Dowiedz się jak działa taki stabilizator, jakie są w nim przebiegi napięcia i prądu tranzystora. P=U*I ogólnie się zgadza, ale trzeba wiedzieć które U które I jakie są ich przebiegi i zależności czasowe (liczyć dla wartości chwilowych). Trzeba wybrać jakiś tranzystor, bo to będzie wynikało z jego...
Jeśli chodzi o przetwornice impulsowe, oba rodzaje tematycznych tranzystorów mają swoje wady i zalety. Ale który jest najlepszy do danej aplikacji? W poniższym artykule nie odpowiemy bezpośrednio na to pytanie, jednakże porównamy tranzystory MOSFET z modułami IGBT, aby wskazać, na jakim polu poszczególne...
Witam mam pytanie . A raczej proszę was o pomoc w udoskonaleniu mego układu . Zwiększenie szybkości pracy urządzenia którym jest GearBox karabinku ASG. Sprzęt : Karabinek ASG który jest zasilany z akumulatora 9,6 V . Zasada działania to przez selektor ognia ( włącznik ) Jest zamykany obwód...
No, niestety szczotkowy. Biorąc pod uwagę straty mocy wydzielające się na tranzystorze podczas przełączania, proponowałbym użycie drivera MOSFET, ale nie takiego 500mA jak podałeś, tylko czegoś mocniejszego jak TC4421. Można przyjąć wtedy bardzo szybki czas włączenia. Na tyle szybki że tranzystor wytrzyma...
Zazwyczaj G na końcu nazwy oznacza "green" - czyli bez ołowiu kadmu rtęci itp. Dwa elementy jakie google znajduje pochodzą od różnych producentów i mają trochę inne parametry, gdyby oba były od jednego pewnie wersja G była by elektrycznie dokładnie taka sama. Najistotniejszym parametrem jest rezystancja...
Tranzystory MOSFET nadają się bardzo dobrze do załączania dużych prądów, przy małych napięciach, w takim zastosowaniu mają mniejsze straty od bipolarnych. Przy wysokim napięciu i dużych prądach, mniejsze straty mają bipolarne lub IGBT. W układach analogowych tranzystory JFET i MOSFET stosowane są w układach...
Potrzebuje wzmocnic sygmał prostokątny 5V/1mA na 9V/ 500mA czy wystarczy użyć TC4420 skoro na wyjściu może dać 6A max i nie stosować zadnego tranzystora mosfet? Katalogowy prąd maksymalny driverów MOSFET'ów to impulsowy prąd zwarciowy przy zasilaniu napięciami bliskimi maksymalnym (więc jest to...
1 i 4. A może dwa tranzystory zamiast tyrystora? Wtedy można uzyskać taką charakterystykę, jaka będzie potrzebna. Właściwie te dwa tranzystory już są na ostatnim schemacie: T2 i T4 - wystarczy opornik zamiast do tyrystora podłączyć do kolektora T4, a opornik R10 do bazy T4 - wtedy T2 i T4 zastąpią tyrystor...
wewnetrzne diody nie sa szotkiego ale maja bardzo duzy prad wlasnie taki jak sam mosfet. Ja jednak mysle ze tu chodzi o przebicie napieciowe i potrzebna jest zwykla dioda ale rownolegle z silnikiem. Zwykla dioda rownolegle z silnikiem po pierwsze bedzie go slabo hamowala, a po drugie bedzie powodem...
Witam!! Mam mały problem z identyfikacją parametrów Eon i Eoff tranzystora MOSFET... Nie mogę ich znaleźć na żadnej karcie katalogowej (!) (noty z których korzystam zamieściłem tutaj - ...) :| Parametry te potrzebne są do policzenia strat przełączania, które wyrażają się wzorem: ΔPsw=fsn(Eon+Eoff) Może...
Szukam zamiennika dla tranzystora MOSFET: AP4951GM Tranzystor pochodzi z Logitech Flight System G940. Obsługuje silnik force freedback. Jest spalony, widać gołym okiem. Dual P Channel Max Current Id -3.4A Max Voltage Vds -60V strata mocy 2W przy wł.rezyst 95mohm Rds measur. ...
Proponuję poczytać sobie na temat na temat aktywnych prostowników (prostowników synchronicznych). Zastąpienie diody Mosfetem umożliwia zmniejszenie spadku napięcia, co przekłada się na moc strat. Standardowo takie rozwiązanie jest stosowane w zasilaczach napięć wewnętrznych laptopów oraz CPU, gdzie płyną...
Częstotliwość to 60kHz, więc jaki układ sterujący mógłby być odpowiedni? Z btle arduino przy tej częstotliwości żadnego MOSFET-a nie wysterujesz, więc trzeba dać driver, albo scalony albo zbudować na tranzystorach, a wiec i podniesienie napięcia nie będzie problemem. Napięcie do 250V. Łączna moc...
