ładunek bramki szybkość przełączania

Prośba o sprawdzenie przetwornicy na układzie NE555 do lamp NIXIE.

Straty w układzie gasikowym są proporcjonalne do kwadratu napięcia, więc to kwestia, jakie napięcie chcesz wytwarzać. Szybkość przełączania - trzeba by sprawdzić w notach katalogowych ładunek bramki, prąd wyjścia NE555...

Układ do pomiaru napięcia i sterowania elementem wykonawczym

spróbuję podnieść napięcie do 15V, chociaż w schematach otwarcie bramki widziałem od 10 do 18V i wydawało mi się, że 12V wystarczy. Sprawdź w DS tranzystora, czasem wystarczy nawet mniej, tylko patrz na wartości gwarantowane nie na typowe. jarek_lnx powiedz proszę o co chodzi z ładunkiem na bramce. Ładunek bramki masz w DS, to jest ładunek jaki musi...

Nie znalazłeś odpowiedzi? Zadaj pytanie Sztucznej Inteligencji

Instalacja PV 1kW, grzanie 80l wody - dobór regulatora PWM i połączenie paneli

Na początek zdanie o tranzystorach, to normalne, że mocniejsze też będą się grzały, ale myślę, że dużo mniej. Teraz mam 2SK2698 i one mają znaczną rezystancję w stanie otwartym. Spróbuję mocniejszych, zobaczę jak to będzie wyglądało. Więc nie pisz "mocniejsze", tylko odnoś się konkretnie do parametru Rds(on). Wpływ na grzanie może mieć też kilka innych...

Konstrukcja mostka H dużej mocy - schemat, komponenty, optymalizacja kosztów

Górne MOSFET-y podłączyłeś jakoś dziwnie - trzeba źródło do +zasilania (to ma być P-MOSFET), diodę Zenera między bramką, a źródłem. Być może dałoby się sterować górne MOSFET-y z dolnych, oszczędzając dwa transoptory. A transoptory nie muszą byś wysokonapięciowe, skoro napięcia na bramkach są niskie - tylko trzeba je inaczej podłączyć, między bramkę,...

Ile bramek logicznych mieści się w nowoczesnym procesorze CPU?

najwięcej miejsca pochłaniają bloki pamięci, często nawet więcej niż 50% Miejsca tak, tranzystorów nie. Czy szybkość procesora (liczona w Mhz) wynika z liczby tranzystorów Nie. Prędkość taktowania zależy od konkretnej implementacji danej architektury oraz możliwości pojedynczego tranzystora w danym procesie technologicznym. Zazwyczaj mniejszy tranzystor...

Problem z wybraniem wartości rezystora ograniczającego prąd na bramce MOSFET-a

Ściślej mówiąc, prąd w obwodzie bramki jest potrzebny w momencie załączania i wyłączania tranzystora. Zgodnie z danymi należy wtedy przeładować ładunek -Qg (Total Gate Charge) - maks. 63 nC (testowane to jest przy przy ID = 25 A; VDS = 44 V; VGS = 10 V). Szybkość przełączenia wpływa na grzanie tranzystora (im szybciej, tym lepiej z punktu widzenia tranzystora)....

Poszukiwanie schematu do sztucznego obciążenia przetwornicy 2x100V min. 2kW

A jeśli pozwolisz, że spytam poza tematem, który parametr tranzystora przystosowanego do pracy liniowej podany w karcie katalogowej odpowiada za "Możliwość jego pracy przy częstotliwości 100kHz" i nagłej pracy liniowej ? MOSFETy da się bardzo szybko przełączać, ale im wyższa częstotliwość tym większych prądów bramki potrzeba, pewnym ograniczeniem jest...

Jak dostosować solenoid bistabilny DC 9V do sterownika AC 24V? Problemy z mosfetami

może nie wszystkie tranzystory przełączają się we właściwym czasie. To należy robić tak, że najpierw wyłączasz jeden, a potem włączasz drugi z pary połączonych szeregowo. A jak potrzebujesz tylko pojedynczego impulsu, a następnego po dłuższym czasie, to przez czas między impulsami MOSFET-y mają być wyłączone. Poza tym, sygnał z CD40xx powoli przełącza...

