1 i 4. A może dwa tranzystory zamiast tyrystora? Wtedy można uzyskać taką charakterystykę, jaka będzie potrzebna. Właściwie te dwa tranzystory już są na ostatnim schemacie: T2 i T4 - wystarczy opornik zamiast do tyrystora podłączyć do kolektora T4, a opornik R10 do bazy T4 - wtedy T2 i T4 zastąpią tyrystor...
Potrzebuje wzmocnic sygmał prostokątny 5V/1mA na 9V/ 500mA czy wystarczy użyć TC4420 skoro na wyjściu może dać 6A max i nie stosować zadnego tranzystora mosfet? Katalogowy prąd maksymalny driverów MOSFET'ów to impulsowy prąd zwarciowy przy zasilaniu napięciami bliskimi maksymalnym (więc jest to...
Szukam zamiennika dla tranzystora MOSFET: AP4951GM Tranzystor pochodzi z Logitech Flight System G940. Obsługuje silnik force freedback. Jest spalony, widać gołym okiem. Dual P Channel Max Current Id -3.4A Max Voltage Vds -60V strata mocy 2W przy wł.rezyst 95mohm Rds measur. ...
Witam!! Mam mały problem z identyfikacją parametrów Eon i Eoff tranzystora MOSFET... Nie mogę ich znaleźć na żadnej karcie katalogowej (!) (noty z których korzystam zamieściłem tutaj - ...) :| Parametry te potrzebne są do policzenia strat przełączania, które wyrażają się wzorem: ΔPsw=fsn(Eon+Eoff) Może...
Spółka Vishay Intertechnology, Inc. ogłosiła właśnie wprowadzenie nowego tranzystora polowego do swojej oferty. MOSFET ten wyposażony jest w kanał typu N i możliwość pracy z napięciem do 30 V. Element wyprodukowany został w opatentowanej technologii TrenchFET? czwartej generacji. Tranzystor...
Napięcie żarzenia pobierane jest ze złącza X3. Zastosowany dla tranzystora radiator jest odpowiedni dla poboru prądu rzędu 50-80 mA. A cóż to za lampa która pobiera 80mA żarzenia? Poza tym to wcale nowoczesny on nie jest, na forum trioda.pl opisywany był już nie raz... Pojawił się także w książce...
Zastosowanie tranzystora MOSFET z kanałem typu p jako element przełączający napięcia przekraczające 100 V, pozwala uprościć cały schemat. Aby sterować tranzystorem MOSFET i zredukować straty wydzielane w postaci ciepła, należy na przemian ładować i rozładowywać pojemność wejściową między jego bramką...
Witam To tak układ pierwszy z dwoma tranzystorami będzie palił tranzystory gdy napięcie na wejściu będzie w okolicy 0V, ponieważ napięcie bramka-źródło w obu tranzystorach będzie na poziomie takim by obydwa się w pełni otwarły. Natomiast przypadku gdy na wejściu tego układu będzie 12 lub -12 zostanie...
(at)trymer01: Mógłbyś rozwinąć PWM zasilać sprzed stabilizatora 5V zasilającego uC, dobrze odsprzęgnąć oba źródła zasilania tuż przy odbiorniku prądu PWM jest przecież wbudowany w µC co znaczy "odsprzęgnąć"? Anody diod zasilać z napięcia sprzed stabilizatora 5V. Wtedy zasilasz uC z innego...
Problem jest taki, że tranzystory się okropnie grzeją. Radiatory nie dają rady, Jakie stosujesz radiatory? Taki tranzystor bez radiatora juz przy 1,2A prądu ciągłego moze sie nagrzać do 100°C, przy 3A wydzieli 3,1W musiał byś mieć radiatory 12K/W żeby nie przekraczać 70°C (tranzystory wytrzymuja...
Witam, Mam na myśli to że po odłączeniu zasilania bramki, dren-źródło nadal przewodzi w regulowanym czasie od 0s do 4s ? ten pomysł jest ze wszech miar niewskazany. Zbyt długie przechodzenie tranzystora od stanu załączenia do stanu wyłączenia będzie powodowało dość duże i niepotrzebne straty...
Firma STMicroelectronics zaprezentowała pierwszy tranzystor MDmesh V wykonany w technologii Super-Junction. Dzięki wyposażeniu go w obudowę nowej technologii, zwiększa sprawność obwodów zasilania w urządzeniach takich jak sprzęt AGD, telewizory, komputery, sprzęt telekomunikacyjny oraz zasilacze...