Możesz je bezproblemowo połączyć To porada szkodliwa! Nie wolno łączyć równolegle takich MOSFET-ów. Są one przeznaczone do pracy impulsowej i wtedy można (z pewnymi zastrzeżeniami), do pracy liniowej nie wolno tego robić, gdyż różnice w charakterystykach (zwłaszcza Id=f(Vgs) spowodują różny rozpływ...
Izolacja galwaniczna w przypadku gdzie masy nie są rozdzielone jest dodawaniem sobie klopotów. Pamietać nalezy o prawidłowym zaprojektowaniu PCB. Driver dałbym tc42* mają wejscia 0-5V, zasilanie drivera 16V np z mc34063. Nie mam czasu na liczenie strat na przełaczanie, ale moze być wskazane 2 tranzystory...
Przy stabilizacji napięcia z 30 V na 12 V przy prądzie 0,5 A bilans mocy wygląda tak: 30-12=18V --> P=18x0,5=9W, z 12V na 5V, jest odpowiednio 12-5=7V --> P=7x0,5=3,5W. Z tego rachunku wynika, że choćbyś klękał i przykucał, stabilizator musi zanienić na ciepło moc zależną od prądu i spadku napięcia na...
Witam Forumowiczów, buduję gokarta elektrycznego, który ma być napędzany dwoma, połączonymi równolegle silnikami 24V 250W. Na początek aby nie ryzykować spalenia połowy lub nawet całego mostka, używam jednego mosfeta aby zwiększając wypełnienie sygnału PWM płynnie ruszyć do przodu. Gdy koła są nad...
Zakładając że jest wysterowany prawidłowo i otwarty "w całości" to wg noty katalogowej IRF 540 ma RDS(ON) = 0,077 OHM. Przy 5A moc odłożona na tranzystorze przy ciągłej pracy ( tylko przewodzenie) to I*I*R co daje 1,925 W . Jeżeli nie masz żadnego radiatora to ten tranzystor musi się grzać. Taki...
Zobacz na napięcie progowe, w przypadku obu 2...4V, napięcie progowe to napięcie przy którym tranzystor zaczyna przewodzić, czyli płynie przez niego 1mA albo 250uA, do tego żeby przewodził jakiś konkretny prąd potrzeba >5V, a żeby nie wszedł obszar nasycenia* daje się 8-12V. Jeśli układ ma mieć dobrą...
Spółka Vishay Intertechnology, Inc. ogłosiła właśnie wprowadzenie nowego tranzystora polowego do swojej oferty. MOSFET ten wyposażony jest w kanał typu N i możliwość pracy z napięciem do 30 V. Element wyprodukowany został w opatentowanej technologii TrenchFET? czwartej generacji. Tranzystor...
Problemem tyrystora jest spory spadek napięcia na przewodzącym, rzędu 2.4V. Skoro to będzie praca z pojedynczymi impulsami to raczej nie powinno być problemu z przekroczeniem mocy strat. Zainteresuj się parametrem dI/dt i dV/dt. Tyrystory mocy nie są jakimiś demonami prędkości. Przewody odprowadzające...
Jeśli już to do masy zdecydowanie lepiej podłączyć po prostu rezystor. Ale taki sposób sterowania będzie powodował większe straty mocy. Układ który podałeś w linku też może być, tylko dioda powinna być równolegle do silnika a nie tranzystora. Rezystor w bramce też mógłby być mniejszy. Ale jakichś...
Witam, odświeżę troche temat ;) i zadam kilka pytań: 1. Dlaczego takie mocne trafo? Aż tak wysokie straty czy po prostu taki duży zapas mocy? 250W dla 4ohm wystarczy? 2. Analogicznie do 140W/8 wystarczy trafo 200W? 3. Jakie napięcie aby uzyskać 100W/4? Takie może być --> 2x24V~ (at) 2x33,5V- 150VA...
Napięcie żarzenia pobierane jest ze złącza X3. Zastosowany dla tranzystora radiator jest odpowiedni dla poboru prądu rzędu 50-80 mA. A cóż to za lampa która pobiera 80mA żarzenia? Poza tym to wcale nowoczesny on nie jest, na forum trioda.pl opisywany był już nie raz... Pojawił się także w książce...
Przepraszam, mój błąd, konkretnie to pobór 0,3A przy 12V ale to i tak 3.6W, więc faktycznie jakiś radiator muszę dołożyć, Jeśli 3,6W to moc obciążenia to nie ma możliwości żeby tyle traciło się w tranzystorze regulującym, jeśli obciążenie jest liniowe maksymalna moc strat wystąpi przy 1/2 prądu i będzie...
