W tym konkretnym przypadku, chodzi o to, ze maksymalny prad wyjscia 3 timera 555 wynosi ok 200 mA. Dane z noty katalogowej. Mosfet powinno sie przelaczac jak najszybciej, czyli jak najwiekszym pradem. W tym wypadku ladujemy pojemnosc bramki mosfeta (warunki poczatkowe) pradem 12V/47Ω = 255mA. Czyli dzialamy na granicy mozliwosci NE555. Na szczescie...
Jest to sposób, który podpowiedział mi już dawno kolega TONI_2003 i stosuję go z powodzeniem. Metoda wykorzystuje pojemnosc miedzy bramką a źródłem, odnosi się do mosfetów typu N ale po zmianie polaryzacji można sprawdzać też P. Ja to robię na pomiarze diody masz Mosfeta nogi liczę z lewej do prawej , końcówka z miernika + na nogę 3 , minus miernika...
dla czego nie moge bezposednio sterowac mosfetami z uP (a moze moge)? Akurat te, jak i wiekszosc pozostalych mosfetow nie moze byc sterowana bezposrednio z procka z tego powodu iz napiecie Ugs przy ktorym dobrze zalaczaja wykracza poza zakres 5V w ktorym dziala procesor. Ponadto gdyby podlaczyc bramke bezposrednio do uC, to pojemnosc bramki powodowalaby...
Mozna zastapic . R1 moze miec wieksza wartosc ale uwaga Mosfet ma bardzo duza opornosc i pojemnosc bramki dlatego zawsze nalezy dac opornik np. 10 k pomiedzy bramka i zrodlem . Wg. tego schematu potrzebujesz Mosfeta o odwrotnej polaryzacji - obecnie zaden problem .
WITAM! Mam pytanie, jaka moze być maksymalna czestotliwość sterowania bramką w przypadku pokazanym na rysunku?. napiecie zasialjace to powiedzmy 12V. Ile mozna z takiegi inwertera wyciagnać w stanie wysokim i niskim? (w aplikacji znalazełm ze kilka mA??!!). jak policzyć maxmymalna czetotliwosc kluczowania tranzystora w zależności od prądu (napiecia)...
-Kanał N -musi sie w pełni otworzyć przy 4V -dobra cena -opornoć do 0,5Ω (nie może sie ugotowac przy prądzie 2A, a będzie bez radiatora) - nie wiem jak dobrać pojemność bramki, mosfet będzie sterowany pojedyńczą bramką z CD4093 z częstotliowścia kilku- kilkunastu kHz
Witam, potrzebuję szybko przełączać bramkę N-MOSFET'a , naszkicowałem poniższy schemat "koncepcyjny" - proszę o weryfikację czy jest on poprawny , oraz o ewentualne uwagi / sugestie do poniższego schematu. Częstotliwość przełączania N-MOSFET'a jaka mnie interesuje to ok 10kHz (PWM) , prąd pobierany przez obciążenie wynosić będzie ok 10A (oznaczone na...
Szanowni Forumowicze. Zmontowałem sobie w LTspice taki oto układ mostka H: http://obrazki.elektroda.pl/6551730600_1... Oglądam sobie przebiegi i zaintrygowały mnie przebiegi na bramkach tranzystorów. Przebieg z bramki tranzystora typu N: http://obrazki.elektroda.pl/2909682900_1... Przebieg z bramki tranzystora typu P:...
Rozważ podpięcie R6 do +Aku, a z bramki Mosfeta do masy - diody Zenera 3V, wskazany typ o ostrym kolanie na charakterystyce przy niskim prądzie - są takie (minIz=1mA). Nie wiem czy to pomoże, bo teraz bez zasilania uC i z R6 wpietym tak jak masz prawdopodobnie wy. uC podaje stan zero co włącza Mosfet. Być może jedynym sposobem będzie sterowanie przez...
Witam, jak w temacie, potrzebuję zrobić stopień mocy, który załączałby odbiorniki sygnałem podawanym z 4 wyjść układu 40106 (Hex Shmitt Trigger). Chciałbym w tym celu użyć tranzystorów MOSFET takich jak chociażby popularne BUZ10/BUZ11. Problem w tym, że nie znam się na tych tranzystorach i myślę, że bez rezystorów ograniczających prąd się nie obejdzie....
Krótki materiał o tranzystorach polowych MOSFET, jak zwykle zapraszam do dyskusji oraz do samodzielnego pogłębiania wiedzy w temacie: [youtube]https://www.youtube.com/watch?v...
