skąd wartość 10 ohm. Czy jest to wartość rezystora na bramce? Tak. Dodaje się takie rezystory w jednym celu - bramka kondensatora ma pewną pojemność, przewody, ścieżki, elementy, mają indukcyjność. Powoduje to że przy przeładowaniach bramki pojawiają się na niej duże oscylacje. Przykładowo ładując tranzystor docelowo...
Czy jeżeli obniżyliśmy częstotliwość i zwiększyliśmy moc to mogę dodać jeszcze jedną parę tranzystorów irf840? Jeżeli tak to jakie oporniki bramkowe do nich zastosować bo jest problem z przeładowaniem bramek...
Znalazłem akurat 7500B dwie sztuki z zasilaczy PC. Będzie mała przeróbka z smd na dip, sprawdzę jeszcze tranzystory przeładowania bramek mosfetów i zobaczymy co dalej.
http://mirley.firlej.org/files/user_img/... - nieźle nawet to działa. C1 może spokojnie być kilka... kilkadziesiąt razy większy. Najwyżej usłyszysz lekki pisk. R2 - nie wal nie wiadomo jak dużego, tu już trzeba szybko przeładować bramkę MOSFETa.
A nie myślałeś nad jakimś MOSFETem? ew. sterowanie mosfetem przez traznzystor NPN żeby łatwiej było przeładować bramkę, bo prąd z µC może być za słaby.
A na wyjściu jaki kondensator dać ? 470uf ? Na wyjściu nie wolno dawać kondensatora. Jakbym chciał skupować ten układ to zmienił bym tranzystor na logic-level zmniejszył rezystor bramkowy i sprawdził na oscyloskopie czy sam procesor da radę w sensownym czasie przeładować bramkę, a jakbym nie miał oscyloskopu to wstawiłbym driver MOSFETów.
Hm... pewnie C1 trzeba dobrać do napięcia sterującego Q2, i może być potrzebny większy - duże MOSFET-y do przeładowania bramki mogą potrzebować nawet ponad 100nC, a tam raczej 30V nie ma.
Ten ze zdjęcia to STP8NK80ZFP https://www.st.com/resource/en/datasheet... Nadawałby się bardzo dobrze jako zamiennik ISA04N65A gdyby nie fakt, że ma znacznie większe Qg oraz Ciss, co może mieć znaczenie w przetwornicy (układ sterujący może sobie nie radzić z szybkim przeładowaniem bramki) co może się skończyć jego szybkim zgonem. Można próbować...
Witam. Zastanawia mnie obwód wejściowy z laptopa, gdzie mosfet sterowany jest względem źródła, które teoretycznie wisi w powietrzu. Impedancja jakaś zawsze jest dodatkowo jest kondensator 1nF, który powinien pomóc w przeładowaniu bramki i otwarciu mosfeta, ale w symulacji nie za bardzo chce mi to działać. Prosiłbym o wytłumaczenie oraz jaki jest problem...
(...)ale kolorofon już bardziej w analogu. A z 74LS zobaczę jak będzie pracował. Wiesz,że LS nie bardzo potrafi wysterować mosfet. Problemem jest nie napięcie (przy małym prądzie małe znaczenie) ale czas przeładowania bramki. Przy PWM ma to znaczenie.
A jeśli pozwolisz, że spytam poza tematem, który parametr tranzystora przystosowanego do pracy liniowej podany w karcie katalogowej odpowiada za "Możliwość jego pracy przy częstotliwości 100kHz" i nagłej pracy liniowej ? MOSFETy da się bardzo szybko przełączać, ale im wyższa częstotliwość tym większych prądów bramki potrzeba, pewnym ograniczeniem jest...
Miałem to samo :) Urgom i LiutenetMaria dobrze radzi NE555 ma za mały prąd na wyjściu żeby przeładować bramki tranzystorów i ich pasożytniczą pojemność, natomiast im większy prąd przewodzi tranzystor tym większym ładunkiem należy przeładować jego bramkę. rozumiem że podłączasz to tak jak tutaj (według mnie dioda jest zbędna,HHO ma znikoma indukcyjność)...
