Jak próbowałem, to na ogół rozładowanie bramki bez opornika trwało dziesiątki sekund. Szybsze świadczy o kiepskiej izolacji bramki.
Tranzystory wyjściowe TL494 albo LM3524 mogą pracować w konfiguracji OC ale z tranzystorami bipolarnymi. To znaczy, źe tworzymy w ten sposób Układ Darlingtona a to oznacza, że na emiterach traznystorów wyjściowych TL494 będzie max. 0.7V. Tutaj to tak nie zadziała. Do sterowania MOSFET-ami jest potrzebny driver na parze komplementarnej np. BC327/BC337...
Przy pracy PWM liczy się szybkie ładowanie i rozładowanie bramki tak by tranzystor pracował jak najwięcej w trybie full on/ full off. Stan pomiędzy generuje straty które to odkładają sie w postaci ciepla na tranzystorze a to już go może przegrzać. Wyjscia z mikrokontrolera dają ok 20 mA to za mało by szybko włączyć i wyłączyć tranzystor. Dlatego daje...
pomiar bez mosfeta nic niedaje - układ wykożystuje dużą pojemność złącza bramki (obciążenie pojemnościowe) i dzięki temu potencjałowi następuje szybkie przełanczanie. Podepnij na wyjściu kondensator 2-4nF do masy - tyle co ma mosfet i wtedy pomierz. I czesto aby przyśpieszyć to rozładowanie to dawany jest kondensator równolegle do diody (jak na moim...
Ale to będzie zwarcie dla pinu OUT atmegi, atmega ma limity na max I na pinie out. Nie będzie zwarcie, bo ten dodatkowy opornik będzie ograniczał prąd. W układzie z #19 mały prąd ATmegi nie zapewni szybkiego włączania Q1 - spodziewam się, że rozładowanie bramki M1 potrwa około mikrosekundy. Wolne włączanie i szybkie wyłączanie ma sens przy obciążeniu...
(1) I_g=Q_n / dt = 75 nC / 100 ns = 0.75 A (z noty IRF 840, wzór polecany na forum, rzekomo zawyżający prąd) (2) I_g = C_iss * dU_gs / dt + C_rss * dU_ds / dt = 0.23 A + 0.32 A = 0.55 A (wzór zaniżający prąd z Sztuki Elektroniki :D) Rząd wielkości sie zgadza. Lepszym sposobem jest posłuzenie sie charakterystyką "Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Drain-to-Source...
Cześć Mosfetami chce sterować obwód prądu zmiennego. Wykorzystałem mosfety BUZ91A. Znalazłem schemat podłączenia mosfetów ze wspólnym źródłem. Oglądam przebieg i strasznie wolno dochodzi do rozłączenia obwodu. Próbowałem rozładowywać bramki różnymi rezystorami. Nie schodzi czas poniżej ok. 400ms. to dość długi czas. Dłuższy niż przy stycznikach mechanicznych....
Prezentuję układ świateł postojowych do roweru. Wersja 1.0 Była to wersja po pierwszych modyfikacjach względem układu ze strony http://hobby-elektronika.eu/rower.html . Modyfikacją było dodanie LM317 w obudowie TO92 do ładowania ogniw Ni-MH i tranzystora T1 sterującego przekaźnikiem. Układ zadziałał i jednocześnie ujawniła się jego podstawowa wada-...
Ja także "bawię się" elektroniką. Dziękuję za odpowiedź, która mnie przekonuje. Buduję także prosty układ do sterowania obciążeniem wiatraka. Używam gotowego przetwornika napięcie/PWM za kilka pln. Bramkę mosfeta steruję układem IR2104 a konkretnie jego wyjściem Lo i to doskonale się sprawdza. W moim przypadku wykorzystuję jeszcze tańszy mosfet ale...
Czy ma ktoś jakić pomysł na zabezpieczenie akumulatora przed całkowitym rozładowaniem? Myślę, że do tego wystarczy układ TL431 (kosztuje około 50gr), cztery oporniki i MOSFET (na odpowiednio duży prąd - ile potrzeba? 70A wystarczy?) typu N. Do plusa akumulatora podłączyć dren MOSFET-a, na zewnątrz ma być wyprowadzony minus akumulatora i źródło MOSFET-a;...
Chyba prościej , po prostu mosfet zamiast ostatniego bipolarnego. Wzmacniacz ma wyjście komplementarne i może wydać i przyjąć prąd z i do wyjścia. Stąd średnio ale tu wystarczająco może sterować mosfetem. Twoja cewka to R4. W twoich schematach: 1 i 2 są odwracające. Jeżeli na wejściu jest niskie napięcie (bliskie zeru czyli stan spoczynkowy PWM'a) to...
Moduł IGBT czy tranzystor MOSFET to napięciowo kontrolowane urządzenie półprzewodnikowe służące do sterowania przepływem prądu elektrycznego w systemach sterowania oświetleniem, silnikami, zasilaczach impulsowych i wielu innych. Bramka takiego elementu jest galwaniczne odizolowana od pozostałych dwóch wyprowadzeń układu (źródła i drenu w przypadku FETa...