Cześć. Chciałbym policzyć pewien układ oparty na wzmacniaczach operacyjnych, jednak nie mam pojęcia, jak w ogóle się za to zabrać. https://obrazki.elektroda.pl/2661686300_... Układ ten pochodzi ze strony ElecroBoom i jest jego próbą zrobienia cewki Tesli. Interesuje mnie w sumie tylko, jak można policzyć ten układ sterujący bramkami...
Witam wszystkich Elektrodowiczów, Chciałem Was zapytać czy stosowaliście kiedyś MOSFETy jako potencjometry sterowane napięciem bramki? Potrzebuję mieć element o zmiennej rezystancji w zakresie rzędu od 100 mΩ do 300-400 mΩ przy przepływającym prądzie o natężeniu rzędu 1-2 A. Z tego co zauważyłem w np. MOSFETcie [url=http://www.google.pl/url?sa=t&rct=j...
3 nF to pojemnosc bramki gornego tranzystora, z tym 0,5 A przesadzilem bo to tak naprawde 0,15 A - (11v/75 ohm) U to moje napiecie docelowe bramki Ok widze blad, dzieki za link do tematu
Impuls zaniknie po czasie nastawionym na NE555. Jak dobrac owy rezystor rozladowujacy pojemnosc bramki jezeli chce regulowac czasem zalaczania tranzystora w granicach dajmy na to 0,05-1s? w nocie katalogowej nie znalazlem pojemnosci bramki. Gdyby komus chcialo sie to sprawdzic to zamieszczam note.
MOSFET ma pojemność bramki C (uwaga, zwykle podaje się kilka pojemności, a istotna jest ich suma) i nachylenie charakterystyki g_fs; częstotliwość graniczna = g_fs/2πC.
a moze by tak zastosowac proste rozwiazanie i dac poprostu 2 tranzystorki MOSFET jako konwertery poziomow. Otworz sie spokojnie przy kilku woltach i posteruja jakim chcesz napieciem (oczywiscie z odpowiednio dolaczonymi potencjalami), niska impedancja w otwarciu = male straty mocy, mala pojemnosc bramki = maly prad sterowania. Jednym slowem same zalety.
mozna miernikiem - wkladasz do omomierza dren i zrodlo tego nMosfeta i zwierajac bramke (nie baze -> tr.polowy) ze zrodlem powinno byc rozwarcie ; do wiszacej bramki zblizajac naelektryzowany przedmiot - rezystancja powinna malec ; mierzac miernikiem pojemnosc miedzy bramka i zrodlem zaleznie od typu i egzemplarza powinno cos wykazac np. 0.5 - 1nF....
Oczywiscie, jesli zmienisz gorne tranzystory z N na P to trzeba przerobic tez sterowanie ;) To ze miales takie a nie inne tranzystory nie znaczy, ze sa odpowiednie do Twoich silniczkow. Zawsze jednak mozesz polaczyc kilka tranzystorow rownolegle, ale chyba taniej bedzie kupic odpowiednie tranzystory i miec to z glowy. Do sterowania bramek duzych MOSFETow...
Wiele tu teoretycznych rozwazan wiec ja dla odmiany troche praktyki: Z pary IRFP240/9240 mozna wycisnac do ok 150W. Ze schematu tego wzmaka widac ze jest projektowany na maksymalnie +-100V co tez wytrzymuja zastosowane tranzystory mocy. Z tego napiecia nie jest mozliwe osiagniecie 1000W/4omach bo trzeba zalozyc typowe zasilanie w spoczynku nie wiecej...
Zbuduj może najpierw mostek na 5A. Poznasz problemy i nabierzesz doświadczenia. 60A to nie przelewki można zrobić sobie krzywdę. PCB także będzie baaaardzo istotne. Słowa klucz: - drivery MOSFET, - pojemność bramki Total Gate Charge, - rezystancja złącza Drain-Source On-Resistance - napięcie przełączenia bramki Gate Threshold Voltage - prąd drenu Drain...
To powinien byc dobry uklad, sam mialem juz dawno taki wykonac ale za bardzo nie mam na niego zastosowania. Tylko zasilanie laptopow w samochodzie przychodzi mi do glowy. Troche tylko przesadziles z tranzystorami mosfet no ale pewnie takie miales pod reka. Ich duza pojemnosc bramki wymaga wlasnie takich cudow w sterowaniu. Podejzewam ze nieco slabsze...
