W tym konkretnym przypadku, chodzi o to, ze maksymalny prad wyjscia 3 timera 555 wynosi ok 200 mA. Dane z noty katalogowej. Mosfet powinno sie przelaczac jak najszybciej, czyli jak najwiekszym pradem. W tym wypadku ladujemy pojemnosc bramki mosfeta (warunki poczatkowe) pradem 12V/47Ω = 255mA. Czyli dzialamy na granicy mozliwosci NE555. Na szczescie...
Jest to sposób, który podpowiedział mi już dawno kolega TONI_2003 i stosuję go z powodzeniem. Metoda wykorzystuje pojemnosc miedzy bramką a źródłem, odnosi się do mosfetów typu N ale po zmianie polaryzacji można sprawdzać też P. Ja to robię na pomiarze diody masz Mosfeta nogi liczę z lewej do prawej , końcówka z miernika + na nogę 3 , minus miernika...
dla czego nie moge bezposednio sterowac mosfetami z uP (a moze moge)? Akurat te, jak i wiekszosc pozostalych mosfetow nie moze byc sterowana bezposrednio z procka z tego powodu iz napiecie Ugs przy ktorym dobrze zalaczaja wykracza poza zakres 5V w ktorym dziala procesor. Ponadto gdyby podlaczyc bramke bezposrednio do uC, to pojemnosc bramki powodowalaby...
LED2 mozes sobie zasilac bezposrednio z portu przez rezystor bez wpuszczania jej za tranzystor. Wtedy podlacz emiter Q2 bezposrednio do masy a bramke Q1 wepnij tak jak napisales pomiedzy kolektor a rezystor r7. Wartosc R7 moznaby co nieco zwiekszyc. Masy ukladow musza byc polaczone bo tranzystor MOSFET otwiera sie przeciez przez przylozenie napiecia...
http://obrazki.elektroda.net/45_12647633... Zastosowanie tranzystora MOSFET z kanałem typu p jako element przełączający napięcia przekraczające 100 V, pozwala uprościć cały schemat. Aby sterować tranzystorem MOSFET i zredukować straty wydzielane w postaci ciepła, należy na przemian ładować i rozładowywać pojemność wejściową między jego bramką...
http://obrazki.elektroda.pl/5301232400_1... Tranzystory MOSFET pracujące jako przełączniki przy dużych wartościach prądu powinny się cechować się jak najniższymi spadkami napięć, aby maksymalnie zminimalizować straty przewodzenia. Aby jak najlepiej spełnić te wymagania firma Advanced Power Electronics wprowadziła na rynek nowy tranzystor...
Dostałem do testów tranzystor MOS-FET. Karta katalogowa twierdzi, że przy R kanału 0,008 Ohm prąd graniczny to 70A. Co to za cuda jeżeli obudowa jest TO 220 i "nóżki" mają przekrój 0,5 mm^2 ??!! :P
Witam serdecznie! Poszkuje tranzystora mosfet który można sterować bezpośrednio z mikrokontrolera (5V) bez stosowania stopnia wstępnego. Obciążenia około 5A, max 10A częstotliwość przełączeń max około 250Hz. W tej chwili jest IRF44n ( Uz max 16V ) ze żródłem na BC337, BC327 a zależałoby mi na uproszczeniu konstrukcji i miniaturyzacji. ( może być przewlekany...
powiedzmy że mam tranzystor mosfet 100W i napięciu 150V prądzie 20A w imp. 100A, (tak sobie tylko wymyśliłem wiec proszę nie pisać że takiego nie ma). chciałbym nim obciążyć cewkę przy napięciu 100V. z mocy mi wychodzi że nie mogę puścić więcej jak 1A ale czy impulsy z 50-cio % wypełnieniem mogą mieć 2A? (częstotliwość od 10-300Hz) dla całego cyklu...
Nabazgrałem układ taki jak na rysunku. Jest to tylko część całego układu, także w grę wchodzi tylko tranzystor umieszczony od strony zasilania. Tranzystor włączany jest przy zerowym prądzie, także czas włączenia nie jest tutaj szczególnie istotny, w przeciwieństwie do czasu wyłączenia(prąd dochodzący nawet do 20A). Niestety przedstawiony dzielnik zapewnia...