Falownik 1-fazowy - szybkość przełączania tranzystorów

Czas impulsu potrzebnego do wyłączenia tranzystora musi być na tyle długi aby zdążyć zabrać ładunek z bramki. Jeżeli tutaj podejrzewasz problem musisz zmniejszyć wartość rezystora bramkowego. Kiedyś wykonywałem taki mostek i pamiętam, iż wartość takiego rezystora bramkowego była rzędu kilkunastu ohmów. Ponadto trzeba sprawdzić, czy podczas rozładowywania,...

Projektowanie zasilacza dużej mocy: Dlaczego mosfety nie przepuszczają pełnego prądu?

SR? Slew Rate - szybkość narastania. W przeciętnych wzmacniaczach 1V/us, czyli 20V to 20us a driver przełącza <100ns czyli kilkaset razy szybciej. Po co mi wydajność prądowa? MOSFET ma pojemność wejściową, żeby zmieniać napięcie na "kondensatorze" musi popłynąć prąd, tym większy im szybciej chcemy to zrobić. Zamiast podawać pojemność w nanofaradach...

Jak zaprojektować mosfet driver do szybkiego przełączania z atmega OUT?

Chodzi ci o użycie LM339, który daje na wyjściu 10X mniejszy prąd i tylko w jednej polaryzacji (jakkolwiek ma 4 wyjścia, można łączyć równolegle)? Będzie z 5 razy wolniej przeładowywać bramkę, niż NE555. Co do NE555, to tam podpowiadają, jak obniżyć napięcie na pinie 5, żeby zmienić progi przełączania i móc go sterować bezpośrednio z uC - ja bym sugerował...

Budowa cewki Tesli na pelnym mostku przy czterech mosfetach APT5010JN

Czy po podaniu 15V lub wiecej na sterowniki mosfetów (TC4421 i TC4422)wysteruje nimi 4 bramki? Jakie rezystory dobrać? To nie jest takie proste wysteruje - nie wysteruje, oczywiście że załączy i wyłączy tranzystory, ale ważne jest czy szybkość przełączania w stosunku do częstotliwości pracy będzie odpowiednia (nie spowoduje nadmiernych strat mocy)....

Izolowany sterownik bramki tranzystora - co, jak i dlaczego

Moduł IGBT czy tranzystor MOSFET to napięciowo kontrolowane urządzenie półprzewodnikowe służące do sterowania przepływem prądu elektrycznego w systemach sterowania oświetleniem, silnikami, zasilaczach impulsowych i wielu innych. Bramka takiego elementu jest galwaniczne odizolowana od pozostałych dwóch wyprowadzeń układu (źródła i drenu w przypadku FETa...

Urządzenia półprzewodnikowe GaN HEMT do sterowania silnikami

Tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) oparte na azotku galu (GaN) oferują doskonałą charakterystykę elektryczną i stanowią ważną alternatywę dla tranzystorów MOSFET i modułów IGBT w aplikacjach do sterowania silnikami w systemach o wysokim napięciu zasilania i wysokiej częstotliwości przełączania. Poniższy artykuł koncentruje się na zaletach...

LM78L05 vs 78L05 - różnice pomiędzy scalakami (domniemane)

Jest taki artykuł jeśli chodzi o tranzystory, ale warto przeczytać pod kątem scalaków gdzie jest podobnie. O to on: Tranzystory - zamienniki Nie zawsze elektronik ma pod ręką typ tranzystora czy diody podany na schemacie. Czym go zastąpić? Czy musi to być ścisły odpowiednik? Czy można dać cokolwiek wprost z półki? Jakie parametry są najważniejsze? Które...

Tranzystory eGaN trafiają na pokład misji kosmicznych

https://obrazki.elektroda.pl/3065618400_... Azotek galu (GaN) kontynuuje swoją misję przejęcia coraz szerszego spektrum aplikacji. Nie wystarczy jego obecność na Ziemi, GaN znajduje także aplikacje w kosmosie w postaci np. tranzystorów mocy. Są one idealnym wyborem dla aplikacji mocy i RF do obsługi misji kosmicznych. Firma EPC Space...