Zalecany prąd maksymalny jest w tabelce "Recommended Operating Conditions" i jest to 200mA, 225mA znajdziesz w tabelce "Absolute Maximum Ratings" to absolutne maksimum którego nie należy przekraczać bo grozi to uszkodzeniem układu, producent nie gwarantuje poprawnej pracy przy parametrach powyżej zalecanych (200mA) i należy się spodziewać ograniczenia...
Warto wspomnieć że łuk elektryczny wytwarza sporo ultrafioletu, długotrwałe wpatrywanie się gołym okiem nie jest wskazane. A co do układu Mazzilliego, amatorzy go uruchamiają na na różnych przypadkowych elementach i zazwyczaj działa - stąd jego duża popularność. Kiedy układ sprawia problemy, to nam trudno cokolwiek doradzić, bo wykonawca zazwyczaj nie...
2-3 Mhz i sterowanie mosfetem?? Prądy przeładowania bramki będą ogromne, może nawet większe niż prąd wyjściowy :D Przy takich częstotliwościach potrzeba jakiegoś specjalnego sterownika o dużym prądzie w impulsie i dużej częstotliwości zarazem.
atom1477 To co proponujesz? Jak to uprościć? Wymagania takie, aby działało w zakresie 12-30V DC, prąd wyjściowy do około 1A z optoizolacją. Wszystkie poważniejsze rozwiązania miały w sobie jakiegoś mały tranzystor NPN aby "przeładować" bramkę MOSFETa, dlatego taka struktura.
Witam Przy niskich napięciach na drenie, wpływ pojemności dren-bramka ma małe znaczenie i przełączanie jest szybkie. Dla wysokich napięć, przeładowanie pojemności dren-bramka wymaga więcej nC niż przeładowanie pojemności źródło-bramka, przez co wydłuża się czas przełączania.
Masz nierówne czasy załączania i wyłączania tranzystorów. Proponowałbym jednak użyć scalonego drivera MOSFETów, ale wykonać konstrukcję zwaną "totem pole MOSFET driver". Przeładowanie bramki MOSFETa przez rezystor 1k trwa dość długo w porównaniu do okresu przebiegu sterującego. Dysponujesz oscyloskopem?
NiCd o pojemności minimum 5Ah, lub NiMH 10Ah... czyli chyba rozmiar R20. Problem chyba nie tyle z dodatkowym napięciem, co z prądem przeładowania bramki MOSFET-a (żeby szybko włączać/wyłączać) - chyba że coś rezonansowego.
To jest opór, jaki ma włączony mosfet. I nie widzę związku RDS(on) z opornikiem w bramce - ten ostatni spowalnia przeładowanie pojemności bramki, a przez to włączanie i wyłączanie mosfet-a.
Bo autor chce zbudować zasilacz o prądzie nie 3A, ale 30A :) Podobno w tym momencie zaczynają się schody z "przeładowaniem" go. W tym układzie przeładowanie bramki tego tranzystora nie jest problemem. Napisz bardziej szczegółowo co chcesz osiągnąć i jaki prąd chcesz pobierać. Bo mostek prostowniczy, transformator sieciowy, kondensatory filtrujące mówią...
Ja przed parką wyjściową irf540/9540 używam pary 20watowych wtórników emiterowych sa1843/sc4837, linowe spokojnie do 500mA, szybkie, beta rzędu 200, prąd przeładowania bramki rzędu nawet 100mA będzie ledwo zauważalny dla stopnia napięciowego. pozdrowienia
Przepraszam za odkopanie takiego starocia, ale analizuję schemat z ostatniego linku http://modelhobby.republika.pl/regulator... Przy tranzystorach górnych (P) po co są kondensatory C3, C4? Czy są one konieczne w takim układzie? Przecież to dodatkowa pojemność do przeładowania bramki.
Sprawdź samego MOSFETa, w tym celu odłącz chwilowo kolektor tranzystora i D2. Załączyć można do testu zwierając bramkę do masy. Okaże się jak zachowa się sam IRF z rezystorem. Przez rezystor do VBAT się nie przełącza. Bezpośrednio do VBAT tak. Za mały prąd i nie może przeładować bramki?
Nie można zagwarantować że nie spalisz mosfeta z pozornie zapasem mocy jeżeli go zbyt wolno będziesz przełączał. Także to miej na uwadze. Rozejrzyj się za driverami mosfet. Np. taki TC4426A potrafi przeładować bramkę 1nF w czasie 25ns wg karty katalogowej, ale może być to dla Ciebie nadal za mało.
