Podana zależność wynika zapewne ze wzoru I=Q/t. Mosfet który podałeś wygląda na stosunkowo łatwy do sterowania, przy tej pojemności wejściowej nie powinno być problemu (im większa pojemność i/lub częstotliwość przełączania, tym uC ma "ciężej" przeładować bramkę).
Nie ma nic dziwnego w tym, że MOSFET mniej się grzeje wtedy, gdy żarówka świeci pełnym lub niemal pełnym światłem. NE555 jest dość marnym źródłem prądów do przeładowywania bramki MOSFETa - czas przełączania jest stosunkowo długi. Przy zimnym włóknie żarówki jej oporność jest bardzo mała i płyną przez nią bardzo duże prądy. A straty na przełączanie w...
To na pewno, o ile: - multiwibrator daje odpowiednie napięcie _ MOSFET-y potrzebują jedne 4V, inne ze 12; - nie zależy nam na bardzo dużej szybkości przełączania (bramka MOSFET-a ma kilka nF).
Wrzuca się jeszcze rezystor w szeregu do bramki MOSFET'a aby ograniczyć prąd w czasie przełączania (np. 10-20R), bramka ma swoją pojemność którą trzeba przeładować i na początku prądy mogą być znaczne.
Najprościej będzie użyć dowolnego tranzystora NPN małej mocy w rodzaju BC548 jako wzmacniacza pomiędzy bramką TTL a MOSFET-em. Jeden opornik (np. 22kΩ) od wyjścia bramki do bazy tranzystora, drugi (np. 10kΩ) od kolektora do +12V i już jest wzmacniacz, którego wyjście będzie się zmieniało od prawie 0V do +12V i który może wysterować bramkę...
czy mogę podać napięcie ujemne na bramkę tranzystora mosfet i czy przyśpieszy to rozładowanie pojemności bramki. Przeczytaj notę aplikacyjną HCPL3120 - jest tam pokazane jak zasilać układ napięciem dodatnim i ujemnym dla szybszego przełączania mosfeta.
Policzenie tego nie jest takie proste. Po pierwsze w swoich obliczeniach pomijasz napięcie nasycenia tranzystorów bipolarnych. Po drugie straty na MOSFEcie musisz rozbić na co najmniej dwie komponenty - pierwsza w miarę prosta to uwzględnienie zmieniającego się RDS podczas otwierania/zamykania tranzystora, to zależy od prędkości drivera. Rezystancje...
Czy MOSFET-y grzeją się przy przełączaniu, czy i bez niego? Od zbyt niskiego napięcie bramki powinny się grzać i bez przełączania.
Z tym 1MHz to chyba trochę przesadziłeś. W załączeniu mała korekta dla zasilania 12 volt. Dla zwiększenia szybkości przełączania MOSFET-a musisz zastosować najlepiej odpowiedni driver albo sygnał na bramkę wzmocnić jeszcze parą komplementarną.
Dioda przełączająca typu 1N4148, tyle że SMD, czyli w zależności od rozmiaru dokładne oznaczenia to: CD4148WT (0603C) CD4148WS (0805C) CD4148W (1206C) https://obrazki.elektroda.pl/8127533200_... A jaką pełni funkcję? Trzeba zajrzeć w datasheet kontrolera PWM i odnaleźć ją na schemacie. Jeśli jest np. umieszczona równolegle do rezystora...
Jest jeszcze taka sztuczka pozwalająca przyśpieszyć transoptor - uniemożliwić zmiany napięcia na wyjściu transoptora: https://obrazki.elektroda.pl/6940905900_... I transoptor który nie mógł się "zmieścić" w kilkudziesięciu us, przełącza poniżej 1us
Różni się napięciem na bramkach i chwilowym natężeniem prądu bramek podczas przełączania.
Jest jeszcze optodriver TLP351. I nie masz wtedy problemów z wysterowaniem bramki MOSFET-a wyższym napięciem i jego szybkim przełączaniem. Jest dostępny w TME, podobnie jak TLP250. Acha, tutaj: http://skory.gylcomp.hu/alkatresz/toshib... jest PDF (str.63), jak wykorzystać ten TLP do sterowania tranzystorem, co prawda IGBT. Ale zamiast...
Silnik podłączył bym pod Mosfet IRLZ44N, ale czytałem, że nie jest to do końca dobre rozwiązanie, ponieważ może dojść do odkładania ładunków na bramce, co w dalszym etapie może spowodować spalenie kontrolera. Odkładanie ładunków na bramce? coś pokręciłeś, albo odkryłeś zakamarki internetu z największymi bzdurami. Obwód bramki zachowuje się jak kondensator...
Te tranzystory mają mniejszy ładunek bramki od IRFZ44 - nie musisz się niczym martwić.
