RU6099R ma Gate Charge 47 nC, a IRF1407PBF 160 nC. Czyli ponad 3 razy tyle. I jakieś 1.5 razy większe Coos. Czyli IRF1407PBF będzie miał o wiele większe straty przełączania.
MOSFET będzie miał najmniejsze straty. IGBT to tranzystor bipolarny połączony z MOSFET, więc straty mocy będą większe, największe będą w diodzie. Jarek pewnie to rozwinie, bo ma z tym styczność i doświadczenie. Napisz, jeśli to nie tajemnica, jak duże prądy mają płynąć, jakie napięcia są - zasilania, spadek na kondensatorze (można dobrać indukcyjność...
Mam tranzystor np IRRFR7440 (około 2mOhm RDSon). Jeżeli go otworze i popłynie prąd 10A to moc strat wyniesie 100x2m =200mW. Jak oszacować straty mocy przy kluczowaniu włącz/wyłącz np 1kHz ?
Z noty katalogowej odczytujesz Uf ( czy Usat, dla pracy jako klucz ), dla danego prądu. Czyli np Uf=1,2V dla 5A, i resztę z prawa Ohma; P=IxU co daje 1,2x5=6W strat. Tranzystory MOSFET są o tyle lepsze, że bardzo niska rezystancja włączonego kanału daje o rząd wielkości mniejsze straty. Tam gdzie bipolarny potrzebuje solidnego radiatora, MOSFET nie...
Ale na ogół jest podany maksymalny czas t(on) i t(off). Ten czas nie zawsze jest miernikiem strat na przełączenie. Czasem element sterujący wprowadza długi czas przełączania, a czasem pojemności montażowe rezystancje szeregowe zwiększają stałą czasową RC, przez co nawet szybki MOSFET przełącza powoli (łagodnie narastające i opadające zbocza). Jeżeli...
Najważniejsze parametry mosfeta: -napięcie - musisz dobrać z niewielkim zapasem żeby tranzystor nie uległ przebiciu -rezystancja w stanie włączenia - decyduje o stratach mocy (P=I^2*Rds(on)) a wiec o maksymalnym prądzie. Ważne są też warunki chłodzenia i obudowa, ja stosuje taką zasadę jeśli się da dobieram Rds(on) tak aby straty mocy były poniżej 1W...
Nie wiem, może i tak. Jako przełącznik też się nada - przy tak małej rezystancji bardzo małe straty na złączu.
Witam Co do kompatybilności elektromagnetycznej to proponowałbym ten wątek pozostawić. Jeśli chodzi o dobór tranzystorów to wielkiego wyboru nie masz. Jak pójdziesz do sklepu to na dzień dobry dostaniesz za śmiesznie małe pieniądze tranzystory, które mają prądy rzędu kilkunastu, kilkudziesięciu amper i napięcia około 100V - to wystarczy.Sugestia jest...
Napisałem, że wymaga modyfikacji, chodziło mi o pokazanie rozwiązania zasilacza low drop o bardzo małej mocy strat. Współczesne tranzystory mosfet mają duże moce i prądy, w razie czego stosuje się połączenia równoległe by umożliwić bezpieczne oddawanie oddawanie mocy zew względu na ogrzaniczoną rezystancje termiczną Tj-c danego elementu.
Wyczytałem, że można zastosować do tego taśmę oporową lub drut oporowy, łączymy po prostu w obwód i prąd płynący przez drut/taśmę zamieniany jest w ciepło? Czy jest to bardziej skomplikowane? Teoretycznie jest to tak proste. W praktyce możesz sobie zadanie bardziej utrudnić. Musisz regulować jakoś temperaturę ręki - żeby rękaw nagrzewał się szybko,...
I słuszna decyzja, chociaż koszt tranzystora 3zł, to niewielka strata.
Z noty katalogowej przesłanego tranzystora wynika, że maksymalne napięcie baza-emiter to 9V. Czyli rozwiązanie nadal wymaga dzielnika napięcia przy PU rezystorze. W przypadku tranzystorów BJT istotne jest nie napięcie ( w uproszczeniu ) a prąd, który wpływa do Bazy. A napięcie 9V o którym napisałeś odnosi się do wartości napięcia wstecznego a nie w...
Może i można ale napięcie Ube tranzystora bipolarnego jest zdecydowanie mniejsze od napięcia Ugs mosfeta i co się z tym wiąże potrzebny jest mniejszy spadek napięcia na elemencie pomiarowym - mniejsza strata mocy.
Jaki to uC, albo inaczej jaką ma rezystancje wyjściową portów? Gdy podnosisz napiecie (i prąd) 6,2 krotnie moc chwilowa rośnie 38 razy wzrost strat na przełaczanie będzie równie duży.