W 3525 czas martwy reguluje się opornikiem w zakresie od zera do <dużo>. U mnie czas otwarcia to 9,1µs, czas martwy jest ustawiony na ok. 0,75µs - to jest ok. 8% czasu otwarcia. Czyli czas przeładowania bramki musi być krótszy niż 0,75µs... Według wstępnych obliczeń 3 mosy IRFZ44N mają razem całkowity ładunek bramek 190nC. Żeby...
Z tego co widzę IR2109 nie ma możliwości kontroli czasu martwego, jest ustawiony na stałe. praktycznie wystarczy mu podać jakiś prostokąt na IN. IR2110 jak zauważyłeś ma oddzielne wejścia dla LOW i HI. Wymaga sterownika, który zapewni czas martwy. Jako że ten driver nie należy do szybkich te 120mA powinno wystarczyć na przeładowanie bramki.
z wyjścia ne555 otrzymuję wartości od 5V do 13 V Nieprawda. czytaj datasheet NE555 który wyżej podałem. Właśnie o to mi się cały czas rozchodzi bo to właśnie w moim układzie dostaję takie napięcie na wyjściu (pin 3) od 5V do 13 V a chcę otrzymywać wartości od 0V do 13V Oczywiście że datasheet ne555 podaje coś innego. Oglądałeś oscyloskopem przebieg...
Ale chyba autorowi chodzi o to, żeby coś zaprojektować, a nie użyć gotowego drivera... zwłaszcza, że w lokalnym sklepie ich nie ma. NE555 może tam jest, i do sterowania MOSFET-a użytego w roli przełącznika jakoś by się nadał - powinien dać czasy przeładowania bramki rzędu 0.2us. Jakkolwiek dedykowany driver pewnie poniżej 0.1us.
Problem (mam nadzieję) rozwiązany. Przepis: wywołujemy bramkę grandstream HT286 poleceniem http://192.168.2.1 password: admin - hasło należy zmienić na cyfrowo - literowe i min 8 znaków. W ustawieniach zaawansowanych należy local SIP z domyślnego adresu 5060 zmienić na inny np 5044. Przeładować bramkę i gotowe. U mnie od ponad 2 miesięcy jest spokój....
(...) Jeśli dobrze rozumiem, to Ne555 może nie być w stanie przeładować bramek dostatecznie szybko i część impulsów ginie, powodując spadek napięcia? Wina kondensatorów raczej odpada - właśnie przed chwilą skończyłem sprawdzać i po przylutowaniu trzeciego kondensatora (razem 6600uF, czyli tyle ile na schemacie) napięcia są takie same...
Do włączania i wyłączania tranzystora mosfet Logic-Level z kontrolera bezpośrednio wystarcza dwa rezystory, szeregowy (u Ciebie brak) z bramką i do masy, który wyłączy mosfeta. Jeśli chcesz używać PWMa to niestety jakiś nawet najprostszy driver, jest zalecany,a nawet konieczny. Bo przy tranzystorach mocy i małym Rdson i jeszcze LL musisz przeładować...
Witam Uwzględnij częstotliwość PWM, tranzystory znacznej mocy mają duże pojemności bramek więc i te 20mA z portu zaczyna być niewystarczające do szybkiego przeładowania bramki MOSFETa. Jeśli żarówka będzie pobierać do 2A to nie problem, znajdziesz tranzystor z małą pojemnością bramki, im większy tym trudniej będzie to sterować bezpośrednio z portu....
A co to za bufor na BC548? - toż 555 ma większą wydajność prądową, zwłaszcza że ten bufor na pojedynczym tranzystorze. A sterowanie MOSFET-a przez 10k to już całkiem bez sensu - chciałeś pogorszyć? A w ogóle to IRF520 nie wymaga aż tak dużych prądów do przeładowania bramki, raczej jego ograniczeniem jest Idmax oraz Rdson - a nie podałeś ani prądu ani...
