Przy stosowaniu układu takiego jak na schemacie następuje szybsze przeładowanie pojemności bramki tranzystora co jest równoznaczne z szybszym włączeniem i wyłączeniem tranzystora. Przy okazji tranzystor mniej się nagrzewa przy włączaniu i wyłączaniu. A pojemność bramki tranzystora jest dosyć duża. W zależności od typu tranzystora może wynosić nawet...
Oporniki pomiarowe w dreny- a nie w źródła. Z każdej bramki opornik 250Ohm do +. Jak nie włączysz procesora albo jak się zresetuje- wszystkie przewodzą. Przeładowanie pojemności bramki nie daje chyba wtedy szpilek. Ten 0.1Ohm da błąd ok. 6%- można go zbocznikować jakimś potencjometrem. Drugi- 0.6%- itd. Jak znajdziesz jakiś lepszy układ- podaj dla potomności....
No to R1 o małej wartości. Jak tranzystory wytrzymują 1A w impulsie- to dajmy im opornik w Twoim schemacie 20 OHm. Tranzystor wytrzymuje 1A- rozładowany kondensator bramki tranzystora jest zwarciem. Rezystor R2 powinien być o małej wartości- tyle ile wytrzyma prąd kolektora Q3. Bo wtedy impedancja wyjściowa Q3 będzie mniejsza. A C1 nie ma sensu. Małe...
(1) I_g=Q_n / dt = 75 nC / 100 ns = 0.75 A (z noty IRF 840, wzór polecany na forum, rzekomo zawyżający prąd) (2) I_g = C_iss * dU_gs / dt + C_rss * dU_ds / dt = 0.23 A + 0.32 A = 0.55 A (wzór zaniżający prąd z Sztuki Elektroniki :D) Rząd wielkości sie zgadza. Lepszym sposobem jest posłuzenie sie charakterystyką "Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Drain-to-Source...
Przemyślałem jeszcze raz ten układ i z tymi stałymi czasowymi nie jest tak łatwo jak napisałem, bo w układ ładowania/rozładowania kondensatora C1 wchodzi jeszcze R2. W sytuacji rozwartych styków S1 ładowanie/rozładowywanie C1 następuje przez R3 z wyjścia bramki A, natomiast po zwarciu styków S1 ładowanie i jednoczesne (!) rozładowywanie C1 następuje...
To jest przykład antyporadnika. Rozumiem, napisałeś o pewnych uproszczeniach, ale ten poradnik wprowadza w błąd. Po pierwsze: Stwierdzenie, że mosfety sterowane są napięciem. Tak dzieje się w stanie statycznym. Przy szybkim przełączaniu, płynie prąd bramki. Dlaczego drivery do mosfetów czy IGBT są zdolne do wystawiania kilku A prądu? Właśnie do przeładowania...
Przy sterowaniu tranzystorami MOSFET bezpośrednio z wyjścia mikrokontrolera, należy pamiętać o kilku rzeczach: 1. napięciu progowym tranzystora UGSth, 2. pojemności wejściowej tranzystora, 3. poziomie napięć, o ile jest to tranzystor z kanałem typu P. Zalecane schematy połączeń dla tranzystora z kanałem typu N i typu P wyglądają w ten sposób: https://obrazki.elektroda.pl/3420320700_...
A co powiesz na taki schemacik, nie jestem pewien czy poprawny, do 'trikowania' wtórnego? Ano, że jak na bramki tych trzech tranzystorów doprowadzisz napięcie +10V, to robisz zwarcie uzwojenia... Nie bardzo wiem, jak rozumieć P-MOSFET-a narysowanego jak N-MOSFET - gdzie ma źródło, w którą stronę naprawdę przewodzi wbudowana dioda, bo dla P-MOSFET-a...
Pojawienie się tranzystorów MOSFET wykonanych z węglika krzemu (SiC) w różnych topologiach zaowocowało znaczną poprawą wydajności i sprawności urządzeń energetycznych. Jednak, jeśli nie są one aplikowane w układzie prawidłowo, inżynierowie mogą szybko poczuć się sfrustrowani awariami urządzeń. Awarie te nie są z reguły wewnętrznymi słabościami technologii...