Dlaczego uparłeś się na bipolarny? Unipolarny ma niewielką oporność dren/źródło, mniejsze straty mocy oraz radiator. Pomyśl nad IGBT. A jakim cudem? nie ma znaczenia jakiego typu tranzystora użyjesz w stratnym regulatorze szeregowym, ten nadmiar mocy musi gdzieś się wydzielić. Wydaje mi się że chodzi ci o regulację PWM i tranzystor klucza w niej, wtedy...
Tranzystory MOSFET nadają się bardzo dobrze do załączania dużych prądów, przy małych napięciach, w takim zastosowaniu mają mniejsze straty od bipolarnych. Przy wysokim napięciu i dużych prądach, mniejsze straty mają bipolarne lub IGBT. W układach analogowych tranzystory JFET i MOSFET stosowane są w układach o małych prądach wejściowych i w kluczach...
Witam. Wyznaczyłem moc strat podczas kluczowania tranzystora MOSFET. Obliczenia są przykładowe i nie tyczą się na chwilę obecną żadnego konkretnego modelu. Pytanie brzmi jak wyznaczyć średnią moc strat która wydzieli się na obudowie tranzystora znając chwilową moc. Moc średnia potrzebna byłaby do dobrania radiatora. https://obrazki.elektroda.pl/9527245800_...
Bramka mosfeta to kondensator o pojemności ~ kilka nF, takie rozwiązanie układowe pozwala na szybsze otwieranie / zamykanie ponieważ, w tym przypadku stała czasowa RC bramka - R3 jest 100 razy mniejsza niż stała bramka - R1. Gdyby R1 był mniejszy to zmieniają się prądy i są większe straty mocy.
Straty na rezystancji tranzystora to okolo 20W. Wiec radiator musi byc dosyc duzy. 2 rownolegle to zmniejszenie rezystancji do 0,15 omow. Wiec straty spadaja do 10W.
Możesz silnik i MOSFETa zamienić miejscami. Witam, Nie do końca się mogę z tym zgodzić... Po takiej zamianie, napięcie jakie musi panować na bramce w stanie wysokim powinno być wyższe od Uzas (w tym przypadku 12V) aby dokonać pełnego otwarcia kanału i zminimalizować straty w tranzystorze...
Czy w tak prostym układzie jest jakaś zaleta stosowania PMosa zamiast PNP? MOS zamiast BJT jako klucz - zalety są zawsze dwie: - niski spadek napięcia na tranzystorze (i małe straty mocy) - zależne tylko od odpowiedniego MOSFET-a o niskim Rdson, - łatwość sterowania - MOSFET nie wymaga prądu (BJT jako klucz wymaga prądu bazy rzędu 1/20 Ic) Np. używając...
Witam. Chciałbym się dowiedzieć jakie są straty w bipolarnych tranzystorach mocy(konkretniej w modułach) podczas ich pełnego załączenia. Czy są one większe niż w mosfetach czy mniejsze niż w IGBT ? Przykładowo przypuśćmy że mamy tranzystor IGBT o napięciu Uce=1000V Ic=100A , i taki sam zwykły bipolarny o napięciu Uce=1000V i Ic=100A. Przez obydwa płynie...
Katalogowy prąd MOSFETa to parametr bez znaczenia, ważny jest Rds(on) który w nowym tranzystorze jest ponad połowę mniejszy - to dobrze bo zmniejsza straty statyczne, ale ten zamiennik ma ponad 2x wyższe Qgs czyli będzie ciężej go szybko przełączać, to może spowolnić przełączanie i zwiększyć straty dynamiczne. Czyli nie można odpowiedzieć jednoznacznie,...
Co to oznacza, że tranzystory bipolarny są sterowane prądowo, a mosfet syn sterowany napięciowo Tranzystor bipolarny jest urządzeniem sterowanym prądowo. Duży prąd kolektora ( Ic ) przepływa przez niego pomiędzy kolektorem a emiterem, kiedy tranzystor jest otwarty. Jednak dzieje się tak tylko wtedy, gdy do bazy wpływa prąd ( Ib ), umożliwiając jej...
W tym swoim pierwszym układzie pamiętaj dać rezystory pomiędzy wyjcia układów logicznych a bazy tranzystorów. Stany z wyjścia LS138 można odwrócić inwerterami LS04 (ale ich jest tylko po 6 w układzie) albo użyć układów 74HC240 lub nawet 74AC240 (mają podwyższoną obciążalność wyjść w stosunku do serii HC, do +/-24mA na wyjście) http://www.fairchildsemi.com/ds/74%2F74A...
Witam, rozwiązanie ma głęboki sens energetyczny, pod warunkiem, że spadki napięć na załączonych tranzystorach będą mniejsze niż na diodach. Oznacza to, że gdy wchodzą w grę dosyć wysokie napięcia wejściowe, układ może dawać większe straty niż w przypadku klasycznych diod prostowniczych, tranzystory MOSFET na wysokie napięcia uwielbiają mieć dużą rezystancję...
