Jest kwestia, czy układ może sterować nowy tranzystor - istotnymi parametrami mogą być: napięcie bramki potrzebne do włączenia, pojemność bramki, ładunek bramki...
Te tranzystory mają mniejszy ładunek bramki od IRFZ44 - nie musisz się niczym martwić.
Straty w układzie gasikowym są proporcjonalne do kwadratu napięcia, więc to kwestia, jakie napięcie chcesz wytwarzać. Szybkość przełączania - trzeba by sprawdzić w notach katalogowych ładunek bramki, prąd wyjścia NE555...
Dla przykladu: https://www.tme.eu/pl/details/std60nf06t... Większy ładunek bramki, ale w tym zastosowaniu nie powinno to robić problemu.
Można oszacować, że moc_strat nie jest większa, niż częstotliwość x (czas_włączania + czas_wyłączania) x maksymalny_prąd x maksymalne_napięcie (na czasy włączania i wyłączania wpływa ładunek bramki). Dla obciążenia rezystancyjnego powinna być 6x mniejsza, bo największa jest 4x mniejsza, niż iloczyn maksymalnego prądu i maksymalnego napięcia, a średnia...
Nie sądzę by rezystor bramka - źródło mógł cokolwiek zmienić. Przecież jest tam układ wtórnika emiterowego (patrz #7; R17 i 2N5401), którego rolą jest rozładowywanie ładunku bramki.
(at)78db78 A Ty widzisz, że autor ma na płytce model SMD, a nie THT? To patrz co wysyłasz. Standardowo, zamienników jest masa - setki jak nie tysiące. Patrz na model obudowy, prąd i napięcie jak i to, by całkowity ładunek bramki był podobny co oryginał.
tak P-MOSFET Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło -30V Prąd drenu -4,3A Moc rozpraszana 1,4W Obudowa SOT23 Napięcie bramka-źródło ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia 48mΩ Montaż SMD Ładunek bramki 4,6nC Rodzaj kanału wzbogacany
Pojemność wejściowa MOSFETa bardzo zależy od napięcia i nie bardzo da się cokolwiek policzyć z katalogowej wartości Cgs, dlatego w katalogu podają ładunek bramki i charakterystykę tego ładunku w funkcji napięcia. Jak policzysz czas ładowania Cgs to w rzeczywistym układzie zaobserwujesz że ładowanie będzie trwało kilkukrotnie dłużej, także nawet do zgrubnego...
Silnik podłączył bym pod Mosfet IRLZ44N, ale czytałem, że nie jest to do końca dobre rozwiązanie, ponieważ może dojść do odkładania ładunków na bramce, co w dalszym etapie może spowodować spalenie kontrolera. Odkładanie ładunków na bramce? coś pokręciłeś, albo odkryłeś zakamarki internetu z największymi bzdurami. Obwód bramki zachowuje się jak kondensator...
Jak dasz lepszy tranzystor to jedynie trudniej go będzie spalić. Trudniej będzie go też przełączyć, ma wyższe napięcie progowe oraz większy ładunek bramki, jeśli układ sterujacy daje 5V to buz 12 nie załączy sie całkowicie, przy niezmienionej wydajnoci prądowej drivera BUZ12 będzie sie przełaczał 10x wolniej.
Katalogowe Vds to napięcie przebicia, nie pracy, więc zapas musi być, przy zasilaniu 60V dał bym min 100V, rezystancję Rdson tak żeby była znacząco mniejsza powiedzmy 50%, wpisując >100V i <22mOm wyszukiwarka TME znalazła mi IXFH110N15T2 (150V 13mOm) za ~25zł (słabsze były droższe, więc bez sensu) Rdson to 24% tego co było więc powinno wydzielić...
Witam Nie ma sensu ładować w niego więcej jak 10V na bramkę do pełnego otwarcia , a jeśli już chcesz to ładunek rośnie liniowo od napięcia na bramce, więc przy tym napięciu będzie około 35nC pozdrawiam
Ok dzięki za odpowiedz, mam jeszcze pytaníe czy najlepiej przeładować ładunek bramki mosfeta rzędu 300-400 nC? czy może wtórnik tranzystorowy, czy dedykowany driver mosfetów? A z jaką szybkością chcesz to przeładowywać i jak często? Przykładowo przy 12V i 50kHz na samo sterowanie bramki będzie potrzeba prawie 3W mocy. A żeby przełączyć w 100ns potrzeba...
Twoje tranzystory mają 2.26 razy wyższy ładunek bramki, ale za to przetwornica pracuje na 2,25 razy niższej częstotliwości, niz przykładowa w nocie katalogowej, wiec wyjdzie prawie na to samo, w przypadku mocy strat na LT3741. Oczywiście przy mniejszej częstotliwości musisz na nowo przeliczyć dławik (wzór w nocie). Ze wzoru na P-loss górnego mosfeta...