Dlaczego nie zadziała mógłbym prosić o wyjaśnienie? 1. Policz napięcie Ugs dla PMOS-a dla obydwu stanów - jest bez sensu. 2. 5V to za mało żeby w pełni załączyć IRF540 3. Obwód bramki ma pojemność żeby zmniejszyć napięcie do zera trzeba ten "kondensator" rozładować, przy NMOS-ach nie ma nic co by go rozładowywało, przy PMOS-ach możliwe do uzyskania...
"Będzie dobry" to bardzo ogólne pojęcie :) . Problem ze sterowaniem takiego tranzystora są dwa. Pierwszy to wydajność prądowa wyjścia Arduino. Wraz ze wzrostem częstotliwości przełączania proporcjonalnie rośnie prąd konieczny do naładowania pojemności bramki tranzystora MOSFET. W przypadku wymienionego 2nF to już sporo i wymagane byłoby dodanie driver-a....
Górne MOSFET-y podłączyłeś jakoś dziwnie - trzeba źródło do +zasilania (to ma być P-MOSFET), diodę Zenera między bramką, a źródłem. Być może dałoby się sterować górne MOSFET-y z dolnych, oszczędzając dwa transoptory. A transoptory nie muszą byś wysokonapięciowe, skoro napięcia na bramkach są niskie - tylko trzeba je inaczej podłączyć, między bramkę,...
NMOS też może być ale bramka będzie musiała dostać wyższe napięcie od wejściowego a PMOS wystarczy jak bramkę będziesz przełączał między VCC a GND. Pierwszy schemat korzysta z NMOS ale jest bardziej skomplikowany.
Łaski nie robi. Jakbyś naeysował ten kawałek i napisał, do czego to ma być uzywane, to być może moznaby coś poprawić - na przykład czas przełączania. RoMan
0. Schemat, a jeszcze lepiej layout płytki prosimy. Chyba nie wstawiłeś SOIC8 w płytkę stykową? 1. Jak jest sterowany tranzystor? Pojemność bramki ~6nF i czas przełączania rzędu 6us-20us wymaga dobrego źródła. 2. Czy obciążenie jest czysto rezystancyjne? 3. Sprawdzałeś jak wyglądają przebiegi?
1. Przyspieszy przeładowywanie pojemności bramki MOSFETa i tym samym zmniejszy straty przełączania. Bez tego i przy dużej częstotliwości PWMa będziesz miał ogromne straty na MOSFECie. 2. Zwykły wspólny kolektor, tyle że komplementarny. I rezystor bramkowy ze 4,7R by się przydał. http://obrazki.elektroda.net/4_125337859... Oczywiście to układ poglądowy....
Na bramce ładny przebieg prostokątny, ale MOSFET się nie przełącza i jest cały czas otwarty. BD911 dlatego, że innego nie miałem. A z tym przebiciem dren-źródło to się myliłem.
Teoretycznie powinien dać radę. Ok 500pF calkowitej pojemności bramki. Troche dużo. Polecam spróbowac i jak będzie się mocno grzał to albo zmniejszysz częstotliwość albo prąd bramki.
Coś czuje, że będzie to miało coś wspólnego z pojemnością bramki mosfeta i możliwościami prądowymi pinu procesora. Mam racje? - masz rację. Wysterowanie bramki powoduje ładowanie jej pojemności. Pomiędzy pinem procesora a bramką dajesz rezystor szeregowy - w celu ograniczenia maksymalnego prądu do wartości bezpiecznej dla pinu procesora (rozladowana...
Driver MOSFET jako osobny układ komplikuje schemat i utrudnia sterowanie, nie rozumiem po co używać drivera MOSFET skoro Arduino ma wbudowaną funkcję PWM. MOSFET a raczej kilka MOSFETów które będzie przełączać 100A ma duży ładunek bramki, a procesor ma małą wydajność prądową i niskie napiecie wyjściowe, przez co czas przełaczania będzie długi. Jakbyć...
"Przykładowo, przy przepływie przez tranzystor MOSFET prądu o wartości 20 A, straty na nim wyniosą 120...400 W, podczas gdy na IGBT wytraci się jedynie 33 W." Link To weźmy IRFP7718 - 1,5mΩ więc wytraci się 0,6W przy 20A (nie licząc strat przełączania). O ile w MOSFETach straty przełączania zależą od szybkości przeładowania bramki (można bardzo...
Jeszcze mam pytanie o rezystor używany na bramce mosfeta. Czytałem w tym linku Nemo07 o przełączaniu tranzystora Mosfet i pojemności złącza na bramce i zastanawiam się jak to ogólnie działa i jak należy to policzyć?
A jeśli pozwolisz, że spytam poza tematem, który parametr tranzystora przystosowanego do pracy liniowej podany w karcie katalogowej odpowiada za "Możliwość jego pracy przy częstotliwości 100kHz" i nagłej pracy liniowej ? MOSFETy da się bardzo szybko przełączać, ale im wyższa częstotliwość tym większych prądów bramki potrzeba, pewnym ograniczeniem jest...