Jest pewien tranzystor MOSFET, którego pojemność bramki wejściowej wynosi np. 50pF. Steruję go przełącznikiem z szeregowo wpiętym rezystorem 10MΩ. Ile czasu będzie trwało przeładowanie pojemności bramki? Czy będzie to l=RC=10M*50p=0,5ms, czy może 3l do 5l, czyli od 1,5ms do 2,5ms?
Te IR2125 wyglądają na sterowniki do MOSFET-ów - one mają dbać szybkie przeładowanie pojemności bramki (pewnie sam TL494 robiłby to wolniej i MOSFET-y bardziej by się grzały) i pewnie o ograniczenie ich prądu.
Przy 100% nie, ale przy 90% na pewno tak (jak ma być więcej, to trzeba staranniej zaprojektować). Pewnie wyjdzie więcej, niż 14V, bo do przewodzenia ze spadkiem napięcia kilku V nie trzeba aż 10V na bramce. Może warto wziąć pod uwagę, że od układu zależy czas przełączania - potrzebne jest przeładowanie pojemności bramki, ładunek może przekraczać 100nC,...
Aby ograniczyć prąd przeładowania bramki (pojemność bramki), ograniczyć stromość zboczy, które mogą być źródłem zakłóceń EMI.
Doczytaj o MOSFET-ach. Te tranzystory nie pobierają prądu bramki jak tranzystory bipolarne - w sposób ciągły, lecz jedynie impuls prądu związany z ładowaniem pojemności wejściowej bramki w momencie włączania. Później, dla podtrzymania stanu potrzebują tylko określonego napięcia na bramce, pobierany prąd to µA, albo nA. Ten impuls jest dla Ciebie...
Witam Pyzaczek chciałeś przyłożyć na bazę napięcie sterujące 5V? Miłego dymienia życzę, a wcześniej poczytaj jak działają tranzystory NPN. _jta_ tranzystory MOSFET oprócz zalet mają też wady o których trzeba pamiętać. Wysokonapięciowe tranzystory MOSFET mają zwykle wysoką rezystancję zamkniętego tranzystora i przy tych pądach może się okazać, że moc...
Sęk w tym, że u mnie nie jest wymagana super stabilizacja. Po prostu mam IR2153, wspomniany rdzeń, sporo drutów nawojowych oraz tereszpan 0.45. Chciałem zmierzyć się z tematem, a moc przetwornicy szacuję na kilkadziesiąt watów. Czemu tak? Potrzebuję zapasu energii na każdą sekcję, bowiem przy kluczowaniu bramek dużych IGBT jest duże dI/dt i te kilkanaście...
Na wejściu tableta jest 4.4V a na ogniwie 5.1V (diody jednak są zwykłe) Chyba tak to zostawię. Jeszcze może sprawdzę czy diody Schottky'ego poprawią czy pogorszą sprawność. Pomysł z kondensatorem niezły chyba wystarczyłby komparator z histerezą i mały mosfet. Dzięki za pomoc. Dodano po 5 . . . Polutowałem ładowarkę. Jak będzie słonecznie to przetestuję....
Witam dzięki za zainteresowanie :) czemu piszesz, że z 1kHz mogą być problemy? czyżbyś miał na myśli transoptory? z tego co sie doczytałem to mają częstotliwość odcięcia 80kHz więc myśle , że z 1kHz dadzą sobie rade. Problemem może być ich dopuszczalny prąd kolektora 30mA...troche mało na szybkie przeładowanie pojemności bramki IRFP460 (bo takie będą...
Wejścia izolowane są OK (przy założeniu, że kolektory są podłączone do zasilania - brak kropek na schemacie) Po prostu typowo są podłączane inaczej. Dla niektórych nietypowo oznacza źle ;-( Wyjścia stałoprądowe. Jako stałoprądowe mogą od biedy być, choć w momencie włączania/ wyłączania przeładowanie pojemności bramki tranzystora może powodować duży...
Te wtórniki są dla zwiększenia wydajności prądowej i szybkiego przeładowania pojemności bramki MOSa, żeby straty podczas kluczowania nie były za duże. Równie dobrze możesz zastosować jakiś układ scalony, poszukaj pod nazwą "gate driver".