Jaki jest fabryczny typ tego tranzystora? Proszę czytać post tytułowy. dlaczego i jak "schodzisz z oporem poniżej 0,3 oma". Przecież opornik jest 15 kom, jak napisałeś 0,3 Ohm to oporność obciążenia (grzałki). prawdopodobnie przy napięciu 4,2V mosfet nie jest całkowicie otwarty Raczej nie...
Firma ROHM ogłosiła wprowadzenie do produkcji nowego tranzystora MOSFET, SCT2080KE. Jest to element wyprodukowany z węglika krzemu (SiC), dedykowany do generatorów impulsów wysokonapięciowych. Generatory tego rodzaju stosuje się w szeregu aplikacji, takich jak generatory plazmy, lasery czy akceleratory....
t=(Qg*Ug)/Ig Zły. Inny wzór jaki spotkałem to: t=(Ciss*Ug)/Ig Ciss - Pojemność wejściowa bramki w Faradach Liczenie w ten sposób to bardzo popularny błąd, daje mocno zaniżone wyniki. Raz tu na forum widziałem wzór t=Qg/Ig Najbliższy prawdy, da wartość za dużą, można stosować do bardzo zgrubnego...
Chciałem jeszcze tylko dopowiedzieć, że ze względu na dość duże prądy korzystniejszy w tym układzie będzie mosfet z kanałem N, sterowany specjalizowanym transoptorem np. TLP250. Wadą takiego rozwiązania jest konieczność zapewnienia izolowanego napięcia 12..15V do zasilania takiego transoptora. Jednak...
Fajne założenia ale schemat trochę źle przemyślany. Fajnie, że masz tryb prądowy ale on w większości dobije przetwornicę po przekroczeniu jej ograniczenia prądowego i zacznie się czkawka (nie da się ściągnąć ch-ki ograniczenia mocy). Przydał by się tryb rezystancyjny. Da się to zrobić przez dorzucenie...
Witam Nie dziw się prądom powyżej 100A w układach z prądami poniżej 15A. Otwórz dowolny katalog i przyjrzyj się parametrowi R DS(ON) , zauważysz że im wyższy prąd tranzystora tym mniejszy R DS(ON). W pracującym układzie albo zastosujesz tranzystor o mniejszej rezystancji kanału, albo musisz wydzielić...
Wyjaśnij swoją opinie jeśli to nie prawda?? Oporność R DS (ON) = 0.07 Ohm po wysterowaniu Między Drenem a Źródłem wyjęte z notki katalogowej SPW47N60C3: Między 2,1V a 3,9V tranzystor zaczyna się otwierać, w zależności od egzemplarza. Spójrz jeszcze co dokument mówi na temat tego co producent...
Tak, tak, zgrzewarka w dalszym ciągu. Zgodzę się, że kilka tranzystorów połączonych równolegle dałoby lepszy efekt ale STE180NE10 są za drogie (170 zł/szt). Dlatego też będzie jeden tranzystor. By zminimalizować straty stosuję przewody 35mm2. Zakres regulacji czasu, na jaki ma załączać się tranzystor,...
Równoległe połączenie dwóch tranzystorów nie koniecznie może dać pożądany efekt, gdyż o ile teoretycznie powinna zmniejszyć się moc strat, tak trzeba pamiętać, że driver nie wysteruje już tak samo szybko dwoma bramkami. Aczkolwiek w tym przypadku tranzystora znalezionego przez Ciebie można by spróbować....
W mostkach pracujących z obciążeniem indukcyjnym można napotkać na problemy związane z diodami zwrotnymi w mosfetach, które tak naprawdę są diodami pasożytniczymi o bardzo słabych parametrach dynamicznych, i to one mogą powodować niekontrolowane chwilowe zwarcia w gałęziach mostka. Zgadza się i...
Oryginalne tranzystory są wyraźnie potężniejsze. Przy tej częstotliwości pracy można się spodziewać wyraźnych strat przy załączaniu a dodatkowo pewnie niezmienione układy gasików przepięć nie kumulują dostatecznej energii. Możesz spróbować współpracy nie 2 tranzystorów a 2 par tranzystorów połączonych...
Co do gwałtownego spadku napięcia - układ będzie zasilany buforowo z akumulatora, więc raczej gwałtownych spadków napięcia nie powinno być. Optoizolacja wewnątrz (z transoptorem CNY-17) nie jest potrzebna - ale tak najłatwiej mi było to rozwiązać. Co do zwiększania R1 - nie chcę go za bardzo większać...