Firma STMicroelectronics zaprezentowała pierwszy tranzystor MDmesh V wykonany w technologii Super-Junction. Dzięki wyposażeniu go w obudowę nowej technologii, zwiększa sprawność obwodów zasilania w urządzeniach takich jak sprzęt AGD, telewizory, komputery, sprzęt telekomunikacyjny oraz zasilacze...
(at)trymer01: Mógłbyś rozwinąć PWM zasilać sprzed stabilizatora 5V zasilającego uC, dobrze odsprzęgnąć oba źródła zasilania tuż przy odbiorniku prądu PWM jest przecież wbudowany w µC co znaczy "odsprzęgnąć"? Anody diod zasilać z napięcia sprzed stabilizatora 5V. Wtedy zasilasz uC z innego...
dla pradu 0.1A potrzeba 2V do 2.2V i dla 1.7A potrzeba 2.5V do 2.7V. Moj zasilacz nie daje wiecej jak 1.7A, wiec nie moglem sprawdzic przy wiekszych pradach. Jest jednak taka uwaga, ze zmiana pradu od 0.5A do 1.7A wymagala zmiany na bramce tylko 0.2V..... Opornik 4R7 w drenie, opornik 1k z drenu do...
Witam, Mam na myśli to że po odłączeniu zasilania bramki, dren-źródło nadal przewodzi w regulowanym czasie od 0s do 4s ? ten pomysł jest ze wszech miar niewskazany. Zbyt długie przechodzenie tranzystora od stanu załączenia do stanu wyłączenia będzie powodowało dość duże i niepotrzebne straty...
A dlaczego kanał P - bo pisałeś o IRF9530/40 ? Większy wybór jest pośród N-channel. Ponadto dla P-channel sprawa sie skomplikuje, jeśli Uzas cewki nie jest równe Uzas uC. Jeśli ktoś nie praktykuje lutowania SMD to polecam Logic-Level w obudowach TO-251/IPAK, np. AOI4185 - mała obudowa, Rdson ok.20mOhm...
Mosfet wygląda na typu N. Nie wnikając w jego datasheet popełniłeś dwa błędy (moim zdaniem). 1. Mosfet się nie wyłączy w rozsądnym czasie, bo brak jest rezystora rozładowującego bramkę (łączącego bramkę ze źródłem). 2. Mosfet ulegnie przebiciu napięciem 24V jeśli obciążenie będzie pojemnościowe (o...
Witam proszę o informacje jakie czasy przełączania bramki MOSFETA są osiągalne. Czy czasy rzędu 100..200ns przy przełączaniu ok. 18kHz to czasy przyzwoite ? Sterownika MCP1416 (prąd max, 1.5A, rezystancja szeregowa do bramki 7,5R przy napięciu Ugs=10V) Tranzystor to IRF830 (4.5A, 500V,...
Firma Vishay Intertechnology wprowadziła do sprzedaży nowy tranzystor mocy TrenchFET — n-MOSFET o maksymalnym napięciu dren-źródło (V_DS) 150 V, w ulepszonej pod względem termicznym obudowie PowerPAK SO-8. Tranzystor SiR872ADP został zoptymalizowany do zastosowania w przetwornicach DC/DC,...
Tranzystory MOSFET pracujące jako przełączniki przy dużych wartościach prądu powinny się cechować się jak najniższymi spadkami napięć, aby maksymalnie zminimalizować straty przewodzenia. Aby jak najlepiej spełnić te wymagania firma Advanced Power Electronics wprowadziła na rynek nowy tranzystor mocy...
Źle czytasz charakterystyki z datasheet. Twoim problemem jest zbyt niskie napięcie zasilania MOSFET-a gdy przerywacz jest wyłączony - ok. 3V. Ten MOSFET musi mieć min. Vgs=4-6V, im to napięcie jest większe tym lepiej bo od niego zależy Rdson czyli "zdolność" do przepuszczenie dużego Id bez strat. Vgsth...
Po wymianie zdań z bardziej doświadczonymi kolegami i naprostowaniu nieco błędnych wiadomości, odradzam taki schemat. Możesz sterować MOSFET bezpośrednio z procesora (mikrokontrolera!!!). Trzeba tylko zastosować rezystor ograniczajacy prąd do powiedzmy 20mA aby nie spalić mikrokontrolera. Więc z powyższego...
21.09.2017 Infeon zaprezentuje w formie webinaru technologię CoolSiC™ MOSFET. Rozwiązanie ma zapewniać korzyści w porównaniu do tradycyjnych krzemowych elementów przełączających. Produkty wykorzystujące CoolSiC mają znaleźć zastosowanie w fotowoltaice, ładowarkach akumulatorów oraz magazynowaniu...
