straty przełączania mosfet

straty podczas przełączania MOSFET'a - jak to policzyć ?

Nie tędy droga. Dobiera się tranzystory do żądanej mocy przetwornicy a nie buduje przetwornicę na podstawie wymiotków z szuflady. Takie stawianie problemu na głowie nie jest zdrowe.

Poszukiwany zamiennik tranzystora MOSFET RU6099R w przetwornicy Volt Polska

RU6099R ma Gate Charge 47 nC, a IRF1407PBF 160 nC. Czyli ponad 3 razy tyle. I jakieś 1.5 razy większe Coos. Czyli IRF1407PBF będzie miał o wiele większe straty przełączania.

Nie znalazłeś odpowiedzi? Zadaj pytanie Sztucznej Inteligencji

Dlaczego zasilacz zwiększa napięcie przy podłączeniu regulatora PWM?

Nie ma nic dziwnego w tym, że MOSFET mniej się grzeje wtedy, gdy żarówka świeci pełnym lub niemal pełnym światłem. NE555 jest dość marnym źródłem prądów do przeładowywania bramki MOSFETa - czas przełączania jest stosunkowo długi. Przy zimnym włóknie żarówki jej oporność jest bardzo mała i płyną przez nią bardzo duże prądy. A straty na przełączanie w...

Jak obliczyć straty przełączania w tranzystorze MOSFET bez danych katalogowych?

Ale na ogół jest podany maksymalny czas t(on) i t(off). Ten czas nie zawsze jest miernikiem strat na przełączenie. Czasem element sterujący wprowadza długi czas przełączania, a czasem pojemności montażowe rezystancje szeregowe zwiększają stałą czasową RC, przez co nawet szybki MOSFET przełącza powoli (łagodnie narastające i opadające zbocza). Jeżeli...

TL494 moduł do przetwornicy - proszę o sprawdzenie

"Przykładowo, przy przepływie przez tranzystor MOSFET prądu o wartości 20 A, straty na nim wyniosą 120...400 W, podczas gdy na IGBT wytraci się jedynie 33 W." Link To weźmy IRFP7718 - 1,5mΩ więc wytraci się 0,6W przy 20A (nie licząc strat przełączania). O ile w MOSFETach straty przełączania zależą od szybkości przeładowania bramki (można bardzo...

Dlaczego moc wiatraczka z MOSFET nie jest proporcjonalna do wypełnienia PWM?

Czytałam trochę o PWM i stratach przełączania na MOSFET i przy większych częstotliwościach straty przełączania (np dla współczynnika wypełnienia 50%) będą rosnąć, czyli moc wiatraczka zmaleje. Ale nie mogę znaleźć dlaczego w zakresie tej samej częstotliwości moc nie osiąga 50% mocy maksymalnej przy współczynniku wypełnienia 50%. Czy może chodzi o to,...

Jak sterować MOSFET typu N z attiny26l przez rezystor?

Fakt, wyjście mikrokontrolera może dać około 10-20 mA (przynajmniej AVR), ale nie należy zapominać o maksymalnym dopuszczalnym SUMARYCZNYM prądzie ze wszystkich pinów, który z reguły wynosi ~100-200 mA. Ja bym jednak zastosował z driverem z wejściem logicznym. Uzyskujemy w ten sposób bezproblemowe sterowanie tranzystorem przy pomocy sygnału o poziomach...

Obliczenia czasów przełączania MOSFET-a w układzie z tranzystorami BC337

Policzenie tego nie jest takie proste. Po pierwsze w swoich obliczeniach pomijasz napięcie nasycenia tranzystorów bipolarnych. Po drugie straty na MOSFEcie musisz rozbić na co najmniej dwie komponenty - pierwsza w miarę prosta to uwzględnienie zmieniającego się RDS podczas otwierania/zamykania tranzystora, to zależy od prędkości drivera. Rezystancje...

Jaki MOSFET do sterowania taśmami LED i żarówkami 12V/21W z attiny2313 PWM?

1. Przyspieszy przeładowywanie pojemności bramki MOSFETa i tym samym zmniejszy straty przełączania. Bez tego i przy dużej częstotliwości PWMa będziesz miał ogromne straty na MOSFECie. 2. Zwykły wspólny kolektor, tyle że komplementarny. I rezystor bramkowy ze 4,7R by się przydał. http://obrazki.elektroda.net/4_125337859... Oczywiście to układ poglądowy....

Analiza przełączania MOSFET: brak strat mocy, prąd drenu rośnie przy Vds=0

Dzięki za odpowiedzi. Faktycznie jest to praca w ZVS. Dopiero wczoraj się dowiedziałem, że coś takiego jest. Straty mocy mam tylko podczas wyłączania. Dzięki za pomoc. Temat można zamknąć.

Obliczenia strat dynamicznych dla mosfet

Ale że tak w ogóle o topologii rezonansowej? Czy bardziej o miękkim przełączaniu?

Sterowanie MOSFETami półmostka - jakie są typowe czasy martwe? Na bazie ST

Trochę się zastanawiałem nad odpowiedzią, gdyż nie mam za wielkiego doświadczenia w półmostkach gdzie nie ma rezonansu, ale jednak nie ma aż takich rozbieżności. Zacznijmy od tego że nie powinno się odpalać półmostków bez obciążenia. Dlaczego? Bo występuje wtedy najgorsza forma przełączania - hard swiching. W takim wypadku prądy przeładowania się pojemności...

Dobranie odpowiedniego mosfeta do sterownika UHU 3.0 z mostkiem H i tranzystorami IRFP260N

Katalogowe Vds to napięcie przebicia, nie pracy, więc zapas musi być, przy zasilaniu 60V dał bym min 100V, rezystancję Rdson tak żeby była znacząco mniejsza powiedzmy 50%, wpisując >100V i <22mOm wyszukiwarka TME znalazła mi IXFH110N15T2 (150V 13mOm) za ~25zł (słabsze były droższe, więc bez sensu) Rdson to 24% tego co było więc powinno wydzielić...

Jak zaprojektować mosfet driver do szybkiego przełączania z atmega OUT?