Coraz wyższe sprawności układów, dzięki innowacyjnym technologiom Power MOSFET

W poniższym artykule opisano najnowszą technologię urządzenia OptiMOS 6 firmy Infineon. Jest to nowatorskie podejście do projektowania modułów zapewniające wyższą gęstość mocy i poprawiające efektywność kosztową wykorzystujących je systemów. Od samego początku swojego istnienia, technologia MOSFET była powszechnie uznawana za doskonałą opcję dla kluczy...

Jakie elementy dodać do układu sterowania MOSFET IRLB3034PbF PWM 1kHz?

Prąd potrzebny do sterowania bramki zależy od napięcia (również drenu, zwłaszcza gdy jest duże) i szybkości przełączania, natomiast nie powinien zależeć od prądu, jaki jest przełączany. Dla IRBL3034 podają ładunek bramki 108nC - jako typowy dla napięcia 20V (maksymalny 162nC) - dla maksymalnego Arduino będzie potrzebować ponad 4us na włączenie, bądź...

transformator do przetwornicy - push pull wizualne sprawdzenie

Ok dzięki za odpowiedz, mam jeszcze pytaníe czy najlepiej przeładować ładunek bramki mosfeta rzędu 300-400 nC? czy może wtórnik tranzystorowy, czy dedykowany driver mosfetów? A z jaką szybkością chcesz to przeładowywać i jak często? Przykładowo przy 12V i 50kHz na samo sterowanie bramki będzie potrzeba prawie 3W mocy. A żeby przełączyć w 100ns potrzeba...

Dlaczego MOSFET jest "otwarty" mimo braku napiecia na G?

Jak całkowicie pozostawisz wiszącą bramkę w powietrzu to NMOS znajdzie się w stanie "nieustalonym". Na palcu masz całe chmury różnych ładunków i w zasadzie możesz tranzystor tak samo włączyć jak i wyłączyć (dotykając bramki paluchem). Bramka jest izolowana. Żeby tranzystor przewodził to tam trzeba wepchnąć ładunek. Żeby się wyłączył trzeba ten ładunek...

Podłączenie silnika krokowego unipolarnego do Atmega16 z TIP122 - czy poprawne?

To liczenie opornika w szereg z bazą jest proste jak konstrukcja cepa. (Oczywiście w pierwszym przybliżeniu- żeby nie było) Masz tranzystor mosfet i nie znasz pojemności bramki albo nie potrafisz odróżnić nC od nF- zdarza się- choć trochę wstyd. Ale wiesz że bramka ma się możliwie szybko naładować i rozładować- no bo to jest kondensator i w trakcie...

Jak zbudować generator wysokich napięć z tafopowielaczem i tranzystorem BUT11AF?

1N4007 raczej jest za wolna, użyj UF4007. Poza tym wyłączanie MOSFET-a może trochę potrwać - jaki on ma ładunek bramki? Niestety w nocie katalogowej na Elenota.pl brak parametru "Total Gate Charge" dla BUZ10 i nie ma BUZ103S (jest dla BUZ102S - typowa 45nC, maksymalna 70nC, przy napięciu drenu 40V); dla BUZ10 podają parametry szybkości przełączania...

Nowoczesne tranzystory MOSFET o zmniejszonym Rds(ON).

http://obrazki.elektroda.net/32_12349154... STMicroelectronics ogłosił pokonanie kolejnej bariery wydajności układów mocy MOSFET, poprzez osiągnięcie najniższej rezystancji załączenia na powierzchnię układu. Dzięki technologii MDmesh™ V najnowsze tranzystory FET z napięciem pracy wynoszącym do 650V osiągają opór podczas załączenia wynoszący...

Podzespoły - Oznaczenie podzespołu SMD V3 obudowa SOD-323

Sprawdziłem pojemność tej diody na szybko mostkiem LCR i wskazuje nieprawdopodobny wynik bo aż 11uF dla sinusa 1kHz i bez polaryzacji napięcia DC. Dla porównania także tym mostkiem wskazanie dla bardzo szybkiej diody Schottky’ego ma pojemność 7nF. Przeprowadziłem badanie charakterystyk dynamicznych dla obydwu tych diod i są porównywalne, zwłaszcza...

