https://obrazki.elektroda.pl/9084374600_... Istnieje kilka dobrze znanych technik zabezpieczenia przed odwrotnym podłączeniem źródła napięcia. Najbardziej oczywistą techniką jest dioda pomiędzy źródłem a obciążeniem, ale ma to wadę w postaci rozpraszania istotnej mocy na diodzie z powodu spadku napięcia na tym elemencie. Sprawia to,...
https://obrazki.elektroda.pl/1735077300_... Firma UnitedSiC wprowadziła do sprzedaży tranzystor FET w obudowie DFN 8×8 z o najniższym RDS(on) na rynku. Tranzystory UF3SC065030D8 i UF3SC065040D8, to elementy wykonane z węglika krzemu. Produkowane są w popularnej, niskoprofilowej obudowie do montażu powierzchniowego DFN 8 × 8. Urządzenia...
https://obrazki.elektroda.pl/6974518500_... W rysunku 1 , gdzie kolorem zielonym poprowadzono linie sterujące. Linie niebieskie oznaczają przewody mocy do zasilania systemu np. z napięcia 48 V DC, 230 V AC etc. System dostarczać ma do 12 W na gniazdko. https://obrazki.elektroda.pl/6241378700_... Rys.1. Uproszczony...
Kondensator filtrujący jest zbędny - silnik sam "uśrednia" wartość przebiegu na skutek swojej indukcyjności, a kondensator niepotrzebnie obciąża MOSFET szpilami prądu rozładowania. Bipolarny też może być, ale wymaga większego prądu do sterowania bazy (Ib=0,1*Ic), aby tranzystor wszedł w nasycenie. Możesz dać Darlington, ale i tak na tranzystorze wykonawczym...
Tym bardziej, że 5V jest tu nieco niskie do zasilania tego LED-a potrzebującego 3,6V, Uds tranzystora 0,1V - i na opornik ograniczający prąd zostanie ok. 1,3-1,7V - mała wartość i ze sporym rozrzutem, będzie kiepska stabilizacja prądu. Wg. danych katalogowych są duże rozrzuty, w praktyce nie jest aż tak źle, strata napiecia i mocy na rezystorze to...
Najładniej steruje po włączeniu zasilania i przed zaprogramowaniem portów... ;) Dyskoteka gwarantowana. Rezystor jest niezbędny, ale rzędu 20..100k, a nie 680R. Trafna uwaga. Dla jasności daję tu schemat po tej poprawce: https://obrazki.elektroda.pl/6028510200_... Dodano po 5 To tu przecież stosujesz "przesuwnik" i to przez ten obwód...
Owszem ale to odbędzie się kosztem komplikacji przetwornicy - tj nawijanie własnego transformatora. Kupowanie drutów nawojowych (co nie jest łatwe bowiem o ile rdzenie i karkasy to łatwo kupić ale druty nawojowe to już gorzej w przypadku drobnego detalu). Napięcie anodowe rzędu 140V wymaga już pewnej jakości izolacji i staranności uzwajania. Zysk niewielki...
RU6099R ma Gate Charge 47 nC, a IRF1407PBF 160 nC. Czyli ponad 3 razy tyle. I jakieś 1.5 razy większe Coos. Czyli IRF1407PBF będzie miał o wiele większe straty przełączania.
Najważniejsze parametry mosfeta: -napięcie - musisz dobrać z niewielkim zapasem żeby tranzystor nie uległ przebiciu -rezystancja w stanie włączenia - decyduje o stratach mocy (P=I^2*Rds(on)) a wiec o maksymalnym prądzie. Ważne są też warunki chłodzenia i obudowa, ja stosuje taką zasadę jeśli się da dobieram Rds(on) tak aby straty mocy były poniżej 1W...
Tranzystory KD502 mam 4 sztuki połączone równolegle na wspólnym ogromnym radiatorze. Zaletą tego jest cicha praca takiego zestawu, a radiator grzeje się już przy 10 A. To jest kwestia, jaką moc potrzebujesz wytracać na tych tranzystorach - większy prąd z tego samego tranzystora to niższe napięcie i czasem mniejsza moc strat w tranzystorach regulujących...