Na schemacie D3 w dobrą stronę? Dla ochrony izolacji bramki przy wyższych napięciach zasilania podłącz rezystor - powiedzmy - 220 Ω/0,5 W z zasilania do bramki, a z niej 2-3 razy większy do kolektora. Będziesz mieć zbliżone czasy przełączania MOSFET-a. Przy 1 kHz może popiszczeć, ale za to masz ogromny czas na przełączanie z niedużymi stratami mocy...
(at)ElektrodaBot Ok, dzięki za pomoc! Mogę znaleźć arkusz danych dla HUF75344G3 tutaj . Rozlutowałem go i przetestowałem za pomocą dobrze znanego, otwartego "testera tranzystorów" i pokazuje on, co następuje: https://obrazki.elektroda.pl/2797564200_... Identyfikuje go jako BJT, chociaż z poprzednich informacji jest prawie pewne, że to MOSFET......
Pomiar w kierunku S-D - powinno być napięcie takie jak na diodzie. Pomiar w kierunku D-S przerwa. Podanie napięcia na bramkę względem źródła powinno otworzyć tranzystor, a wtedy opór DS powinien wynieść 22 mΩ. Rozładowanie bramki i opór ma wzrosnąć. Jeśli tranzystor nie jest przebity, nie jest spalony, to może być jeszcze problem z bramką. Trochę ciężko...
Zgaduję, że zabawka i bateria stanowią zamkniętą całość, z której wychodzi tylko 2-żyłowy przewód do przycisku, i połączenie tych przewodów poprzez wciśnięcie przycisku powoduje działanie zabawki - czy tak? Jakie jest napięcie między końcówkami tych przewodów, kiedy nie są połączone? TN0702 przy napięciu bramki 3V ma opór około 2Ω dla prądu 200mA -...
Witam Walczę od kilku dni z przetwornicą - fabryczną, nie projektowaną przeze mnie. Wymieniłem już sześć sztuk SMPSów, musiałem drugi raz zamówić. Mosfet STP4NK80ZFP nie pada, wymieniony profilaktycznie. Zachowanie jest takie, że po włączeniu na bieg jałowy przetwornica pracuje aż do wyłączenia, pod obciążeniem uszkadza się natychmiast. Po następnym...
Cześć! Prośba o sprawdzenie schematu, a dokładnie podłączenia dwóch tranzystorów mosfet z kanałem typu N. Układ sterujący zasilany z baterii 12V steruje pracą dwóch tranzystorów mosfet. Chciałbym za pomocą MCU (napięcie wyjściowe 5V) sterować pracą urządzenia, aby rozłączać obwód obciążenia i ładowarki. Po podaniu 5V na bramki tranzystorów ładowanie...
Cbs musi mieć taką wartość by jego rozładowanie do bramki mosfet nie powodowało znacznego spadku napięcia. Tak dla świętego spokoju można założyć 20-30 krotność pojemności całkowitej bramki. Jak taką pojemność policzyć dla bramki mosfet jest w nagraniu które Tobie podesłałem. Nigdy nie stosowałem tego rezystora na Vs, ale to już zależy od sterownika,...
Hm... mam nadzieję, że 0.004 oma, nie 0.04 - przy 26A to robi sporą różnicę, a i przy 13A to prawie pół wolta i ponad 5W różnicy. :arrow: #30 Tutaj popełniłeś błąd. Autor napisał (tak też jest na schemacie), że ogniwa łączone równolegle. A w #28 autor napisał Będę tam używał dwóch ogniw 18650 połączonych szeregowo ... Jakby tak użył połączonych równolegle...
Witam, Witam. Walczę z naprawą telewizora i sprawdzałem tranzystory MOSFET i nie wiem czy dobrze je pomierzyłem, bo jakieś dziwne wartości mi wychodziły. Bardzo Państwa proszę o pomoc. Są to 2 tranzystory NEC K3654, niestety nie ma ich aplikacji w internecie. jak to nie ma, jak są? Zobacz: https://www.google.pl/search?newwindow=1...
Bardzo ogólnie mówiąc, do zbudowania bezpiecznika elektronicznego potrzeba: -rezystora - bocznika - do pomiaru prądu -komparatora -przerzutnika - do pamiętania stanu -tranzystora MOSFET jako klucza -zasilania - 5V lub 12V dla układów scalonych, lub tylko ograniczenia napięcia na bramce w układzie tranzystorowym. Da się zrealizować powyższe 5 funkcji...
Dziękuje, za odpowiedzi bardzo mi pomogły. Mam jeszcze parę pytań. Jeśli na drenie N-MOSFETa jest 310V to na bramce potrzeba 322V (o 12V wiecej) i to właśnie robi obwód bootstrap. (Piszę o punkcie 2 na schemacie co wysłałem wyżej) Myślałem chwilę nad tym i totalnie zwątpiłem, słyszałem o bootstrap w przetwornicach DC/DC w laptopach, lecz nigdy do końca...