Bootstrap dla anody: opornik anodowy 33k dzielimy np. na 30k (do anody) i 3k (do zasilania), i od ich połączenia kondensator do wyjścia wzmacniacza; w ten sposób opornik anodowy nie obciąża przedwzmacniacza. Robienie bootstrapu na wszystko, co się da - opornik anodowy i polaryzacja bramki - powoduje, że oddziaływanie zmian napięcia anoda-katoda na prąd...
Szpilki prądowe przy pracy luzem to efekt przeładowania pojemności złączowych tranzystorów. Podczas pracy z obciążeniem jest lepiej, bo indukcyjność rozproszenia transformatora przyspiesza przeładowanie tych pojemności pasożytniczych tranzystorów. No tak, i z tego co rozumiem to chodzi o pojemność wyjściową tranzystora. Z tego wynika że tutaj już wiele...
Witaj! Nie podpowiem Ci nic co będzie związane z mikrokontrolerem (nie znam tej rodziny) ale.. wydaje mi się że źle podłączyłeś bramki mosfetów. Nie potrzebne są rezystory pomiędzy bramkami a kolektorami tranzystorów bipolarnych. Powinieneś je "przełączyć" - brakuje rezystorów podciągających pomiędzy bramką a źródłem powodującym przeładowanie pojemności...
Po pierwsze, używanie zasilacza od PC-ta w charakterze zasilacza laboratoryjnego to taki sobie sobie pomysł. Taki zasilacz wymaga obciążenia zawsze pewnym minimalnym prądem do stabilnej pracy - twój układ tego warunku nie spełnia (za mały pobór prądu na +5V, a na +12V prąd kluczowany - to nie będzie działać. Możesz ew. spóbować podłączyć dodatkowe żarówki...
Być może dla Ciebie, ale nie wpisałeś żadnych wartości, a temat przeglądają różne osoby, to oczywistość też czasem warto zaakcentować. Ponieważ temat pozostawiłem otwarty autorowi tej sugestii. To nie jest mój pomysł, a schemat był pobocznym wątkiem wyjaśniającym. W moim temacie (post #1) takie wartości są podane. Masz np. rozładowane pojemności pasożytnicze,...
Godząc się z jednym elementem półprzewodnikowym można to zrobić całkiem zgrabnie i bez drugiej pary styków :P http://obrazki.elektroda.net/6_127939255... Po dołączeniu zasilania prąd płynie przez R1, "obwód alarmowy" (tutaj S1) i styk normalnie zwarty przekaźnika. W takiej sytuacji praktycznie całe napięcie odkłada się na rezystorze - bramka...
A to mi sie nie podoba, że np tak prosty układ to można było zrobić bez żadnej zwory a tu są aż dwie, w bramkach mosfetów powinny być rezystory tu ich nie ma, nie wiem jaką ma wydajność prądową wyjść ten Attiny2313 bo pytanie czy będzie w stanie sam przeładować pojemność bramki mosfeta. I po co są dwa mosfety?
Z całym szacunkiem dla moich przedmówców w sprawie diody, widzę, że Panowie nigdy nie analizowali pracy przetwornicy za pomocą porządnego cyfrowego 2-4 kanałowego oscyloskopu z przekładnikami prądowymi. Proponuję sprawdzić dokładnie przebiegi prądów na bazie, bramce tranzystora oraz w obwodzie kolektora czy drenu a dopiero później pisać "bzdura", czy...
Da rade. Mosfet praktycznie nie potrzebuje pradu bramki by sie wlaczyc, sterowany jest napieciowo. Mosfet praktycznie nie potrzebuje prądu bramki żeby POZOSTAĆ WŁĄCZONYM, natomiast żeby włączyć mosfeta niezbędne jest przeładowanie jego pojemności bramka-źródło, z czym jak powszechnie wiadomo związany jest przepływ prądu. Tak więc podczas kluczowania...
Już wiadomo że się da, wymieniając same rezystory. Które rezystory? Jeżeli R1 i R2, to bym dał obydwa po 1kΩ. Wówczas stała czasu RC dla obwodu bramki MOSFETa (wyłączania) by była ok. 3,8µsek - a więc prawie o rząd lepiej, niż dopuszczalna dla 30kHz. Bramka MOSFETa nie pobiera prądu, następuje tylko przeładowanie pojemności - średnia wartość...
zrób tak u2 do masy a u1 stan wysoki . czy wszystko jest ok ? tzn czy silnik kręci się i tr się nie palą ? teraz dopiero zacznij kluczować u1 . jeśli mosfety się za bardzo nagrzewają lub co gorsza palą to wina leży w zbyt wolnym przełączaniu (nie chodzi tu o częstotliwość tylko o przeładowanie pojemności - w skrócie napiszę pojemności GS + efekt Millera...