Do przetwornicy zasilanej z 12V mosfety stosuje sie na 55-60V. Sa co prawda wydajne mosfety na 30V ale to moze byc za malo. Sterownik bramki powinien dostarczyc prad do niej o wartosci ok 0,5A ten prad reguluje sie wlasnie szeregowym rezystorem. Ale sam uklad tranzystorowy musi miec taka wydajnosc oraz szybkosc. Widac to dobrze na oscyloskopie po czasach...
:arrow: Cristof_w Nie do konca jest tak ze im mniejsze Rdson tym lepiej. Mosfety mocy maja taka konstrukcje ze utrzymanie niskiej rezystanicji kanalu w stanie wlaczenia wymaga naladowania jego bramki znacznym ladunkiem. Na tym polu ciagle nastepuje postep i nowsze konstrukcje wymagaja mniejszego ladunku do zalaczenia kanalu z taka sama niska rezystancja...
Nie zbieram schematow wzmacniaczy. Jak jest potrzeba to sam konstruuje. Nie widzialem jeszcze schematu na modulach IGBT, ale jezeli chcesz je koniecznie wykorzystac to uklad bedzie podobny do zwyklego wzmacniacza z wtornikiem emiterowym poniewaz moduly IGBT maja bardzo stroma charakterystyke przejsciowa w przeciwienstwie do mosow i nie moga pracowac...
Jest kwestia, czy układ może sterować nowy tranzystor - istotnymi parametrami mogą być: napięcie bramki potrzebne do włączenia, pojemność bramki, ładunek bramki...
Opis jest fatalny. Naprawde. W ogole nie wiadomo co mierzysz i gdzie. Co to za silnik? Co to za oscylogramy? Jak maja sie do siebie potencjaly na bazach Hi i Lo? Dlatego zamiast konkretnie odniesc sie do problemu podam ci tylko kilka wskazowek: Zeby ten silnik dzialal, to oba tranzystory musza byc otwierane rownoczesnie. Z twoich wykresow wyglada, ze...
W takim układzie nie ma możliwości wyłączenia MOSFET'a, pojemność bramek naładuje się przez diody i tak zostanie. Jeśli układ ma pracować na niskich częstotliwościach to można by rozładowywać rezystorem, jeśli to ma być szybkie (PWM) to trzeba to zrobić inaczej.
czy mogę podać napięcie ujemne na bramkę tranzystora mosfet i czy przyśpieszy to rozładowanie pojemności bramki. Przeczytaj notę aplikacyjną HCPL3120 - jest tam pokazane jak zasilać układ napięciem dodatnim i ujemnym dla szybszego przełączania mosfeta.
Jak w tym przypadku mogę zaradzić? Odpowiednie elementy RC - sygnał o dużej częstotliwości powinien mieć zamkniętą pętlę ujemnego sprzężenia zwrotnego bez tranzystora, i z tłumieniem (bez tłumienia, to byłby kondensator między wyjściem wzmacniacza, a jego wejściem '-'; tłumienie można uzyskać dodając opornik, albo robiąc dzielnik z kondensatorów......
Rezystor 10k służy, aby przy starcie urządzenia mieć pewność że tranzystor będzie wyłączony (stany nieustalone). Rezystor 10R służy właśnie ograniczeniu prądu bramki tranzystora, chodź zazwyczaj montuje się go między driverem a tranzystorem (między OUT TC4427 a MOSFET'em). Jeśli chodzi o kondensator, może być 1uF jak i więcej (zależy od pojemności bramki...
Tyrystor to nie mosfet - nie ma tu pojemności bramki, którą trzeba przeładować. Tym niemniej spróbował bym użyć TC4427 lub podobnego, zasilanie go z wyższego napięcia. Driver dostarczy łatwo wymagany prąd do bramki, a jego konstrukcja zoptymalizowana pod kątem szybkości powinna pomóc.
Tak, właśnie o takie połączenie mi chodziło. Przedtem stan wysoki na wyjściu NE555 włączał N-MOSFET, a teraz włącza NPN BC338, który z kolei włącza P-MOSFET. Podczas włączania P-MOSFET-a pojemności bramki ładowane są przez opornik R5, gdyż tranzystor NPN stanowi praktycznie zwarcie, natomiast podczas wyłączania P-MOSFET-a pojemności bramki rozładowywane...