Cześć. Mam pytanko czy możecie mi podać tak na chłopski rozum podstawowe różnice tranzystorów IGBT i MOSFET - nie chodzi mi o samą budowę i technologię bo od tej strony są wielkie różnice - chodzi mi o zastosowanie w praktyce ponieważ zauważyłem, że stosuje się IGBT coraz częściej i są bardzo chwalone...
Zastosowanie tranzystora MOSFET z kanałem typu p jako element przełączający napięcia przekraczające 100 V, pozwala uprościć cały schemat. Aby sterować tranzystorem MOSFET i zredukować straty wydzielane w postaci ciepła, należy na przemian ładować i rozładowywać pojemność wejściową między jego bramką...
Właśnie zastanawiałem się czy nie dorzucić pomiaru na wyjściu by szybciej zmniejszyć pojemność MOSFET-a no ale te straty. Głównym problemem teraz nie jest wyłączenie tylko załączenie MOSFETA. Jest to zapewne związane z niskim napięciem otwarcia tranzystora. Ogólnie próby robię na zasilaczu laboratoryjnym...
1) MOSFET musi być poprawnie wysterowany aby działał. Generalnie MOSFET'y mocy mają dużą pojemność bramki co przy starowaniu przez opornik 1k powoduje, że przez długi czas się przełączają. Długi czas przełączania powoduje wydzielanie się dużych strat i grzanie się elementu. To co zaproponował "kaka0204"...
Szeregowo. Zrób pierwszą próbę 4szt. łącząc bramki z drenami. Jak nie będą grzać należycie odejmuj po jednym. Jeżeli 2szt. nie będą grzać musisz się zagłębić w charakterystyki tranzystorów i dobrać odpowiednie do Twojego nowatorskiego pomysłu. Ja próbowałem grzać wodę z baterii solarnej, ale tranzystorami...
Fig.11 to charakterystyka umożliwiająca obliczenie (oszacowanie) wzrostu dopuszczalnej mocy strat tranzystora gdy przebieg jest impulsowy Dla DC - P=(Tjmax-Ta)/Rthja= ok. 2W) . Dla przebiegu impulsowego w zależności od wypełnienia (duty factor), oraz długości impulsu t1 odczytuje się wartość Zth...
Firma STMicroelectronics zaprezentowała swoją najnowszą serię tranzystorów mocy MOSFET wykonanych w technologii super-junction, adresowaną na potrzeby bardziej wydajnych zasilaczy elektroniki, systemów oświetlenia energooszczędnego czy przetwornic do systemów paneli słonecznych. Nowa seria MDmesh...
MOSFET przede wszystkich królują w układach przełączający (impulsowych). Wielokrotnie szybsze przełączanie, zdolność przewodzenia dużych prądów, zazwyczaj mniejsze straty przewodzenia... Ponadto znacznie łatwiejsze sterowanie - żeby utrzymać MOSFET włączonym nie trzeba żadnych specjalnych zabiegów (starczy...
Pasożytnicza dioda w tranzystorze MOSFET jest połączona miedzy drenem a źródłem. Bramka jest odizolowana od kanału czyli również od diody, wiec nie rozumiem stwierdzenia, że dzięki diodzie sygnał sterujący nie jest pływający względem załączanego układu, to jest zadaniem projektanta zapewnienie odpowiedniego...
Problem jest taki, że tranzystory się okropnie grzeją. Radiatory nie dają rady, Jakie stosujesz radiatory? Taki tranzystor bez radiatora juz przy 1,2A prądu ciągłego moze sie nagrzać do 100°C, przy 3A wydzieli 3,1W musiał byś mieć radiatory 12K/W żeby nie przekraczać 70°C (tranzystory wytrzymuja...
Witam To tak układ pierwszy z dwoma tranzystorami będzie palił tranzystory gdy napięcie na wejściu będzie w okolicy 0V, ponieważ napięcie bramka-źródło w obu tranzystorach będzie na poziomie takim by obydwa się w pełni otwarły. Natomiast przypadku gdy na wejściu tego układu będzie 12 lub -12 zostanie...
Zwiększając rezystor 100R do 10k powinno wytrzymać jednakże niekorzystna pojemność bramki przy sterowaniu PWM spowoduje że Mosfet nie będzie się otwierał i zamykał poprawnie przez co będzie narażony na duże straty w postaci ciepła dla tego lepszym rozwiązaniem jest Mosfet z kanałem N i driverem bootstrap...
Czy w tak prostym układzie jest jakaś zaleta stosowania PMosa zamiast PNP? MOS zamiast BJT jako klucz - zalety są zawsze dwie: - niski spadek napięcia na tranzystorze (i małe straty mocy) - zależne tylko od odpowiedniego MOSFET-a o niskim Rdson, - łatwość sterowania - MOSFET nie wymaga prądu (BJT...
