Aby ograniczyć prąd przeładowania bramki (pojemność bramki), ograniczyć stromość zboczy, które mogą być źródłem zakłóceń EMI.
.....dla czego stosuje sie jeszcze Q2 i Q4 w praktyce ? Do szybkiego przeładowania pojemności bramki.
Te wtórniki są dla zwiększenia wydajności prądowej i szybkiego przeładowania pojemności bramki MOSa, żeby straty podczas kluczowania nie były za duże. Równie dobrze możesz zastosować jakiś układ scalony, poszukaj pod nazwą "gate driver".
A to mi sie nie podoba, że np tak prosty układ to można było zrobić bez żadnej zwory a tu są aż dwie, w bramkach mosfetów powinny być rezystory tu ich nie ma, nie wiem jaką ma wydajność prądową wyjść ten Attiny2313 bo pytanie czy będzie w stanie sam przeładować pojemność bramki mosfeta. I po co są dwa mosfety?
Oporniki pomiarowe w dreny- a nie w źródła. Z każdej bramki opornik 250Ohm do +. Jak nie włączysz procesora albo jak się zresetuje- wszystkie przewodzą. Przeładowanie pojemności bramki nie daje chyba wtedy szpilek. Ten 0.1Ohm da błąd ok. 6%- można go zbocznikować jakimś potencjometrem. Drugi- 0.6%- itd. Jak znajdziesz jakiś lepszy układ- podaj dla potomności....
No to R1 o małej wartości. Jak tranzystory wytrzymują 1A w impulsie- to dajmy im opornik w Twoim schemacie 20 OHm. Tranzystor wytrzymuje 1A- rozładowany kondensator bramki tranzystora jest zwarciem. Rezystor R2 powinien być o małej wartości- tyle ile wytrzyma prąd kolektora Q3. Bo wtedy impedancja wyjściowa Q3 będzie mniejsza. A C1 nie ma sensu. Małe...
Czy ktoś umie w krótkich prostych słowach wyjaśnić mechanikowi jaka jest różnica pomiędzy transoptorem z wyjściem analogowym a cyfrowym? Analogowy ma na wyjściu po prostu tranzystor - prąd wyjściowy proporcjonalny do wejściowego. Cyfrowy ma bramkę - możliwe stany 0-1 i potrzebuje zasilania. Mam kilka hcpl3120 i używam do wysterowania MOSFET. Zastanawiam...
Ale, żeby przeładować spore pojemności bramek i zachować odpowiednie stromości narastania impulsów sterujących to źródło impulsów musi mieć odpowiednią wydajność prądową. I to również należy brać pod uwagę, a nie tylko amplitudę impulsów sterujących.
Lipa!... Zastosowanie mosfetów w miejsce BJT w tym układzie nie jest takie proste. Pierwsze i podstawowe wątpliwości budzą rezystory ściągające bazę/bramkę(w przypadku FET) do masy. Skoro w portach procka są bufory totem-pole, to nie ma sensu sciągać bramek aż takim rezystorem. Ja bym dał 47k, tylko po to, żeby tranzystory się samorzutnie nie włączały...
Zalecany prąd maksymalny jest w tabelce "Recommended Operating Conditions" i jest to 200mA, 225mA znajdziesz w tabelce "Absolute Maximum Ratings" to absolutne maksimum którego nie należy przekraczać bo grozi to uszkodzeniem układu, producent nie gwarantuje poprawnej pracy przy parametrach powyżej zalecanych (200mA) i należy się spodziewać ograniczenia...
Do włączania i wyłączania tranzystora mosfet Logic-Level z kontrolera bezpośrednio wystarcza dwa rezystory, szeregowy (u Ciebie brak) z bramką i do masy, który wyłączy mosfeta. Jeśli chcesz używać PWMa to niestety jakiś nawet najprostszy driver, jest zalecany,a nawet konieczny. Bo przy tranzystorach mocy i małym Rdson i jeszcze LL musisz przeładować...
(at) C4r0 - myślę, że IGBT nie bardzo się sprawdzą w układzie z tym driwerem. Ja ogólnie nie lubię tego typu driverów ze względu na tą prostą przetworniczkę do zasilania górnego tranzystora. By wszystko działało prawidłowo układ musi cały czas się przełączać by zapewnić zasilanie. Pozatym IGBT mają zazwyczaj duże pojemności bramek i są wolniejsze dlatego...
Witam Przy niskich napięciach na drenie, wpływ pojemności dren-bramka ma małe znaczenie i przełączanie jest szybkie. Dla wysokich napięć, przeładowanie pojemności dren-bramka wymaga więcej nC niż przeładowanie pojemności źródło-bramka, przez co wydłuża się czas przełączania.
To jest opór, jaki ma włączony mosfet. I nie widzę związku RDS(on) z opornikiem w bramce - ten ostatni spowalnia przeładowanie pojemności bramki, a przez to włączanie i wyłączanie mosfet-a.