Może jednak inne podłączenie rezystorów w rozwiązaniu AVT niż u autora tematu zabezpiecza układ przed stanami przejściowymi Tak właśnie jest. Układ jest bardziej rozbudowany, dzięki czemu równocześnie włączają się tranzystory w przekątnych mostka. Oczywiście trzeba zadbać o czas martwy pomiędzy zakończeniem impulsu na wejściu IN1 a rozpoczęciem na...
Pewnie jak w układzie powstanie jakiś krótki impuls i pójdzie na bramkę, to zabezpieczenie go pochłonie. Może być, ale widzę pewne zagrożenie: masz słabą baterię i szybko wymieniasz ją na nową; kondensatory w zasilaniu zabezpieczanego sprzętu utrzymują przez ten czas wystarczające napięcie, by MOSFET pozostał w stanie włączonym; w pośpiechu wkładasz...
976Hz przy 20 procentach i 0 Hz przy 2,3V stałego 100 procentach To jest właśnie to, o co chodzi. A jakie masz tam napięcie zasilania? I jak jest z miejscem na dodanie jakiegoś układu? Jakie oporniki są i jak są połączone w rejonie wyjścia tego scalaka i bramki MOSFET-a? wychodzi na to że któreś wejście rezystorem steruje 20 procentami Raczej któreś...
A mi przychodzi do głowy taka koncepcja: dwa dławiki, jeden do przetwornicy z tranzystorem bipolarnym T1, która będzie dawać napięcie na bramkę MOSFET-a T2 w przetwornicy z drugim dławikiem; wyłączenie T1 powinno dać impuls napięcia, które naładuje bramkę T2, żeby zaczął przewodzić; włączenie T1 powinno rozładować bramkę T2; ładowanie bramki T2 nie...
Zauważ, że MOSFETa nie włącza napięcie odbiornika lecz napięcie zasilacza. Wystarczy spolaryzować odpowiednio tranzystor P1 (0,7V). Rzeczywiście, niedokładnie popatrzyłem. Jakkolwiek podłączenie obciążenia np. 3k przed włączeniem zasilacza wystarczy, żeby MOSFET się nie włączył. Akumulator potrafi przeżyć rozładowanie nawet do 1V - sprawdzone. Tylko...
W podanym układzie o ile ładowanie odbędzie się dość szybko to rozładowanie bramki mosfeta z punktu widzenia elektroniki będzie trwało wieczność. Już lepiej użyć komplementarnej pary tranzystorów w klasycznym układzie drivera. Elementów tyle samo, a działanie 1000% lepsze.
http://obrazki.elektroda.net/43_12163191... Witam :) Złożeniem projektu było wykonanie prostego i taniego wzmacniacza słuchawkowego na elementach dyskretnych. Po krótkich poszukiwaniach wybór padł na układ przedstawiony kiedyś w czasopiśmie EdW, jest do wzmacniacz pracujący w klasie A zrealizowany na tranzystorach mosfet (AVT2464). Całość...
Nie napisałeś, jaki to MOSFET - istotne jest, jakie napięcie bramki zapewni pełne włączenie. 10V? Mniej, więcej? A poza tym, na ile szybkie musi być wyłączanie - w momencie wyłączania bramka MOSFET-a rozładowuje się poprzez opornik bramka-źródło (1k na schemacie w #1) - może to wyłączanie nie musi być takie szybkie? Z opornikiem 1k pewnie będzie parę...
Co do szybkości tranzystorów polowych to pamiętam, jak robiłem głośnik plazmowy to wystarczyło do taniego tranzystora dodać równolegle szybką diodę 50ns i znikał problem wysterowania tranzystora. Szybki tranzystor może swoje kosztować i być trudno dostępny. Aby tranzystor dobrze zliczał wymagany jest odpowiednie wysterowanie i rozładowanie bramki tranzystora...
A cóż to za "załączenie bez obciążenia"!? Przecież to znów dziwaczna zabawa w ładowanie bramki bez napięcia na drenie! Czemu ma to służyć? Tranzystor musi wtedy do normalnej pracy stracić czas na rozładowanie -co właśnie podziwiasz. Przeczytaj te artykuły spokojnie jeszcze ze 2 razy. Tam to wszystko jest wyjaśnione!
Witam . Wszystko zależy od tego z czego chcesz te tranzystory sterować . Jeżeli będą to układy CMOS pracujące przy napięciu około 10 V to praktycznie nie potrzeba nic , barmką tranzystora możesz sterować bezpośrednio z wyjścia np. jakiejś bramki . Jeżeli będą to układy TTL to już musisz zastosować bufor . A to dlatego że napięciem 5 V nie otworzysz...
1. Przeglądając Twój schemacik gdzie ACC znajduje się po stronie źródła czyli ten środkowy? pomyślałem żeby między +acc a masą wstawić drugi tranzystor MOS który byłby odpow. za rozładowanie acc, jednoczesnie zaoszczędziłbym na opornikach które musialy by orraniczać prąd rozładowania Jednak wtedy podczas rozładowania na tymże oporniku odłoży się napięcie...
