https://obrazki.elektroda.pl/6720313900_... Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje...
Przepraszam mój błąd z pominięciem D Proszę... ... poza tym myślałem, że jak producent taki jak MAXIM opisuje metodykę przeliczania strat na MOSFETach to ma racje opartą o doświadczenia co nierzadko pokazuje. MAXIM, nieMAXIM, mało to ważne - widziałem podobne "knoty" i u innych firm. Wzory przybliżone , to chadzanie na niebezpieczne skróty , a co tu...
MOSFET będzie miał najmniejsze straty. IGBT to tranzystor bipolarny połączony z MOSFET, więc straty mocy będą większe, największe będą w diodzie. Jarek pewnie to rozwinie, bo ma z tym styczność i doświadczenie. Napisz, jeśli to nie tajemnica, jak duże prądy mają płynąć, jakie napięcia są - zasilania, spadek na kondensatorze (można dobrać indukcyjność...
Wyczytałem, że można zastosować do tego taśmę oporową lub drut oporowy, łączymy po prostu w obwód i prąd płynący przez drut/taśmę zamieniany jest w ciepło? Czy jest to bardziej skomplikowane? Teoretycznie jest to tak proste. W praktyce możesz sobie zadanie bardziej utrudnić. Musisz regulować jakoś temperaturę ręki - żeby rękaw nagrzewał się szybko,...
"Przykładowo, przy przepływie przez tranzystor MOSFET prądu o wartości 20 A, straty na nim wyniosą 120...400 W, podczas gdy na IGBT wytraci się jedynie 33 W." Link To weźmy IRFP7718 - 1,5mΩ więc wytraci się 0,6W przy 20A (nie licząc strat przełączania). O ile w MOSFETach straty przełączania zależą od szybkości przeładowania bramki (można bardzo...
To nie jest tak, że ta dioda zewnętrzna przejmuje część strat, przez co MOSFET grzeje się mniej? Kiedy mowa o przepięciach, to musiałbyś dać diodę TVS na niższe napięcie niż napięcie przebicia MOSFET-a, ale wyższe niż 2*Vin. Prąd płynący od masy do drenu nie jest istotnym problemem.
Straty w przetwornicy zależą od napięć wejściowego i wyjściowego oraz prądu, im wyższy prąd i większa krotność podnoszenia napięcia, tym są większe. Straty mają kilka składowych: straty w cewce, straty w diodzie, straty statyczne i dynamiczne MOSFET-a, a nawet straty w kondensatorach elektrolitycznych. Da się to policzyć, ale nie ma żadnego uproszczonego...
Daj schemat układu, bez niego nie ma czego analizować Dodam, że jest to low-side switch, obciążenie rezystancyjne, z tym że przy tych 5kHz, które są widoczne na oscylogramie, indukcyjność odbiornika wyniosła 100mH. Wraz ze wzrostem częstotliwości malała. Indukcyjność nie mogła maleć... co najwyżej impedancja obciążenia mogła maleć... Jeśli odbiornik...
Nie ma nic dziwnego w tym, że MOSFET mniej się grzeje wtedy, gdy żarówka świeci pełnym lub niemal pełnym światłem. NE555 jest dość marnym źródłem prądów do przeładowywania bramki MOSFETa - czas przełączania jest stosunkowo długi. Przy zimnym włóknie żarówki jej oporność jest bardzo mała i płyną przez nią bardzo duże prądy. A straty na przełączanie w...
Nie za bardzo mogę jednak znaleźć MOSFET SMD z Rds(on) na poziomie 10 mOm, Ids>0,5A i mocy dajmy na to >1W. Czy np. IRLML0060 spełni tutaj swoją funkcję? Czy może ktoś zaproponować lepszy (mniejsze Rds(on)) tranzystor? Dlaczego chcesz użyć typ "Logic Level" (IRLML0060), skoro zasilasz WO z 12V? - niepotrzebnie sobie zawężasz wybór tranzystora. IRLML0060Ma...
Uklad pracy mosfet jest podobny do igbt. Sprawdź jakie rezystor bramki masz w układzie to może wpłynąć na straty.
Siema, Dokładnie, na nóżce 14 masz przebieg PWM i tam należy podłączyc bramkę mosfeta. Wartość R5 zmieniłbym na 1,5k aby zmniejszyć straty w mosfecie. Można ewentualnie zbudować wtórnik do sterowania bramką ale myślę, że w tym układzie raczej to zbędne. Jeśli paski mają Uzas=12V to musiałbyś zasilić je z 36V przy połączeniu ich w szereg. Przy połączeniu...