Czyli według Ciebie przy zasilaniu TLP powinien oprócz ceramika być elektrolit powiedzmy 470uF, bo driver pobiera dość duży prąd dla przeładowania pojemności bramki mosfeta? Plus duży elektrolit na zasilaniu silnika? r
Bardzo ważny jest driver, aby nadążał przeładować pojemności bramek w czasie <100ns. Przy równoległym łączeniu mosfetów niezbędna jest także separacja bramek za pomocą rezystorów o wartości kilka - kilkanaście ohm. Czy to będzie jakaś spawarka??
Jest pewien tranzystor MOSFET, którego pojemność bramki wejściowej wynosi np. 50pF. Steruję go przełącznikiem z szeregowo wpiętym rezystorem 10MΩ. Ile czasu będzie trwało przeładowanie pojemności bramki? Czy będzie to l=RC=10M*50p=0,5ms, czy może 3l do 5l, czyli od 1,5ms do 2,5ms?
Te IR2125 wyglądają na sterowniki do MOSFET-ów - one mają dbać szybkie przeładowanie pojemności bramki (pewnie sam TL494 robiłby to wolniej i MOSFET-y bardziej by się grzały) i pewnie o ograniczenie ich prądu.
Prąd potrzebny do przeładowania pojemności bramek w czasie gwarantującym, że MOSFETy nie spłoną, jest rzędu 1 A. Ale ze względu na bardzo krótki czas przełączania potrzebna moc zasilacza jest znikoma.
Oporniki w obwodzie bramki są dość dużej mocy, w takim razie jakie mogą płynąć prądy w obwodzie bazy jednego MOSFETA? Pytam, bo jak ma to sterować 5 tranzystorów... możesz dać 0,5W, prądy przez bramki płyną z przeładowania pojemności bramki mosfeta. Pamiętaj o tych 2 diodach na 10A szybkich bo inaczej możesz spalić msfety no i o bezpieczniku z akumulatora.
Dzień dobry. Karty katalogowe nie zakładają super chłodzenia. Po prostu: Jeżeli koledze straty wyszły 9,3W to trzeba będzie tą moc rozproszyć. Także proszę zajrzeć na 2. stronę karty katalogowej do tabelki "Thermal resistance" i sobie to przeliczyć. Ale straty przy pełnym otwarciu to "małe piwo". Trzeba jeszcze jak najszybciej przeładować te 28nF pojemności...
To jest przykład antyporadnika. Rozumiem, napisałeś o pewnych uproszczeniach, ale ten poradnik wprowadza w błąd. Po pierwsze: Stwierdzenie, że mosfety sterowane są napięciem. Tak dzieje się w stanie statycznym. Przy szybkim przełączaniu, płynie prąd bramki. Dlaczego drivery do mosfetów czy IGBT są zdolne do wystawiania kilku A prądu? Właśnie do przeładowania...
Jaką ty masz częstotliwość PWM że stosujesz dodatkowe tranzystory do przeładowania pojemności bramki? Ja na twoim miejscu zastosowałbym mosfeta typu Logic Level, który można otwierać bezpośrednio z uC (lub bezpieczniej przez transoptor).
Witam! Czy ktoś z szacownych grypowiczów podpowie mi jak wyliczyć impulsowy prąd bramki jaki może popłynąć przy załączaniu tranzystora IGBT? Mam na myśli tu prąd potrzebny do przeładowania pojemności bramki. A dokładnie chodzi o dobór odpowiedniego drivera do sterowaniem bramką IGBT.
Próbowałeś fizycznie odłączyć niewysterowane wiersze? Może wygaszone diody są podświetlane przez inne świecące. W dziadowskich wyświetlaczach jest to dość widoczne. Nawet nie pytam o poprawność skonfigurowania portów wyjściowych procesora w celu szybkiego przeładowania pojemności bramki mosfeta, ani o odpowiednim samym mosfecie, umożliwiającym pracę...
Tranzystory IGBT nie mają bazy tylko bramkę - duży prąd sterowania jest jak najbardziej pożądany do szybkiego przeładowania pojemności bramki. Ten CNR1 gdzie jest zamontowany? Na wejściu zasilania? Elementy ulegają spaleniu po podłączeniu płyty pod zasilanie czy podczas próby włączenia grzania?
Tranzystory (np. MOSFET-ty) mogą przełączać w ułamku mikrosekundy (jakkolwiek im szybciej, tym większy prąd jest potrzebny do przeładowania pojemności bramki - np. do 1us 50mA, do 0,1us 500mA). Jest tylko kwestia: przy układach cyfrowych zwykle są jakieś kondensatory masa-zasilanie, one mogą podtrzymać zasilanie np. przez parę mikrosekund - szybkie...
Rezystor 10kΩ ma za zadanie rozładować napięcie na bramce, jakie może się tam pojawić z jakiś przyczyn; np na wyjściach COOL/HEAT jest dioda. Ten typ tranzystora nie pobiera prądu ale musi przeładować pojemność bramki dlatego bezpiecznie (nie wiadomo jak są zrobione wyjścia COOL/HEAT) jest wstawić dodatkowy rezystor 100Ω Dodano po 2 mosfet...