Skoro już wiadomo że chodzi o IRFZ44N to przy rezystancji wyjściowej drivera 47Ω przełączanie potrwa ok 200ns nawet jeśli szczytowa moc strat podczas przełaczania osiągnie 120W (najgorszy przypadek 12V 10A obciążenie indukcyjne - silnik) to przy 1kHz dodało by to tylko 24mW do strat w tranzystorze. Dlatego pisałem że mozna zwiększyc rezystor R4...

Poszukiwanie schematu do sztucznego obciążenia przetwornicy 2x100V min. 2kW

A jeśli pozwolisz, że spytam poza tematem, który parametr tranzystora przystosowanego do pracy liniowej podany w karcie katalogowej odpowiada za "Możliwość jego pracy przy częstotliwości 100kHz" i nagłej pracy liniowej ? MOSFETy da się bardzo szybko przełączać, ale im wyższa częstotliwość tym większych prądów bramki potrzeba, pewnym ograniczeniem jest...

Sterowanie mosfet-ów. Układ z rysunku. Sterowanie z poziomu TTL, CMOS.

Przecież MOS-FETy są sterowane napięciowo i prąd dren-źródło zależy od napięcia na bramce. -> darkfenriz w przełączaniu mosfetów brąd brami zależy raczej od częstotliwości Nie ma mowy, jeżeli już, to w niewielkim stopniu, wskutek strat przy przełączaniu

Nagrzewanie tranzystorów bipolarnych - jak to wygląda?

Jak to jest np. w MOSFET (0,5ohma), jeśli na wejściu mamy 30V i podajemy PWM 20% to jaka moc wydzieli się na tranzystorze? Jak obciążenie pobierze 1A to w tranzystorze wydzieli się 0,5W przy PWM 100% i 0,1W przy PWM 20%. Przy 20A w takim tranzystorze wydzieli się 200W przy PWM 100% i 40W przy PWM 20%. Moc strat na rezystancji Rds(on) to iloczyn kwadratu...

Dlaczego stosuje się tranzystory bipolarne, skoro unipolarne są lepsze?

Właściwie dlaczego stosowane są oba typy tranzystorów skoro unipolarne mają zdecydowanie lepsze parametry? W każdym zastosowaniu ważne są inne parametry. We wzmacniaczach ważna jest transkonduktancja, FET-y mają zdecydowanie mniejszą więc jeśli we wzmacniaczu na pojedynczym tranzystorze bipolarnym wstawisz MOSFET-a to spadnie wzmocnienie. Do kluczowania...

FAN73933 - Ilość MOSFET-ow połaczonych równolegle

jupi23 dzięki za udział w temacie i obszerną odpowiedź ! Temat oscylacji bramek tranzystorów znam tylko z teorii, więc dopiero uruchomienie z oscyloskopem pokaże co tam się dzieje. Rozumiem, że małe rezystory bramkowe pozwolą zmniejszyć straty związane z przełączaniem, ale jednocześnie przy wystąpieniu oscylacji konieczne będzie zwiększenie tych rezystorów,...

Czy ma sens stosowanie sterownika do tranzystorów Mosfet

Coś czuje, że będzie to miało coś wspólnego z pojemnością bramki mosfeta i możliwościami prądowymi pinu procesora. Mam racje? - masz rację. Wysterowanie bramki powoduje ładowanie jej pojemności. Pomiędzy pinem procesora a bramką dajesz rezystor szeregowy - w celu ograniczenia maksymalnego prądu do wartości bezpiecznej dla pinu procesora (rozladowana...

Stabilizator szeregowy z MOSFET do grzałki CWU z fotowoltaiką - jak to zrobić?

IGBT mają sens kiedy prąd osiąga kilkadziesiąt amperów, wtedy te 1,5-2,5V spadku w stanie nasycenia jest mniejsze niż spadek na Rds(on) MOSFETa. IGBT przełączają wolniej od MOSFETów więc nie stosuje się ich kiedy w stratach statycznych nie mają istotnej przewagi

Jak zmniejszyć straty mocy na MOSFET IRF9Z34 w przetwornicy step-down?

Całkowity ładunek bramki wynosi znacznie więcej niż 9,9nC. Wartość całkowitego ładunku można odczytać z wykresu 6: Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage i wynosi około 25nC, ale można przyjąć do obliczeń 17,5nC gdyż do tego momentu występują największe straty związane z przełączaniem.

Dobór wartości rezystorów R4, R5, R70, R71, R72 dla tranzystorów N-MOSFET i P-MOSFET

Dlatego trzeba mniej więcej, doświadczalnie, dobierać rezystory bramkowe które takie oscylacje tłumią przez co na bramce mamy ładny prostokąt. Popsucie obwodu rezonansowego bramki jest jednym z celów użycia rezystora. Niektórzy projektanci używają również szeregowych perełek ferrytowych, częstotliwości rezonansowe tych pasożytniczych obwodów są dosyć...

Sterownik taśm RGB - 12V/150W

Wewnętrzny opór bramki to jedno... Na straty przełączania MOSFETa składa się głównie pojemność dren-źródło. Przy wyłączaniu tranzystora energia zgromadzona w tym pasożytniczym kondensatorze po prostu wytraca się w strukturze tranzystora. Nie, ze sie wytraca energia z pojemnosci, tylko poprzez przeładowywanie pojemnosci tranzystor dłużej jest w stanie...

Prościutka stacja lutownicza ATmega8

Sterowanie MOSFETem bezpośrednio z wyjścia mikrokontrolera to kompletne nieporozumienie - ale takie są schematy z tego typu portali, więc oszczędzę sobie słów, bo wyżej już napisano, co trzeba. Tego typu wypowiedzi są kompletnym nieporozumieniem. Jeszcze raz - elektronika to nie magia w której obowiązują spisane w magicznych księgach zasady. Dla danej...

Schemat prostownika na tranzystorze KD502 z regulacją napięcia i zabezpieczeniami, prąd do 15 A

(at)kwapek1947 IGBT stosuje się w zakresie setek woltów, gdzie MOSFETy kiepskie rezystancje w stanie włączenia. W zakresie <50V MOSFETy górują nad IGBT pod każdym względem, wyższe prądy maksymalne, niższe spadki napięcia przez to niższe straty, szybsze przełączanie, niższa cena. Jedyna "zaleta" jest taka że jak źle zaprojektujesz układ 12V i będą...