Witam Chyba żartujesz, Mosfety radzą sobie spokojnie z częstotliwościami kilkudziesięciu KHz a nawet więcej. Niedawno zrobiłem koledze grzałkę z PWMem, kluczowanie zrobione na Mosfecie sterowanym bezpośrednio z Arduino ( tam jest chyba coś koło 1KHz ) zasila spiralę prądem koło 12A i pracuje bez radiatora!!!!!!! Zasilanie...
Możesz wyjaśnić jak układ miałby działać i czym sterować? Chodzi zapewne o rozłączanie zasilania w masie. Musisz policzyć sobie co będzie bardziej opłacalne energetycznie. Jeżeli w grę wchodzi niskie napięcie lepiej zastosować tranzystor mosfet, współczesne mosfet-y na niskie napięcia mają bardzo...
podłączony pomiędzy plus zasilania a dren mosfeta osiąga super obroty przy max wypełnieniu Odkryłeś właśnie klucz tranzystorowy. Bo klucz to właśnie obciążenie w drenie (albo w kolektorze). wentylator komputerowy podłączony pomiędzy źródło mosfeta a masę nie osiąga pełnej prędkości obrotowej Bo...
Wybierając MOSFET-a należy zwrócić uwagę na następujące jego dane: (1) ma to być N-MOSFET; (2) R_DS(on) ma być podane dla napięcia bramki najwyżej 5V, a lepiej mniej; (3) R_DS(on)*I*I (I to prąd LED-ów) powinno być małe, najlepiej mniejsze od dopuszczalnej mocy strat bez radiatora w temperaturze otoczenia...
Dziękuję za odpowiedzi. Mój przykład z taśmą LED dałem dlatego że chcę zrobić sterowanie PWM w sumie to zrobiłem i działa. Użyłem tranzystora BD139 dla około 1,5m taśmy. Przy wypełnieniu 100% nie ma problemu dla obliczeń (tranzystor jest nasycony więc zerkam do datasheet z wykresu czytam przy jakim...
MOSFET ma stosunkowo dużą rezystancję kanału SD w czasie przewodzenia i nie nadaje się do sterowania np. silnika (duże straty mocy). IGBT jest konstrukcją złożoną z MOSTETa i tranzystora bipolarnego. Połączono w nim właściwości sterowania napięciowego MOSFETa z niską rezystancją przewodzenia tranzystora...
Witam. Jestem na etapie wyboru elementu sterującego. Zamierzam użyć małego tranzustora mosfet. Wybór mój padł na Si4410DY. Oto link do jego specyfikacji: Częstotliwość kluczowania około 30-50Hz (wypełnienie 0-100%) dla impednacji i trochę wyższa dla rezystancji. Obciążenie o charakterze rezystancyjnym...
Zobacz na rysunek „wy0.1” który dołączyłem tam masz zaznaczone gdzie jest wyjście. A te cztery rezystory są czujnikami prądu dla tego źródła prądowego zaznaczonego w ramce, które właśnie zmienia swoją wartość w czasie pracy dzięki sprzężeniu zwrotnemu, zresztą tym już pisałem. I właśnie...
Musisz wystabilizować napięcie zasilania 555. Z tytułu dużych prądów, w stopniu mocy powinien być MOSFET. W tranzystorze bipolarnym wystąpią b ardzo duże straty na ciepło (wymagany będzie duży radiator).
Witam Chciałbym się dowiedzieć jak można samodzielnie zrobić układ Mosfet. Jest on przeznaczony do eliminacji strat powstających podczas zwierania mechanicznych styków oraz zabezpieczenia ich przed przepaleniem. Potrzebuje jakiś schematów najlepiej z wyjaśnieniami co jest co:D, bo niestety nie jestem...
Nie jestem w tej dziedzinie wybitnym specjalistą ale mam wątpliwości co do poprawnego działania układu który chcesz wykonać. Po pierwsze napięcie otwierania tego MOSFETa. W specyfikacji faktycznie jest podana wartość koło 3V ale jest to zdaje się napięcie progowe przy którym tranzystor dopiero zaczyna...
Witam! O sterowaniu mosfetami na forum jest już dużo tematów to wiem... ale :) W moim układzie muszę wykorzystać tranzystor mosfet IRLZ, problemem jest to że częstotliwość z jaką chcę go sterować to... 234kHz (Ewentualnie mogę zejść do 117kHz, ale wole pozostać przy tej). I tu nasuwa się pytanie- czy...
Coś mi tu nie pasuje - rezystor 280R, moim zdaniem bardzo psuje parametry zasilacza. Domyślam się że układ jest zasilany napięciem sieciowym wyprostowanym, ale nie filtrowanym. Wtedy układ z DZ2 ogranicza kąt załączenia MOSFET'a zmniejszając straty mocy, skutkiem tego jest że prąd FET'a płynie w krótkich...