Dobrze byłoby przeliczyć czas rozładowania bramki i ile ciepła się przez ten czas wydzieli w tranzystorze. Według noty katalogowej ładunek bramki jest 180nC, przy 2V na bramce jest już właściwie wyłączony, powyżej 10V jest włączony; średni prąd rozładowania pewnie będzie między 0,5mA, a 1mA, i dla 0,5mA potrwa to 360µs; maksymalna moc tracona w tranzystorze...
W tme można znaleźć następujące: Niektóre z nich trudno nazwać zamiennikami - np. zalecany STF42N65M5 ma dwukrotnie większy ładunek bramki Qg. Zdecydowanie lepszymi zamiennikami będą: STF35N60DM2 https://www.tme.eu/Document/d0a853a96163... https://www.tme.eu/pl/details/stf35n60dm...
Policzenie tego nie jest takie proste. Po pierwsze w swoich obliczeniach pomijasz napięcie nasycenia tranzystorów bipolarnych. Po drugie straty na MOSFEcie musisz rozbić na co najmniej dwie komponenty - pierwsza w miarę prosta to uwzględnienie zmieniającego się RDS podczas otwierania/zamykania tranzystora, to zależy od prędkości drivera. Rezystancje...
STW45NM60 http://pdf.datasheetcatalog.com/datashee... SPW47N60 http://www.datasheetarchive.com/dlmain/D... Nie wiadomo czy możesz go nim zastąpić, gdyż SPW ma niższe Vgsth (2,1-3,9V wobec 3-5V STW), oraz jest duża różnica w Qg (ładunek bramki) - SPW ma 252nC wobec 96nC dla STW. Generalnie - SPW to tranzystor...
Co mogło być przyczyną zwarcia ? Trudno powiedzieć, we flybackach czasem padają, warunki pracy mają trudne. Przetwornica zasilana jest przez aktywny filtr PFC. Aktywne PFC to przetwornica boost, nie filtr. Czyli lepiej zastosować tranzystor WML13N80M3-CYG, ewentualnie 11N80, lub inny zamiennik o wyższym napięciu i prądzie ? Katalogowy prąd MOSFETa...
A po co zwierać cokolwiek? Tranzystory mosfet sprawdza się banalnie prosto za pomocą zwykłego multimetru z testem diody (można też omomierzem). Wystarczy podać napięcie polaryzujące pomiędzy G i S, a następnie sprawdzić, czy jest przejście pomiędzy D i S. Pełnego przejścia (0R) nie będzie bo za małe napięcie polaryzujące, ale będzie kilkadziesiąt/kilkaset...
Panowie, Jeszcze jedna bardzo ważna uwaga do tematu naprawy tych spawarek. Mianowicie przy doborze zamiennika tranzystora w przetwornicy bardzo ważny jest parametr ładunku całkowitego bramki Qg oraz napięcie przełączania bramki VGS(th). Zwłaszcza to napięcie jest w tym układzie bardzo istotne i użycie tranzystora ze zbyt wysokim napięciem VGS(th) skutkuje...
W skrócie: decydujący jest ładunek Qgd z prądu bramki i ładunku wyliczysz czas, ponieważ napięcie na bramce jest prawie stałe podczas przeładowywania pojemności Cgs (tzw Miller plateau) prąd też sie łatwo liczy. Dokładne inforamcje znajdziesz w notach aplikacyjnych MOSFETów, np slup169.pdf Zacznij od szukania tranzystora o małym ładunku Qgd, nie warto...
Odbiegacie od tematu, bramka tranzystora to nie kondensator, pojemności bramki są dwie i do tego zmienne i nie ma żadnej krzywej wykładniczej, biorąc do obliczeń Ciss i traktując jak kondensator wyjdzie wartość kilkukrotnie za mała. To już lepsze przybliżenie daje jeśli do obliczeń weźmiemy ładunek bramki Qg. Zależy też co będziemy traktowali za stan...
Górne MOSFET-y podłączyłeś jakoś dziwnie - trzeba źródło do +zasilania (to ma być P-MOSFET), diodę Zenera między bramką, a źródłem. Być może dałoby się sterować górne MOSFET-y z dolnych, oszczędzając dwa transoptory. A transoptory nie muszą byś wysokonapięciowe, skoro napięcia na bramkach są niskie - tylko trzeba je inaczej podłączyć, między bramkę,...
A jeśli pozwolisz, że spytam poza tematem, który parametr tranzystora przystosowanego do pracy liniowej podany w karcie katalogowej odpowiada za "Możliwość jego pracy przy częstotliwości 100kHz" i nagłej pracy liniowej ? MOSFETy da się bardzo szybko przełączać, ale im wyższa częstotliwość tym większych prądów bramki potrzeba, pewnym ograniczeniem jest...