MOSFET 500V 36A pali się przy 2kW obciążeniu, radiator ciepły, nie gorący

Spróbuj zwiększyć rezystancję w bramce mosfeta do kilkudziesięciu omów. Spowolni to przełączanie tranzystora, zmniejszą się przepięcia lecz nieco wzrosną straty z przełączania - przy ta małej częstotliwości nie powinno to być dużym problemem.

Sterowanie jasnością żarówek, PWM napięcie stałe 230V

Mostek i MOSFET to klasyka sterowania fazowego. Układ ciut nowszy od triaka, bo lata temu odpowiednie MOSFETy nie były dostępne. Zaletą jest możliwość włączenia i wyłączenia w dowolnej części sinusoidy i mniejsze straty. Lecz nawet w takim układzie potrzebna jest detekcja fazy - PWM będzie się aliasował z siecią i w efekcie na wyjściu będziesz miał...

Optymalizacja czasów przełączania MOSFETA IRF830 przy 18kHz i 230V

A ten silnik to Ci trochę buczy co ? 16kHz to czas przyzwoity - ale jeśli silnik dostaje sinusoide (!). A silnik posiada wyłącznik odśrodkowy (kondensator rozruchowy) ? Czy to silnik z kondensatorem pracy ? Ogólnie wraz ze wzrostem częstotliwości rosną straty.

Sterowanie P-MOSFET z Arduino przez BD911 - uszkodzenie MOSFET (zwarcie dren-źródło)

Na schemacie D3 w dobrą stronę? Dla ochrony izolacji bramki przy wyższych napięciach zasilania podłącz rezystor - powiedzmy - 220 Ω/0,5 W z zasilania do bramki, a z niej 2-3 razy większy do kolektora. Będziesz mieć zbliżone czasy przełączania MOSFET-a. Przy 1 kHz może popiszczeć, ale za to masz ogromny czas na przełączanie z niedużymi stratami mocy...

Działanie przetwornic w laptopach: Porównanie TPS5112 i step-down, rola diod w układach

Zdarza się, że w praktycznych rozwiązaniach są dwa, równolegle połączone MOSFET-y dla minimalizacji strat przełączania. Na dokładkę wewnętrzna dioda jest typu Schottky-ego czyli dodatkowa w strukturze, równolegle do pasożytniczej MOSFET-a. 10 lat temu, można było spotkać w laptopowych przetwornicach zewnętrzną diodę Schottky-ego, mniej więcej na 1/5...

moc mosfeta, obciążenie nie uszkodzi tranzystora?

Witam, Quarz bardzo dziękuję za wyjaśnienie, teraz już jestem w domu. jeszcze tylko jak by mi ktoś powiedział czy IGBT mają większą sprawność niż MOSFET tzn miej tracą mocy to byłbym szczęśliwy. cieszę się, iż znalazłeś swój dom... :D Odnośnie sprawności, w ścisłym tego słowa znaczeniu, to będzie można mówić, kiedy porównamy konkretne typu tranzystorów...

Jak dobrać kondensatory i dzielnik napięcia dla IRF1010 w układzie 74LS164?

To wogóle nie zadziała :( Do silników nie stosuje się takiego sterowania ze względu na bardzo duże straty mocy na elemencie sterującym (a już szczególnie jak silnik dociążysz). Zastosuj sterowanie z modulacją wypełnienia impulsów PWM, wtedy MOSFET pracuje tylko w dwóch stanach: włączeny/wyłączony i jest minimalna strata mocy na nim (praktycznie tylko...

Arduino UNO - Sterownik fotowoltaiczny 50-100A 24V, pomiar napięcia i prądu, sterowanie obciążeniem

Driver MOSFET jako osobny układ komplikuje schemat i utrudnia sterowanie, nie rozumiem po co używać drivera MOSFET skoro Arduino ma wbudowaną funkcję PWM. MOSFET a raczej kilka MOSFETów które będzie przełączać 100A ma duży ładunek bramki, a procesor ma małą wydajność prądową i niskie napiecie wyjściowe, przez co czas przełaczania będzie długi. Jakbyć...

Instalacja PV 1kW, grzanie 80l wody - dobór regulatora PWM i połączenie paneli

Te które posiadają mała rezystancję D-S, maja zaraz większe pojemności bramkowe i zapewne tu też wystąpią straty i będzie się trochę grzało. Przy takiej częstotliwości przełączania pojemność bramkowa nie ma znaczenia, straty są na złączu a nie na bramce poza tym mamy sterownik mosfeta. Co do miernika to chyba nie będzie AC!!!

Gdzie kupić mały regulator DC 6V do akumulatora 7,2V i halogenu 20W?

Na pierwszym zdjęciu drugi kondensator od prawej podejrzewam ze 10n podmień go na 4,7n lub 1n i zobacz jaki będzie efekt. Mniejszych niż 1n raczej nie stosuj bo mogą pojawić się większe straty przy przełączaniu mosfeta. Spróbuj, chociaż wydaje mi się ze pisku nie zlikwidujesz do końca. pozdrawiam

Zwiększenie prądu w mostkach Graetza do 170A oraz wytrzymałość kondensatorów na duże ampery

Oczywiście, że równoległe. Tak, teoretycznie tak to wygląda, chociaż obawiam się, że nie trafisz na na tyle podobne parametrami mostki, że prąd będzie się rozkładał "równo" między mostki. Musiałbyś mostki mierzyć (głównie napięcia przewodzenia), wybrać 2 najbliższe sobie, oraz co najważniejsze porządnie sprząc je termicznie. Znaczy przykręcić blisko...

SG3525A + IR2113 - grzejące się MOSFETy i zakłócenia na bramkach

No to słabe schematy to były. Zwiększ rezystory bramkowe do 47-100ohm na SG3525 jaki dead time ustawiłeś? Radiatory na mosfetach muszą być. Obudowa TO-220 rozproszy maks 1W, potem już się tylko mosfet upali. Straty na przełączaniu mogą być spore, nawet bez obciążenia. Co do pomiaru bramki, to gdzie dokładnie mierzysz? na bramce mosfeta, na diodzie,...