I słuszna decyzja, chociaż koszt tranzystora 3zł, to niewielka strata.
Z mojej strony najprościej było by zastosować jakiś driver na 2 tranzystorach aby prawidłowo wysterować mosfeta. Pojemność do przeładowania to około 6nF co przy tej częstotliwości oznacza duuuuże straty.
Wystarczy mi 1.2-1.5 Ampera powinien raczej dać radę Jezeli chcesz zasilac to z 3 baterii AAA to nie wróżę długiej pracy, jeżeli będzie pobierany taki prąd. tylko, że dioda nie będzie świecić cały czas tylko sygnał modulowany przez kilka sekund. Sprawdzę zobaczymy, najwyżej upalę mosfet strata żadna.
Dioda zenera musi być znacznie wyższej mocy albo zastosować musi kolega darlingtona (np. dołożyć do kompletu BD139). Jeszcze inaczej można wstawić TL431, zenerkę na 30-40V i tranzystor typu mosfet. Straty na "sterowaniu" kosmetyczne bo bramka w zasadzie nie pobiera prądu. Chociaż biorąc pod uwagę dosyć "techniczne" zastosowanie, to nie myślał kolega...
RU6099R ma Gate Charge 47 nC, a IRF1407PBF 160 nC. Czyli ponad 3 razy tyle. I jakieś 1.5 razy większe Coos. Czyli IRF1407PBF będzie miał o wiele większe straty przełączania.
Tranzystory są ok. Rezystor możesz stawić na bramkę mosfet'a coś rzędu 10-20 ohm. Chodzi o straty, przeładować potrzebujesz około 1-2nF gdy dasz tylko rezystor to przez niego będzie przepływać ciągle prąd w stanie załączonego mosfet'u. Gdy dasz duży rezystor (100-1000 ohm) to spowolnisz wyłączanie bramki (stała RC), a przez to zwiększysz straty na komutacji...
Ja uważam że najprościej (i najbardziej skutecznie) można by pokusić się o sterowanie halogenami przebiegiem PWM o częstotliwości kilku kHz, np. na układzie 555 + tranzystor MOSFET -> Straty mocy prawie żadne. A ściemnianie halogenów rezystorem może być "odrobinę" problematyczne ze względu na straty mocy w rezystorze.
Zamiast diod prostowniczych można zastosować diody schottkiego. O połowę mniejszy spadek napięcia. Spokojnie wymontuje kolega odpowiednie z jakiegoś chińskiego ATX-a. Na linii +12V montują tam często diody na 20A a nawet więcej. Do tego w wygodnym opakowaniu do montażu na radiatorze. Są tam po dwie diody spięte katodami więc od razy wszystko w jednym....
(at)yogi009 Moc sterownika + straty? Zawsze możesz je połączyć równolegle.
Najważniejsze parametry mosfeta: -napięcie - musisz dobrać z niewielkim zapasem żeby tranzystor nie uległ przebiciu -rezystancja w stanie włączenia - decyduje o stratach mocy (P=I^2*Rds(on)) a wiec o maksymalnym prądzie. Ważne są też warunki chłodzenia i obudowa, ja stosuje taką zasadę jeśli się da dobieram Rds(on) tak aby straty mocy były poniżej 1W...
Witam, zastanawiam się jak długo teoretycznie może włączać się mosfet, by nie przekroczyć jego mocy strat. Weźmy dla przykładu taki model jak IRLML2502. Tranzystor jest włączany z podciągającego rezystora np. 100kOhm z 12V natomiast wyłączany tranzystorem npn do masy. Mosfet przełącza prąd np. 3A. Duża rezystancja podciągania ma za zadanie zmniejszyć...
Fakt, wyjście mikrokontrolera może dać około 10-20 mA (przynajmniej AVR), ale nie należy zapominać o maksymalnym dopuszczalnym SUMARYCZNYM prądzie ze wszystkich pinów, który z reguły wynosi ~100-200 mA. Ja bym jednak zastosował z driverem z wejściem logicznym. Uzyskujemy w ten sposób bezproblemowe sterowanie tranzystorem przy pomocy sygnału o poziomach...
Straty na rezystancji tranzystora to okolo 20W. Wiec radiator musi byc dosyc duzy. 2 rownolegle to zmniejszenie rezystancji do 0,15 omow. Wiec straty spadaja do 10W.