Niebardzo. W Twoim układzie tranzystor będzie pracował w sposób liniowy, a więc będzie się na nim odkładało od groma mocy. Dużo lepiej użyć tranzystora mosfet, i regulować napięcie poprzez PWM (układem NE555 lub TL494). Straty będą wtedy minimalne, a i wydajność zasilacza może się znacznie podnieść. Dodatkowo można dodać cewkę i diodę (i parę innych...
Z mojej strony najprościej było by zastosować jakiś driver na 2 tranzystorach aby prawidłowo wysterować mosfeta. Pojemność do przeładowania to około 6nF co przy tej częstotliwości oznacza duuuuże straty.
A czym to ma sterować? To, co zaproponowałeś, będzie "zwierać" do masy przy podaniu na bazę stanu H = 5 V, przy stanie L = 0 V/GND (dokładnie poniżej około 0,8 V) będziesz miał 5 V przez rezystor 1 kom. Jeśli chcesz układ odwrotny, to stosujesz dwa takie szeregowo albo tranzystor PNP. Jeszcze jedna uwaga: - ten rezystor w kolektorze to może być Twój...
Policzenie tego nie jest takie proste. Po pierwsze w swoich obliczeniach pomijasz napięcie nasycenia tranzystorów bipolarnych. Po drugie straty na MOSFEcie musisz rozbić na co najmniej dwie komponenty - pierwsza w miarę prosta to uwzględnienie zmieniającego się RDS podczas otwierania/zamykania tranzystora, to zależy od prędkości drivera. Rezystancje...
Kierując się w pierwszym rzędzie maksymalnym prądem mosfeta a nie jego mocą maksymalną.... Maksymalny prąd MOSFETa to jest parametr marketingowy, osiągalny tylko w laboratorium ze specjalnymi sposobami chłodzenia, nawet nóżki są chłodzone :) Przy normalnym użyciu MOSFETa jako klucza nigdy nie patrzę na prąd maksymalny i moc maksymalną, bo te parametry...
"Przykładowo, przy przepływie przez tranzystor MOSFET prądu o wartości 20 A, straty na nim wyniosą 120...400 W, podczas gdy na IGBT wytraci się jedynie 33 W." Link To weźmy IRFP7718 - 1,5mΩ więc wytraci się 0,6W przy 20A (nie licząc strat przełączania). O ile w MOSFETach straty przełączania zależą od szybkości przeładowania bramki (można bardzo...
-> szopler Z MC34063 nie wysterujesz bezpośrednio MOSFETa a tranzystor NPN bez problemu. Straty? Przy step-up i tak niewielkim podwyższeniu napięcia - nieznaczące. RoMan
próbowałem tak "straty mocy na tranzystorze sterującym mosfet" ale nic ciekawego nie znalazłem Chodzi o tranzystor kluczujący MOSFET (stopień mocy), którego właściwe wysterowanie ogranicza straty podczas przełączania i tego należy szukać, np.: http://www.elektroda.pl/rtvforum/topic23... http://www.elektroda.pl/rtvforum/topic13... Można...
Właściwie dlaczego stosowane są oba typy tranzystorów skoro unipolarne mają zdecydowanie lepsze parametry? W każdym zastosowaniu ważne są inne parametry. We wzmacniaczach ważna jest transkonduktancja, FET-y mają zdecydowanie mniejszą więc jeśli we wzmacniaczu na pojedynczym tranzystorze bipolarnym wstawisz MOSFET-a to spadnie wzmocnienie. Do kluczowania...
Coś czuje, że będzie to miało coś wspólnego z pojemnością bramki mosfeta i możliwościami prądowymi pinu procesora. Mam racje? - masz rację. Wysterowanie bramki powoduje ładowanie jej pojemności. Pomiędzy pinem procesora a bramką dajesz rezystor szeregowy - w celu ograniczenia maksymalnego prądu do wartości bezpiecznej dla pinu procesora (rozladowana...
Nie jestem specem od elektroniki, ale chcę zastosować INA138, bo to jest prosta sprawa do regulacji prądu. Tym układem chcę sterować komparator, lub uruchomić tyrystor do wyłączenia prądu do zera. Oczywiście nie jest potrzebna dokładna regulacja prądu, ale jest po to, żeby móc wykorzystać zasilacz też do innych celów i prób. Co do zmiany oporności głównego...
Moc strat w tym wypadku powinna wystarczyć. Są to tranzystory o dość niskim Rdson i z dość szybkimi czasami przełączania więc straty na nich nie są zbyt wielki. Jeśli coś się nie zgadza to proszę podać wyliczenia mocy strat dla tranzystorów.
Na schemacie D3 w dobrą stronę? Dla ochrony izolacji bramki przy wyższych napięciach zasilania podłącz rezystor - powiedzmy - 220 Ω/0,5 W z zasilania do bramki, a z niej 2-3 razy większy do kolektora. Będziesz mieć zbliżone czasy przełączania MOSFET-a. Przy 1 kHz może popiszczeć, ale za to masz ogromny czas na przełączanie z niedużymi stratami mocy...