Chcę wykonać klucz sterowany impulsami prostokątnymi o częstotliwości 100Hz i amplitudzie 10V, sterujący napięciem ok 600V/1A. Czy mógłbym prosić o przykładowy schemat?
http://obrazki.elektroda.pl/3751604800_1... Tranzystor ten zaprojektowany do aplikacji w układach przenośnych do kontrolowania baterii. Maksymalne napięcie dren-źródło wynosi -20V, a prąd -8,8A w impulsie. Możliwe jest to dzięki oporowi w stanie pełnego włączenia 27mΩ przy napięciu 4,5V na bramce (maksymalne napięcie bramka-źródło to...
Witam Poszukuję tranzystora MOSFET o parametrach minimalnych: Uds=400V Id=7A N-CHANNEL obudowa - D-PACK W grę wchodzą regularne zakupy tego mosfeta, jednak na początek potrzeba chociaż 6 szt. pozdrawiam
Mam pytanie.posiadam tranzystory MOSFET IRFZ46N na krotych chcialem zbudować układ sterowania silniczkiem DC. problem jest taki iz aby porzadnie otworzyc te tranzystory potrzebuje napiecia w układzie co najmniej 14V(niestety takiego nie posiadam-zasilanie 7,2V). Potrzebuje tranzystory o podobnych parametrach tylko sterowane niższym napieciem(ogołem...
jaka moc wydzieli sie na tym tranzystorze przy obciazeniu go żarówką 20W?, cos chyba jest nie tak bo ten tranzystor powinien wytrzymać 70W... a przy 20W natychmiast robi sie gorący, (bez radiatora). Układ ma działać mniej wiecej w ten sposób że po podaniu 12V na jego wejscie ma zgasic żarówke. ma ją oświecić dopiero po upływie określonego czasu po zniknieciu...
Witam mam pytanie jakimi pozimami napięcia prostokątnego trzeba sterować dwa tranzystory stopnia końcowego MOS aby znajdowały się naprzemiennie w stanie nasycenia i odcięcia?takie działanie tych tranzystorów końcowych występuje we wzmacniaczach klasy D. dzięki z góry pozdrawiam!
nie puszczal a przepuszczal, wytrzymal prad ktory bedzie impulsowo przeplywac przez niego (przepraszam za bardzo duze skoki myslowe) Mosfet - zamodelujmy to jako pojemnosc w tym przypadku (ok 1260pF) wiec musimy taka pojemnosc przelaczac , czyli wydolic z drivera iles pradu aby dalo rade machac tym "w ta i spowrotem". I czym czesciej przelaczamy tym...
Jaki proponowalibyscie tanzystor ktory sterowany z układu TTL(5V) pradem bramki 10-20mA zamykalby obwod 12V o natezeniu pradu rzedu 8A?, a jaki ktory bedzie zamykal obwod 12V o natezeniu 3A??
Poszukuje jakich kolwiek danych na temat Tranzystora KP 327 produkcji ZSRR zapewne. Z góry dzięki .
:arrow: Cristof_w Nie do konca jest tak ze im mniejsze Rdson tym lepiej. Mosfety mocy maja taka konstrukcje ze utrzymanie niskiej rezystanicji kanalu w stanie wlaczenia wymaga naladowania jego bramki znacznym ladunkiem. Na tym polu ciagle nastepuje postep i nowsze konstrukcje wymagaja mniejszego ladunku do zalaczenia kanalu z taka sama niska rezystancja...
http://obrazki.elektroda.net/68_12435911... 2N7002K jest nowym tranzystorem polowym, wprowadzonym do produkcji przez Fairchilda. Oferuje on niską rezystancję podczas włączenia (2..4Ω) oraz bardzo niski próg bramki - 2.5V, co w połączeniu z niewielką jej pojemnością (50pF) pozwala na osiągnięcie znacznej szybkości przełączania - tranzystor włącza...
Krótki materiał o tranzystorach polowych MOSFET, jak zwykle zapraszam do dyskusji oraz do samodzielnego pogłębiania wiedzy w temacie: [youtube]https://www.youtube.com/watch?v...
http://obrazki.elektroda.pl/6336487000_1... Fairchild Semiconductor wypuszcza właśnie na rynek nowe tranzystory zbudowane w technice DrMOS. Tranzystory te pozwalają zwiększyć gęstość mocy w układach pracujących przy wysokiej częstotliwości. Przeznaczone są one do pracy z częstotliwością około 1MHz i powyżej. Dzięki wykorzystaniu technologii...