Zastanów się w czym niby ten bufor na BC jest lepszy od sterowania wprost z 555? Aby MOSFET wyłączyć - BC działa podobnie jak wewn. tranzystor 555. Ale aby MOSFET włączyć - pojemność bramki jest zasilana z +12V przez oporniki 1,1k - max prąd to ok.10mA. A przecież wewn. tranzystor 555 może dać na wyjściu prąd nawet 200mA - i dlatego na pewno włączenie...
.....dla czego stosuje sie jeszcze Q2 i Q4 w praktyce ? Do szybkiego przeładowania pojemności bramki.
Tak, poprzez PWM możesz sterować moc skuteczną. Sam NE555 powinien zapewnić rozładowanie się pojemności bramki, ale dla pewności na schemacie jest jeszcze rezystor między bramką a źródłem.
Nie 10k między kolektorem a zasilaniem. Napisałem- tyle ile tranzystor wytrzyma- 200-500ohm. Od tego zależy szybkość ładowania pojemności bramki. Wogóle- daj schemat.
Problemem jest to, że włączenie dolnego tranzystora zwiększa napięcie na tym górnym, który jest wyłączony - w rezultacie ładunek pojemności kolektor-baza (bądź dren-bramka dla MOSFET-a) zostaje podany na bazę (bramkę) i włącza ten tranzystor. Można te tranzystory oddzielić diodami, wstawiając diodę między emiter (źródło dla MOSFET-a) każdego górnego...
Podana zależność wynika zapewne ze wzoru I=Q/t. Mosfet który podałeś wygląda na stosunkowo łatwy do sterowania, przy tej pojemności wejściowej nie powinno być problemu (im większa pojemność i/lub częstotliwość przełączania, tym uC ma "ciężej" przeładować bramkę).
Witam Nie moge sobie poradzić z wysterowaniem tranzystora MOSFET o pojemności bramki 5nF! Traznzystor steruje przebiegiem PWM 1 kHz z procesora ale mam problem w wykonaniu odpowiedniego drivera. Jezeli ktoś posiada jakieś ciekawe rozwiązanie to prosze o sugestie. Dziekuje
Poprawiłem tekst w międzyczasie (z 1k na 10k), bo sprawdziłem, że LM358 ma Ibias rzędu 50nA - na tyle mały, że opornik 10k da błąd 0,5mV. A większy opornik umożliwia wstawienie mniejszej pojemności.
Rozumiem że te 100om jest między wyjściem 555 a bramką IRF840.Trzeba dać na każdą bramkę z osobna po 100om i będzie dobrze.Jeśli zrobisz równoległe połączenie IRF840 noga w nogę i zostawisz 100om bez zmian to też będzie działało ale z osobnymi opornikami w bramkach będzie pewniej.MOSFET-y mocy mają to do siebie że pojemność bramka-źródło jest spora...
Szeregowy dla tłumienia oscylacji (bramka ma pojemność) a równoległy by transformator nie pracował w stanie rozwarcia.
Układ 4069 nie nadaje się do przetwornic pracujących z częstotliwością kilkadziesiąt kHz ze względu na znikomą wydajność prądową wyjść tego układu. Tranzystory mosfet posiadają znaczną pojemność bramek i przy małej wydajności prądowej sterownika nie nadążają się w pełni przeładowywać. Bardzo dobrym sterownikiem do tranzystorów w tego typu przetwornicach...
Nie znam tej tematyki driverów, stąd niechęć do rozwiązania. A zmniejszenie częstotliwości do 100Hz nie poprawi sytuacji? A może mosfet o małej pojemności bramki? R
Moim zdaniem R1 można pominąć. Ale R2 jest raczej niezbędny. Dzięki niemu wartość napięcia na bramce tranzystora MOSFET jest poniżej progu jego włączenia (przy 10kΩ będą to jakieś ułamki wolta). Wynika to z tego, że tranzystor w transoptorze ma jakiś (mały) "prąd ciemny" (płynie przez niego prąd, nawet jak nie jest oświetlony przez diodę), a z kolei...
Rezystor 47k z bramki do masy, zapewnia że mosfet jest zamknięty w trakcie resetu procesora. Więc obciążenie w tym czasie jest wyłączone. Rozważ zastosowanie Mosfeta z mniejszą pojemnością bramki - trochę większy Rds-on nie jest przecież przeszkodą, a Twój problem się rozwiąże,.