I bardziej trzeba się martwic ze tranzystor w pełni się nie otworzy, niż o wydajności prądową 555. Bo napiciem 5V w pełni MOSFET się nie otworzy co zwiększy moc strat wydzielaną w tranzystorze
Jak policzyć straty mocy w tranzystorze MOSFET pracującym w przetwornicy? Czy wzór: Id^2* r DSon jest wystarczający? W książce "Poradnik inżyniera energoelektronika" znalazłem takie jak poniżej. http://obrazki.elektroda.pl/3551637400_1...
Fakt, wyjście mikrokontrolera może dać około 10-20 mA (przynajmniej AVR), ale nie należy zapominać o maksymalnym dopuszczalnym SUMARYCZNYM prądzie ze wszystkich pinów, który z reguły wynosi ~100-200 mA. Ja bym jednak zastosował z driverem z wejściem logicznym. Uzyskujemy w ten sposób bezproblemowe sterowanie tranzystorem przy pomocy sygnału o poziomach...
Tranzystor jest uszkodzony i będzie sie uszkadzał bo go przeciążasz. Tranzystor ma obudowę SOT-23 a ty zmuszasz go do pracy liniowej z prądem 1,7A. Moc strat może osiągnąć kilka watów, podczas kiedy maksimum jest poniżej 0,2W. Pracował bez diody więc trudno powiedzieć, czy uszkodził się od przepięcia czy od za dużej mocy. Zapewne uszkodził się szybko...
jaki prąd pobiera ten wentylator , może lepiej zastosować tranzystor Mosfet , moc strat jest w nim dużo mniejsza niż w bipolarnych
Chyba lepiej użyć tranzystorów mosfet-p, mniejsze straty Tu wychodzi nawyk, gdzie przez kilkadziesiąt lat głównie stosowałem tranzystory bipolarne. Muszą być tylko z bramką sterowaną niskim napięciem.
Oczywiście, że równoległe. Tak, teoretycznie tak to wygląda, chociaż obawiam się, że nie trafisz na na tyle podobne parametrami mostki, że prąd będzie się rozkładał "równo" między mostki. Musiałbyś mostki mierzyć (głównie napięcia przewodzenia), wybrać 2 najbliższe sobie, oraz co najważniejsze porządnie sprząc je termicznie. Znaczy przykręcić blisko...
Nie moze, ponieważ zauważ, że jak otworzysz t6 i bramka mosfeta zostanie przeładowana do tych 4,5V to tranzystor się włączy, ale ... nie masz jak go wyłączyć. Wyłączysz t6, a napiecie na bramce nie spadnie. Nie ma co go ściągnąć do masy. Ogólnie przekombinowałes. Podłącz bramke MOSFETA do portu atmega tylko za pośrednictwem rezystora. Chyba że z jakąs...
Zastanawiam się czemu nie masz czasów martwych i Twój mostek jeszcze żyje mimo zasilania z sieci :) Zastanawiam się też czy jest sens stosowania diod MBR2545. One by były ok gdybyś chciał osiągnąć ZCS. Natomiast tutaj moim zdaniem wprowadzają tylko niepotrzebne straty. Bo podczas polaryzacji diody wbudowanej w tranzystor MOSFET straty występują głównie...
Wystarczy dać większy tranzystor i dobrać wartość rezystora z gwiazdką. - pisałeś że nie potrzebujesz źródła prądowego ? Dlatego zaproponowałem powrót do układu z #8 pokazującego poprawne sterowanie tranzystorem PNP. Układ można jeszcze uprościć używając tranzystora mosfet z obniżonym napięciem bramki np IRLZ44n. Wówczas był by sterowany bezpośrednio...
Czy może mi ktoś podpowiedzieć, jak obliczyć straty podczas otwierania tranzystorów? Chodzi mi oczywiście o sam proces otwierania, ponieważ potem to już pestka policzyć straty w stanie przewodzenia. Mam na myśli MOSFET i IGBT, chociaż pewnie IGBT zachowuje się w tym temacie identycznie jak bipolarny. I ja wiem, że te czasy przełączenia są śmiesznie...
Witam, Quarz bardzo dziękuję za wyjaśnienie, teraz już jestem w domu. jeszcze tylko jak by mi ktoś powiedział czy IGBT mają większą sprawność niż MOSFET tzn miej tracą mocy to byłbym szczęśliwy. cieszę się, iż znalazłeś swój dom... :D Odnośnie sprawności, w ścisłym tego słowa znaczeniu, to będzie można mówić, kiedy porównamy konkretne typu tranzystorów...