- czy dobrze dobrałem mosfety Dobierasz wg Rds(on) i tego jakie straty możesz dopuścić. - pojemność bramki 1,5n jest dosyć znaczna. To nie jest takie proste, podlinkowany blog jest o mikrokontrolerach, nie nalezy oczekiwać że koledzy znają sie na tranzystorach ;) Przy rezystorze 1k będzie w najgorszym wypadku przełączać się 1,5us. To ja policzę inaczej...
No cóż, nikt jakoś nawet nie spróbował policzyć energi, jaka trzeba wytracić. Po to, żeby rozładowywać kondensator naładowany do 150V przy pojemności 100uF trzeba "stracić" gdzieś 2,25 J. Jeżeli będziemy to robić 10 razy na sekundę, to wychodzi nam moc niecałe 23W. To niestety w przyrodzie nie zginie i albo moc ta pójdzie na opornik zewnętrzny, albo...
Proces i zjawiska związane z przeładowaniem i rozładowaniem bramki w MOSFET opisałem w tym artykule: https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3... Ogólnie NE555 bardzo słabo nadaje się do sterowania kluczami, właśnie z tego tytułu, że ma bardzo dużą rezystancję wewnętrzną. Dobre drivery potrafią "podać" na ładowną bramkę nawet kilka amperów.
Trzecie rozwiązanie jest błędne, bo przez SW nie rozładujesz bramki mosfet, więc jest szansa, że się załączy i już nie wyłączy drugie rozwiązanie jest do załączania poszczególnych diod i w sumie wygląda na błędne rozwiązanie, bo PT4115 jest regulatorem prądowym, więc przy wyłączeniu jednej diody, układ podbije napięcie by utrzymać prąd. Pierwsze rozwiązanie...
Ciągle mnie to śmieszy. Oto dlaczego: 1. Wydłużyłeś czas, ok, ale tak samo wydłużyłeś czas, kiedy dioda sobie gaśnie. To ma być ten efekt? 2. Uważasz, że wrzucenie groszowego procesora jest be, ale wrzucenie drogiego tranzystora o Ic=60 A (!) jest super Nie każdy posiada zdezelowane płyty główne. 3. Ten przełącznik P1 to kolejny przełącznik oprócz...
czy mogę podać napięcie ujemne na bramkę tranzystora mosfet i czy przyśpieszy to rozładowanie pojemności bramki. Przeczytaj notę aplikacyjną HCPL3120 - jest tam pokazane jak zasilać układ napięciem dodatnim i ujemnym dla szybszego przełączania mosfeta.
Tak, poprzez PWM możesz sterować moc skuteczną. Sam NE555 powinien zapewnić rozładowanie się pojemności bramki, ale dla pewności na schemacie jest jeszcze rezystor między bramką a źródłem.
Nie, nie pojawi, ale nie tu jest problem. Problem zwarcia skrośnego w mostku H nie wynika z podania napięć na bramki obu tranzystorów jednej gałęzi jednocześnie przez sam układ sterujacy mostkiem, tylko z fizycznych mozliwości z jaką prędkością jesteśmy w stanie ładować bramki tranzystorów. Przykładowo mikrokontroler włącza górny klucz, po chwili go...
NE555 i naładuje, i rozładuje bramkę. I sam ograniczy prąd. Więc chyba chodzi o zakłócenia - żeby włączanie i wyłączanie było bardziej płynne i generowało ich mniej. W pewnych układach opornik może chronić MOSFET-a przed uszkodzeniem, ale to jest istotne, jeśli nie ma diody równoległej do silnika - szybkie rozładowanie bramki powoduje wtedy szybkie...
Ten rezystor jest po to by po puszczeniu przycisku rozładować bramkę aby tranzystor przestał przewodzić. Bez niego może zacząć sam przewodzić ( z powodu ładunku zgromadzonego na bramce) , lub przewodzic częściowo i się spalić. Nawet jeśli naładujesz bramkę to dzięki temu rezystorowi po zdjęciu z niej napięcia bramka się rozładuje i tranzystor przestanie...
Na jakich konkretnie podzespołach kolega to testował? Potrzebne mi to było do ładowania i rozładowania bramki mosfet'a, pamiętam że kilka kondensatorów na wyjściu, znacząco poprawiło stabilność napięć. PS.: Czemu przetwornice w takim układzie powinny być ze sobą synchronizowane ?
Aha: wyłączanie MOSFET-ów wymaga rozładowania bramki - zabrania z niej ładunku. Jak ma być szybkie, to prąd rozładowania będzie spory - dobrych kilka A...
Kiedy transoptor się wyłączy, pojemność bramki nie ma się jak rozładować, tranzystor może się wyłączać bardzo wolno i przepali się podczas tego procesu. Mam nadzieję że nie chcesz na tym robić PWM.
A jak chcesz rozładować bramkę MOSFET-a P? Raz naładujesz i już na stałe będzie włączony. ;) Osobna sprawa, że jak się chce szybko włączyć MOSFET-a, to się ładuje jego bramkę prądem 1A (to pozwala go włączyć w czasie rzędu 0.1µs - można mniejszym prądem, odpowiednio wolniej).