Jeśli przetwornica podaje napięcie poprzez diodę (Schottky dla niższego spadku napięcia), to na diodzie od strony przetwornicy jest napięcie tylko wtedy, gdy ona je daje, i można wykorzystać je jako sygnał, że zasilanie z USB jest zbędne. I może nawet podać je wprost na bramkę P-MOSFET-a włączającego zasilanie z USB.
SR? Slew Rate - szybkość narastania. W przeciętnych wzmacniaczach 1V/us, czyli 20V to 20us a driver przełącza <100ns czyli kilkaset razy szybciej. Po co mi wydajność prądowa? MOSFET ma pojemność wejściową, żeby zmieniać napięcie na "kondensatorze" musi popłynąć prąd, tym większy im szybciej chcemy to zrobić. Zamiast podawać pojemność w nanofaradach...
Witam! Wstaw tam tranzystor bipolarny, lub bufor z bramek CMOS - niestety przy wysokich częstotliwościach przełączania MOSFET-y wymagają stosunkowo dużych prądów do przeładowania wewnętrznej pojemności bramki. Pozdrawiam! Marcin "Max" G.
Do rozważenia: MOSFET-y (jakieś o możliwie małym oporze w stanie włączonym - Alpha & Omega Semiconductor robi jakieś odpowiednie, chyba np. AO3407A wystarczy) zamiast diod, włączone tak, by wbudowane diody przewodziły we właściwą stronę. Plus układ sterujący włączeniem tych MOSFET-ów (dla rysunku z #4 chyba wygodniej będzie użyć MOSFET-ów z kanałem...
To jest przykład antyporadnika. Rozumiem, napisałeś o pewnych uproszczeniach, ale ten poradnik wprowadza w błąd. Po pierwsze: Stwierdzenie, że mosfety sterowane są napięciem. Tak dzieje się w stanie statycznym. Przy szybkim przełączaniu, płynie prąd bramki. Dlaczego drivery do mosfetów czy IGBT są zdolne do wystawiania kilku A prądu? Właśnie do przeładowania...
przy tych wartosciach rezystorow to wcale sie nie dziwie ze ci sie mosfet pali :) Przy napieciu 150V za duze napiecie dostaje bramka i jest bum. A przy napieciu 12V bramka dostaje za male napiecie i mosfet nie nasyci sie. Rownolegle do R1 musisz dac zenerke 12V anoda do bramki. R4, R5 w zasadzie nie sa potrzebne ale mozna dac np. 1kom. R3 dalbym 100k...
Witam proszę o informacje jakie czasy przełączania bramki MOSFETA są osiągalne. Czy czasy rzędu 100..200ns przy przełączaniu ok. 18kHz to czasy przyzwoite ? Sterownika MCP1416 (prąd max, 1.5A, rezystancja szeregowa do bramki 7,5R przy napięciu Ugs=10V) Tranzystor to IRF830 (4.5A, 500V, Rds=1.5Ohm, Ciss = 600pF) Tranzystor pracuje przy 230V, obciążanie...
Kolego Bart921 - niestety z przykrością to piszę ale cały koncept i schemat jest do d.... Po pierwsze - jeśli to silnik do roweru elektrycznego to ma z kilkaset W mocy. Jeśli przy 18 V brał 2 A to podejrzewam, że przy 55 V będzie z 10A, a przełączanie takiego prądu nie jest sprawą trywialną. Dead time - obowiązkowy ! Różnego rodzaju przepięcia podczas...
Dlatego trzeba mniej więcej, doświadczalnie, dobierać rezystory bramkowe które takie oscylacje tłumią przez co na bramce mamy ładny prostokąt. Popsucie obwodu rezonansowego bramki jest jednym z celów użycia rezystora. Niektórzy projektanci używają również szeregowych perełek ferrytowych, częstotliwości rezonansowe tych pasożytniczych obwodów są dosyć...
Witam, szeregowe rezystory w bramkach tranzystorów mosfet stosuje się głównie dla uniknięcia pasożytniczych zjawisk związanych z pracą tranzystorów w układach przełączających. Tranzystory mosfet są "same z siebie" elementami o bardzo krótkich czasach przełączania, ma to zarówno plusy dodatnie jak i ujemne, jak mawiał klasyk. Z jednej strony (dla ustalonej...
Jeżeli chcesz jedynie przełączać MOSFET pomiędzy przewodzeniem, a blokowaniem, to zasadniczo tak. Choć ja bym dał przełącznik "na odwrót" (aby bramka była przezeń przełączana pomiędzy dodatnim napięciem polaryzującym, a zwarciem ze źródłem).