Myślę o zrobieniu obciążenia aktywnego tzn układu, w którym można byłoby płynnie zmieniać rezystancję od 0 do nieskończoności (od zwarcia do rozwarcia). Przełączenie rezystorów nie w chodzi w grę, bo żeby było płynnie to musiałoby ich być bardzo wiele. Zastanawiam się, czy nie można byłoby zrobić tego na jakimś tranzystorze MOS - kondunktancja kanału...
Witam potrzebuje informacji na temat wzmacniacza OD na tranzystorze NMOSFET z kanałem wbudowanym, czestotliwosc dolna pasma przenoszenia fd=20Hz,Rwe(min)=100kΩ, Rwy(max)=10Ω bylbym wdzieczny za kazdy schemat i zasade dzialania a takze w miare mozliwosci opis kazdego elementu zastosowanego w ukladzie. pozdrawiam
Witam, Mam pytanie w związku z maksymalnym czasem pojedynczego impulsu prądowego w mosfecie. Biorąc pod uwagę, że chcę przepuścić przez niego impuls o prądzie równym np. połowie prądu maksymalnego (Pulsed Drain Current) raz na bardzo długi okres czasu (np. na godzinę), jak obliczyć maksymalny czas tego impulsu? Czy obliczenia termiczne mają tu jakikolwiek...
Kondensator : mierzac pojemnosc i rezystancje (powinna bvc ∞)Rezystor : mierzac opor .Tranzystor bipolarny : mierzac zlacza BE i BC (jako diode 0,6 do 0,7V) i zlacze CE (dobre ma ∞) dla pnp i npn Tranzystory fet i mosfet mozna sprawdzic Ω-mierzem czy nie stanowia zwarcia 1 pkt - owego
Mozna zastapic . R1 moze miec wieksza wartosc ale uwaga Mosfet ma bardzo duza opornosc i pojemnosc bramki dlatego zawsze nalezy dac opornik np. 10 k pomiedzy bramka i zrodlem . Wg. tego schematu potrzebujesz Mosfeta o odwrotnej polaryzacji - obecnie zaden problem .
..Jeżlei nie masz żadnego komunikatora to oganiczymy się tylko do forum. zapewniam Cie ze 'ograniczenie' sie do forum ma swoje zalety bo inni moze tez chca sie czegos dowiedziec teraz czy pozniej; widzi to wiecej osob niz tylko my i w razie jesli cos pomyle czy napisze glupoty to ktos zauwazny i to poprawi. Wracajac do Twojego ukladu to wg mnie zamienia...
Co do rezultatów testów, mogę się domyślać co znaczą, nie wiem jak się mają wyniki testów, do parametrów przetwornika, czy wy ten przetwornik chcecie wykonać? nie ma gotowych? Jeśli należy się spodziewać impedancji w rezonansie rzędu 90Ω to układ wyjściowy wzmacniacza powinien być push-pull, bo w twoim układzie będą duże straty mocy, z powodu konieczności...
ad 1- jesli wiesz jak dobrac elemety do "prostego reg." to napweno wiesz jaki wybrac dzielnik w sprzezeniu zwrotnym - mowiemy o takim zasilaczu z petla sprzezenia zwrotnego? czy sie myle? ad 2 - bardzo filozoficzny temat, nie chce Ci przewracac do gory nogami wiedzy ktora posiadasz, ale to nie do konca prawda. Zacznij myslec w wymiarze AC. To zanczy...
Do przetwornicy zasilanej z 12V mosfety stosuje sie na 55-60V. Sa co prawda wydajne mosfety na 30V ale to moze byc za malo. Sterownik bramki powinien dostarczyc prad do niej o wartosci ok 0,5A ten prad reguluje sie wlasnie szeregowym rezystorem. Ale sam uklad tranzystorowy musi miec taka wydajnosc oraz szybkosc. Widac to dobrze na oscyloskopie po czasach...
Opis jest fatalny. Naprawde. W ogole nie wiadomo co mierzysz i gdzie. Co to za silnik? Co to za oscylogramy? Jak maja sie do siebie potencjaly na bazach Hi i Lo? Dlatego zamiast konkretnie odniesc sie do problemu podam ci tylko kilka wskazowek: Zeby ten silnik dzialal, to oba tranzystory musza byc otwierane rownoczesnie. Z twoich wykresow wyglada, ze...
