straty mosfet

Obliczenia strat dynamicznych dla mosfet

https://obrazki.elektroda.pl/6720313900_... Na forum często pojawiają się tematy związane z przetwornicami, w których elementem kluczującym jest tranzystor mosfet. Okazuje się, że temat nie jest prosty i często po uruchomieniu układy ulegają awarii. Większości problemów można zapobiec wykonując wstępne obliczenia, jednak dokumentacje...

Jak zmniejszyć straty mocy na MOSFET IRF9Z34 w przetwornicy step-down?

Przepraszam mój błąd z pominięciem D Proszę... ... poza tym myślałem, że jak producent taki jak MAXIM opisuje metodykę przeliczania strat na MOSFETach to ma racje opartą o doświadczenia co nierzadko pokazuje. MAXIM, nieMAXIM, mało to ważne - widziałem podobne "knoty" i u innych firm. Wzory przybliżone , to chadzanie na niebezpieczne skróty , a co tu...

Nie znalazłeś odpowiedzi? Zadaj pytanie Sztucznej Inteligencji

Jak obliczyć moc strat MOSFET w zasilaczu impulsowym PWM 0-300V 2A?

Witam Musze do projektu policzyć moc strat w MOSFECIE. Macie może pomysły jak to policzyć Umieszczam schemat który mi prowadzący narysowal. PWM steruje MOSFET jest to zasilacz impulsowy. Regulacja napięcia od 0-300V, prąd 2A. http://obrazki.elektroda.pl/2627679000_1... Dodano po 4 Straty cieplne wydaje mi się ze to będzie wzór P=U*I...

straty podczas przełączania MOSFET'a - jak to policzyć ?

Nie tędy droga. Dobiera się tranzystory do żądanej mocy przetwornicy a nie buduje przetwornicę na podstawie wymiotków z szuflady. Takie stawianie problemu na głowie nie jest zdrowe.

Dopuszczalna moc strat mosfeta vs czas narastania zbocza.

Witam, zastanawiam się jak długo teoretycznie może włączać się mosfet, by nie przekroczyć jego mocy strat. Weźmy dla przykładu taki model jak IRLML2502. Tranzystor jest włączany z podciągającego rezystora np. 100kOhm z 12V natomiast wyłączany tranzystorem npn do masy. Mosfet przełącza prąd np. 3A. Duża rezystancja podciągania ma za zadanie zmniejszyć...

Jak zmniejszyć straty mocy w źródle prądowym 0-500mA z MOSFET?

Nie za bardzo mogę jednak znaleźć MOSFET SMD z Rds(on) na poziomie 10 mOm, Ids>0,5A i mocy dajmy na to >1W. Czy np. IRLML0060 spełni tutaj swoją funkcję? Czy może ktoś zaproponować lepszy (mniejsze Rds(on)) tranzystor? Dlaczego chcesz użyć typ "Logic Level" (IRLML0060), skoro zasilasz WO z 12V? - niepotrzebnie sobie zawężasz wybór tranzystora. IRLML0060Ma...

Ogranicznik prądowy z cewką zamiast rezystora - jak uniknąć oscylacji?

MOSFET będzie miał najmniejsze straty. IGBT to tranzystor bipolarny połączony z MOSFET, więc straty mocy będą większe, największe będą w diodzie. Jarek pewnie to rozwinie, bo ma z tym styczność i doświadczenie. Napisz, jeśli to nie tajemnica, jak duże prądy mają płynąć, jakie napięcia są - zasilania, spadek na kondensatorze (można dobrać indukcyjność...

Czy można zastąpić mosfety 23N50E IGBT FGH40N60 w spawarce PM-IMG-220G?

Uklad pracy mosfet jest podobny do igbt. Sprawdź jakie rezystor bramki masz w układzie to może wpłynąć na straty.

Jak uzyskać pełną regulację jasności paska LED przez PWM?

Siema, Dokładnie, na nóżce 14 masz przebieg PWM i tam należy podłączyc bramkę mosfeta. Wartość R5 zmieniłbym na 1,5k aby zmniejszyć straty w mosfecie. Można ewentualnie zbudować wtórnik do sterowania bramką ale myślę, że w tym układzie raczej to zbędne. Jeśli paski mają Uzas=12V to musiałbyś zasilić je z 36V przy połączeniu ich w szereg. Przy połączeniu...

Przetwornica boost 12V/170V do lampki Nixie - brak odpowiedniego napięcia wyjściowego

Tranzystory są ok. Rezystor możesz stawić na bramkę mosfet'a coś rzędu 10-20 ohm. Chodzi o straty, przeładować potrzebujesz około 1-2nF gdy dasz tylko rezystor to przez niego będzie przepływać ciągle prąd w stanie załączonego mosfet'u. Gdy dasz duży rezystor (100-1000 ohm) to spowolnisz wyłączanie bramki (stała RC), a przez to zwiększysz straty na komutacji...

Straty i sprawność przetwornic step-up BOOST na modułach 6009 i 6019 przy zmianie napięcia DC/DC

Straty w przetwornicy zależą od napięć wejściowego i wyjściowego oraz prądu, im wyższy prąd i większa krotność podnoszenia napięcia, tym są większe. Straty mają kilka składowych: straty w cewce, straty w diodzie, straty statyczne i dynamiczne MOSFET-a, a nawet straty w kondensatorach elektrolitycznych. Da się to policzyć, ale nie ma żadnego uproszczonego...

Uszkodzonie MOSFET-ów, silnik krokowy 5- fazowy, diody

Witam ... przy wyższych obrotach i np zatrzymaniu silnika palcami, uwalala się tranzystor (juz 2 straciłem) ;/. Silnik 2A, 0,34om faze. Zasilanie jak widać 5V + szeregowo włączone rezystory 2om. Zamiast BUZ11 są IRLZ34N. Uszkodzone tranzystory mają przebite bramki (R G-S 60-80om). Przebite bramki to niekoniecznie skutek przepiec. Takie same sa skutki...