Najlepiej abyś załączył schemat, jakie tranzystory, napięcie zasilania - ? Przyczyny mogą być różne - np. potencjometr "nie trzyma", albo się nagrzewa i zmienia wartość, najbardziej prawdopodobne jest to, że przy na wpół otwartym tranzystorze (żarówka lekko świeci) na tranzystorze jest spore napięcie...
Witam, Sukcesywnie projektuję urządzenie w którym wykorzystuję parę tranzystorów IRF540 oraz IRF9540. Zadaniem tych tranzystorów jest praca na zadanej częstotliwości poprzez naprzemienne zał- i wyłączenie. Niestety cała idea wymaga aby elementy te były możliwie jak najbardziej ze sobą zsynchronizowane. Aktualnie...
Nóżki w tym tranzystorze mają przekrój 0,64mm2 a w tej węższej części 0,41mm2 co przy 75A daje gęstość prądu 120A/mm2 i 180A/mm2 - bardzo duzo, (przewodów zazwyczaj nie obciaża sie ponad 10A/mm2) na 1mm długości takiej nóżki wydziela się 160mW albo 240mW, jedyne co mozna zrobić to zadbać aby nóżka była...
uklad powinien byc tak zaprojektowany aby mozna bylo wlozyc do niego tranzystory bez dobierania. Takie parowanie to strata czasu i zadna firma produkujaca wzmacniacze nie bedzie sie w to bawic. Nikt nie bedzie wyzucal tranzystorow do kosza! Zreszta jak kolega napisal po wybraniu trzech tranzystorow...
Parzcież w ten sposób otwierasz obydwa tranzystory M1 i M2. No chyba że to maja być przekątne mostka. Ale mniejsza o to. Napięcia 15V Ci nie spadają? 15V na 2R to z 7A i 100W mocy strat. Na górnym tranzystorze powinieneś mieć ze 12V napięcia UGS co najmniej. Schemat wygląda OK. Tyle że dolny...
Witam Mam problem, muszę dobrać spalone mosfety w inwertorowej przecinarce plazmowej, oryginalnie siedziały 12 sztuk po 3 w mostku 2sk2837, niestety są drogie i trudno dostępne, znalazłem irfp460 ,napięcie i prąd dopuszczalny mają taki sam , Rdson ciut większy w granicach tolerancji produkcji, moc...
Przy MOSFETach N upieram się dlatego, że posiadają mniejszą rezystancję między źródłem, a drenem, a więc mniejsze straty. W ostateczności jestem w stanie się złamać i zastosować MOSTETy P, ale moja upartość nakazuje mi zadać pewne pytanie.. Istnieje taki sterownik MOSFETów, który kolega może polecić...
Witam! No, ale gdzie ten silnik podłączysz, jak na wyjście po prostowniku, to gdzie ta regulacja, a jak na wyjście zasilacza, to ten tranzystor szeregowy T1 to wytrzyma?, W prawdzie są takie fety stosowane do falowników, nawet takiego miałem, ale on kosztował 6000zł a gdzie reszta, ogólnie układ wygląda...
Może i można ale napięcie Ube tranzystora bipolarnego jest zdecydowanie mniejsze od napięcia Ugs mosfeta i co się z tym wiąże potrzebny jest mniejszy spadek napięcia na elemencie pomiarowym - mniejsza strata mocy.
Tak tak. Chyba to będzie rozwiązanie z dodatkową rezystancją ok 5mOhm. Napięcie wynosić będzie wtedy ok 0,1V a moc wydzielana na takiej rezystancji będzie na zadowalając mnie poziomie. Zapomniałem dodać, że wielkość urządzenia ma duże znaczenie, więc straty mocy już kilku watów nie wchodzą w grę. Dlatego...
Przepraszam, to mój błąd, oczywiście chodziło mi o obciążenie rezystancyjne. Częstotliwość nie jest wielkim problemem, sygnał PWM będzie pochodził z mikrokontrolera, zależy mi tylko by była to ponad akustyczna częstotliwość - z wiadomych powodów ;) Czy IRFZ44N jest dobrym wyborem do tego zastosowania?...
Zastępując IRLB3034 tranzystorem IRFZ44 musisz liczyć się z koniecznością intensywniejszego chłodzenia: Rezystancja kanału IRLB3034 wynosi max 1,7 mΩ zaś IRFZ44 - 22mΩ i więcej . Na tym drugim straty mocy będą większe..
A da się jakoś wyliczyć tą granicę z parametrów tranzystora? Coś czuje, że będzie to miało coś wspólnego z pojemnością bramki mosfeta i możliwościami prądowymi pinu procesora. Mam racje? Tak właczanie MOS'a miożna podzielić na trzy etapy 1. Ładowanie Cgs - powoduje tylko opóźnienie ponieważ prąd drenu...