Straty na rezystancji tranzystora to okolo 20W. Wiec radiator musi byc dosyc duzy. 2 rownolegle to zmniejszenie rezystancji do 0,15 omow. Wiec straty spadaja do 10W.
Jak zachowa się tranzystor sterowany driverem, będzie się bardzo grzał? Jak duży radiator potrzebuję? Są dwa rodzaje strat: statyczne P=Id^2*Rds(on) łatwo policzyć, bez radiatora tranzystor w TO-220 wytrzyma ok 1W ale będzie bardzo gorący, jeśli potrzeba więcej, trzeba policzyć wymaganą rezystancję...
Witam. Poszukuję tranzystora MOSFET N, który będzie mógł być sterowany z ATMEGI zasilanej napięciem 3v3. Pojemność bramki mnie nie interesuje, bo częstotliwość włączania/wyłączania klucza będzie mała. Chciałbym, aby tranzystor przy U bliskim 3V był już nasycony, dla prądów do 600mA. Będą w ten sposób...
A co chcesz osiągnąć tą zmianą? Ogólna zasada jest taka że IGBT mają przewagę nad MOSFET'ami przy napięciach >200V, a ten układ do takich napięć słabo się nadaje (trzeba by przerabiać). Ten IGBT i (nie tylko ten) w tym układzie będzie miał większe straty mocy od IRFP250 (no chyba że przy prądach...
Witam Kolego dobrze mi doradziłeś. Założyłem podobny MOSFET który akurat miałem w domu - BUZ11. Martwi mnie jedno - tranzystor jest zamontowany na standardowym radiatorze który był i bardzo szybko się grzeje. Gdy jest gorący (kilka sekund pracy) wówczas głupieje regulacja. Musi ochłonąć. Rozumiem,...
Jaki jest fabryczny typ tego tranzystora? Proszę czytać post tytułowy. dlaczego i jak "schodzisz z oporem poniżej 0,3 oma". Przecież opornik jest 15 kom, jak napisałeś 0,3 Ohm to oporność obciążenia (grzałki). prawdopodobnie przy napięciu 4,2V mosfet nie jest całkowicie otwarty Raczej nie...
MOSFETy zapewnią niższe straty na tranzystorze przy sterowaniu włącz/wyłącz. Jednak straty są niejako przewidziane w tym rozwiązaniu, ze względu na liniowy stabilizator prądu lub rezystor szeregowy. Niższe straty przełączania MOSFET wynikają z dużej szybkości przełączania, ale to ma znaczenie tylko...
Od napięcia na bramce zależy rezystancja między drenem a źródłem przy 3v ta rezystancja jest wysoka przez co przy większym prądzie występuje duży spadek napięcia i rosną straty (ciepło) na mosfecie. Minimalne napięcie bramki dla typowego mosfeta to ok.5v, ale można dostać mosfety które otwierają się...
Dlatego pytam się. Czy ten układ może działać na mosfetach? Czy jednak tylko i wyłącznie przekaźniki. Może. Np tak: (zobacz o ile sprawa się upraszcza gdy przejrzyście narysujesz schemat) Dalej trzeba wygrać sposób sterowania wybierając N-MOSFETy niekoniecznie logic-level mamy największą...
Firma ROHM ogłosiła wprowadzenie do produkcji nowego tranzystora MOSFET, SCT2080KE. Jest to element wyprodukowany z węglika krzemu (SiC), dedykowany do generatorów impulsów wysokonapięciowych. Generatory tego rodzaju stosuje się w szeregu aplikacji, takich jak generatory plazmy, lasery czy akceleratory....
Napięcie które pojawi sie na drenie to suma napięcia zasilania (napięcia na C6) i napięcia z cewki. Cewka zachowuje sie jak źródło prądowe - wytworzy takie napięcie jakiego potrzeba do utrzymania przepływu prądu, jeśli do zacisków "akumulator" będzie podłączony w miarę sprawny akumulator napięci na...
Jeśli chodzi o termistor na wejściu to znalazłem takie wyjaśnienie : -- Na chwilę obecną istnieją dwie podstawowe metody ograniczania prądów startowych zasilaczy: Metoda biernego ograniczenia prądów startowych: na wejściu zasilacza włączony jest szeregowo termistor o ujemnym współczynniku temperaturowym...
Witam, szeregowe rezystory w bramkach tranzystorów mosfet stosuje się głównie dla uniknięcia pasożytniczych zjawisk związanych z pracą tranzystorów w układach przełączających. Tranzystory mosfet są "same z siebie" elementami o bardzo krótkich czasach przełączania, ma to zarówno plusy dodatnie jak...