Pokazany na schemacie układ sterowania MOSFET-ami jest całkowicie nieprawidłowy i nie ma prawa działać dobrze przy tej częstotliwości. Wynika to z tego, że sterowanie takimi tranzystorami wymaga szybkiego ładowania ale i rozładowania bramki MOSFET-a. Rezystor rzędu 1kOhm tego nie gwarantuje dlatego często w układach mocy wykorzystujących MOSFET-y stosuje...
W nawiązaniu do pw --> Z tranzystorów o oznaczeniu G15 w katalogu znajduje tylko ten, co napisałeś. NEC 2SK1582 MOSFET N-Channel 30V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 https://obrazki.elektroda.pl/3967809000_... Ze zdjęcia z https://obrazki.elektroda.pl/3169382900_... Jak sprawdzić N-Mosfet? Z rozładowaną bramką, brak przejścia...
Po wylutowaniu sprawdź czy nie ma zwarcia pomiędzy środkowym a prawym wyprowadzeniem. Przed pomiarem rozładuj bramkę zwierając na moment skrajne wyprowadzenia. To są tranzystory Mosfet . Jeżeli jest zwarcie to tranzystory do wymiany/dlatego przepalają się bezpieczniki/. Ich odpowiednikami są IRF 740 lub 2sk3310, 2sk3869
Dlaczego nie podłączysz tych diod na stałe do plusa a masę podaj przez jeden tranzystor Mosfet N, tak jak zwyczajne obciążenie. Bramką Mosfeta tylko steruj z zasilacza.
Kilka razy o tym pisałem T2 jak to MOSFET potrzebuje rozładowania bramki żeby dał się wyłączyć, a tego tu brak, później ludzie piszę że tranzystor i cewka się grzeje. Ten tranzystor ma się włączyć na krótka chwilę, a w tym układzie przez większość czasu pozostanie częściowo przewodzący, pogarszając pracę wykrywacza i rozładowując akumulator. Rezystor...
później pewnie jakiś tranzystor się przyda z opornikami ale jaki Najlepiej tranzystor typu mosfet, z resztą taki masz na schemacie. Opornik tylko po to aby rozładować pojemność bramki tranzystora.
Podłączyć bramkę do źródła opornikiem, co zapewni szybkie rozładowanie bramki. Do przetwornicy może być nie dość szybkie - N-MOSFET-a należy sterować tranzystorem NPN (kolektor do bramki), i raczej czymś lepszym od BC147.
Witam! Zasada działania jest prosta:przeływ prądu IF powoduje załączenie Tr1 i wył. Tr2 co powoduje szybkie naładowanie bramki MOSFET-a natomiast brak przepływu tego prądu (IF) powoduje załączenie Tr2 i wyłączenie Tr1 co powoduje szybkie rozładowanie bramki MOSFET-a.Bramka MOSFET-a podłączona jest przez rezystor ograniczający prąd ładowania bramki z...
... i MOSFET N, a nie P. I nie może być sterowany wprost z uC - potrzebny jest duży prąd, żeby szybko rozładować bramkę. Topologia układu ze schematu nawet jest poprawna, ale to jest układ do obniżania napięcia.
Daj jeszcze rezystor (np 1k) pomiędzy S i G tranzystora wyjściowego, przecież musi być jakaś możliwość wyłączenia go. Dioda szeregowo z bramką to zły pomysł, stosując MOSFET'a jako stopień pośredni musiał byś go zabezpieczyć (bramkę) rezystorem (szeregowo) i diodą Zenera (równolegle), oraz dać rezystor równolegle do bramki żeby rozładować pojemność...
Opór powietrza jest (przy małej prędkości - takiej, by nie było turbulencji przy opływie powietrza wokół wahadła) proporcjonalny do prędkości, podobnie jak hamowanie przez prądy wirowe w blaszce. A może wykrywać kontaktronem, że wahadło zrobiło pełny obrót (albo przynajmniej znalazło się w górnym położeniu - wykrycie, czy przez nie przeszło, jest już...
Naładowanie do napięcia U będzie trwało nieskończenie długo, gdyż układ RC daje krzywą wykładniczą która dąży do zera przy rozładowaniu i dąży do U przy ładowaniu. Dlatego też przyjęto wielkość R*C jako zmierzalną wartość opisującą ładowanie kondensatora.
Dla stromości zboczy lepiej, żeby miał mniejszą rezystancję, dla mniejszego prądu sterowania lepiej, żeby miał większą. Przyjęło się, że MOSFET-y są sterowane napięciem, ale bramka ma pojemność, którą trzeba naładować i rozładować, stąd układ sterujący MOSFET-a powinien mieć wyjście o niskiej rezystancji. Dlatego najlepszy jest wtórnik komplementarny.
Możesz użyć tranzystora bipolarnego z wbudowanym rezystorem np. NTE2355 (THT małej mocy). Używając tranzystorów typu mosfet również nie uciekniesz od konieczności stosowania rezystorów, które są wymagane do rozładowania pojemności na bramce tranzystora. Pozdrawiam!