Zamieszczam dokument który wcześniej linkowałem. Nie projektowałem tego układu, chciałem na jego przykładzie pokazać które parametry są istotne w tego typu układach i jakie skutki daje mocna optymalizacja czasów narastania, innymi słowy pokazać kierunek w którym należy iść, bo jeśli chodzi o sam układ...
Już wyjaśniam ma to być włącznik który zamyka obwód miedzy aku SLA 12V 7Ah a przetwornicą HID.Zależy mi aby rezystancji oraz spadek napięcia na przełączniku był jak najmniejszy.Zamierzam zastosować kable o średnicy 5mm² oraz może pozłacane styki by straty były minimalne ale bez dobrego przełącznika...
STMicroelectronics ogłosił pokonanie kolejnej bariery wydajności układów mocy MOSFET, poprzez osiągnięcie najniższej rezystancji załączenia na powierzchnię układu. Dzięki technologii MDmesh™ V najnowsze tranzystory FET z napięciem pracy wynoszącym do 650V osiągają opór podczas załączenia...
Szkoda że nie podali rodziny charakterystyk dla ciągłego prądu dla różnych Vgs A jak to sobie wyobrażasz zmierzyć dla obszaru poza hiperbolą dopuszczalnych strat mocy ? ? ?
Odpowiedzialem na e-mail. Mniejsze straty beda na NTD110N02. Rozmiarami sa identyczne.
a dren przepuszcza 5A - czyli jest odpowiedni Nie koniecznie, trzeba patrzeć na Rds(on), a nie katalogowy prąd maksymalny. Liczyłeś moc strat? Edit: Nie zauważyłem że podałeś prąd 2A, dla TSM2312CX to nie jest dużo.
Djfarad02 jak widać na załączonym filmie układ nic nie generuje Niesamowite, ekran telewizora robi się czarny (sama nośna) a Ty dalej twierdzisz, że układ nic nie generuje? Sam piszesz, że w ten sposób stroiłeś nadajniki. Robisz poprostu razem ze swoim śubokrętem za antenę i podajesz na wejście...
IPB019N06L3: 1. Nie możesz go sterować wprost z uC, gdyż to tranzystor o ogromnej pojemności bramki (typowo 21nF), poza tym Vgsth=1,7V (typowo) nie oznacza wcale że 3V z uC go prawidłowo wysteruje. - patrz wykres 6 - aby uzykać Rdson=2mOhm potrzebne jest co najmniej Vgs=5V. 2. Obudowa TO-263...
Zakładając że silnik ma pobiera 500W płynie 42A tranzystory sie nagrzeją powiedzmy do 100°C Rdson zestawu wzrośnie do 6mΩ? straty statyczne będą do 10W. Jak do tego mają sie straty przełączania? Kolega pisze że 170ns to duzo, ja założę że 12x więcej - 2µs to nadal mało, załóżmy w uprosczeniu...
Kolega zamieścił link do datasheet 9N60 - niewłaściwy (?) Prawdopodobnie to ten: TMPF9N60G Dla pewności proszę podać pełne cechowanie na obudowie oraz typ obudowy, albo wyraźne zdjęcie. Podmienił bym, ma dodatkowe zabezpieczenie, ale mniejszą moc może być potrzebny większy radiator. Różnicę w...
Witam forumowiczów, Wykonuje projekt falownika i mam obliczyć straty w tranzystorze MOSFET ale stanąłem w martwym punkcie gdyż, gdy obliczam straty przełączania to w katalogu nie podają jaka energie się wydziela przy załączani i wyłączaniu tranzystora, żeby podstawić to do następującego wzoru: Psw...
Mam tranzystor np IRRFR7440 (około 2mOhm RDSon). Jeżeli go otworze i popłynie prąd 10A to moc strat wyniesie 100x2m =200mW. Jak oszacować straty mocy przy kluczowaniu włącz/wyłącz np 1kHz ?
Jeśli chodzi o przetwornice impulsowe, oba rodzaje tematycznych tranzystorów mają swoje wady i zalety. Ale który jest najlepszy do danej aplikacji? W poniższym artykule nie odpowiemy bezpośrednio na to pytanie, jednakże porównamy tranzystory MOSFET z modułami IGBT, aby wskazać, na jakim polu poszczególne...
Moduł IGBT czy tranzystor MOSFET to napięciowo kontrolowane urządzenie półprzewodnikowe służące do sterowania przepływem prądu elektrycznego w systemach sterowania oświetleniem, silnikami, zasilaczach impulsowych i wielu innych. Bramka takiego elementu jest galwaniczne odizolowana od pozostałych dwóch...