Poszukiwany zamiennik tranzystora MOSFET RU6099R w przetwornicy Volt Polska

RU6099R ma Gate Charge 47 nC, a IRF1407PBF 160 nC. Czyli ponad 3 razy tyle. I jakieś 1.5 razy większe Coos. Czyli IRF1407PBF będzie miał o wiele większe straty przełączania.

Dlaczego w przetwornicy SEPIC grzeje się MOSFET?

Z mojej strony najprościej było by zastosować jakiś driver na 2 tranzystorach aby prawidłowo wysterować mosfeta. Pojemność do przeładowania to około 6nF co przy tej częstotliwości oznacza duuuuże straty.

Jak sterować MOSFET typu N z attiny26l przez rezystor?

Fakt, wyjście mikrokontrolera może dać około 10-20 mA (przynajmniej AVR), ale nie należy zapominać o maksymalnym dopuszczalnym SUMARYCZNYM prądzie ze wszystkich pinów, który z reguły wynosi ~100-200 mA. Ja bym jednak zastosował z driverem z wejściem logicznym. Uzyskujemy w ten sposób bezproblemowe sterowanie tranzystorem przy pomocy sygnału o poziomach...

Dlaczego zasilacz zwiększa napięcie przy podłączeniu regulatora PWM?

Nie ma nic dziwnego w tym, że MOSFET mniej się grzeje wtedy, gdy żarówka świeci pełnym lub niemal pełnym światłem. NE555 jest dość marnym źródłem prądów do przeładowywania bramki MOSFETa - czas przełączania jest stosunkowo długi. Przy zimnym włóknie żarówki jej oporność jest bardzo mała i płyną przez nią bardzo duże prądy. A straty na przełączanie w...

Ogranicznik prądu maksymalnego 30A do zasilacza 12V

[url=http://up.programosy.pl/foto/9m.jpg... pradu i napiecia z uzyciem transoptora Stosuje to rozwiazanie. Moim zdaniem lepsze bedzie niz straty na mosfecie z schematu ruskiego w poscie krzysztof723.

Regulacja mocy odbiornika przez przełączanie pakietów ogniw 2S/2P mosfetami

Jescze chciałem dodać że w moim układzie gdy wszystkie MOSFETy są wyłączone to mamy połączenie równoległe ale przez diody wewnętrzne, gdyby zaakceptować pracę z diodami układzie wystarczył by jeden MOSFET i dwie diody, tylko ze straty mocy na załączonym MOSFETcie są znacznie mniejsze niz na diodzie. W układzie kolegi slawussj mozna wyrzucić jedną diodę...

Przełącznik P-MOSFET o dość konkretnej mocy - potrzebny sprawdzony schemat

(at)yogi009 Moc sterownika + straty? Zawsze możesz je połączyć równolegle.

Obliczenia czasów przełączania MOSFET-a w układzie z tranzystorami BC337

Policzenie tego nie jest takie proste. Po pierwsze w swoich obliczeniach pomijasz napięcie nasycenia tranzystorów bipolarnych. Po drugie straty na MOSFEcie musisz rozbić na co najmniej dwie komponenty - pierwsza w miarę prosta to uwzględnienie zmieniającego się RDS podczas otwierania/zamykania tranzystora, to zależy od prędkości drivera. Rezystancje...

Attiny45 z mosfet IRFP350 - sterowanie grzałki o mocy 2kW

Straty na rezystancji tranzystora to okolo 20W. Wiec radiator musi byc dosyc duzy. 2 rownolegle to zmniejszenie rezystancji do 0,15 omow. Wiec straty spadaja do 10W.

Jaki tranzystor przed IRFZ44 do nasycenia bramek przy łączeniu równoległym?

Irfz ma około 100w co na moje potrzeby za mało. Podejrzewam że nie za bardzo dobrze liczysz swój projekt. Mosfet IRFZ44 zastosowany jako czysty klucz (jak to jest przy pracy PWM) nie wydzieli pełnej mocy granicznej z jego specyfikacji, bo mamy dla niego max 50A i opór kanału <0,028om (opieram się na specyfikacji firmy Vishay) czyli ledwo 14W. Jeśli...

BenQ Q7T4 – zwarcie w zasilaczu, wymiana MOSFET Q601 2SK3264 na 2SK2545?

I słuszna decyzja, chociaż koszt tranzystora 3zł, to niewielka strata.

TL494 moduł do przetwornicy - proszę o sprawdzenie

"Przykładowo, przy przepływie przez tranzystor MOSFET prądu o wartości 20 A, straty na nim wyniosą 120...400 W, podczas gdy na IGBT wytraci się jedynie 33 W." Link To weźmy IRFP7718 - 1,5mΩ więc wytraci się 0,6W przy 20A (nie licząc strat przełączania). O ile w MOSFETach straty przełączania zależą od szybkości przeładowania bramki (można bardzo...

IR2110 - Górne mosfety grzeją się przy wyższym napięciu

https://www.elektroda.pl/rtvforum/topic3... Masz tutaj jak się liczy dynamiczne straty na mosfet. Mniejsze napięcie wydłuża czas komutacji kluczy co powoduje większe straty. Dodatkowo mniejsze napięcie to również większy Rdon.

Dlaczego w układzie MOSFET stosuje się dodatkowe tranzystory Q2 i Q4?

Bramka mosfeta to kondensator o pojemności ~ kilka nF, takie rozwiązanie układowe pozwala na szybsze otwieranie / zamykanie ponieważ, w tym przypadku stała czasowa RC bramka - R3 jest 100 razy mniejsza niż stała bramka - R1. Gdyby R1 był mniejszy to zmieniają się prądy i są większe straty mocy.