Tranzystor bipolarny wzmacnia prąd. Dla prądu kolektora 200 mA potrzeba prądu bazy 20 mA. Tranzystor MOSFET sterowany jest napięciowo - bramka jest izolowana od pozostałych elektrod. Dlatego przy sterowaniu stałonapięciowym MOSFET nie pobiera prądu. Prąd płynie w czasie ładowania i rozładowania pojemności bramki. Tyle wystarczy początkującemu. Jest...
Po wyłączeniu zasilania ma rozładować kondensator bramka-źródło. Mamy do czynienia z MOSFET-em P - przecież wtedy (zaraz po wyłączeniu zasilania) na źródle jest wyższy potencjał niż na bramce; na katodzie jest plus na anodzie jest minus - dioda nie przewodzi, a pojemności kondensatora i bramki rozładowują się przez R3.
Witam ponownie, Schemat jest dla MOSFET typu P nie N -w temacie podajesz ze masz typu N. Przy sterowaniu tranzystora typu N obciążenie powinno być od strony zasilania nie masy. Schemat przedstawiony przez kolegę Robo24 jest jak najbardziej poprawny. Zmieniłbym tylko opornik 10k na 2k2. I nie wiem czy prąd płynący przez BC547 w momencie rozładowania...
To liczenie opornika w szereg z bazą jest proste jak konstrukcja cepa. (Oczywiście w pierwszym przybliżeniu- żeby nie było) Masz tranzystor mosfet i nie znasz pojemności bramki albo nie potrafisz odróżnić nC od nF- zdarza się- choć trochę wstyd. Ale wiesz że bramka ma się możliwie szybko naładować i rozładować- no bo to jest kondensator i w trakcie...
Niewłaściwy tranzystor. On się tu musi grzać. http://www.google.pl/url?sa=t&rct=j&q=ir... Rdson=0,3 Ohm, w temp. Tj=100stC nawet 0,45Ohm (patrz FIG. 4), co przy...
Przy takim podłączeniu załatwisz port mikrokontrolera, rozładowanie 10µF przez wyjście procka to nie jest najlepszy pomysł, lepiej daj szeregowo od procesora rezystor 1kΩ i kondensator zmień na 100nF, też usuniesz zakłócenia bez zagrożenia dla samego układu mikrokontrolera.
Jak to jest mosfet "L" to wysterowany jest w pełni przy 5V na bramce. Wtedy potrzebne są tylko dwa oporniki w obwodzie bramki- jeden w szereg z wyjściem procesora w celu ograniczenia prądu wypływającego z procesora do rozładowanej pojemności bramki. Czyli jakieś 100ohm. A drugi od bramki do masy- tylko w tym celu żeby tranzystor przy starcie procesora...
Wstaw jakiś rezystor od masy- do bramki BUZ, może 200k, podobieraj- wydaje sie, że jest to błędem- co ma rozładować potencjał bramki? .
Na tym schemacie driver głównego mosfeta jest w emiterze tranzystora bipolarnego i zastanawiam się czy MIC4452 może być w źródle irf640. Tyle tylko chcę wiedzieć. Wtórnik emeterowy zmniejsza napięcie o 0,7V, wtórnik źródłowy zmniejszy o ok 4V ( irf640). Nie jestem pewien czy to rozwiązanie z odcinaniem zasilania wyłączy tranzystor czy może zostawi...
z wyjścia ne555 otrzymuję wartości od 5V do 13 V Nieprawda. czytaj datasheet NE555 który wyżej podałem. Właśnie o to mi się cały czas rozchodzi bo to właśnie w moim układzie dostaję takie napięcie na wyjściu (pin 3) od 5V do 13 V a chcę otrzymywać wartości od 0V do 13V Oczywiście że datasheet ne555 podaje coś innego. Oglądałeś oscyloskopem przebieg...
Przy tak małych prądach nie ma to znaczenia. MOSFET wymaga innego sterowania, bramka to w zasadzie kondensator, który trzeba szybko naładować (włączenie) a następnie szybko rozładować (wyłączenie). Rezystor między WY uPC a MOSFET niepotrzebny. Konieczny rezystor, przez który zostanie rozładowana pojemność bramki.
Narysuj dokładnie sposób sterowania bramki tego MOSFETA. Możliwe, że powinienieś dać pomiędzy bramkę a źródło tranzystora rezystor, który rozładuje pojemność bramki MOSFETA po zaniku impulsu.
Z tego widać, że mimo przebicia, element pozostaje nieliniowy (co nie jest częste, zazwyczaj palą się na zwarcie <1 Om). Najlepiej było by mierzyć, przy wyższych napięciach, niż działa typowy test diody. Takie uszkodzenie by wyszło, gdybyś naładował bramkę z baterii i sprawdził czy przewodzi D-S, w sprawnym tranzystorze stan naładowanej bramki utrzyma...
Analizuje schemat... (...) a czemu stosuje się dwie diody? Przeanalizuj może i wrzuć "efekty", jak toto będzie działać z jedną. Najpierw lewą, następnie prawą, ok? Założenie jest: prąd rozładowania bramki mosfet-a nie wraca do trafa sterującego, tylko płynie przez npn-a, bo po co miałby magnesować rdzeń, m.in. niepotrzebnie wydłużając proces włączenia...