Jeżeli wstawisz bezpośrednio MOSFET-y w miejsce tranzystorów złączowych w tym układzie, to nie zadziała. Zasadnicze różnice: - tranzystory złączowe są sterowane prądem; - tranzystory MOSFET są sterowane napięciem; - napięcie wymagane do otwarcia NPN to około 0,65 V, do otwarcia MOSFET-N to napięcie może wynosić nawet 5-15 V; - MOSFET-y mają pojemność...
Problemem jest to, że włączenie dolnego tranzystora zwiększa napięcie na tym górnym, który jest wyłączony - w rezultacie ładunek pojemności kolektor-baza (bądź dren-bramka dla MOSFET-a) zostaje podany na bazę (bramkę) i włącza ten tranzystor. Można te tranzystory oddzielić diodami, wstawiając diodę między emiter (źródło dla MOSFET-a) każdego górnego...
Rezystor 10k służy, aby przy starcie urządzenia mieć pewność że tranzystor będzie wyłączony (stany nieustalone). Rezystor 10R służy właśnie ograniczeniu prądu bramki tranzystora, chodź zazwyczaj montuje się go między driverem a tranzystorem (między OUT TC4427 a MOSFET'em). Jeśli chodzi o kondensator, może być 1uF jak i więcej (zależy od pojemności bramki...
czy mogę podać napięcie ujemne na bramkę tranzystora mosfet i czy przyśpieszy to rozładowanie pojemności bramki. Przeczytaj notę aplikacyjną HCPL3120 - jest tam pokazane jak zasilać układ napięciem dodatnim i ujemnym dla szybszego przełączania mosfeta.
później pewnie jakiś tranzystor się przyda z opornikami ale jaki Najlepiej tranzystor typu mosfet, z resztą taki masz na schemacie. Opornik tylko po to aby rozładować pojemność bramki tranzystora.
Zastanów się w czym niby ten bufor na BC jest lepszy od sterowania wprost z 555? Aby MOSFET wyłączyć - BC działa podobnie jak wewn. tranzystor 555. Ale aby MOSFET włączyć - pojemność bramki jest zasilana z +12V przez oporniki 1,1k - max prąd to ok.10mA. A przecież wewn. tranzystor 555 może dać na wyjściu prąd nawet 200mA - i dlatego na pewno włączenie...
MOSFET ma pojemność bramki C (uwaga, zwykle podaje się kilka pojemności, a istotna jest ich suma) i nachylenie charakterystyki g_fs; częstotliwość graniczna = g_fs/2πC.
Układ 4069 nie nadaje się do przetwornic pracujących z częstotliwością kilkadziesiąt kHz ze względu na znikomą wydajność prądową wyjść tego układu. Tranzystory mosfet posiadają znaczną pojemność bramek i przy małej wydajności prądowej sterownika nie nadążają się w pełni przeładowywać. Bardzo dobrym sterownikiem do tranzystorów w tego typu przetwornicach...
Jest kwestia, czy układ może sterować nowy tranzystor - istotnymi parametrami mogą być: napięcie bramki potrzebne do włączenia, pojemność bramki, ładunek bramki...
Nie więcej jak 15% w stosunku do orginalnej wartości pojemności w org. tranzystorze.
Tranzystor Q3 jest przy układzie scalonym UC3842. Mierząc tranzystor Q9 napięciem z miernika otwierasz MOSFETa ładując go pojemność wewnętrzną i dlatego tranzystor przewodzi. Poczytaj trochę o działaniu tranzystorów MOSFET, a w okolicy rezystora R34 zwykle nic się nie uszkadza, wymień ten rezystor. :D
Jeśli ten rezystor występuje w źródle tranzystora MOSFET, to na 100% ma on rezystancję 300mΩ. Jeśli ten rezystor poszedł z dymem, to i z nim tranzystor MOSFET. Do sprawdzenia dodatkowo co najmniej mostek Graetza, największy kondensator elektrolityczny o pojemności około 100µF i napięciu pracy około 420V, kontroler SMPS oraz "drobnica".
"Będzie dobry" to bardzo ogólne pojęcie :) . Problem ze sterowaniem takiego tranzystora są dwa. Pierwszy to wydajność prądowa wyjścia Arduino. Wraz ze wzrostem częstotliwości przełączania proporcjonalnie rośnie prąd konieczny do naładowania pojemności bramki tranzystora MOSFET. W przypadku wymienionego 2nF to już sporo i wymagane byłoby dodanie driver-a....
.....dla czego stosuje sie jeszcze Q2 i Q4 w praktyce ? Do szybkiego przeładowania pojemności bramki.