Ponadto czy w takim układzie tylko jeden obwód na raz będzie w fazie manipulacji opornościami podczas, gdy pozostałe są w fazie nieingerowanej żadnymi rezystancjami? Dokładnie o takiej wersji myślałem. Inaczej potrzebowałbyś kilkudziesięciu regulowanych napięć do sterowania bramek MOSFET-ów. A tak, to wystarczy do tych bramek podłączyć oporniki (od...
W pewnym stopniu tak. Dodano po 1 Ale uważaj- tylko w pewnym stopniu. Ważne jest napięcie źródło-bramka. Analiza tego jest dość prosta- interesuje nas tylko napięcie na bramce względem źródła. Powodujące przewodzenie albo zamknięcie kanału. Tylko dw stany- reszta- bywa dość skomplikowana- to jest przełączanie. Ważne przy dużych częstotliwościach.
Rozumiem, że małe rezystory bramkowe pozwolą zmniejszyć straty związane z przełączaniem, ale jednocześnie przy wystąpieniu oscylacji konieczne będzie zwiększenie tych rezystorów, a co za tym idzie zwiększą się straty na przełączaniu? Dokładnie. Niektórzy wstawiają małe feryty, diody zenera, masy bramek łączą przy driverze lub zwiększają rezystancję,...
tak to wygląda w całosci: http://obrazki.elektroda.net/38_12454103... edit: no dobra widzę że nikt nie wie o co chodzi więc zamykam temat, bo odkryłem sprawdzając na oscyloskopie że chodzi o wypełnienie impulsu sterującego bramką. Czyli łopatologocznie uśrednione napięcie jest niższe niż trzeba, albo jeszcze inaczej za szybko przełącza Mosfeta ;-)
kolego czy możesz obszerniej opisać ten parametr CG=Cis i to napięcie diody wstecznej co to jest i co oznacza jaki ma wpływ na tranzystor ? Sprawa jest prosta. Napięcie diody to jest napięcie diody. Prąd płynący przez diodę powoduje spadek napięcia na niej. Przeważnie zwykłe diody krzemowe mają ok 0,7 V. Ta dioda jest nawet narysowana na Twoim testerze....
Czy one nie pójdą do nieba jakby dostaly peak np 3A w czasie przeładowyania pojemności bramki M1 ? Po to jest tam R4 - rzędu kilkudziesięciu Ohm. Nie rozumiem dlaczego, powinno być to samo Nie będzie tak samo, gdyż (przy zwartym R3) Q3 będzie lepiej wysterowany (większy prąd bazy) przez Q1, podczas gdy prąd bazy Q2 jest ograniczony przez R2.
Ściślej mówiąc, prąd w obwodzie bramki jest potrzebny w momencie załączania i wyłączania tranzystora. Zgodnie z danymi należy wtedy przeładować ładunek -Qg (Total Gate Charge) - maks. 63 nC (testowane to jest przy przy ID = 25 A; VDS = 44 V; VGS = 10 V). Szybkość przełączenia wpływa na grzanie tranzystora (im szybciej, tym lepiej z punktu widzenia tranzystora)....
To są wyjścia CMOS, więc podciągające rezystory nie robią sensu. Pojedyncze wyjście ma limit obciążalności ±25mA i jest to wartość wystarczająca do sterowania bezpośrednio bramką POWER-MOSFET. Niezależnie, dla szybszego przełączania MOSFETa (by zredukować jego straty z przełączania) stosuje się równoległe połączenie kilku bramek CMOS. Tak uzyskasz...
Cześć. Na początek czepialstwo - temat tak napisany, że nadal nie wiem o co konkretnie chodzi. W każdym razie, użycie transformatorów bramkowych to często dużo tańsze rozwiązanie niż izolowane drivery. Pierwsza sprawa że możesz użyć gotowej przetwornicy. Druga że fabryczne transformatory do przetwornic nie są popularne, w dużych sklepach jak Farnell...
Witam. planuje zbudowac sztuczne obciazenie problem pojawia sie na sterowaniu mosfetem z arduino. Czy transoptor sterowany z arduino z pinu pwm a fototranzystor bedzie zasilam bramke mosfeta z rownolegle polaczonym kondesatorem aby mosfeta mozna bylo otworzyc np. w połowie Witaj na forum elektroda.pl! Twój pomysł na użycie transoptora do sterowania...
Katalogowe Vds to napięcie przebicia, nie pracy, więc zapas musi być, przy zasilaniu 60V dał bym min 100V, rezystancję Rdson tak żeby była znacząco mniejsza powiedzmy 50%, wpisując >100V i <22mOm wyszukiwarka TME znalazła mi IXFH110N15T2 (150V 13mOm) za ~25zł (słabsze były droższe, więc bez sensu) Rdson to 24% tego co było więc powinno wydzielić...
Nie zapominaj, że w tych tranzystorach są jeszcze diody o kierunku przepływu ŹRÓDŁO-DREN one przewodzą niezależnie od tego co jest na bramce tranzystora.