Tyrystor to nie mosfet - nie ma tu pojemności bramki, którą trzeba przeładować. Tym niemniej spróbował bym użyć TC4427 lub podobnego, zasilanie go z wyższego napięcia. Driver dostarczy łatwo wymagany prąd do bramki, a jego konstrukcja zoptymalizowana pod kątem szybkości powinna pomóc.
Te 6A nie oznacza że układ będzie pracował ciągle z taką wydajnością prądową. Jest to obciążalność w impulsie jaką może dać wyjście aby przeładować pojemność bramki mosfeta. Średni prąd pracy drivera musi być taki by nie przekroczyć maksymalnej mocy jaką może rozproszyć obudowa układu.
:arrow: ozor Niestety skutki będą takie: - zwiększenie strat histerezy w rdzeniu - większa XL = mniejszy prąd = mniej mocy na wyjściu No, ale faktycznie tranzystor będzie się mniej grzał, no i jeszcze trzeba odpowiednio szybko przeładować pojemność bramka-źródło, sam 555 do tego nie starczy.
Dlatego że przy dużych ale nawet tych mniejszych częstotliwościach mosfety maja problem z przeładowaniem pojemności bramka - źródło duża zwłoka jest już przy ok 50 Hz steruje się je zazwyczaj z pary komplementarnej tranzystoraów bipolarnych polecam również spróbować tranzystory IGBT coś w rodzaju połączenia MOS i bipolarnych
A z jakiego trafa zasilasz te mosfety? I jakie napięcie dokładnie chcesz uzyskać? stałe czy zmienne? Regulowane w jakim zakresie? I po co 3 mosfety po 100A skoro chcesz tylko 50A? Na pewno będzie potrzebny driver do 3 mosfetów, chociażby do przeładowania pojemności bramki.
Witam, a czemu nie driver? Układ sterujący IGBT musi przeładować pojemność bramki w czasie 100..300ns, więc wymagana jest odpowiednia wydajność prądowa w impulsie (1..2A), wzmacniacz operacyjny nie nadaje się do tego celu. Osobiście proponuję transoptory TLP250, stworzone specjalnie do takich zastosowań.
Witam. 1. Można połączyć tranzystory MOSFET równolegle ale trzeba odizolować ich bramki opornikiem o oporności kilkunastu ohm, zastosować wydajny układ sterujący by nadążył przeładować pojemności bramek typu "totem polem"( taki jak w poście wyżej). 2. Układ zabezpieczający działa jak w wersji z tyrystorami ( sprawdzone praktycznie). 3. Bocznik służy...
Regulator PWM bez uC jest też dosyć prosty. https://obrazki.elektroda.pl/2617577600_... Jeśli ma być z mikrokontrolerem to potrzeba drivera który zapewni szybkie przeładowanie pojemności bramki, driver stanowi też pewnego rodzaju zabezpieczenie przy uszkodzeniu MOSFETa, napięcie z obwodu wyjściowego musiało by przejść wstecz przez driver...
Schemat 1 - ma niewłaściwe poziomy napięć na bramce, policz jakie jest Ugs dla załączonego i "wyłączonego". Schemat 2 - przez rezystor 10kΩ nie przeładujesz pojemności bramki w sensownym czasie. Poszukaj gotowych, scalonych, driverów do mosfet'ów, będziesz musiał zapewnić właściwy czas martwy, bez spalisz tranzystory, a jak będzie za duży to będą...
hej, z tego co widze zwiekszyles czestotliwosc i powstal problem z przeładowaniem pojemności bramki w momencie zmiany stanu-z przewodzenia do zatkania ,sproboj zmniejszyc R bramki , lub tranzystor, nie chodzi tu oszybszy czy mocniejszy tylko mniejsza poj. bramki, inny typ, oryginalny? , lub tzw. pompa ładunkowa było gdzies to opisywane-specjalny układ...
Nie no, pewnie działa, tylko przy takich rezystancjach - 10K ładujących bramki mosfetów przewiduję kłopoty z przeładowaniem pojemności w bramce, albo niską częstotliwość PWM. Przy 2-3 kHz i 2-5nF w bramce mosfeta/mosfetów czyję "wzrost temperatury...." :-)
1. 100 mA to nadal za mało na szybkie przeładowanie pojemności bramek. 2. Zamiast rezystora w kolektorze T1 zastosuj aktywne obciążenie z tranzystorem NPN i diodą kluczujacą. 3. Zamiast T1 zastosuj kaskodę i wywal rezystor od strony emitera. Przykład realizacji szybkiego stopnia sterującego pMOSFETami (poprawiłem - skutki malowania schematów na szybko):
Wydaje mi się, że mam jakiegoś starego może bipolarnego 4017. Faktycznie, widzę że posiadasz zabytek techniki z nieistniejącego kraju, czyli produkt zakładów im K.Marksa z NRD, wyprodukowany ledwo kilka miesięcy po katastrofie w Czarnobylu. Ale to normalny CMOS, odpowiednik zachodnich o tym numerze. Bipolarnej serii 4000 nigdy nie było. Pin 3 układu...