Naprawiałem ostatnio taką chłodziarkę do wina na peltierach. Dostawione dwa chińskie regulatory temperatury dwustanowe z histerezą, wyjścia przekaźnikowe po prostu podają 12V na bramkę mosfeta, rozładowanie przez rezystor 10K. Jak na razie chodzi od iluś tygodni i nie słyszę aby się znowu zepsuła. Przy takim powolnym kluczowaniu wynikającym z histerezy...
Atmega328 operuje na poziomach TTL. Wybrany przez kolegę mosfet jest typu logic-level czyli przy tych 5V ma już bardzo dobre parametry. Jeżeli prąd grzałki będzie bardzo duży to warto użyć nieco większe napięcie bramki (trochę niższe RDSon). Do tego należy już użyć driver. Rezystor między bramką a źródłem służy do rozładowania bramki po wyłączeniu urządzenia....
No ale co to mi da w kwestii chłodzenia? Ten sam problem. Ba, podczas ładowania/rozładowania bramki występuje większa rezystancja, więc straty wzrosną.
By uzasadnić potrzebę rozbudowania układu sterującego tranzystorem MOS w przypadku pracy impulsowej trzeba zacząć od Adama i Ewy, co w dziale "Poczatkujący" nikogo nie dziwi. Krotko więc. Tranzystor można rozpatrywać w 3 stanach pracy. 1. Brak wysterowania (Ugs=0), Id=0; Uds=Uzas. Moc wytracana =0. 2. Tranzystor wysterowany (Ugs zapewniające pełne otwarcie...
Czy poprawne jest to co zrobiłem na schemacie wyżej? Chodzi mi o rezystor między bramkę i dren. Tak się tego nie rozwiązuje. Bramkę sterujesz albo z drenu przeciwnego tranzystora N (uwaga na przełączanie obydwu tranzystorów jednocześnie), albo z wtórnika napięciowego bądź czegoś innego, co ma niski opór wyjściowy. Nie do końca rozumiem, ale w tym sensie:...
Taka sytuacja ma miejsce w przypadku wysterowania tranzystora prądem stałym. Wtedy nie miałoby praktycznie większego znaczenia, czy miałby 47Ω czy 47kΩ. W tym konkretnym przypadku, występuje efekt ładowania i rozładowania kondensatora, którym jest sam tranzystor. Przy odpowiednio wysokiej częstotliwości wartość tego prądu znacząco rośnie....
Tamte obliczenia dotyczyły obliczenia opornika bazy tranzystora bipolarnego. Tranzystor bipolarny jest sterowany prądowo, czyli prąd bazy oblicza się dzieląc oczekiwany prąd kolektora przez współczynnik wzmocnienia. Znając wymagany prąd bazy oraz napięcie sterujące można obliczyć opornik włączony szeregowo z bazą ograniczający jej prąd. Tranzystor MOSFET...
Niewygodą jest to, że trudno o MOSFET-a z kanałem P, który by się całkowicie włączał przy niskim napięciu bramki. Choć może w Warszawie da się znaleźć, np. u Piekarza? W każdym razie możliwości są takie: LM4041-ADJ + N-MOSFET; zamiast N-MOSFET-a NPN + P-MOSFET (dający pełne włączenie przy -5V na bramce); TL431 + PNP + N-MOSFET Logic Level (czyli na...
Uwaga, wejścia układów z serii CMOS 4000 (w tym CD4093) muszą być wszystkie podłączone - jeśli nie wykorzystujesz jednej bramki, to połącz jej wejścia np. do masy. W tym układzie w stanie ustalonym na oporniku R podłączonym do wejść bramki 3 (piny 5, 6) nie ma napięcia, a więc na tych wejściach jest stan niski (L), na jej wyjściu (pin 4) wysoki (H),...
2. Jeżeli miał by tam być rezystor to jakiego rzędu? 10-100Ohm?? Większe chyba też by mogły być ale wtedy mosfet by się wolniej rozładowywał i tym samym wolniej reagował na zmiany? Dokładnie tak - niewielki rezystorek, bo im większa jego wartość, tym wolniej MOSFET będzie się przełączał. 5. Czyli jak chciał bym wyższą częstotliwość, to powinienem zastosować...
sugerujesz co by go z 5V zasilać (sterować), nie z baterii? Ja bym wywalił ta przetwornicę, arduino powinno iść z baterii bez problemu, no i pamietać o usypianiu, budzić co np 1 sek na pomiar napiecia. wtedy przekaźnik albo kontaktron na 3.3v dać. tak sobie pomyślałem to pisząc że może rozwiązaniem jest przywieranie bramki mosfeta do masy przez NPN...
Myślałem o Joule Thief małej mocy, żeby zapewnić napięcie do zasilania bramki MOSFET-a. Taki z MOSFET-em raczej nie ruszy przy zasilaniu 1,47V (coś koło tego ma cela NiMH po naładowaniu). Ale jeśli masz jakieś zasilanie oprócz tych testowanych akumulatorów, to można użyć komparatorów (np. LM339 - poczwórny) i odpadnie kombinowanie z dobieraniem parametrów...