Żarówka sie nie pali gdy zwieram styki po stronie diody stad wnioskuje ze cos robie złe. Po podłączeniu baterii 9V wprost do LEDa w FOD3180, układ scalony zapewne nadaje sie już tylko do śmieci. jak wrazliwe sa te uklady czy latwo jest to spalic przez niefrasobliwe polaczenia. Każdy element półprzewodnikowy da się spalić przez błędne podłączanie. W...
Piszcie bardziej na temat, jeżeli nie chcecie aby temat wylądował w koszu. Rezystor na bramce psuje dobroć indukcyjności zrobionej ze ścieżki łączącej bramkę ze sterownikiem. W czasie przełączania, ta indukcyjność z pojemnością bramki tworzą układ rezonansowy, który wprowadza zakłócenia. Trwa to bardzo krótko, ale jest wykrywalne. Gwałtowny spadek napięcia...
Jeśli potrzebne jest w miarę szybkie przełączanie (poniżej kilku mikrosekund), to bramkę MOSFET-a steruje się poprzez tranzystory bipolarne (może być jeden, jeśli tylko włączanie, albo tylko wyłączanie ma być szybkie), a nie bezpośrednio z nóżki uC. Przy wolniejszym może być opornik ograniczający prąd, można równolegle do niego podłączyć kondensator...
Warto zabezpieczyć mosfet, szczególnie obwód bramki np. diodą zenera, przed przebiciem. Chciałbym również zwrócić uwagę na fakt, że obwód wejściowy tego układu powinien mieć trochę wyższy próg przełączania i najlepiej jakby tam był przerzutnik Smitha.
Jeżeli potrzebujesz na wyjściu tylko dwa stany : 1- górny przewodzi a dolny zatkany 2- górny zatkany a dolny przewodzi to bazy steruj zamiast tranzystorami - układem scalonym z wyjściem Q i Q zanegowane. Nie będzie kolizji oraz przełączanie będzie szybsze ze względu na szybkie przeładowywanie pojemności wejściowej bramek MOSFETa układem przeciwsobnym...
Albo ja nie zauważyłem, albo nikt tu nie wspomniał o diodach "lawinowych" (avalanche diode), które specjalnie do takich rzeczy są, czyli do tłumienia przepięć z indukcyjności. Kolejna rzecz, możesz też zapobiec szybkiemu narastaniu napięcia na indukcyjności przez płynną zmianę prądu, a nie skokową, jak zresztą zostało to już powiedziane. A można to...
Dodam, że bramki sterowane z uP (I max = 15mA ; U = 3.3V). Zakładając że prąd magnesowania nie może przekroczyć 15mA po 150us przy 3,3V indukcyjność powinna być powyżej 33mH. Nie wykluczam że da się to zrobić przy sterowaniu wprost z portu, ale gdybyś miał źródło o większej wydajności prądowej wymagania w stosunku do transformatora były by mniejsze....
Wydaje mi się, że mam jakiegoś starego może bipolarnego 4017. Faktycznie, widzę że posiadasz zabytek techniki z nieistniejącego kraju, czyli produkt zakładów im K.Marksa z NRD, wyprodukowany ledwo kilka miesięcy po katastrofie w Czarnobylu. Ale to normalny CMOS, odpowiednik zachodnich o tym numerze. Bipolarnej serii 4000 nigdy nie było. Pin 3 układu...
Do włączania i wyłączania tranzystora mosfet Logic-Level z kontrolera bezpośrednio wystarcza dwa rezystory, szeregowy (u Ciebie brak) z bramką i do masy, który wyłączy mosfeta. Jeśli chcesz używać PWMa to niestety jakiś nawet najprostszy driver, jest zalecany,a nawet konieczny. Bo przy tranzystorach mocy i małym Rdson i jeszcze LL musisz przeładować...
Nie, nie pojawi, ale nie tu jest problem. Problem zwarcia skrośnego w mostku H nie wynika z podania napięć na bramki obu tranzystorów jednej gałęzi jednocześnie przez sam układ sterujacy mostkiem, tylko z fizycznych mozliwości z jaką prędkością jesteśmy w stanie ładować bramki tranzystorów. Przykładowo mikrokontroler włącza górny klucz, po chwili go...
Ten tranzystor nie pełni funkcji klucza. Nie ma tu ani klucza ani przełączania.
Układ PCA może działać w trybie open drain lub totem pole, i dawać lub pobierać 10-25mA prądu zależnie od konfiguracji na każdy kanał. Musisz zbudować jakiś klucz prądowy o wytrzymałości zależnie od tego jak długi będzie pasek diod. Ja bym zastosował mosfety, można je przyłączyć bezpośrednio lub przez driver sterujący bramkami i przyspieszający przełączanie...