Jaki MOSFET do sterowania taśmami LED i żarówkami 12V/21W z attiny2313 PWM?

1. Przyspieszy przeładowywanie pojemności bramki MOSFETa i tym samym zmniejszy straty przełączania. Bez tego i przy dużej częstotliwości PWMa będziesz miał ogromne straty na MOSFECie. 2. Zwykły wspólny kolektor, tyle że komplementarny. I rezystor bramkowy ze 4,7R by się przydał. http://obrazki.elektroda.net/4_125337859... Oczywiście to układ poglądowy....

Dlaczego stosuje się tranzystory bipolarne, skoro unipolarne są lepsze?

Właściwie dlaczego stosowane są oba typy tranzystorów skoro unipolarne mają zdecydowanie lepsze parametry? W każdym zastosowaniu ważne są inne parametry. We wzmacniaczach ważna jest transkonduktancja, FET-y mają zdecydowanie mniejszą więc jeśli we wzmacniaczu na pojedynczym tranzystorze bipolarnym wstawisz MOSFET-a to spadnie wzmocnienie. Do kluczowania...

BUZ10 z AVR – maksymalna częstotliwość PWM, straty mocy, nagrzewanie MOSFET

Konstrułuje pewien układ, w którym będe wykorzystywał PWM. Do ich wysterowanie używam tranzystora polowego BUZ10 (otwiera się przy 3,8[V] wszytskie parametry pasują idealnie) ale mam pewne wątpliwości. 1. Czy uda mi się osiągnąć częstliwość rzędu około 15kHz? (czytałem o pazożytniczych pojemnościach ale ze szkolnego wzoru wyszło mi że naładowanie kondensatora...

MOSFET SI4866BDY - Grzanie się tranzystora przy sterowaniu z mikrokontrolera

Jaki to uC, albo inaczej jaką ma rezystancje wyjściową portów? Gdy podnosisz napiecie (i prąd) 6,2 krotnie moc chwilowa rośnie 38 razy wzrost strat na przełaczanie będzie równie duży.

Dell XPS 15 9570 - Grzejący się mosfet grafiki, co sprawdzić?

Pod układem RT8816BGQW pewnie błoto. Układ steruje zasilaniem grafiki. Dwa górne mofety PQ1000 i PQ1002 załączają B+. Jeśli tylko jeden z nich się grzeje, to znaczy że zamiast PWM ma na stałe wysterowaną bramkę z RT8816BGQW. Wskazuje to na uszkodzenie tego układu, lub zwarcie, upływność pomiędzy pinami. Jeśli było zalanie, to trzeba zdjąć, oczyścić...

Dobre tranzystory MOSFET na 5V za darmo? Odzysk części ze starej płyty głównej PC

Nie wiem, może i tak. Jako przełącznik też się nada - przy tak małej rezystancji bardzo małe straty na złączu.

Dobranie odpowiedniego mosfeta do sterownika UHU 3.0 z mostkiem H i tranzystorami IRFP260N

Katalogowe Vds to napięcie przebicia, nie pracy, więc zapas musi być, przy zasilaniu 60V dał bym min 100V, rezystancję Rdson tak żeby była znacząco mniejsza powiedzmy 50%, wpisując >100V i <22mOm wyszukiwarka TME znalazła mi IXFH110N15T2 (150V 13mOm) za ~25zł (słabsze były droższe, więc bez sensu) Rdson to 24% tego co było więc powinno wydzielić...

Jak dobrać tranzystor N-MOSFET i rezystor do timera 555?

Najważniejsze parametry mosfeta: -napięcie - musisz dobrać z niewielkim zapasem żeby tranzystor nie uległ przebiciu -rezystancja w stanie włączenia - decyduje o stratach mocy (P=I^2*Rds(on)) a wiec o maksymalnym prądzie. Ważne są też warunki chłodzenia i obudowa, ja stosuje taką zasadę jeśli się da dobieram Rds(on) tak aby straty mocy były poniżej 1W...

Zabezpieczenie przed odwrotną polaryzacją lodówki turystycznej.

Zamiast diod prostowniczych można zastosować diody schottkiego. O połowę mniejszy spadek napięcia. Spokojnie wymontuje kolega odpowiednie z jakiegoś chińskiego ATX-a. Na linii +12V montują tam często diody na 20A a nawet więcej. Do tego w wygodnym opakowaniu do montażu na radiatorze. Są tam po dwie diody spięte katodami więc od razy wszystko w jednym....

Jak wysterować MOSFET przy 3.3V z ESP8266? Robimy ściemniacz z darmowych MOSFETów

A jak się nie ma dedykowanego drivera? To nie będzie wiedział, że ten rezystor 10 kΩ, można zmniejszyć, godząc się na straty w nim, ale wielokrotnie niższe niż w mosfecie. Przy 1 kΩ mamy straty w zakresie 0...144 mW (PWM 100...0 %), ale za to niższe w mosfecie. Potem załóżmy ktoś bierze dedykowany driver i da rezystor bramkowy np. 1 kΩ zamiast kilka...

Straty mocy w tranzystorze MOSFET IRRFR7440 przy kluczowaniu 1kHz, 10A

Mam tranzystor np IRRFR7440 (około 2mOhm RDSon). Jeżeli go otworze i popłynie prąd 10A to moc strat wyniesie 100x2m =200mW. Jak oszacować straty mocy przy kluczowaniu włącz/wyłącz np 1kHz ?

Jak obliczyć straty przełączania w tranzystorze MOSFET bez danych katalogowych?