:arrow: CarMikolaj Skoro jesteś taki mądry i podważasz porady innych, to po co pytasz o cokolwiek? Nie wysterujesz poprawnie mosfeta dużej mocy z TTL i koniec. Tu nie chodzi tylko o napięcie, ale także i o prąd. Pewnie zaraz napiszesz, że mosfety sterowane są napięciem - tak, owszem, ale mają coś takiego jak pojemność bramki, którą trzeba przeładować....
Przy 100% nie, ale przy 90% na pewno tak (jak ma być więcej, to trzeba staranniej zaprojektować). Pewnie wyjdzie więcej, niż 14V, bo do przewodzenia ze spadkiem napięcia kilku V nie trzeba aż 10V na bramce. Może warto wziąć pod uwagę, że od układu zależy czas przełączania - potrzebne jest przeładowanie pojemności bramki, ładunek może przekraczać 100nC,...
Takie że mosfet na bramce ma swoją pewną pojemność, która trzeba przeładować aby tranzystor zaczął przewodzić, im szybciej zostanie ta pojemność przeładowana tym krótszy będzie stan przejściowy i jednocześnie mniejsze straty mocy. Zadaniem drivera jest właśnie dostarczenie odpowiednio dużego ładunku właśnie do przeładowania pojemności bramki. Zobacz...
Sęk w tym, że u mnie nie jest wymagana super stabilizacja. Po prostu mam IR2153, wspomniany rdzeń, sporo drutów nawojowych oraz tereszpan 0.45. Chciałem zmierzyć się z tematem, a moc przetwornicy szacuję na kilkadziesiąt watów. Czemu tak? Potrzebuję zapasu energii na każdą sekcję, bowiem przy kluczowaniu bramek dużych IGBT jest duże dI/dt i te kilkanaście...
Ograniczenia wynikają z energii jaka wydziela się w strukturze półprzewodników - nie da się rozproszyć dowolnie dużej mocy. A to, czy to MOSFET, IGBT albo nawet tyrystory w roli elementów wykonawczych mają te same problemy z ciepłem. Można oczywiście łączyć MOSFETy czy IGBT równolegle ale to komplikuje nieco sterowanie - trzeba sporej wydajności żeby...
Wrzuca się jeszcze rezystor w szeregu do bramki MOSFET'a aby ograniczyć prąd w czasie przełączania (np. 10-20R), bramka ma swoją pojemność którą trzeba przeładować i na początku prądy mogą być znaczne.
Rozumiem swój błąd, wziąłem pod uwagę tylko uzwojenie pierwotne; Prosiłbym o pomoc jak poradzić z obliczeniami dla uzwojenia wtórnego. Na uzwojeniu wtórnym będę miał podłączone 2 tranzystory NMOS (IRL630); chcę na ten krótki okres czasu je załączyć (transformator impulsowy o ile dobrze rozumiem). Wg moich obliczeń dla tych tranzystorów potrzebuję 15mA,...
Witaj Trochę tych błędów tutaj narobiłeś, ale zacznijmy od początku. 1). Wyjście VCC ma w zależności od podłączonego napięcia wydajność prądową: dla 21V -> 6mA - 1mA(prąd diody Zenera) = 5mA dla 12V -> 10mA - 1mA = 9mA Taki prąd wystarczy do zasilenia bramek logicznych, ale możesz mieć problemy z wysterowaniem tranzystorów, gdyż przełączając większe...
Ratunku! może ktoś się orientuje, jaka powinna być szybkość narastania zbocza przy sterowaniu potężnych mosfetów. próbuję uruchamiać po kawałku spawarkę z forum (inwertor 7kW/200A) i do momentu podłączenia bramek Mosów sygnał na wyjściu BD286 jest prostokątny, po podłączeniu ok 10V/us (wyrażnie "pochyły"). Czy to normałne(wiem o przeładowaniu pojemności...
Witam dzięki za zainteresowanie :) czemu piszesz, że z 1kHz mogą być problemy? czyżbyś miał na myśli transoptory? z tego co sie doczytałem to mają częstotliwość odcięcia 80kHz więc myśle , że z 1kHz dadzą sobie rade. Problemem może być ich dopuszczalny prąd kolektora 30mA...troche mało na szybkie przeładowanie pojemności bramki IRFP460 (bo takie będą...
Doczytaj o MOSFET-ach. Te tranzystory nie pobierają prądu bramki jak tranzystory bipolarne - w sposób ciągły, lecz jedynie impuls prądu związany z ładowaniem pojemności wejściowej bramki w momencie włączania. Później, dla podtrzymania stanu potrzebują tylko określonego napięcia na bramce, pobierany prąd to µA, albo nA. Ten impuls jest dla Ciebie...
Witam Pyzaczek chciałeś przyłożyć na bazę napięcie sterujące 5V? Miłego dymienia życzę, a wcześniej poczytaj jak działają tranzystory NPN. _jta_ tranzystory MOSFET oprócz zalet mają też wady o których trzeba pamiętać. Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET mają zwykle wysoką rezystancję zamkniętego tranzystora i przy tych pądach może się okazać, że moc...