Możesz wykorzystać scalak z ATX. Świetny scalak ale potrzebuje on dzielnika napięcia feedback którym można ustalić napięcie. Co ze sterowaniem z mC? I jak w takim przypadku zrealizować nastawne ograniczenie prądowe. Te mosfety w ATX są chyba po stronie 230V więc moje pytanie dotyczy napięcia przeładowania bramki (czy jak to tam się nazywa)
Rozwiązanie zadania 2: http://obrazki.elektroda.net/55_12383309... Rozwiązanie zadania 1-go: sonda to typowo do 100pF pojemności do przeładowania. bramki z OC mają to do siebie, że do gleby zewrą b. szybko, ale jak napięcie będzie narastać - zależy od obwodu na wyjściu bramki. 100pF sondy będzie się ładować przez opór 47k, co daje stałą czasową...
Jeśli to ma być PWM to oba sposoby są złe. Ale ten drugi jest gorszy. Żaden nie zapewni odpowiedniego czasu przeładowania bramki. Pierwszy ładowania, drugi rozładowania. Drugi natomiast dodatkowo nie zapewni właściwego napięcia na bramce (wtórnik napięciowy) Jeśli to ma być uniwersalne to układ musi być bardziej rozbudowany lub scalony driver. W przypadku...
Wrzuca się jeszcze rezystor w szeregu do bramki MOSFET'a aby ograniczyć prąd w czasie przełączania (np. 10-20R), bramka ma swoją pojemność którą trzeba przeładować i na początku prądy mogą być znaczne.
(at)robiw Sam LTV817 będzie się włączał przez wieczność. Przy 15A i 500Hz usmażysz tranzystor, a przynajmniej mocno go rozgrzejesz. Potrzebujesz driver, który szybko przeładuje bramkę. Co najmniej dodatkowy tranzystor sterowany z tego transoptora będzie wymagany. A najlepiej dwa jako push-pull. Przy 15A nawet jeśli tranzystor będzie krótko w stanie...
Oporniki w obwodzie bramki są dość dużej mocy, w takim razie jakie mogą płynąć prądy w obwodzie bazy jednego MOSFETA? Pytam, bo jak ma to sterować 5 tranzystorów... możesz dać 0,5W, prądy przez bramki płyną z przeładowania pojemności bramki mosfeta. Pamiętaj o tych 2 diodach na 10A szybkich bo inaczej możesz spalić msfety no i o bezpieczniku z akumulatora.
Nie rozumiem, jeśli rdzeń jest za mały to nie da się go przewinąć? :| Po wymianie tranzystorów na BD135/136 powinieneś jeszcze zmniejszyć trochę rezystory ściągające ich bazy do masy i rezystory ograniczające prąd wyjść kości TL494. Chodzi tu o duże prądy przeładowania bramek, warto dmuchać na zimne, zwłaszcza jeśli nic cię to nie kosztuje. No, może...
http://en.wikipedia.org/wiki/Hot_carrier... 1. Niszczenie odbywa się przy zmianie potencjału bramki, czyli zarówno przy kasowaniu, jak i programowaniu. Ta trwałość to w najgorszych warunkach, zazwyczaj piszą, że minimum tyle. W praktyce (w temperaturze pokojowej) jest więcej. 2. Różnie, zależy czy w układzie istnieje możliwość wstrzyknięcia...
Taki tester niewiele Ci da, w systemie DIS energia iskry nie rozkłada się równo między 2 świece, bo zależy od ciśnienia w jakim znajduje się świeca, a tego "na sucho" nie zasymulujesz. Co z tego, że jakaś tam iskra będzie? Dołóż szeregowo z cewką jakiś rezystor 5W 0,1R. IRF3205 to N-MOSFET, a na schemacie masz BJT. Przy takich prądach przeładowanie...
Normalnie dla tranzystorów czy diod podaje się max. repetitive current. Szukam w DS AVR- no i nie widzę. Prądy są- ale tego nie ma. Danymi ma temat innych procesorów też bym nie pogardził- Pic czy ARM róznych producentów. A chodzi o możliwie proste wysterowanie mosfeta logic level albo innych o niskim napięciu bramki. No bo czym innym jest dopuszczalny...
Też się zastanawiam czy tak mały prąd wystarczy, ale na forum jest wzmacniacz 400W o podobnym sterowaniu i jeszcze mniejszym prądzie przeładowania bramek. Jednak konstruktorzy są z niego zadowoleni. Ten temat najbardziej mnie interesuje, jak tak małym prądem można sterować wiele mosfetów wyjściowych. Być może nie zmienia ten prąd napięcia na bramkach...