I słuszna decyzja, chociaż koszt tranzystora 3zł, to niewielka strata.
http://obrazki.elektroda.net/45_12647633... Zastosowanie tranzystora MOSFET z kanałem typu p jako element przełączający napięcia przekraczające 100 V, pozwala uprościć cały schemat. Aby sterować tranzystorem MOSFET i zredukować straty wydzielane w postaci ciepła, należy na przemian ładować i rozładowywać pojemność wejściową między jego bramką...
Witam serdecznie! Poszkuje tranzystora mosfet który można sterować bezpośrednio z mikrokontrolera (5V) bez stosowania stopnia wstępnego. Obciążenia około 5A, max 10A częstotliwość przełączeń max około 250Hz. W tej chwili jest IRF44n ( Uz max 16V ) ze żródłem na BC337, BC327 a zależałoby mi na uproszczeniu konstrukcji i miniaturyzacji. ( może być przewlekany...
powiedzmy że mam tranzystor mosfet 100W i napięciu 150V prądzie 20A w imp. 100A, (tak sobie tylko wymyśliłem wiec proszę nie pisać że takiego nie ma). chciałbym nim obciążyć cewkę przy napięciu 100V. z mocy mi wychodzi że nie mogę puścić więcej jak 1A ale czy impulsy z 50-cio % wypełnieniem mogą mieć 2A? (częstotliwość od 10-300Hz) dla całego cyklu...
Chcę wykonać klucz sterowany impulsami prostokątnymi o częstotliwości 100Hz i amplitudzie 10V, sterujący napięciem ok 600V/1A. Czy mógłbym prosić o przykładowy schemat?
Witam.Chciałbym zrobić nagrzewnice z tranzystorów.A dokładnie były bo tranzystory mosfet przykręcone do płytek z aluminium które nagrzewały by się od tranzystorów,a wentylator komputerowy dmuchał by ogrzane powietrze od radiatorów.Moje pytanie brzmi jak podłączyć tranzystory pod 12V aby grzały się? Proszę o pomoc!! Pozdrawiam
Mam problem z wysterowaniem ogniwa Peltiera za pomocą tranzystorów MOSFET. Testuję najprostszy układ z możliwych, coś w tym stylu: https://obrazki.elektroda.pl/1733902200_... Używam ogniwa zasilanego 3V, wobec czego muszę sterować niskimi napięciami. Używałem już kilku różnych tranzystorów, P-MOS, N-MOS, starałem się wybrać tranzystory...
Cześć planuję zrobić grzałkę, która będzie miała 3 sekcje, każda sekcja będzie miała około 7.5Ω, czyli prąd płynący przez grzałkę(dla napięcia 12V) wynosi około 1.65A. Kupiłem kiedyś tranzystory mosfet o dużym prądzie 5.7A - https://obrazki.elektroda.pl/2161165500_... Do jednej z nich zastosuję PWM, dwie pozostałe powinny działać...
MOSFET będzie miał najmniejsze straty. IGBT to tranzystor bipolarny połączony z MOSFET, więc straty mocy będą większe, największe będą w diodzie. Jarek pewnie to rozwinie, bo ma z tym styczność i doświadczenie. Napisz, jeśli to nie tajemnica, jak duże prądy mają płynąć, jakie napięcia są - zasilania, spadek na kondensatorze (można dobrać indukcyjność...
Witam Co do kompatybilności elektromagnetycznej to proponowałbym ten wątek pozostawić. Jeśli chodzi o dobór tranzystorów to wielkiego wyboru nie masz. Jak pójdziesz do sklepu to na dzień dobry dostaniesz za śmiesznie małe pieniądze tranzystory, które mają prądy rzędu kilkunastu, kilkudziesięciu amper i napięcia około 100V - to wystarczy.Sugestia jest...
Nie wiem, może i tak. Jako przełącznik też się nada - przy tak małej rezystancji bardzo małe straty na złączu.
Wystarczy dać większy tranzystor i dobrać wartość rezystora z gwiazdką. - pisałeś że nie potrzebujesz źródła prądowego ? Dlatego zaproponowałem powrót do układu z #8 pokazującego poprawne sterowanie tranzystorem PNP. Układ można jeszcze uprościć używając tranzystora mosfet z obniżonym napięciem bramki np IRLZ44n. Wówczas był by sterowany bezpośrednio...
Te tranzystory mają mniejszy ładunek bramki od IRFZ44 - nie musisz się niczym martwić.
