Wrzuca się jeszcze rezystor w szeregu do bramki MOSFET'a aby ograniczyć prąd w czasie przełączania (np. 10-20R), bramka ma swoją pojemność którą trzeba przeładować i na początku prądy mogą być znaczne.
Rozwiązanie zadania 2: http://obrazki.elektroda.net/55_12383309... Rozwiązanie zadania 1-go: sonda to typowo do 100pF pojemności do przeładowania. bramki z OC mają to do siebie, że do gleby zewrą b. szybko, ale jak napięcie będzie narastać - zależy od obwodu na wyjściu bramki. 100pF sondy będzie się ładować przez opór 47k, co daje stałą czasową...
Aby ograniczyć prąd przeładowania bramki (pojemność bramki), ograniczyć stromość zboczy, które mogą być źródłem zakłóceń EMI.
.....dla czego stosuje sie jeszcze Q2 i Q4 w praktyce ? Do szybkiego przeładowania pojemności bramki.
Na pewno lepszy od tego LL. Ze względu właśnie na DAC jest WO, wymagają Rwy minimum 1.5M Ohm aby zachować dobrą dokładność. To oznacza, że na wyjściu powinno być obciążenie 1,5M przy impedancji wyjściowej 15k. Zastanów się jakie obciążenie będzie stanowić bramka tego MOSFETa dla DACa. Ale w sumie niech ten opamp zostanie, tam i tak trzeba przeładować...
Te wtórniki są dla zwiększenia wydajności prądowej i szybkiego przeładowania pojemności bramki MOSa, żeby straty podczas kluczowania nie były za duże. Równie dobrze możesz zastosować jakiś układ scalony, poszukaj pod nazwą "gate driver".
Piezowtryskiwacze? Owszem - obok elektomagnetycznych. Są nieco od nich szybsze, ale bardziej kłopotliwe - Zgadza się, od siebie mogę dodać że są kłopotliwe nie tylko ze względu na zużycie ale również na powtarzalność w procesie produkcji. O ile elektromagnetyczne mają zbliżone parametry i można je zamieniać miejscami o tyle piezo różnią się znacznie...
A to mi sie nie podoba, że np tak prosty układ to można było zrobić bez żadnej zwory a tu są aż dwie, w bramkach mosfetów powinny być rezystory tu ich nie ma, nie wiem jaką ma wydajność prądową wyjść ten Attiny2313 bo pytanie czy będzie w stanie sam przeładować pojemność bramki mosfeta. I po co są dwa mosfety?
Panie Kolego, odczyt z oscyloskopu może i jest poprawny - ale wskazuje na niewłaściwe wysterowanie MOSa, jak Koledze zapewne wiadomo, tranzystor MOS ma w swojej bramce pewną pojemność, którą trzeba przeładować żeby przeszedł w stan przewodzenia, albo aby ze stanu przewodzenia przeszedł w stan zamknięcia. Jeśli driver który steruje tym tranzystorem nie...
Czy taka atmega lub attiny da radę wysterować PWMem bezpośrednio bramkę mosfeta np.buz11? Oczywiści będzie 100om w szeregu aby ładnie rozładować pojemność bramki. Bramka ładnie się rozładowuje (i ładuje) właśnie jak tego rezystora nie ma. Czasem, ale to rzadko trzeba taki rezystor stosować, żeby nie przekroczyć maksymalnego prądu bramki, ale to raczej...
Oporniki pomiarowe w dreny- a nie w źródła. Z każdej bramki opornik 250Ohm do +. Jak nie włączysz procesora albo jak się zresetuje- wszystkie przewodzą. Przeładowanie pojemności bramki nie daje chyba wtedy szpilek. Ten 0.1Ohm da błąd ok. 6%- można go zbocznikować jakimś potencjometrem. Drugi- 0.6%- itd. Jak znajdziesz jakiś lepszy układ- podaj dla potomności....
Czy ktoś umie w krótkich prostych słowach wyjaśnić mechanikowi jaka jest różnica pomiędzy transoptorem z wyjściem analogowym a cyfrowym? Analogowy ma na wyjściu po prostu tranzystor - prąd wyjściowy proporcjonalny do wejściowego. Cyfrowy ma bramkę - możliwe stany 0-1 i potrzebuje zasilania. Mam kilka hcpl3120 i używam do wysterowania MOSFET. Zastanawiam...
Ale, żeby przeładować spore pojemności bramek i zachować odpowiednie stromości narastania impulsów sterujących to źródło impulsów musi mieć odpowiednią wydajność prądową. I to również należy brać pod uwagę, a nie tylko amplitudę impulsów sterujących.