D44H8 wygląda na dobry. MOSFET oczywiście też może być ale musiał by to być MOSFET Logic Level. A nawet taki wymaga drivera o odpowiedniej wydajności prądowej do przeładowywania pojemności bramki. W tym zastosowaniu chyba prościej dać BJT. Jaką chcesz dać częstotliwość PWMa?
później pewnie jakiś tranzystor się przyda z opornikami ale jaki Najlepiej tranzystor typu mosfet, z resztą taki masz na schemacie. Opornik tylko po to aby rozładować pojemność bramki tranzystora.
Jedyne co jest tu wrażliwe na ESD to ten MOSFET. Pojemność bramki jest dość mała, więc małe ładunki są w stanie naładować ją do bardzo wysokich napięć. Możesz go wbić w gąbkę przewodzącą albo owinąć nogi nad płytką folią aluminiową na czas lutowania. Potem bramkę zabezpiecza rezystor i dioda Zenera.
Kondensatory na schematach na stronie 10 są do imitowania obciążenia pojemnością bramki MOSFET-a, żeby wykonać pomiary w warunkach zbliżonych do rzeczywistego zastosowania. Rzeczywiście, parametry ma lepsze - poza ceną. Ale może być jeszcze kwestia kosztów wysyłki, zwłaszcza przy niewielkim zakupie. Tanie PSMN004-25 ma w sprzedaży [url=http://semiconductors.pl/index.asp]...
"Będzie dobry" to bardzo ogólne pojęcie :) . Problem ze sterowaniem takiego tranzystora są dwa. Pierwszy to wydajność prądowa wyjścia Arduino. Wraz ze wzrostem częstotliwości przełączania proporcjonalnie rośnie prąd konieczny do naładowania pojemności bramki tranzystora MOSFET. W przypadku wymienionego 2nF to już sporo i wymagane byłoby dodanie driver-a....
Może nie PWM - jeśli LED-y będą sterowane poprzez MOSFET-y, to wystarczy dodać kondensator między drenem, a bramką każdego MOSFET-a. Z tym, że jak fale włączeń biegnące z dwóch stron spotkają się gdzieś na środku, to LED, na którym się spotkają, rozjaśni się dużo szybciej - dałoby się tego uniknąć, ale to by oznaczało dalszą komplikację układu. Iloczyn...
Witam posiadam wzmacniacz audio w którym jest zastosowany układ opóźniający załączenie modułu bluetooth. mam tylko jedno pytanie nie wiem jak obliczyć pojemność kondensatora sterującego bramką dla różnych czasów opóźnienia ( tego z układu nie jestem w stanie zmierzyć ). Poniżej rysunek układu i link do parametrów zastosowanego mosfet. http://obrazki.elektroda.pl/7210607400_1...
Zauważ że na twoich schematach w stanie "wyłączenia" ugs=12V czyli tranzystor włączony, w stanie "włączenia" Ugs=24V czyli tranzystor spalony (no moze nie od razu). Czyli 12V jest ale nie tam gdzie trzeba - daleko od MOSFET'a. Podobnie jak kolega powyżej zalecam dzielnik, ja bym dał dwa rezystory po 1kΩ - od razu będzie można szeregowo właczyć...
To liczenie opornika w szereg z bazą jest proste jak konstrukcja cepa. (Oczywiście w pierwszym przybliżeniu- żeby nie było) Masz tranzystor mosfet i nie znasz pojemności bramki albo nie potrafisz odróżnić nC od nF- zdarza się- choć trochę wstyd. Ale wiesz że bramka ma się możliwie szybko naładować i rozładować- no bo to jest kondensator i w trakcie...
Tranzystory mocy mozna zbadać zwykłym miernikiem (wykozystując pomiar diody). Nie moze wystepować zwarcie pomiedzy 3-4 wyprowadzeniem tr.mocy (irfp9240/irf240) bez wzgledu na polaryzacje. Tranzystory typu mosfet posiadsją pojemność na bramce (zwykle wykozystuje się tą własność do zbadania tranzystora).
Witam Mosfet ma dużą pojemność bramki, więc zastosuj dodatkowo jakiś driver do tego celu przeznaczony.
tranzystor mosfet pojemnosc rozładowanie bramki mosfet mosfet napięcie bramki
sterownik kontroler ethernet atheros multiswitch unicable sterownik amica
candy alise pralko suszarka candy alise pralko suszarka
Wzmocnienie sygnału z analogowych organów DIN MAN TGL 7.150 EBS Fault Code 03257-00 Diagnosis