Właściwie dlaczego stosowane są oba typy tranzystorów skoro unipolarne mają zdecydowanie lepsze parametry? W każdym zastosowaniu ważne są inne parametry. We wzmacniaczach ważna jest transkonduktancja, FET-y mają zdecydowanie mniejszą więc jeśli we wzmacniaczu na pojedynczym tranzystorze bipolarnym wstawisz MOSFET-a to spadnie wzmocnienie. Do kluczowania...
[url=http://up.programosy.pl/foto/9m.jpg... pradu i napiecia z uzyciem transoptora Stosuje to rozwiazanie. Moim zdaniem lepsze bedzie niz straty na mosfecie z schematu ruskiego w poscie krzysztof723.
Witam Musze do projektu policzyć moc strat w MOSFECIE. Macie może pomysły jak to policzyć Umieszczam schemat który mi prowadzący narysowal. PWM steruje MOSFET jest to zasilacz impulsowy. Regulacja napięcia od 0-300V, prąd 2A. http://obrazki.elektroda.pl/2627679000_1... Dodano po 4 Straty cieplne wydaje mi się ze to będzie wzór P=U*I...
Policzenie tego nie jest takie proste. Po pierwsze w swoich obliczeniach pomijasz napięcie nasycenia tranzystorów bipolarnych. Po drugie straty na MOSFEcie musisz rozbić na co najmniej dwie komponenty - pierwsza w miarę prosta to uwzględnienie zmieniającego się RDS podczas otwierania/zamykania tranzystora, to zależy od prędkości drivera. Rezystancje...
Zastanawiam się czemu nie masz czasów martwych i Twój mostek jeszcze żyje mimo zasilania z sieci :) Zastanawiam się też czy jest sens stosowania diod MBR2545. One by były ok gdybyś chciał osiągnąć ZCS. Natomiast tutaj moim zdaniem wprowadzają tylko niepotrzebne straty. Bo podczas polaryzacji diody wbudowanej w tranzystor MOSFET straty występują głównie...
Jaki to uC, albo inaczej jaką ma rezystancje wyjściową portów? Gdy podnosisz napiecie (i prąd) 6,2 krotnie moc chwilowa rośnie 38 razy wzrost strat na przełaczanie będzie równie duży.
jaki prąd pobiera ten wentylator , może lepiej zastosować tranzystor Mosfet , moc strat jest w nim dużo mniejsza niż w bipolarnych
Jescze chciałem dodać że w moim układzie gdy wszystkie MOSFETy są wyłączone to mamy połączenie równoległe ale przez diody wewnętrzne, gdyby zaakceptować pracę z diodami układzie wystarczył by jeden MOSFET i dwie diody, tylko ze straty mocy na załączonym MOSFETcie są znacznie mniejsze niz na diodzie. W układzie kolegi slawussj mozna wyrzucić jedną diodę...
Irfz ma około 100w co na moje potrzeby za mało. Podejrzewam że nie za bardzo dobrze liczysz swój projekt. Mosfet IRFZ44 zastosowany jako czysty klucz (jak to jest przy pracy PWM) nie wydzieli pełnej mocy granicznej z jego specyfikacji, bo mamy dla niego max 50A i opór kanału <0,028om (opieram się na specyfikacji firmy Vishay) czyli ledwo 14W. Jeśli...
1. Przyspieszy przeładowywanie pojemności bramki MOSFETa i tym samym zmniejszy straty przełączania. Bez tego i przy dużej częstotliwości PWMa będziesz miał ogromne straty na MOSFECie. 2. Zwykły wspólny kolektor, tyle że komplementarny. I rezystor bramkowy ze 4,7R by się przydał. http://obrazki.elektroda.net/4_125337859... Oczywiście to układ poglądowy....
Pod układem RT8816BGQW pewnie błoto. Układ steruje zasilaniem grafiki. Dwa górne mofety PQ1000 i PQ1002 załączają B+. Jeśli tylko jeden z nich się grzeje, to znaczy że zamiast PWM ma na stałe wysterowaną bramkę z RT8816BGQW. Wskazuje to na uszkodzenie tego układu, lub zwarcie, upływność pomiędzy pinami. Jeśli było zalanie, to trzeba zdjąć, oczyścić...
Bramka mosfeta to kondensator o pojemności ~ kilka nF, takie rozwiązanie układowe pozwala na szybsze otwieranie / zamykanie ponieważ, w tym przypadku stała czasowa RC bramka - R3 jest 100 razy mniejsza niż stała bramka - R1. Gdyby R1 był mniejszy to zmieniają się prądy i są większe straty mocy.