Podczas startu tego silnika w wodzie pobór prądu dochodzi do 35A, gdy pracuje w powietrzu prąd nie przekracza 4A... nie powiedziałbym więc, że opory są prawie zerowe. W trakcie płynięcia prąd spada do 22-24A. Powyżej 15% wypełnienia silnika nie da się zatrzymać ręką, więc moment mały nie jest. Oczywiście wszystko zależy od budowy silnika, ale to jest...
https://obrazki.elektroda.pl/8811671800_... Wzrost zastosowania sterowników silników, inteligentnych sieci przesyłowych i technologii inteligentnego domu, a także zwiększone zapotrzebowanie na urządzenia wysokiego napięcia, przyczyniły się do wzrostu światowego rynku sterowników bramek tranzystorów MOSFET i modułów IGBT mocy. Kompletny...
Witam Generalnie dobrze, ale dobierz tranzystor do spodziewanego poboru prądu oraz wybierz typ załączający przy mniejszym napięciu bramki Albo przełączać MOSFET napięciem +12V które jest w układzie, konieczny byłby tylko jakiś dodatkowy tranzystor za pare groszy. Diodę najlepiej zostawić.
Jak się grzeje, to ma za duże Rdson. Liczysz moc strat P=I^2*R. 1W to akceptowalne maksimum strat dla tranzystora w obudowie TO-220. Jak szukałem mosfet na 3A, który by działał bez radiatora, to 0,2R było stanowczo za dużą wartością. Użyłem IRF4905 o oporze 0,02R. MOSFET ma tę brzydką przypadłość, że Rdson zależy od temperatury złącza i napięcia Ugs....
Witam, jeżeli ten mosfet ma mieć porównywalnie krótkie czasy załączania / wyłączania i driver ma być zrobiony sensownie oraz zgodnie z zasadami sztuki inżynierskiej, potrzebne są dwa tranzystory. Układ z postu #8 jest prawie dobry, lecz: - należy zamienić miejscami emiter i kolektor tranzystora pnp (dolnego) - dodać rezystor szeregowy do bramki mosfet'a,...
Witam, tworzę układ sterowania serwomechanizmami, który zasilany będzie z USB, a więc może zajść potrzeba wpięcia zewnętrznego zasilania w przypadku zapotrzebowania na większy prąd. Potrzebuję mieć wciąż wpięte USB do komunikacji. Analizowałem schemat Arduino Uno, w którym jest obwód przełączający z zasilania USB na gniazdo DC.. dochodzę jednak do dziwnego...
Co jest źródłem światła? Jakie napięcie będzie przełączał MOSFET, z czego zasilisz bramkę, czy oprócz opóźnienia, ważna jest szybkość włączania/wyłączania. Jak często układ będzie zmieniał stan? Co będzie obciążeniem, czy dopuszczalne jest podanie na obciążenie dowolnego napięcia w zakresie 0-Uzas Wyłączenie tranzystora możesz uzyskać włączając fotodetektor...
Użycie WO i wzmacniaczy mocy audio jako sterowników bramek jest bez sensu, producent wzmacniacza musiał zastosować kompensację częstotliwościową, co w sterowniku bramek przeszkadza bo spowalnia przełączanie, wzmacniacz ma stosunkowo skomplikowany stopień wyjściowy (zoptymalizowany dla małych zniekształceń) przez co ma większe napięcie nasycenia niż...
Takie zagadnienia jak, pojemność bramki i wartość prądu potrzebnego do sterowania nim, wpływ częstotliwości przełączania na moc traconą etc. znalazły by się czy mam nadzieje znajdą bo artykuł powstanie, w części dotyczącej tranzystorów MOSfet dużej mocy, bo raczej wtedy częściej analizujemy pojemności bramki, częstotliwości przełączania czy bierzemy...
No to słabe schematy to były. Zwiększ rezystory bramkowe do 47-100ohm na SG3525 jaki dead time ustawiłeś? Radiatory na mosfetach muszą być. Obudowa TO-220 rozproszy maks 1W, potem już się tylko mosfet upali. Straty na przełączaniu mogą być spore, nawet bez obciążenia. Co do pomiaru bramki, to gdzie dokładnie mierzysz? na bramce mosfeta, na diodzie,...
2. Jeżeli miał by tam być rezystor to jakiego rzędu? 10-100Ohm?? Większe chyba też by mogły być ale wtedy mosfet by się wolniej rozładowywał i tym samym wolniej reagował na zmiany? Dokładnie tak - niewielki rezystorek, bo im większa jego wartość, tym wolniej MOSFET będzie się przełączał. 5. Czyli jak chciał bym wyższą częstotliwość, to powinienem zastosować...