Dobór tranzystorów MOSFET do sterownika silnika BLDC.

Straty przełączania: http://www.ti.com/lit/ml/slup169/slup169...

Jak obliczyć moc strat MOSFET w zasilaczu impulsowym PWM 0-300V 2A?

Dowiedz się jak działa taki stabilizator, jakie są w nim przebiegi napięcia i prądu tranzystora. P=U*I ogólnie się zgadza, ale trzeba wiedzieć które U które I jakie są ich przebiegi i zależności czasowe (liczyć dla wartości chwilowych). Trzeba wybrać jakiś tranzystor, bo to będzie wynikało z jego parametrów (albo założyć parametry tranzystora). Straty...

Regulacja obrotów silnika prądu stałego - schemat

Witam, Układ jest jak najbardziej poprawny, dioda 3A spokojnie starczy ważne tylko aby miała możliwie krótki czas przełączania typowo dla układów z sinikami stosuje się diody z czasami poniżej 4ns. Do sterowania użyj trybu Phase Correct i niską częstotliwość PWM uzyskasz wtedy większy moment i zmniejszysz straty związane z przełączaniem MOSFET-a. Jeśli...

Jak wysterować MOSFET przy 3.3V z ESP8266? Robimy ściemniacz z darmowych MOSFETów

To jest przykład antyporadnika. Rozumiem, napisałeś o pewnych uproszczeniach, ale ten poradnik wprowadza w błąd. Po pierwsze: Stwierdzenie, że mosfety sterowane są napięciem. Tak dzieje się w stanie statycznym. Przy szybkim przełączaniu, płynie prąd bramki. Dlaczego drivery do mosfetów czy IGBT są zdolne do wystawiania kilku A prądu? Właśnie do przeładowania...

Projektowanie zasilacza dużej mocy: Dlaczego mosfety nie przepuszczają pełnego prądu?

SR? Slew Rate - szybkość narastania. W przeciętnych wzmacniaczach 1V/us, czyli 20V to 20us a driver przełącza <100ns czyli kilkaset razy szybciej. Po co mi wydajność prądowa? MOSFET ma pojemność wejściową, żeby zmieniać napięcie na "kondensatorze" musi popłynąć prąd, tym większy im szybciej chcemy to zrobić. Zamiast podawać pojemność w nanofaradach...

Driver TC4420 NE555 sterujący 3 mosfetami IRFP064N

W zasadzie błędów podłączenia TC4420 nie widzę , ale mam uwagi: - układ zasilania nie powinien być ograniczony do 10V (555 może być zasilany do 16V, pozostałe do 20V) bo prędkość przełączania mosfeta jest większa i straty mniejsze przy wyższym napięciu impulsów sterujących, - możesz podłączyć TC4420 do wyższego napięcia przed stabilizatorem, jeśli <20V,...

Schemat regulatora prądu i napięcia - prośba o weryfikację i sugestie

Na 3A to LM317 jest za słaby moze LM350 wystarczy ale to zależy od mocy strat i chłodzenia. Zamiast robić skomplikowany układ do przełaczania napięć, pomyśl że do zmiany napięcia wystarczy zmienić jednen rezystor - R3 a więc mozesz MOSFETami przełączać różne rezystory w miejsce R3. P.S. Na symbolu MOSFETa jest dioda, widziałeś w którą stronę przewodzi?...

Regulacja mocy odbiornika przez przełączanie pakietów ogniw 2S/2P mosfetami

Jescze chciałem dodać że w moim układzie gdy wszystkie MOSFETy są wyłączone to mamy połączenie równoległe ale przez diody wewnętrzne, gdyby zaakceptować pracę z diodami układzie wystarczył by jeden MOSFET i dwie diody, tylko ze straty mocy na załączonym MOSFETcie są znacznie mniejsze niz na diodzie. W układzie kolegi slawussj mozna wyrzucić jedną diodę...

Regulator obrotów silnika DC 12V 60A - co sprawdzić po zwarciu?

próbowałem tak "straty mocy na tranzystorze sterującym mosfet" ale nic ciekawego nie znalazłem Chodzi o tranzystor kluczujący MOSFET (stopień mocy), którego właściwe wysterowanie ogranicza straty podczas przełączania i tego należy szukać, np.: http://www.elektroda.pl/rtvforum/topic23... http://www.elektroda.pl/rtvforum/topic13... Można...

Opóźnienie przełączania MOSFET-ów za pomocą przerzutników Schmitta - jak?

Jeżeli potrzebujesz na wyjściu tylko dwa stany : 1- górny przewodzi a dolny zatkany 2- górny zatkany a dolny przewodzi to bazy steruj zamiast tranzystorami - układem scalonym z wyjściem Q i Q zanegowane. Nie będzie kolizji oraz przełączanie będzie szybsze ze względu na szybkie przeładowywanie pojemności wejściowej bramek MOSFETa układem przeciwsobnym...

Jak dobrać tranzystor N-MOSFET i rezystor do timera 555?

Witam, szeregowe rezystory w bramkach tranzystorów mosfet stosuje się głównie dla uniknięcia pasożytniczych zjawisk związanych z pracą tranzystorów w układach przełączających. Tranzystory mosfet są "same z siebie" elementami o bardzo krótkich czasach przełączania, ma to zarówno plusy dodatnie jak i ujemne, jak mawiał klasyk. Z jednej strony (dla ustalonej...

Zamiennik mosfetu AON6780 do laptopa - czy AON6560 nada się?

Katalogowy prąd MOSFETa to parametr bez znaczenia, ważny jest Rds(on) który w nowym tranzystorze jest ponad połowę mniejszy - to dobrze bo zmniejsza straty statyczne, ale ten zamiennik ma ponad 2x wyższe Qgs czyli będzie ciężej go szybko przełączać, to może spowolnić przełączanie i zwiększyć straty dynamiczne. Czyli nie można odpowiedzieć jednoznacznie,...