Układ jest OK, ale tranzystor - nie do tego celu. Patrz na Rdson=max. 0,48 Ohm = przy 4A będziesz miał na nim do 2V spadku napięcia co da moc strat do 8W, na gorąco Rdson wzrośnie nawet do 0,8 Ohm co da moc start do 13W. Co najgorsze - napięcie po tym tranzystorze będzie niższe o te 2V - zamiast 12V...
Zmierz napięcie Vgs górnego klucza do GND z tym samym rezystorem, tylko uważaj napięcie na Vgs będzie sumą Vcc i Vdd. Na którym kondensatorze spada napięcie? Nie otwieranie się do końca klucza, będzie miało wpływ na grzanie się klucza, ale już nijak się ma do napięcia na którymkolwiek kondensatorze. Zwiększenie...
Musisz się liczyć z wyższymi stratami na przełączaniu czyli będzie się bardziej rozgrzewał jak oryginalny. Nie znając układu sterującego MOSFET-ami można jedynie zgadywać czy będzie to istotna różnica czy też nie? Wlutuj i sprawdź czy nie grzeje się zbytnio? Bardziej od innych, oryginalnych.
Dlaczego nie? oczywiście są mosfety, które mają wystarczające niskie napięcie Vgs aby się w pełni włączyć. Jednakże ważna jest też pojemność bramki. W przypadku kluczowania czegoś o większej mocy (albo częstotliwości kluczowania) czas ładowania i rozladowywania bramki jest głównym źródłem strat ( okres...
Nie bardzo, Wskaż różnice w sterowaniu MOSFET dla buck i dla "pwm czystej rezystancji". Tego dotyczyło pytanie w tym wątku (wysterowania mosfeta). Na które swoją drogą w żaden sposób kolego nie odpowiedziałeś, za to rozpisujesz się o tym co już raz napisałeś, a nikt tego nie podważał. Jaki konkretnie...
Witam potrzebuje kupić mocne tranzystory mosfet na niskie napięcie 60V koło 60A i 0.03ohm. Gdzie kupie w cenie 1 1.5zł za szt? A ile to jest większa ilość? jeśli tysiące to zwróć się do któregoś z producentów, jeśli mniej to wejdź na stronę któregoś dużego sklepu który ma wyszukiwarkę według parametrów...
Mimo zasilania z 12V, tranzystor na 75V jest korzystnym rozwiązaniem, ze względu na występujące często szpilki przepięciowe. Raczej bym sugerował użycie: IRFB7730PBF 75V 2,5mR. Przy prądzie 30A to ok. 1W mocy strat więcej niż dla 1,2mr. Tranzystor o mniejszej rezystancji kanału to konieczność przeładowania...
Jeśli mogę, chcę stanąć w obronie tego wzmacniacza, a przy okazji i swoim. Artykuły są po to żeby je kopiować, wykonywać samemu i chyba po to są gazety. Szczególnym problemem jest dobrze zaprojektować płytkę, i wykonać ją samemu. A w tym artykule mamy całkiem przyzwoicie zaprojektowaną płytkę i opis...
jóż to zrobiłem wczoraj. PRkę mam na godz.3, a prąd 27mA. po pracy jak wrócę do domu to zaryzykuję i podkręce na full. ten wzmak gra fajnie ale przy glośniejszym słuchaniu zaczyna nieco charczeć. najbardziej słychac to na wokalach. jak podkręcam naPRce to troszke sie polepsza, wiec zaryzykuje stratę...
:arrow: wiśnia a co padło ta para różnicowa czy mocy przy 45 v ??? wzmacniacz idealny hmmm no ja tam uważam że każdy wzmak ma wady i zalety pozatym wzmak w zasadzie robi sie pod konkretne zastoasowania np po co sie męczyć z wzmakiem który do 20khz przeniesie jak bedzie zasilał tubki które do 16 khz...
Witam! No, ale gdzie ten silnik podłączysz, jak na wyjście po prostowniku, to gdzie ta regulacja, a jak na wyjście zasilacza, to ten tranzystor szeregowy T1 to wytrzyma?, W prawdzie są takie fety stosowane do falowników, nawet takiego miałem, ale on kosztował 6000zł a gdzie reszta, ogólnie układ wygląda...
taki pewien bym tego nie byl - przy odpowiednio duzych czestotliwosciach przelaczania (300kHz np.) trafo jest juz silnie nieidealne i tworzy z malostrantym obciazeniem pojemnosciowym (jakim jest MOSFET) dosc dobry obwod rezonansowy. W sumie nie ma wielkiego znaczenia, czy pojawiajace sie wtedy niezgaszone...