Tranzystory mocy mozna zbadać zwykłym miernikiem (wykozystując pomiar diody). Nie moze wystepować zwarcie pomiedzy 3-4 wyprowadzeniem tr.mocy (irfp9240/irf240) bez wzgledu na polaryzacje. Tranzystory typu mosfet posiadsją pojemność na bramce (zwykle wykozystuje się tą własność do zbadania tranzystora).
Nie 10k między kolektorem a zasilaniem. Napisałem- tyle ile tranzystor wytrzyma- 200-500ohm. Od tego zależy szybkość ładowania pojemności bramki. Wogóle- daj schemat.
Z mojej strony najprościej było by zastosować jakiś driver na 2 tranzystorach aby prawidłowo wysterować mosfeta. Pojemność do przeładowania to około 6nF co przy tej częstotliwości oznacza duuuuże straty.
P4KE18A przy 18V dopiero zaczyna przewodzić, ale 33V na diodzie w tym układzie nie jest możliwe, masz długie połączenia o dużej indukcyjności stąd takie efekty. Jest tak źle jakby to była płytka stykowa. Jeśli żółty w ostatnim oscylogramie to przebieg wejściowy to znaczy ze masę oscyloskopu masz podłączoną byle jak i widzisz na wejściu dzwonienia których...
MOSFETy tu różnią się od bipolarnych. Najpierw musiał byś dobrać tranzystory pracujące równolegle a dodatkowo i tak dwukrotnie wzrośnie pojemność wejściowa.
Witam. Mam identyczny przypadek. Sterownik Tech ST K1PV4. Sprawdziłem sterownik i kondensator (niebieski 1uF) miał ubytek pojemności. Wymieniłem na nowy (identyczny) kondensator 1uF 305V oraz tranzystor mosfet. Problem niestety nie ustąpił. Na wyświetlaczu dalej mam komunikat Temperatura mosfet za wysoka (blad 200). Dodam, że dmuchawa w trybie ręcznym...
Na wejściu powinieneś zasilania między wtyczkami a kondensatorem powinieneś użyt tranzystora P-MOSFET. Bramkę należy wysterować tranzystorem NPN przez układ całkujący RC. W momencie połączenia wtyczek tranzystor NPN bdzie zatkany z powodu nienaładowanej pojemności RC. Układ RC jest ładowany odstrony wtyczki. Po upływie określonego czasu ładując się...
Moim zdaniem R1 można pominąć. Ale R2 jest raczej niezbędny. Dzięki niemu wartość napięcia na bramce tranzystora MOSFET jest poniżej progu jego włączenia (przy 10kΩ będą to jakieś ułamki wolta). Wynika to z tego, że tranzystor w transoptorze ma jakiś (mały) "prąd ciemny" (płynie przez niego prąd, nawet jak nie jest oświetlony przez diodę), a z kolei...
Można jeszcze prościej. Układzik kondensator elektrolityczny ładowany przez duży rezystor. Jak się naładuje do 0.7V około to bramka tranzystora npn przewodzi i załącza tr. wykonawczy mosfet. Trzy takie układy połączone równolegle różniące się pojemnością kond. (różne czasy zadziałania). Schematu choć to chyba wynika z mojego tekstu szukaj pod frazą...
Po co BD911? To ma być szybki tranzystor, najlepiej przeznaczony do tego stopień sterujący. MOSFET ma pojemności Cgs, które trzeba szybko przeładować. Jakie tam prądy płyną? Jak masz oscyloskop, to sprawdź, co jest na bramce.
Spróbuję pomoć w kwestii oscylacji. Jeśli przyczyną jest obwód samych tranzystorów to proponuję włączyć w bramkę każdego tranzystora rezystor 47R...1k (jak najbliżej tranzystora). Zacznij od 47R Zamiast tego, jeśli posiadasz, możesz spróbować użyć koralików ferytowych w bramkach tranzystorów. Jeśli układ ma być bardzo szybki to będzie to lepsze wyjście...
Mamy tu w zasadzie problem z mocą, są MOSFET'y (nawet z kanałem P) na to napięcie, czy natężenie, ale żaden nie daje więcej, niż powiedzmy 200W. To kwestia możliwości obudowy. Stąd prawdopodobnie konieczne byłoby użycie kilku tranzystorów połączonych równolegle. A skoro to są MOSFET'y, w takim układzie powstaje właśnie problem pojemności. Sterownik...