Prąd ładowania pojemności bramka-źródło a timer 555

Po zastosowaniu takiego drivera rezystor rozładowujący staje się już kompletnie zbędny, tak? Nie. To zależy od Twojej aplikacji. Wspominałeś o przetwornicy, więc należałoby się zastanowić, czy NE555 może mieć na wyjściu stan nieustalony albo wysokiej impedancji i jak długo. Takie stany zwykle występują przy włączaniu i wyłączaniu urządzeń. Jak już...

N-mosfet logic level - dobór.

Transoptor ma jeden stan aktywnie wymuszany (tu masę), natomiast przejście do 12V będzie odbywać się pasywnie przez rezystor (może byc odwrotnie, bez znaczenia). CTR masz od 50-600%. Czyli w najgorszym przypadku 20mA przez LED da ci ci 10mA na wyjściu. To mizernie. Tranzystor będzie się przełączał długo i bedzie się grzał. Driver to prosta sprawa -...

Jak zbudować przetwornicę 100-120W do ładowania kondensatorów 10mF?

Kondensator na wejściu musi mieć wyższą pojemnośc i bezwzględnie musi być kondensatorem LowESR, najlepiej kilka kondensatorów. Prad szczytowy jest rzędu 30A i na pojedynczym, zwykłym kondensatorze będą duże straty. Na dokładkę całość będzie miała dużą tendencję do silnych oscylacji. Dioda jest ubijana prawdopodobnie właśnie przez energię oscylacji....

Mosfet się przegrzewa przy obciążeniu 5A - czy schemat ma błąd?

Zakładając że jest wysterowany prawidłowo i otwarty "w całości" to wg noty katalogowej IRF 540 ma RDS(ON) = 0,077 OHM. Przy 5A moc odłożona na tranzystorze przy ciągłej pracy ( tylko przewodzenie) to I*I*R co daje 1,925 W . Jeżeli nie masz żadnego radiatora to ten tranzystor musi się grzać. Taki np AUIRFB4410 z TME za 5 zł (10 szt. ) ma RDS(ON) = 0,01...

IR2110 + CRSS w mosfetach + HV - Jak zredukować piki przy przełączaniu?

Czasami na schematach fabrycznych urządzeń widać kondensatory równolegle ze złączem G-S, dla zmniejszenia wpływu Crss na działanie układu - widocznie takie rozwiązanie sprawdza się w praktyce. Wymagana jest większa wydajność prądowa drivera, ale szybkość przełączania można zachować taką samą, bez wprowadzania asymetrii, to może być dobry pomysł, tylko...

Jaki driver do MOSFET IRF3205 dla silnika 12V 500W sterowanego ATmegą8?

Zakładając że silnik ma pobiera 500W płynie 42A tranzystory sie nagrzeją powiedzmy do 100°C Rdson zestawu wzrośnie do 6mΩ? straty statyczne będą do 10W. Jak do tego mają sie straty przełączania? Kolega pisze że 170ns to duzo, ja założę że 12x więcej - 2µs to nadal mało, załóżmy w uprosczeniu że przez te 2us wydziela sie 500W, uwzględniając...

Jak wykonać prosty klucz mosfet załączający 25V?

MOSFETy zapewnią niższe straty na tranzystorze przy sterowaniu włącz/wyłącz. Jednak straty są niejako przewidziane w tym rozwiązaniu, ze względu na liniowy stabilizator prądu lub rezystor szeregowy. Niższe straty przełączania MOSFET wynikają z dużej szybkości przełączania, ale to ma znaczenie tylko w przetwornicach o dużej szybkości działania a ten...

Jak ograniczyć prąd w generatorze WN z mosfetem IRF640A?

Przede wszystkim to takie sterowanie mosfeta zawsze skończy się wystrzałowo przy takich prądach i częstotliwościach ze względu na znaczne straty przełączania. Po drugie do czego ma być ten zasilacz ? Bo może lepiej zrobić ZVS Flyback.

Sterowany półprzewodnikowy przełącznik dwukierunkowy na MOSFET'ach, AC, 1A, 0.5V

Witam. Układ nie ma jakichś zawrotnych parametrów, więc może wystarczy Ci taki podzespół: http://www.vishay.com/solid-state-relays... Jeżeli nie, możesz zbudować dowolny przełącznik przy użyciu: http://www.vishay.com/solid-state-relays... mosfety w połączeniu back-to-back (jak w dokumentacji). Jedne i drugie podzespoły...

Zalety Mosfetów w porównaniu do tranzystorów bipolarnych w układach audio

MOSFET przede wszystkich królują w układach przełączający (impulsowych). Wielokrotnie szybsze przełączanie, zdolność przewodzenia dużych prądów, zazwyczaj mniejsze straty przewodzenia... Ponadto znacznie łatwiejsze sterowanie - żeby utrzymać MOSFET włączonym nie trzeba żadnych specjalnych zabiegów (starczy przeładować w celu przełączenia pojemność bramki,...

poszukiwany Mosfet NTMFS4C10N bądź jakiś jego zamiennik

Musisz się liczyć z wyższymi stratami na przełączaniu czyli będzie się bardziej rozgrzewał jak oryginalny. Nie znając układu sterującego MOSFET-ami można jedynie zgadywać czy będzie to istotna różnica czy też nie? Wlutuj i sprawdź czy nie grzeje się zbytnio? Bardziej od innych, oryginalnych.

Czy tranzystor AO3400A się nie spali? smd mosfet 1.7A dla 12V

Tranzystor na pewno się nadaje, ale... To wykres SOAR i źle go interpretujesz, n.b. wcale go tu nie potrzebujesz. Pod warunkiem, że odpowiednio wysterujesz tranzystor (wartość napięcia sterującego Vgs, wydajność prądowa tego źródła) ważne jest Rdson - a ono zależy od Vgs. Wówczas moc strat w czasie przewodzenia P=Uds x Id, Uds=Rdson x Id, więc P=Rdson...

Czy 74HC14 może bezpośrednio sterować MOSFET-em bez rezystorów podciągających?

To są wyjścia CMOS, więc podciągające rezystory nie robią sensu. Pojedyncze wyjście ma limit obciążalności ±25mA i jest to wartość wystarczająca do sterowania bezpośrednio bramką POWER-MOSFET. Niezależnie, dla szybszego przełączania MOSFETa (by zredukować jego straty z przełączania) stosuje się równoległe połączenie kilku bramek CMOS. Tak uzyskasz...