No to R1 o małej wartości. Jak tranzystory wytrzymują 1A w impulsie- to dajmy im opornik w Twoim schemacie 20 OHm. Tranzystor wytrzymuje 1A- rozładowany kondensator bramki tranzystora jest zwarciem. Rezystor R2 powinien być o małej wartości- tyle ile wytrzyma prąd kolektora Q3. Bo wtedy impedancja wyjściowa Q3 będzie mniejsza. A C1 nie ma sensu. Małe...
Lipa!... Zastosowanie mosfetów w miejsce BJT w tym układzie nie jest takie proste. Pierwsze i podstawowe wątpliwości budzą rezystory ściągające bazę/bramkę(w przypadku FET) do masy. Skoro w portach procka są bufory totem-pole, to nie ma sensu sciągać bramek aż takim rezystorem. Ja bym dał 47k, tylko po to, żeby tranzystory się samorzutnie nie włączały...
Zalecany prąd maksymalny jest w tabelce "Recommended Operating Conditions" i jest to 200mA, 225mA znajdziesz w tabelce "Absolute Maximum Ratings" to absolutne maksimum którego nie należy przekraczać bo grozi to uszkodzeniem układu, producent nie gwarantuje poprawnej pracy przy parametrach powyżej zalecanych (200mA) i należy się spodziewać ograniczenia...
Do włączania i wyłączania tranzystora mosfet Logic-Level z kontrolera bezpośrednio wystarcza dwa rezystory, szeregowy (u Ciebie brak) z bramką i do masy, który wyłączy mosfeta. Jeśli chcesz używać PWMa to niestety jakiś nawet najprostszy driver, jest zalecany,a nawet konieczny. Bo przy tranzystorach mocy i małym Rdson i jeszcze LL musisz przeładować...
Tyrystor to nie mosfet - nie ma tu pojemności bramki, którą trzeba przeładować. Tym niemniej spróbował bym użyć TC4427 lub podobnego, zasilanie go z wyższego napięcia. Driver dostarczy łatwo wymagany prąd do bramki, a jego konstrukcja zoptymalizowana pod kątem szybkości powinna pomóc.
Witam Przy niskich napięciach na drenie, wpływ pojemności dren-bramka ma małe znaczenie i przełączanie jest szybkie. Dla wysokich napięć, przeładowanie pojemności dren-bramka wymaga więcej nC niż przeładowanie pojemności źródło-bramka, przez co wydłuża się czas przełączania.
Dzień dobry. Karty katalogowe nie zakładają super chłodzenia. Po prostu: Jeżeli koledze straty wyszły 9,3W to trzeba będzie tą moc rozproszyć. Także proszę zajrzeć na 2. stronę karty katalogowej do tabelki "Thermal resistance" i sobie to przeliczyć. Ale straty przy pełnym otwarciu to "małe piwo". Trzeba jeszcze jak najszybciej przeładować te 28nF pojemności...
Jedna z możliwości: https://obrazki.elektroda.pl/3598410600_... Tranzystor grzeje się w momencie przełączania, więc powinno się to robić szybko. Szybkie przełączenie mosfeta wymaga dużego prądu przeładowania pojemności bramki aby uniknąć grzania tranzystora. Ale jeżeli przełącza się go rzadko czyli z małą częstotliwością, można przyjąć...
Czyli według Ciebie przy zasilaniu TLP powinien oprócz ceramika być elektrolit powiedzmy 470uF, bo driver pobiera dość duży prąd dla przeładowania pojemności bramki mosfeta? Plus duży elektrolit na zasilaniu silnika? r
To jest opór, jaki ma włączony mosfet. I nie widzę związku RDS(on) z opornikiem w bramce - ten ostatni spowalnia przeładowanie pojemności bramki, a przez to włączanie i wyłączanie mosfet-a.
Bardzo ważny jest driver, aby nadążał przeładować pojemności bramek w czasie <100ns. Przy równoległym łączeniu mosfetów niezbędna jest także separacja bramek za pomocą rezystorów o wartości kilka - kilkanaście ohm. Czy to będzie jakaś spawarka??
Tak że nadal uważam chwilowy prąd przeładowujący bramki mosfetów za istotniejszą i niosącą konkretny praktyczny wymiar wartość aniżeli prąd średni który nie mówi mi o niczym bez dodatkowych obliczeń. Oczywiście jeżeli ktoś woli obliczenia i symulacje od praktyki ;) to jak najbardziej zgadzam się że jest to wartość "fajniejsza" dla niego ;) Oczywistym...
Jest pewien tranzystor MOSFET, którego pojemność bramki wejściowej wynosi np. 50pF. Steruję go przełącznikiem z szeregowo wpiętym rezystorem 10MΩ. Ile czasu będzie trwało przeładowanie pojemności bramki? Czy będzie to l=RC=10M*50p=0,5ms, czy może 3l do 5l, czyli od 1,5ms do 2,5ms?