Szpilki prądowe w uzwojeniu pierwotnym transformatora na falowniku IRS2153

Efekt Millera nie zależy od przepływu prądu, jest rezultatem pojemności dren-bramka i zmiany napięcia dren-bramka (albo dren-źródło, bo przy dużych napięciach jest to prawie to samo) - zmiana napięcia oznacza zmianę ładunku i ten ładunek musi przepłynąć przez wyprowadzenie bramki. Może mieć znaczenie fakt, że pojemność zależy od napięcia - a konkretnie,...

Jak najprościej ubić FETa SiC - najczęstsze błędy projektowe

Pojawienie się tranzystorów MOSFET wykonanych z węglika krzemu (SiC) w różnych topologiach zaowocowało znaczną poprawą wydajności i sprawności urządzeń energetycznych. Jednak, jeśli nie są one aplikowane w układzie prawidłowo, inżynierowie mogą szybko poczuć się sfrustrowani awariami urządzeń. Awarie te nie są z reguły wewnętrznymi słabościami technologii...

Bistabilny półprzewodnikowy przycisk 12V 10A

A w jaki sposób szeregowy rezystor filtra RC między kondensatorem przy bramce w wyprowadzeniem NC przełącznika wpływa na upływność? Którego kondensatora? C1, czy może C2 ? Twój wcześniejszy post na nic nie wskazywał.. Pomiędzy bramką a stykiem przełącznika pewnie też przydałoby się dorzucić jakiś filtr RC, żeby odfiltrować drgania styków przy przełączaniu....

Tranzystor do pilota RC5. Jakie parametry są ważne?

Mosfeta nie trzeba karmić ciągłym prądem gdy jest otwarty - jemu trzeba tylko bramkę naładować... Mały mosfet będzie w tym zastosowaniu troszeczkę lepszy, aczkolwiek trzeba bardzo umiejętnie go dobrać (pod kątem pojemności bramki, ładunku bramki, prąd impulsowy dren-źródło, Rdson, Avalanche rating...), no i rezystor na jego bramce (tu przydałaby się...

Szczytowy prąd izolowanych sterowników bramki tranzystora

Jedno z często zadawanych pytań przy wyborze sterownika bramki dotyczy prądu szczytowego, jaki może dostarczyć dany układ. Prąd szczytowy jest jednym z najważniejszych parametrów w karcie katalogowej sterownika bramki tranzystora. Metryka ta jest generalnie traktowana jako podstawa dla szacowania siły sterowania bramki. Czas włączenia i wyłączenia tranzystora...

Dlaczego N-Mosfet IRF3711 Q2 nie przewodzi przy napięciu +9V na bazie Q1?

Odpada teoria uszkodzonych tranzystorów. Wymieniane kilka razy, mimo tego dalej jest jakiś chochlik.... Sprawdzane czy wymieniane, małe mofety taki jak BSS84 albo BSS123 są naprawdę wrażliwe na ładunki elektrostatyczne da się uszkodzić przez dotknięcie palcem. Dlaczego jako Q4 zastosowałeś tranzystor mocy? taka dziwna niekonsekwencja. cugi piszesz...

Parametry dławika DL3 i C15 oraz dobór 2.2uH w przetwornicy – testy przy 3.5A/7A

W kwestii formalnej: ładunek całkowity bramki nie zalezy w istotnym stopniu od prądu drenu. Przy szeregowym rezystorze 10 om prąd przeładowujący bramkę MOSFETa dość szybko maleje i w kluczowym momencie wynosi już tylko 0.5A. Dla 100 nC trzeba się liczyć z czasem przełączania rzędu 200 ns. Wydaje sie to dużo i rzeczywiście będzie to powodowało podgrzewanie...

Przetwornica, zamiennik tranzystora STK0765, jaka obudowa rezystora SMD ?

Bez sensu, chodzi o to żeby nie trafić na jakiś przestarzały tranzystor który będzie trudny do wysterowania, bo wymaga ponad 2x więcej niż oryginał. Ładunek bramki to lepiej to opisuje niż pojemności, pojemności nie da się porównać. Qg chcemy niższe, jak oryginalny tranzystor miał Qg 32nC a nowy ma 160nC to jest źle, ale jeśli ma 45nC to nie ma się...

Dlaczego BD135 nagrzewa się przy PWM 100 w sterowaniu wentylatorami?