Przy niewielkim prądzie bramki (rzędu 10mA, skoro sterowanie jest z GPIO poprzez opornik 200Ω) czas włączania/wyłączania będzie rzędu kilku mikrosekund (to jeszcze zależy od ładunku bramki). A zapewne warto wyłączyć jednego MOSFET-a, zanim zacznie przewodzić drugi - inaczej powstaje zwarcie (do tego, wyłączanie bywa wolniejsze od włączania - czyli jeśli...
Może nie w kraju, ale też nie w chinach https://www.mouser.pl/ProductDetail/Infi... Wyszukiwarka TME znalazła 48 pozycji (w zakresie parametrów które były by akceptowalne) wszystkie ze stanem magazynowym 0. Trzeba znaleźć coś co będzie w tej samej obudowie PG-TDSON-8 i spełnia podstawowe...
2x6zw po 30 drutów da ci w najgorszym wypadku 300W przy 5A/mm2. Jeśli już nawijasz na rdzeniu od TV to dobrze będzie owinąć pierwotne na całej długości rdzenia. Ja steruję 3 x IRFZ44N przy pomocy jednego wtórnika emiterowego na BD135/136, a to prawie tak jakbym sterowal wtórnikiem BD139/140. Częstotliwość 45kHz i prąd spoczynkowy 130mA (bez stabilizacji)....
Driver MOSFET jako osobny układ komplikuje schemat i utrudnia sterowanie, nie rozumiem po co używać drivera MOSFET skoro Arduino ma wbudowaną funkcję PWM. MOSFET a raczej kilka MOSFETów które będzie przełączać 100A ma duży ładunek bramki, a procesor ma małą wydajność prądową i niskie napiecie wyjściowe, przez co czas przełaczania będzie długi. Jakbyć...
Ja to bym wysokonapieciowe źródło prądowe robił albo na szeregu MOSFETów połaczonych szeregowo, albo poprzez regulację napiecia zasilającego przetwornicę wysokonapięciową, w pętli sprzężenia zwrotnego sterowanej napieciem na boczniku. http://obrazki.elektroda.pl/4731214100_1... V1 to źródło wysokiego napiecia, V3 sterowanie prądem R8...
Z charakterystyki ładunku bramki (po prawej) https://obrazki.elektroda.pl/9407598200_... Po lewej widać że są pojemności jak widać nieliniowe, więc nie można po prostu odczytać pojemności z tabelki i wstawić do wzoru. 25 Ohm. A napięcie bramki?
Oczywiście,że można i tak byłoby najlepiej. Jednak układ IR2153 ma nieokreśloną, a na pewno bardzo małą wydajność wyjść sterujących. Poprawne wysterowanie mosfeta wymaga dostatecznie szybkiego doprowadzenia i odprowadzenia ładunku bramki. Starsze i zazwyczaj łatwiej dostępne mosfety mają duże ładunki bramki np. IRFP460 - Qg ponad 200nC. Przeładowanie...
Korzystanie z katalogowej pojemności początkujących wprowadzi w błąd, bo pojemność jest nieliniowa, pojemność podają 3,4 nF. A ładunek bramki wygląda tak: https://obrazki.elektroda.pl/8843298200_... Dla 10 V mamy 120 nC, czyli tyle, ile zgromadzi kondensator 12 nF. 120 nC to wartość typowa, 180 nC to wartość maksymalna z katalogu.
Ten rezystor jest po to by po puszczeniu przycisku rozładować bramkę aby tranzystor przestał przewodzić. Bez niego może zacząć sam przewodzić ( z powodu ładunku zgromadzonego na bramce) , lub przewodzic częściowo i się spalić. Nawet jeśli naładujesz bramkę to dzięki temu rezystorowi po zdjęciu z niej napięcia bramka się rozładuje i tranzystor przestanie...
Połącz bramkę ze źródłem jakimś opornikiem (1k?), który rozładuje pojemność bramka-źródło po ustaniu sygnału z transformatora. Teraz masz tak, że podwajacz ładuje bramkę ładunkiem, który nie zanika po wyłączeniu pobudzenia. Czas zaniku T= 2,2*R*C bramki .
SR? Slew Rate - szybkość narastania. W przeciętnych wzmacniaczach 1V/us, czyli 20V to 20us a driver przełącza <100ns czyli kilkaset razy szybciej. Po co mi wydajność prądowa? MOSFET ma pojemność wejściową, żeby zmieniać napięcie na "kondensatorze" musi popłynąć prąd, tym większy im szybciej chcemy to zrobić. Zamiast podawać pojemność w nanofaradach...
Może taki: http://www.oucansemi.com/product/pics/20... https://www.impelshop.com/?item=12428 Niestety mimo podobnego oznaczenia ma trochę inne parametry. Np. prawie 2 razy większy ładunek bramki. Musisz zdecydować na podstawie aplikacji czy taki zamiennik o większym ładunku bramki się na da czy nie. Z ciekawości sprawdziłem kilka tranzystorów...