Ale na ogół jest podany maksymalny czas t(on) i t(off). Ten czas nie zawsze jest miernikiem strat na przełączenie. Czasem element sterujący wprowadza długi czas przełączania, a czasem pojemności montażowe rezystancje szeregowe zwiększają stałą czasową RC, przez co nawet szybki MOSFET przełącza powoli (łagodnie narastające i opadające zbocza). Jeżeli...

Asrock K8 Upgrade NF3 - uszkodzenie płyty po zwarciu zasilacza, napięcia na mosfetach?

Nie "GOTO3GH 642", tylko 60T03GH (szescdziesiat "Te" zero trzy (literki koncowe nieistotne)). Wymien, moze pomoze. Nalezaloby sprawdzic po wymianie przebiegi przetwornicy na oscyloskopie. PS. Procesor na 99% jest sprawny. Nie spisuj go na straty.

Kiedy stosować tranzystory bipolarne, a kiedy MOSFETy w projektach?

Tranzystory MOSFET nadają się bardzo dobrze do załączania dużych prądów, przy małych napięciach, w takim zastosowaniu mają mniejsze straty od bipolarnych. Przy wysokim napięciu i dużych prądach, mniejsze straty mają bipolarne lub IGBT. W układach analogowych tranzystory JFET i MOSFET stosowane są w układach o małych prądach wejściowych i w kluczach...

Nagrzewanie tranzystorów bipolarnych - jak to wygląda?

Z noty katalogowej odczytujesz Uf ( czy Usat, dla pracy jako klucz ), dla danego prądu. Czyli np Uf=1,2V dla 5A, i resztę z prawa Ohma; P=IxU co daje 1,2x5=6W strat. Tranzystory MOSFET są o tyle lepsze, że bardzo niska rezystancja włączonego kanału daje o rząd wielkości mniejsze straty. Tam gdzie bipolarny potrzebuje solidnego radiatora, MOSFET nie...

Jak zbudować stabilizator 3.3V z akumulatora LiPo 3.6V?

Musisz zrobić zasilacz impulsowy, działa on na takiej zasadzie że podaje napięcie a gdy zostanie przekroczona granica np 3.3V to je odcina. Dzięki bardzo szybkim zmianom stanu przewodzenia i kondensatorowi na wyjściu, da się uzyskać bardzo stabilne napięcie 3.3V nawet z 400V. Do tego ma wysoką sprawność bo niemal całe straty są np w MOSFET działającym...

Wybór tranzystorów MOSFET do mostka H dla silnika 60A, 42V - jakie parametry?

Witam Co do kompatybilności elektromagnetycznej to proponowałbym ten wątek pozostawić. Jeśli chodzi o dobór tranzystorów to wielkiego wyboru nie masz. Jak pójdziesz do sklepu to na dzień dobry dostaniesz za śmiesznie małe pieniądze tranzystory, które mają prądy rzędu kilkunastu, kilkudziesięciu amper i napięcia około 100V - to wystarczy.Sugestia jest...

Schemat prostownika na tranzystorze KD502 z regulacją napięcia i zabezpieczeniami, prąd do 15 A

Dlaczego uparłeś się na bipolarny? Unipolarny ma niewielką oporność dren/źródło, mniejsze straty mocy oraz radiator. Pomyśl nad IGBT. A jakim cudem? nie ma znaczenia jakiego typu tranzystora użyjesz w stratnym regulatorze szeregowym, ten nadmiar mocy musi gdzieś się wydzielić. Wydaje mi się że chodzi ci o regulację PWM i tranzystor klucza w niej, wtedy...

Jak zredukować straty cieplne w zasilaczu z MOSFET IRFP150?

Witam wszystkich sympatykow elektroniki, ostatnie kilka dni spedzilem na szukaniu ukladu, pozwalajacego na zastosowanie Mosfeta typu IRFP150 o opornasci RDS (on)=0,036 Ω oraz ID = 42 A w zasilaczu labolatoryjnym o nastepujacych parametrach: U wyj: 3 - 30 V i pradzie 3 A z mozliwosicia jego ograniczania. Uklad, na LM723 jest juz gotowy a "darlingtonowa"...

Sterowanie MOSFETami półmostka - jakie są typowe czasy martwe? Na bazie ST

Trochę się zastanawiałem nad odpowiedzią, gdyż nie mam za wielkiego doświadczenia w półmostkach gdzie nie ma rezonansu, ale jednak nie ma aż takich rozbieżności. Zacznijmy od tego że nie powinno się odpalać półmostków bez obciążenia. Dlaczego? Bo występuje wtedy najgorsza forma przełączania - hard swiching. W takim wypadku prądy przeładowania się pojemności...

Czy MOSFET pracujący równolegle przy przeciążeniu nie ulegnie uszkodzeniu?

No ale co to mi da w kwestii chłodzenia? Ten sam problem. Ba, podczas ładowania/rozładowania bramki występuje większa rezystancja, więc straty wzrosną.

Sterowanie PWM - włączanie i wyłączanie klucza.

Coś Kolega napisał, czegoś się domyśla, ale brakuje tutaj analizy tematu i konkluzji: dlaczego tak jest i jak to poprawić? Proponuję zapoznać się z tym materiałem: [url=https://www.elektroda.pl/rtvforum/t... strat dynamicznych dla mosfet

MOSFET-P sterowany 5V - Arduino

Czy w tak prostym układzie jest jakaś zaleta stosowania PMosa zamiast PNP? MOS zamiast BJT jako klucz - zalety są zawsze dwie: - niski spadek napięcia na tranzystorze (i małe straty mocy) - zależne tylko od odpowiedniego MOSFET-a o niskim Rdson, - łatwość sterowania - MOSFET nie wymaga prądu (BJT jako klucz wymaga prądu bazy rzędu 1/20 Ic) Np. używając...