Witam kolegów w rzeczonym temacie, Akurat dzisiaj przeglądając forum zobaczyłem, że męczycie się z tym sterowaniem trochę. Przerabiałem go kiedy projektowałem kiedyś ładowarki a później sterowniki do silników kołowrotka bramkowego. Temat trochę dawno zaczęty ale chciałbym dodać coś od siebie, co może się Wam bardzo przydać - teraz i w przyszłości. W...

Jak sterować IGBT IXYH30N450HV przy 3kV do rozłączania obwodu?

Witam wszystkich, pisze z prośbą o porady przy budowie układu rozłączającego obwód na tranzystorze IGBT. Powiem tak, jest urządzenie w którym jest zasilacz 3kV dc podłączony do komory z próżnią w której następuje jonizacja resztek gazu, lecz jest problem w sporadycznym przeskakiwaniu łuku pomiędzy elektrodą a elementem który jest w środku. Podczas pracy...

Finlux FI-64NTN11B Identyfikacja elementów SOT-23 1M i B97 (Q33S, Q23S)

(at)ElektrodaBot przeanalizuj datasheetsy i sprawdź czy 1M-BC848W NPN B97-2SB1197A PNP można je zastąpić: BC807 i BC817 Bezpośrednia odpowiedź – BC817-40 (NPN) może bezpiecznie zastąpić 1M-BC848W. – BC807 (PNP) nie powinien zastępować B97-2SB1197A – ma zbyt mały prąd i niższe napięcie. Poszukaj silniejszego tranzystora PNP w SOT-23/SOT-89 o Ic ≥ 1...

GaN napędza postęp w elektronice mocy

https://obrazki.elektroda.pl/7858620000_... Dzięki zastosowaniu azotku galu (GaN) w układach scalonych i tranzystorach, możliwe jest zbudowanie zasilaczy o wyższej wydajności niż w przypadku wykorzystywania tranzystorów opartych na krzemie. Moduły te zdolne są do dostarczania wyższego prądu przy użyciu mniejszej liczby komponentów,...

Kaskodowe układy GaN dla ładowarek do laptopów gamingowych

https://obrazki.elektroda.pl/7864816400_... Tranzystory SuperGaN firmy Transphorm zostały zaprojektowane w celu wzmocnienia tranzystorów mocy GaN do układów kaskodowych. Energoelektronika to szybko rozwijająca się dziedzina, kluczowa w wielu gałęziach przemysłu, od energii odnawialnej po pojazdy elektryczne. Do krytycznych elementów...

Budowa i projektowanie sterowników silników elektrycznych

https://obrazki.elektroda.pl/2536197300_... Silniki synchroniczne, a zwłaszcza silniki krokowe i silniki z magnesem stałym, coraz częściej stosuje się do sterowania w systemach, w których wymagana jest nie tylko precyzja, ale też wysoka wydajność i wyjątkowa sprawność energetyczna. Obecna technologia sterowania silnikiem obejmuje zastosowanie...

Spis elementów elektronicznych

Rezystory Rezystory nazywane są również opornikami. Służą one głównie do ustalania wartości natężeń prądu płynącego w obwodach elektrycznych lub napięć w poszczególnych punktach układu elektronicznego. Rezystor może mieć różną wartość rezystancji, którą mierzy się w omach (symbol W). Ten symbol na tej stronie jest pomijany. Często zastępuję go w następujący...

Izolacja cyfrowa w systemach motoryzacyjnych - co trzeba wiedzieć na start

Już wiele lat temu elektroniczne sterowanie silnikami elektrycznymi przekształciło samochody z systemów czysto mechanicznych w wyrafinowaną kombinację czujników, mikrokontrolerów i innej elektroniki. Projektanci branży motoryzacyjnej szybko przyjęli nową technologię i poszerzyli swoją wiedzę z zakresu elektroniki. Wraz z pojawieniem się pojazdów elektrycznych...

Jak czytać karty katalogowe MOSFETów - część 5

Witam w kolejnej, piątej, części cyklu dotyczącej analizowania kart katalogowych tranzystorów MOSFET. W http://obrazki.elektroda.pl/6976328700_1... Rys.1. Pomiar ładunku Qrr i QOSS dla tranzystora CSD18531Q5A przy dI/dt równym 360 A/µs (po lewej) i 2000 A/µs (po prawej). Qrr może zależeć silnie od prądu diody w kierunku przewodzenia...