Jakikolwiek Mosfet na 800C i ładunkiem bramki max powiedzmy 8nC. Ten ma marne 0,1A, bez problemu możesz zastosować coś o większym prądzie. Podobnie Rds(on) - tutaj tragicznie wysoki. Możesz dać coś o dowolnie niższym.
Nie zgodzę się. One są wręcz konieczne, tyle, że nie o wartości 1k... Bez nich, tranzystory zaczną szaleć nawet od zbliżenia palca do układu, gdy procesor będzie nieobecny, uszkodzony lub w resecie. Rezystor 100R ograniczy prąd bramki do max 50mA, co jest zupełnie bezpieczne dla mikrokontrolera. Impressed...;] Jeśli to tylko ma być sterowanie kolejnymi...
Nie wiem czym steruje, w jakim układzie pracuje, także trudno określić. Jedyną wątpliwą różnicą jest to, że zamiennik ma dwukrotnie wyższy całkowity ładunek bramki. On nadal jest stosunkowo niski, ale jest dwukrotnie wyższy niż oryginał. Jak to wpłynie na obwód? Nie mam pojęcia. Krótkoterminowo wydaje mi się, że się nie spali, jedynie będzie się mocniej...
Taki "zapas" kilkaset % napięcia Uds jest raczej przypadkowy. Trudno wymagać od producenta dysku aby szukał tranzystorów na np. 24V (100% zapasu) czy 15V. Obecne MOSFET-y rzadko kiedy produkuje się z Uds max=20V, najczęściej jest to ok. 40-60V, ten parametr nie jest tu problemem w doborze odpowiedniego typu, dopiero dla napięć zasilania kilkaset V to...
Zacznij od analizy projektów które mają zbliżony rząd wielkości czasów narastania, stosowane półprzewodniki, layout, problemy konstrukcyjne. Poczytaj noty aplikacyjne MOSFETów, driverów do nich: https://www.ixys.com/Documents/AppNotes/... https://ixapps.ixys.com/Datasheet/deic42... Jest tego więcej, był projekt referencyjny drivera MOSFETów na...
Ładunek całkowity jest sumą ładunku 'pochłonietego' przez pojemność G-S oraz ładunku jaki trzeba w bramkę wpompować, żeby 'przełamać' efekt Millera. Wartość ładunku całkowitego jest oczywiście zależna od napięcia Ugs i zależność można odczytać z wykresu w PDFie. W tabelce z danymi zazwyczaj podaje się typowe wartości. Co do scalonych droverów - zazwyczaj...
spróbuję podnieść napięcie do 15V, chociaż w schematach otwarcie bramki widziałem od 10 do 18V i wydawało mi się, że 12V wystarczy. Sprawdź w DS tranzystora, czasem wystarczy nawet mniej, tylko patrz na wartości gwarantowane nie na typowe. jarek_lnx powiedz proszę o co chodzi z ładunkiem na bramce. Ładunek bramki masz w DS, to jest ładunek jaki musi...
Dysk wyjmowany z sejfu tylko na czas archiwizacji. I to był klucz do sprawy. SSD w ramach zastosowanych kości FLASH, przechowują dane w ładunku bramki tranzystora. Problem polega na tym, że dane raz na jakiś czas, wypadałoby odświeżyć bo ładunek się rozładowuje. Trochę się zaniepokoiłem. Mam dysk na którym są dane. Dysk odłączony i schowany do metalowego...
Całkowity ładunek bramki około 10nC, napięcie progowe około 1V - z opornikiem bramka-źródło 1k wyłączanie potrwa 10 nC * 1 kΩ / 1 V=10 us. I im większy będzie ten opór, tym wyłączanie będzie wolniejsze; ale jeśli będzie on mały, to będzie potrzebny spory prąd płynący przez tranzystor transoptora - jaki on ma gwarantowany CTR (PC817 jest robiony...
Za 20N60C3 może podejść IPA65R150CFD, ma dość zbliżone parametry (trochę większe Vgth, trochę większe Rg, ale ładunek bramki podobny, Rdson lepsze, Ear podobne, Ciss podobne, dv/dt takie samo ...) Co do IGBT to na szybko na TME nie znalazłem direct replacement, większość o podobnych parametrach ma wbudowaną diodę, może być to przeszkoda w zależności...
Mi znalazło DPAK, więc będziesz musiał poszukać w TO220, korzystałem z wyszukiwarki na TME, ważne parametry to napięcie Vdss, nie może być niższe, rezystancja w stanie włączenia Rds(on) nie powinna być wyższa i ładunek bramki Qg nie powinien być wyższy.
Czyli układ lustra (4 tranzystory) jest szybszy od pojedynczego (w sumie 2-3 tranzystory) tranzystora sterującego? Z dwóch powodów: (1) w układzie z lustrem do zmiany ładunku bramki przyczyniają się zmiany prądów dwóch tranzystorów; (2) część sygnału zamiast przez układ wspólnego emitera (który jest wyjątkowo wolny) jest wzmacniana przez kombinację...