Led Cube - zasilanie i sterowanie z 3.3V - co wybrać?

1. Jakie sposób zasilania kostki będzie lepszy? 5V czy więcej (np. 9V)? Wyższe napięcie daje mi trochę „zapasu” i mogę użyć większych rezystorów, przez co ewentualne wahania prądu płynącego przez diodę powinny być mniejsze*, ale z drugiej strony zwiększy to pobór mocy oraz konieczne będzie dodatkowo obniżanie napięcia żeby zasilić mikrokontroler....

Dlaczego w układzie MOSFET stosuje się dodatkowe tranzystory Q2 i Q4?

Odpowiadając koledze _Robak_owi, tak dla niskich częstotliwości wystarczy sam Q3. To też nie do końca tak. Częstotliwości mogą być sobie małe, ale jeżeli zaczniemy przełączać duże prądy przy wysokich napięciach to struktury tranzystorów nam odparują. Dlaczego? Ot po prostu, za sprawą RDs straty mogą okazać się zbyt duże. Efekt tego jest taki że na...

MOSFET vs IGBT - czym się różnią?

Jeśli chodzi o przetwornice impulsowe, oba rodzaje tematycznych tranzystorów mają swoje wady i zalety. Ale który jest najlepszy do danej aplikacji? W poniższym artykule nie odpowiemy bezpośrednio na to pytanie, jednakże porównamy tranzystory MOSFET z modułami IGBT, aby wskazać, na jakim polu poszczególne elementy są lepsze. Zasadniczo, przyjęło się,...

Jak zbudować wyłącznik DC 300V/2500W do grzałki paneli PV?

Witam MosFet, IGBT, czy bipolarny? Sam klucz tranzystorowy to nie wszystko, potrzebny jest jeszcze odpowiedni układ sterujący w celu zapewnienia niskich strat mocy przy przełączaniu.

Jaki zamiennik MOSFET N-channel dla SGF160N60W3?

Moc strat w tym wypadku powinna wystarczyć. Są to tranzystory o dość niskim Rdson i z dość szybkimi czasami przełączania więc straty na nich nie są zbyt wielki. Jeśli coś się nie zgadza to proszę podać wyliczenia mocy strat dla tranzystorów.

Hard Switching w topologii half bridge i wpływ diody wbudowanej MOSFET

Nie wiem - zależy co chcesz osiągnąć i w jakim układzie. Czasem układ wymusza nierealistyczne wymagania wobec kluczy, dowodząc błędu w założeniach. Redukcja strat przełączania z reguły pociąga za sobą wzrost strat przewodzenia. Redukcja obu - wzrost kosztów i strat w sterowniku kluczy...

[avr] - załączanie obciążenia 24V/100W przez tranzystor

Do sterowania przetwornicy dał bym IRF4905. Ma RDSon równe 0,02R co da max 0,5W mocy strat. Do jego sterowania jakiś NPN i rezystor. No i niestety jeszcze jakiś bajer z diodą Zenera żeby nie przekroczyć napięcia 20V na bramce MOSFETa (20V oczywiście liczone w dół od zaczynając od strony 24V). Do grzałki do postarał bym się przerobić ją na sterowaną...

Jak zbudować generator wysokich napięć z tafopowielaczem i tranzystorem BUT11AF?

1N4007 raczej jest za wolna, użyj UF4007. Poza tym wyłączanie MOSFET-a może trochę potrwać - jaki on ma ładunek bramki? Niestety w nocie katalogowej na Elenota.pl brak parametru "Total Gate Charge" dla BUZ10 i nie ma BUZ103S (jest dla BUZ102S - typowa 45nC, maksymalna 70nC, przy napięciu drenu 40V); dla BUZ10 podają parametry szybkości przełączania...

IR2110 - Górne mosfety grzeją się przy wyższym napięciu

Dla ustalenia uwagi: 24V zasilania silnika ale dalej 12V zasilania sterownika MOSFETów. Nie podajesz czy silnik pracuje z takim samym prądem przy obu zasilaniach. Sterownik MOSFETów masz fatalnie zaprojektowany: 7.7V to teoretyczne max tego co możesz mieć na bramce. Realnie to ledwo ją przełączyłeś i to musi się grzać. Górny klucz pracuje z bootstrapowanym...

Przegląd driverów bramek MOSFETów

https://obrazki.elektroda.pl/8811671800_... Wzrost zastosowania sterowników silników, inteligentnych sieci przesyłowych i technologii inteligentnego domu, a także zwiększone zapotrzebowanie na urządzenia wysokiego napięcia, przyczyniły się do wzrostu światowego rynku sterowników bramek tranzystorów MOSFET i modułów IGBT mocy. Kompletny...

Wzmacniacz klasy D w EdW oraz inne projekty klasy D.

Wstawiłem IRF640N, na "gołych" mosfetach już tak się teraz nie grzeje, straty spadły o ok połowę. Prawdopodobnie są to straty na przełączanie mosfeta. Zaczynają się grzać tylko po podłączeniu głośnika, głośnik można śmiało podłączać i odłączać przy grającej muzyce nic się nie dzieje. Dołożyłem mały radiator proporcjonalny do płytki. Przy dłuższym graniu...

Zaawansowany sterownik DIY do grzania wody użytkowej z instalacji fotowoltaicznej.

Korzystałes z gotowego softu czy pisałeś coś swojego? Patrząc na informacje udostępnione przez autora i siedząc trochę w temacie to można przypuszczać, że bazowy soft to https://projecthub.arduino.cc/stevetearl... + modyfikacje autora tematu z jego własną pcb. Patrząc na screeny pcb nasuwają...

Wybór MOSFET do sterowania taśmami LED przez PWM, 12V, 4-5A, TO220

W przybliżeniu - tak, będzie lepszy. Tak liczone starty mocy (ciepło) dotyczy tylko strat w czasie włączenia (przewodzenia) tranzystora. Ważny tu jest również jaki jest stosunek czasu włączenia do okresu - t.zw. "Duty Cycle". Wiele tu zależy od tego, jak często ten tranzystor ma się włączać/wyłączać. Jeśli np. ma to być PWM to uC sobie słabo z tym poradzi,...