Prąd potrzebny do przeładowania pojemności bramek w czasie gwarantującym, że MOSFETy nie spłoną, jest rzędu 1 A. Ale ze względu na bardzo krótki czas przełączania potrzebna moc zasilacza jest znikoma.
Te IR2125 wyglądają na sterowniki do MOSFET-ów - one mają dbać szybkie przeładowanie pojemności bramki (pewnie sam TL494 robiłby to wolniej i MOSFET-y bardziej by się grzały) i pewnie o ograniczenie ich prądu.
Witam! Czy ktoś z szacownych grypowiczów podpowie mi jak wyliczyć impulsowy prąd bramki jaki może popłynąć przy załączaniu tranzystora IGBT? Mam na myśli tu prąd potrzebny do przeładowania pojemności bramki. A dokładnie chodzi o dobór odpowiedniego drivera do sterowaniem bramką IGBT.
Jaką ty masz częstotliwość PWM że stosujesz dodatkowe tranzystory do przeładowania pojemności bramki? Ja na twoim miejscu zastosowałbym mosfeta typu Logic Level, który można otwierać bezpośrednio z uC (lub bezpieczniej przez transoptor).
To jest przykład antyporadnika. Rozumiem, napisałeś o pewnych uproszczeniach, ale ten poradnik wprowadza w błąd. Po pierwsze: Stwierdzenie, że mosfety sterowane są napięciem. Tak dzieje się w stanie statycznym. Przy szybkim przełączaniu, płynie prąd bramki. Dlaczego drivery do mosfetów czy IGBT są zdolne do wystawiania kilku A prądu? Właśnie do przeładowania...
Oporniki w obwodzie bramki są dość dużej mocy, w takim razie jakie mogą płynąć prądy w obwodzie bazy jednego MOSFETA? Pytam, bo jak ma to sterować 5 tranzystorów... możesz dać 0,5W, prądy przez bramki płyną z przeładowania pojemności bramki mosfeta. Pamiętaj o tych 2 diodach na 10A szybkich bo inaczej możesz spalić msfety no i o bezpieczniku z akumulatora.
Tranzystory IGBT nie mają bazy tylko bramkę - duży prąd sterowania jest jak najbardziej pożądany do szybkiego przeładowania pojemności bramki. Ten CNR1 gdzie jest zamontowany? Na wejściu zasilania? Elementy ulegają spaleniu po podłączeniu płyty pod zasilanie czy podczas próby włączenia grzania?
Próbowałeś fizycznie odłączyć niewysterowane wiersze? Może wygaszone diody są podświetlane przez inne świecące. W dziadowskich wyświetlaczach jest to dość widoczne. Nawet nie pytam o poprawność skonfigurowania portów wyjściowych procesora w celu szybkiego przeładowania pojemności bramki mosfeta, ani o odpowiednim samym mosfecie, umożliwiającym pracę...
Podana zależność wynika zapewne ze wzoru I=Q/t. Mosfet który podałeś wygląda na stosunkowo łatwy do sterowania, przy tej pojemności wejściowej nie powinno być problemu (im większa pojemność i/lub częstotliwość przełączania, tym uC ma "ciężej" przeładować bramkę).
:arrow: ozor Niestety skutki będą takie: - zwiększenie strat histerezy w rdzeniu - większa XL = mniejszy prąd = mniej mocy na wyjściu No, ale faktycznie tranzystor będzie się mniej grzał, no i jeszcze trzeba odpowiednio szybko przeładować pojemność bramka-źródło, sam 555 do tego nie starczy.
A z jakiego trafa zasilasz te mosfety? I jakie napięcie dokładnie chcesz uzyskać? stałe czy zmienne? Regulowane w jakim zakresie? I po co 3 mosfety po 100A skoro chcesz tylko 50A? Na pewno będzie potrzebny driver do 3 mosfetów, chociażby do przeładowania pojemności bramki.
Te 6A nie oznacza że układ będzie pracował ciągle z taką wydajnością prądową. Jest to obciążalność w impulsie jaką może dać wyjście aby przeładować pojemność bramki mosfeta. Średni prąd pracy drivera musi być taki by nie przekroczyć maksymalnej mocy jaką może rozproszyć obudowa układu.
Witam, a czemu nie driver? Układ sterujący IGBT musi przeładować pojemność bramki w czasie 100..300ns, więc wymagana jest odpowiednia wydajność prądowa w impulsie (1..2A), wzmacniacz operacyjny nie nadaje się do tego celu. Osobiście proponuję transoptory TLP250, stworzone specjalnie do takich zastosowań.