Wszystko zależy od tego z jaką częstotliwością chcesz przełączać tego PWMa i jaki to PIC (a w zasadzie jaką ma wydajność portu). Profilaktycznie sugeruję jednak dodanie rezystora w szereg z bramką, bo Twój mikrokontroler może wystrzelić z kosmos. Mosfety mają zły nawyk pobierania bardzo dużego prądu przy przełączaniu (z punktu widzenia procesora to...
przeglądnij sobie te rozwiązania http://images.google.pl/images?hl=pl&q=m... ogólnie zasada jest taka jak pisali koledzy wcześniej element sterujący bramką powinien być zasilany wyzszym napięciem , w celu uzyskania szybkiego wysterowania bramki tranzystora
Jak widać na tyle nieskutecznie, że masz problem. Starałem się pomóc a skoro tego nie chcesz, to rób jak uważasz. Ja wprowadziłbym dodatkowe sprzężenie zwrotne (rezystor pomiędzy kolektorem T4 a bazą T3) choćby po to, żeby uzyskać pewniejsze przełączanie MOSFEta. I nie lekceważyłbym tego -35V na bramce MOSFETa.
82nC versus 123nC(tabelka). Chyba ,że wykres przestawia "typowe wartości" a nie maksymalne. Tak jest na wykresie są typowe. Ze wzoru: Q= C*U --> C=Q/U W przykładowej sytuacji: C = 85nC/12V = 7,08nF Teraz widzisz jaki miał byś błąd licząc wg Ciss=2159pF Przyjąłeś do obliczeń liniową pojemność 7nF spore uproszczenie Czy taki tor obliczeń jest poprawny?...
Dzielnik przed bramką powoduje, że tranzystor musi się w pełni włączać dla Vgs=1V. Po co taki dzielnik? - aby sobie utrudnić? Poza tym czy na pewno tranzystor musi mieć Rdson= kilkadziesiąt miliOhm ? - toż to daje Udson= mikroV - na pewno jest taka potrzeba? Jakie napiecia ma przełączać? Np. DMG3414 https://www.tme.eu/pl/Document/ef257ae69...
ad1. Tak, nie otworzyłby się bo zenerka stanowiłaby praktycznie przerwę w obwodzie, izolując tranzystor (nie przekroczyłbyć napięcia Zenera na diodzie). ad2. Jak najbardziej. Dopuki nie przekraczasz dopuszczlnego UGS to nie musisz bramki w żaden sposób zabezpieczać. Dlatego lepiej by było gdybyć mógł zastosować N-MOSFET. Z drugiej strony bez zenerki...
Ciekawe, że przykładowo w tym projekcie z użyciem prostego kodu bez ingerencji Ale w "tym projekcie" użyty jest TIP 120, Darlington NPN, w Twoim jest MOSFET RFP12N10L. Jeżeli użyłeś rezystora 1k w bramce mosfeta, jak we wskazanym linku to nic dziwnego, że mosfet za wolno się przełącza. Użyj schematu, jak poniżej: https://obrazki.elektroda.pl/7633274100_...
Jak działa UC3853 jest napisane w pdf producenta, ja tylko dostosowałem to dziwactwo do potrzeb UC3853. Dwa wzmacniacze różnicowe są do pomiaru napięcia wejściowego i prądu pobieranego ze źródła. Z wzmacniacza różnicowego który jest podłączony do napięcia wejściowego, korzysta komparator który przełącza sterowanie mosfetami w zależności od polaryzacji...
1. Jakie sposób zasilania kostki będzie lepszy? 5V czy więcej (np. 9V)? Wyższe napięcie daje mi trochę „zapasu” i mogę użyć większych rezystorów, przez co ewentualne wahania prądu płynącego przez diodę powinny być mniejsze*, ale z drugiej strony zwiększy to pobór mocy oraz konieczne będzie dodatkowo obniżanie napięcia żeby zasilić mikrokontroler....
Rezystor 10k na bramce, tylko spowolni przełączanie, i spowoduje wydzielanie większych ilości ciepła na tranzystorze. MOSFET jest sterowany NAPIĘCIOWO daj tam max 2k2.
Na drenie są i się przenoszą, można je tłumić, robi się tak że dodaje się kondensator (w zakresie pojemności setek pF) dobierając tak aby częstotliwość dzwonień spadła dwukrotnie Kondensator pomiędzy bramką a źródłem i rezystor na bramkę tak aby tworzył filtr dolnoprzepustowy? Dobrze rozumiem? W jaki sposób sposób dobiera się moc diody TVS do takich...
Po co zamiennik jak dostępny oryginał. https://obrazki.elektroda.pl/8353075700_... https://obrazki.elektroda.pl/9710965400_... NCP81161MNTBG to zgodny z VR12.5, synchroniczny sterownik MOSFET buck w 8-pinowym pakiecie DFN. Jest to wysokowydajny podwójny sterownik bramki MOSFET zoptymalizowany do sterowania bramami zarówno...