Dlaczego moc wiatraczka z MOSFET nie jest proporcjonalna do wypełnienia PWM?

Czytałam trochę o PWM i stratach przełączania na MOSFET i przy większych częstotliwościach straty przełączania (np dla współczynnika wypełnienia 50%) będą rosnąć, czyli moc wiatraczka zmaleje. Ale nie mogę znaleźć dlaczego w zakresie tej samej częstotliwości moc nie osiąga 50% mocy maksymalnej przy współczynniku wypełnienia 50%. Czy może chodzi o to,...

Analiza przełączania MOSFET: brak strat mocy, prąd drenu rośnie przy Vds=0

Dzięki za odpowiedzi. Faktycznie jest to praca w ZVS. Dopiero wczoraj się dowiedziałem, że coś takiego jest. Straty mocy mam tylko podczas wyłączania. Dzięki za pomoc. Temat można zamknąć.

Układ z P-MOSFET-em jako przełącznik wysokonapięciowy (~400V, 100-200mA) i sterowanie 5V

Ja robiłem załączanie anodowego, w układzie który był jednocześnie aktywnym filtrem zasilania, był tam NMOSFET podłączony na wyjściu filtra RC jako wtórnik, rezystancja wyjściowa tego filtra była duża kolejny NMOSFET zwierał wyjście filtra do masy wyłączając napięcie Dodano po 45 Przykład takiego układu https://obrazki.elektroda.pl/6836191200_...

Jak zrobić ogrzewany rękaw na baterie do pracy na dworze?

Wyczytałem, że można zastosować do tego taśmę oporową lub drut oporowy, łączymy po prostu w obwód i prąd płynący przez drut/taśmę zamieniany jest w ciepło? Czy jest to bardziej skomplikowane? Teoretycznie jest to tak proste. W praktyce możesz sobie zadanie bardziej utrudnić. Musisz regulować jakoś temperaturę ręki - żeby rękaw nagrzewał się szybko,...

Dobór mostka H i MOSFETów do sterowania silnikiem 12V 15A w modelu RC

Powinien działać, jednak radził bym wziąć mosfety z jakiegoś sprawdzonego układu, te które podałeś mają stosunkowo duża rezystancję złącza --> niepotrzebne straty na cieple. Możesz je wziąć z regulatora avt, załączasz je tak jak tu, czyli po przekątnej, jednak zostaw też T5 i T6.

Schemat zasilacza stabilizowanego na MOSFETach dla pakietu ogniw 18650 - wydajność 30A, 13.5V

Napisałem, że wymaga modyfikacji, chodziło mi o pokazanie rozwiązania zasilacza low drop o bardzo małej mocy strat. Współczesne tranzystory mosfet mają duże moce i prądy, w razie czego stosuje się połączenia równoległe by umożliwić bezpieczne oddawanie oddawanie mocy zew względu na ogrzaniczoną rezystancje termiczną Tj-c danego elementu.

ATmega32 - Sterowanie dyszami tonera 0-21V, dobór rezystorów i prędkość

MOSFET z N-kanałem powinien być zasadniczo sterowany ok. +15V ,ale ten już przy +5V nieźle się nasyca i może być. Identyczny obwód z AT16 uruchomiłem w weekend tyle, że z +12V (a nie +21V) i kluczował z częstotliwościami rzędu kHz cewką zaworu, która przy +12V pobierała 2,5A . MOSFET nawet nie był letni, czyli straty w nim pomijalne. Masz tu na szybko...

Czy mostek H z 4 tranzystorami NMOS dla silnika 12V 20A z Attiny12 zadziała?

W tym układzie będziesz dalej miał straty na górnych (Q1 i Q3) MOSFETach około 60-70W przy 20A. Albo dajesz driver mosfetów i zapewniasz mu odpowiednie warunki pracy albo dajesz P-MOSFETy. Wyeliminowałeś spalanie się mostka bez sterowania:)

Podłączenie tranzystora mosfet typu N - Vgs = 50V?

Z noty katalogowej przesłanego tranzystora wynika, że maksymalne napięcie baza-emiter to 9V. Czyli rozwiązanie nadal wymaga dzielnika napięcia przy PU rezystorze. W przypadku tranzystorów BJT istotne jest nie napięcie ( w uproszczeniu ) a prąd, który wpływa do Bazy. A napięcie 9V o którym napisałeś odnosi się do wartości napięcia wstecznego a nie w...

Jak obliczyć straty podczas otwierania tranzystorów?

Czy może mi ktoś podpowiedzieć, jak obliczyć straty podczas otwierania tranzystorów? Chodzi mi oczywiście o sam proces otwierania, ponieważ potem to już pestka policzyć straty w stanie przewodzenia. Mam na myśli MOSFET i IGBT, chociaż pewnie IGBT zachowuje się w tym temacie identycznie jak bipolarny. I ja wiem, że te czasy przełączenia są śmiesznie...

Jak zbudować układ z IGBT/MOSFET z diodami zabezpieczającymi?

Trudno znaleźć sens w tym co piszesz. Dioda zabezpieczające bramkę (między G-S) występuje w nielicznych tranzystorach MOSFET/IGBT i nie przewodzi przy normalnej pracy, kiedy zaczyna przewodzić to znaczy że tranzystor został by uszkodzony gdyby jej nie było. Możliwe że chodziło ci o diodę pasożytniczą pomiędzy D i S (zwaną też body diode), nie ma tranzystorów...

Prostownik do ładowania akumulatorów (auto)

Dzięki _jta faktycznie małe straty są na tym mosfecie. Tylko nie rozumiem tego (2) problemu....

Stabilizator szeregowy z MOSFET do grzałki CWU z fotowoltaiką - jak to zrobić?