Dlatego że przy dużych ale nawet tych mniejszych częstotliwościach mosfety maja problem z przeładowaniem pojemności bramka - źródło duża zwłoka jest już przy ok 50 Hz steruje się je zazwyczaj z pary komplementarnej tranzystoraów bipolarnych polecam również spróbować tranzystory IGBT coś w rodzaju połączenia MOS i bipolarnych
Rezystor 10kΩ ma za zadanie rozładować napięcie na bramce, jakie może się tam pojawić z jakiś przyczyn; np na wyjściach COOL/HEAT jest dioda. Ten typ tranzystora nie pobiera prądu ale musi przeładować pojemność bramki dlatego bezpiecznie (nie wiadomo jak są zrobione wyjścia COOL/HEAT) jest wstawić dodatkowy rezystor 100Ω Dodano po 2 mosfet...
Tranzystory (np. MOSFET-ty) mogą przełączać w ułamku mikrosekundy (jakkolwiek im szybciej, tym większy prąd jest potrzebny do przeładowania pojemności bramki - np. do 1us 50mA, do 0,1us 500mA). Jest tylko kwestia: przy układach cyfrowych zwykle są jakieś kondensatory masa-zasilanie, one mogą podtrzymać zasilanie np. przez parę mikrosekund - szybkie...
Rozumiem swój błąd, wziąłem pod uwagę tylko uzwojenie pierwotne; Prosiłbym o pomoc jak poradzić z obliczeniami dla uzwojenia wtórnego. Na uzwojeniu wtórnym będę miał podłączone 2 tranzystory NMOS (IRL630); chcę na ten krótki okres czasu je załączyć (transformator impulsowy o ile dobrze rozumiem). Wg moich obliczeń dla tych tranzystorów potrzebuję 15mA,...
Nie jestem specem w tej dziedzinie ale wydaje mi się, że to co napisałeś kolego lazor nie przeczy temu, co ja napisałem. Efekt Millera to, przynajmniej według źródeł, które ja znam i które wskazałem powyżej, w dużym uproszczeniu sprzęg między Uce a Uge przez pojemności Cgc. By pokonać wpływ Uce na Uge przez Cgc musimy zapewnić duży zapas prądowy bramce,...
Schemat 1 - ma niewłaściwe poziomy napięć na bramce, policz jakie jest Ugs dla załączonego i "wyłączonego". Schemat 2 - przez rezystor 10kΩ nie przeładujesz pojemności bramki w sensownym czasie. Poszukaj gotowych, scalonych, driverów do mosfet'ów, będziesz musiał zapewnić właściwy czas martwy, bez spalisz tranzystory, a jak będzie za duży to będą...
A ja mam pytanko co do stopnia sterującego mosfetami. Czy napięcie 12v sprawnie wysteruje tranzystory? Jakie te bipolary we wtórniku tranzystorowym(?) powinny mieć przynajmniej wzmocnienie,i Ic zeby konkretnie przeładowac pojemność bramki mosfeta. Mogę prosić o polecenie jakis tranzystorow do tego drivera? Poszukuje jakiegoś dobrego sposobu zeby wysterować...
Nie no, pewnie działa, tylko przy takich rezystancjach - 10K ładujących bramki mosfetów przewiduję kłopoty z przeładowaniem pojemności w bramce, albo niską częstotliwość PWM. Przy 2-3 kHz i 2-5nF w bramce mosfeta/mosfetów czyję "wzrost temperatury...." :-)
hej, z tego co widze zwiekszyles czestotliwosc i powstal problem z przeładowaniem pojemności bramki w momencie zmiany stanu-z przewodzenia do zatkania ,sproboj zmniejszyc R bramki , lub tranzystor, nie chodzi tu oszybszy czy mocniejszy tylko mniejsza poj. bramki, inny typ, oryginalny? , lub tzw. pompa ładunkowa było gdzies to opisywane-specjalny układ...
1. 100 mA to nadal za mało na szybkie przeładowanie pojemności bramek. 2. Zamiast rezystora w kolektorze T1 zastosuj aktywne obciążenie z tranzystorem NPN i diodą kluczujacą. 3. Zamiast T1 zastosuj kaskodę i wywal rezystor od strony emitera. Przykład realizacji szybkiego stopnia sterującego pMOSFETami (poprawiłem - skutki malowania schematów na szybko):
Witam. 1. Można połączyć tranzystory MOSFET równolegle ale trzeba odizolować ich bramki opornikiem o oporności kilkunastu ohm, zastosować wydajny układ sterujący by nadążył przeładować pojemności bramek typu "totem polem"( taki jak w poście wyżej). 2. Układ zabezpieczający działa jak w wersji z tyrystorami ( sprawdzone praktycznie). 3. Bocznik służy...
pojemność bramka mosfet pojemność bramka pojemność bramka mosfet
touchpad myszka toshiba lutować warszawa captiva przewód
spawarka stanley stanley fatmax
Vaillant – brak iskry, piec nie odpala: typowe przyczyny, elektroda, przewód WN, kody F.28/F.29 Beretta Quadra Green kod A02 - co zrobić samemu?