Zakładając że jest wysterowany prawidłowo i otwarty "w całości" to wg noty katalogowej IRF 540 ma RDS(ON) = 0,077 OHM. Przy 5A moc odłożona na tranzystorze przy ciągłej pracy ( tylko przewodzenie) to I*I*R co daje 1,925 W . Jeżeli nie masz żadnego radiatora to ten tranzystor musi się grzać. Taki np AUIRFB4410 z TME za 5 zł (10 szt. ) ma RDS(ON) = 0,01...
No właśnie a propos radiatora. Dlaczego zdecydowałeś się na tranzystory bipolarne, dodatkowo w układzie Darlingtona, co cechuje się dużym UCEsat? Dla twojej konfiguracji to będzie koło 3V, co dla 7m taśmy o poborze 0,4A/m daje 3*7*0,4=8,4W strat!! Koszmar. Dla porównania, tranzystor MOSFET o RDSon np. 50mOhm dałby zaledwie 0,4W strat (pomijam małe straty...
Wyjścia będą połączone rezystorem 1...1000ohm (dobiore doświadczalnie), który pod wpływem napięcia 12V podawanego przez 1 sekundę przepali się, podpalacjąc ładunek miotający. Ja w takim układzie zastanowił się nad zastosowaniem przekaźnika. Aby zapalić rezystor w ciągu 1s trzeba naprawdę dużego prądu. Jeżeli zastosujesz MOSFET, po pierwsze trzeba zwrócić...
A gdyby tak to zrobić na tranzystorze N-MOSFET, to sprawniejsza byłaby regulacja. To jaki tranzystor najlepiej dobrac do takiego ukladu? Bipolarny czy mosfet? Na ktorym beda mniejsze straty energii, ktory bedzie sie mniej grzal? Czy ma znaczenie jesli zamiast npn / n-mosfeta dam pnp / p-mosfet?
Przy pracy PWM liczy się szybkie ładowanie i rozładowanie bramki tak by tranzystor pracował jak najwięcej w trybie full on/ full off. Stan pomiędzy generuje straty które to odkładają sie w postaci ciepla na tranzystorze a to już go może przegrzać. Wyjscia z mikrokontrolera dają ok 20 mA to za mało by szybko włączyć i wyłączyć tranzystor. Dlatego daje...
Układ może się wzbudzać, można dodać kondensator do TL431. Nie uzyskasz 12V z 15V, chyba że znajdziesz mosfeta któremu wystarczy 3V na bramce. Nie zapomnij też o stratach mocy na tranzystorze, moc podawana jest dla 25°C na obudowie.
takie rozwiązanie właśnie jest w wyciągarkach duży stycznik. pracuje bo musi. jest to właściwie najbardziej awaryjny podzespół wyciagarki. dlatego żeby ograniczyc prąd rozruchowy i podniesc bezawaryjnośc chcę zastosowac półprzewodnik. Rozwiązanie jest tylko na pozór drogie - styczniki nie są tanie i szybko się wypalają, więc inwestycja się zwróci. tyrystor...
Jaki jest sens odfiltrowywać PWM następnie wzmacniać DC OP-ampem i sterować Mosfeta napięciem? Żaden. Daje się tranzystor LL (Logic Level) i poprzez niewielki rezystor steruje się go bezpośrednio z GPIO sygnałem PWM. Straty mocy praktycznie pomijalne, pewność działania i uproszczenie układu.
Ale LED nie świeci od napięcia, tylko od prądu. Jeżeli zasilasz z dwóch paluszków, to i tak napięcia powinno wystarczyć. Poza tym kto każe ci używać tranzystora bipolarnego? Chcesz mieć małe straty napięcia weż MOSFET-a.
Kilkadziesiąt amperów i 3,6V kojarzy się z e-szlugiem, jeśli tak to użyj PWM'a. Regulacja liniowa jest kłopotliwa, że względu na straty mocy, niestabilność termiczną MOSFETów oraz pozostałe analogowe problemy, oczywiście zrobić się da ale trzeba mieć konkretne powody żeby wybrać takie (trudniejsze) rozwiązanie.
Zastosowanie to zasilanie żarówek LED Zamiast bawić się w bipolarne lepiej użyć mosfeta. Mniejsze straty, wyższe dopuszczalne prądy. Szerszy wybór np. https://www.tme.eu/pl/katalog/tranzystor...
Układ z T1 nie zadziała, żeby nie było dużych strat przy normalnej pracy, tranzystor zabezpieczenia przed za wysokim napieciem powinien być całkowicie włączony, w tak prostym układzie się nie da, bo albo będzie wymagało przetwornicy (N-MOSFET) albo bardziej skomplikowanego układu stabilizacji napiecia (P-MOSFET), oczywiście da sie to zrobić na elementach...
Dlatego trzeba mniej więcej, doświadczalnie, dobierać rezystory bramkowe które takie oscylacje tłumią przez co na bramce mamy ładny prostokąt. Popsucie obwodu rezonansowego bramki jest jednym z celów użycia rezystora. Niektórzy projektanci używają również szeregowych perełek ferrytowych, częstotliwości rezonansowe tych pasożytniczych obwodów są dosyć...