Nie oszczędzajcie czasem z końcówkami szczególnie ci co zrobili na IRF640 i podobnych dla 8 Ohm 2 pary to minimum. Może i się wam jeszcze nie spaliło, ale wysterujcie to solidnym sygnałem do ujawnienia się słyszalnych zniekształceń pochodzi kilka minut i pstryk " bezpieczniki ". Na 4 Ohm to nie wiem...
Jesli mamy dwa tranzystory o takiej samej mocy a jednej ma wieksza obudowe to jest to niestety mocniejszy tranzystor. Moc maksymalna strat tranzystora nie wiele ma wspolnego z moca wyjsciowa wzmacniacza i nie nalezy sie tym sugerowac. W azna jest zdolnosc odprowadzania ciepla. I z tranzystorow w obudowie...
Układ będzie działał (ale na wyjście z wzmacniacza na mosfeta proponowałbym dać opornik bo po co wzmacniacz ma się tak grzać jesli tranzystorem npn będziesz go do masy zwierał - a im bardziej zewrzesz tym większe napięcie a co za tym idzie będzie próbował dać wzmacniacz - dlatego jeszcze lepszym rozwiązaniem...
uklad powinien byc tak zaprojektowany aby mozna bylo wlozyc do niego tranzystory bez dobierania. Takie parowanie to strata czasu i zadna firma produkujaca wzmacniacze nie bedzie sie w to bawic. Nikt nie bedzie wyzucal tranzystorow do kosza! Zreszta jak kolega napisal po wybraniu trzech tranzystorow...
Przedewszystkim do czego ma ci służyć ten w zmacniacz? 200zł to 1/4 tego co musisz wydać na jedną stronę, przy założeniu, że ten wzmacniacz ma tyle ile piszesz, a ten głośnik z allegro to dla mnie strata pieniędzy.
Zarówno schemat, jak i pcb wyglądają ok. Z tym, że ścieżki gdzie będą duże prądy musisz dać dużo szersze, albo je dobrze pocynować. Najlepiej jedno i drugie. Ale rozumiem, że to wstępny projekt. Jeśli włożył byś diodę odwrotnie, to nic złego nie będzie się działo dopóki nie podasz stanu wysokiego...
Transytor M1 ma odizolowac mikrokontoroler (100mA max) od pradu pobieranego przez silnik (~1A).Podawanie sygnałów +5V na lewa lub prawa strone nie stanowi problemu gdyz wyjsc z mikrokontrolera jest sporo a programowa zmiana kierunku jest latwa w realizacji.Strat energii sie nie boje bo silnik pracuje...
ech kolega chyba chce teoretycznie wykonac ten wzmanciacz bo do praktycznej realizacji to ja tu widze 10lat ciezkich robot!! Jest sporo bledow w wartosci elementow. chocby R24,30 ktore od razu pojda z dymem no i dlaczego sa rozne? R23,31 tylko 10om?? Wg wstepnych wyliczen wyjdzie ze prad wzmanciazca...
Zjawisko wtórnego(drugiego) przebicia doprowadza do zniszczenia tranzystora choć nie została przekroczona jeszcze jago mac strat . Występuje to gdy przez tranzystor płynie duży prąd i występują na nim duże napięcia. W każdym razie występowanie zjawiska drugiego przebicia ogranicza obszar bezpiecznej...
Witam Zrobisz jak zechcesz, już ci napisałem żeby robić to co jest gotowe a za jakiś czas zrobię płytkę do tego z klasy G. Jeśli uzyskasz 75W na standardowym układzie to w G jak się mniej grzeje to zostanie trochę więcej dla głośników, więc na pewno będzie różnica. Nie napalaj się też na te 75W, niestety...
_jta_! Linku Ci nie podam, bo te klimaty leżą co najmniej rok wstecz, a po pewnych ulepszeniach softu phpBB na elektrodzie, które mały miejsce swojego czasu, człowiekowi odechciewa się serdecznie śledzenia dawnych postów. :D Niektóre posty zniknęły . Jeśli dobrze pamiętam, był topic kolegi ...
Czy zamiana rezystora na źródło prądowe z tranzystorem N-MOSFET (w układzie zasilania z 12V diody LED, I=0.5A, straty mocy ~kilka W , temperatura opornika > 50 st. C ) spowoduje że straty mocy na rezystorze/źródle prądowym będą mniejsze ? Czy ktoś mógłby narysować schemat takiego źródła ? Źródło...
płyta diagnostyczna lampa xenon sterownik zaworu mieszającego podłączenie świetlówek schemat pralka sharp podłączenie zwory kostek przekaźnik telewizor miganie diody chomikuj ściąganie wiadomości sieciowe telefon zablokowany kontem google pralka bosch produkowana wózek widłowy blokada połączeń przychodzących