Nie wiem, może i tak. Jako przełącznik też się nada - przy tak małej rezystancji bardzo małe straty na złączu.
Te tranzystory mają mniejszy ładunek bramki od IRFZ44 - nie musisz się niczym martwić.
MOSFET z N-kanałem powinien być zasadniczo sterowany ok. +15V ,ale ten już przy +5V nieźle się nasyca i może być. Identyczny obwód z AT16 uruchomiłem w weekend tyle, że z +12V (a nie +21V) i kluczował z częstotliwościami rzędu kHz cewką zaworu, która przy +12V pobierała 2,5A . MOSFET nawet nie był letni, czyli straty w nim pomijalne. Masz tu na szybko...
https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3... Masz tutaj jak się liczy dynamiczne straty na mosfet. Mniejsze napięcie wydłuża czas komutacji kluczy co powoduje większe straty. Dodatkowo mniejsze napięcie to również większy Rdon.
Czytałam trochę o PWM i stratach przełączania na MOSFET i przy większych częstotliwościach straty przełączania (np dla współczynnika wypełnienia 50%) będą rosnąć, czyli moc wiatraczka zmaleje. Ale nie mogę znaleźć dlaczego w zakresie tej samej częstotliwości moc nie osiąga 50% mocy maksymalnej przy współczynniku wypełnienia 50%. Czy może chodzi o to,...
IGBT mają sens kiedy prąd osiąga kilkadziesiąt amperów, wtedy te 1,5-2,5V spadku w stanie nasycenia jest mniejsze niż spadek na Rds(on) MOSFETa. IGBT przełączają wolniej od MOSFETów więc nie stosuje się ich kiedy w stratach statycznych nie mają istotnej przewagi
Witam ... przy wyższych obrotach i np zatrzymaniu silnika palcami, uwalala się tranzystor (juz 2 straciłem) ;/. Silnik 2A, 0,34om faze. Zasilanie jak widać 5V + szeregowo włączone rezystory 2om. Zamiast BUZ11 są IRLZ34N. Uszkodzone tranzystory mają przebite bramki (R G-S 60-80om). Przebite bramki to niekoniecznie skutek przepiec. Takie same sa skutki...
Jak to jest np. w MOSFET (0,5ohma), jeśli na wejściu mamy 30V i podajemy PWM 20% to jaka moc wydzieli się na tranzystorze? Jak obciążenie pobierze 1A to w tranzystorze wydzieli się 0,5W przy PWM 100% i 0,1W przy PWM 20%. Przy 20A w takim tranzystorze wydzieli się 200W przy PWM 100% i 40W przy PWM 20%. Moc strat na rezystancji Rds(on) to iloczyn kwadratu...
Ja robiłem załączanie anodowego, w układzie który był jednocześnie aktywnym filtrem zasilania, był tam NMOSFET podłączony na wyjściu filtra RC jako wtórnik, rezystancja wyjściowa tego filtra była duża kolejny NMOSFET zwierał wyjście filtra do masy wyłączając napięcie Dodano po 45 Przykład takiego układu https://obrazki.elektroda.pl/6836191200_...
Ja bym poszukał czegoś na MOSFET-ach - połmostek H - odpadnie problem strat mocy do tego sterowania tak, by wybierać pełne okresy (mniejsze zakłócenia).
Istotna może być szybkość narastania i opadania napięcia bramki (a raczej to, jaka z tego wychodzi szybkość narastania i opadania prądu) - kiedy MOSFET jest częściowo otwarty, straty mocy są duże, i nawet z krótkich odcinków czasu z takim stanem mogą uzbierać się spore straty.
No to słabe schematy to były. Zwiększ rezystory bramkowe do 47-100ohm na SG3525 jaki dead time ustawiłeś? Radiatory na mosfetach muszą być. Obudowa TO-220 rozproszy maks 1W, potem już się tylko mosfet upali. Straty na przełączaniu mogą być spore, nawet bez obciążenia. Co do pomiaru bramki, to gdzie dokładnie mierzysz? na bramce mosfeta, na diodzie,...
Bardziej mi chodziło o określenie, czy prąd całego mostka będzie większy, taki sam czy mniejszy niż pojedynczej diody. Jeżeli użyjesz mostka synchronicznego na MOSFET-ach, to moc strat będzie mniejsza niż pojedynczej diody.