Zamiennik sterownika NCP81161 w obudowie DFN8

Po co zamiennik jak dostępny oryginał. https://obrazki.elektroda.pl/8353075700_... https://obrazki.elektroda.pl/9710965400_... NCP81161MNTBG to zgodny z VR12.5, synchroniczny sterownik MOSFET buck w 8-pinowym pakiecie DFN. Jest to wysokowydajny podwójny sterownik bramki MOSFET zoptymalizowany do sterowania bramami zarówno...

Sterowanie wentylatorami, odczyt czujników Halla i szczegóły projektowe

Zamiast szukania i dobierania szybkiej diody, najwygodniej jest zastosować drugi taki sam tranzystor No to jeszcze może poinformuj autora o sposobach sterowania NMOSów gdy pracują w układzie pływającego źródła... Pojemność bramki z noty mam ok. 5 nC, co przy czasie przełączania 500 ns daje mi 10 mA, czyli pasowałby rezystor 510 Ω, a najmniejszy...

Regulator PWM 12V 300W. Regulacja jasności halogenów.

Na miejscu kolegi zastosował bym trochu większe tranzystory sterujące bramami mosfetów. Szybsze przełączanie bram przekłada się na mniejsze straty na mosfetach. Też jestem za podniesieniem napięcia sterującego bramami.

Przetwornica 5V na 12V na MC34063 - czy parametry i elementy są prawidłowe?

Ja bym Ci polecał LT1619 tutaj masz notę aplikacyjną z przykładowym layoutem konwertera. http://www.linear.com/pc/productDetail.d... Układ jest do kupienia w Protonie za 15.40pln Jedynie co trzeba by zmienić wzgledem tego co jest podane w tej notce dla konwertera 5V>12V 5A to dławik na 6.8µH i mosfet jeden np. IRF7821...

Sterowanie mosfetem n bezpośrednio z mikrokontrolera

Bardzo ciekawy pomysł postaram się jeszcze dzisiaj polutować coś i na pewno wypróbuje. Skoro mosfety potrzebują bardzo małego prądu i są sterowany napięciowo, to nie można by dać jeszcze większego rezystora i tym samym ograniczyć prąd? I czy dobrze myślę, że R1 i R2 tworzą dzielnik i im większy właśnie R2 tym większy spadek napięcia? Ma to jakieś znaczenie?...

Sterowanie stacją lutowniczą T-12 z MOSFET N-Ch - wątpliwości co do schematu i PWM

A dla BC547 parametry nasycenia mierzy się przy I_C/I_B=20 - więc jak prąd BC547 ma być 30mA, to prąd bazy powinien być ponad 1.5mA (i raczej ponad). Można kazać mu pracować z prądem 3mA, ale wtedy przełączanie MOSFET-a będzie 10x wolniejsze, i 10x większe będą straty w stanie niepełnego włączenia. Co prawda przy PWM 50Hz nie będą duże (raczej poniżej...

Kontroler PWM. IR2184, IRF1405. Prośba o weryfikację i wskazówki.

Tak wiem ale w tym przypadku to niestety konieczność. Niektórzy nie lubią dziadostwa i zawsze znajdą sposób żeby zrobić jak porządnie. Inni mówią że nie mają wyboru. Ewentualnie gdybym chciał dodać kolejny mosfet równolegle to już nie da rady i trzeba by dodać kolejną parę IR2184? Dodać można, ale o nikt nie robił obliczeń, szybkości przełączania,...

Dobór tranzystora N MOSFET do obciążenia 1kW 24V

No, niestety szczotkowy. Biorąc pod uwagę straty mocy wydzielające się na tranzystorze podczas przełączania, proponowałbym użycie drivera MOSFET, ale nie takiego 500mA jak podałeś, tylko czegoś mocniejszego jak TC4421. Można przyjąć wtedy bardzo szybki czas włączenia. Na tyle szybki że tranzystor wytrzyma straty przełączania w rozruchu przy prądzie...

Jak najlepiej regulować jasność halogenów 230V z ATMEGA8?

PWM ma czestotliwość 100Hz, niema szans na mruganie i straty w mosfetach na przełączanie też niesą duże, wiec niedokońca rozumiem co miał by to zmienić?? no w sumie przy sciemnianiu czas trwania impulsów prądu będzie krótrzy ale za to częstrzy, być może kondensatory w zasilaczu będą w stanie dać taki impuls prądu i zasilacz sienie wyłaczy?? kto wie...

Czy nadprzewodnik z prądem w pierścieniu to perpetuum mobile? Warunki i ograniczenia

:arrow: Jarkon2 Cewki płaskie bez rdzenia, bo znalezienie 2 identycznych rdzeni może być trudne i może budzić wątpliwości później - rdzeń jest 'wzmacniaczem' przecież. Mosfety o jak najmniejszej rezystancji dren-źródło w stanie ON. Nie muszą być na wysokie napięcie. Szukaj tylko takie o małej pojemności bramki to będą mniejsze straty przełączania. Lepiej...

BUZ10 z AVR – maksymalna częstotliwość PWM, straty mocy, nagrzewanie MOSFET

Nie jestem w tej dziedzinie wybitnym specjalistą ale mam wątpliwości co do poprawnego działania układu który chcesz wykonać. Po pierwsze napięcie otwierania tego MOSFETa. W specyfikacji faktycznie jest podana wartość koło 3V ale jest to zdaje się napięcie progowe przy którym tranzystor dopiero zaczyna się otwierać. Do pełnego otwarcia potrzebne jest...

Sterowanie elektromagnesem IRF540 5.2V/0.8A – uszkodzenie MOSFET mimo diody 1N4148

Albo ja nie zauważyłem, albo nikt tu nie wspomniał o diodach "lawinowych" (avalanche diode), które specjalnie do takich rzeczy są, czyli do tłumienia przepięć z indukcyjności. Kolejna rzecz, możesz też zapobiec szybkiemu narastaniu napięcia na indukcyjności przez płynną zmianę prądu, a nie skokową, jak zresztą zostało to już powiedziane. A można to...