Pytanie: Jak dobrać do naszej aplikacji tranzystor dyskretny? Odpowiedź: No... dyskretnie ;). Tego żartu nie udało się niestety uniknąć. Prawda jest taka, jak piszę autor artykułów, James Bryant, iż wcale nie trzeba dokonywać tego doboru nazbyt dokładnie. Często spotyka się projektantów spędzających...
Tranzystory MOSFET nadają się bardzo dobrze do załączania dużych prądów, przy małych napięciach, w takim zastosowaniu mają mniejsze straty od bipolarnych. Przy wysokim napięciu i dużych prądach, mniejsze straty mają bipolarne lub IGBT. W układach analogowych tranzystory JFET i MOSFET stosowane są w układach...
Gdy nasza aplikacja potrzebuje potrzebuje tranzystora MOSFET o napięciu pracy większym niż 50 V lub też rezystancji kanału poniżej kilku miliomów musimy posłużyć się rozwiązaniem dyskretnym, gdyż nie istnieją scalone przełączniki tego rodzaju. W takiej sytuacji zaprojektować musimy nie tylko sam układ...
Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje...
Tranzystory MOSFET pracujące jako przełączniki przy dużych wartościach prądu powinny się cechować się jak najniższymi spadkami napięć, aby maksymalnie zminimalizować straty przewodzenia. Aby jak najlepiej spełnić te wymagania firma Advanced Power Electronics wprowadziła na rynek nowy tranzystor mocy...
Przy stabilizacji napięcia z 30 V na 12 V przy prądzie 0,5 A bilans mocy wygląda tak: 30-12=18V --> P=18x0,5=9W, z 12V na 5V, jest odpowiednio 12-5=7V --> P=7x0,5=3,5W. Z tego rachunku wynika, że choćbyś klękał i przykucał, stabilizator musi zanienić na ciepło moc zależną od prądu i spadku napięcia na...
Witam proszę o informacje jakie czasy przełączania bramki MOSFETA są osiągalne. Czy czasy rzędu 100..200ns przy przełączaniu ok. 18kHz to czasy przyzwoite ? Sterownika MCP1416 (prąd max, 1.5A, rezystancja szeregowa do bramki 7,5R przy napięciu Ugs=10V) Tranzystor to IRF830 (4.5A, 500V,...
->aaanteka Witamy koleżankę w 101 dyskusji o MOSFET'ach, z wielu flame'ów które się wywiązały na tym forum wynika że wiedza dotycząca tranzystorów bipolarnych nie da sie bezpośrednio przenieść na tranzystory MOSFET, niektóre wnioski bywaja zaskakujące, czoćby takie że Pd (Maksymalna moc strat) i Id...
Nie chodziło o wyjaśnienie po co są te oporniki, tylko czy są potrzebne czy nie. Pytanie dotyczyło również tego czy są potrzebne oporniki w drenach tranzystorów połączonych równolegle. Czesc Nie zgadzam się z "Panda02". Tranzystory polowe sa sterowane napieciem, ich opornosc wejsciowa jest liczona...
Cześć. Mam pytanko czy możecie mi podać tak na chłopski rozum podstawowe różnice tranzystorów IGBT i MOSFET - nie chodzi mi o samą budowę i technologię bo od tej strony są wielkie różnice - chodzi mi o zastosowanie w praktyce ponieważ zauważyłem, że stosuje się IGBT coraz częściej i są bardzo chwalone...
Można by też zastosować mostek H... Jeśli mamy obwód RLC szeregowy, to moc tracona jest równa I_skuteczne^2*R; przy założeniu przebiegu sinusoidalnego to będzie I_max^2*R/2, moc dostarczana może być U_zasilania*I_max/Pi dla wyjścia push-pull, 2*U_zasilania*I_max/Pi dla mostka H - z tego można wyliczyć...
Fig.11 to charakterystyka umożliwiająca obliczenie (oszacowanie) wzrostu dopuszczalnej mocy strat tranzystora gdy przebieg jest impulsowy Dla DC - P=(Tjmax-Ta)/Rthja= ok. 2W) . Dla przebiegu impulsowego w zależności od wypełnienia (duty factor), oraz długości impulsu t1 odczytuje się wartość Zth...
Witam. Poszukuję tranzystora MOSFET N, który będzie mógł być sterowany z ATMEGI zasilanej napięciem 3v3. Pojemność bramki mnie nie interesuje, bo częstotliwość włączania/wyłączania klucza będzie mała. Chciałbym, aby tranzystor przy U bliskim 3V był już nasycony, dla prądów do 600mA. Będą w ten sposób...