No to R1 o małej wartości. Jak tranzystory wytrzymują 1A w impulsie- to dajmy im opornik w Twoim schemacie 20 OHm. Tranzystor wytrzymuje 1A- rozładowany kondensator bramki tranzystora jest zwarciem. Rezystor R2 powinien być o małej wartości- tyle ile wytrzyma prąd kolektora Q3. Bo wtedy impedancja wyjściowa Q3 będzie mniejsza. A C1 nie ma sensu. Małe...
https://obrazki.elektroda.pl/2850955900_... Rezystor pull-down pomiędzy bramką (G) i źródłem (S) tranzystora MOSFET pełni kilka funkcji: 1.Zapobieganie fałszywemu włączeniu: Pojemność Millera, pasożytniczy kondensator między bramką (G) i drenem (D), może powodować zmianę napięcia dren-źródło (Vds) tranzystora MOSFET z prawie 0 (spadek...
Potrzebne jest ograniczenie napięcia zasilania dla NE555 - jego dopuszczalne napięcie to 18V, a transformator zwykle daje więcej. Poza tym układ zabezpieczenia można znacznie uprościć - wystarczy wykorzystać wejście RESET NE555 i podawać na nie napięcie tylko wtedy, gdy akumulator jest podłączony we właściwą stronę - do tego wystarczy tranzystor PNP...
kolego czy możesz obszerniej opisać ten parametr CG=Cis i to napięcie diody wstecznej co to jest i co oznacza jaki ma wpływ na tranzystor ? Sprawa jest prosta. Napięcie diody to jest napięcie diody. Prąd płynący przez diodę powoduje spadek napięcia na niej. Przeważnie zwykłe diody krzemowe mają ok 0,7 V. Ta dioda jest nawet narysowana na Twoim testerze....
Przepraszam, mój błąd z tym obcinaniem, źle spojrzałem na schemat. Istotnie ten rezystor nie ma wpływu na stopień otwarcia bramki, jedynie na jej rozładowanie. Poszułkam bym odpowiedniego MOSFET-a na płycie głównej PC - mają małe Rdson, ale nie każdy ma wystarczające Vgsth, żeby się w pełni otworzył. Dość często stosowany jest IRLB3034PBF. (tego akurat...
Swego czasu wykonałem sterowanie PWM taśmą RGB LED, która wymagała już sterowania mocą rzędu 30W na kanał. Zwykłe tranzystory średnio się nadawały i wymagały radiatora... załączony schemat pozwala na zastosowanie prawie dowolnych MOSFETów z kanałem N. Zero strat ciepła etc. Te użyte przeze mnie to taka "armata na wróbla" ale kupiłem je bardzo tanio...
Do tego potrzebny jest MOSFET, który całkowicie otworzy się przy podaniu na bramkę napięcia, jakie masz z baterii - powiedzmy, 2,5V (bo bateria może być częściowo rozładowana). Podejrzewam, że nie będzie dużego wyboru takich MOSFET-ów, więc może i dylematu, czy N, czy P...
Potrzebuję układu o mniej więcej takim schemacie zastępczym: https://obrazki.elektroda.pl/4241700400_... Jeden z górnych tranzystorów otwiera się razem z dolnym, następuje przepływ prądu i rozładowanie pojemności. Sęk w tym, że układ jest zasilany np. z 300 V, więc zamiast zwykłych tranzystorów muszę użyć IGBT lub MOSFET. A w takich...
Czas przełączania nie ma większego znaczenia - myślę że poszczególne mosfety będą max kilkanaście razy na dobę zmieniały stan, więc szybkość przełączanie ma drugorzędne znaczenie. Jednak dobrze by było żeby sam proces załączania i wyłączanie nie trwał zbyt długo - powiedzmy max 100-200ms - z uwagi na możliwe spore prądy i niepotrzebne grzanie się tranzystorów...
Nie jest planowane użycie PWM do sterowania. Domyślam się, że zwiększenie rezystancji spowodują wolniejsze ładowanie / rozładowanie bramki mosfeta. Byłbym wdzięczny gdybyś wyjaśnił jak dobrać rezystancję obu oporników.
To jest kwestia: (1) czasu impulsu (przy zachowaniu obecnego układu połączeń - im mniejszy R2, tym większy prąd płynie po załączeniu, tym szybciej kondesator C1 się ładuje), i (2) wyboru między szybkością rozładowania, a prądem, jaki płynie, gdy układ jest w stanie włączonym (tranzystor bez numeru od modułu pilota w stanie włączonym, prąd płynie przez...
pojemność bramki mosfet zabezpieczenie bramki mosfet mosfet sterowanie bramki
ekspres bosch wyczyść zaparzacz przerobić agregat kompresor obciążenie falownik
philips 58pus automatyczny przełącznik zasilania
Ferguson Ariva Combo 150 - Komunikat ASH i jego rozwiązanie DeLonghi Dinamica - problem z pojemnikiem na skropliny