IGBT mają sens kiedy prąd osiąga kilkadziesiąt amperów, wtedy te 1,5-2,5V spadku w stanie nasycenia jest mniejsze niż spadek na Rds(on) MOSFETa. IGBT przełączają wolniej od MOSFETów więc nie stosuje się ich kiedy w stratach statycznych nie mają istotnej przewagi

Schemat przetwornicy 12(14.4)V na 18V 3A DC do laptopa w podróży

-> szopler Z MC34063 nie wysterujesz bezpośrednio MOSFETa a tranzystor NPN bez problemu. Straty? Przy step-up i tak niewielkim podwyższeniu napięcia - nieznaczące. RoMan

Regulacja jasności taśmy LED 12V za pomocą PWM i drivera MCP1402 - sprawdzenie układu

Dla irl2203 maxymalne napięcie między, drainem a sourcem to 30V. MOSFET'y charakteryzują się tym że powodują małe straty mocy w układach niskiej częstotliwości. wg. noty dla napięcia 4,5V na bramce rezystancja pomiędzy drainem, a sourcem ma maxymalnie 10mOhm. Licząc z prawa ohma straty będą równe 0,7A* 0,01ohm = 0,007V(spadek napięcia na mosfecie),...

Jak zabezpieczyć akumulator 14V przed rozładowaniem w elektrowni wiatrowej 700W?

Alternator daje napięcie zmienne, do ładowania akumulatora potrzebne jest stałe; jak się zrobi prostownik na diodach, to będą dodatkowe straty (tak z 10%); proponuję użycie MOSFET-ów i zrobienie prostownika sterowanego, by je zmniejszyć. Czy alternator mając lepszy stosunek mocy do wymiarów nie ma gorszej sprawności?

Tranzystory MOSFET jako ograniczenia prądowe do zasilacza

Może i można ale napięcie Ube tranzystora bipolarnego jest zdecydowanie mniejsze od napięcia Ugs mosfeta i co się z tym wiąże potrzebny jest mniejszy spadek napięcia na elemencie pomiarowym - mniejsza strata mocy.

Zamiennik mosfetu AON6780 do laptopa - czy AON6560 nada się?

Katalogowy prąd MOSFETa to parametr bez znaczenia, ważny jest Rds(on) który w nowym tranzystorze jest ponad połowę mniejszy - to dobrze bo zmniejsza straty statyczne, ale ten zamiennik ma ponad 2x wyższe Qgs czyli będzie ciężej go szybko przełączać, to może spowolnić przełączanie i zwiększyć straty dynamiczne. Czyli nie można odpowiedzieć jednoznacznie,...

Coilgun: Rozwiązania dla zbyt dużej pojemności kondensatorów i automatyczne odłączanie cewki

ale to jest tylko kwestia, czy zanikanie prądu będzie z powodu rozładowania kondensatorów, czy z powodu wyłączenia tranzystora. Właśnie w tym autor ma problem: przesadziłem trochę z pojemnością kondensatorów co oznacza stopniowy zanik prądu cewki Ah, no tak. Źle zinterpretowałem Twoją wypowiedź. Jeżeli chodzi o odpowiedź jarka, nie mogę się z nią zgodzić....

Porównanie strat mocy: Bipolarne tranzystory mocy vs IGBT oraz MOSFET (Uce=1000V, Ic=100A)

Witam. Chciałbym się dowiedzieć jakie są straty w bipolarnych tranzystorach mocy(konkretniej w modułach) podczas ich pełnego załączenia. Czy są one większe niż w mosfetach czy mniejsze niż w IGBT ? Przykładowo przypuśćmy że mamy tranzystor IGBT o napięciu Uce=1000V Ic=100A , i taki sam zwykły bipolarny o napięciu Uce=1000V i Ic=100A. Przez obydwa płynie...

Projektowanie zasilacza dużej mocy: Dlaczego mosfety nie przepuszczają pełnego prądu?

SR? Slew Rate - szybkość narastania. W przeciętnych wzmacniaczach 1V/us, czyli 20V to 20us a driver przełącza <100ns czyli kilkaset razy szybciej. Po co mi wydajność prądowa? MOSFET ma pojemność wejściową, żeby zmieniać napięcie na "kondensatorze" musi popłynąć prąd, tym większy im szybciej chcemy to zrobić. Zamiast podawać pojemność w nanofaradach...

Wzmacniacz mocy sygnału sinusoidalnego +-500mA - obciążenie indukcyjne

W symulatorach to Ci nie pomogę. Układ który taki prąd da- mogę sobie wyobrazić. Ale ten model chyba nie może być taki sztywny- źródło prądowe symetryczne pracuje z zasady w czymś co można nazwać klasą A wzmacniacza i straty mocy można na mosfetach zrobić znośne przez równoległe łączenie mosfetów, radiatory i wentylatory. Ale na badanym rdzeniu- to...

Przetwornica Mdcs-a i palace sie co jakis czas irfz44n

Tranzystor z powyższej fotki nie został wyprodukowany przez International Rectifier, to jakaś podróbka. Szukaj mosfetów z charakterystycznym logo producenta. http://www.irf.com Twoje obliczania sprawności są chyba błędne. Zmierz pod obciązeniem prąd pobierany przez przetwornicę z zasilacza i napięcie wejściowe, a następnie napięcie i prąd na wyjściu...

Układ pali P-MOSFET.-płytka stykowa

Ok, teraz rozumiem. 8A to dużo, a przy zimnej grzałce pewnie jeszcze więcej. Może faktycznie zastosuj wartości rezystorów z linka. Mniejsza wartość R3 da szybsze włączanie i wyłączanie mosfeta bo to w tym momencie są w nim największe straty.