Chciałem uniknąć strat mocy na tranzystorze, najlepiej pasowałby mi MOSFET, ale ciężko znaleźć taki, który działałby przy tak niskich napięciach
Oczywiście, nawet z mniejszymi stratami niż dioda prostownicza. Szukaj informacji na temat "active rectifier".
Jeśli chodzi o przetwornice impulsowe, oba rodzaje tematycznych tranzystorów mają swoje wady i zalety. Ale który jest najlepszy do danej aplikacji? W poniższym artykule nie odpowiemy bezpośrednio na to pytanie, jednakże porównamy tranzystory MOSFET z modułami IGBT, aby wskazać, na jakim polu poszczególne elementy są lepsze. Zasadniczo, przyjęło się,...
Koledzy chce uzyskać jak najmniej strat na układzie juzefag. Była propozycja z mosfetem zamiast tyrystora. Może ktoś podać konkretnie jaki ma być to mosfet. Zależy mi na prądzie ładowania max 10A. I czy połączenie dwóch takich tranzystorów równolegle zmniejszy straty??
Nie za bardzo mogę jednak znaleźć MOSFET SMD z Rds(on) na poziomie 10 mOm, Ids>0,5A i mocy dajmy na to >1W. Czy np. IRLML0060 spełni tutaj swoją funkcję? Czy może ktoś zaproponować lepszy (mniejsze Rds(on)) tranzystor? Dlaczego chcesz użyć typ "Logic Level" (IRLML0060), skoro zasilasz WO z 12V? - niepotrzebnie sobie zawężasz wybór tranzystora. IRLML0060Ma...
Ja uważam że najprościej (i najbardziej skutecznie) można by pokusić się o sterowanie halogenami przebiegiem PWM o częstotliwości kilku kHz, np. na układzie 555 + tranzystor MOSFET -> Straty mocy prawie żadne. A ściemnianie halogenów rezystorem może być "odrobinę" problematyczne ze względu na straty mocy w rezystorze.
Katalogowe Vds to napięcie przebicia, nie pracy, więc zapas musi być, przy zasilaniu 60V dał bym min 100V, rezystancję Rdson tak żeby była znacząco mniejsza powiedzmy 50%, wpisując >100V i <22mOm wyszukiwarka TME znalazła mi IXFH110N15T2 (150V 13mOm) za ~25zł (słabsze były droższe, więc bez sensu) Rdson to 24% tego co było więc powinno wydzielić...
Jeżeli nie będziesz miał kondensatorów blisko, fizycznie blisko pary BC807/817 to indukcyjność ścieżki będzie działała niekorzystnie w dwojaki sposób. Jej indukcyjność uniemożliwi szybki wzrost prądu ładowania złącza bramki MOSFET-a poprzez BC817/807. A to uniemożliwi właściwą stromość ładowania bramki i pogorszy komutację. Będziesz miał sporo cieplejszy...
Taki prostownik to dwa prostowniki jednopołówkowe podłączone do końców uzwojeń dających napięcie w przeciwfazie. Na schemacie masz na uzwojeniach początki oznaczone kropkami. Jedna dioda jest przy końcu z kropką, druga przy końcu bez kropki. Diody przewodzę naprzemiennie, co daje prostowanie dwupołówkowe. Miało to sens gdy diody były bardzo drogie....
Jescze chciałem dodać że w moim układzie gdy wszystkie MOSFETy są wyłączone to mamy połączenie równoległe ale przez diody wewnętrzne, gdyby zaakceptować pracę z diodami układzie wystarczył by jeden MOSFET i dwie diody, tylko ze straty mocy na załączonym MOSFETcie są znacznie mniejsze niz na diodzie. W układzie kolegi slawussj mozna wyrzucić jedną diodę...
Zastępując IRLB3034 tranzystorem IRFZ44 musisz liczyć się z koniecznością intensywniejszego chłodzenia: Rezystancja kanału IRLB3034 wynosi max 1,7 mΩ zaś IRFZ44 - 22mΩ i więcej . Na tym drugim straty mocy będą większe..
Zastosuj MOSFETa, przy tak mizernym prądzie i zastosowaniu tranzystora logic level straty są pomijalne. W dodatku MOSFET na takie małe prądy będzie w mikroskopijnej obudowie.
LEDówki - Dzięki, a może kolega podpowie, czy lepiej zastosować w tym układzie MOSFET, czy tranzystor. Zależy mi, aby np. zasilanie 5 V i na żarówce też, żeby było bez strat te 5 V.
Dla napięcia sinusoidalnego wartość średnia wynosi 0, dlatego wprowadzono coś takiego jak wartość skuteczna. Dla przebiegów których wartość średnia jest zerowa określa sie wartość średnią bezwzględną (średnią wyprostowaną). A więc średnia czy skuteczna? wybiera się tą która lepiej opisuje dane zjawisko. Np. w danych katalogowych diody prostowniczej...