Witam! Wstaw tam tranzystor bipolarny, lub bufor z bramek CMOS - niestety przy wysokich częstotliwościach przełączania MOSFET-y wymagają stosunkowo dużych prądów do przeładowania wewnętrznej pojemności bramki. Pozdrawiam! Marcin "Max" G.
Witam !! Tranzystory mosfet steruje się napięciem. Przeważnie używa się ich do pracy impulsowej lub jako klucze, napięcie na bramkę - tranzystor przewodzi, brak napięcia - nie przewodzi. Przy niskiej częstotliwości przełączania prąd bramki jest pomijalny, przy wyższych należy zwrócić uwagę aby układ sterujący szybko przeładował pojemność bramki, która...
Zapewne do zasilania 741 (µA741) i 4093 (CD4093). Układ bramek nie pozwala na "strzał" dopóki oba kondensatory nie są naładowane - ale mam wrażenie, że oddzielne układy ładowania obu kondensatorów to przesada, można je ładować razem i wtedy układ będzie prostszy. Co do samego "strzału" mam wątpliwości: CD4093 ma małe prądy wyjściowe, a trzeba przeładować...
Witam! Faktycznie jest tam błąd, ale robiłem ten układ z pamięci i nawet się nad tym nie zastanawiałem ;) Rdzenie od trafek TV nagrzewają się gdyż przy tak wysokim napięciu zasilającym wchodzą w stan nasycenia. W pewnym stopniu można to poprawić zwiększając częstotliwość pracy przetwornicy, ale potrzebny będzie mocniejszy driver do przeładowania pojemności...
Co do częstotliwości: w nowoczesnych przetwornicach stosuje się nawet 500kHz (a może i więcej), ale dla uniknięcia strat podczas przełączania tranzystora musi być ono jak najszybsze - co wymaga przeładowania pojemności bramki (ładunek z kilkadziesiąt nC) w krótkim czasie, a więc dużym prądem - przy dużej częstotliwości 1A to może być mało. I robienie...
1 i 4. A może dwa tranzystory zamiast tyrystora? Wtedy można uzyskać taką charakterystykę, jaka będzie potrzebna. Właściwie te dwa tranzystory już są na ostatnim schemacie: T2 i T4 - wystarczy opornik zamiast do tyrystora podłączyć do kolektora T4, a opornik R10 do bazy T4 - wtedy T2 i T4 zastąpią tyrystor i będą miały "prąd podtrzymania" około 2mA....
Może niech autor naszkicuje schemat blokowy bo na prawdę gdybać można długo. Zgadzam się co do meritum z przedmówcami, że najlepsze będą struktury MOS w ogólnym zarysie albowiem w ich przypadku do wysterowania wystarcza obecność samego potencjału bramki stąd też pobór prądu jest znikomy. Chwilowo można pominąć energię potrzebną do przeładowania pojemności...
Witam Schemat w załączniku (na NE555). Jeśli chcesz robić na uC to na wyjściu musisz dać bufor np. tranzystorowy. Wydajność prądowa mikrokontrolera będzie zbyt mała, żeby uzyskać wystarczającą stromość zboczy a tym samym zminimalizować straty w tranzystorze wykonawczym. W przypadku NE555 nie ma takie potrzeby ponieważ wydajność prądowa tego układu wynosi...
....weź się człowieku nie kompromituj. Zamiast pisać takie bzdury że Rds nie jest oporem... Już dawno temu stwierdzono że tam gdzie kończą się argumenty zaczyna się agresja. Jeżeli masz problem z myśleniem i wyciąganiem logicznych wniosków z tego co czytasz to już nie mój problem. Zanim zaczniesz skakać komukolwiek do oczu to weź w rękę kalkulator...
Dr_DEAD zapomina, że nie tyle chodzi tu o częstotliwość, co czas przełączenia tranzystora - jeśli ma on pracować jako klucz z dużym prądem drenu to RDSon powinno szybko maleć - inaczej na tranzystorze wydzieli się sporo mocy, co go może uszkodzić. Czyli w możliwie krótkim czasie należy przeładować pojemność bramki, co daje nam duży prąd. Gandziorz -...
Podana zależność wynika zapewne ze wzoru I=Q/t. Mosfet który podałeś wygląda na stosunkowo łatwy do sterowania, przy tej pojemności wejściowej nie powinno być problemu (im większa pojemność i/lub częstotliwość przełączania, tym uC ma "ciężej" przeładować bramkę).
A co powiesz na taki schemacik, nie jestem pewien czy poprawny, do 'trikowania' wtórnego? Ano, że jak na bramki tych trzech tranzystorów doprowadzisz napięcie +10V, to robisz zwarcie uzwojenia... Nie bardzo wiem, jak rozumieć P-MOSFET-a narysowanego jak N-MOSFET - gdzie ma źródło, w którą stronę naprawdę przewodzi wbudowana dioda, bo dla P-MOSFET-a...