Jak mierzyć prąd 0-2A i 0-20A w zasilaczu z ICL 7135? Bocznik, MOSFET czy wzmacniacz?

Ja bym próbował użyć bocznika na prąd maksymalny i wzmacniał. Zaletą jest minimalna strata mocy i brak dodatkowym elementów mocowych więc mniejszy układ. Przełączanie boczników zawsze spowoduje problemy z rezystancją klucza, a ta będzie zmienna w czasie, zależna od temperatury a ponoć miało być dokładnie. W dodatku przy nagłej zmianie obciążenia z 50mA...

Hyundai L70s - brak reakcji, podejrzenie uszkodzenia układu ICE2AS01 lub FDS8958A

Część płytki z inwerterem czyli BIT3105 sterujący 2x N/P-mosfet napędzające transformatorki można sprawdzić doprowadzając z zewnątrz zasilanie (skoro ICE mamy padnięty) oraz go odpowiednio wysterowując. Jeśli nie ma zimnych lutów a elektrolity są sprawne to nagrzewanie laminatu przez te dwa tranzystory jest 'normalne' - w końcu jak w każdym elemencie...

Projekt przetwornicy DC-DC 10kW, 400-80VDC na 100VDC

Przetwornice dużej mocy najczęściej buduje się na IGBT, a czy konstruuje się na MOSFETach? MOSFETy są szybsze od IGBT, co daje szanse na pracę z wyższymi częstotliwościami i mniejszymi stratami przełączania, jednak wraz ze zwiększaniem maksymalnego napięcia Uds rezystancja w stanie włączenia rośnie z kwadratem (przy danej wielkości struktury) co powoduje...

Sterowanie układem mocy 5MHz, uszkodzony generator

W sieci można znaleźć projekty SSTC pracującej na 4MHz może niektóre rozwiązania ci pomogą - są tam drivery z transformatorami, tyle że pracujące w rezonansie. Transformatory na taką częstotliwość nie są niczym niezwykłym, przynajmniej w sprzęcie radiowym, na rdzeń trzeba wybrać materiał który się nadaje do pracy z takimi częstotliwościami, ilość zwojów...

Zamiana przekaźnika 230V na MOSFET do kluczowania z przycisku Palcem <1Hz

No a gdybym chciał np. przełączać prąd o wartości max 1A to czy to rozwiązanie z mosfetami dwoma byłoby dobre? Załóżmy że weźmiesz popularne i względnie tanie IRF840 przy prądzie 1A na dwóch tranzystorach będą straty ok 1,6W, (do rozproszenia z kawałkiem blachy) przy 6A wydzieli się ok 30W co wymaga już konkretnego radiatora. w tych samych warunkach...

IRF740 spalony po kilku minutach - jak zwiększyć szybkość przełączania?

Rozumiem ten układ do regulacji mocy grzałki ? Może zamiast tych algorytmów zwykły PWM ? Dodano po 12 Poprawnie wysteruj IRF740 i nie będzie grzania. Zamiast tego mosfeta 50N024 daj bipolarny wraz z kondensatorem "przyśpieszającym" dołączonym równolegle z rezystorem ograniczającym prąd bazy. Na wejściu IRF740 para komplementarna, aby w szybki sposób...

Naprawa SONOFF DUAL - wymiana przekaźnika

Prościej byłoby przerobić na przekaźnik półprzewodnikowy. Wtedy nie ma problemu ze zgrzewaniem styków. Za to jest problem z odprowadzeniem ciepła - autor przełącza ponad 2 kW, Tak ciężko odprowadzić kilkanaście watów ? (10A razy powiedzmy 1.8V) Większy kawał aluminium i po sprawie. W stosunku do przełączanej mocy to są "kosmetyczne" różnice. Ale załóżmy...

ESP32, tranzystory IRF 5210 40A - wydajność termiczna dla pompy hydraulicznej 20A i elektrozaworu

(at)2konrafal1993 wspomniał o ograniczonych parametrach prądowych wybranych tranzystorów, to można relatywnie łatwo poprawić zmieniając model tranzystora. Trudniejsze jest sterowanie takim tranzystorem w trybie PWM. Bez stosownego sterwonika MOSFET tranzystor przegrzeje się z powodu strat przełączania. Dodatkowo trzeba przemyśleć prowadzenie przewodów...

Dopuszczalna moc strat mosfeta vs czas narastania zbocza.

Witam, zastanawiam się jak długo teoretycznie może włączać się mosfet, by nie przekroczyć jego mocy strat. Weźmy dla przykładu taki model jak IRLML2502. Tranzystor jest włączany z podciągającego rezystora np. 100kOhm z 12V natomiast wyłączany tranzystorem npn do masy. Mosfet przełącza prąd np. 3A. Duża rezystancja podciągania ma za zadanie zmniejszyć...

Jaki zamiennik MOSFET IRFP460A o mocy min. 470W polecacie?

Doctore. Masz świadomość że katalogowej mocy strat nie da się osiągnąć w praktyce? APT5110 wydzieli trzykrotnie więcej mocy podczas przełączania, ale to chyba bez znaczenia.

Regulator prądu step-down 3.3A na UC3843 – wąskie impulsy, MOSFET się grzeje

od kiedy używa się maximum rantings z dokumentacji? _lazor_ od kiedy podaje się niezgodnie z faktami że maximum ratings to 15V podczas gdy wynosi ono 20V (30V dla AC) dla tranzystora i 30V dla układu UC3843? Tranzystor ma wbudowane transile na bramce a do tego dodany jest zewnętrzny transil na 18V. Po drodze jest też dioda UF4007 więc napięcie zasilania...

Porównanie strat mocy: Bipolarne tranzystory mocy vs IGBT oraz MOSFET (Uce=1000V, Ic=100A)

Na takie pytanie nie da się odpowiedzieć wprost bo trzeba by było dorzucić do całych rozważań jeszcze garść informacji. Straty mocy wyglądają nieco inaczej w tranzystorach MOSFET i bipolarnych. Z tego co wiem tranzystory IGBT można tu postawić bliżej bipolarnych gdyż "strona" wysokoprądowa czyli obwód C-E jest taki jak w bipolarnych. By rozważać straty...