Jak zbudować regulator grzałki 230V, 5 kW? - schemat i porady konstrukcyjne

Ja bym poszukał czegoś na MOSFET-ach - połmostek H - odpadnie problem strat mocy do tego sterowania tak, by wybierać pełne okresy (mniejsze zakłócenia).

Oświetlenie domowe 142-198lm/W z regulacją temperatury CCT, odwzorowaniem barw CRI 90/95 oraz WS2811

Pokazane wcześniej diody mają napięcie około 2,7V (upraszczając), łącząc je po 8 sztuk w szeregu mamy 21,6V czyli musimy utracić 3,4V z 24V zasilania co przy 65mA prądu daje nam 0,221W straty na moduł 8 diód w sumie 1,404W (8*2,7V*65mA), czyli 15,7% straty. Dlatego skłaniam się do połączenia 9 diód w szeregu dającym 24,3V (1,58W) i ustawienie zasilacza...

Nagrzewnica indukcyjna IR2184, IRF840 - dopasowanie układu reznonasowego

1) Sterownik IR2184 bardzo się grzeje. Ponieważ "włączając" MOSFET'a trzeba dostarczyć do bramki pewien ładunek (który płynie przez driver). Aby "wyłączyć" następuje ten sam proces, tylko w drugą stronę, driver rozładowuje bramkę MOSFET'a. Im większa częstotliwość, tym więcej takich cykli czyli więcej strat. Jak wyliczać moc strat dynamicznych MOSFET'ów...

Lampa solarna własnej konstrukcji - zbyt duże straty energii

Zamiast BD139, użyj mosfeta N, o niskim napięciu załączania, jednocześnie zrób z na drugim źródło prądowe zamiast ograniczania prądu rezystorem 5,1Ω

Wybór układu gaszącego i MOSFET-a do sterowania cewką 6A, 24V z Arduino

Pewnie wypada MOSFETa sterować poprzez tranzystor - włączanie może być powolne, bo prąd cewki będzie narastał powoli, ale powolne wyłączanie powoduje spore straty mocy w MOSFECie (oczywiście równolegle do cewki powinna być dioda, żeby nie generowało się duże napięcie). A z tego wynika, że do sterowania MOSFET-a z kanałem N powinien być tranzystor NPN...

atmega8 - wlaczanie ledow z portu czy przez tranzystor.

Ale LED nie świeci od napięcia, tylko od prądu. Jeżeli zasilasz z dwóch paluszków, to i tak napięcia powinno wystarczyć. Poza tym kto każe ci używać tranzystora bipolarnego? Chcesz mieć małe straty napięcia weż MOSFET-a.

Wybór MOSFET do sterowania żarówkami 35W/12V i efekt ściemniania

A najlatwiej bylo by zastosowac male przekazniczki, zadnych strat i problemow:)

Jak dobrać kondensatory i dzielnik napięcia dla IRF1010 w układzie 74LS164?

To wogóle nie zadziała :( Do silników nie stosuje się takiego sterowania ze względu na bardzo duże straty mocy na elemencie sterującym (a już szczególnie jak silnik dociążysz). Zastosuj sterowanie z modulacją wypełnienia impulsów PWM, wtedy MOSFET pracuje tylko w dwóch stanach: włączeny/wyłączony i jest minimalna strata mocy na nim (praktycznie tylko...

Czy ma sens stosowanie sterownika do tranzystorów Mosfet

Jeśli prąd jest duży - kilka amperów lub wiecej i chcesz kluczować z częstotliowścią ponadakustyczną, to bez drivera sie nie obejdzie. Dlatego że przełączanie trwało by kilka - kilkanaście µs, przez co tranzystor miał by bardzo duże straty mocy. Statyczne obciązęnia i małe MOSFET'y możesz bezpośrednio z portu jeśli starczy napięcia do pełnego otwarcia...

Jak zbudować prostownik aktywny na MOSFET-ach dla prądu 150A?

Witam, rozwiązanie ma głęboki sens energetyczny, pod warunkiem, że spadki napięć na załączonych tranzystorach będą mniejsze niż na diodach. Oznacza to, że gdy wchodzą w grę dosyć wysokie napięcia wejściowe, układ może dawać większe straty niż w przypadku klasycznych diod prostowniczych, tranzystory MOSFET na wysokie napięcia uwielbiają mieć dużą rezystancję...

Ściemniany driver LED na elementach półprzewodnikowych

Istotna może być szybkość narastania i opadania napięcia bramki (a raczej to, jaka z tego wychodzi szybkość narastania i opadania prądu) - kiedy MOSFET jest częściowo otwarty, straty mocy są duże, i nawet z krótkich odcinków czasu z takim stanem mogą uzbierać się spore straty.

Jak podłączyć LED RGB do licznika Romet WS 50, aby zmieniały kolor wg obrotów?

Tak, ale skoro radzisz sobie z programowaniem raspberry to jednak sugeruję atmege, gdyż kosztuje ona 6zł, jak by co nie będzie dużej straty, a też jest prosta w obsłudze. Pinem procesora możesz wysterować mosfet, który będzie sterował szeregiem diod. Co co odczytu prędkości pogoogluj trochę, zdaje się, że można zastosować tą samą metodę co w rowerach.

Zasilanie power LED 12V, multiwibrator astabilny - częstotliwość i potencjometr

Straty na mosfecie to straty jego oporności wewnętrznej między D i S, to jest rdsOn czy jakoś tak ? A wzór to będzie P=R*I2 Chyba tak to da radę wyliczyć wszystko ?

Przetwornica DC/DC z izolacją galwaniczną 20-60/13.8V 10A

Chyba na to samo wyjdzie ze stratami, przeciętny mosfet na 200V (push-pull) ma 2-3 razy większą Rdson niż podobny mocowo na 100V (mostek)... Jeśli autor zdecyduje się jednak na pełny mostek, to proponuję małe i tanie driverki IR2101, wymagają niewiele elementów zewnętrznych (bootstrap dla zasilania części high-side), potrzebne będą 2szt.