Więc prostownik, i regulator szeregowy. Sprawę komplikuje duży zakres prądowy 20. Przy klasycznym rozwiazaniu należy się liczyć z dużymi stratami w tranzystorze szeregowym, wymagany niebotyczny radiator. Zostaje wiec tylko szeregowy regulator PWM, rzy zastosowaniu tranzystora kluczujacego MOSFET unikniesz strat ciepła, a duża częstotliwość kluczowania...
Dlaczego uparłeś się na bipolarny? Unipolarny ma niewielką oporność dren/źródło, mniejsze straty mocy oraz radiator. Pomyśl nad IGBT. A jakim cudem? nie ma znaczenia jakiego typu tranzystora użyjesz w stratnym regulatorze szeregowym, ten nadmiar mocy musi gdzieś się wydzielić. Wydaje mi się że chodzi ci o regulację PWM i tranzystor klucza w niej, wtedy...
Witam forumowiczów, Wykonuje projekt falownika i mam obliczyć straty w tranzystorze MOSFET ale stanąłem w martwym punkcie gdyż, gdy obliczam straty przełączania to w katalogu nie podają jaka energie się wydziela przy załączani i wyłączaniu tranzystora, żeby podstawić to do następującego wzoru: Psw = f * (Eon + Eoff). Proszę o jakieś naprowadzenie, przeszukałem...
Musisz zrobić zasilacz impulsowy, działa on na takiej zasadzie że podaje napięcie a gdy zostanie przekroczona granica np 3.3V to je odcina. Dzięki bardzo szybkim zmianom stanu przewodzenia i kondensatorowi na wyjściu, da się uzyskać bardzo stabilne napięcie 3.3V nawet z 400V. Do tego ma wysoką sprawność bo niemal całe straty są np w MOSFET działającym...
-> szopler Z MC34063 nie wysterujesz bezpośrednio MOSFETa a tranzystor NPN bez problemu. Straty? Przy step-up i tak niewielkim podwyższeniu napięcia - nieznaczące. RoMan
Konstrułuje pewien układ, w którym będe wykorzystywał PWM. Do ich wysterowanie używam tranzystora polowego BUZ10 (otwiera się przy 3,8[V] wszytskie parametry pasują idealnie) ale mam pewne wątpliwości. 1. Czy uda mi się osiągnąć częstliwość rzędu około 15kHz? (czytałem o pazożytniczych pojemnościach ale ze szkolnego wzoru wyszło mi że naładowanie kondensatora...
Tranzystory MOSFET nadają się bardzo dobrze do załączania dużych prądów, przy małych napięciach, w takim zastosowaniu mają mniejsze straty od bipolarnych. Przy wysokim napięciu i dużych prądach, mniejsze straty mają bipolarne lub IGBT. W układach analogowych tranzystory JFET i MOSFET stosowane są w układach o małych prądach wejściowych i w kluczach...
Taki prostownik to dwa prostowniki jednopołówkowe podłączone do końców uzwojeń dających napięcie w przeciwfazie. Na schemacie masz na uzwojeniach początki oznaczone kropkami. Jedna dioda jest przy końcu z kropką, druga przy końcu bez kropki. Diody przewodzę naprzemiennie, co daje prostowanie dwupołówkowe. Miało to sens gdy diody były bardzo drogie....
Mam tranzystor np IRRFR7440 (około 2mOhm RDSon). Jeżeli go otworze i popłynie prąd 10A to moc strat wyniesie 100x2m =200mW. Jak oszacować straty mocy przy kluczowaniu włącz/wyłącz np 1kHz ?
Dobra - zaczynamy od początku: Parametry tranzystorów: - Uds - zależnie od układu ale najczęściej co najmnie 2 * max napięcie zasilania + rezerwa na przepięcia, - Id - zdecydowanie trzeba patrzeć na charakterystyki pilnując, żeby przy dostępnym napięciu zasilania osiągnąć wystarczające napięcie Ugs tak, aby tranzystor nie pracował na 'wypłaszczonej'...
Witam wszystkich sympatykow elektroniki, ostatnie kilka dni spedzilem na szukaniu ukladu, pozwalajacego na zastosowanie Mosfeta typu IRFP150 o opornasci RDS (on)=0,036 Ω oraz ID = 42 A w zasilaczu labolatoryjnym o nastepujacych parametrach: U wyj: 3 - 30 V i pradzie 3 A z mozliwosicia jego ograniczania. Uklad, na LM723 jest juz gotowy a "darlingtonowa"...