Witam, Witam Jestem w trakcie naprawiania zasilacza komputerowego. uszkodzeniu uległ jeden z pracujących równolegle tranzystorów po stronie pierwotnej tj. SPP16N50C3. Tranzystor podmieniłem na irfp 460A w celu uruchomienia zasilacza. Zasilacz wstał i działa. irfp 460A jest na mniejsze napięcie i chce go wymienić na SPP20N60S5 N-MOSFET 600V 20A 208W...
Jeśli firma i rzeczy tajne to musi Tobie wystarczyć stwierdzenie że z wzrostem napięcia na Vds wzrasta ilość ładunku jaki trzeba dostarczyć do bramki.
Napięcie 15V jest w sam raz, ale ładunek bramki podany w [url=https://www.semikron-danfoss.com/dl... katalogowej to 650nC (typowo, zobacz Fig.6). A osobna sprawa: zasilacz ma utrzymywać naładowany kondensator, i to z tego kondensatora ma być prąd bramki - przecież ten prąd...
najwięcej miejsca pochłaniają bloki pamięci, często nawet więcej niż 50% Miejsca tak, tranzystorów nie. Czy szybkość procesora (liczona w Mhz) wynika z liczby tranzystorów Nie. Prędkość taktowania zależy od konkretnej implementacji danej architektury oraz możliwości pojedynczego tranzystora w danym procesie technologicznym. Zazwyczaj mniejszy tranzystor...
TC4422 na pewno da radę, u mnie pracował co prawda przeładowując o 30% mniejszy ładunek bramki, ale z częstotliwością ponad 3MHz , dając czasy narastania i opadania 10ns, jedyna wada tego układu to że grzeje się od prądów skrośnych, używałem wersji w TO-220 wiec nie miało to znaczenia, ale ty masz niższą częstotliwość.
IRLML2505 ma mały ładunek bramki (12nC) ATMEGA zasilana z 5V ma rezystancję wyjściową ok 25Ω więc bez problemu przeładuje bramkę w czasie <1µs . Nie podłączaj tam kondensatorów. Podłączenie tam takiego "wzmacniacza" na BC547 stanie statycznym zapewnia potrzebne BUZ11 wyższe napięcie na bramce, ale rezystancja wyjściowa w stanie wysokim...
Posługiwanie się pojemnością daje kilkukrotnie zaniżone rezultaty, lepiej liczyć z ładunku bramki który dla tego tranzystora wynosi do 43nC przy 10V taki ładunek zgromadził by kondensator 4,3nF Jeśli nie, to czy za wartość prądu należy przyjąć obliczone 200 µA czy jest jeszcze inny sposób na jego określenie? W liczone z ładunku wychodzi bliżej...
Przecież ten npn ładuje bramkę MOSFET-P a nie rozładowuje jej ! Coś tu kolega znowu ostro pokręcił. Moim zdaniem jeśli producent deklaruje, że tranzystor jest do 0,2A to powinien używać wykresów do tej wartości. A to niby dlaczego? Niechże kolega zrozumie, że producent gwarantuje iż tranzystor wytrzyma Ic=200mA ale nie gwarantuje żadnych innych parametrów...
Bootstrap nie może być tutaj zrealizowany z fizycznego powodu - nie ma tutaj klucza na pływającym potencjale ;) Co do charge pump to jest problem w tym, że one dużo mocy nie dostarczają, a o dziwo przeładowanie bramki mosfet trochę tej mocy pochłania. Q * U * f = P_w Czyli dla STD10NM60 gdzie przy napięciu 5V ładunek na bramce to około 15nC a częstotliwość...
Jaki zamiennik polecacie zamiast YGW40N65F1 ? coś ogólnodostępnego . Część pochodzi z invertera hybrydowego. Typ: IGBT Typ kanału IGBT: N Maksymalne rozpraszanie mocy (Pc), W: 188 Maksymalne napięcie kolektor-emiter |Vce|, V: 650 Maksymalne napięcie bramka-emiter |Vge|, V: 20 Maksymalny prąd kolektora |Ic| (at)25℃, A: 80 Napięcie nasycenia kolektor-emiter...
Sprawdza się całkiem inaczej niż bipolarne: Pomiędzy bramką i źródłem powinna być przerwa w obie strony, następnie zewrzyj te końcówki razem (żeby usunąć ewentualny ładunek bramki) i sprawdź przejście do drenu. W jedną tronę powinno być (wbudowana dioda)
Witam! Mam potrójny półmostek sterowany driverami IR2184. One mają swoją określoną wydajnośc prądową na wyjściu. A tranzystory mają swój ładunek bramki. A kontroler driverów ma swoją częstotliwość w której strzela impulsami. Jak, mając te dane(częstotliwość, ładunek bramki, wydajność prądowa drivera), obliczyć jak bardzo drivery IR są obciążone? Chciałbym...