Driver ten może mieć rezystancję wewnętrznego tranzystora dren-źródło do 12R. Z prawa Ohma: I = U/R Czyli 5V / 12R = około 410mA, to maksymalny prąd jaki można uzyskać. Podstawiając ich deklarowane 18V, wychodzi 1.5A (czyli tyle ile deklarują). Przy czym moc strat w takim przypadku (przy 18V) wyjdzie I^2R czyli 27W, jeśli zastosujemy obudowę DFN która...
Witam, mam kilka pytań dotyczących budowy przetwornicy STEP-DOWN, gdyż chciałbym zbudować taką do zasilania diody Luxeon III (3W) z ogniw Li-Ion (ok. 6..7.4V). Dioda pracuje przy ok. 3,7..4V (at) 700mA Zaznajomiłem się z materiałami dostępnymi w sieci, używałem specjalnych kalkulatorów itd. i doszedłem do następującego wniosku: Im wyższa częstotliwość,...
Więcej strat niż zysku. Z NPN-em będziesz miał dodatkową grzałkę :D. Tu nie warto oszczędzać, kup mosfeta, aż takie drogie nie są ;)
Nie wiem skąd taki wniosek wyciągnąłeś. Tranzystor można zniszczyć jak wydzieli się na nim za duża ilość ciepła czyli za duża moc strat P=Ic*Uce. Dodanie rezystora emiterowego ma taki sam wpływ jak dodanie rezystora emiterowego do zwykłego tranzystora bjt czy mosfeta.
To ciągle jest za słaby mostek. Skoro prąd zwarcia w twoim przypadku wynosi ok. 5 A, to mostek musi wytrzymać co najmniej 2xtyle, inaczej padnie raczej szybko. Poza tym do takich aplikacji stosuje się układy z kluczami z tranzystorów MOSFET, ze względu na minimalizację strat energii i grzania się układu. Zapomnij o muzealnych konstrukcjach typu L298....
Witam proszę o informacje jakie czasy przełączania bramki MOSFETA są osiągalne. Czy czasy rzędu 100..200ns przy przełączaniu ok. 18kHz to czasy przyzwoite ? Sterownika MCP1416 (prąd max, 1.5A, rezystancja szeregowa do bramki 7,5R przy napięciu Ugs=10V) Tranzystor to IRF830 (4.5A, 500V, Rds=1.5Ohm, Ciss = 600pF) Tranzystor pracuje przy 230V, obciążanie...
Kolego CSun , w datasheetach tych tranzystorów jest wszystko napisane... Dla prądu kolektora 3A gwarantowane beta to zaledwie 15, musiałbyś mieć Ib > 150mA. A Uce przy Ic = 2A byłoby > 1V, co daje już 2W strat na tranzystorze = radiator... MOSFET jest tu dużo lepszy, im mniejsza częstotliwość tym lepiej. Poczytaj lepiej dział [url=http://www.elektroda.pl/rtvforum/vi...
Skoro już wiadomo że chodzi o IRFZ44N to przy rezystancji wyjściowej drivera 47Ω przełączanie potrwa ok 200ns nawet jeśli szczytowa moc strat podczas przełaczania osiągnie 120W (najgorszy przypadek 12V 10A obciążenie indukcyjne - silnik) to przy 1kHz dodało by to tylko 24mW do strat w tranzystorze. Dlatego pisałem że mozna zwiększyc rezystor R4...
Zabezpieczenia tranzystora przed przepieciami robi sie tak samo jak w każdym innym układzie (np TVS), albo wcale - stosując tranzystor "avalanche rated" w dopuszczalnym zakresie przebicia. Podłączenie bramki w tym ukłądzie nie ma sensu. W układach niskonapieciowych wysokoprądowych zamiast stosować mostek, stosuje sie dwa tranzystory MOSFET odwrotnie...
Złącze pomiędzy podłożem a drenem jest tą pasożytniczą diodą, w każdym tranzystorze MOSFET ona będzie. Diody "Zenera" na napięcia >8 V to diody lawinowe, ale w każdej diodzie przy odpowiednio wysokim napięciu nastąpi przebicie lawinowe, podobnie w każdym tranzystorze MOSFET ono wystąpi. Jeśli przebicie lawinowe spowoduje przepływ prądu na małej powierzchni...
Projekt jest tylko propozycją układową co masz napisane w artykule w realu niestety parametry należy dobrać indywidualnie . Można spróbować powielić wartości dolnych tranzystorów do górnych , tranzystory co najmniej serii BD1xx lub BD2xx oczywiście pary komplementarne . Dla tranzystorów bipolarnych musisz jeszcze uwzględnić spadki napięć i moc strat...