Lampka zasilana 1MHz?? Próbuj 2SC5706, 2SC5707 bardzo szybkie jak na te prądy, bardzo małe napięcie nasycenia, łatwe sterowanie z racji bardzo dużej bety. http://www.datasheetcatalog.org/datashee... http://www.datasheetcatalog.org/datashee... Dostępne w sklepach, niezbyt drogie ok. 3 zł. f t niewiele mówi (albo...
Witam Nie zakładam że najpierw nagrzeję tranzystor do 100° a potem będę liczył straty, na dodatek pytający mówił że max 60A a więc nie zakładam że będzie cały czas sterował na max, wtedy nie musiałby robić sterowania impulsowego. Z diodą to też nie tak jak piszesz, przez nią nie płynie cały czas prąd a prąd który płynie będzie zanikał, po scałkowaniu...
Nóżki chyba najłatwiej zidentyfikować omomierzem - jak na bramce nie ma co najmniej kilku wolt względem źródła, to przewodzi tylko od źródła do drenu (dioda zabezpieczająca); dren jest środkowy (dla BUZ11A, pewnie dla BUZ11 też), przez bramkę, dopóki tranzystor nie jest uszkodzony, nie powinien popłynąć prąd, który byś zmierzył omomierzem (chyba, że...
Wejścia izolowane są OK (przy założeniu, że kolektory są podłączone do zasilania - brak kropek na schemacie) Po prostu typowo są podłączane inaczej. Dla niektórych nietypowo oznacza źle ;-( Wyjścia stałoprądowe. Jako stałoprądowe mogą od biedy być, choć w momencie włączania/ wyłączania przeładowanie pojemności bramki tranzystora może powodować duży...
Zastanawia mnie też kwestia jak uzyskać sygnał sinusoidalny są jakieś przykładowe schematy do tego? Wysterować mostem sygnałem PWM o częstotliwości ponadakustycznej, modulowanym przebiegiem sinusoidalnym, oczywiście wymagało by to szybszego przeładowania pojemności bramek, do układu trzeba by dodać wtórniki komplementarne. Mi osobiście nie chciało...
Możesz zamienić na te mocniejsze tranzystory i nie spodziewaj sie żadnych zauważalnych zmian- to tylko klucze w przetwornicy. Pozorna niższa wartość Rdson będzie wytracona na zwiększonych spadkach napięć na doprowadzeniach, ścieżkach- wcześniej na ten sam prąd pracowało 10 ścieżek , teraz będzie 5...straty będą takie same bez zmiany konstrukcji ( pogrubienie...
Ale jak obciąże przetworke rezystorem 16 ohm to napięcie ze 100 spada do 38V, a IRF-y cholernie się grzeją Co to znaczy "cholernie się grzeją" czy masz je na radiatorze w praktyce w większości przypadków tranzystory się mniej grzeją od diod prostowniczych (wszysto zależy od pradu wyjściowego). Jeżeli się grzeją to oznacza że są słabo "wysterowywane"...
... Nie można sterować mosfeta z atmegi (próbowałem tak zrobić w prototypie). Tranzystor nie otwiera się do końca ze względu na zbyt niskie napięcie bramki (5V) a to owocuje znacznym grzaniem. Można. Należało zastosować inny tranzystor. Dobrze nadaja się mosfety z płyt głównych PC. Konieczne są jednak wtórniki do zwiekszenia pradu przeładowania pojemności...
np czy ten schemat ma jakiś sens? Niewiele brakuje żeby miał. Domyślam sie, że pierwszy stopień miał być wzmacniaczem błędu, a drugi komparatorem, Niestety na LM393 raczej nie zrobisz stabilnego wzmacniacza (nie ma wewnętrzej kompensacji częstotliwościowej) w tym miejscu powinien być wzmacniacz, ale zewnętrzna kompensacja częstotliwościowa (dla całej...
Dokładny wzór na histerezę w tym układzie: ΔUi=ΔUo/(R3/R1+R3/R2+1), gdzie ΔUo to zmiana napięcia na wyjściu wzmacniacza; albo inaczej ΔUi=ΔUo*(R1||R2||R3)/R3, co można tłumaczyć tak: przez R3 płynie prąd ΔUo/R3 do połączenia R1,R2,R3, i tam się rozgałęzia na te oporniki, "czując" je jako połączone równolegle (część wraca...
1. IRFZ48 wymień na FGP13N10 http://www.tme.eu/pl/details/fqp13n10/tr... Ma niby dużo większą rezystancję w stanie przewodzenia lecz jest dużo szybszy (mniejsza pojemność bramki do przeładowania i mniejsze czasy turn-on i turn-off) 2. Sprawdźnaprzykład NCL30002. Tam jest wykorzystany sposób przeze mnie...