Kolego jarek_lnx, dziękuję za schemat, na pewno go wypróbuję. A co w tym schemacie przeszkadza, aby całość pracowała na wyższych częstotliwościach? Tranzystory sterujące nie wyrobią tempa? Ładunek bramek P-MOSFET'ów musiał by sie rozładowywać przez rezystor 1kΩ przy 97nC wyłączanie tranzystora będzie trwało ponad 10us w stosunku do okresu 50us...
Witam, sens właściwy, ponieważ przy obciążeniu czynno-indukcyjnym prąd w obwodzie anodowym triaka nie narasta skokowo, tylko ekspotencjalnie od zera i potrzeba pewnego czasu by osiągnął wartość prądu trzymania (parametr zależny od modelu triaka), a załączenie (przewodzenie) triaka natychmiast wyłącza prąd jego bramki, więc dlatego ten kondensator (ładunek...
Mogą być IRF840 - mają większy ładunek bramki: 63 vs. 24 nC.
Co do dławika, co powiecie o DTMSS-20/0.010/20-V? Z tego ci piszą w nocie, on pracuje do 300kHz, więc gdybym ograniczył częstotliwość pracy do np 250kHz, myślę że byłoby w porządku. Jeśli chodzi MOSFET-a, jak rozumiem, powinienem szukać jakiegoś z jak najniższym ładunkiem bramki? (oczywiście oprócz innych parametrów jak napięcie czy prąd). Taki na przykład...
Czasem w notach katalogowych jest wykres zależności napięcia bramki od ładunku. Kiedy napięcie bramki przekracza granicę włączenia/wyłączenia tranzystora, pozostaje prawie stałe, a ładunek się zmienia - można odczytać, o ile się zmienia. Ten ładunek pomnożony przez wartość opornika i podzielony przez napięcie na tym oporniku daje czas potrzebny na przeładowanie...
W sieci można znaleźć projekty SSTC pracującej na 4MHz może niektóre rozwiązania ci pomogą - są tam drivery z transformatorami, tyle że pracujące w rezonansie. Transformatory na taką częstotliwość nie są niczym niezwykłym, przynajmniej w sprzęcie radiowym, na rdzeń trzeba wybrać materiał który się nadaje do pracy z takimi częstotliwościami, ilość zwojów...
R13 powinien być znacznie większy - może np. 3k9 zamiast 47r; może R14 nieco mniejszy (nie 47k, a 10k); przy proponowanych wartościach w każdym wydzieli się około 0,16W, więc mogą być 0,25W. Co do czasu otwierania/zamykania MOSFET-a: przy zamykaniu ten kondensator niewiele pomaga (a ono trwa kilka razy dłużej, będzie szybsze, jak zmniejszysz R14, ale...
Mosfet trochę się grzeje. Prawdopodobnie wynika to z jego niecałkowitego otwarcia w określonych warunkach. Najpewniej. Jeśli to tranzystor STW45NM60 jak na schemacie, to on ma bardzo dużą pojemność bramki, dodatkowo z datasheet widać, że do pełnego otwarcia wymaga ponad 9V. Jego trzeba sterować układem push-pull. Wówczas szybko doprowadzi i odprowadzi...
tranzystory których używam zapewne maja dość znaczna pojemność bramki Zapewne? Nie sprawdziłeś w nocie katalogowej? To jest opisane - istotny jest zwłaszcza "Total Gate Charge" - to jest ładunek, który trzeba zabrać z bramki, żeby od stanu włączenia przejść do stanu wyłączenia (albo odwrotnie); czas wyłączania = ten ładunek / prąd drivera; zwykle główna...
MDU1511 jest na takie samo napięcie, ma trochę lepszy Rds(on), oba są logic-level, natomiast MDU1511 ma większy ładunek bramki Qg, w przetwornicach o wysokich częstotliwościach może to robić różnicę, ale nie nie spodziewał bym się że nie będzie działać raczej może się bardziej grzać. W wielofazowych przetwornicach jeśli takie są zalecał bym używać tych...
Dla kolegi z Oławy mogę w skrócie napisać jeszcze raz:) Przechowywanie danych w układach flashowych polega na przechowywaniu określonych ładunków elektrycznych w bramkach pływających tranzystorów. Taka bramka jest odseparowanym elektrycznie obszarem zdolnym do utrzymywania ładunku także po odłączeniu zasilania. Zapis i kasowanie wymagają pokonania przez...
Może i wprowadzili wcześniej ale pewnie dopiero teraz mają jakieś stany magazynowe więc się chwalą, a nie jak niektórzy co to "wprowadzają" nowy super mega produkt i w sumie to by człowiek nawet zastosował, tyle że sampli nie ma i nie wiadomo kiedy będą a dostępność na koniec 2023 albo i lepiej. W sumie ciekawe te tranzystory głównie ze względu na prędkość...