Tranzystory MOSFET charakteryzują się minimalną opornością łącza więc straty termiczne nawet przy kilku amperach są minimalne a tranzystory kosztują pare zł. Ponadto tranzystor (nawet bipolarny) stosowany jako klucz ma zawsze straty dużo mniesze niż w przypadku pracy jako stabilizator szeregowy(nie dotyczy MOSFET) lub wzmacniacz. Co do aplikacji ........
Musisz wystabilizować napięcie zasilania 555. Z tytułu dużych prądów, w stopniu mocy powinien być MOSFET. W tranzystorze bipolarnym wystąpią b ardzo duże straty na ciepło (wymagany będzie duży radiator).
W teorii można dołożyć modulator PWM i sterować nim analogowo (ale patrząc na schemat widzę ze będzie ciężko). Tak jak piszą koledzy - używasz tranzystora w trybie liniowym i oznacza to ze musi on wytracać moc proporcjonalnie do zadanej przez ciebie nastawy - radiator jest niezbędny i proporcjonalny do mocy strat (w uproszczeniu potraktuj tranzystor...
Więc prostownik, i regulator szeregowy. Sprawę komplikuje duży zakres prądowy 20. Przy klasycznym rozwiazaniu należy się liczyć z dużymi stratami w tranzystorze szeregowym, wymagany niebotyczny radiator. Zostaje wiec tylko szeregowy regulator PWM, rzy zastosowaniu tranzystora kluczujacego MOSFET unikniesz strat ciepła, a duża częstotliwość kluczowania...
Dobrze kombinujesz ale jest jeden błąd w twoim rozumowaniu, da sie go poprawić, wtedy uzyskamy jedno z dwóch powszechnie znanych i popularnych rozwiązań. Mikroprocesor przez adc bada napięcie na kondensatorze, jeśli niższe niż zadane, odtyka mosfet/tranzystor, który doładowuje kondensator (równolegle z kondensatorem wyjście zasilacza) Dzięki temu, że...
Jeżeli chcemy użyć tranzystora w roli "przekaźnika", najlepiej będzie podłączyć go w konfiguracji wspólnego emitera (jeżeli to tranzystor bipolarny) albo wspólnego źródła, jeżeli chcemy użyć tranzystora MOSFET. W zależności od tego, jak chcemy sterować odbiornikiem, należy dobrać odpowiedni tranzystor: - typu NPN (bipolarny) lub z kanałem typu N (MOSFET),...
Tu są dwa źródła "jedzenia" prądu: 1. Obwód diody LED 2. Obwód sterowania silnika. W tym układzie obwód prądowy silnika powinien pracować dwustanowo: włączony wyłączony a tak nie jest. Przy zasłoniętym częściowo fotorezystorze tranzystor jest częściowo wysterowany i prąd kolektora cały czas płynie chociaż jest za mały by silnik się kręcił. W układzie...
Dioda zenera musi być znacznie wyższej mocy albo zastosować musi kolega darlingtona (np. dołożyć do kompletu BD139). Jeszcze inaczej można wstawić TL431, zenerkę na 30-40V i tranzystor typu mosfet. Straty na "sterowaniu" kosmetyczne bo bramka w zasadzie nie pobiera prądu. Chociaż biorąc pod uwagę dosyć "techniczne" zastosowanie, to nie myślał kolega...
Witam! Pytanie do Pana Krzysztofa i lub ew. pozostałych forumowiczów: czy do zasilacza P. Krzysztofa z postu nr 82 schemat nr 3 możliwa jest w prosty sposób adaptacja tranzystorów typu mosfet co po pierwsze znacząco by ograniczyło ilość tych, że tranzystorów mocy, strat i wzrost wydajności prądowej. Oczywiście po zastosowaniu bądź zbudowaniu właściwego...
1. Szerokość ścieżek daj maksymalną jaką możesz dać. Po co usuwać miedź, kiedy jest przydatna? Jak ścieżka będzie szersza, to nic się nie stanie. 2. Tranzystor bipolarny w tym zastosowaniu to nieporozumienie. Napięcie nasycenia między kolektorem i emiterem będzie stanowić około 20-30% napięcia zasilania. Jeżeli użyjesz małego mosfeta logic level, to...
Witam Szanownych kolegów. Od jakieś czasu walczę z stratami mocy na p-mosfecie w mojej przetwornicy step-down/buck . Obecnie testuje układ na obciążeniu w postaci 12V /20W żarówce. Sterując wypełnieniem PWM uzyskuje napięcia zgodne z kalkulacjami i wszystko było by dobrze gdyby nie straty na tranzystorze kluczującym p-mosfet IRF9Z34 ,który ma 0,1ΩRds(...
mosfet straty straty mosfet klucz tranzystorze mosfet
polkat forte napięcia baterii telefonu huawei sprawdzić agregat lodówki indesit
schema podlaczenia zamka centralnego
Kabel SATA 2725 E209329 Lian Feng - Kompatybilność i Rozwiązywanie Błędów STOP Kosz górny do zmywarki Whirlpool ADG 9836 - dostępność i zamienniki