Projekt zasilacza laboratoryjnego z AVR i MOSFET - czy to zadziała?

Dobrze kombinujesz ale jest jeden błąd w twoim rozumowaniu, da sie go poprawić, wtedy uzyskamy jedno z dwóch powszechnie znanych i popularnych rozwiązań. Mikroprocesor przez adc bada napięcie na kondensatorze, jeśli niższe niż zadane, odtyka mosfet/tranzystor, który doładowuje kondensator (równolegle z kondensatorem wyjście zasilacza) Dzięki temu, że...

SG3525A + IR2113 - grzejące się MOSFETy i zakłócenia na bramkach

No to słabe schematy to były. Zwiększ rezystory bramkowe do 47-100ohm na SG3525 jaki dead time ustawiłeś? Radiatory na mosfetach muszą być. Obudowa TO-220 rozproszy maks 1W, potem już się tylko mosfet upali. Straty na przełączaniu mogą być spore, nawet bez obciążenia. Co do pomiaru bramki, to gdzie dokładnie mierzysz? na bramce mosfeta, na diodzie,...

Jak wyznaczyć średnią moc strat? Potrzebuję dobrać radiator.

Witam. Wyznaczyłem moc strat podczas kluczowania tranzystora MOSFET. Obliczenia są przykładowe i nie tyczą się na chwilę obecną żadnego konkretnego modelu. Pytanie brzmi jak wyznaczyć średnią moc strat która wydzieli się na obudowie tranzystora znając chwilową moc. Moc średnia potrzebna byłaby do dobrania radiatora. https://obrazki.elektroda.pl/9527245800_...

Fullbridge SSTC - półprzewodnikowa cewka Tesli na pełnym mostku

Zastanawiam się czemu nie masz czasów martwych i Twój mostek jeszcze żyje mimo zasilania z sieci :) Zastanawiam się też czy jest sens stosowania diod MBR2545. One by były ok gdybyś chciał osiągnąć ZCS. Natomiast tutaj moim zdaniem wprowadzają tylko niepotrzebne straty. Bo podczas polaryzacji diody wbudowanej w tranzystor MOSFET straty występują głównie...

Atmega32, Bascom, PWM - obliczanie częstotliwości kluczowania przy 4MHz

jaki prąd pobiera ten wentylator , może lepiej zastosować tranzystor Mosfet , moc strat jest w nim dużo mniejsza niż w bipolarnych

Jak uzyskać 32 kanały PWM z ATMEGA 32 bez migotania diod?

Zastosuj MOSFETa, przy tak mizernym prądzie i zastosowaniu tranzystora logic level straty są pomijalne. W dodatku MOSFET na takie małe prądy będzie w mikroskopijnej obudowie.

Jak poprawić otwieranie i wyłączanie MOSFET-ów sterowanych z µP?

przy malej czestotliwosci mozna dopuscic taki uklad sterowania. Jednak przy duzych pradach sama rezystancja kanalu mosfeta bedzie generowac spore straty mocy.

BD911 z izolacją wewnętrzną - Jaki symbol dla mocniejszego tranzystora?

Zastosowanie to zasilanie żarówek LED Zamiast bawić się w bipolarne lepiej użyć mosfeta. Mniejsze straty, wyższe dopuszczalne prądy. Szerszy wybór np. https://www.tme.eu/pl/katalog/tranzystor...

Jak zaprojektować mosfet driver do szybkiego przełączania z atmega OUT?

Skoro już wiadomo że chodzi o IRFZ44N to przy rezystancji wyjściowej drivera 47Ω przełączanie potrwa ok 200ns nawet jeśli szczytowa moc strat podczas przełaczania osiągnie 120W (najgorszy przypadek 12V 10A obciążenie indukcyjne - silnik) to przy 1kHz dodało by to tylko 24mW do strat w tranzystorze. Dlatego pisałem że mozna zwiększyc rezystor R4...

Jak obliczyć moc jednofazowego mostka prostowniczego z 4 diodami 10 A?

Bardziej mi chodziło o określenie, czy prąd całego mostka będzie większy, taki sam czy mniejszy niż pojedynczej diody. Jeżeli użyjesz mostka synchronicznego na MOSFET-ach, to moc strat będzie mniejsza niż pojedynczej diody.

Prosty zasilacz laboratoryjny SN1533

Jesteś konstruktorem i to nawet bardzo dobrym w porównaniu do innych na forum. Oczywiście chodzi o zasilacze liniowe. Twoje są jedne z najlepszych i dziwię się małym zainteresowaniem, być może nie umiesz ich zareklamować. Gdyby nie mój honor i prawa autorskie już dawno handlowałbym nimi. Przekaźnik przez swe odbicia ma większe prawdopodobieństwo trafienia...

Jaki tranzystor typu MOSFET dobrać do regulacji prądu drenu?

Kilkadziesiąt amperów i 3,6V kojarzy się z e-szlugiem, jeśli tak to użyj PWM'a. Regulacja liniowa jest kłopotliwa, że względu na straty mocy, niestabilność termiczną MOSFETów oraz pozostałe analogowe problemy, oczywiście zrobić się da ale trzeba mieć konkretne powody żeby wybrać takie (trudniejsze) rozwiązanie.

Jak zmniejszyć straty mocy w źródle prądowym na N-MOSFET dla LED 12V 0.5A?

Straty w każdym stabilizatorze liniowym będą identyczne - nic się nie poprawi. Ale na pewno zmniejszą się gdy użyjesz przetwornicy impulsowej. Schemat takiej przetwornicy do zasilania LED dużej mocy umieścił niedawno na elektrodzie kolega RoMan.