1) Sterownik IR2184 bardzo się grzeje. Ponieważ "włączając" MOSFET'a trzeba dostarczyć do bramki pewien ładunek (który płynie przez driver). Aby "wyłączyć" następuje ten sam proces, tylko w drugą stronę, driver rozładowuje bramkę MOSFET'a. Im większa częstotliwość, tym więcej takich cykli czyli więcej strat. Jak wyliczać moc strat dynamicznych MOSFET'ów...
Tak naprawdę ... wyobraź sobie, że nawet jeśli T2 się nie otworzy, to co się dzieje z jego złączem B-E, które jest diodą? - jest spolaryzowana tak, że wraz z R3 rozładują bramkę T4 wyłączając go. Prąd bazy (i emitera) T2 popłynie dotąd, dopóki ładunek bramki T4 będzie istniał. Ten dodatkowy opornik nic albo niewiele zmieni.
Żarówka.. Dobrze znosi nawet regulację fazową z racji dużej bezwładności A gdzie oscylogram przebiegu załączenia? Ale to był test na udowodnienie odpowiednio długiego czasu utrzymania ładunku bramki tranzystora, który podważa twoją teorię konieczności stosowania kondensatora pomiędzy G i S celem wykluczenia zjawiska mikro-stykowego. :) (mowa o poście...
[url=http://www.tme.eu/pl/details/ipa65r... jest dostępny ale ma większy ładunek bramki.
Można je tam umieścić lecz spowoduje to dłuższe ładowanie bramki. Wydaje mi się, że w przypadku tranzystorów jakie ja zastosowałem ładunki bramek są na tyle małe, że brak tych rezystorów nie jest niezbędny do poprawnego działania.
Niby znalazłem zamiennik. Irf albo irfp 460. Coś tak jakoś. Jednak wyczytałem tu na forum że on się w spawarkach nie sprawdza, przypuszczalnie znaczenie ma ładunek bramki mimo że pozostałe parametry są nawet nieco lepsze. Pogrzebałem nieco w tme i wynalazłem jakiś 20n60. Po całe 8 złociszy za sztukę. Wstawię, zobaczymy. Jak nie to spawarka w złom i...
W tym układzie można oczekiwać prądu rozładowania bramki ograniczonego do około 0,5 mA (prąd ładowania może przekroczyć 1mA); jak to się ma do ładunku bramki dla użytych tranzystorów, ile czasu trzeba, by ją rozładować? Może zamiast 10k i 30k wypadałoby dać mniejsze oporniki?
Problemem jest to, że włączenie dolnego tranzystora zwiększa napięcie na tym górnym, który jest wyłączony - w rezultacie ładunek pojemności kolektor-baza (bądź dren-bramka dla MOSFET-a) zostaje podany na bazę (bramkę) i włącza ten tranzystor. Można te tranzystory oddzielić diodami, wstawiając diodę między emiter (źródło dla MOSFET-a) każdego górnego...
Dobiera się to w zależności od pojemności/ładunku bramki (różnie producenci MOSów mogą różnie to podawać) i spodziewanego czas otwarcia tranzystora, w skrócie: im większa pojemność tym wiekszym prądem trzeba "przywalić" że ją załadować/rozładować, ergo aby MOS otworzył się/zamknął. W skrócie: im szybciej tym lepiej, ale strome zbocza prostokąta=dużo...
Witaj! D712-EX0419=Dioda Zenera 15V w bramce Q701-2SK2605 zabezpieczająca przed ładunkami.
a mógłbym dać np 1 m ohm Przy rezystorze 1M Ohm czas rozładowania ładunku bramki zajął by na tyle dużo czasu, że byłoby to widzialne gołym okiem.
(at)wojtek 9007 Układ ze schematu na wstępie jest zupełną bzdurą. Wzbudzenie oscylacji w tym układzie ma opierać się na wzajemnej pojemności cewek, a to wartość kompletnie nieznana, czyli układ jest czystą fantazją. Ten schemat zresztą niedawno był na Forum omawiany. Jest jeszcze "ciekawiej" - uzwojenie wtórne tworzy układ rezonansowy (jego indukcyjność...
michałko12: "Ładunek z bramki podczas wyłączania odpłynie przez diodę!" Możesz mi to wytłumaczyć? Ładunek zgromadzony na bramce Mosfeta P ma potencjał ujemny względem źródła. To jak odpłynie przez diodę spolaryzowaną zaporowo?
Konstrukcja SSD do złudzenia przypomina konstrukcję dawnych pamięci ferrytowych, tyle że tutaj mamy zachowanie ładunku elektrycznego bramki FET, a tam było zachowanie pola magnetycznego na ferrytowym koraliku. :D
Tak w skrócie to rodzaj bramki w tranzystorze mos, która jest elektrycznie odizolowana i stan tranzystora zalezy od przechowywanego w bramce ładunku. Wykorzystywana jest w pamięciach reprogramowalnych.