Bootstrap dla anody: opornik anodowy 33k dzielimy np. na 30k (do anody) i 3k (do zasilania), i od ich połączenia kondensator do wyjścia wzmacniacza; w ten sposób opornik anodowy nie obciąża przedwzmacniacza. Robienie bootstrapu na wszystko, co się da - opornik anodowy i polaryzacja bramki - powoduje, że oddziaływanie zmian napięcia anoda-katoda na prąd...
właśnie dowinołem zwoi 2zw/5zw oryginał ma 2zw/3zw na wejściowym jutro zobaczę co będzie Sprawdziłbym amplitudę sygnału - jeśli jest znacznie większa niż 8 - 10V (Vpp) na bramce IRF520, to zdecydowanie zmniejszyłbym ilość zwojów na wtórnym, zapewni to też odpowiednio mniejszą impedancję, konieczną jeśli masz IRF w końcówce. Mosfety jak wiadomo potrzebują...
Taki wysokonapięciowy kondensator elektrolityczny może zapewne pracować z impulsami prądowymi poniżej jednego ampera. Kondensatory, które miałyby "poprawić" jego własności impulsowe musiałyby i tak przejąć cały prąd, więc elektrolit będzie zbędny. Co gorsza jego indukcyjność mogłaby z MKP stworzyć równoległy obwód rezonansowy pogarszając własności...
Witam. Poszukuję zamiennika dla tranzystora IRFP360 o mniejszej pojemności bramki. Wiem, że jest nim np. FDA24N40 , jednak jest on niedostępny na naszym rynku. Tranzystory pracują impulsowo i ze względu na zbyt dużą pojemność bramki, sterownik nie jest w stanie ich przeładować.
A jakby zrezygnować z tego radiatora i wentylatora i przykręcić tranzystory prosto do oblachowania samochodu to miałbyś sam w sobie ogromny radiator. Można by tak zrobić, ale trzeba w 100% zaufać podkładkom izolacyjnym, albo zastosować jakieś tranzystory izolowane, pomyślę nad tym, sterownik jest jeszcze w fazie rozwoju... Dzięki RADIATOR NIEJEST POTRZEBNY...
Idmax wystarczy aby był większy 2x od prądu obciążenia. Przede wszystkim ważny jest R dson - rezystancja kanału przy V gs =4,5V. Na tej rezystancji powstanie spadek napięcia U ds =R dson I d co zmniejszy napięcie na obciążeniu i zrobi z tego ciepło podgrzewające tranzystor P=U ds I d co spowoduje wzrost R dson , U ds , P... Ważny jest Q g i C iss -...
Mimo zasilania z 12V, tranzystor na 75V jest korzystnym rozwiązaniem, ze względu na występujące często szpilki przepięciowe. Raczej bym sugerował użycie: IRFB7730PBF 75V 2,5mR. Przy prądzie 30A to ok. 1W mocy strat więcej niż dla 1,2mr. Tranzystor o mniejszej rezystancji kanału to konieczność przeładowania większej pojemności bramki. Dlatego dla pewności...
Witaj! Nie podpowiem Ci nic co będzie związane z mikrokontrolerem (nie znam tej rodziny) ale.. wydaje mi się że źle podłączyłeś bramki mosfetów. Nie potrzebne są rezystory pomiędzy bramkami a kolektorami tranzystorów bipolarnych. Powinieneś je "przełączyć" - brakuje rezystorów podciągających pomiędzy bramką a źródłem powodującym przeładowanie pojemności...
Na wejściu tableta jest 4.4V a na ogniwie 5.1V (diody jednak są zwykłe) Chyba tak to zostawię. Jeszcze może sprawdzę czy diody Schottky'ego poprawią czy pogorszą sprawność. Pomysł z kondensatorem niezły chyba wystarczyłby komparator z histerezą i mały mosfet. Dzięki za pomoc. Dodano po 5 . . . Polutowałem ładowarkę. Jak będzie słonecznie to przetestuję....
Bardziej mi chodzi o to czym wysterowac taki mosfet... To zależy w jakim układzie, a przedewszystkim z jaką częstotliwością miał by pracować, ten tranzystor ma Qg≈250nC czyli prądem 1A da sie przeładować w 250ns pojemność bramki, z czego ok 100ns będzie trwało samo przełączanie.
Ta rezystancja zależy od napięcia zasilania - im wyższe napięcie zasilania, tym mniejsza rezystancja wyjściowa. Trzeba sprawdzić w nocie katalogowej - może podają, czy jest dopuszczalne zwarcie wyjść do masy/zasilania i przez jaki czas (to kwestia, ile ciepła się wydzieli). Ale jeśli wyjście jest podłączone do bramki i ma tylko przeładować jej pojemność,...
No i trzeba pamiętać, że MOSFET zupełnie zrujnuje separację poziomów logicznych. Lepiej zastosować op-amp, z histerezą mniej więcej taką jak histereza sygnału cyfrowego. No i bez problemu poradzi on sobie z sygnałem o amplitudzie 1V. Trudno też uznać, że MOSFET nie obciąży wejścia - nie obciąży w stanie stacjonarnym, ale przy przełączeniu mamy do przeładowania...
Po pierwsze, używanie zasilacza od PC-ta w charakterze zasilacza laboratoryjnego to taki sobie sobie pomysł. Taki zasilacz wymaga obciążenia zawsze pewnym minimalnym prądem do stabilnej pracy - twój układ tego warunku nie spełnia (za mały pobór prądu na +5V, a na +12V prąd kluczowany - to nie będzie działać. Możesz ew. spóbować podłączyć dodatkowe żarówki...