Dzień dobry Mam wątpliwości n/t stabilnego działania sterownika tranzystora MOSFET a konkretnie układu przeniesienia poziomu "bootstrap" D3 C6 przy tak małej częstotliwości łączeń (500Hz). Korzystałem kiedyś z IR2113 do sterowania łącznikami 50Hz w gałęzi mostka. Był tam bardzo podobny układ i niestety...
Możesz wyjaśnić jak układ miałby działać i czym sterować? Chodzi zapewne o rozłączanie zasilania w masie. Musisz policzyć sobie co będzie bardziej opłacalne energetycznie. Jeżeli w grę wchodzi niskie napięcie lepiej zastosować tranzystor mosfet, współczesne mosfet-y na niskie napięcia mają bardzo...
Firma Toshiba rozszerza swoją rodzinę tranzystorów MOSFET do zastosowań motoryzacyjnych o trzy nowe formaty obudów. Pozwoli to na obniżkę kosztów i zajmowanej przestrzeni bez konieczności obniżki wydajności. Trzy nowe rodziny tranzystorów TPCA8xxx , TPCC8xxx i TPCP8xxx oferowane są zarówno w wariantach...
Witam! O sterowaniu mosfetami na forum jest już dużo tematów to wiem... ale :) W moim układzie muszę wykorzystać tranzystor mosfet IRLZ, problemem jest to że częstotliwość z jaką chcę go sterować to... 234kHz (Ewentualnie mogę zejść do 117kHz, ale wole pozostać przy tej). I tu nasuwa się pytanie- czy...
Pasożytnicza dioda w tranzystorze MOSFET jest połączona miedzy drenem a źródłem. Bramka jest odizolowana od kanału czyli również od diody, wiec nie rozumiem stwierdzenia, że dzięki diodzie sygnał sterujący nie jest pływający względem załączanego układu, to jest zadaniem projektanta zapewnienie odpowiedniego...
W tym układzie problemem jest dostarczenie prądu bazy dla tranzystora wyjściowego. jego gwarantowane wzmocnienie prądowe to zaledwie 8 przy 2A, 10 chyba przy 1A (maksymalne 40 i 60, ale raczej należy się spodziewać mniejszego). Wzmocnienie dla małych prądów jest tylko na wykresach, ale jak zechcesz...
Firma D3 Semiconductor zadebiutowała na rynku urządzeń półprzewodnikowych tranzystorami z rodziny +FET. Jest to rodzina tranzystorów MOSFET o napięciu pracy do 650 V. Układy te dedykowane są do wysokowydajnych rozwiązań w przetwornicach impulsowych, układach PFC, inwerterach oraz sprzęcie telekomunikacyjnym,...
Rezystancję termiczną tych radiatorów można oszacować przez porównanie z innymi katalogowymi na: - po lewej ma ok. 2,5-3K/W (miałby ok.1,7k/W ale ma bardzo cienki środnik - piszesz że ma 2,5mm). - o prawej ma ok. 1,6K/W. IRFP32N50K ma Rthjc=0,26K/W, trzeba założyć Rthcs=0,24K/W (bardzo optymistycznie),...
Zabezpieczenia tranzystora przed przepieciami robi sie tak samo jak w każdym innym układzie (np TVS), albo wcale - stosując tranzystor "avalanche rated" w dopuszczalnym zakresie przebicia. Podłączenie bramki w tym ukłądzie nie ma sensu. W układach niskonapieciowych wysokoprądowych zamiast stosować...
Układ może i poprawny ale obarczony dużymi stratami. Przykładowo gdy napięcie wyjściowe będzie 6V na tranzystorach zostanie reszta ok 6V przykładowy prąd np 12A co da 72W mocy wydzielanej w tranzystorach. Zastosuj prosty regulator PWM na tranzystorze MOSFET
Do sterowania przetwornicy dał bym IRF4905. Ma RDSon równe 0,02R co da max 0,5W mocy strat. Do jego sterowania jakiś NPN i rezystor. No i niestety jeszcze jakiś bajer z diodą Zenera żeby nie przekroczyć napięcia 20V na bramce MOSFETa (20V oczywiście liczone w dół od zaczynając od strony 24V). Do grzałki...
Brzęczeć może źle nawinięte uzwojenie, a grzeje się gdyż podejrzewam, konstrukcję partyzancką i nie za wielką wiedzę na temat strat dynamicznych w tranzystorze. Dodam tak na koniec że tranzystor mosfet w obudowie TO-220 może rozproszyć około 1.5W energii przy czym jego temperatura sięga wtedy ponad 100...