Całkowity ładunek bramki wynosi znacznie więcej niż 9,9nC. Wartość całkowitego ładunku można odczytać z wykresu 6: Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage i wynosi około 25nC, ale można przyjąć do obliczeń 17,5nC gdyż do tego momentu występują największe straty związane z przełączaniem.
Dobra - zaczynamy od początku: Parametry tranzystorów: - Uds - zależnie od układu ale najczęściej co najmnie 2 * max napięcie zasilania + rezerwa na przepięcia, - Id - zdecydowanie trzeba patrzeć na charakterystyki pilnując, żeby przy dostępnym napięciu zasilania osiągnąć wystarczające napięcie Ugs tak, aby tranzystor nie pracował na 'wypłaszczonej'...
1N4007 raczej jest za wolna, użyj UF4007. Poza tym wyłączanie MOSFET-a może trochę potrwać - jaki on ma ładunek bramki? Niestety w nocie katalogowej na Elenota.pl brak parametru "Total Gate Charge" dla BUZ10 i nie ma BUZ103S (jest dla BUZ102S - typowa 45nC, maksymalna 70nC, przy napięciu drenu 40V); dla BUZ10 podają parametry szybkości przełączania...
Hmm ciekawe, a jakie to mosfety? Być może mają bardzo mały ładunek bramki. Jaką wartość mają rezystory bramkowe? Jaka jest sprawność przetwornicy? W jaki sposób został zrealizowany pomiar mocy? Jest mierzona na wejściu moc prądu stałego czy może na wyjściu przemiennego?
Chyba zrobię o co potrzebuje na przekaźnikach bez pwm bo chyba za trudne to jest. Trudne to nie jest, tylko google zwraca kiepskie rezultaty przy wyszukiwaniu, ktoś nie doczytał zrobił schemat, google nie wie czy dobry czy zły. Ale jak zajrzysz do not aplikacyjnych producentów MOSFETów to są tam poprawne schematy. Przykłady na elementach dyskretnych:...
Sprawdziłem pojemność tej diody na szybko mostkiem LCR i wskazuje nieprawdopodobny wynik bo aż 11uF dla sinusa 1kHz i bez polaryzacji napięcia DC. Dla porównania także tym mostkiem wskazanie dla bardzo szybkiej diody Schottky’ego ma pojemność 7nF. Przeprowadziłem badanie charakterystyk dynamicznych dla obydwu tych diod i są porównywalne, zwłaszcza...
Irfp460 mają o wiele większy ładunek bramki od tych przewidzianych i w tym przypadku mogą się grzać, nawet ulec uszkodzeniu. Częstotliwość jest znaczna. Nie wiem, czy opłaca się kombinować, trochę dużo tych tranzystorów i w razie niepowodzenia zamiany, oszczedność bierze w "łeb".
Diody pełnią funcję ochronną bramki tranzystora mosfet od ładunków elektrostatycznych i nadmiernym napięciem wejściowym (obcinacz napięcia) tzn. chronią bramkę TR przed przebiciem. Niektóre mosfety mają takie diody zintegrowane w swojej strukturze. Można wykorzystać dowolne krzemowe diody impulsowe - tak jak napisał Kolega wyżej, oprócz tego jescze...
Niestety po ponad dwóch miesiącach użytkowania, wystąpiła taka sama awaria. Tranzystor zwarty ;(. Proszę o pomoc w dobraniu zamiennika tranzystora IGBT FGH30S130P np z tme bądź ofertę zakupu używanego oryginału (poprzedzi IGBT był zakupiony na allegro). Dane techniczne tranzystora: Napięcie kolektor-emiter: 1,3kV Prąd kolektora: 30A Moc rozpraszana:...
Jest coś takiego jak pojemności bramki z tym że nie jest ona stała w funkcji napięcia tj. nie ma liniowej zależności pomiędzy zgromadzonym ładunkiem a napięciem bramki.
A czy rozładowałeś przed pomiarem bramkę? W tranzystorze MOS nawet szybkim ruchem możesz wzbudzić potencjał na bramce względem źródła. Nie mam teraz możliwości sprawdzenia, ale z niedawnych pomiarów pamiętam, że wystarczyło na chwilę podłączyć sondy miernika ([+] do G i [-] do S), po czym miernik wykazywał zwarcie pomiędzy D a S. Nic nie stoi na przeszkodzie,...
ładunek bramki szybkość przełączania pomiar ładunek ładunek przejściowy
numer telefon satel linux puppy tomtom traffic
odkurzacz xiaomi odkurzacz xiaomi
Gdzie kupić podstawę do monitora Samsung 940NPLUS? Stycznik skacze po naciśnięciu pedału - przyczyny