Może się mylę, ale.... (pomińmy błąd oznaczenia polaryzacji głównych kondensatorów) Wydaje mi się, że pozostawienie sterowania bramek MOSFETów bezpośrednio ze stopnia różnicowego nie jest ciekawym rozwiązaniem. Dlaczego? Otóż aby zapewnić prawidłowe działanie wszystkich stopni wzmacniacza, musimy we wszystkich założeniach przyjąć, że żaden ze stopni...
( Podaj jeszcze informację jak to ustawiałeś i z czego zasilasz i w jaki sposób wszystko. ) Po pierwsze jeżeli wymieniłeś tylko uszkodzone tranzystory na sprawne ale innego typu to popełniłeś kardynalny błąd. Po drugie jakiego topnika i spoiwa używałeś? Tu z racji połączenia równoległego i konieczności równomiernego rozłożenia znacznych prądów chwilowych...
Problem widzę gdzie indziej, jaką masz maksymalną częstotliwość mostka H ? A co za tym idzie czasy zamykania i otwierania tranzystorów? Z kitami AVT tak jest, nigdy nie podaja parametrów "wydajnościowych", dzięki czemu amatorzy mogą sie cieszyć tak bardzo pożądaną przez nich prostotą układu, nie mając pojęcia jakim kosztem ta prostota została osiągnięta,...
to przecież oczywiste, równolegle dołączona dioda do złącza emiterowego wyręcza skutecznie górny tranzystor N-P-N w przewodzeniu i sterowaniu bramki tranzystora MOS. Czegoś tu nie rozumiem - po to się daje 2 tranzystory aby zwiększyć wydajność prądową na przeładowanie pojemności MOSFET-ów - a ty chcesz diodą wyręczać jeden z tranzystorów? To po co...
Czy ktoś umie w krótkich prostych słowach wyjaśnić mechanikowi jaka jest różnica pomiędzy transoptorem z wyjściem analogowym a cyfrowym? Analogowy ma na wyjściu po prostu tranzystor - prąd wyjściowy proporcjonalny do wejściowego. Cyfrowy ma bramkę - możliwe stany 0-1 i potrzebuje zasilania. Mam kilka hcpl3120 i używam do wysterowania MOSFET. Zastanawiam...
A mógłby ktoś rozwinąć temat sterowania tranzystorami ? :) Rozwinąć? W przypadku silników unipolarnych i bipolarnych połączonych w układzie unipolarnym na kolejne fazy silnika podajesz napięcie przesunięte w fazie (impuls prostokątny) zdejmując je jednocześnie z faz poprzednich. W przypadku przekazywania impulsu z fazy na fazę mamy pracę pełnokrokową,...
jeśli całość zasilasz zasilaczem 12V/1,6A to sprawdź czy jego napięcie nie przysiada za bardzo- wtedy SG3525 może nie dawać odpowiednio wysokiego napięcia na bramki tranzystorów. 1wtedy podziel podzczas prób układ na dwie częśći SG3525 zasilaj jakimś małym zasilaczem 12-15V niekoniecznie stabilizowanym ,a tam gdzie jest plus przy trafie niech będzie...
Wyjaśnię Tobie, jako żem też chłop ze wsi tak: Lampa z postu #2 działa. Jak najbardziej. Przy czym marnuje kupę energii, grzeje strasznie tranzystor i jak się nią dłużej bawisz - co jakiś czas pali klucz. Jako zabawka "dorywcza" ujdzie. Ale jak chcesz trwałości i sprawności to nie licz na nie. Do tego dochodzi kwestia "sztuki" - powielanie schematu...
Ale, żeby przeładować spore pojemności bramek i zachować odpowiednie stromości narastania impulsów sterujących to źródło impulsów musi mieć odpowiednią wydajność prądową. I to również należy brać pod uwagę, a nie tylko amplitudę impulsów sterujących.