A jak się nie ma dedykowanego drivera? To nie będzie wiedział, że ten rezystor 10 kΩ, można zmniejszyć, godząc się na straty w nim, ale wielokrotnie niższe niż w mosfecie. Przy 1 kΩ mamy straty w zakresie 0...144 mW (PWM 100...0 %), ale za to niższe w mosfecie. Potem załóżmy ktoś bierze dedykowany driver i da rezystor bramkowy np. 1 kΩ zamiast kilka...
To ja jeszcze coś dopiszę. Kolego atom1477 dioda ma za zadanie zabezpieczyć tranzystor podczas wyłączania obwodów indukcyjnych. No rozumiem, ale to nie wystarczy do zabezpieczenia. Taka dioda musi być jeszcze odpowiednio włączona. A nie byle gdzie. W tym konkretnym układzie to nie ma jej zupełnie gdzie wstawić. Opis poniżej. Owszem można ja wstawić...
Ojej, na MOSFET-ach bez bootstrapu? Strata dobrych kilku wolt napięcia zasilania.
Zastosowanie to zasilanie żarówek LED Zamiast bawić się w bipolarne lepiej użyć mosfeta. Mniejsze straty, wyższe dopuszczalne prądy. Szerszy wybór np. https://www.tme.eu/pl/katalog/tranzystor...
Witam Co do kompatybilności elektromagnetycznej to proponowałbym ten wątek pozostawić. Jeśli chodzi o dobór tranzystorów to wielkiego wyboru nie masz. Jak pójdziesz do sklepu to na dzień dobry dostaniesz za śmiesznie małe pieniądze tranzystory, które mają prądy rzędu kilkunastu, kilkudziesięciu amper i napięcia około 100V - to wystarczy.Sugestia jest...
To wogóle nie zadziała :( Do silników nie stosuje się takiego sterowania ze względu na bardzo duże straty mocy na elemencie sterującym (a już szczególnie jak silnik dociążysz). Zastosuj sterowanie z modulacją wypełnienia impulsów PWM, wtedy MOSFET pracuje tylko w dwóch stanach: włączeny/wyłączony i jest minimalna strata mocy na nim (praktycznie tylko...
Zrobiłem pewien test z tranzystorem IGBT (https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet... i z MOSFET-em (https://www.datasheet.directory/pdfview... Podłączyłem żarówkę samochodową do zasilacza od PC na 12V po przez każdy z tych tranzystorów....
Zainteresuj się czymś takim jak buck converter. Tam jest w szeregu dławik. Dzięki tej topologii możesz regulować napięcie lub prąd na wyjściu (w zależności co jest wejściem dla sprzężenia zwrotnego). Im większa częstotliwość tym mniejszy dławik, ale IGBT jak i MOSFET ma straty dynamiczne, które im większa częstotliwość tym one większe. Tak od razu,...
Układ może się wzbudzać, można dodać kondensator do TL431. Nie uzyskasz 12V z 15V, chyba że znajdziesz mosfeta któremu wystarczy 3V na bramce. Nie zapomnij też o stratach mocy na tranzystorze, moc podawana jest dla 25°C na obudowie.
Jak w Ltspice klikniesz z altem na MOSFETa to pokaże ci wykres strat mocy, co możesz porównać z SOA, IRF640 nie ma podanych krzywych powyżej 10ms - w obszarze pracy liniowej wiele MOSFETów wykazuje niestabilność termiczną. Wytracenie dużych energii łatwiej zrealizować w rezystorze drutowym albo w termistorze NTC, niż w strukturze krzemowej tranzystora....
No w sumie według mnie pomysł z diodami prostowniczymi w szeregu oraz ciemną taśmą jest chyba dokładną odpowiedzią na pytanie "Jak zmniejszyć jasność taśmy led bez ściemnicza ?" Jeżeli kolega autor chciałby jednak taki ściemniacz zbudować do czego namawiam ze swojej strony polecam oczywiście sposób PWM nawet NE555+MOSFET - mniejsze straty w stosunku...
Chyba lepiej użyć tranzystorów mosfet-p, mniejsze straty Tu wychodzi nawyk, gdzie przez kilkadziesiąt lat głównie stosowałem tranzystory bipolarne. Muszą być tylko z bramką sterowaną niskim napięciem.