1N4007 raczej jest za wolna, użyj UF4007. Poza tym wyłączanie MOSFET-a może trochę potrwać - jaki on ma ładunek bramki? Niestety w nocie katalogowej na Elenota.pl brak parametru "Total Gate Charge" dla BUZ10 i nie ma BUZ103S (jest dla BUZ102S - typowa 45nC, maksymalna 70nC, przy napięciu drenu 40V); dla BUZ10 podają parametry szybkości przełączania...
Zmień mosfet na inny z mniejszym napięciem Vgs. Dodaj mu też driver do bramki i zwiększ częstotliwość przełączania.
Też mam takie wrażenie. A wtedy moc tracona na skutek ograniczenia prądu bramki przy przełączaniu wyjście 10x mniejsza, bo będzie 10x mniej przełączeń.
MOSFET przede wszystkich królują w układach przełączający (impulsowych). Wielokrotnie szybsze przełączanie, zdolność przewodzenia dużych prądów, zazwyczaj mniejsze straty przewodzenia... Ponadto znacznie łatwiejsze sterowanie - żeby utrzymać MOSFET włączonym nie trzeba żadnych specjalnych zabiegów (starczy przeładować w celu przełączenia pojemność bramki,...
Te które posiadają mała rezystancję D-S, maja zaraz większe pojemności bramkowe i zapewne tu też wystąpią straty i będzie się trochę grzało. Przy takiej częstotliwości przełączania pojemność bramkowa nie ma znaczenia, straty są na złączu a nie na bramce poza tym mamy sterownik mosfeta. Co do miernika to chyba nie będzie AC!!!
Spróbuj zwiększyć rezystancję w bramce mosfeta do kilkudziesięciu omów. Spowolni to przełączanie tranzystora, zmniejszą się przepięcia lecz nieco wzrosną straty z przełączania - przy ta małej częstotliwości nie powinno to być dużym problemem.
2)Czy zastosowanie drabinki R-2R z rezystorów SMD 1k (i 2k) 0.1% zamiast układu DAC0808 znacząco wpłynie na dokładność układu? Prostota drabinki kusi. Do czego ona ma służyć? Podaj jakieś szczegóły. Czy rezystory R1 R2 na bramkach mosfetów są konieczne? Ograniczają prąd bramki w momencie przełączania.
Czas przełączania nie ma większego znaczenia - myślę że poszczególne mosfety będą max kilkanaście razy na dobę zmieniały stan, więc szybkość przełączanie ma drugorzędne znaczenie. Jednak dobrze by było żeby sam proces załączania i wyłączanie nie trwał zbyt długo - powiedzmy max 100-200ms - z uwagi na możliwe spore prądy i niepotrzebne grzanie się tranzystorów...
IPB019N06L3: 1. Nie możesz go sterować wprost z uC, gdyż to tranzystor o ogromnej pojemności bramki (typowo 21nF), poza tym Vgsth=1,7V (typowo) nie oznacza wcale że 3V z uC go prawidłowo wysteruje. http://www.infineon.com/dgdl/IPB019N06L3... - patrz wykres 6 -...
...ale ten układ rozładowuje bramkę MOSFETa jedynie przez rezystor, to oznacza albo duże straty w driverze albo długie czasy przełączania bramki. Tranzystory których używam mają pojemność bramki rzędu 1,5nF. Dioda mogłaby być zwykła szybka - ale podaj jakiś typ... ja nic lepszego nie znalazłem. Nie znam też szczegółów sposobu dobierania takich diod,...
Następny etap to podtrzymanie otwarcia- tranzystor górny zatkany, dolny kluczuje według sygnału PWM. Chyba coś ci się pomyliło - górny załączony. Popatrz na swój schemat dioda pasożytnicza górnego MOSFET-a będzie przewodziła niezależnie od sygnału sterującego - po prostu tranzystor jest źle dobrany do kierunku przepływu prądu. Widzę dwa rozwiązania....
Pamiętaj o tym ,że mosfet ma pasożytniczą pojemność i przełączanie wysokich częstotliwości może być zniekształcone. Pozatym Mosfet typu n i p inaczej się podłącza poczytaj tu: http://mikrokontrolery.blogspot.com/2011... Mosfety są różne Kolego, są takie, które bez problemu poradzą sobie z częstotliwościami rzędu...
W charakterze prostego switcha on/off możesz zastosować tranzystor MOSFET. Jeśli zastosujesz logic level MOSFET, to przy takim prostym przełączaniu zasadniczo po prostu łączysz jego bramkę z MCU i tyle. Warto też wymienić prehistoryczne l298, które mają tranzystory bipolarne i się grzeją na coś opartego właśnie na MOSFETach, są gotowe scalone sterowniki.
przełączania mosfet prąd przełączania mosfet ładunek bramki szybkość przełączania
ustawienie regulatora pokojowego termet klucz udarowi speakon speakon
lanzar maxp124 przerywacz kierunkowskazów schemat
Funai LED H 9200M - Czy posiada system Android? Dekoder Opticum H255 zablokowany na BOOT - jak odblokować?