Niebardzo. W Twoim układzie tranzystor będzie pracował w sposób liniowy, a więc będzie się na nim odkładało od groma mocy. Dużo lepiej użyć tranzystora mosfet, i regulować napięcie poprzez PWM (układem NE555 lub TL494). Straty będą wtedy minimalne, a i wydajność zasilacza może się znacznie podnieść....
Zamierzam zbudować wzmacniacz mocy audio w płytkiej klasie AB, ewentualnie bliżej czystej A - poszukuję w związku z tym dobrych tranzystorów MOSFET o w miarę dużej mocy strat i możliwie dobrych do tego typu zastosowań pozostałych charakterystykach. Napięcie zasilania układu push-pull ma wynosić ok....
Witam, zrobiłem sterowniki silników(słabych 0,8A/fazę) na układzie ULN. Efekt jest taki, że już jedna kostka się spaliła(padły 2 wspólne kanały). Dużo lepszym rozwiązaniem jest tranzystor MOSFET, który ma straty mocy tylko podczas zmiany stanu pracy. Można go wysterować bezpośrednio z uC(jak już wspomniał...
Właściwie dlaczego stosowane są oba typy tranzystorów skoro unipolarne mają zdecydowanie lepsze parametry? W każdym zastosowaniu ważne są inne parametry. We wzmacniaczach ważna jest transkonduktancja, FET-y mają zdecydowanie mniejszą więc jeśli we wzmacniaczu na pojedynczym tranzystorze bipolarnym...
Trzeba zacząć od schematu elektrycznego tego motorka. To podstawa rozważań. Chodzi o schemat samej prądnicy, jej ori regulatora (w sensie układu w którym pracuje) oraz ew. podziału na obwody: swiatła, ładowanie. Rozwiązań praktycznych jest mnóstwo, choc można wyróżnić kilka grup podobnych do siebie. Ważna...
No, niestety szczotkowy. Biorąc pod uwagę straty mocy wydzielające się na tranzystorze podczas przełączania, proponowałbym użycie drivera MOSFET, ale nie takiego 500mA jak podałeś, tylko czegoś mocniejszego jak TC4421. Można przyjąć wtedy bardzo szybki czas włączenia. Na tyle szybki że tranzystor wytrzyma...
Zazwyczaj G na końcu nazwy oznacza "green" - czyli bez ołowiu kadmu rtęci itp. Dwa elementy jakie google znajduje pochodzą od różnych producentów i mają trochę inne parametry, gdyby oba były od jednego pewnie wersja G była by elektrycznie dokładnie taka sama. Najistotniejszym parametrem jest rezystancja...
Zakładając że jest wysterowany prawidłowo i otwarty "w całości" to wg noty katalogowej IRF 540 ma RDS(ON) = 0,077 OHM. Przy 5A moc odłożona na tranzystorze przy ciągłej pracy ( tylko przewodzenie) to I*I*R co daje 1,925 W . Jeżeli nie masz żadnego radiatora to ten tranzystor musi się grzać. Taki...
W przybliżeniu - tak, będzie lepszy. Tak liczone starty mocy (ciepło) dotyczy tylko strat w czasie włączenia (przewodzenia) tranzystora. Ważny tu jest również jaki jest stosunek czasu włączenia do okresu - t.zw. "Duty Cycle". Wiele tu zależy od tego, jak często ten tranzystor ma się włączać/wyłączać....
Zobacz na napięcie progowe, w przypadku obu 2...4V, napięcie progowe to napięcie przy którym tranzystor zaczyna przewodzić, czyli płynie przez niego 1mA albo 250uA, do tego żeby przewodził jakiś konkretny prąd potrzeba >5V, a żeby nie wszedł obszar nasycenia* daje się 8-12V. Jeśli układ ma mieć dobrą...
Parametry o których piszesz, to pewnie maksymalne napięcie VDS lub VGS, po którego przekroczeniu nastąpi przebicie. Ciebie interesuje napięcie VGSth, czyli napięcie przy którym następuje przełączenie tranzystora. Tutaj zalecałbym ostrożność, ponieważ często jest to parametr marketingowy. Do poprawnej...
Częstotliwość to 60kHz, więc jaki układ sterujący mógłby być odpowiedni? Z btle arduino przy tej częstotliwości żadnego MOSFET-a nie wysterujesz, więc trzeba dać driver, albo scalony albo zbudować na tranzystorach, a wiec i podniesienie napięcia nie będzie problemem. Napięcie do 250V. Łączna moc...