Nie podałeś żadnych parametrów, załóżmy że łącznie ze stratami w rezystorach będzie 120W zakładając ze napięcie zasilania jest 12V daje to 10A Bez problemu można znaleźć MOSFET'a o Rdson np 5mΩ co da 0,5W mocy strat, da radę bez radiatora, choć w zamkniętej obudowie tranzystor będzie gorący, da się znaleźć tranzystory o znacznie mniejszych Rdson.
Z noty katalogowej odczytujesz Uf ( czy Usat, dla pracy jako klucz ), dla danego prądu. Czyli np Uf=1,2V dla 5A, i resztę z prawa Ohma; P=IxU co daje 1,2x5=6W strat. Tranzystory MOSFET są o tyle lepsze, że bardzo niska rezystancja włączonego kanału daje o rząd wielkości mniejsze straty. Tam gdzie bipolarny potrzebuje solidnego radiatora, MOSFET nie...
Jeśli prąd jest duży - kilka amperów lub wiecej i chcesz kluczować z częstotliowścią ponadakustyczną, to bez drivera sie nie obejdzie. Dlatego że przełączanie trwało by kilka - kilkanaście µs, przez co tranzystor miał by bardzo duże straty mocy. Statyczne obciązęnia i małe MOSFET'y możesz bezpośrednio z portu jeśli starczy napięcia do pełnego otwarcia...
Z noty katalogowej przesłanego tranzystora wynika, że maksymalne napięcie baza-emiter to 9V. Czyli rozwiązanie nadal wymaga dzielnika napięcia przy PU rezystorze. W przypadku tranzystorów BJT istotne jest nie napięcie ( w uproszczeniu ) a prąd, który wpływa do Bazy. A napięcie 9V o którym napisałeś odnosi się do wartości napięcia wstecznego a nie w...
Mam tranzystor np IRRFR7440 (około 2mOhm RDSon). Jeżeli go otworze i popłynie prąd 10A to moc strat wyniesie 100x2m =200mW. Jak oszacować straty mocy przy kluczowaniu włącz/wyłącz np 1kHz ?
Jaki to uC, albo inaczej jaką ma rezystancje wyjściową portów? Gdy podnosisz napiecie (i prąd) 6,2 krotnie moc chwilowa rośnie 38 razy wzrost strat na przełaczanie będzie równie duży.
Na takie pytanie nie da się odpowiedzieć wprost bo trzeba by było dorzucić do całych rozważań jeszcze garść informacji. Straty mocy wyglądają nieco inaczej w tranzystorach MOSFET i bipolarnych. Z tego co wiem tranzystory IGBT można tu postawić bliżej bipolarnych gdyż "strona" wysokoprądowa czyli obwód C-E jest taki jak w bipolarnych. By rozważać straty...
Tranzystory MOSFET nadają się bardzo dobrze do załączania dużych prądów, przy małych napięciach, w takim zastosowaniu mają mniejsze straty od bipolarnych. Przy wysokim napięciu i dużych prądach, mniejsze straty mają bipolarne lub IGBT. W układach analogowych tranzystory JFET i MOSFET stosowane są w układach o małych prądach wejściowych i w kluczach...
Straty na rezystancji tranzystora to okolo 20W. Wiec radiator musi byc dosyc duzy. 2 rownolegle to zmniejszenie rezystancji do 0,15 omow. Wiec straty spadaja do 10W.
Ale na ogół jest podany maksymalny czas t(on) i t(off). Ten czas nie zawsze jest miernikiem strat na przełączenie. Czasem element sterujący wprowadza długi czas przełączania, a czasem pojemności montażowe rezystancje szeregowe zwiększają stałą czasową RC, przez co nawet szybki MOSFET przełącza powoli (łagodnie narastające i opadające zbocza). Jeżeli...
Może i można ale napięcie Ube tranzystora bipolarnego jest zdecydowanie mniejsze od napięcia Ugs mosfeta i co się z tym wiąże potrzebny jest mniejszy spadek napięcia na elemencie pomiarowym - mniejsza strata mocy.
Wyczytałem, że można zastosować do tego taśmę oporową lub drut oporowy, łączymy po prostu w obwód i prąd płynący przez drut/taśmę zamieniany jest w ciepło? Czy jest to bardziej skomplikowane? Teoretycznie jest to tak proste. W praktyce możesz sobie zadanie bardziej utrudnić. Musisz regulować jakoś temperaturę ręki - żeby rękaw nagrzewał się szybko,...