Chinole w Dedrze 200 jako tranzystory sterujące transformatorem bramkowym użyli dwóch par IRFZ24N+IRF9Z24N. Proponowane przez Ciebie BD139/140 to taczej nieporozumienie, nie będą w stanie dostarczyć odpowiedniego impulsu prądowego do przeładowania bramek o łącznej pojemności kilkadziesiąt nF. Z użyciem drivera IR2110 mam czasy narastania/opadania około...
Pojemność na wejściu bramki uda się przeładować dość szybko.
Nie, lepiej patrzeć na Qg, ponieważ znaczna część ładunku jaki trzeba wpakować w bramkę płynie do nieliniowej pojemności Cdg https://obrazki.elektroda.pl/7660046200_... Przykładowy wykres tranzystora MOSFET (IRFP250N international rectifier). Jeśli podałbym 12V na bramkę to wg wykresu powinienem oczekiwać ładunku ~85nC. Zakładam Uds<...
Zadałem jedno pytanie, jeśli ktoś ma coś do powiedzenia w temacie to zapraszam do dyskusji, innych zapraszam na FB do grupy o bajkopisarstwie. Pytałeś o driver dla P-MOSFET-a high-side który podniesie napięcie Ugs >5V (z bootstrapem czy z przetwornicą? czy może bez obu? ) Odpowiedź jest szybka i prosta - nie ma takiego. A teraz możemy podyskutować...
Może być problem z przeładowaniem ich bramek. Zresztą po co dawać trzy jak mozna jeden mocniejszy? Np P80N03, IRFP064....
Czyli według Ciebie przy zasilaniu TLP powinien oprócz ceramika być elektrolit powiedzmy 470uF, bo driver pobiera dość duży prąd dla przeładowania pojemności bramki mosfeta? Plus duży elektrolit na zasilaniu silnika? r
(at) C4r0 - myślę, że IGBT nie bardzo się sprawdzą w układzie z tym driwerem. Ja ogólnie nie lubię tego typu driverów ze względu na tą prostą przetworniczkę do zasilania górnego tranzystora. By wszystko działało prawidłowo układ musi cały czas się przełączać by zapewnić zasilanie. Pozatym IGBT mają zazwyczaj duże pojemności bramek i są wolniejsze dlatego...
witaj Szukając usterki pokusiłem się wylutowałem i sprawdzałem, tak że mogę stwierdzić na pewno dwie elektrody na zakresie do badanie diod mają wynik 000mV. Wiem że polowe tranzystory mogą tak mieć ale w momencie przeładowanie bramki powinny zareagować zmianą a tak się nie dzieje co prawda TV stoi już u klienta z tymi dziwnymi tranzystorami. Ale ciekawość...
Przecież stopień wysoki tego układu działa na zasadzie pompy ładunkowej... jak zatem uzyskać tam 6A ciągłego prądu w miejsce przeładowania obwodu bramki? Po prostu nie bardzo mi to daje się zliczyć...
Trochę z tym walczę w wolnym czasie, niestety dochodzę do wniosku, że nie uda się osiągnąć stabilności w inny sposób niż dotychczas - podłączenie dużej pojemności 100nF równolegle z bramką. Wynika to być może z połączenia MOSFETa długimi przewodami. W tym układzie czarów nie do się osiągnąć , gdyż "wo" nie wyrabia prądowo nie jest w stanie przeładować...
Nie jest aż tak źle, większość falowników w wózkach tak wygląda. MosFETy łączone równolegle przy prawidłowo rozwiązanych driverach są bezproblemowe. Toć przecież pracują on/off. Zwykle padają ze zbyt wolnego przeładowania bramki. Wyzwaniem były na przykład stare ('80) sterowniki serwosilników z np. 20 równolegle połączonymi tranzystorami bipolarnymi....
przeładowanie pojemności bramki przeładowanie akumulatora przeładowanie akumulatorka
wekta centrala odzyskanie certyfikatów triak przekaźnik
moduł komfort termet wyłączniki dotykowe
Głosowe sterowanie urządzeniami Bluetooth: jak to zrobić? Podłączenie elektryczne sterownika Elektromet EL-02