Czy zamiana rezystora na źródło prądowe z tranzystorem N-MOSFET (w układzie zasilania z 12V diody LED, I=0.5A, straty mocy ~kilka W , temperatura opornika > 50 st. C ) spowoduje że straty mocy na rezystorze/źródle prądowym będą mniejsze ? Czy ktoś mógłby narysować schemat takiego źródła ? Źródło...
Wyjaśnię Tobie, jako żem też chłop ze wsi tak: Lampa z postu #2 działa. Jak najbardziej. Przy czym marnuje kupę energii, grzeje strasznie tranzystor i jak się nią dłużej bawisz - co jakiś czas pali klucz. Jako zabawka "dorywcza" ujdzie. Ale jak chcesz trwałości i sprawności to nie licz na nie. Do...
Jak to połączyć?? Poczytałem o łączeniu równoległym tranzystorów, że przez opornik(tak?), nie wiem jak w przypadku takiego układu w którym oprócz tranzystora w środku jest jeszcze pare innych elementów. Skoro Darlingtony mają napiecie nasycenia 2V to rezystory mozna by dać 1Ω przy pradzie obciążenia...
Dlaczego zdecydowałeś się na baterię kilku tranzystorów? Ogólnie kiepsko je dobrałeś - niski prąd drenu, duże Rds. Będą się grzały, nadto możesz cały ten zestaw zastąpić jednym, solidniejszym tranzystorem który do tego będzie miał dla całości mniejsze straty przewodzenia, niż teraz masz dla jednego (mało...
Napięcie na BC547 najpewniej by go uszkodziło. Skąd taki wniosek? ja bym wybrał mosfety których prąd maksymalny wynosi minimum 10 krotność prądu żarówki Błąd. Idmax podawany w datasheet to parametr w zasadzie ....zbędny, podawany jest na zasadzie tradycji? Ważny jest Rdson, z którego liczy się...
Chodzi o pojemność bramki. Bramka tranzystora zawiera pasożytniczy kondensator. Jak ładujemy lub rozładowujemy kondensator to potrzebujemy dostarczyć albo odebrać prąd. Ten tranzystor ma dużą pojemność bramki. Aby ją szybko naładować czy rozładować trzeba dać większy prąd. Arduino może mieć...
dla pradu 0.1A potrzeba 2V do 2.2V i dla 1.7A potrzeba 2.5V do 2.7V. Moj zasilacz nie daje wiecej jak 1.7A, wiec nie moglem sprawdzic przy wiekszych pradach. Jest jednak taka uwaga, ze zmiana pradu od 0.5A do 1.7A wymagala zmiany na bramce tylko 0.2V..... Opornik 4R7 w drenie, opornik 1k z drenu do...
Jak najmniejszy , aby straty były niskie ( oczywiście wzmacniacz ma grać bez zniekształceń przy ustalonym prądzie spoczynkowym ) Pomiar np. na +zasilania i pomiar spadku napięcia na rezystorach 5W. Chodzi o to , ze prąd puszczony przez tranzystory mocy ma być zbliżonej do siebie wartości we wszystkich...
Szeregowo. Zrób pierwszą próbę 4szt. łącząc bramki z drenami. Jak nie będą grzać należycie odejmuj po jednym. Jeżeli 2szt. nie będą grzać musisz się zagłębić w charakterystyki tranzystorów i dobrać odpowiednie do Twojego nowatorskiego pomysłu. Ja próbowałem grzać wodę z baterii solarnej, ale tranzystorami...
Firma STMicroelectronics zaprezentowała swoją najnowszą serię tranzystorów mocy MOSFET wykonanych w technologii super-junction, adresowaną na potrzeby bardziej wydajnych zasilaczy elektroniki, systemów oświetlenia energooszczędnego czy przetwornic do systemów paneli słonecznych. Nowa seria MDmesh...
Możesz je bezproblemowo połączyć To porada szkodliwa! Nie wolno łączyć równolegle takich MOSFET-ów. Są one przeznaczone do pracy impulsowej i wtedy można (z pewnymi zastrzeżeniami), do pracy liniowej nie wolno tego robić, gdyż różnice w charakterystykach (zwłaszcza Id=f(Vgs) spowodują różny rozpływ...
Jeśli już to do masy zdecydowanie lepiej podłączyć po prostu rezystor. Ale taki sposób sterowania będzie powodował większe straty mocy. Układ który podałeś w linku też może być, tylko dioda powinna być równolegle do silnika a nie tranzystora. Rezystor w bramce też mógłby być mniejszy. Ale jakichś...