Coś Kolega napisał, czegoś się domyśla, ale brakuje tutaj analizy tematu i konkluzji: dlaczego tak jest i jak to poprawić? Proponuję zapoznać się z tym materiałem: [url=https://www.elektroda.pl/rtvforum/t... strat dynamicznych dla mosfet
Straty na mosfecie to straty jego oporności wewnętrznej między D i S, to jest rdsOn czy jakoś tak ? A wzór to będzie P=R*I2 Chyba tak to da radę wyliczyć wszystko ?
Czy w tak prostym układzie jest jakaś zaleta stosowania PMosa zamiast PNP? MOS zamiast BJT jako klucz - zalety są zawsze dwie: - niski spadek napięcia na tranzystorze (i małe straty mocy) - zależne tylko od odpowiedniego MOSFET-a o niskim Rdson, - łatwość sterowania - MOSFET nie wymaga prądu (BJT jako klucz wymaga prądu bazy rzędu 1/20 Ic) Np. używając...
Wystarczy dać większy tranzystor i dobrać wartość rezystora z gwiazdką. - pisałeś że nie potrzebujesz źródła prądowego ? Dlatego zaproponowałem powrót do układu z #8 pokazującego poprawne sterowanie tranzystorem PNP. Układ można jeszcze uprościć używając tranzystora mosfet z obniżonym napięciem bramki np IRLZ44n. Wówczas był by sterowany bezpośrednio...
Katalogowe Vds to napięcie przebicia, nie pracy, więc zapas musi być, przy zasilaniu 60V dał bym min 100V, rezystancję Rdson tak żeby była znacząco mniejsza powiedzmy 50%, wpisując >100V i <22mOm wyszukiwarka TME znalazła mi IXFH110N15T2 (150V 13mOm) za ~25zł (słabsze były droższe, więc bez sensu) Rdson to 24% tego co było więc powinno wydzielić...
No ale co to mi da w kwestii chłodzenia? Ten sam problem. Ba, podczas ładowania/rozładowania bramki występuje większa rezystancja, więc straty wzrosną.
W tym układzie będziesz dalej miał straty na górnych (Q1 i Q3) MOSFETach około 60-70W przy 20A. Albo dajesz driver mosfetów i zapewniasz mu odpowiednie warunki pracy albo dajesz P-MOSFETy. Wyeliminowałeś spalanie się mostka bez sterowania:)
MOSFET niczego nie zmieni - straty w układzie nadal będą takie same. Fizyki nie zmienisz. Przenoszę do bardziej odpowiedniego działu.
Ale w jakim celu stosowany jest półmostek? Na dobrą sprawę wystarczyłby tutaj górny MOSFET i dioda od cewki do masy. Górny klucz ma obwód bootstrapu, a by on działał, trzeba naładować kondensator (na schemacie 0.1uF). Ładuje się on, gdy dolny mosfet przewodzi. Dodatkowo mosfet ma dużo mniejsze straty niż dioda, więc znacząco będzie zwiększać sprawność.
Zbudowałem sobie prosty regulator napięcia. A właściwie to eliminator przepięć. Działa to tak, że gdy napięcie na wejściu osiągnie pewien poziom krytyczny, to przez diodę Zenera zaczyna płynąć prąd, co otwiera tranzystor. A ten z kolei wyrównuje to nadmiarowe napięcie do określonej granicy. Zastosowałem tranzystor Darlingtona, aby otwierał się w pełni...
A gdyby tak to zrobić na tranzystorze N-MOSFET, to sprawniejsza byłaby regulacja. To jaki tranzystor najlepiej dobrac do takiego ukladu? Bipolarny czy mosfet? Na ktorym beda mniejsze straty energii, ktory bedzie sie mniej grzal? Czy ma znaczenie jesli zamiast npn / n-mosfeta dam pnp / p-mosfet?
Może i można ale napięcie Ube tranzystora bipolarnego jest zdecydowanie mniejsze od napięcia Ugs mosfeta i co się z tym wiąże potrzebny jest mniejszy spadek napięcia na elemencie pomiarowym - mniejsza strata mocy.
Stary BC313 powinien poradzić sobie A musi być bipolarny? Jako przełączające sprawdzają się lepiej mosfety,mniejsze straty
Dla irl2203 maxymalne napięcie między, drainem a sourcem to 30V. MOSFET'y charakteryzują się tym że powodują małe straty mocy w układach niskiej częstotliwości. wg. noty dla napięcia 4,5V na bramce rezystancja pomiędzy drainem, a sourcem ma maxymalnie 10mOhm. Licząc z prawa ohma straty będą równe 0,7A* 0,01ohm = 0,007V(spadek napięcia na mosfecie),...