Tu może przydałoby się wykorzystać wejście Reset - żeby czas, po którym układ zapomina, był dokładniej określony (jeśli ma to załatwiać zanik napięcia zasilania, to musiałoby spaść do około 2V). A poza tym, o ile rozumiem, sygał wejściowy jest nieco inny: nieaktywny to +12V, aktywny to na zmianę masa i +12V - dostosowanie tego układu wymagałoby podawania...
Nic nie dzieje się "natychmiast", bramka tranzystora MOSFET ma swoją pojemność, którą trzeba przeładować, a odbywa się to przez niezerową rezystancję złącza C-E tranzystora BJT.
A jaka jest fizycznie temperatura tranzystora? Ja w tych sterownikach wymieniałem również sensor KTY, który mierzy temperaturę tranzystora, bo też kilka razy trafiłem na uszkodzony. Co do kondensatora, nie wiem co będzie, jak zastosujesz w tym obwodzie pojemność 200% większą niż powinna być. Ja stosowałem taki jaki był, ewentualnie na wyższe napięcie...
Kiedy transoptor się wyłączy, pojemność bramki nie ma się jak rozładować, tranzystor może się wyłączać bardzo wolno i przepali się podczas tego procesu. Mam nadzieję że nie chcesz na tym robić PWM.
Może się komuś przyda-podróbki tranzystorów mocy mosfet wykrywam w ten sposób, że mierzę ich pojemność bramkową (posługuję się miernikiem V562 na odpowiedniej funkcji) i przyrównuję z elementem oryginalnym bądź danymi katalogowymi. I ta metoda działa, niejednokrotnie wykryłem element, gdzie pojemność oryginału wynosi powiedzmy w okolicach 6nF zaś podróbka...
Jeszcze mam pytanie o rezystor używany na bramce mosfeta. Czytałem w tym linku Nemo07 o przełączaniu tranzystora Mosfet i pojemności złącza na bramce i zastanawiam się jak to ogólnie działa i jak należy to policzyć?
Czy jest sens, to musi sobie odpowiedzieć konstruktor urządzenia. Do migania diodą, do piszczenia głośnikiem taki generator nada się bez problemu. Można taki generator akustyczny wykorzystać do odstraszania komarów lub innej zwierzyny wrażliwej na jakieś dźwięki. Żeby to było skuteczne należy poznać częstotliwość dźwięku na którą jest wrażliwy nasz...
0. Schemat, a jeszcze lepiej layout płytki prosimy. Chyba nie wstawiłeś SOIC8 w płytkę stykową? 1. Jak jest sterowany tranzystor? Pojemność bramki ~6nF i czas przełączania rzędu 6us-20us wymaga dobrego źródła. 2. Czy obciążenie jest czysto rezystancyjne? 3. Sprawdzałeś jak wyglądają przebiegi?
To liczenie opornika w szereg z bazą jest proste jak konstrukcja cepa. (Oczywiście w pierwszym przybliżeniu- żeby nie było) Masz tranzystor mosfet i nie znasz pojemności bramki albo nie potrafisz odróżnić nC od nF- zdarza się- choć trochę wstyd. Ale wiesz że bramka ma się możliwie szybko naładować i rozładować- no bo to jest kondensator i w trakcie...
Zatem po kolei: - element zaznaczony na drugim zdjęciu to kondensator, jednak brak informacji nt. pojemności i napięcia (może jest fabrycznie nieobsadzony?), - element zaznaczony na trzecim zdjęciu to tranzystor N-MOSFET PJ4N3KDW , - element zaznaczony na czwartym zdjęciu to dioda (parametrów nie mogę odczytać). W załączniku boardview. Pozdrawiam
Coś czuje, że będzie to miało coś wspólnego z pojemnością bramki mosfeta i możliwościami prądowymi pinu procesora. Mam racje? - masz rację. Wysterowanie bramki powoduje ładowanie jej pojemności. Pomiędzy pinem procesora a bramką dajesz rezystor szeregowy - w celu ograniczenia maksymalnego prądu do wartości bezpiecznej dla pinu procesora (rozladowana...
mosfet pojemnosc bramki pojemnosc kondesatora oblicz pojemnosc
lodówka samsung nieszczelność triax antena miernik napięcia icl7107
schemat zmywarki electrolux schemat zmywarki electrolux
Condor LEDN 50C10CEU RSAG7.820.5212 SPI Flash & EEPROM Dump Download, Panel Matching Czas rozpuszczania uszczelniacza Liqui Moly