Bramka mosfeta to kondensator o pojemności ~ kilka nF, takie rozwiązanie układowe pozwala na szybsze otwieranie / zamykanie ponieważ, w tym przypadku stała czasowa RC bramka - R3 jest 100 razy mniejsza niż stała bramka - R1. Gdyby R1 był mniejszy to zmieniają się prądy i są większe straty mocy.
Napisałem, że wymaga modyfikacji, chodziło mi o pokazanie rozwiązania zasilacza low drop o bardzo małej mocy strat. Współczesne tranzystory mosfet mają duże moce i prądy, w razie czego stosuje się połączenia równoległe by umożliwić bezpieczne oddawanie oddawanie mocy zew względu na ogrzaniczoną rezystancje termiczną Tj-c danego elementu.
Co to oznacza, że tranzystory bipolarny są sterowane prądowo, a mosfet syn sterowany napięciowo Tranzystor bipolarny jest urządzeniem sterowanym prądowo. Duży prąd kolektora ( Ic ) przepływa przez niego pomiędzy kolektorem a emiterem, kiedy tranzystor jest otwarty. Jednak dzieje się tak tylko wtedy, gdy do bazy wpływa prąd ( Ib ), umożliwiając jej...
Dioda wprowadza dodatkowy spadek napięcia i stratę mocy. Fajniejsze byłoby użycie tranzystora MOSFET w roli aktywnego prostownika. Należy pamiętać o tym, że regulator alternatora nie oferuje funkcji ogranicznika prądu, a prądnice nie lubią przeciążania ponad moc znamionową.
Z mojej strony najprościej było by zastosować jakiś driver na 2 tranzystorach aby prawidłowo wysterować mosfeta. Pojemność do przeładowania to około 6nF co przy tej częstotliwości oznacza duuuuże straty.
Nie traktuj tej pracy na odwal sie, bo trafisz na praktyka i odrzuca ci prace w calosci. To jest powazny temat - zwlaszcza od strony elektronicznej - zajmuje sie tym zawodowo - a pomimo tego nie odwazylbym sie pisac o tym pracy. W takiej pracy musisz koniecznie pisac o stratach przelaczania - o efektywnosci falownika o czestosci modulacji i zwiazku...
Teraz pozostaje zbudować taki układ, podłączyć oscyloskop i sprawdzić czy port daje radę ładować Cgs BSS123 wystarczająco szybko. Może niekoniecznie trzeba aż tak naukowo do tego podejść. Mamy częstotliwość tylko 20 kHz i pewnie niewielki prąd. Powolne otwieranie i zamykanie tranzystora będzie skutkować przejściowymi zwiększonymi stratami. Po prostu...
Na schemacie D3 w dobrą stronę? Dla ochrony izolacji bramki przy wyższych napięciach zasilania podłącz rezystor - powiedzmy - 220 Ω/0,5 W z zasilania do bramki, a z niej 2-3 razy większy do kolektora. Będziesz mieć zbliżone czasy przełączania MOSFET-a. Przy 1 kHz może popiszczeć, ale za to masz ogromny czas na przełączanie z niedużymi stratami mocy...
Witam, rozwiązanie ma głęboki sens energetyczny, pod warunkiem, że spadki napięć na załączonych tranzystorach będą mniejsze niż na diodach. Oznacza to, że gdy wchodzą w grę dosyć wysokie napięcia wejściowe, układ może dawać większe straty niż w przypadku klasycznych diod prostowniczych, tranzystory MOSFET na wysokie napięcia uwielbiają mieć dużą rezystancję...
Tranzystory są ok. Rezystor możesz stawić na bramkę mosfet'a coś rzędu 10-20 ohm. Chodzi o straty, przeładować potrzebujesz około 1-2nF gdy dasz tylko rezystor to przez niego będzie przepływać ciągle prąd w stanie załączonego mosfet'u. Gdy dasz duży rezystor (100-1000 ohm) to spowolnisz wyłączanie bramki (stała RC), a przez to zwiększysz straty na komutacji...
To wogóle nie zadziała :( Do silników nie stosuje się takiego sterowania ze względu na bardzo duże straty mocy na elemencie sterującym (a już szczególnie jak silnik dociążysz). Zastosuj sterowanie z modulacją wypełnienia impulsów PWM, wtedy MOSFET pracuje tylko w dwóch stanach: włączeny/wyłączony i jest minimalna strata mocy na nim (praktycznie tylko...