W przypadku elementów opartych na MOSFETach zawsze trzeba policzyć straty mocy przy maksymalnym obciążeniu. Praktyka jest taka że katalogowy prąd maksymalny to prąd przy maksymalnych stratach mocy, dla producenta to atrakcyjny sposób podawania danych, ale żaden konstruktor/użytkownik nie chciał by maksymalizować strat i stosować chłodzenia cieczą potrzebnego...
Dzięki _jta faktycznie małe straty są na tym mosfecie. Tylko nie rozumiem tego (2) problemu....
Duzo zależy ode tego jakie będzie wypełnienie impulsu sterującego...ala ale faktycznie watro zmienić go na mosfeta - mniejsze straty.
A może lepiej na mosfetach? mniejsze straty na cieple. A można by przerobić tamten układ który jest na mosfety. Alboznacie zamiennik tego tranzystora w obudowie TO-220
Napisałem, że wymaga modyfikacji, chodziło mi o pokazanie rozwiązania zasilacza low drop o bardzo małej mocy strat. Współczesne tranzystory mosfet mają duże moce i prądy, w razie czego stosuje się połączenia równoległe by umożliwić bezpieczne oddawanie oddawanie mocy zew względu na ogrzaniczoną rezystancje termiczną Tj-c danego elementu.
Drugi sposób podejścia do tematu - przy pomocy przekaźnika sterowanego timerem 555 właczać na czas rozruchu dodatkowy rezystor w szereg z R11 - ograniczy to prąd rozruchu. Sposób o tyle wygodny, że to dodatek do już istniejącego układu PWM. Tyle, że można by to zmodyfikować: - nie przekaźnik ale klucz MOSFET, - zamiast opornika termistor mocy (ochronny),...
przy malej czestotliwosci mozna dopuscic taki uklad sterowania. Jednak przy duzych pradach sama rezystancja kanalu mosfeta bedzie generowac spore straty mocy.
Byłem przekonany, że przy pracy stycznej bedzie miał większy RdsON, ze wzgledu na to ze składalem juz uklad styczny i pracował on ze strasznie duzymi stratami(grzał sie), uzywalem mosfeta irf 9540n do wysyterowania zarowki 12v 1,5A, zorbiłem dzielnik napiecia zeby Vgs bylo -10 tak jak w karcie katalogowej a mimo to grzeje się. Jak rozumiem tak ma byc...
Na schemacie D3 w dobrą stronę? Dla ochrony izolacji bramki przy wyższych napięciach zasilania podłącz rezystor - powiedzmy - 220 Ω/0,5 W z zasilania do bramki, a z niej 2-3 razy większy do kolektora. Będziesz mieć zbliżone czasy przełączania MOSFET-a. Przy 1 kHz może popiszczeć, ale za to masz ogromny czas na przełączanie z niedużymi stratami mocy...
Czy mosfet czy nie mosfet to w pracy liniowej warunki są podobne. Moc strat to móc strat.
Tak, ale skoro radzisz sobie z programowaniem raspberry to jednak sugeruję atmege, gdyż kosztuje ona 6zł, jak by co nie będzie dużej straty, a też jest prosta w obsłudze. Pinem procesora możesz wysterować mosfet, który będzie sterował szeregiem diod. Co co odczytu prędkości pogoogluj trochę, zdaje się, że można zastosować tą samą metodę co w rowerach.
Niebardzo. W Twoim układzie tranzystor będzie pracował w sposób liniowy, a więc będzie się na nim odkładało od groma mocy. Dużo lepiej użyć tranzystora mosfet, i regulować napięcie poprzez PWM (układem NE555 lub TL494). Straty będą wtedy minimalne, a i wydajność zasilacza może się znacznie podnieść. Dodatkowo można dodać cewkę i diodę (i parę innych...
Musi być MOSFET czy może być NPN np MJE 13003 ( takich mam kilka jeszcze ) Dał bym MOSFETa szczególnie że potrzeba elementu który przewodzi w obu kierunkach. Musze jeszcze opracować jak to zrobić aby tranzystor się załączał gdy ten po stronie pierwotnej się wyłącza. Sprawa jest o tyle ważna że załączenie obu to zwarcie, które może je uszkodzić. Zastanawia...
strata mosfet strata tranzystor mosfet obliczać strata
antena iphone mazda kontrolka poduszka buderus logamax elektroda
Różnice między płynami AG12, AG13 i AG13+ Znaczenie dźwięków w zmywarce Indesit - wyjaśnienie