Lipa!... Zastosowanie mosfetów w miejsce BJT w tym układzie nie jest takie proste. Pierwsze i podstawowe wątpliwości budzą rezystory ściągające bazę/bramkę(w przypadku FET) do masy. Skoro w portach procka są bufory totem-pole, to nie ma sensu sciągać bramek aż takim rezystorem. Ja bym dał 47k, tylko po to, żeby tranzystory się samorzutnie nie włączały...
Zalecany prąd maksymalny jest w tabelce "Recommended Operating Conditions" i jest to 200mA, 225mA znajdziesz w tabelce "Absolute Maximum Ratings" to absolutne maksimum którego nie należy przekraczać bo grozi to uszkodzeniem układu, producent nie gwarantuje poprawnej pracy przy parametrach powyżej zalecanych (200mA) i należy się spodziewać ograniczenia...
Do włączania i wyłączania tranzystora mosfet Logic-Level z kontrolera bezpośrednio wystarcza dwa rezystory, szeregowy (u Ciebie brak) z bramką i do masy, który wyłączy mosfeta. Jeśli chcesz używać PWMa to niestety jakiś nawet najprostszy driver, jest zalecany,a nawet konieczny. Bo przy tranzystorach mocy i małym Rdson i jeszcze LL musisz przeładować...
Tyrystor to nie mosfet - nie ma tu pojemności bramki, którą trzeba przeładować. Tym niemniej spróbował bym użyć TC4427 lub podobnego, zasilanie go z wyższego napięcia. Driver dostarczy łatwo wymagany prąd do bramki, a jego konstrukcja zoptymalizowana pod kątem szybkości powinna pomóc.
Jedna z możliwości: https://obrazki.elektroda.pl/3598410600_... Tranzystor grzeje się w momencie przełączania, więc powinno się to robić szybko. Szybkie przełączenie mosfeta wymaga dużego prądu przeładowania pojemności bramki aby uniknąć grzania tranzystora. Ale jeżeli przełącza się go rzadko czyli z małą częstotliwością, można przyjąć...
Witam Przy niskich napięciach na drenie, wpływ pojemności dren-bramka ma małe znaczenie i przełączanie jest szybkie. Dla wysokich napięć, przeładowanie pojemności dren-bramka wymaga więcej nC niż przeładowanie pojemności źródło-bramka, przez co wydłuża się czas przełączania.
Dzień dobry. Karty katalogowe nie zakładają super chłodzenia. Po prostu: Jeżeli koledze straty wyszły 9,3W to trzeba będzie tą moc rozproszyć. Także proszę zajrzeć na 2. stronę karty katalogowej do tabelki "Thermal resistance" i sobie to przeliczyć. Ale straty przy pełnym otwarciu to "małe piwo". Trzeba jeszcze jak najszybciej przeładować te 28nF pojemności...
(at) C4r0 - myślę, że IGBT nie bardzo się sprawdzą w układzie z tym driwerem. Ja ogólnie nie lubię tego typu driverów ze względu na tą prostą przetworniczkę do zasilania górnego tranzystora. By wszystko działało prawidłowo układ musi cały czas się przełączać by zapewnić zasilanie. Pozatym IGBT mają zazwyczaj duże pojemności bramek i są wolniejsze dlatego...
To jest opór, jaki ma włączony mosfet. I nie widzę związku RDS(on) z opornikiem w bramce - ten ostatni spowalnia przeładowanie pojemności bramki, a przez to włączanie i wyłączanie mosfet-a.
Czyli według Ciebie przy zasilaniu TLP powinien oprócz ceramika być elektrolit powiedzmy 470uF, bo driver pobiera dość duży prąd dla przeładowania pojemności bramki mosfeta? Plus duży elektrolit na zasilaniu silnika? r
przeładowanie bramki przeładowanie akumulatora przeładowanie akumulatorka
drukarka epson pasek night breaker osram zwora laserze
mikrokomputer cobra1 zmywarka electrolux esl46010
Renault Master III 2.3 dCi – gaśnie podczas jazdy, ciśnienie wtrysku OK, brak dymienia Samsung 12YFHD320SL4LV0.2 Board for 32" LTJ320HN07-L Panel in UE32EH5300W, UE32EH5040W TVs