Właściwie dlaczego stosowane są oba typy tranzystorów skoro unipolarne mają zdecydowanie lepsze parametry? W każdym zastosowaniu ważne są inne parametry. We wzmacniaczach ważna jest transkonduktancja, FET-y mają zdecydowanie mniejszą więc jeśli we wzmacniaczu na pojedynczym tranzystorze bipolarnym wstawisz MOSFET-a to spadnie wzmocnienie. Do kluczowania...
Oczywiście, nawet z mniejszymi stratami niż dioda prostownicza. Szukaj informacji na temat "active rectifier".
Tranzystor jest uszkodzony i będzie sie uszkadzał bo go przeciążasz. Tranzystor ma obudowę SOT-23 a ty zmuszasz go do pracy liniowej z prądem 1,7A. Moc strat może osiągnąć kilka watów, podczas kiedy maksimum jest poniżej 0,2W. Pracował bez diody więc trudno powiedzieć, czy uszkodził się od przepięcia czy od za dużej mocy. Zapewne uszkodził się szybko...
Albo źle czytam, albo autor nie podał częstotliwości przełączania, a jest mała i dywagacje o stratach przełączania są zbędne
Czy w tak prostym układzie jest jakaś zaleta stosowania PMosa zamiast PNP? MOS zamiast BJT jako klucz - zalety są zawsze dwie: - niski spadek napięcia na tranzystorze (i małe straty mocy) - zależne tylko od odpowiedniego MOSFET-a o niskim Rdson, - łatwość sterowania - MOSFET nie wymaga prądu (BJT jako klucz wymaga prądu bazy rzędu 1/20 Ic) Np. używając...
"Przykładowo, przy przepływie przez tranzystor MOSFET prądu o wartości 20 A, straty na nim wyniosą 120...400 W, podczas gdy na IGBT wytraci się jedynie 33 W." Link To weźmy IRFP7718 - 1,5mΩ więc wytraci się 0,6W przy 20A (nie licząc strat przełączania). O ile w MOSFETach straty przełączania zależą od szybkości przeładowania bramki (można bardzo...
Mają one spory zapas mocy... To nie tak czym innym jest moc dostarczona do obciążenia a czym innym moc stracona podrodze w tranzystorze Przykładowo IRF8707 ...oraz diodę zaporową... Wszystkie MOSFET-y mocy ją mają, z prostej przyczyny - nie da sie jej pozbyć. Najważniejszym kryterium przy wyborze tranzystorów MOSFET jest Rds(on) - rezystancja w stanie...
https://www.dmcinfo.com/latest-thinking/... https://www.tycorun.com/blogs/news/mosfe... wpisałem w google: how to calculate mosfet switching losses I ja wiem że te czasy przełączenia są śmiesznie małe. No właśnie one są podstawową...
Witam. Wyznaczyłem moc strat podczas kluczowania tranzystora MOSFET. Obliczenia są przykładowe i nie tyczą się na chwilę obecną żadnego konkretnego modelu. Pytanie brzmi jak wyznaczyć średnią moc strat która wydzieli się na obudowie tranzystora znając chwilową moc. Moc średnia potrzebna byłaby do dobrania radiatora. https://obrazki.elektroda.pl/9527245800_...
Oczywiście, że równoległe. Tak, teoretycznie tak to wygląda, chociaż obawiam się, że nie trafisz na na tyle podobne parametrami mostki, że prąd będzie się rozkładał "równo" między mostki. Musiałbyś mostki mierzyć (głównie napięcia przewodzenia), wybrać 2 najbliższe sobie, oraz co najważniejsze porządnie sprząc je termicznie. Znaczy przykręcić blisko...
Kilkadziesiąt amperów i 3,6V kojarzy się z e-szlugiem, jeśli tak to użyj PWM'a. Regulacja liniowa jest kłopotliwa, że względu na straty mocy, niestabilność termiczną MOSFETów oraz pozostałe analogowe problemy, oczywiście zrobić się da ale trzeba mieć konkretne powody żeby wybrać takie (trudniejsze) rozwiązanie.
strata mosfet mosfet strata mosfet strata przewodzenie
lista kanał ariva wyznaczy radiator przykręcić tranzystor
r8040 stałe napięcie srebro sprzedaż
Tolerancja współbieżności potencjometru 2x47kΩ Czarna połowa ekranu w Xiaomi Mi - przyczyny i rozwiązania