Witam W orzypadku tzw..konstrukcji "audiofilskich", gdzie preferowane sa pary, np 2sj 201/2 sk 1531, zarówno "kobieta" jak i"mężczyzna" sa drodzy...i to drastycznie do parametrów... Jest to klasyczny wybieg marketingowy dla frajerów, co nie do końca wiedza o co chodzi, ale gotowi sa uwierzyć, i co najwaznejsze , zapłacić kosmiczne pieniądze za te "wynalazki"......
No widzisz - _jta_ to dobrze wytłumaczył. Niestety nie jestem w stanie Ci udostępnić materiałów o zasilaniu impulsowych, bo są w postaci analogowej - książka "Sztuka Elektroniki" - moim zdaniem biblia dla elektroników - jest tu tyle wiedzy, że aż miło :D Układ, który przedstawił _jta_, przy takim prądzie zrobił bym na MOSFECIE(ach). Najważniejsze, aby...
Witam. Kolego Łukaszu, działa to mniej więcej tak: napięcie na bramce wzrasta do ok. 10V czyli do napięcia Uge_th (napięcia przy którym tranzystor zaczyna się otwierać). Następuje otwieranie tranzystora, czyli wzrasta prąd płynący przez niego a napięcie Uce zaczyna maleć (czyli pojawia się duże dU/dt, dla którego pojemności pasożytnicze mają małą reaktancję)....
FET-y (i MOSFET-y) mają duże pojemność bramki, i potrzebują dużych prądów, żeby ją przeładować. Zwłaszcza jak steruje dużym napięciem, to prądy pojemności bramka-dren są duże - musi być kaskoda. Napięcie tranzystora ma zwykle spory zapas - on to katalogowa ma wytrzymać np. jak jest nagrzany.
Generalna uwaga: powinieneś zastosować drut grzejny o jak największej oporności (z zastrzeżeniem), gdyż: 1. I=U/(Rd+Rp+Rt+Rz) -Rd - oporność drutu grzejnego -Rp - oporność przewodów połączeniowych -Rt - Rdson tranzystora -Rz - oporność zestyków (połączeń) - ma znaczenie tylko dla dużych prądów Moc grzejna drutu P=I²Rd=U²Rd/(Rd+Rp+Rt+Rz)²...
do wzmacniacza klasy D będziesz potrzebował jakiegoś specjalizowanego drivera do MOSFETów. mimo, ze sterowane są napięciowo to do przeładowania ich sporej pojemności bramki z odpowiednio dużą częstotliwością potrzebne są duże prądy sterujące. można co prawda zrobić coś takiego z elementów dyskretnych, ale prościej wybrać jakieś gotowe scalaki, tym bardziej,...
Proces i zjawiska związane z przeładowaniem i rozładowaniem bramki w MOSFET opisałem w tym artykule: https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3... Ogólnie NE555 bardzo słabo nadaje się do sterowania kluczami, właśnie z tego tytułu, że ma bardzo dużą rezystancję wewnętrzną. Dobre drivery potrafią "podać" na ładowną bramkę nawet kilka amperów.
ktoś już wcześniej zwrócił na to uwagę jak sterujesz te mosfety, czy bezpośrednio z wyjść TL494 czy masz jakiś stopień sterujący. TL494 nie nadaje się do bezpośredniego sterowania bramek mosfetów. W takiej przetwornicy lepiej zastosować SG3525 do którego tranzystory można łączyć bezpośrednio. druga rzecz to zwróć uwagę na materiał z jakiego zrobiony...
Chodzi o Rg, nie jest wyjaśnione skąd wartość 10 ohm. Czy jest to wartość rezystora na bramce? Tak. Dodaje się takie rezystory w jednym celu - bramka kondensatora ma pewną pojemność, przewody, ścieżki, elementy, mają indukcyjność. Powoduje to że przy przeładowaniach bramki pojawiają się na niej duże oscylacje. Przykładowo ładując tranzystor docelowo...
Przepraszam za odkopanie takiego starocia, ale analizuję schemat z ostatniego linku http://modelhobby.republika.pl/regulator... Przy tranzystorach górnych (P) po co są kondensatory C3, C4? Czy są one konieczne w takim układzie? Przecież to dodatkowa pojemność do przeładowania bramki.
Ważna przy tej częstotliwości jest pojemność złącza. Zbyt duża dyskwalifikuje tranzystor w tym zastosowaniu Bez drivera na bramce nie zdąży się przeładować i w pewnym okresie czasu obydwa tranzystory pozostają załączone co powoduje zwarcie
przeładowanie bramki przeładowanie akumulatora przeładowanie akumulatorka
pompa wspomagać renault laguna prąd bramki tyrystora blaupunkt pobór prądu
pioneer instrukcja obsługi polski pioneer instrukcja obsługi polski
Zamiennik lasera SOH-DH2: SOH-DH2A i inne opcje Aktualizacja BIOS w Sony VAIO PCG-7V1M: krok po kroku